JPH10239696A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 画素電極及び信号線の間隙にて電界により液
晶分子が応答するのを防止し、ノーマリホワイトモード
にあっては間隙のコントラストの低下を生じる事無く輝
度変化を低減する一方、ノーマリブラックモードにあっ
ては隙間部の光漏れを確実に防止し且つ開口部を拡大
し、輝度変化が無く且つ明るくコントラストの良い表示
画面を得る。 【解決手段】 画素電極１８の信号線１７に平行な側端
を凹凸状に形成し、凹部１８ａにあっては、信号線１７
により電界を生ぜず、平均輝度変化の低減に寄与する一
方、凸部１８ｂにあっては、画素電極１８の表示面積を
拡大しコントラストを向上し、表示品位の向上を図る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、走査線及び信号線
に囲まれた領域にマトリクス状に配列される画素電極を
備えた液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、薄型軽量且つ低消費電力という利
点を有する事から、ワードプロセッサやディスクトップ
パーソナルコンピュータの様なパーソナルＯＡ機器の表
示装置やテレビ等の映像表示装置として液晶表示装置が
多用され、特に高機能、高精細で良質の画像を得るため
に、薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴと称する。）等のス
イッチング素子にてマトリクス状に配列される画素電極
を駆動するアクティブマトリクス型の液晶表示装置（以
下ＬＣＤと略称する。）の開発が行われている。更にこ
の様なアクティブマトリクス型のＬＣＤのうち、より軽
量且つ低消費電力化を図り、ポータブルコンピュータや
電子手帳等の携帯情報端末としての表示装置に用いるた
め、ＬＣＤ本体内には照明手段を具備する事なく、外光
を用いて画像表示を行うものとして反射型のＬＣＤの開
発が進められている。即ち反射型ＬＣＤは、マトリクス
状に配列されＴＦＴにて駆動される画素電極を有するア
レイ基板及び共通電極を有する対向基板の間隙に液晶組
成物を封入し背面に反射板を配設して成っている。

【０００３】そして従来は図６に示す第１の従来例の様
に、アレい基板上にて画素電極１は、信号線２との容量
結合や短絡不良を防ぐために信号線２から数ミクロン程
度離間して配置され、更に対向基板上にあっては、画素
電極１と信号線２及び走査線４との間隙に相対する領域
に遮光膜３を配置する事により、画素電極１と信号線２
及び走査線４との間隙からの光漏れを防ぎコントラスト
向上を図っている。この遮光膜３は、通常両基板の貼り
合わせ精度を考慮して、画素電極１よりも１０ミクロン
程度内側まで延在されている。

【０００４】この様な照明手段を有しない反射型ＬＣＤ
にあっては、表示性能を向上させるために十分な明るさ
を得ることが重要であり、特にペーパーホワイトと呼ば
れる新聞等の紙と同程度の明るさ（白さ）が要求される
ものの、従来の反射型ＬＣＤにあっては、製造精度上遮
光膜が大きくなり、必要以上に画素電極内に食い込んで
開口部を縮小することにより光を遮蔽してしまい、表示
画面を暗くしてしまうという問題を生じていた。

【０００５】このため、図７に示す第２の従来例の様
に、画素電極５周囲の信号線６および走査線７との間隙
を遮光膜で覆うことなく、透光部とする事により必要な
明るさを得ようとするＬＣＤ８も開発されている。この
ＬＣＤ８は、画素電極５及び信号線６の間隙には電極が
無いので、対向する共通電極との間には電界を生じる事
が無く、ノーマリーホワイトモードで作動すればこの間
隙は常に明状態となり明るい表示画面を得られることと
なる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながらこの画素
電極５周囲の間隙を遮光膜で被覆しないＬＣＤ８にあっ
ては、例えば図８に示すように白画面に黒ウインドウを
表示すると、Ａ領域においては画素電極５及び信号線６
の電位はほぼ同じで有り、図９に示す様に間隙Ａｓには
電界が発生しないため、液晶組成物中の液晶分子９は応
答せず、ノーマリーホワイトモードであることから間隙
Ａｓは明状態となる一方、Ｂ領域では、信号線６の１フ
レーム期間の約１／３の間が、黒ウインドウを表示する
電位となっているため、１フレーム期間における画素電
極５と信号線６の間の実効電圧が大きくなり、図１０に
示す様に画素電極５及び信号線６の間隙Ｂｓに基板と平
行に電界が発生され、この電界に液晶分子９が応答して
光の透過率が低下され、間隙の輝度が低下されてしまっ
ていた。

