JPS5936225A - 液晶表示体装置及びその製造方法 - Google Patents
液晶表示体装置及びその製造方法Info
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- JPS5936225A JPS5936225A JP14734782A JP14734782A JPS5936225A JP S5936225 A JPS5936225 A JP S5936225A JP 14734782 A JP14734782 A JP 14734782A JP 14734782 A JP14734782 A JP 14734782A JP S5936225 A JPS5936225 A JP S5936225A
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液晶表示体装置及びその製造方法に関する。さ
らに本発明は、パネルを構成する一方の基板に、アクテ
ィブマトリックス基板を用いた液晶表示体装置のパネル
構造及びその製造方法に関するものである。
らに本発明は、パネルを構成する一方の基板に、アクテ
ィブマトリックス基板を用いた液晶表示体装置のパネル
構造及びその製造方法に関するものである。
近年、液晶表示体装置は、低電圧、低電力駆動が可能で
あり、薄型、小型であることから、パーソナルな民生機
器のディスプレイとして幅広く使用される様になって来
た。今後も需要は増々増大する予想である。さらに液晶
表示体装置の今後の動向は、大容量化にあると思われる
。例えば、ＣＲＴに代る薄型キャラクタ、あるいはグラ
フインクディスプレイとして有望であるとともに、画像
表示ディスプレイとしての小型ポケットテレビの実現が
可能である。
あり、薄型、小型であることから、パーソナルな民生機
器のディスプレイとして幅広く使用される様になって来
た。今後も需要は増々増大する予想である。さらに液晶
表示体装置の今後の動向は、大容量化にあると思われる
。例えば、ＣＲＴに代る薄型キャラクタ、あるいはグラ
フインクディスプレイとして有望であるとともに、画像
表示ディスプレイとしての小型ポケットテレビの実現が
可能である。
画像表示を液晶表示体装置を用いて行なう場合いくつか
の方式が今までに検討されている。その中で各表示画素
にスイッチング素子を内蔵したいわゆるアクティブマト
リックス基板を用いた液晶表示体装置は、表示画像の分
解能及び表示容量の点から最も優れた方式である。透明
基板上にスイッチング素子として薄型トランジスタをマ
トリックス状に配列した基板を用いる場合には、２枚の
基板ともに透明基板を用いることが出来るために、ＴＮ
液晶を使うことが可能となる。従来のこの種の液晶表示
体装置のパネル構造図を第一図に示す。
の方式が今までに検討されている。その中で各表示画素
にスイッチング素子を内蔵したいわゆるアクティブマト
リックス基板を用いた液晶表示体装置は、表示画像の分
解能及び表示容量の点から最も優れた方式である。透明
基板上にスイッチング素子として薄型トランジスタをマ
トリックス状に配列した基板を用いる場合には、２枚の
基板ともに透明基板を用いることが出来るために、ＴＮ
液晶を使うことが可能となる。従来のこの種の液晶表示
体装置のパネル構造図を第一図に示す。
第一図中の１は例えばパイレックスガラス板あるいは石
英板等の耐熱性透明基板である。２は半導体材料から成
るトランジスタのチャンネル部、３はソースあるいはド
レイン電極領域である。４はゲート電極、５は絶縁薄膜
、６はソース及びドレイン電極領域とオーミック接触す
る金属膜あるいは半導体薄膜である。以上の２〜乙の部
分により薄膜トランジスタは構成される。７は液晶８を
駆動するための駆動電極であり、Ｓ ｎ Ｏ２あるいは
工ｎ２０．等の透明導電膜により形成されている。
英板等の耐熱性透明基板である。２は半導体材料から成
るトランジスタのチャンネル部、３はソースあるいはド
