JPS6218918B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6218918B2 JPS6218918B2 JP56171126A JP17112681A JPS6218918B2 JP S6218918 B2 JPS6218918 B2 JP S6218918B2 JP 56171126 A JP56171126 A JP 56171126A JP 17112681 A JP17112681 A JP 17112681A JP S6218918 B2 JPS6218918 B2 JP S6218918B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- liquid crystal
- thin film
- pixel
- active matrix
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 69
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 39
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 17
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液晶表示体装置に関する。さらに本発
明は、パネルを構成する一方の基板に、薄膜トラ
ンジスタを用いたアクテイブマトリツクス基板を
用いた液晶表示体装置のパネル構造に関するもの
である。
明は、パネルを構成する一方の基板に、薄膜トラ
ンジスタを用いたアクテイブマトリツクス基板を
用いた液晶表示体装置のパネル構造に関するもの
である。
近年、液晶表示体装置は、低電圧、低電力駆動
が可能であり、薄型、小型であることから、パー
ソナルな民生機器のデイスプレイとして幅広く使
用される様になつて来た。今後も需要は増々増大
する予想である。さらに液晶表示体装置の今後の
動向は、大容量化にあると思われる。例えば、
CRTに代る薄型キヤラクタ、あるいはグラフイ
ツクデイスプレイとして有望であるとともに、画
像表示デイスプレイとしての小型ポケツトテレビ
の実現が可能である。
が可能であり、薄型、小型であることから、パー
ソナルな民生機器のデイスプレイとして幅広く使
用される様になつて来た。今後も需要は増々増大
する予想である。さらに液晶表示体装置の今後の
動向は、大容量化にあると思われる。例えば、
CRTに代る薄型キヤラクタ、あるいはグラフイ
ツクデイスプレイとして有望であるとともに、画
像表示デイスプレイとしての小型ポケツトテレビ
の実現が可能である。
画像表示を液晶表示体装置を用いて行なう場合
いくつかの方式が今までに検討されている。その
中で各表示画素にスイツチング素子を内蔵したい
わゆるアクテイブマトリツクス基板を用いた液晶
表示体装置は、表示画像の分解能及び表示容量の
点から最も優れた方式である。透明基板上にスイ
ツチング素子として薄型トランジスタをマトリツ
クス状に配列した基板を用いる場合には、2枚の
基板ともに透明基板を用いることが出来るため
に、TN液晶を使うことが可能となる。従来のこ
の種の液晶表示体装置のパネル構造図を第1図に
示す。第1図中の1は例えばパイレツクスガラス
板あるいは石英板等の耐熱性透明基板である。2
は半導体材料から成るトランジスタのチヤンネル
部、3はソースあるいはドレイン電極領域であ
る。4はゲート電極、5は絶縁薄膜、6はソース
及びドレイン電極領域とオーミツク接触する金属
膜あるいは半導体薄膜である。以上の2〜6の部
分により薄膜トランジスタは構成される。7は液
晶8を駆動するための駆動電極であり、SnO2あ
るいはIn2O3等の透明導電膜により形成されてい
る。一般に薄膜トランジスタマトリツクスが配置
された下側基板1は、薄膜トランジスタアレイを
作り込むプロセスが長いために、基板の厚さは
1.0〜3.0mmとかなり厚い。第1図中の9は上側基
板であり10は上側基板上の透明電極である。1
1は上側基板上に貼る偏光板、12は下側基板の
下側に貼る偏光板である。また13は反射板であ
る。液晶は例えばTN液晶であり、液晶層に加わ
る電圧の大小により表示が実行される。
いくつかの方式が今までに検討されている。その
中で各表示画素にスイツチング素子を内蔵したい
わゆるアクテイブマトリツクス基板を用いた液晶
表示体装置は、表示画像の分解能及び表示容量の
点から最も優れた方式である。透明基板上にスイ
ツチング素子として薄型トランジスタをマトリツ
クス状に配列した基板を用いる場合には、2枚の