【０００７】このため、ウインドウの上下のＢ領域にお
ける画素電極５及び信号線６の間隙Ｂｓと、それ以外の
Ａ領域における画素電極５及び信号線６の間隙Ａｓとで
は、輝度が異なり、これが縦クロストークとして視認さ
れてしまい表示品位の低下を来していた。一方このよう
な輝度変化を低減するため、表示時に画素電極５及び信
号線６間に発生する電界を弱める目的から、画素電極５
及び信号線６間の間隔を拡大しようとすると、画素電極
５の面積を縮小する事となり、この結果コントラストの
低下を来し、表示品位を低下してしまうという問題を生
じてしまっていた。

【０００８】そこで本発明は上記課題を除去するもの
で、アクティブマトリクス型のＬＣＤにおいて、画素電
極の縮小によるコントラストの低下を招く事無く且つ、
明るく輝度変化を視認される事が無く均一輝度の表示画
面を得ることにより表示品位の向上を図り、特に薄型軽
量且つ低消費電力化を図る反射型ＬＣＤにおいても、コ
ントラストが高く且つ均一輝度の明るい表示画面を得る
ことにより表示品位の向上を図り、ポータブルタイプコ
ンピュータ等、携帯情報端末の表示装置としての実用化
を可能とする液晶表示装置を提供することを目的とす
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するため、信号線及びこの信号線と交差するよう配線さ
れる走査線との交点に配列されるスイッチング素子及び
このスイッチング素子に駆動され前記信号線及び前記走
査線に囲まれた領域にマトリクス状に配置される画素電
極を有するアレイ基板と、共通電極を有し前記アレイ基
板に間隙を隔てて対向配置される対向基板と、前記アレ
イ基板及び前記対向基板間に封入される液晶組成物とを
具備する液晶表示装置において、前記画素電極の前記信
号線に平行な側端が凹部及び凸部を有し、前記凹部が、
前記画素電極及び前記信号線との間隙部にて液晶分子の
配列が変化しない程度に前記信号線から離間されるもの
である。

【００１０】又本発明は上記課題を解決するため、信号
線及びこの信号線と交差するよう配線される走査線との
交点に配列されるスイッチング素子及びこのスイッチン
グ素子に駆動され前記信号線及び前記走査線に囲まれた
領域にマトリクス状に配置される画素電極を有するアレ
イ基板と、共通電極を有し前記アレイ基板に間隙を隔て
て対向配置される対向基板と、前記アレイ基板及び前記
対向基板間に封入される液晶組成物と、この液晶組成物
を透過した外光を表示方向に反射する反射体とを具備す
る液晶表示装置において、前記画素電極の前記信号線に
平行な側端が凹部及び凸部を有し、前記凹部が、前記画
素電極及び前記信号線との間隙部にて液晶分子の配列が
変化しない程度に前記信号線から離間されるものであ
る。

【００１１】そして上記構成により、信号線に平行な画
素電極の凹部にあっては画素電極と信号線の間隙にて電
界を生じない程度に離間される事により液晶分子の配列
が変動しない事から、間隙にて輝度の低下を生じる惧れ
が無い一方、凸部にあっては信号線との間隙が狭く電界
の発生により輝度低下を生じるものの、輝度低下領域が
狭くその影響が小さいことから、全体としての輝度変化
を低減でき、しかも凸部を設けた事による画素電極領域
の拡大によりコントラストの向上を図れ、全体として
は、明るく且つ輝度変化を生じる事無くしかもコントラ
ストが良好で表示品位の高いＬＣＤを得るものである。

【００１２】

【発明の実施の形態】先ず本発明の原理について図１及
び図２を参照して説明する。本発明は、アクティブマト
リクス型のＴＦＴ−ＬＣＤにおいて、画素電極及び信号
線間の間隙に生じる電界による輝度変化を低減するた
め、信号線と平行な画素電極側端を凹凸状に形成し、凹
部にあっては信号線との間隙にて電界を生じない程度に
離間する一方、凸部にあっては画素電極の領域が縮小さ
れコントラストが低下されるのを防止するものである。

【００１３】ここで凸部の信号線からの距離に応じた輝
度変化について説明する。図１において、横軸は画素電
極凹部と信号線間の間隔を示し、０は信号線端であり、
１は画素電極及び信号線間に電界を生ぜず輝度変化がほ
とんど起こらない最小の位置である画素電極の凹端部と
する。視認される輝度変化は、凹部及び信号線間の間隙
の輝度変化と、凸部及び信号線間の間隙の輝度変化との
平均値であり、縦軸に示す平均輝度変化である。

