JPH0563010B2 - - Google Patents
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- JPH0563010B2 JPH0563010B2 JP61278328A JP27832886A JPH0563010B2 JP H0563010 B2 JPH0563010 B2 JP H0563010B2 JP 61278328 A JP61278328 A JP 61278328A JP 27832886 A JP27832886 A JP 27832886A JP H0563010 B2 JPH0563010 B2 JP H0563010B2
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- coating
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- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 52
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 50
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 41
- 239000010408 film Substances 0.000 description 34
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000008713 feedback mechanism Effects 0.000 description 1
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- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ウエハ間のレジスト膜厚の再現性
をより効率良く実現するレジスト塗布膜厚制御装
置に関するものである。
をより効率良く実現するレジスト塗布膜厚制御装
置に関するものである。
第５図は塗布装置の塗布部分を示す図である。
図において、１はウエハ、２はウエハを減圧法に
よつて固定する真空チヤツク、３はレジスト、４
はレジスト３を吐出するノズルである。ウエハ１
にノズル４からレジストが吐出されると、設定さ
れた回転数でモーター１３が回転することにより
ウエハ１は真空チヤツク２とともに回転し、その
遠心力によりウエハ１上に均一なレジスト３の膜
が形成する。次にウエハ１を加熱し、レジスト３
中に含まれる有機溶媒を蒸発させて、ウエハは露
光工程へと入る。
図において、１はウエハ、２はウエハを減圧法に
よつて固定する真空チヤツク、３はレジスト、４
はレジスト３を吐出するノズルである。ウエハ１
にノズル４からレジストが吐出されると、設定さ
れた回転数でモーター１３が回転することにより
ウエハ１は真空チヤツク２とともに回転し、その
遠心力によりウエハ１上に均一なレジスト３の膜
が形成する。次にウエハ１を加熱し、レジスト３
中に含まれる有機溶媒を蒸発させて、ウエハは露
光工程へと入る。
第６図にレジスト膜厚と反射率、パターン寸法
との関係を示す。図により、レジスト膜厚TRと
表面反射率ref、パターン寸法との間には周期性
がある。これによると再現性の良いパターン寸法
CDを得るためにはパターン寸法CD変動の少ない
レジスト薄膜TRを目標として塗布する方法がと
られている。たとえば、レジスト膜厚TRの変化
によるパターン寸法CD変動が大きいＢ点付近よ
りもパターン寸法CD変動の小さいＡ点やＣ点付
近のレジスト膜厚TRを目標として塗布する方が
パターン寸法CDを精度良く制御できる。
との関係を示す。図により、レジスト膜厚TRと
表面反射率ref、パターン寸法との間には周期性
がある。これによると再現性の良いパターン寸法
CDを得るためにはパターン寸法CD変動の少ない
レジスト薄膜TRを目標として塗布する方法がと
られている。たとえば、レジスト膜厚TRの変化
によるパターン寸法CD変動が大きいＢ点付近よ
りもパターン寸法CD変動の小さいＡ点やＣ点付
近のレジスト膜厚TRを目標として塗布する方が
パターン寸法CDを精度良く制御できる。
ところで、従来の塗布方法はウエハ処理間での
ウエハ自身の温度や環境の温度、レジストの粘度
等の微妙な変化を無視して動作しているので、パ
ターン寸法CD変動の小さいレジスト膜厚TRを目
標として初期条件を設定しても処理している間に
塗布条件が変わりだし、ウエハ間のレジスト膜厚
TRの再現性がなくなり、レジストパターン寸法
CDの変動が大きくなるという問題点がある。