基板ともに透明基板を用いることが出来るため
に、TN液晶を使うことが可能となる。従来のこ
の種の液晶表示体装置のパネル構造図を第1図に
示す。第1図中の1は例えばパイレツクスガラス
板あるいは石英板等の耐熱性透明基板である。2
は半導体材料から成るトランジスタのチヤンネル
部、3はソースあるいはドレイン電極領域であ
る。4はゲート電極、5は絶縁薄膜、6はソース
及びドレイン電極領域とオーミツク接触する金属
膜あるいは半導体薄膜である。以上の2〜6の部
分により薄膜トランジスタは構成される。7は液
晶8を駆動するための駆動電極であり、SnO2あ
るいはIn2O3等の透明導電膜により形成されてい
る。一般に薄膜トランジスタマトリツクスが配置
された下側基板1は、薄膜トランジスタアレイを
作り込むプロセスが長いために、基板の厚さは
1.0〜3.0mmとかなり厚い。第1図中の9は上側基
板であり10は上側基板上の透明電極である。1
1は上側基板上に貼る偏光板、12は下側基板の
下側に貼る偏光板である。また13は反射板であ
る。液晶は例えばTN液晶であり、液晶層に加わ
る電圧の大小により表示が実行される。
第2図は、アクテイブマトリツクス基板上の画
素回路の一例である。図中の14はータライン、
15はタイミングライン、16は薄膜トランジス
タ、17は液晶駆動電極、18は液晶層、19は
上側基板の液晶に接する面に全面に形成された対
向電極である。第1図中のPで示した領域が一画
素に相当する部分である。このようなアクテイブ
マトリツクス基板を用いて画像表示なり、グラフ
イツク表示を行なう場合には、外部信号により画
素と、それに加える電圧を選択し、表示を行な
う。しかし、第3図に示す様にTN液晶を用いた
反射型の液晶パネルにおいては、液晶がOFFの
状態で黒表示であるとすると、液晶がOFFの画
素の下側には外部光21の影22が必ず生ずる。
この影は、外部光の入射角及び見る人の眼の角度
によつても発生の仕方は異なるが、特に画像表示
を行なうために画素ピツチを小さくしたものにお
いては、下側基板の板厚が厚いと、大きな影とし
て現われ、画像が二重に見えたり、画像のりんか
くがボケたりする。第4図はこの様子を示したも
のであり、図中の23は外部光、24は液晶が
OFFの画素の下側に生ずる影である。今、眼の
位置25からパネルを見る場合、実際に液晶が
OFFの画素7と、影の虚像26が2重に見える
ことになる。この現像は、下側基板の厚さdが大
きい程また外部光の入射角及び目る角度θが小さ
い程影のズレが大きく出ることになる。しかし下
側基板は、薄膜トランジスタを作り込むプロセス
を通るため、その板厚を薄くすることは不可能で
ある。
素回路の一例である。図中の14はータライン、
15はタイミングライン、16は薄膜トランジス
タ、17は液晶駆動電極、18は液晶層、19は
上側基板の液晶に接する面に全面に形成された対
向電極である。第1図中のPで示した領域が一画
素に相当する部分である。このようなアクテイブ
マトリツクス基板を用いて画像表示なり、グラフ
イツク表示を行なう場合には、外部信号により画
素と、それに加える電圧を選択し、表示を行な
う。しかし、第3図に示す様にTN液晶を用いた
反射型の液晶パネルにおいては、液晶がOFFの
状態で黒表示であるとすると、液晶がOFFの画
素の下側には外部光21の影22が必ず生ずる。
この影は、外部光の入射角及び見る人の眼の角度
によつても発生の仕方は異なるが、特に画像表示
を行なうために画素ピツチを小さくしたものにお
いては、下側基板の板厚が厚いと、大きな影とし
て現われ、画像が二重に見えたり、画像のりんか
くがボケたりする。第4図はこの様子を示したも
のであり、図中の23は外部光、24は液晶が
OFFの画素の下側に生ずる影である。今、眼の
位置25からパネルを見る場合、実際に液晶が
OFFの画素7と、影の虚像26が2重に見える
ことになる。この現像は、下側基板の厚さdが大
きい程また外部光の入射角及び目る角度θが小さ
い程影のズレが大きく出ることになる。しかし下
側基板は、薄膜トランジスタを作り込むプロセス
を通るため、その板厚を薄くすることは不可能で
ある。
本発明はかかる従来の液晶表示体装置の欠点を
解決するために発明されたものであり、薄膜トラ
ンジスタが集積された透明基板を液晶パネルの上
側基板として用いたことを特徴とする液晶表示体
装置に関するものであり、以下具体的な実施例を
もとに説明する。
解決するために発明されたものであり、薄膜トラ
ンジスタが集積された透明基板を液晶パネルの上
側基板として用いたことを特徴とする液晶表示体
装置に関するものであり、以下具体的な実施例を
もとに説明する。
