JPS5915279A - 小型携帯機器 - Google Patents
小型携帯機器Info
- Publication number
- JPS5915279A JPS5915279A JP57124049A JP12404982A JPS5915279A JP S5915279 A JPS5915279 A JP S5915279A JP 57124049 A JP57124049 A JP 57124049A JP 12404982 A JP12404982 A JP 12404982A JP S5915279 A JPS5915279 A JP S5915279A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- small portable
- portable device
- substrate
- crystal panel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Electric Clocks (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は不透明基板を片側に用いた液晶パネルを表示デ
バイスとしたノド型携帯機器に関する。不透明基板を用
いた液晶パネルにはいくつかの例があるが、本願では半
導体基板を例として話を進める。
バイスとしたノド型携帯機器に関する。不透明基板を用
いた液晶パネルにはいくつかの例があるが、本願では半
導体基板を例として話を進める。
爵近、ポケット・テレビ、ポケット・メモ、ゲームウォ
ッチ等小型携帯機の表示デバイスとして液晶パネルが使
用されて弾ているが、表示情報量や分解能の増大要求あ
るいは画像表示要求等から半導体基板にマトリクス状に
スイッチング回路を作り込むことで細かい画素を多数表
示し、そうした要求に答えようとする。いわゆるアクテ
ィブ−マトリクスパネルも考えられてい、る。ところが
この場合、不透明基板を用いるため、従来用いられて鍍
たツイスト−ネマチック型の液晶が使用で芦ないため、
液晶としてツイスト−ネマチック型に比べ、視角は広い
が、コントラスト等の性能でおどるゲスト−ホスト型液
晶等が使用され、しかも不透明基板の上に反射面を形成
するため、表示が暗く、コントラストも低くなって表示
品質がよくないという欠点があった。
ッチ等小型携帯機の表示デバイスとして液晶パネルが使
用されて弾ているが、表示情報量や分解能の増大要求あ
るいは画像表示要求等から半導体基板にマトリクス状に
スイッチング回路を作り込むことで細かい画素を多数表
示し、そうした要求に答えようとする。いわゆるアクテ
ィブ−マトリクスパネルも考えられてい、る。ところが
この場合、不透明基板を用いるため、従来用いられて鍍
たツイスト−ネマチック型の液晶が使用で芦ないため、
液晶としてツイスト−ネマチック型に比べ、視角は広い
が、コントラスト等の性能でおどるゲスト−ホスト型液
晶等が使用され、しかも不透明基板の上に反射面を形成
するため、表示が暗く、コントラストも低くなって表示
品質がよくないという欠点があった。
このような欠点を解消すべく先に本出願人は。
不透明な半導体基板の表面の反射面に反射光が指向性を
持つような凹凸をつけた液晶パネルを提案した。これは
反射面が完全鏝面では視角がせますぎ、しかも表面反射
と重なって表示が見ずらく、従来の無指向性反射面では
十分な表示品質が得られないという点を考慮したもので
あった。
持つような凹凸をつけた液晶パネルを提案した。これは
反射面が完全鏝面では視角がせますぎ、しかも表面反射
と重なって表示が見ずらく、従来の無指向性反射面では
十分な表示品質が得られないという点を考慮したもので
あった。
本発明はこのような事情に鑑み、液晶パネルの反射光の
指向性を利用して視認性を高めた小形携帯機器を提供す
ることを目的とする。
指向性を利用して視認性を高めた小形携帯機器を提供す
ることを目的とする。
以下実施例の模式図に基づいて説明する。実施例として
は半導体基板を使用したアクティブ−マトリクスパネル
を用いた小型携帯機器を用いる。
は半導体基板を使用したアクティブ−マトリクスパネル
を用いた小型携帯機器を用いる。
第１図は本発明の実施例に用いる液晶パネルの一画素分
を模式的に示した斜視断面図であって、図中符号１は、
内部に画素駆動回路が作り込まれている半導体基板で、
その表面には、長辺が１５μｍ、短辺が３μｍ程度の長
方形状をなし、かつその断面は放物線状又は円弧状をな
した指向性を持つ無数の反射凹部２がピッチ５〜２０μ
ｍ８度の間隔をもって整列的に形成ばれ、ζらＫこの基
板１表面とガラス基板３上の共通透明電極４との間には
、液晶中質と２色性色素の混合物からなるゲスト・ホス
ト液晶がサンドイッチ状に封入されている。なお、図中
符号５は、液晶駆動用のスイッチング・トランジスタを
形成した略平坦な部分を示している。
を模式的に示した斜視断面図であって、図中符号１は、
内部に画素駆動回路が作り込まれている半導体基板で、
その表面には、長辺が１５μｍ、短辺が３μｍ程度の長
方形状をなし、かつその断面は放物線状又は円弧状をな
した指向性を持つ無数の反射凹部２がピッチ５〜２０μ
ｍ８度の間隔をもって整列的に形成ばれ、ζらＫこの基