ウエハ自身の温度や環境の温度、レジストの粘度
等の微妙な変化を無視して動作しているので、パ
ターン寸法CD変動の小さいレジスト膜厚TRを目
標として初期条件を設定しても処理している間に
塗布条件が変わりだし、ウエハ間のレジスト膜厚
TRの再現性がなくなり、レジストパターン寸法
CDの変動が大きくなるという問題点がある。
この発明は上記のような問題点を解消するため
になされたもので、レジスト膜厚TRと表面反射
率refおよびレジストパターン寸法CDとの周期的
な関係を採用し、プリベーク後のウエハの表面反
射率を検出し、フイードバツク制御を行なうこと
により、レジスト膜厚TRの効率的な制御、そし
てレジストパターン寸法CDを精度良く制御する
ことを目的とする。
になされたもので、レジスト膜厚TRと表面反射
率refおよびレジストパターン寸法CDとの周期的
な関係を採用し、プリベーク後のウエハの表面反
射率を検出し、フイードバツク制御を行なうこと
により、レジスト膜厚TRの効率的な制御、そし
てレジストパターン寸法CDを精度良く制御する
ことを目的とする。
この発明に係るレジスト塗布膜厚制御装置は、
レジスト塗布工程後のインラインでウエハの表面
反射率を測定し、その値からレジスト膜厚TRが
適するかどうか判断し、フイードバツク機構を導
入することにより、次のウエハに対して最適塗布
条件を設定し直し、目的とする厚さをもつレジス
ト膜を得るようにしたものである。
レジスト塗布工程後のインラインでウエハの表面
反射率を測定し、その値からレジスト膜厚TRが
適するかどうか判断し、フイードバツク機構を導
入することにより、次のウエハに対して最適塗布
条件を設定し直し、目的とする厚さをもつレジス
ト膜を得るようにしたものである。
本発明では、レジスト塗布後の表面反射率を測
定し、設定した値からのずれを確認すると、フイ
ードバツク制御により、次のウエハを処理するま
でに、最適な塗布回転数に設定し直す。このよう
な作用により、目的とするレジスト膜厚TRを効
率良く再現性よく得ることができる。
定し、設定した値からのずれを確認すると、フイ
ードバツク制御により、次のウエハを処理するま
でに、最適な塗布回転数に設定し直す。このよう
な作用により、目的とするレジスト膜厚TRを効
率良く再現性よく得ることができる。
以下、本発明の一実施例を示す。
第２図はこの発明の一実施例によるレジスト塗
布膜厚制御装置の全体構成図である。図におい
て、１はウエハ、３はレジスト、５はレジスト塗
布、プリベーク後のウエハ１をのせるステージ、
６は反射率を測定するための光源、７は光源６か
らのウエハ１への入射光、８はウエハ１からの反
射光、９は反射光を受けるデイテクター、１０は
デイテクター９からの信号をアナログからデジタ
ルに変換するAD変換部、１１はAD変換部１０
から出た信号を設定した値と比較し、ウエハ１の
反射率（レジスト膜厚）の値が適正であるか判断
し、適正でない場合、この時および１枚前のレジ
スト膜厚と塗布回転数から、最適塗布回転数を算
出する反射率判断手段、１２は反射率判断手段１
１で得られた塗布回転数を設定し直す塗布回転数
制御手段、１３は塗布回転数制御手段１２で設定
された値でレジスト塗布のときに第１図の真空チ
ヤツク３を回転させるモーター、１４は反射率判
断手段１１で反射率（レジスト膜厚）が適正であ
るか適正でないかの信号を受けて、ウエハの良
品、不良品を別々に搬出するウエハ搬出手段で
る。
布膜厚制御装置の全体構成図である。図におい
て、１はウエハ、３はレジスト、５はレジスト塗
布、プリベーク後のウエハ１をのせるステージ、
６は反射率を測定するための光源、７は光源６か
らのウエハ１への入射光、８はウエハ１からの反
射光、９は反射光を受けるデイテクター、１０は
デイテクター９からの信号をアナログからデジタ
ルに変換するAD変換部、１１はAD変換部１０
から出た信号を設定した値と比較し、ウエハ１の
反射率（レジスト膜厚）の値が適正であるか判断
し、適正でない場合、この時および１枚前のレジ
スト膜厚と塗布回転数から、最適塗布回転数を算
出する反射率判断手段、１２は反射率判断手段１
１で得られた塗布回転数を設定し直す塗布回転数
制御手段、１３は塗布回転数制御手段１２で設定
された値でレジスト塗布のときに第１図の真空チ
ヤツク３を回転させるモーター、１４は反射率判
断手段１１で反射率（レジスト膜厚）が適正であ
るか適正でないかの信号を受けて、ウエハの良
品、不良品を別々に搬出するウエハ搬出手段で
る。
なお、ここでは便宜上、入射光７と反射光８と
の間に角度をもたせてあるが、実際は入射光７は
ウエハ１に垂直に入射させるものとする。
の間に角度をもたせてあるが、実際は入射光７は
ウエハ１に垂直に入射させるものとする。