第5図は本発明による液晶表示体装置のパネル
構造を示したものであり、従来の液晶パネルと異
なり、薄膜トランジスタを集積した透明基板を上
側基板として用いている。図中の1〜13に対応
する部分は第1図中の番号と対応している。図中
の27は、下側基板であり、この場合の下側基板
は、液晶に接する面の全面に透明導電膜が形成さ
れたものでよいために、かなり薄い透明基板を下
側基板として用いることが出来る。この薄い下側
基板としては、パイレツクス基板でもよいし、プ
ラスチツク基板でもよい。ガラス基板においても
プラスチツク基板においても0.05〜1.0mmとかな
り薄い基板を用いることが出来る。
構造を示したものであり、従来の液晶パネルと異
なり、薄膜トランジスタを集積した透明基板を上
側基板として用いている。図中の1〜13に対応
する部分は第1図中の番号と対応している。図中
の27は、下側基板であり、この場合の下側基板
は、液晶に接する面の全面に透明導電膜が形成さ
れたものでよいために、かなり薄い透明基板を下
側基板として用いることが出来る。この薄い下側
基板としては、パイレツクス基板でもよいし、プ
ラスチツク基板でもよい。ガラス基板においても
プラスチツク基板においても0.05〜1.0mmとかな
り薄い基板を用いることが出来る。
第6図は、この様に薄い下側基板を用いた時の
影の見え方の説明図である。下側基板の板厚d′が
薄いため、液晶が実際にOFFとなつている画素
と影との距離は少ない。画像表示の場合において
は、画像の分解能の低下及び像の2重化現像の防
止のためにも、例えば画素のピツチをPとすると
下側基板の板厚は2P以下が望ましい。
影の見え方の説明図である。下側基板の板厚d′が
薄いため、液晶が実際にOFFとなつている画素
と影との距離は少ない。画像表示の場合において
は、画像の分解能の低下及び像の2重化現像の防
止のためにも、例えば画素のピツチをPとすると
下側基板の板厚は2P以下が望ましい。
第7図は本発明の他の実施例を示す。図中の2
8は薄膜トランジスタを集積した板厚の厚い透明
基板であり、29は、板厚の薄い下側基板であ
る。この様なパネル構造の場合においては、上側
基板がパネルの支持基板となる。したがつて液晶
パネルの長期信頼性を向上するために、図中の3
0にて示す如く、下側基板を完全におおう様なモ
ールドなり、キヤツピングが可能となり実装方式
はかなりシンプルとなる。図中の31は上側基板
上の取り出しパツドと電気的に接続されておりド
ライバ回路32と接続されている。
8は薄膜トランジスタを集積した板厚の厚い透明
基板であり、29は、板厚の薄い下側基板であ
る。この様なパネル構造の場合においては、上側
基板がパネルの支持基板となる。したがつて液晶
パネルの長期信頼性を向上するために、図中の3
0にて示す如く、下側基板を完全におおう様なモ
ールドなり、キヤツピングが可能となり実装方式
はかなりシンプルとなる。図中の31は上側基板
上の取り出しパツドと電気的に接続されておりド
ライバ回路32と接続されている。
上述の如く本発明は、一対の基板内に液晶が封
入されてなり、薄膜トランジスタをスイツチング
素子として用いた画素回路をマトリツクス状に配
列したアクテイブマトリツクス基板を該基板の一
方の基板として用いた液晶表示体装置にいて、該
アクテイブマトリツクス基板を視認側の上側基板
として用い、下側基板としては透明基板を用い、
該下基板の板厚は、該アクテイブマトリツクス基
板上の画素回路のパターピツチの2倍以下であ
り、前記上下側基板の外表面には各々偏光板が設
けられ、該下側基板の偏光板上には光反射板が載
置されたから、以下のき効果を有する。
入されてなり、薄膜トランジスタをスイツチング
素子として用いた画素回路をマトリツクス状に配
列したアクテイブマトリツクス基板を該基板の一
方の基板として用いた液晶表示体装置にいて、該
アクテイブマトリツクス基板を視認側の上側基板
として用い、下側基板としては透明基板を用い、
該下基板の板厚は、該アクテイブマトリツクス基
板上の画素回路のパターピツチの2倍以下であ
り、前記上下側基板の外表面には各々偏光板が設
けられ、該下側基板の偏光板上には光反射板が載
置されたから、以下のき効果を有する。
(a) 薄膜トランジスタを作り込むプロセスにおい
ては、必要な基板は比較的厚膜の透明基板でな
くてはならないが、この透明基板を上側基板と
した為に、下側基板は設計仕様に応じてかなり
薄い透明基板を用いることができる。
ては、必要な基板は比較的厚膜の透明基板でな
くてはならないが、この透明基板を上側基板と
した為に、下側基板は設計仕様に応じてかなり
薄い透明基板を用いることができる。