板１表面とガラス基板３上の共通透明電極４との間には
、液晶中質と２色性色素の混合物からなるゲスト・ホス
ト液晶がサンドイッチ状に封入されている。なお、図中
符号５は、液晶駆動用のスイッチング・トランジスタを
形成した略平坦な部分を示している。
次に、この半導体基板１の製造方法について簡皐に説明
しておく、膜厚８００大程度の熱酸化膜を設けた平坦な
シリコン基板表面に、反射凹凸部２を形成する部分を残
して膜厚１２００六程度のＳｊｓ Ｎ４膜をパターニン
グし、１１００＠ｃ、ぐらいの酸素雰囲気中で１２時間
程度放曾する。このいわゆるＬＯＯＯＥＩ法によって局
部酸化膜を形成した後、これら局部酸化膜及びＢ１５Ｎ
４膜を除去する手法やエツチング法により、深さ０．５
〜５μｍ８度の微細な長方体状の凹部６を守成する（第
２図）。このようにして形成したシリコン基板に対して
通常のｘｏｊｌＪ造技術を適用してトランジスタ形成部
７にソース拡散層８、ドレイン拡散層９、ゲート酸化膜
１０を形成しく第３図）、その他の凹部を含む部分には
ストッパ拡散層１１を設けた後、データ信号ホールド用
キャパシタの誘電膜１２とフィールド酸化膜１３をあわ
せて形成し、最後にこれら全体を覆うようにゲート電極
及びキャパシタ電接をなすポリシリコン層１４、高濃度
燐硅酸ガラス膜１５、配線層１６、絶縁膜１７、液晶駆
動電極を兼ねた光沢のある金属反射膜層１８及び直流ｉ
流遮断用の透明絶縁膜１９を順次積層する。これによね
シリコン基板の凹部６（第２図）は、層を重ねる毎に丸
みを帯び、断面が放物線状又は円弧状のなだらかな指向
性反射凹部２に形成これる。
しておく、膜厚８００大程度の熱酸化膜を設けた平坦な
シリコン基板表面に、反射凹凸部２を形成する部分を残
して膜厚１２００六程度のＳｊｓ Ｎ４膜をパターニン
グし、１１００＠ｃ、ぐらいの酸素雰囲気中で１２時間
程度放曾する。このいわゆるＬＯＯＯＥＩ法によって局
部酸化膜を形成した後、これら局部酸化膜及びＢ１５Ｎ
４膜を除去する手法やエツチング法により、深さ０．５
〜５μｍ８度の微細な長方体状の凹部６を守成する（第
２図）。このようにして形成したシリコン基板に対して
通常のｘｏｊｌＪ造技術を適用してトランジスタ形成部
７にソース拡散層８、ドレイン拡散層９、ゲート酸化膜
１０を形成しく第３図）、その他の凹部を含む部分には
ストッパ拡散層１１を設けた後、データ信号ホールド用
キャパシタの誘電膜１２とフィールド酸化膜１３をあわ
せて形成し、最後にこれら全体を覆うようにゲート電極
及びキャパシタ電接をなすポリシリコン層１４、高濃度
燐硅酸ガラス膜１５、配線層１６、絶縁膜１７、液晶駆
動電極を兼ねた光沢のある金属反射膜層１８及び直流ｉ
流遮断用の透明絶縁膜１９を順次積層する。これによね
シリコン基板の凹部６（第２図）は、層を重ねる毎に丸
みを帯び、断面が放物線状又は円弧状のなだらかな指向
性反射凹部２に形成これる。
第４図は基板に指向性をもった凹凸を形成するためのマ
スクパターン例で、第４図−（ｄけパターンの規則配列
によって生じる回折現象をおさえ、干渉縞の発生を防止
する目的と、指向性にある程度の広がりを持たせるため
に、長方形の縦横比とパターンの基準線に対する配置角
度をある範囲内でランダムに変化はせている。第４図−
の）゛も同様の意図でランダム性をもたせた棒状パター
ン例である。
スクパターン例で、第４図−（ｄけパターンの規則配列
によって生じる回折現象をおさえ、干渉縞の発生を防止
する目的と、指向性にある程度の広がりを持たせるため
に、長方形の縦横比とパターンの基準線に対する配置角
度をある範囲内でランダムに変化はせている。第４図−
の）゛も同様の意図でランダム性をもたせた棒状パター
ン例である。
第５図は第４図−け）のパターン例によって作成した反
射面の反射強度分布を概略で表現したもので、第５図−
←）は測定系の方位を示しており、第４図−６）の手前
がψ−〇°の方向になっている。第５図−（ｂ）はψ＝
０°でθ＝０からの入射光に対するθの貸化による反射
光強度分布、第５図−（ｃ）は同じく真上からの入射光
に対するθ＝３０°固定の時のψ方向の反射光強度分布
を示している。反射光は図中のθ、ψ両方について指向
性がみられ、こうした指向性は反射面作成時のエツチン
グパターンの選択とその上に重ねる絶縁層、反射面にな
る電極層等の形成温度や厚さを変えることである程度制
御できる。
射面の反射強度分布を概略で表現したもので、第５図−
←）は測定系の方位を示しており、第４図−６）の手前
がψ−〇°の方向になっている。第５図−（ｂ）はψ＝
０°でθ＝０からの入射光に対するθの貸化による反射
光強度分布、第５図−（ｃ）は同じく真上からの入射光
に対するθ＝３０°固定の時のψ方向の反射光強度分布
を示している。反射光は図中のθ、ψ両方について指向
性がみられ、こうした指向性は反射面作成時のエツチン
グパターンの選択とその上に重ねる絶縁層、反射面にな
る電極層等の形成温度や厚さを変えることである程度制
御できる。
第６図は反射光が指向性を持つ液晶パネルを用いた小型
携帯機器の実施例であるテレビ付腕時計の模式見取図で
あり、３時、６時、９時は方向を示している。２１け通
常見られるツイストーネマチック型液晶を用いた液晶パ
ネルによる時刻表示部分で、２０は前述して針た指向性
のアクティブ−マトリクスパネルを用いたテレビ表示部