【００１４】凸部においては、信号線端との間隔が広い
と、画素電極及び信号線間に生じる電界が小さくなり輝
度変化が小さいものの、間隙の面積が大きくなり、輝度
変化を生じない凹部の間隙の面積に対する凸部の面積の
割合が大きくなり平均輝度変化に影響を与える事とな
る。反面、凸部と信号線端との間隔が狭いと、間隙に生
じる電界が大きくなり、輝度変化は大きくなるものの、
間隙の面積が小さい事から、輝度変化を生じない凹部の
間隙の面積に対する割合が小さくなり、平均輝度変化に
さほど影響を及ぼす惧れが無い。

【００１５】即ち凸部と信号線端との間隔を小さくして
も、ある位置を境に平均輝度変化は減少することとな
り、図１から、平均輝度変化がピークに達するのは画素
電極凸部及び信号線間の間隔が、画素電極凹部及び信号
線間の間隔の約４０％の位置であることが判明する。そ
こで上記平均輝度変化を考慮すると共に、凸部と信号線
間の間隔を小さくするほど画素電極の領域が拡大されコ
ントラストを向上させる事ができる事を考慮し、画素電
極凸部及び信号線間の間隔を、画素電極凹部及び信号線
間の間隔の１／３以下とすれば、十分なコントラストを
保ちながら，輝度変化の低減を図れることが判明され
る。

【００１６】次に画素電極の凹部及び凸部の信号線方向
の長さに応じた表示性能について説明する。図２におい
て、横軸は、画素電極の信号線方向の全長を１００とし
たときの、画素電極の凸部の長さの割合を示し、縦軸
は、表示性能としてコントラストと、画素電極及び信号
線間の間隙の平均輝度変化とを示している。一般にコン
トラストが高いほど表示性能が向上し、間隙の平均輝度
変化が小さいほどクロストーク等の表示不良を低減でき
表示性能が向上するが、コントラストの向上は、画素電
極の凸部の長さの割合を増大し画素電極の面積を増大す
れば得られる。

【００１７】しかしながら、画素電極の凸部は輝度変化
を生じる領域を構成することから、その長さの割合を増
大し、輝度変化をほとんど生じない凹部の領域を減少し
てしまうと、間隙の平均輝度変化を増大してしまう結果
となり、表示状態によっては、クロストーク等の表示不
良を生じ易くなり表示性能が低下されてしまう。

【００１８】そこで、画素電極の凹部と凸部との割合を
概ね同じとする事により、良好なコントラストを得ると
共に、画素電極及び信号線間の間隙の輝度変化を低減
し、良好な表示画面を得られる事となる。

【００１９】以下上記原理に基づき本発明の第１の実施
の形態を図３及び図４を参照して説明する。１０は、ア
レイ基板１１及び対向基板１２間に液晶組成物１３を封
入してなる反射型ＴＦＴ−ＬＣＤであり、アレイ基板１
１のガラス基板１４上には、チタン（Ｔｉ）、クロム
（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、タ
ングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）
等の金属材料の単体、あるいはこれらの積層膜またはこ
れらの合金から成る、複数の走査線１６及びこの走査線
１６と交差する複数の信号線１７が形成され、走査線１
６及び信号線１７に囲まれた領域にはインジウム錫酸化
物（以下ＩＴＯと称する。）からなる画素電極１８が形
成され、走査線１６及び信号線１７の交点に形成される
スイッチング素子であるＴＦＴ２０により駆動されてい
る。

【００２０】ここで画素電極１８の信号線１７と平行な
側端は、凹凸状に形成され、凹部１８ａ及び信号線１７
間の間隔は、凹部１８ａ及び信号線１７との間隙にて電
界を生ぜず、輝度変化をほとんど生じない最小の間隔で
ある８μｍに設定されており、凸部１８ｂ及び信号線１
７間の間隔は、凹部１８ａと信号線１７との間隔の１／
３以下の２μｍとされている。又、凹部１８ａ及び凸部
１８ｂの信号線１７方向に沿った長さは夫々２０μｍと
されている。

