JP2001091941A - 液晶表示装置およびこれを用いた電子機器 - Google Patents
液晶表示装置およびこれを用いた電子機器Info
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Abstract
液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 本発明の液晶表示装置は、互いに対向す
る素子基板10、対向基板13の間に液晶8が挟持さ
れ、素子基板10上に、有効表示領域Lの外周に沿って
従来用いられていたクロムよりも高い光反射率を有する
金属、例えばアルミニウムからなる遮光部15が設けら
れている。
Description
びこれを用いた電子機器に関し、特に有効表示領域端部
の視認性に優れた液晶表示装置の構造に関するものであ
る。
して2端子型非線形素子の一種である薄膜ダイオード
(Thin Film Diode,以下、TFDと記す)素子を用いた
従来の液晶表示装置の一構成例を示している。
(図示略)が互いに平行にストライプ状に形成されると
ともに、複数の画素電極59およびTFD素子(図示
略)がマトリクス状に形成された素子基板60と、対向
電極61およびカラーフィルター62が形成された対向
基板63と、これら基板60、63間に封入された液晶
58とから概略構成されている。素子基板60と対向基
板63とは、両基板の外周縁に沿って形成されたシール
材64によって所定の間隔を開けて貼り合わされ、シー
ル材64の内側の部分に液晶58が封入されている。そ
して、素子基板60の周辺部分が対向基板63の外周縁
よりはみ出した状態に貼り合わされ、この周辺部分に駆
動回路(走査線駆動回路90やデータ線駆動回路91)
や入出力端子92が設けられている。この入出力端子9
2は、例えばFPC(Flexible Printed Circuit)基板
(図示略)を介して、前述の駆動回路に駆動用信号を供
給する制御回路基板(図示略)と接続されている。さら
に、対向基板63のコーナー部には、素子基板60と対
向基板63との間で電気的導通をとるための上下導通材
93が形成されている。
おいて額縁状に形成された遮光膜65が設けられてい
る。この遮光膜65は、液晶パネルにおける有効表示領
域Lを区画するとともに、透過型液晶表示装置とした場
合に素子基板60の方向から照射される照明光が有効表
示領域L外で反対側へ漏れ出ることを防止するためのも
のであり、通常、クロム等の非反射性金属が用いられ
る。さらに、画素電極59、TFD素子、配線、遮光膜
65を覆うように配向膜66が形成されている。
ター62が形成されている。このカラーフィルター62
は、各画素電極59に対応するR(赤)、G(緑)、B
(青)の各色透光部75r、75g、75bと、各色透
光部の間を埋め、素子基板60側のTFD素子および配
線と平面的に重なる部分に配置されるブラックマトリク
ス76とから構成されている。そして、カラーフィルタ
ー62の上には、絶縁性および平坦性を確保するために
オーバーコート層77が積層され、その上にストライプ
状の対向電極61が形成され、さらにその上に配向膜7
8が形成されている。
偏光板79、80がそれぞれ貼着されている。また、対
向基板63の端部には液晶駆動用IC81が実装されて
いる。
成の液晶表示装置には以下のような問題点があった。
縁状の遮光膜が形成されており、文字、絵柄等の画像を
実際に表示する領域、いわゆる有効表示領域はこの遮光
膜によって区画されている。ところが、遮光膜が形成さ
れた領域を目視すると、図13に示すように、この領域
Gが画面において黒く縁取られたように見えることか
ら、例えば有効表示領域Lの端部に「E」の文字を表示
した場合など、文字の一部が遮光膜65の部分と重なっ
てつぶれてしまい、文字の視認性が非常に悪くなるとい
う問題があった。
合を例に挙げて説明したが、その他、スイッチング素子
として薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor, 以
下、TFTと略記する)を用いたTFT型液晶表示装置
やパッシブマトリクス型液晶表示装置では、カラーフィ