レイン電極領域である。４はゲート電極、５は絶縁薄膜
、６はソース及びドレイン電極領域とオーミック接触す
る金属膜あるいは半導体薄膜である。以上の２〜乙の部
分により薄膜トランジスタは構成される。７は液晶８を
駆動するための駆動電極であり、Ｓ ｎ Ｏ２あるいは
工ｎ２０．等の透明導電膜により形成されている。
一般に薄膜トランジスタマトリックスが配置された下側
基板１は、薄膜トランジスタアレイを作り込むプロセス
が長いために、ハンドリングあるいは熱処理の工程で割
れる可能性が高く基板の厚さは１０〜３０μとかなり厚
くしなければならない。
基板１は、薄膜トランジスタアレイを作り込むプロセス
が長いために、ハンドリングあるいは熱処理の工程で割
れる可能性が高く基板の厚さは１０〜３０μとかなり厚
くしなければならない。
第一図中の９は上側基板であり１０は上側基板上の透明
電極である。１１は上側基板上に貼る偏光板、１２は下
側基板の下側に貼る偏光板である。
電極である。１１は上側基板上に貼る偏光板、１２は下
側基板の下側に貼る偏光板である。
また１３は反射板である。液晶は例えばＴＮ液晶であり
、液晶層に加わる電圧の大小により表示が実行される。
、液晶層に加わる電圧の大小により表示が実行される。
第２図は、アクティブマトリックス基板上の画素回路の
一例である。図中の１４はデータライン、１５はタイミ
ングライン、１６は薄膜トランジスタ、１７は液晶駆動
電極、１８は液晶層、１９は上側基板の液晶に接する面
に全面に形成された対向電極である。第１図中のＰで示
した領域が一画素に相当する部分である。このようなア
クティブマトリックス基板を用いて画像表示なり、グラ
フインク表示を行なう場合には、外部信号により画素と
、それに加える電圧を選択し、表示を行なう。
一例である。図中の１４はデータライン、１５はタイミ
ングライン、１６は薄膜トランジスタ、１７は液晶駆動
電極、１８は液晶層、１９は上側基板の液晶に接する面
に全面に形成された対向電極である。第１図中のＰで示
した領域が一画素に相当する部分である。このようなア
クティブマトリックス基板を用いて画像表示なり、グラ
フインク表示を行なう場合には、外部信号により画素と
、それに加える電圧を選択し、表示を行なう。
しかし、第３図に示す様にＴＮ液晶を用いた反射型の液
晶パネルにおいては、液晶がＯＦＦの状態で黒表示であ
るとすると、液晶がＯＦＦの画素の下側には外部光２１
の影２２が反射板上に必ず生ずる。この影は、外部光の
入射角及び見る人の眼の角度によっても発生の仕方は異
なるが、特に画像表示を行なうために画素ピンチを小さ
くしたものにおいては、下側のアクティブマトリックス
基板の板厚が厚いと、実像との距離が大きく離れた影と
して現われ、画像が二重に見えたり、画像のりんかくが
ボケたりする。
晶パネルにおいては、液晶がＯＦＦの状態で黒表示であ
るとすると、液晶がＯＦＦの画素の下側には外部光２１
の影２２が反射板上に必ず生ずる。この影は、外部光の
入射角及び見る人の眼の角度によっても発生の仕方は異
なるが、特に画像表示を行なうために画素ピンチを小さ
くしたものにおいては、下側のアクティブマトリックス
基板の板厚が厚いと、実像との距離が大きく離れた影と
して現われ、画像が二重に見えたり、画像のりんかくが
ボケたりする。
第４図はこの様子を示したものであり、図中の２３は外
部光、２４は液晶がＯＦＦの画素の下側に生ずる影であ
る。今、眼の位置２５からパネルを見る場合、実際に液
晶がＯＦＦの画素７と、影２４が２重に見えることにな
る。この現象は液晶層から反射板の反射面までの距離ｄ
が大きい程、また外部光の入射角及び見る角度θが小さ
い程影のズレが大きく出ることになる。しかし下側基板
は、その表面上に薄膜トランジスタを作り込むために多
くのプロセスを通るため、その板厚を薄くすると割れた
り欠けたりするためあらかじめ薄い板を用いることは不
可能である。
部光、２４は液晶がＯＦＦの画素の下側に生ずる影であ