分である。２０の指向性パネルは第５図におけるψ＝０
の方向を６時方向に合わせ、反射面を比較的なだらかに
することで６時方向の高い位置に視点を置いた時に明る
くよいコントラストで葬ることができるようになってい
る。これは腕時引に組み込まれたテレビ画面が小感いた
め、視点の位置が比較的限られる反面、高い表示品質が
要求これることを考慮したものである。これに対して第
６図２０の表示部分にキャラクタを表示するメモ付腕時
計といった例では、視点の範囲がテレビ表示に比べて広
いと考えられるのでψ＝０の方向を７時方向に合わせ、
凹凸を太評＜シて指向性を弱めて使用することが考えら
れる。
携帯機器の実施例であるテレビ付腕時計の模式見取図で
あり、３時、６時、９時は方向を示している。２１け通
常見られるツイストーネマチック型液晶を用いた液晶パ
ネルによる時刻表示部分で、２０は前述して針た指向性
のアクティブ−マトリクスパネルを用いたテレビ表示部
分である。２０の指向性パネルは第５図におけるψ＝０
の方向を６時方向に合わせ、反射面を比較的なだらかに
することで６時方向の高い位置に視点を置いた時に明る
くよいコントラストで葬ることができるようになってい
る。これは腕時引に組み込まれたテレビ画面が小感いた
め、視点の位置が比較的限られる反面、高い表示品質が
要求これることを考慮したものである。これに対して第
６図２０の表示部分にキャラクタを表示するメモ付腕時
計といった例では、視点の範囲がテレビ表示に比べて広
いと考えられるのでψ＝０の方向を７時方向に合わせ、
凹凸を太評＜シて指向性を弱めて使用することが考えら
れる。
このように反射光が指向性を持つ液晶パネルを指向性、
指向方向が使用者のａ鯖方向に合わせるように使用する
ことで明るく舅やすい小型携帯機器を構成できる。
指向方向が使用者のａ鯖方向に合わせるように使用する
ことで明るく舅やすい小型携帯機器を構成できる。
第１図は本発明の実施例に用いた液晶パネルの一画素を
拡大して示した模式斜視図。 第２図は上！１パネルの下側不透明基板である半導体基
板の模式拡大斜視図。 第３図は上舵パネルの半導体基板の模式断面図。 第４図−（α）、（ｂ）ｈ凹凸形成用のエツチングパタ
ーン例。 第５図ｈ） 、 （ｂ） 、 （ｃ） ｉｊ上記半導体
の反射強度分布を示したもの。 第６図は本発明の一実施例である。 １・・半導体基板 ２・・指向性反射凹部３・・透明
基板 ４・・共通透明電極５・・トランジスタ形成
部 １８・・液晶駆動電極以上 出願人 株式会社 諏訪精工舎 謡 １ 園 躬 ２１図
拡大して示した模式斜視図。 第２図は上！１パネルの下側不透明基板である半導体基
板の模式拡大斜視図。 第３図は上舵パネルの半導体基板の模式断面図。 第４図−（α）、（ｂ）ｈ凹凸形成用のエツチングパタ
ーン例。 第５図ｈ） 、 （ｂ） 、 （ｃ） ｉｊ上記半導体
の反射強度分布を示したもの。 第６図は本発明の一実施例である。 １・・半導体基板 ２・・指向性反射凹部３・・透明
基板 ４・・共通透明電極５・・トランジスタ形成
部 １８・・液晶駆動電極以上 出願人 株式会社 諏訪精工舎 謡 １ 園 躬 ２１図
Claims (3)
- （１） 反射光が指向性を有する反射面を持つ不透明
基板と透明基板の間に液晶を挾み込んで成る液晶パネル
を表示デバイスとした小型携帯機器において、反射光の
指向方向を小型携帯機器使用者の視Ｖ方向に一致させた
ことを特徴とする小型携帯機器。 - （２） 前６？不透明基板は半導体基板であり、その
表面の反射面が凹凸を有することで指向性をもつＱ＃許
請求の範囲第１項ＭＦ’載の小型携帯機器。 - （３） 前記液晶パネル罎ゲヌ）−ホスト型液晶を使
用している特許請求の範囲第１項、第２頌Ｆ載の小型携
帯機器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57124049A JPS5915279A (ja) | 1982-07-16 | 1982-07-16 | 小型携帯機器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57124049A JPS5915279A (ja) | 1982-07-16 | 1982-07-16 | 小型携帯機器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5915279A true JPS5915279A (ja) | 1984-01-26 |
Family
ID=14875717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57124049A Pending JPS5915279A (ja) | 1982-07-16 | 1982-07-16 | 小型携帯機器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5915279A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01216385A (ja) * | 1988-02-24 | 1989-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | デイスプレイ |