ルターを構成するブラックマトリクス等により有効表示
領域の外周を遮光している。これらの液晶表示装置で
も、上記と同様の問題が発生していた。
されたものであって、特に有効表示領域端部での画像の
視認性に優れた液晶表示装置、およびこの液晶表示装置
を表示部として用いた電子機器を提供することを目的と
する。
めに、本発明の第1の液晶表示装置は、互いに対向する
2枚の基板間に液晶層が挟持された液晶表示装置であっ
て、前記2枚の基板のうちの少なくとも一方の基板上
に、有効表示領域の外周に沿ってクロムよりも高い光反
射率を有する金属からなる遮光部が設けられたことを特
徴とするものである。
を区画する遮光膜の材料として、クロムがよく用いられ
ていたが、クロムは光反射率が比較的低い、いわゆる非
反射性金属であるため、使用者の目にはクロム遮光膜で
形成される額縁部分が黒く視認されていた。この現象
は、従来のTFD型液晶表示装置のみならず、ブラック
マトリクスで遮光を行っていたTFT型液晶表示装置や
パッシブマトリクス型液晶表示装置でも同様であった。
合、有効表示領域の外周に沿う部分、すなわち額縁部分
にクロムよりも高い光反射率を有する金属からなる遮光
部を設けているため、入射した外光が遮光部で反射して
額縁部分が従来より明るくなり、偏光板等、液晶表示装
置の他の構成部材を通して見ると、この部分の色が従来
よりもグレーがかって見えることになる。
示した場合でも、文字の一部が遮光膜の部分と重なって
つぶれるようなことがなく、有効表示領域端部での画像
の視認性を従来に比べて向上することができる。
射層を兼ねる画素電極を設け、この画素電極と同一の金
属材料によって遮光部を形成しても良い。
部の形成とを同時に行うことができ、製造プロセスが複
雑化することがない。
表示装置とする場合に、一方の基板上に反射層を設け、
その反射層を有効表示領域の外周に沿う部分にまで延在
させ、この部分を前記の遮光部として機能させる構成と
してもよい。
用、効果により有効表示領域端部での画像の視認性を向
上することができる。さらに、反射層とは別個に遮光部
を形成する必要がないため、製造上有利である。
には例えばアルミニウムを用いることができる。アルミ
ニウムで遮光部を構成した場合、アルミニウムの色と偏
光板の作用によって、額縁部分の色がグレーとなって見
える。
向する2枚の基板間に液晶層が挟持された液晶表示装置
であって、前記2枚の基板の有効表示領域の外周に沿う
部分が光透過性を有する材料のみで構成されていること
を特徴とするものである。
の高い遮光部を用いることによって従来よりもグレーが
かった色の額縁部分を実現しているのに対し、本発明の
第2の液晶表示装置では、2枚の基板の有効表示領域の
外周に沿う部分を光透過性を有する材料のみで構成し、
遮光部を設けない構成である。
沿う部分で光が透過するため、この部分が白く見え、有
効表示領域の端部に文字を表示した場合でもその文字の
視認性を従来に比べて向上することができる。
示装置を用いたことを特徴とするものである。
性に優れた液晶表示部を有する電子機器を実現すること
ができる。
明の第1の実施の形態を図1ないし図6を参照して説明
する。
クス方式の液晶表示装置の等価回路を示しており、特に
スイッチング素子としてTFDを用いた例を示してい
る。
査線駆動回路3とデータ線駆動回路4とを含んでいる。
液晶パネル2には、複数の走査線5および複数のデータ
線6が設けられ、走査線5は走査線駆動回路3により駆
動され、データ線6はデータ線駆動回路4により駆動さ
れる。そして、各画素領域において、走査線5とデータ
線6との間にTFD素子7と液晶8とが直列に接続され
ている。
ける液晶パネルの断面構造を示している。なお、この図
においては、液晶パネルの特徴部分をわかりやすく示す
ために模式的に示しており、各構成要素の寸法比率は実
際の液晶パネルとは異なっている。
すように、ストライプ状に形成された複数の配線(走査
線5、図2においては図示を省略する)、マトリクス状
に形成された複数の画素電極9およびTFD素子(図2
においては図示を省略する)を有する素子基板10と、
対向電極11(データ線6)およびカラーフィルター1
2が形成された対向基板13と、これら基板10、13