る。今、眼の位置２５からパネルを見る場合、実際に液
晶がＯＦＦの画素７と、影２４が２重に見えることにな
る。この現象は液晶層から反射板の反射面までの距離ｄ
が大きい程、また外部光の入射角及び見る角度θが小さ
い程影のズレが大きく出ることになる。しかし下側基板
は、その表面上に薄膜トランジスタを作り込むために多
くのプロセスを通るため、その板厚を薄くすると割れた
り欠けたりするためあらかじめ薄い板を用いることは不
可能である。
本発明はかかる従来の液晶表示体装置の欠点を解決する
ために発明されたものであり、スイッチング素子等が集
積されたアクティブマトリックス基板を液晶パネルの上
側基板として用い、かつ対向基板はその一重部の全面に
透明電極を形成した薄板ガラスを用いたことを特徴とす
る液晶表示体装置に関するものであり、以下具体的な実
施例をもとに説明する。
ために発明されたものであり、スイッチング素子等が集
積されたアクティブマトリックス基板を液晶パネルの上
側基板として用い、かつ対向基板はその一重部の全面に
透明電極を形成した薄板ガラスを用いたことを特徴とす
る液晶表示体装置に関するものであり、以下具体的な実
施例をもとに説明する。
第５図は本発明による液晶表示体装置のパネル構造を示
したものであり、従来の液晶パネルと異なり、アクティ
ブマトリックス基板を上側基板として用いている。図中
の１〜１３に対応する部分は第１図中の番号と対応して
いる。図中の２６は、対向基板であり、この場合の対向
基板は液晶に接する面の全面に透明導電膜が形成された
ものでよいために、かなり薄い透明導電膜が形成された
ものでよいために、かなり薄い透明基板を対向基板とし
て用いることが出来る。この薄い下側基板はガラス基板
でもよいし、プラスチック基板でもよい。ガラス基板の
場合においてはすでにマイクロシート等゛の商品名にて
０１〜０５賜程度の薄いガラスがすでに市販されている
。
したものであり、従来の液晶パネルと異なり、アクティ
ブマトリックス基板を上側基板として用いている。図中
の１〜１３に対応する部分は第１図中の番号と対応して
いる。図中の２６は、対向基板であり、この場合の対向
基板は液晶に接する面の全面に透明導電膜が形成された
ものでよいために、かなり薄い透明導電膜が形成された
ものでよいために、かなり薄い透明基板を対向基板とし
て用いることが出来る。この薄い下側基板はガラス基板
でもよいし、プラスチック基板でもよい。ガラス基板の
場合においてはすでにマイクロシート等゛の商品名にて
０１〜０５賜程度の薄いガラスがすでに市販されている
。
例えば対向基板として０２鴎のマイクロシートを用い、
偏光板の厚さとして０１５Ｍの偏光板を用いると、液晶
層と反射板の反射面との距離は０．３５鮎となる。この
程度の距離の場合には、例えば画素回路のピンチを０２
語とすると、入射光の入射角及び視角によっても異なる
が約将〜２画素以内のズレにおさまるため、表示された
像のボケ等により表示が見にくくなることはさけられう
る。
偏光板の厚さとして０１５Ｍの偏光板を用いると、液晶
層と反射板の反射面との距離は０．３５鮎となる。この
程度の距離の場合には、例えば画素回路のピンチを０２
語とすると、入射光の入射角及び視角によっても異なる
が約将〜２画素以内のズレにおさまるため、表示された
像のボケ等により表示が見にくくなることはさけられう
る。
本発明による液晶表示体装置の製造方法について説明す
る。本発明においては、アクティブマトリックス基板よ
りも板厚が薄い対向基板は、あらかじめ板厚が薄いガラ
ス板を用いる。例えば板厚が０．１ Ｍに研磨されたパ
イレックス基板でもよいし、また前述した如く市販され
ているマイクロシート等でもよい。まず対向基板は必要
な大きさに切断後、端面を研磨し洗浄してがら一重部の
全面に透明電極を形成する。透明電極はスパッタ法によ
るＩＴＯ（Ｉｎ、０３＋ＳｎＯ□）でもよいし、ｓｎｏ
。
る。本発明においては、アクティブマトリックス基板よ
