JP2007265859A - 有機ｅｌ表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】高輝度で白色表示に好適な有機ＥＬ表示装置を提供。
【解決手段】ガラス基板ＳＵＢの主面上に緑色画素（Ｇ画素）、青色画素（Ｂ画素）、赤色画素（Ｒ画素）、白色画素(Ｗ画素)の４画素で１カラー画素を構成する。各下部電極ＢＥＬの上のＧ画素とＢ画素およびＷ画素の領域に青色の有機ＥＬ発光層ＬＢを形成する。Ｇ画素とＲ画素およびＷ画素の領域にオレンジ色の有機ＥＬ発光層ＬＶを形成する。全ての画素の有機ＥＬ発光層を覆って共通の上部電極ＵＥＬを成膜する。Ｇ画素の上部にＧフィルタＧＦを、Ｂ画素の上部にＢフィルタＢＦを、Ｒ画素の上部にＲフィルタＲＦを設ける。Ｇ画素は、オレンジ色発光層ＬＶと青色の有機ＥＬ発光層ＬＢの光からＧＦで、Ｂ画素の領域では、青色発光層ＬＢの光からＢＦで、Ｒ画素は、オレンジ色発光層ＬＶの光からＲＦで、Ｗ画素は、オレンジ色発光層ＬＶの光と青色発光層ＬＢの光からフィルタ無しで白色光を取り出す。
【選択図】図４

Description

本発明は、有機ＥＬ表示装置に係り、特に２種の有機ＥＬ発光層で３色プラス白色画素によるフルカラー表示を実現した有機ＥＬ表示装置に明るさ向上に好適なものである。

フラットパネル型の表示装置として液晶表示装置（ＬＣＤ）やプラズマ表示装置（ＰＤＰ）、電界放出型表示装置（ＦＥＤ）、有機ＥＬ表示装置（ＯＬＥＤ）などが実用化ないしは実用化研究段階にある。中でも、有機ＥＬ表示装置は薄型・軽量の自発光型表示装置の典型としてこれからの表示装置として極めて有望な表示装置である。有機ＥＬ表示装置には、所謂ボトムエミッション型とトップエミッション型とがある。なお、ここでは、本発明をアクティブ・マトリクス方式の有機ＥＬ表示装置について説明するが、発光層構造に関しては単純マトリクス方式などの有機ＥＬ表示装置にも同様に適用できる。

図１０は、ボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置の構成例を説明する図である。図１０（a）は概略全体構成を説明する断面図、図１０（b）は単位画素の構造例を説明する断面図である。ボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置は、ガラス基板を好適とする絶縁基板ＳＵＢの主面上に、薄膜トランジスタＴＦＴを有し、絶縁膜ＩＮＳに形成したコンタクトホールを通して第１の電極または一方の電極（以下、下部電極、あるいは画素電極としての透明電極（ＩＴＯ等））ＢＥＬが形成されている。下部電極ＢＥＬは各単位画素毎に独立となっている。

薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域の上方には絶縁材で形成された堤すなわちバンクＢＮＫを有し、隣接する単位画素間を区画して電界の印加で発光する有機発光層ＩＬＬの収容部を構成する。有機発光層ＩＬＬを覆って第２の電極（共通電極）または他方の電極としての反射性の金属電極すなわち上部電極ＵＥＬが積層されている。こうして構成された有機ＥＬ素子を主面に有する絶縁基板ＳＵＢは封止缶ＣＡＶで外部雰囲気とは隔離され、接着材等の封止材で封止される。なお、封止缶ＣＡＶで封止された内部には乾燥剤あるいは吸湿剤ＤＳＣが内蔵される。

そして、例えば下部電極ＢＥＬを陽極（アノード）とし、上部電極ＵＥＬを陰極（カソード）として両者の間に電界を印加することで有機多層膜で構成した有機ＥＬ素子にキャリア（電子と正孔）が注入され、該有機多層膜が発光する。有機ＥＬ素子の発光Ｌは絶縁基板ＳＵＢを通して表示光として出射される。この有機ＥＬ素子の単位画素を赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）をカラー画素とし、このカラー画素をマトリクス状に複数配列することで、フルカラーの画像表示が得られる。