間に封入された液晶8とから概略構成されている。素子
基板10と対向基板13とは、対向基板13の外周縁に
沿って形成されたシール材14によって所定の間隔を開
けて貼り合わされ、シール材14の内側の部分に液晶8
が封入されている。
TFD素子が形成された素子基板10であり、上側の基
板が対向電極11が形成された対向基板13である。こ
れら素子基板10および対向基板13は、例えば石英、
ガラス、プラスチック等によって形成されている。詳細
は後述するが、本実施の形態における液晶パネル2の画
素電極9は、対向基板13側から入射された外光の反射
層として機能するとともに、スリットが形成されたこと
によって素子基板10側に設置されたバックライトの照
明光を透過させる機能も有し、反射型、透過型双方の液
晶パネルを兼ねる、いわゆる半透過型液晶パネルを構成
している。
置されたストライプ状の配線が形成され、それらの配線
間に複数の画素電極9がマトリクス状に形成され、さら
に各画素電極9がTFD素子を介して各配線に接続され
ている。素子基板10上の画素電極9やTFD素子が形
成された領域は、平面視して矩形の額縁状に形成された
遮光部15によって取り囲まれており、この領域が有効
表示領域Lとして区画されている。この遮光部15は、
素子基板10の方向から照射されるバックライトの照明
光が反対側へ漏れ出ることを防止するためのものであ
り、後述する画素電極9と同様、アルミニウム等の反射
率の高い金属から形成されている。さらに、素子基板1
0の内面側には、画素電極9、TFD素子、配線、遮光
部15を覆うようにポリイミド等からなる配向膜16が
形成されている。
トについて図3を用いて説明する。
FD素子を含む1画素分のレイアウトを示す平面図であ
り、図3(b)は、そのA−A’線に沿う断面図であ
る。
7は、第1のTFD17、第2のTFD18の2つのT
FDからなる、いわゆるバック・トゥー・バック型と呼
ばれるものであり、素子基板10の表面に形成された絶
縁膜19上において、第1金属膜20と、この第1金属
膜20の表面に陽極酸化によって形成された陽極酸化膜
21と、この表面に形成されて相互に離間した第2金属
膜22、23とから構成されている。また、一方の第2
金属膜22はそのまま延在して配線24(走査線5)と
なり、他方の第2金属膜23は画素電極9に接続されて
いる。
によって形成され、その場合、陽極酸化膜21はTaO
x(タンタル酸化物)によって形成される。また、第2
金属膜22、23は例えばAl(アルミニウム)によっ
て形成される。
側からみると順番に、第2金属膜22/陽極酸化膜21
/第1金属膜20となって、金属/絶縁体/金属のサン
ドイッチ構造を採るため、その電流−電圧特性は正負双
方向にわたって非線形となる。一方、第2のTFD18
は、走査線5の側からみると順番に、第1金属膜20/
陽極酸化膜21/第2金属膜23となって、第1のTF
D17とは反対の電流−電圧特性を有することになる。
したがって、TFD素子7は、2つの素子を互いに逆向
きに直列接続した形となるため、1つの素子を用いる場
合と比べると、電流−電圧の非線形特性が正負双方向に
わたって対称化されることになる。
設ける理由は、第2金属膜22、23の堆積後における
熱処理により、第1金属膜20が下地から剥離しないよ
うにするため、および第1金属膜20に不純物が拡散し
ないようにするためである。したがって、このような点
が問題にならないのであれば、絶縁膜19を省略しても
良い。さらに、電流−電圧特性を正負双方向で厳密に対
称化する必要がないのであれば、1つのダイオードから
なるTFD素子を用いても良い。
素電極9は、アルミニウム等の反射率の大きな金属膜か
ら形成されており、反射型液晶表示装置として機能させ
る際には、画素電極9自体が、対向基板13側から入射
する外光を反射させる反射層として機能する。また、画
素電極9には、図3(a)において斜め方向に開口する
スリット状の開口部9aが複数設けられ、透過型液晶表
示装置として機能させる際には、これら開口部9aを通
過する光が液晶8に進入する構成となっている。なお、
実際の画素電極9には、反射光が散乱するように微妙な
起伏が設けられている。
には、カラーフィルター12が形成されている。このカ