りも板厚が薄い対向基板は、あらかじめ板厚が薄いガラ
ス板を用いる。例えば板厚が０．１ Ｍに研磨されたパ
イレックス基板でもよいし、また前述した如く市販され
ているマイクロシート等でもよい。まず対向基板は必要
な大きさに切断後、端面を研磨し洗浄してがら一重部の
全面に透明電極を形成する。透明電極はスパッタ法によ
るＩＴＯ（Ｉｎ、０３＋ＳｎＯ□）でもよいし、ｓｎｏ
。
でもよい。本発明においては対向基板上の透明電極はバ
ターニングしないために、あらかじめ薄いガラス基板を
使用することが可能である。その後液晶層内に直流成分
のｒｕ流が流れるのを遮断するために、いわゆるＤＣカ
ット膜をやはりスパッタ法にて形成する。Ｄｏカット膜
の材質はなんでもよいが例えばＳｉＯ□ 、Ａｔ２０８
等の膜が優れている。膜厚は１０００〜３ｏｏｏＸ程度
が良く、また膜の抵抗は液晶層の抵抗の２桁以上高いこ
とが望ましい。
ターニングしないために、あらかじめ薄いガラス基板を
使用することが可能である。その後液晶層内に直流成分
のｒｕ流が流れるのを遮断するために、いわゆるＤＣカ
ット膜をやはりスパッタ法にて形成する。Ｄｏカット膜
の材質はなんでもよいが例えばＳｉＯ□ 、Ａｔ２０８
等の膜が優れている。膜厚は１０００〜３ｏｏｏＸ程度
が良く、また膜の抵抗は液晶層の抵抗の２桁以上高いこ
とが望ましい。
第６図は、この対向基板の正面図（α）と断’ｍ ＩＡ
（ｂ）である。図中の２７は薄板ガラス基板であり、
２８は透明導電膜、２９はＤＣカット膜である。このＤ
Ｃカット膜は第６図（α）にて明らかな如く薄板ガラス
基板の四角の部分には付着しない様にＤＣカット膜はマ
スクスパッタにて形成している。すなわち薄板ガラスの
四角の部分は透明導電膜を露出させ、この部分とアクテ
ィブマトリックス基板上の電極部分とを導電性ペースト
あるいはハンダ等により接続することにより、対向基板
上の透明電極の電位をアクティブマトリックス基板上へ
落している。
（ｂ）である。図中の２７は薄板ガラス基板であり、
２８は透明導電膜、２９はＤＣカット膜である。このＤ
Ｃカット膜は第６図（α）にて明らかな如く薄板ガラス
基板の四角の部分には付着しない様にＤＣカット膜はマ
スクスパッタにて形成している。すなわち薄板ガラスの
四角の部分は透明導電膜を露出させ、この部分とアクテ
ィブマトリックス基板上の電極部分とを導電性ペースト
あるいはハンダ等により接続することにより、対向基板
上の透明電極の電位をアクティブマトリックス基板上へ
落している。
第７図はこの様子を示した液晶表示体装置の断面図であ
る。図中の２７〜２９は第６図中の番号と対応している
。３０はスイッチング素子がマトリックス状に配置され
たアクティブマトリックス基板であり、３１は該アクテ
ィブマトリックス基板上に形成された透明導電膜で出来
た電極である。
る。図中の２７〜２９は第６図中の番号と対応している
。３０はスイッチング素子がマトリックス状に配置され
たアクティブマトリックス基板であり、３１は該アクテ
ィブマトリックス基板上に形成された透明導電膜で出来
た電極である。
透明導電膜は工ｎ２０３ 、 ＳｎＯ２あるいは工ｎ
２ｏ、＋Ｓ ｎ ０２等から成るため、アクティブマト
リックス上の電極３１と、対向基板上の透明電極２８と
の接続３２は、銀ペーストがあるいは、Ｚｎ 、 Ｓｎ
を主成分とする低融点ハンダが有効である。
２ｏ、＋Ｓ ｎ ０２等から成るため、アクティブマト
リックス上の電極３１と、対向基板上の透明電極２８と
の接続３２は、銀ペーストがあるいは、Ｚｎ 、 Ｓｎ
を主成分とする低融点ハンダが有効である。
マイクロシートはコーニング社製の薄板ガラスであり、
アルカリ亜鉛ホウケイ酸ガラスである。
アルカリ亜鉛ホウケイ酸ガラスである。
その板厚は００５〜０．３Ｍの間で数種類ある。この薄
板ガラスは、ソーダガラスと同様に研磨せずして高い７
ラノトネスが出ているため、そのまま対向電極基板とし
て用いることが出来る。