図１１は、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置の構成例を説明する図である。図１１（a）は概略全体構成を説明する断面図、図１１（b）は単位画素の構造例を説明する断面図である。トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置は、上記したボトムエミッション型の一方の電極に対応する下部電極ＢＥＬを反射性を有する金属電極とし、他方の電極である上部電極ＵＥＬをＩＴＯ等の透明電極とし、両者の間に電界を印加することで有機多層膜が発光し、この発光Ｌを上部電極ＵＥＬ側から出射する構成となっている。トップエミッション型では、ボトムエミッション型における封止缶として、ガラス板を好適とする透明板が使用され、乾燥剤あるいは吸湿剤ＤＳＣは透明材料とするか、表示光を遮光しない部分に配置される。他の構成は図１０とほぼ同様である。

また、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の有機ＥＬ素子の代わりに、白色の有機ＥＬ素子に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタを組み合わせてフルカラーの画像表示を実現するものも知られている。

特許文献１には、表示の輝度を上げるために、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の有機ＥＬ素子に白色（Ｗ）の有機ＥＬ素子を加えたＲ-Ｇ-Ｂ-Ｗ方式としたものが開示されている。

また、特許文献２には、緑（Ｇ）の画素に緑（Ｇ）の有機ＥＬ発光素子を用い、赤（Ｒ）の画素にオレンジ（Ｖ）に青（Ｂ）の有機ＥＬ素子を重ねて、赤（Ｒ）のカラーフィルタを組み合わせたものを用い、青（Ｂ）の画素にオレンジ（Ｖ）に青（Ｂ）の有機ＥＬ素子を重ねて、青（Ｂ）のカラーフィルタを組み合わせた（Ｖ−Ｇ−Ｂ）＋カラーフィルタ方式のフルカラーの画像表示を実現するものが開示されている。
特開２００４−３１１４４０号公報 特開２００５−１２９５０９号公報

特許文献１に開示されたＲ-Ｇ-Ｂ-Ｗ方式では、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、白色（Ｗ）を発光する別個の有機ＥＬ膜を同層厚で形成しており、蒸着等の有機ＥＬ膜形成プロセスを４回必要とする。従来の白色（Ｗ）を発光する有機ＥＬ膜は２色の発光剤を混合するのが一般的なので、発光スペクトルがなだらかになり易く、色バランス調整（色純度調整）が難しい。また、白色の有機ＥＬ素子に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタを組み合わせるものでは、有機ＥＬ素子の発光がカラーフィルタにより一部吸収されるため、光取出し効率が低下する。

また、特許文献２に開示の（Ｖ−Ｇ−Ｂ）＋カラーフィルタ方式でも有機ＥＬ発光材料は３種類必要で、製造プロセスの削減はなく、コスト低減にならない。

本発明の目的は、高輝度で白色表示の多い使用機器に好適な有機ＥＬ表示装置を提供することにある。

本発明の有機ＥＬ表示装置は、絶縁基板の主面に、複数の画素のそれぞれ毎に形成した複数の第１電極と、前記第１電極のそれぞれの上に積層された有機ＥＬ層と、前記複数の第１電極上に積層された有機ＥＬ層を共通に覆って成膜した第２電極とを有する。上記画素のそれぞれの領域は、隣接する画素の間に設けた山形断面のバンクで区画されている。

そして、上記目的を達成するため、本発明は、前記複数の画素を次の様に構成した。すなわち、（１）赤色画素を、前記有機ＥＬとしてオレンジ色発光の有機ＥＬ層と赤色光を透過する赤カラーフィルタとで構成する。（２）青色画素を、青色発光の有機ＥＬ層と青色光を透過する青色カラーフィルタとで構成する。（３）緑色画素を、青色発光の有機ＥＬ層の上に積層したオレンジ色発光の有機ＥＬ層と緑色光を透過する緑色カラーフィルタとで構成する。（４）白色画素（単に、白画素とも称する）を、青色発光の有機ＥＬ層の上に積層したオレンジ色発光の有機ＥＬ層とで構成する。

また、本発明は、前記白画素の領域に隣接する画素の間にあるバンクの頂部に当該白画素を構成する有機ＥＬ層の２層構造部分と、前記隣接する画素を構成する有機ＥＬ層の１層構造部分とを有せしめることができる。