ラーフィルター12は、各画素電極9に対応して設けら
れたR(赤)、G(緑)、B(青)の各色透光部25
r、25g、25bと、各色透光部の間を埋めるように
素子基板10側のTFD素子7および配線24と平面的
に重なる部分に配置されたブラックマトリクス26とか
ら構成されている。そして、カラーフィルター12の上
には、絶縁性および平坦性を確保するためにオーバーコ
ート層27が積層され、その上にストライプ状の対向電
極11が形成され、さらにその上に配向膜28が形成さ
れている。
れの外面側には偏光板29、30が貼着されている。対
向基板13の端部には液晶駆動用IC31が実装されて
いる。
造プロセスについて説明する。
上面に絶縁膜19を形成する。この絶縁膜19は、例え
ば、酸化タンタル(Ta205)からなり、スパッタリ
ング法で堆積したタンタル(Ta)膜を熱酸化する方法
や、酸化タンタルからなるターゲットを用いたスパッタ
リングあるいはコスパッタリング法等により形成され
る。また、この絶縁膜19は、上述したように、第1金
属膜20の密着性を向上させるとともに、基板10から
の不純物拡散を防止することを主目的として設けられる
ので、その膜厚は例えば50〜200nm程度で十分で
ある。
19上面に第1金属膜20を成膜する。ここで、第1金
属膜20の膜厚は、TFD素子7の用途によって好適な
値が選択され、通常、100〜500nm程度である。
また、第1金属膜20の組成は、例えばタンタル単体や
タンタル合金からなる。ここで、第1金属膜20として
タンタル単体を用いる場合には、スパッタリング法や電
子ビーム蒸着法などで形成可能である。また、第1金属
膜20としてタンタル合金を用いる場合には、主成分の
タンタルに、例えばタングステン、クロム、モリブデ
ン、レニウム、イットリウム、ランタン、ディスプロリ
ウム等、周期律表において第6〜第8族に属する元素を
添加する。この際、添加元素としては、タングステンが
好ましく、その含有割合は、例えば0.1〜6重量%が
望ましい。また、タンタル合金からなる第1金属膜20
を形成するには、混合ターゲットを用いたスパッタリン
グ法や、コスパッタリング法、電子ビーム蒸着法等が用
いられる。
属膜20を、一般に用いられているフォトリソグラフィ
およびエッチング技術によってパターニングする。
化膜21を第1金属膜20の表面に形成する。詳細に
は、第1金属膜20の表面が陽極酸化法によって酸化さ
れて、酸化タンタル(Ta205)が形成される。この
とき、走査線5の基礎となる部分の表面も同時に酸化さ
れて、同様に酸化タンタルからなる陽極酸化膜21が形
成される。陽極酸化膜21の膜厚は、その用途によって
好ましい値が選択され、例えば10〜35nm程度であ
り、1つの画素について1個のTFDを用いる場合と比
べると半分である。陽極酸化に用いられる化成液は、特
に限定されないが、例えば0.01〜0.1重量%のク
エン酸水溶液を用いることができる。
5から枝分かれした陽極酸化膜21のうちの破線部分3
2を、その基礎となっている第1金属膜20とともに除
去する。これにより、第1のTFD17および第2のT
FD18で共用する第1金属膜20が、走査線5と電気
的に分離されることになる。さらに、破線部分32の除
去の際には、走査線5およびTFD素子7の形成領域以
外に位置する絶縁膜19についても除去される。ここ
で、絶縁膜19を除去する理由は、第1に、上記目的か
らすると、絶縁膜19はTFD素子7が形成される領域
以外では不要であるためであり、第2に、透過型として
機能する場合に、絶縁膜19によって透過光が減衰する
のを少しでも防止するためである。なお、破線部32お
よび不要な絶縁膜19の除去については、一般に用いら
れているフォトリソグラフィおよびエッチング技術が用
いられる。
9および遮光部15を兼ねる第2金属膜33を成膜す
る。この第2金属膜33は、例えばアルミニウムなどが
好適であり、スパッタリング法などによって形成され
る。また、第2金属膜33の膜厚は、例えば50〜30
0nm程度である。
属膜33を、一般に用いられているフォトリソグラフィ
およびエッチング技術によってパターニングする。これ
により、素子部分においては、第1のTFD17におけ