【００２１】又走査線１６と一体的に形成されるＴＦＴ
２０のゲート電極２１の上方には、酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏｘ）から成るゲート絶縁膜２２を介してa −Ｓｉ膜２
３、チッ化ッシリコン（ＳｉＮx ）から成るエッチング
保護膜２４、ｎ＋型ａ−Ｓｉ膜２６が形成され、更に信
号線１７から延在されるドレイン電極２７、コンタクト
ホール２８ａを介し画素電極１８に接続されるソース電
極２８が形成された上に、パッシベーション膜３０が形
成され、更に画素電極１８が形成されている。尚３１
は、走査線１６と同一層にて画素電極１８下方に形成さ
れる蓄積容量線である。

【００２２】更に、アレイ基板１１に対向配置される対
向基板１２の、ガラス基板３２上のＴＦＴ２０に対向す
る位置には、ＴＦＴ２０への光入射を遮蔽するクロム
（Ｃｒ）からなる遮光膜３３が形成され、更にＩＴＯか
らなる共通電極３４が全面に形成されている。又３６、
３７はアレイ基板１１及び対向基板１２の対向面に夫々
塗布されるポリイミドから成る配向膜であり、両基板１
１、１２を対向配置した場合に、液晶組成物１３中の液
晶分子が９０度捩じれになるようラビング処理されてい
る。更に３８、４０は相互に直交配置される偏光板、４
１は対向基板１２側にとりつけられる反射板である。

【００２３】次に反射型ＴＦＴ−ＬＣＤ１０の製造工程
についてのべる。先ずガラス基板１４上に、チタン（Ｔ
ｉ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン
（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、アルミニ
ウム（Ａｌ）等の金属材料の単体、あるいはこれらの積
層膜またはこれらの合金を被覆した後、フォトリソグラ
フィにより走査線１６及びこれと一体的に形成されるゲ
ート電極２１並びに蓄積容量線３１をパターン形成す
る。次いで酸化シリコン（ＳｉＯｘ）から成るゲート絶
縁膜２２を３５０ｎｍ、ＴＦＴのチャネル領域となるa
−Ｓｉ膜２３を５０ｎｍ、チッ化シリコン（ＳｉＮx ）
から成るエッチング保護膜２４を１５０ｎｍ、それぞれ
プラズマＣＶＤ法で全体に被膜し、エッチング保護膜２
４のみを所定の形状に加工し、更に、ｎ＋型ａ−Ｓｉ膜
２６を５０ｎｍ被覆した後にａ−Ｓｉ膜２３と共に所定
の形状に加工する。

【００２４】更に、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、
タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン
（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属材
料の単体、あるいはこれらの積層膜またはこれらの合金
をスパッタ法で被覆した後、フォトリソグラフィにより
信号線１７、ドレイン電極２７、ソース電極２８をパタ
ーン形成する。次にチッ化シリコン（ＳｉＮx ）から成
るパッシベーション膜３０をプラズマＣＶＤにより被膜
し、コンタクトホール２８ａを形成した後スパッタ法に
よりＩＴＯ膜を１００ｎｍ被覆し、フォトリソグラフィ
により画素電極１８を、その信号線１７と平行な側端に
て凹部１８ａ及び凸部１８ｂを有する様パターン形成
し、最後に配向膜３６を塗布してアレイ基板１１を得
る。

【００２５】一方、対向基板１２にあっては、ガラス基
板３２上にスパッタ法によりクロム（Ｃｒ）を被膜し、
フォトリソグラフィによりＴＦＴ２０に対向する部分に
遮光膜３３をパターン形成し、更にスパッタ法にて全面
にＩＴＯ膜を成膜して共通電極３４を形成し、この後配
向膜３７を塗布して対向基板１２を得る。

【００２６】この後配向膜３６、３７を夫々ラビング処
理した後、アレイ基板１１及び対向基板１２を、配向方
向が直交するように４〜５μｍの間隔を保持して貼り合
わせ、両基板１１、１２の間隙に液晶組成物１３を注入
し封止する。そして、基板１１、１２の両側に、配向方
向と平行に、二枚の偏光板３８、４０を貼り、更に対向
基板１２に反射板４１を取り付け、反射型ＴＦＴ−ＬＣ
Ｄ１０を完成する。

【００２７】この様に、軽量且つ小型化を図るためバッ
クライト装置に変え反射板４１を設け、かつ画素電極及
び信号線間の間隙を遮蔽膜で覆う事無く明るい表示画面
を得る反射型ＴＦＴ−ＬＣＤ１０において、画素電極１
８の信号線１７と平行な側端を凹凸状に形成し、凹部１
８ａ及び信号線１７との間隔を、凹部１８ａ及び信号線
１７との間隙にて電界を生ぜず液晶分子が応答する事無
く、輝度変化をほとんど生じない最小の間隔に設定する
一方、画素電極１８の凸部１８ｂ及び信号線１７との間
隔を、画素電極１８及び信号線１７間にて電界を発生
し、液晶分子が応答して輝度低下を来すものの、凹部１
８ａ及び信号線１７との間隔の１／３以下に設定する事
により、輝度低下を生じない凹部１８ａが占める面積に
比し、輝度低下を生じる面積の割合を小さく出来、全体
としては平均輝度変化が低く表示品位の良好な表示画面
を得られる。