なお、本発明は、上記構成および後述の実施の形態に開示される構成に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱することなく、種々の変形が可能であることは言うまでもない。

本発明の画素構造は、２色の有機ＥＬ発光層の何れか又は両者とカラーフィルタの組み合わせの有無で３色のカラー画素と白色画素で明るいフルカラー表示が実現する。

以下、本発明の実施の形態につき、実施例の図面を参照して詳細に説明する。実施例では、本発明の構成を製造手順を含めて説明する。

図１は、本発明のＲ-Ｇ-Ｂ-Ｗ方式を実現する有機ＥＬ表示装置の基本構成例を説明する模式図である。なお、ここでは、薄膜トランジスタＴＦＴ、第１電極である下部電極（たとえば、アノード電極）、第２電極である上部電極（たとえば、カソード電極）、画素構造を封止する封止缶（例えば、封止ガラス板）などは図示を省略した（以降の各図においても同様）。図１において、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板であるガラス基板ＳＵＢの主面上に緑色画素（Ｇ画素）、青色画素（Ｂ画素）、赤色画素（Ｒ画素）、白色画素(Ｗ画素)の４画素で１カラー画素を構成する。

図１の有機ＥＬ表示装置は、次のような手順で製作される。すなわち、図１の上方において、ＴＦＴ基板の主面に独立して形成された各下部電極の上に、先ずＧ画素とＢ画素およびＷ画素の領域に青色の有機ＥＬ発光層ＬＢを形成する。次にＧ画素とＲ画素およびＷ画素の領域にオレンジ色の有機ＥＬ発光層ＬＶを形成する。これら全ての画素の有機ＥＬ発光層を覆って共通の上部電極を成膜する。図１の下側に青色の有機ＥＬ発光層ＬＢとオレンジ色の有機ＥＬ発光層ＬＶの光波長に対する発光強度、およびフィルタにより抽出される波長領域を示す。青色の有機ＥＬ発光層ＬＢとオレンジ色の有機ＥＬ発光層ＬＶの形成順序は上記の順序でなく、逆順としてもよい。

次に、Ｇ画素の上部に緑色光を透過させるＧフィルタＧＦを、Ｂ画素の上部に青色光を透過させるＢフィルタＢＦを、Ｒ画素の上部に赤色光を透過させるＲフィルタＲＦをそれぞれ設ける。これにより、
（１）Ｇ画素の領域では、オレンジ色の有機ＥＬ発光層ＬＶの光と青色の有機ＥＬ発光層ＬＢの光からフィルタＧＦで緑色の色光を抽出する。
（２）Ｂ画素の領域では、青色の有機ＥＬ発光層ＬＢの光からフィルタＢＦで青色の色光を抽出する。
（３）Ｒ画素の領域では、オレンジ色の有機ＥＬ発光層ＬＶの光からフィルタＲＦで赤色の色光を抽出する。
（４）Ｗ画素の領域では、オレンジ色の有機ＥＬ発光層ＬＶの光と青色の有機ＥＬ発光層ＬＢの光からフィルタ無しで白色光を取り出す。

以上により、２種の有機ＥＬ発光材料で、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｗの４画素を持ったフルカラーの有機ＥＬ表示装置を構成することができる。

図２は、本発明の有機ＥＬにおける種々の画素配置を説明する図である。なお、図中の矢印は、図２（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）に共通の水平走査方向（ゲート線延在方向）を示す。各画素は図２の紙面に向かって縦長矩形であるものとして説明する。図２（ａ）は水平走査方向にＧ画素、Ｂ画素、Ｒ画素およびＷ画素を配置したもの、図２（ｂ）は水平走査方向にＧ画素、Ｂ画素、Ｒ画素を配置し、これらの画素に対して水平走査方向に直角な方向（データ線延在方向）に９０°回転させてＷ画素を配置したもの、図２（ｃ）はＧ画素、Ｂ画素、Ｒ画素およびＷ画素を碁盤目に配置したもの、そして、図２（ｄ）は図２（ａ）に示した配置をマトリクス配列上でＷ画素が斜め方向に隣接するように配置したものである。