る第2金属膜22と第2のTFD18における第2金属
膜23とが相互に離間して形成される一方、走査線5に
おける最上層が第2金属膜22によって被覆されること
になる。また、画素電極9の部分においては、ラビング
方向に一致して開口するスリット状の開口部9aが複数
形成されることとなる。また、有効表示領域Lの外周に
沿う部分においては、額縁状の遮光部15が形成される
ことになる。さらに他の部分においては、液晶駆動用I
C31を実装するための端子や、FPC基板を接続する
ための端子なども、第2金属膜33のパターニングによ
って形成される。このようなプロセスにより、素子基板
10には、第1のTFD17と第2のTFD18とを互
いに逆向きに接続したTFD素子7が、開口部9aが設
けられた画素電極9とともにマトリクス状に形成され、
さらに周辺部に遮光部15が形成されることとなる。
としてポリイミド溶液を基板対向面に塗布した後、焼成
し、ラビング処理を行う。
工程の順番に限られるものではない。例えば、図4
(4)における工程によって第1金属膜20の表面に陽
極酸化膜21を形成した直後に、図4(6)および
(7)の工程を実行し、最後に、図4(5)の工程によ
って、破線部分32を除去する工程としても良い。ま
た、上述した製造プロセスにおいては、第2金属膜2
2、23と画素電極9との組成を同一としたが、第2金
属膜22、23として、クロム、チタン、モリブデン等
の非反射性金属をパターニングして形成し、この後、画
素電極9として、アルミニウム等の反射性金属をパター
ニングして形成しても良い。
て簡単に説明する。対向基板13には、TFD素子7の
ようなスイッチング素子を形成しないため、素子基板1
0と比較するとその製造プロセスは極めて簡易である。
すなわち、基板の一方の面の画素電極9と対向する領域
において、R、G、Bの各色透光部25r、25g、2
5bを所定の配列で形成するとともに、それ以外の表示
領域においてはブラックマトリクス26を形成してカラ
ーフィルター12を形成し、次いで、カラーフィルター
12の保護を兼ねてオーバーコート層27をコーティン
グする。その後、ITO(Indium Tin Oxide)のような
透明導電膜を成膜した後、これをパターニングして、対
向電極11を形成する。
8としてポリイミド溶液を基板対向面に塗布した後、焼
成し、ラビング処理を行う。
液晶パネル2を含む液晶表示装置1の全体構成について
図5および図6を参照して説明する。
す斜視図であり、図6は、図5におけるB−B’線の断
面図である。なお、図6については、図5では省略して
いるバックライトユニットについても、液晶パネル2と
併せて示している。
は、配線24や画素電極9等が形成された素子基板10
と、対向電極11等が形成された対向基板13とが、ス
ぺーサ34を混入したシール材14により一定の間隙を
保って、互いに電極形成面が対向するように貼付される
とともに、この間隙に液晶105が封入された構造とな
っている。また、素子基板200の背面側および対向基
板300の手前側にはそれぞれ偏光板206、306が
設けられ、その偏光軸はラビング方向に応じて設定され
る。
であって、対向基板13から張り出した端子部分には、
データ信号を各データ線5に供給する液晶駆動用IC3
1がCOG実装されるとともに、外部制御基板(図示省
略)から液晶駆動用IC31に制御信号を供給するため
のFPC基板35が接続される。また、対向基板13の
対向面であって、素子基板10から張り出した端子部分
には、走査信号を各走査線5に供給するICチップ36
がCOG実装されるとともに、外部制御基板からICチ
ップ36に制御信号を供給するためのFPC基板37が
接続される。ここで、ICチップ31、36におけるC
OG実装は、それぞれ、第1に、基板との所定位置にお
いて、接着材中に導電性微粒子を均一に分散させたフィ
ルム状の異方性導電膜を挟持し、第2に、ICチップ3
1、36を基板に加圧・加熱することにより行われる。
FPC基板35、37の接続も同様にして行われる。
は、バックライトユニット38がシリコンゴム等の緩衝
材39を介して設けられている。このバックライトユニ
ット38は、光を照射する線状の蛍光管40と、この蛍