【００２８】又、画素電極１８の凸部１８ｂの信号線１
７方向の長さの割合を凹部１８ａと概ね同じとする事に
より、画素電極の領域の縮小が防止され、開口部の拡大
によりコントラストの高い良好な表示画面をえられる。

【００２９】次に本発明の第２の実施の形態を図５を参
照して説明する。尚本実施の形態は第１の実施の形態に
おける画素電極の凸部及び信号線間の間隔が異なるもの
の他は第１の実施の形態と同一である事から、第１の実
施の形態と同一部分については同一符号を付しその説明
を省略する。反射型ＴＦＴ−ＬＣＤ４２の画素電極４３
の凹凸状に形成される側端の、凹部４３ａ及び信号線１
７間の間隔は、第１の実施の形態と同様、凹部４３ａ及
び信号線１７間の間隙にて電界を生ぜず、輝度変化をほ
とんど生じない最小の間隔である８μｍに設定される一
方、凸部４３ｂは信号線１７に対して２μｍ食い込むよ
う形成されている。

【００３０】このようにして成る反射型ＴＦＴ−ＬＣＤ
４２にあっては、画素電極４３及び信号線１７間の間隙
は、輝度変化をほとんど生じない画素電極４３の凹部４
３ａ及び信号線１７間の間隙のみとなり、画素電極４３
及び信号線１７間の間隙にて平均輝度変化も全く生ぜ
ず、第１の実施の形態に比し一層の輝度変化の低減を実
現でき、より良好な表示品位を得られ、コントラストが
よく且つ輝度変化を生じる事無く明るく、表示品位の良
好な反射型ＴＦＴ−ＬＣＤの実用化を図る事が出来る。

【００３１】尚本発明は上記実施の形態に限られるもの
でなく、その趣旨を変えない範囲での変更は可能であっ
て、例えば、反射型ＴＦＴ−ＬＣＤはノーマリホワイト
モードではなく、ノーマリブラックモードで作動しても
よい。この場合にも、画素電極及び信号線の間隙におい
て液晶分子の応答を押さえる事が出来、間隙は遮蔽部材
を設ける事無く常に暗状態に保持され、遮光状態を保持
出来る事から、位置合わせ精度を考慮して対向基板上に
て間隙より大きめに形成される従来の遮光膜を用いる事
無く、光漏れを確実に防止でき、開口部の縮小を生じる
事無くコントラストの向上を図れ、しかも凹凸状の凸部
による画素電極の面積の拡大により一層のコントラスト
向上を得られる。

【００３２】又アクティブマトリクス型ＬＣＤは、反射
型に限定されず、アレイ基板及び対向基板に貼り付けら
れる２枚の偏光板を平行に配置し、いずれか一方の基板
の背面にバックライト装置を設けたノーマリブラックモ
ードの透過型ＬＣＤであってもよい。この場合も反射型
のアクティブマトリクス型ＬＣＤと同様、画素電極及び
信号線の間隙において液晶分子の応答を押さえる事が出
来、遮光部材を設ける事無く、間隙部分は常に暗状態と
なり遮光状態を保持出来る事から、開口部の縮小を招く
事無く光漏れを確実に防止でき、コントラストの向上を
図れ、しかも凸部による画素電極の面積の拡大により一
層のコントラスト向上を得られる。

【００３３】更に液晶組成物の種類あるいはスイッチン
グ素子の構造等任意である。又画素電極側端の凹凸部と
信号線間の間隔は輝度変化の低減及びコントラストの向
上が可能であれば特に限定されないが、凸部及び信号線
間の間隔が、凹部及び信号線間の間隔の１／３以下とさ
れる事がより好ましい。又画素電極側端の信号線方向の
凹部及び凸部の長さの割合も限定されないが、良好なコ
ントラストを保持しながら画素電極及び信号線間の間隙
の輝度変化の低減を図りより良好な表示画面を得るに
は、凹部及び凸部を概ね同じ長さとする事がより好まし
い。