以下、本発明の実施例を説明する。図３は、本発明の実施例１を説明する図である。図３（ａ）は画素の配置図、図３（ｂ）と図３（c）は有機ＥＬ発光層の蒸着用マスクの要部図で、図３（ｂ）はオレンジ色の有機ＥＬ発光層ＬＶの材料の蒸着に用いるマスク、図３（c）は青色の有機ＥＬ発光層ＬＢの材料の蒸着に用いるマスクを示す。また、図４は、図３（ｂ）と図３（c）に示したマスクを用いて成膜した有機ＥＬ発光層と、カラーフィルタとの組み合わせた有機ＥＬ表示装置の図３（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面に対応する断面模式図である。

図３（ａ）に示したＢ―Ｒ―Ｗ―Ｇ―Ｂ配列の画素の製作に用いる蒸着マスクは、次のように構成される。オレンジ色の有機ＥＬ発光層ＬＶを蒸着する図３（ｂ）に示したマスクは、その開口がＲ−Ｗ−Ｇの画素に跨って開口されている。また、青色の有機ＥＬ発光層ＬＢを蒸着する図３（ｃ）に示したマスクは、その開口がＷ−Ｇ―Ｂの画素に跨って開口されている。

これらのマスクで蒸着された２種の有機ＥＬ発光材料の層を図４に示した。図４において、各画素の間には断面山形のバンクＢＮＫが形成され、下部電極ＢＥＬはバンクＢＮＫの底部に形成され、上部電極ＵＥＬは有機ＥＬ発光層の上に各画素に対して共通にベタで成膜されている。図３（ｂ）と図３（c）のマスク開口の配置により、Ｂ画素は青色の有機ＥＬ発光層ＬＢの１層、Ｒ画素はオレンジ色の有機ＥＬ発光層ＬＶの１層、Ｇ画素とＷ画素には青色の有機ＥＬ発光層ＬＢの上にオレンジ色の有機ＥＬ発光層ＬＶが積層された２層となっている。

そして、Ｂ画素の領域にはＢフィルタを、Ｇ画素の領域にはＧフィルタを、Ｒ画素の領域にはＲフィルタを配置し、Ｗ画素の領域にはフィルタは配置しない。これにより、Ｒ―Ｇ―Ｂ―Ｗ方式の有機ＥＬ表示装置が得られる。Ｗ画素に隣接するＲ画素との間にあるバンクＢＮＫの頂部には、Ｒ画素側で１層、Ｗ画素側で２層の有機ＥＬ発光層が重なっている。また、Ｇ画素とＷ画素の間にあるバンクＢＮＫの頂部には、Ｇ画素とＷ画素側共、２層の有機ＥＬ発光層が重なっている。実施例１では、下部電極ＢＥＬを金属膜（反射電極）とし、上部電極ＵＥＬをＩＴＯ（透明導電膜）とする。上部電極ＵＥＬの上方に表示面を構成するガラス板を封止缶として設置し、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置とする。

図５は、本発明の実施例２を説明する図である。図５（ａ）は画素の配置図、図５（ｂ）と図５（c）は有機ＥＬ発光層の蒸着用マスクの要部図で、図５（ｂ）はオレンジ色の有機ＥＬ発光層ＬＶの材料の蒸着に用いるマスク、図５（c）は青色の有機ＥＬ発光層ＬＢの材料の蒸着に用いるマスクを示す。また、図６は、図５（ｂ）と図５（c）に示したマスクを用いて成膜した有機ＥＬ発光層と、カラーフィルタとの組み合わせた有機ＥＬ表示装置の図５（ａ）のＣ−Ｃ線に沿った断面に対応する断面模式図である。

実施例２は、有機ＥＬ発光材料の蒸着に用いるマスクの開口形状が実施例１と異なる。すなわち、実施例１では、３つの画素領域に共通の開口を有するマスクであったが、実施例２では、それぞれの画素領域の個別の開口を設けたものである。このマスクを用いた蒸着で形成される画素の有機ＥＬ発光層の構造は図４と同じであるが、バンクＢＮＫの頂部での有機ＥＬ膜に、マスク開口の境界に起因して不連続となった部分が生じる点で実施例１と異なる。