光管40による光を反射して導光板41に導く反射板4
2と、導光板41に導かれた光を液晶パネル2に一様に
拡散させる拡散板43と、導光板41から液晶パネル2
とは反対方向に出射される光を液晶パネル2側へ反射さ
せる反射板44とから構成されている。ここで、蛍光管
40は、常に点灯するのではなく、外光がほとんどない
ような場合にだけ、ユーザあるいはセンサの指示によっ
て点灯するものである。したがって、蛍光管40が点灯
している場合には、バックライトユニット38からの光
が画素電極9の開口部9aを通過することによって、透
過型として機能する一方、蛍光管40が消灯している場
合には、対向基板13の側から入射した光が画素電極9
で反射することによって、反射型として機能することに
なる。
ド(LED)を複数個、棒状に並べたものを導光板41
のサイドに取り付けるようにしてもよい。
は、液晶パネル2の有効表示領域Lの外周に沿う部分、
すなわち額縁部分Gに、従来用いられていたクロムより
も高い光反射率を有するアルミニウムからなる遮光部1
5を設けているため、入射した外光が遮光部15で反射
して額縁部分Gが従来より明るくなり、偏光板29、3
0を通して見ると、この額縁部分Gの色が従来よりもグ
レーがかって見えることになる。
表示した場合でも、図13に示したように文字の一部が
遮光膜の部分と重なってつぶれるようなことがなく、有
効表示領域端部での画像の視認性を従来に比べて向上す
ることができる。
成材料に画素電極9と同一のアルミニウムを用いている
ため、画素電極9の形成と遮光部15の形成とを同時に
行うことができ、製造プロセスが複雑化することがな
い。
トを設け、バックライトを備えて半透過型液晶パネルを
構成したが、スリットやバックライトを設けずに単なる
反射型液晶パネルとしても良い。また、画素電極をアル
ミニウムで形成し、これを反射層とするよう構成した
が、この構成に代えて、画素電極とは別個に反射層を設
ける場合には、その反射層を有効表示領域の外周に沿う
部分にまで延在させ、この部分を額縁部分の遮光部とし
て機能させる構成としてもよい。この構成とした場合で
も、上記と同様の作用、効果により有効表示領域端部で
の画像の視認性を向上することができる。この構成の場
合、反射層とは別個に遮光部を形成する必要がないた
め、製造上も有利である。
射層がある例について説明したが、本発明は対向基板側
に反射層がある構成の液晶パネルにも適用可能である。
例えば対向基板の表面にまずアルミニウムからなる反射
層が形成され、その上にカラーフィルター、オーバーコ
ート層、対向電極が順次形成されている場合、その反射
層を有効表示領域の外周に沿う部分にまで延在させ、こ
の部分を額縁部分の遮光部として機能させればよい。こ
の場合、遮光部となるアルミニウム反射層の上方にはオ
ーバーコート層も延在させ、オーバーコート層によって
アルミニウム反射層と対向電極とを絶縁する必要があ
る。
の実施の形態を図7を参照して説明する。
する液晶パネルの断面構造を示すものである。本実施の
形態の液晶表示装置は、その全体構成、基本構成は第1
の実施の形態と全く同様であり、有効表示領域の外周部
分の構成が異なるのみである。したがって、図7におい
て、第1の実施の形態で用いた図2と共通の構成要素に
ついては同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
有効表示領域Lの外周部分にあたる額縁部分Gに、アル
ミニウムからなる額縁状の遮光部15を設けたが、本実
施の形態の液晶パネル50では、図7に示すように、素
子基板10上の有効表示領域Lの外周部分にあたる額縁
部分Gに遮光部が存在せず、この領域には有効表示領域
L内の配線、TFD素子、画素電極9等を覆う配向膜1
6のみが延在している。
の外周部分にあたる額縁部分Gにオーバーコート膜2
7、ITOからなる対向電極11、配向膜28が設けら
れている。
効表示領域Lの外周部分にあたる額縁部分Gには、上か
らオーバーコート膜27、対向電極11、配向膜28、
配向膜16が存在することになり、これらは全て光透過
性を有する材料である。
有効表示領域Lの外周に沿う部分では光が透過するた