【００３４】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ア
クティブマトリクス型ＬＣＤにおいて、信号線に平行な
画素電極の側端を凹凸状に形成する事により、薄型軽量
且つ低消費電力化を図り、明るい表示画面を得るために
ノーマリホワイトモードで動作する反射型ＬＣＤにあっ
ては、コントラストの低下を生じる事無く輝度変化を低
減出来、表示品位の向上により携帯情報端末としての表
示装置への適用を可能とする。

【００３５】一方、反射型、透過型に関わらずノーマリ
ブラックモードで作動するＬＣＤにあっては、位置合わ
せ精度の低い遮光板を用いる事無く画素電極及び信号線
間の間隙からの光漏れを確実に防止でき、コントラスト
の向上を図れ、しかも画素電極の面積の拡大による開口
部の拡大により、一層のコントラスト向上を図れ、良好
な表示品位を有するＬＣＤの実現が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理を説明するものであり、画素電極
の凸部及び信号線間の間隔に対応する平均輝度変化量を
示すグラフである。

【図２】本発明の原理を説明するものであり、信号線方
向における画素電極の凸部の長さの割合に対応する表示
性能を示すグラフである。

【図３】本発明の第１の実施の形態の反射型ＴＦＴ−Ｌ
ＣＤを示す概略平面図である。

【図４】本発明の第１の実施の形態の反射型ＴＦＴ−Ｌ
ＣＤの図３のＡ−Ｂ−Ｃ線から見た概略断面図である。

【図５】本発明の第２の実施の形態の反射型ＴＦＴ−Ｌ
ＣＤを示す概略平面図である。

【図６】第１の従来例の液晶表示装置を示す概略平面図
である。

【図７】第２の従来例の液晶表示装置を示す概略平面図
である。

【図８】第２の従来例のＬＣＤ上の表示画面を示す概略
平面図 である。

【図９】第２の従来例の図８のＡ領域における液晶分子
の状態を示す概略説明図である。

【図１０】第２の従来例の図８のＢ領域における液晶分
子の状態を示す概略説明図である。

【符号の説明】

１０…反射型ＴＦＴ−ＬＣＤ １１…アレイ基板 １２…対向基板 １３…液晶組成物 １６…走査線 １７…信号線 １８…画素電極 １８ａ…凹部 １８ｂ…凸部 ２０…ＴＦＴ ３３…遮光膜 ３８、４０…偏向板 ４１…反射板

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 信号線及びこの信号線と交差するよう配
   線される走査線との交点に配列されるスイッチング素子
   及びこのスイッチング素子に駆動され前記信号線及び前
   記走査線に囲まれた領域にマトリクス状に配置される画
   素電極を有するアレイ基板と、共通電極を有し前記アレ
   イ基板に間隙を隔てて対向配置される対向基板と、前記
   アレイ基板及び前記対向基板間に封入される液晶組成物
   とを具備する液晶表示装置において、 前記画素電極の前記信号線に平行な側端が凹部及び凸部
   を有し、前記凹部が、前記画素電極及び前記信号線との
   間隙部にて液晶分子の配列が変化しない程度に前記信号
   線から離間される事を特徴とする液晶表示装置。
2. 【請求項２】 信号線及びこの信号線と交差するよう配
   線される走査線との交点に配列されるスイッチング素子
   及びこのスイッチング素子に駆動され前記信号線及び前
   記走査線に囲まれた領域にマトリクス状に配置される画
   素電極を有するアレイ基板と、共通電極を有し前記アレ
   イ基板に間隙を隔てて対向配置される対向基板と、前記
   アレイ基板及び前記対向基板間に封入される液晶組成物
   と、この液晶組成物を透過した外光を表示方向に反射す
   る反射体とを具備する液晶表示装置において、 前記画素電極の前記信号線に平行な側端が凹部及び凸部
   を有し、前記凹部が、前記画素電極及び前記信号線との
   間隙部にて液晶分子の配列が変化しない程度に前記信号
   線から離間される事を特徴とする液晶表示装置。
3. 【請求項３】 画素電極の凸部及び信号線との間隔が、
   前記画素電極の凹部及び前記信号線との間隔の１／３以
   下であることを特徴とする請求項１又は請求項２のいず
   れかに記載の液晶表示装置。
4. 【請求項４】 画素電極の凸部が信号線に重なっている
   ことを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
5. 【請求項５】 信号線に平行な凹部の長さ及び凹部の長
   さが概ね同じである事を特徴とする請求項１乃至請求項
   ４のいずれかに記載の液晶表示装置。