板ガラスは、ソーダガラスと同様に研磨せずして高い７
ラノトネスが出ているため、そのまま対向電極基板とし
て用いることが出来る。
本発明は以上の実施例において説明した如く、アクティ
ブマトリックス基板と対向基板との間に液晶層をはさん
で成る液晶表示体装置において、対向基板は一主面の全
面に透明導電膜が形成された薄板ガラスを用い、その板
厚は該アクティブマトリックス基板の板厚よりもあらか
じめ薄いガラス板を用いることを特徴とする液晶表示体
装置に関するものであり、ＴＮ液晶を用いた反射型表示
体装置において表示される液晶層の影を目立たなくする
ことが出来るため、アクティブマトリックス基板を用い
た液晶表示体装置の表示品質が著しく向上するものであ
る。なお本発明のポイントはアクティブマ） ＩＪノク
ス基板を用いた液晶表示体装置が、その対向基板として
、その対向基板の一主面の全面に透明導電膜が形成され
た基板を用いる駆動モードをとることが出来るため、あ
らかじめ薄板ガラスを用いてパネルを製造することが可
能となるものであり、例えば、従来の時分割駆動方式を
用いた液晶パネルの様に、液晶パネルを構成する二枚の
透明基板上の両方に、ストライブ状の透明電極を形成す
る必要があるものにおいては、あらかじめ薄いガラス基
板は用いることが不可能である。なぜならば、時分割駆
動方式の液晶ノくネルを構成する二枚の透明基板上のス
トライブ状電極は、基板上へ透明導電膜をスパッタ等に
より形成後、レジスト膜塗布−ポストベーク−露光−現
像→フレベーク→エツチング→レジスト除去等ノ長い工
程を経てベターニングされるため、あらかじめ傳い板ガ
ラス、例えば板厚が０３鵡以下のものにおいては、工程
の途中にてガラス板の割れ及び欠けが生じ、歩留がほと
んど琴に等しい程となる。一方、アクティブマトリック
ス基板を用いたものにおいては、対向基板は立板ガラス
板上へ透明導電膜をスパッタするだけでよく、したがっ
て非常に高い歩留りで液晶表示パネルを製造することが
出来る。
ブマトリックス基板と対向基板との間に液晶層をはさん
で成る液晶表示体装置において、対向基板は一主面の全
面に透明導電膜が形成された薄板ガラスを用い、その板
厚は該アクティブマトリックス基板の板厚よりもあらか
じめ薄いガラス板を用いることを特徴とする液晶表示体
装置に関するものであり、ＴＮ液晶を用いた反射型表示
体装置において表示される液晶層の影を目立たなくする
ことが出来るため、アクティブマトリックス基板を用い
た液晶表示体装置の表示品質が著しく向上するものであ
る。なお本発明のポイントはアクティブマ） ＩＪノク
ス基板を用いた液晶表示体装置が、その対向基板として
、その対向基板の一主面の全面に透明導電膜が形成され
た基板を用いる駆動モードをとることが出来るため、あ
らかじめ薄板ガラスを用いてパネルを製造することが可
能となるものであり、例えば、従来の時分割駆動方式を
用いた液晶パネルの様に、液晶パネルを構成する二枚の
透明基板上の両方に、ストライブ状の透明電極を形成す
る必要があるものにおいては、あらかじめ薄いガラス基
板は用いることが不可能である。なぜならば、時分割駆
動方式の液晶ノくネルを構成する二枚の透明基板上のス
トライブ状電極は、基板上へ透明導電膜をスパッタ等に
より形成後、レジスト膜塗布−ポストベーク−露光−現
像→フレベーク→エツチング→レジスト除去等ノ長い工
程を経てベターニングされるため、あらかじめ傳い板ガ
ラス、例えば板厚が０３鵡以下のものにおいては、工程
の途中にてガラス板の割れ及び欠けが生じ、歩留がほと
んど琴に等しい程となる。一方、アクティブマトリック
ス基板を用いたものにおいては、対向基板は立板ガラス
板上へ透明導電膜をスパッタするだけでよく、したがっ
て非常に高い歩留りで液晶表示パネルを製造することが
出来る。
第１図〜第２図はアクティブマトリックス基板を用いた
液晶パネルの断面構成及び回路構成を説明する図。 第３図〜第４図は、ＴＮ液晶を用いた反射型液晶表示パ