第３図は第２図の実施例の処理装置の本体構成
図である。図中、１７はマイクロコンピユーター
であり、入力回路１８、CPU１９、外部入力す
る目的値２０、メモリ２１、および出力回路２２
を有しており、上記CPU１９は上記第１図の反
射率判断手段１１の機能を実現するようになつて
いる。
図である。図中、１７はマイクロコンピユーター
であり、入力回路１８、CPU１９、外部入力す
る目的値２０、メモリ２１、および出力回路２２
を有しており、上記CPU１９は上記第１図の反
射率判断手段１１の機能を実現するようになつて
いる。
次に上記実施例の動作を第４図および第５図を
参照しながら説明する。第４図はマイクロコンピ
ユーター１７のメモリ２１に記憶された反射率判
断プログラムを示すフローチヤートである。
参照しながら説明する。第４図はマイクロコンピ
ユーター１７のメモリ２１に記憶された反射率判
断プログラムを示すフローチヤートである。
レジスト膜厚と塗布回転数の間には、TRをレ
ジスト膜厚Å、ωを塗布回転数rpmとすれば TR＝pωq 〔１〕 という関係がある。そこでｐ、ｑは実験的に求め
られる定数である。よつて、２変数TR、ωの２
点座標を与えると、塗布時のｐとｑの値を求める
ことができる。
ジスト膜厚Å、ωを塗布回転数rpmとすれば TR＝pωq 〔１〕 という関係がある。そこでｐ、ｑは実験的に求め
られる定数である。よつて、２変数TR、ωの２
点座標を与えると、塗布時のｐとｑの値を求める
ことができる。
ステツプ25で目的とするレジスト膜厚TRAを設
定すると、これに対応する塗布回転数が同時に設
定される。この場合の塗布回転数は上式〔１〕に
よつて与えられ、定数ｐとｑについては塗布する
レジストについてはベースとなる値が与えられて
いるものとする。次にステツプ（26）において設
定した塗布回転数について修正が必要かどうかの
判断が行なわれる。
定すると、これに対応する塗布回転数が同時に設
定される。この場合の塗布回転数は上式〔１〕に
よつて与えられ、定数ｐとｑについては塗布する
レジストについてはベースとなる値が与えられて
いるものとする。次にステツプ（26）において設
定した塗布回転数について修正が必要かどうかの
判断が行なわれる。
塗布回転数の修正が必要であると判断された場
合、ステツプ（27）において塗布回転数が変更さ
れる。この回転数の値は後で述べるステツプ
（29）において決定された値とし、この値で次の
ウエハにレジストが塗布され、プリベーク後ウエ
ハ表面反射率が測定される。一方、塗布回転数の
修正が必要でないと判断された場合は、そのまま
レジスト塗布、プリベークが行なわれ、ウエハ表
面反射率が測定される。なお、処理１枚目のウエ
ハについては塗布回転数の修正が必要でないと判
断されるものとする。
合、ステツプ（27）において塗布回転数が変更さ
れる。この回転数の値は後で述べるステツプ
（29）において決定された値とし、この値で次の
ウエハにレジストが塗布され、プリベーク後ウエ
ハ表面反射率が測定される。一方、塗布回転数の
修正が必要でないと判断された場合は、そのまま
レジスト塗布、プリベークが行なわれ、ウエハ表
面反射率が測定される。なお、処理１枚目のウエ
ハについては塗布回転数の修正が必要でないと判
断されるものとする。
次に、表面反射率refが測定されるとステツプ
（28）において反射率信号が受け取られる。この
信号のデイテクタ９で検出された信号がデジタル
化されて入力回路１８に入力されたものである。
そしてこの信号はステツプ（29）において反射率
に対応するレジスト膜厚と塗布回転数の関係とし
て置き換える。しかし、第６図において、１枚目
のウエハの反射率が目的とする反射率Ａ点からＢ
点やＤ点の位置にずれていた場合、このウエハが
Ｂ点でのレジスト膜厚TRBをもつかのＤ点のレジ
スト膜厚TRDをもつかの判別できないので２枚目
のウエハには塗布回転数を少し上げる（例えば、
設定した塗布回転数に対して１％回転数を多くす
る。）。このフイードバツク制御で２枚目のウエハ
がステツプ（29）にくると１枚目のウエハは２枚
目のウエハよりもレジスト膜厚TRが厚いので、
表面反射率refが増加したか減少したか比較する
ことにより、１枚目のウエハがＢ点に対応するか
Ｄ点に対応するのか決定することができるととも
に、レジスト膜厚TRと塗布回転数ωの関係が２
点得られる。また、３枚目以降のウエハについて
も、１枚前に処理されたウエハと今回処理された
ウエハとの２つのレジスト膜厚TRと塗布回転数
ωの関係が２点得られる。２変数TR、ωの座標
が２点与えられると式〔１〕より塗布時のｐ、ｑ
の値を決定することができ、これより目的とする
レジスト膜厚TRAに対応する塗布回転数を算出す
る。