| JP2001188263A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-10 | Toshiba Corp | 表示装置及びこれを用いた無線携帯機器 |
| JP2002258270A (ja) * | 2000-12-25 | 2002-09-11 | Seiko Epson Corp | 液晶装置用基板、液晶装置用基板の製造方法、液晶装置、液晶装置の製造方法及び電子機器 |
| US6580485B1 (en) | 1996-04-30 | 2003-06-17 | Nec Corporation | Liquid crystal display apparatus having improved gray scale display characteristics |
| JP2003344841A (ja) * | 2002-05-29 | 2003-12-03 | Nec Lcd Technologies Ltd | 反射型液晶表示装置 |
| JP2004004786A (ja) * | 2000-12-25 | 2004-01-08 | Seiko Epson Corp | 液晶装置用基板、液晶装置用基板の製造方法、液晶装置、液晶装置の製造方法及び電子機器 |
| US7042539B2 (en) | 2001-06-22 | 2006-05-09 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Reflection plate, manufacturing method thereof, liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
-
1982
- 1982-07-16 JP JP57124049A patent/JPS5915279A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01216385A (ja) * | 1988-02-24 | 1989-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | デイスプレイ |
| JPH0766115B2 (ja) * | 1988-02-24 | 1995-07-19 | 三菱電機株式会社 | デイスプレイ |
| US6580485B1 (en) | 1996-04-30 | 2003-06-17 | Nec Corporation | Liquid crystal display apparatus having improved gray scale display characteristics |
| JP2001188263A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-10 | Toshiba Corp | 表示装置及びこれを用いた無線携帯機器 |
| JP2002258270A (ja) * | 2000-12-25 | 2002-09-11 | Seiko Epson Corp | 液晶装置用基板、液晶装置用基板の製造方法、液晶装置、液晶装置の製造方法及び電子機器 |
| JP2004004786A (ja) * | 2000-12-25 | 2004-01-08 | Seiko Epson Corp | 液晶装置用基板、液晶装置用基板の製造方法、液晶装置、液晶装置の製造方法及び電子機器 |
| US6919943B2 (en) | 2000-12-25 | 2005-07-19 | Seiko Epson Corporation | Substrate for a liquid crystal device, method of manufacturing a substrate for a liquid crystal device, a liquid crystal device, a method of manufacturing a liquid crystal device, and an electronic apparatus |
| US7042539B2 (en) | 2001-06-22 | 2006-05-09 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Reflection plate, manufacturing method thereof, liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
| JP2003344841A (ja) * | 2002-05-29 | 2003-12-03 | Nec Lcd Technologies Ltd | 反射型液晶表示装置 |
| US7391488B2 (en) | 2002-05-29 | 2008-06-24 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Reflection type liquid crystal display device |
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