ネルにおける表示画像の影の出方を説明する説明図。 第５図〜第７図は本発明による液晶表示、＜ネルの断面
構造図及びパネル構成図。 １・・・・・・透明基板 ２・・・・・・薄膜トランジスタのチャンネル部３・・
・・・・ソース及びドレイン１「極４・・・・・・ゲー
ト電極 ５・・・・・・絶縁膜 ６・・・・・・金属層 ７・・・・・・透明導電膜 ８・・・・・・液晶層 ９・・・・・・上側基板 １０・・・・・・透明導電膜 １１・・・・・・偏光板 １２・・・・・・偏光板 １３・・・・・・反射板 １４・・・・・・データライン １５・・・・・・タイミングライン １６・・・・・・薄膜トランジスタ １７・・・・・・液晶駆動電極 １８・・・・・・液晶層 １９・−・・・・対向電極 ２０・・・・・・一画素領域 ２１・・・・・・外部光 ２２・・・・・影 ２３・・・外部光 ２４・・・・・・影 ２５・・・・・・眼 ２６・・・・・・対向基板 ２７・・・・・・対向基板 ２８・・・・・・透明導電膜 ２９・・・・・ＤＣカット膜 ３０・・・・・・アクティブマトリックス基板５１・・
・・・・透明電極 ３２・・・・・・接続部材
液晶パネルの断面構成及び回路構成を説明する図。 第３図〜第４図は、ＴＮ液晶を用いた反射型液晶表示パ
ネルにおける表示画像の影の出方を説明する説明図。 第５図〜第７図は本発明による液晶表示、＜ネルの断面
構造図及びパネル構成図。 １・・・・・・透明基板 ２・・・・・・薄膜トランジスタのチャンネル部３・・
・・・・ソース及びドレイン１「極４・・・・・・ゲー
ト電極 ５・・・・・・絶縁膜 ６・・・・・・金属層 ７・・・・・・透明導電膜 ８・・・・・・液晶層 ９・・・・・・上側基板 １０・・・・・・透明導電膜 １１・・・・・・偏光板 １２・・・・・・偏光板 １３・・・・・・反射板 １４・・・・・・データライン １５・・・・・・タイミングライン １６・・・・・・薄膜トランジスタ １７・・・・・・液晶駆動電極 １８・・・・・・液晶層 １９・−・・・・対向電極 ２０・・・・・・一画素領域 ２１・・・・・・外部光 ２２・・・・・影 ２３・・・外部光 ２４・・・・・・影 ２５・・・・・・眼 ２６・・・・・・対向基板 ２７・・・・・・対向基板 ２８・・・・・・透明導電膜 ２９・・・・・ＤＣカット膜 ３０・・・・・・アクティブマトリックス基板５１・・
・・・・透明電極 ３２・・・・・・接続部材
Claims (6)
- （１） スイッチング素子、キャパシタ及び液晶駆動
電極から成る画素回路がマ） ＩＪノックス状配置され
たアクティブマトリックス基板と、対向基板との間に液
晶層をはさんで成る液晶表示体装置において、該対向基
板は一主面の全面に透明電極が形成された延板ガラスで
あり、その板厚は該アクティブマトリックス基板の板厚
よりも薄いことを特徴とする液晶表示体装置。 - （２）液晶はＴＮ液晶であり、該アクティブマトリック
ス基板の上側に偏光板を一枚配置し、また対向基板の下
側に偏光板と反射板を配置したことを特徴とする特許請
求の範囲第一項の液晶表示体装置。 - （３）液晶層から反射板の反射面までの距離は、該アク
ティブマトリックス基板上の画素回路のピッチの２倍以
下であることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の
液晶表示体装置。 - （４）スイッチング素子は薄膜トランジスタであり、ア
クティブマトリックス基板は透明基板であることを特徴
とする特許請求の範囲第一項記載の液晶表示体装置。 - （５） 対向基板の大きさは、アクティブマトリック
ス基板の大きさよりも小さいことを特徴とする特許Ｎ求
の範囲第一項記載の液晶表示体装置。 - （６） アクティブマトリックス基板と該アクティブ
マトリックス基板よりも板厚が薄い対向基板とから成る
液晶表示体装置の製造方法において、あらかじめ薄いガ
ラス板の一主面の全面に透明導電膜を形成して透明電極
とした対向基板をシール剤を介してアクティブマトリッ