(b) このように、薄い透明基板で設計が可能であ
るために、透明基板の厚さを画素ピツチの2倍
以下とすることによつて、反射光に基きオフ状
態にある画素電極と影の虚像が2重に見えるこ
とが完全に防止できる。特に、液晶テレビの如
く何万画素の電極を形成する際の2重画像やり
んかくのボケは致命的な画質欠陥となるが、本
願構造によりこの画質の欠陥は完全に防止する
ことができる。
るために、透明基板の厚さを画素ピツチの2倍
以下とすることによつて、反射光に基きオフ状
態にある画素電極と影の虚像が2重に見えるこ
とが完全に防止できる。特に、液晶テレビの如
く何万画素の電極を形成する際の2重画像やり
んかくのボケは致命的な画質欠陥となるが、本
願構造によりこの画質の欠陥は完全に防止する
ことができる。
第1図〜第4図は従来の薄膜トランジスタを用
いたアクテイブマトリツクス液晶パネルのパネル
構造図及び回路図及び、表示の影の出来方を説明
した図。第5図〜第7図は本発明による液晶表示
体装置のパネル構造図及び表示の影の出来方の説
明図。 1…透明基板、2…薄膜トランジスタのチヤン
ネル部、3…ソース及びドレイン電極、4…ゲー
ト電極、5…絶縁膜、6…金属層、7…透明導電
膜、8…液晶層、9…上側基板、10…透明導電
膜、11…偏光板、12…偏光板、13…反射
板、14…データライン、15…タイミングライ
ン、16…薄膜トランジスタ、17…液晶駆動電
極、18…液晶層、19…対向電極、20…一画
素領域、21…外部光、22…影、23…外部
光、24…影、25…眼、26…影の虚像、27
…下側基板、28…上側基板、29…下側基板、
30…保護手段、31…フレキシブルテープ、3
2…ドライバ回路。
いたアクテイブマトリツクス液晶パネルのパネル
構造図及び回路図及び、表示の影の出来方を説明
した図。第5図〜第7図は本発明による液晶表示
体装置のパネル構造図及び表示の影の出来方の説
明図。 1…透明基板、2…薄膜トランジスタのチヤン
ネル部、3…ソース及びドレイン電極、4…ゲー
ト電極、5…絶縁膜、6…金属層、7…透明導電
膜、8…液晶層、9…上側基板、10…透明導電
膜、11…偏光板、12…偏光板、13…反射
板、14…データライン、15…タイミングライ
ン、16…薄膜トランジスタ、17…液晶駆動電
極、18…液晶層、19…対向電極、20…一画
素領域、21…外部光、22…影、23…外部
光、24…影、25…眼、26…影の虚像、27
…下側基板、28…上側基板、29…下側基板、
30…保護手段、31…フレキシブルテープ、3
2…ドライバ回路。
Claims (1)
- 1 薄膜トランジスタをスイツチング素子として
用いた画素回路をマトリツクス状に配列したアク
テイブマトリツクス基板を一方の基板として用い
た液晶表示体装置において、該アクテイブマトリ
ツクス基板を上側基板として用い、下側基板とし
ては透明基板を用い、該下基板の板厚は、該アク
テイブマトリツクス基板上の画素回路のパターピ
ツチの2倍以下であり、前記上下側基板の外表面
には各々偏光板が設けられ、該下側基板の偏光板
上には反射板が載置されてなることを特徴とする
液晶表示体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56171126A JPS5872185A (ja) | 1981-10-26 | 1981-10-26 | 液晶表示体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56171126A JPS5872185A (ja) | 1981-10-26 | 1981-10-26 | 液晶表示体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5872185A JPS5872185A (ja) | 1983-04-30 |
JPS6218918B2 true JPS6218918B2 (ja) | 1987-04-24 |
Family
ID=15917458
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56171126A Granted JPS5872185A (ja) | 1981-10-26 | 1981-10-26 | 液晶表示体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5872185A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5936225A (ja) * | 1982-08-24 | 1984-02-28 | Seiko Epson Corp | 液晶表示体装置及びその製造方法 |