そして、Ｂ画素の領域にはＢフィルタを、Ｇ画素の領域にはＧフィルタを、Ｒ画素の領域にはＲフィルタを配置し、Ｗ画素の領域にはフィルタは配置しない。これにより、Ｒ―Ｇ―Ｂ―Ｗ方式の有機ＥＬ表示装置が得られる。実施例１と同様に、Ｗ画素に隣接するＲ画素との間にあるバンクＢＮＫの頂部には、Ｒ画素側で１層、Ｗ画素側で２層の有機ＥＬ発光層が重なっている。また、Ｇ画素とＷ画素の間にあるバンクＢＮＫの頂部には、Ｇ画素とＷ画素側共、２層の有機ＥＬ発光層が重なっている。実施例２でも、下部電極ＢＥＬを金属膜（反射電極）とし、上部電極ＵＥＬをＩＴＯ（透明導電膜）とする。上部電極ＵＥＬの上方に表示面を構成するガラス板を封止缶として設置し、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置とする。

図７は、本発明の実施例３を説明する図４と同様の断面図である。実施例３は、図４における有機ＥＬ発光層の上層に設けられているＢフィルタ、Ｒフィルタ、Ｇフィルタを除去して上部電極ＵＥＬを露呈してある。そして、上部電極ＵＥＬを覆って透明絶縁材料の平坦化層ＯＣを塗布して表面を一様な平坦面としている。平坦化層ＯＣにはアクリル系ポリマーなどが好適である。

そして、平坦化層ＯＣの上で、Ｂ画素の領域にはＢフィルタを、Ｇ画素の領域にはＧフィルタを、Ｒ画素の領域にはＲフィルタを配置する。Ｗ画素の領域にはフィルタは配置しない。これにより、Ｒ―Ｇ―Ｂ―Ｗ方式の有機ＥＬ表示装置が得られる。なお、前記各実施例と同様に、Ｗ画素に隣接するＲ画素との間にあるバンクＢＮＫの頂部には、Ｒ画素側で１層、Ｗ画素側で２層の有機ＥＬ発光層が重なっている。また、Ｇ画素とＷ画素の間にあるバンクＢＮＫの頂部には、Ｇ画素とＷ画素側共、２層の有機ＥＬ発光層が重なっている。実施例３も、下部電極ＢＥＬを金属膜（反射電極）とし、上部電極ＵＥＬをＩＴＯ（透明導電膜）とする。上部電極ＵＥＬの上方に表示面を構成するガラス板を封止缶として設置し、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置とする。

図８は、本発明の実施例４を説明する図７と同様の断面図である。実施例４は、図７における平坦化層ＯＣを有しない。そして、各カラーフィルタは、表示面を構成するガラス板ＣＡＶの内面に図７と同様の位置に設けられる。すなわち、Ｂ画素の領域にはＢフィルタを、Ｇ画素の領域にはＧフィルタを、Ｒ画素の領域にはＲフィルタを配置する。Ｗ画素の領域にはフィルタは配置しない。これにより、Ｒ―Ｇ―Ｂ―Ｗ方式の有機ＥＬ表示装置が得られる。

実施例４も、Ｗ画素に隣接するＲ画素との間にあるバンクＢＮＫの頂部には、Ｒ画素側で１層、Ｗ画素側で２層の有機ＥＬ発光層が重なっている。また、Ｇ画素とＷ画素の間にあるバンクＢＮＫの頂部には、Ｇ画素とＷ画素側共、２層の有機ＥＬ発光層が重なっている。実施例３も、下部電極ＢＥＬを金属膜（反射電極）とし、上部電極ＵＥＬをＩＴＯ（透明導電膜）とする。上部電極ＵＥＬの上方に表示面を構成するガラス板を封止缶として設置し、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置とする。

図９は、本発明の実施例５を説明する図８と同様の断面図である。実施例５は、本発明をボトムエミッション型の有機ＥＬに適用したものである。有機ＥＬ発光層の層構造は図７、図８と同様であるが、下部電極ＢＥＬにＩＴＯ等の透明導電膜を用い、上部電極ＵＥＬを金属の反射電極で構成した。そして、ＴＦＴ基板ＳＵＢの主面にカラーフィルタと平坦化層ＯＣを有する。この平坦化層の上にバンクＢＮＫを構成する絶縁層を形成し、バンクＢＮＫをパターニングし、有機ＥＬ発光層を形成する。なお、ＴＦＴ基板ＳＵＢの主面側の上方には前記した各実施例と同様に封止缶が設置される。