（28）において反射率信号が受け取られる。この
信号のデイテクタ９で検出された信号がデジタル
化されて入力回路１８に入力されたものである。
そしてこの信号はステツプ（29）において反射率
に対応するレジスト膜厚と塗布回転数の関係とし
て置き換える。しかし、第６図において、１枚目
のウエハの反射率が目的とする反射率Ａ点からＢ
点やＤ点の位置にずれていた場合、このウエハが
Ｂ点でのレジスト膜厚TRBをもつかのＤ点のレジ
スト膜厚TRDをもつかの判別できないので２枚目
のウエハには塗布回転数を少し上げる（例えば、
設定した塗布回転数に対して１％回転数を多くす
る。）。このフイードバツク制御で２枚目のウエハ
がステツプ（29）にくると１枚目のウエハは２枚
目のウエハよりもレジスト膜厚TRが厚いので、
表面反射率refが増加したか減少したか比較する
ことにより、１枚目のウエハがＢ点に対応するか
Ｄ点に対応するのか決定することができるととも
に、レジスト膜厚TRと塗布回転数ωの関係が２
点得られる。また、３枚目以降のウエハについて
も、１枚前に処理されたウエハと今回処理された
ウエハとの２つのレジスト膜厚TRと塗布回転数
ωの関係が２点得られる。２変数TR、ωの座標
が２点与えられると式〔１〕より塗布時のｐ、ｑ
の値を決定することができ、これより目的とする
レジスト膜厚TRAに対応する塗布回転数を算出す
る。
ステツプ29において次のウエハに対する塗布回
転数が算出されるとステツプ30ロツトの終了信号
が送られてきたかどうか判断する。終了信号が無
いと判断されると、ステツプ（26）にもどる。ま
た終了信号が有ると判断されると処理はここで終
わる。
転数が算出されるとステツプ30ロツトの終了信号
が送られてきたかどうか判断する。終了信号が無
いと判断されると、ステツプ（26）にもどる。ま
た終了信号が有ると判断されると処理はここで終
わる。
なお、上記実施例ではレジスト塗布回転数の調
整によりレジスト膜厚を制御したが、レジスト塗
布回転数をプリベーク時間に置き換えてレジスト
膜厚を制御してもよい。この場合、第２図の１２
はプリベーク時間制御手段、１３はヒータ、第３
図の２３はプリベーク時間設定部、第４図の２６
はプリベーク時間の修正必要か？、２７はプリベ
ーク時間変更、２９はプリベーグ時間算出とな
る。
整によりレジスト膜厚を制御したが、レジスト塗
布回転数をプリベーク時間に置き換えてレジスト
膜厚を制御してもよい。この場合、第２図の１２
はプリベーク時間制御手段、１３はヒータ、第３
図の２３はプリベーク時間設定部、第４図の２６
はプリベーク時間の修正必要か？、２７はプリベ
ーク時間変更、２９はプリベーグ時間算出とな
る。
また、本実施例ではウエハの反射率によりレジ
スト膜厚を得るようにしたが、レジスト膜厚を測
定できるものなら反射率測定装置と置き換えても
良い。
スト膜厚を得るようにしたが、レジスト膜厚を測
定できるものなら反射率測定装置と置き換えても
良い。
以上のように、この発明によれば、種々の条件
の微妙な変化にかかわらず、目的とするレジスト
膜厚TRAを効率的に再現性良く得ることができ、
レジストパターン寸法CD精度良く制御できる。
の微妙な変化にかかわらず、目的とするレジスト
膜厚TRAを効率的に再現性良く得ることができ、
レジストパターン寸法CD精度良く制御できる。
第１図、第２図はこの発明の全体を示す図で、
第１図は塗布部の断面図、第２図はブロツク図、
第３図はこの発明の処理装置の本体構成図、第４
図はこの発明の動作を説明するためのフローチヤ
ート図、第５図は従来の塗布部の断面図、第６図
はレジスト膜厚と表面反射率、パターン寸法との
関係を示す図である。 図において、１はウエハ、３はレジスト、６は
光源、７は入射光、８は反射光、９はデイテクタ
ー、１１は反射率判断手段、１２は塗布回転数制
御手段、１４はウエハ搬出手段、１５は反射率検
出部、１７はマイクロコンピユーターである。な
お、図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
第１図は塗布部の断面図、第２図はブロツク図、
第３図はこの発明の処理装置の本体構成図、第４
図はこの発明の動作を説明するためのフローチヤ
ート図、第５図は従来の塗布部の断面図、第６図
はレジスト膜厚と表面反射率、パターン寸法との
関係を示す図である。 図において、１はウエハ、３はレジスト、６は
光源、７は入射光、８は反射光、９はデイテクタ
ー、１１は反射率判断手段、１２は塗布回転数制
御手段、１４はウエハ搬出手段、１５は反射率検
出部、１７はマイクロコンピユーターである。な
お、図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ レジスト塗布装置とプリベーク装置と膜厚制