め、額縁部分Gが白く見え、有効表示領域の端部に文字
を表示した場合でもその文字の視認性を従来に比べて向
上することができる。
に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない
範囲において種々の変更を加えることが可能である。例
えば上記実施の形態で用いた液晶パネルを構成する各層
の具体的な材料、寸法等に関してはほんの一例に過ぎ
ず、適宜変更が可能である。例えば額縁部分の遮光部に
用いる材料としてアルミニウム以外の金属を用いてもよ
い。また、上記実施の形態ではTFD型液晶パネルに本
発明を適用したが、その他、TFT型液晶パネル、パッ
シブマトリクス型液晶パネルに本発明を適用することも
勿論可能である。
を備えた電子機器の具体例について説明する。
ある。
体を示し、符号1001は上記の液晶表示装置を用いた
液晶表示部を示している。
斜視図である。
示し、符号1001は上記の液晶表示装置を用いた液晶
表示部を示している。
型情報処理装置の一例を示した斜視図である。
装置、符号1202はキーボードなどの入力部、符号1
204は情報処理装置本体、符号1206は上記の液晶
表示装置を用いた液晶表示部を示している。
液晶表示装置を用いた液晶表示部を備えたものであるの
で、画面端部における画像の視認性に優れた電子機器を
実現することができる。
よれば、液晶パネルの有効表示領域の外周に沿う部分、
すなわち額縁部分が従来より明るく見えるようになるた
め、有効表示領域の端部に文字を表示したような場合で
も、文字の一部が遮光膜と重なってつぶれることがな
く、有効表示領域端部での画像の視認性を従来に比べて
向上することができる。
置の等価回路を示す図である。
を示す断面図である。
分のレイアウトを示す平面図であり、図3(b)は図3
(a)のA−A’線に沿う断面図である。
ロセスを示す工程断面図である。
成を示す斜視図である。
置における液晶パネルの構造を示す断面図である。
例を示す斜視図である。
の例を示す斜視図である。
さらに他の例を示す斜視図である。
一構成例を示す平面図である。
Claims (6)
- 【請求項1】 互いに対向する2枚の基板間に液晶層が
挟持された液晶表示装置であって、 前記2枚の基板のうちの少なくとも一方の基板上に、有
効表示領域の外周に沿ってクロムよりも高い光反射率を
有する金属からなる遮光部が設けられたことを特徴とす
る液晶表示装置。 - 【請求項2】 前記一方の基板上に外光を反射させる反
射層を兼ねる画素電極が設けられ、該画素電極と同一の
金属材料によって前記遮光部が形成されたことを特徴と
する請求項1に記載の液晶表示装置。 - 【請求項3】 前記一方の基板上に反射層が設けられ、
該反射層が、前記有効表示領域の外周に沿う部分にまで
延在して前記遮光部として機能することを特徴とする請
求項1に記載の液晶表示装置。 - 【請求項4】 前記金属がアルミニウムであることを特
徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の液晶表示
装置。 - 【請求項5】 互いに対向する2枚の基板間に液晶層が
挟持された液晶表示装置であって、 前記2枚の基板の有効表示領域の外周に沿う部分が、と
もに光透過性を有する材料のみで構成されていることを
特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項6】 請求項1ないし5のいずれかに記載の液
晶表示装置を用いたことを特徴とする電子機器。
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---|---|---|---|
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JP26600599A JP2001091941A (ja) | 1999-09-20 | 1999-09-20 | 液晶表示装置およびこれを用いた電子機器 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
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