本発明のＲ-Ｇ-Ｂ-Ｗ方式を実現する有機ＥＬ表示装置の基本構成例を説明する模式図である。 本発明の有機ＥＬにおける種々の画素配置を説明する図である。 本発明の実施例１を説明する図である。 図３（ｂ）と図３（c）に示したマスクを用いて成膜した有機ＥＬ発光層と、カラーフィルタとの組み合わせた有機ＥＬ表示装置の図３（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面に対応する断面模式図である。 本発明の実施例２を説明する図である。 図５（ｂ）と図５（c）に示したマスクを用いて成膜した有機ＥＬ発光層と、カラーフィルタとの組み合わせた有機ＥＬ表示装置の図５（ａ）のＣ−Ｃ線に沿った断面に対応する断面模式図である。 本発明の実施例３を説明する図４と同様の断面図である。 本発明の実施例４を説明する図７と同様の断面図である。 本発明の実施例５を説明する図８と同様の断面図である。 ボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置の構成例を説明する図である。 トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置の構成例を説明する図である。

符号の説明

ＳＵＢ・・・絶縁膜、ＢＮＫ・・・バンク、ＢＥＬ・・・下部電極、ＵＥＬ・・・上部電極、Ｂ・・・青色画素、Ｇ・・・緑色画素、Ｒ・・・赤色画素、Ｗ・・・白色画素、ＬＶ・・・オレンジ色の有機ＥＬ発光層、ＬＢ・・・青色の有機ＥＬ発光層、ＢＦ・・・青色カラーフィルタ、ＧＦ・・・緑色カラーフィルタ、ＲＦ・・・赤色カラーフィルタ。

Claims (8)

1. 絶縁基板の主面に、複数の画素のそれぞれ毎に形成した複数の第１電極と、前記第１電極のそれぞれの上に積層された有機ＥＬ層と、前記複数の第１電極上に積層された有機ＥＬ層を共通に覆って成膜した第２電極とを有する有機ＥＬ表示装置であって、
   前記複数の画素のそれぞれの領域は、隣接する画素の間に設けた山形断面のバンクで区画されており、
   前記複数の画素は、
   前記有機ＥＬとしてオレンジ色発光の有機ＥＬ層と赤色光を透過する赤カラーフィルタとで構成された赤色画素と、
   青色発光の有機ＥＬ層と青色光を透過する青色カラーフィルタとで構成された青色画素と、
   青色発光の有機ＥＬ層の上に積層したオレンジ色発光の有機ＥＬ層と緑色光を透過する緑色カラーフィルタとで構成された緑色画素と、
   青色発光の有機ＥＬ層の上に積層したオレンジ色発光の有機ＥＬ層とで構成された白画素と
   からなることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
2. 請求項１において、
   前記白画素の領域に隣接する画素の間にあるバンクの頂部に当該白画素を構成する有機ＥＬ層の２層構造部分と、前記隣接する画素を構成する有機ＥＬ層の１層構造部分とを有することを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
3. 請求項２において、
   前記２層構造部分は青色発光の有機ＥＬ層とオレンジ色発光の有機ＥＬ層であり、前記１層構造部分はオレンジ色発光の有機ＥＬ層であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
4. 請求項１において、
   前記カラーフィルタは、前記それぞれの対応する有機ＥＬ層を覆って成膜された前記第２電極の上層に直接配置されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
5. 請求項１において、
   前記カラーフィルタは、前記それぞれの有機ＥＬ層とは平坦化層を介して配置されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
6. 請求項１において、
   前記カラーフィルタは、前記それぞれの有機ＥＬ層とは空間を隔てて配置されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
7. 請求項１において、
   前記カラーフィルタは、前記それぞれの有機ＥＬ層とは前記絶縁基板側に配置されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
8. 請求項７において、
   前記カラーフィルタと前記絶縁基板の間に平坦化層を有することを特徴とする有機ＥＬ表示装置。