御装置とをインラインで結んだレジスト塗布膜厚
制御装置において、 上記膜厚制御装置は、 ウエハ上に塗布されたレジストに光を入射し、
その反射光による反射率を信号に変換する反射率
検出、変換部と、 上記レジスト塗布装置の塗布回転数の置き換え
を判断する反射率判断手段と、上記置き換え塗布
回転数を上記レジスト塗布装置に送信する塗布回
転数制御手段とで構成されており、 上記反射率判断手段と上記塗布回転数制御手段
とは、 (a) ｎ番目のウエハレジスト膜の反射率信号が所
定の膜厚に対応したときはその塗布回転数を保
持するように、 (b) 所定の膜厚に対応した値と異なるときには所
定の膜厚値の反射率をはさんで存在する２点の
同一反射率値を識別するため、ｎ＋１番目のウ
エハで塗布回転数を上昇または下降させるよう
に、 (c) ｎ＋１番目のウエハレジスト膜の反射率信号
が所定の膜厚に対応したとはその塗布回転数を
保持するように、 (d) 所定の膜厚に対応した値と異なるときには、
上記ｎ番目およびｎ＋１番目の反射率信号から
ｎ＋２番目のウエハレジスト膜厚が所定の膜厚
値に対応する塗布回転数となるように、 上記レジスト塗布装置を制御することを特徴と
するレジスト塗布膜厚制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27832886A JPS63131517A (ja) | 1986-11-20 | 1986-11-20 | レジスト塗布膜厚制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27832886A JPS63131517A (ja) | 1986-11-20 | 1986-11-20 | レジスト塗布膜厚制御装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6206922A Division JP2613183B2 (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | レジスト膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63131517A JPS63131517A (ja) | 1988-06-03 |
| JPH0563010B2 true JPH0563010B2 (ja) | 1993-09-09 |
Family
ID=17595796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27832886A Granted JPS63131517A (ja) | 1986-11-20 | 1986-11-20 | レジスト塗布膜厚制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63131517A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0239520A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-02-08 | Tokyo Electron Ltd | レジスト膜厚の測定方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60257136A (ja) * | 1984-06-01 | 1985-12-18 | Hitachi Ltd | フオトレジストの膜厚測定装置 |
| JPS62235734A (ja) * | 1986-04-04 | 1987-10-15 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-11-20 JP JP27832886A patent/JPS63131517A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60257136A (ja) * | 1984-06-01 | 1985-12-18 | Hitachi Ltd | フオトレジストの膜厚測定装置 |
| JPS62235734A (ja) * | 1986-04-04 | 1987-10-15 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63131517A (ja) | 1988-06-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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