クス基板と接着し、アクティブマトリックス基板の上面
には偏光板を配置し、対向基板の下面には偏光板及び反
射板を配置して成ることを特徴とする液晶表示体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14734782A JPS5936225A (ja) | 1982-08-24 | 1982-08-24 | 液晶表示体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14734782A JPS5936225A (ja) | 1982-08-24 | 1982-08-24 | 液晶表示体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5936225A true JPS5936225A (ja) | 1984-02-28 |
Family
ID=15428122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14734782A Pending JPS5936225A (ja) | 1982-08-24 | 1982-08-24 | 液晶表示体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5936225A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS642019A (en) * | 1987-06-25 | 1989-01-06 | Asahi Glass Co Ltd | Active matrix type liquid crystal display element |
| FR2623649A1 (fr) * | 1987-11-23 | 1989-05-26 | Asulab Sa | Cellule d'affichage a cristal liquide |
| JP2002277858A (ja) * | 2001-03-16 | 2002-09-25 | Nitto Denko Corp | 液晶表示装置 |
| KR100386003B1 (ko) * | 1998-12-15 | 2003-10-17 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반사형 액정 표시장치 및 그 제조방법_ |
| JP2005505018A (ja) * | 2001-10-09 | 2005-02-17 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | 反射モードにおいて作動するフラット液晶スクリーンおよびこのスクリーンの製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5872185A (ja) * | 1981-10-26 | 1983-04-30 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示体装置 |
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-
1982
- 1982-08-24 JP JP14734782A patent/JPS5936225A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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| JP2010049271A (ja) * | 2001-10-09 | 2010-03-04 | Commiss Energ Atom | 液晶フラットディスプレイの製造方法 |
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