JPH0611703A (ja) * | 1993-04-12 | 1994-01-21 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
FR2830660B1 (fr) * | 2001-10-09 | 2003-12-12 | Commissariat Energie Atomique | Ecran plat a cristal liquide fonctionnant en mode reflectif et son procede de realisation |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS49126348A (ja) * | 1973-04-04 | 1974-12-03 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53166883U (ja) * | 1977-06-02 | 1978-12-27 |
-
1981
- 1981-10-26 JP JP56171126A patent/JPS5872185A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS49126348A (ja) * | 1973-04-04 | 1974-12-03 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5872185A (ja) | 1983-04-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100426980B1 (ko) | 전기 광학 장치, 그 제조 방법 및 전자 기기 | |
US5299041A (en) | Active matrix, high definition, liquid crystal display structure | |
US6667790B2 (en) | Liquid crystal display having particular spacer | |
JP3772842B2 (ja) | 液晶装置、その駆動方法、及び電子機器 | |
JPH01156725A (ja) | 表示装置 | |
JPS6265017A (ja) | 冗長な導体構造を持つ薄膜fet駆動形液晶表示装置 | |
KR100516250B1 (ko) | 전기 광학 장치 및 전자 기기 | |
JP2003270628A (ja) | 半透過・反射型液晶装置、およびそれを用いた電子機器 | |
JP2002189228A (ja) | 電気光学装置及びその製造方法、並びに投射型表示装置 | |
WO2000020918A1 (fr) | Dispositif a cristaux liquides et appareil electronique | |
US6022646A (en) | Color filter panel of an LCD device and method of Manufacturing the same | |
JP3707472B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
US6753839B2 (en) | Electro-optical panel and electronic device | |
KR20040044122A (ko) | 전기 광학 패널 및 그 제조 방법 | |
US7911546B2 (en) | Liquid crystal device and electronic apparatus | |
JP2003207794A (ja) | アクティブマトリクス型表示装置 | |
JP4196645B2 (ja) | 液晶表示装置及び電子機器 | |
JPS6218918B2 (ja) | ||
JPS5936225A (ja) | 液晶表示体装置及びその製造方法 | |
JPS6328308B2 (ja) | ||
JP2004109857A (ja) | 液晶表示装置、及び電子機器 | |
JPH10268342A (ja) | アクティブマトリックス液晶表示装置 | |
JP2002196346A (ja) | 電気光学装置及びその製造方法、並びに投射型表示装置 | |
JPH0695142A (ja) | 液晶表示装置 | |
KR100476038B1 (ko) | 액정표시소자및그제조방법 |