JPS59120909A - レジスト塗布膜厚測定方法 - Google Patents
レジスト塗布膜厚測定方法Info
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- JPS59120909A JPS59120909A JP22865682A JP22865682A JPS59120909A JP S59120909 A JPS59120909 A JP S59120909A JP 22865682 A JP22865682 A JP 22865682A JP 22865682 A JP22865682 A JP 22865682A JP S59120909 A JPS59120909 A JP S59120909A
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- Japan
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- light
- resist
- sample
- detector
- rotary table
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
- G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（Ｉン発明の技術分野
本発明はレジスト塗布１漠厚測定力法、詳しくは電子ビ
ームまたはＸ線用のレジスト塗布膜のｊ膜厚を測定する
方法に関し、以下番こレジストというときは、可視光用
のレジストではなくかかるレジストを指ず。
ームまたはＸ線用のレジスト塗布膜のｊ膜厚を測定する
方法に関し、以下番こレジストというときは、可視光用
のレジストではなくかかるレジストを指ず。
（２）技術の背景
例えばウェハのエツチングをなすときに、ウェハ全面上
にレジストを塗布しそれを乾燥させてレジスｌを形成し
、このレシス日史をパターニングして形成されたレジス
トのパターンをマスクにしてエツチングを行う。
にレジストを塗布しそれを乾燥させてレジスｌを形成し
、このレシス日史をパターニングして形成されたレジス
トのパターンをマスクにしてエツチングを行う。
レジストの塗布には第１図に概略断面図で示される回転
台を用いる。同図において、１は矢印の方向に回転可能
な回転台、２は試料（ウェハまたはマスク）、３は液状
のレジスト４を滴下するためのノズルを示す。
台を用いる。同図において、１は矢印の方向に回転可能
な回転台、２は試料（ウェハまたはマスク）、３は液状
のレジスト４を滴下するためのノズルを示す。
操作において、所定の量のレジスト４を試料２の上に〆
商工し、しかる後に回転台ｌを回転させると、試料２は
真空吸着によって回転台ｌに保持されζいるから回転台
と共に回転し、遠心力によっ°ζレジスト４は外方に拡
がって試料２の上に均等に塗布される。次いで、回転台
１の回転を止め、試料２を取り外して新しい試料を回転
台に載置し、上述した工程を繰り返す。
商工し、しかる後に回転台ｌを回転させると、試料２は
真空吸着によって回転台ｌに保持されζいるから回転台
と共に回転し、遠心力によっ°ζレジスト４は外方に拡
がって試料２の上に均等に塗布される。次いで、回転台
１の回転を止め、試料２を取り外して新しい試料を回転
台に載置し、上述した工程を繰り返す。
（３）従来技術と問題点
上記したレジスト膜の膜厚はすべての試料について一定
に保つことが要求されるが、従来膜厚の測定には次の方
法がとられ一ζいる。すなわち、それぞれのレジストに
ついて、膜ｊＶ、と回転台の回転数の関係を予め測定し
それをグラフに曲線で示しておき、この曲線から希望の
ＭＩ ＩＮに対する回転数を読み取り、その条件でレジ
ストを塗布する。
に保つことが要求されるが、従来膜厚の測定には次の方
法がとられ一ζいる。すなわち、それぞれのレジストに
ついて、膜ｊＶ、と回転台の回転数の関係を予め測定し
それをグラフに曲線で示しておき、この曲線から希望の
ＭＩ ＩＮに対する回転数を読み取り、その条件でレジ
ストを塗布する。
しかし、この方法によるときは、回転台の回転数の変動
等により膜厚の変化があったとしても、それを検知する
ことはできない。レジスト臭か塗布されζいろ過程にお
いて膜厚をリアルタイムでδ１り定することは一般に希
望されているにもかかわらず、そのための十分な方法は
未だ確定されていない状態にある。
等により膜厚の変化があったとしても、それを検知する
ことはできない。レジスト臭か塗布されζいろ過程にお
いて膜厚をリアルタイムでδ１り定することは一般に希
望されているにもかかわらず、そのための十分な方法は
未だ確定されていない状態にある。
（４）発明の目的
本発明は上記従来の問題に鑑み、回転台に吸着した試料
上にレジストを滴下し、回転台を高速回転させることに
よりレジスト薄膜を形成する方法においζ、レジストの
膜厚をリアルタイムで測定し、その結果に対応して回転
台の回転速度を制御する方法の提供を目的とする。
上にレジストを滴下し、回転台を高速回転させることに
よりレジスト薄膜を形成する方法においζ、レジストの
膜厚をリアルタイムで測定し、その結果に対応して回転
台の回転速度を制御する方法の提供を目的とする。
（５）発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、回転台に吸着保持し
た試料上に電子ビームまたはＸ線用のレジストを滴下し
、前記回転台を回転させている間に、前記試料のレジス
ト塗布表面に対し光を所定角度で入射さ−せ、その反射
光の位置を検出してレジスト塗布膜厚を測定し、かかる
測定の結果に応じて前記回転台の回転速度を制御するこ
とを特徴とするレジスト塗布膜厚測定方法を提供するこ
とによって達成される。
た試料上に電子ビームまたはＸ線用のレジストを滴下し
、前記回転台を回転させている間に、前記試料のレジス
ト塗布表面に対し光を所定角度で入射さ−せ、その反射
光の位置を検出してレジスト塗布膜厚を測定し、かかる
測定の結果に応じて前記回転台の回転速度を制御するこ
とを特徴とするレジスト塗布膜厚測定方法を提供するこ
とによって達成される。
（６）発明の実施例
以下本発明実施例を図面によって詳述する。
第２図に本発明の方法の原理が図示されている。なお第
２図以下において、既に図示した部分と同じ部分は同一
符号を付しζ示ず。矢印の方向に回転する試料２の上に
、それぞれａ、 ｂ、 ｃの厚さにレジスｔ−４ａ、
４ｂ、 ４ｃが塗布されているとき、レンズ７によって
細く絞った光源５からの入射光６を、試料２の塗布表面
に試料表面に対しαの角度（αは４５゛以下にすること
が好ましい）で入射させ、その反射光の（，７−置を検
出器９で検出する。
２図以下において、既に図示した部分と同じ部分は同一
符号を付しζ示ず。矢印の方向に回転する試料２の上に
、それぞれａ、 ｂ、 ｃの厚さにレジスｔ−４ａ、
４ｂ、 ４ｃが塗布されているとき、レンズ７によって
細く絞った光源５からの入射光６を、試料２の塗布表面
に試料表面に対しαの角度（αは４５゛以下にすること
が好ましい）で入射させ、その反射光の（，７−置を検
出器９で検出する。
レジスト４ａ、 ４ｂ、 ４ｃおよび試料表面（レジス
トの厚さはセロ）の表面からの反射光８ａ、 ８ｂ、
８ｃ、 ８゜の検出器９−Ｌ、の位ｊ５をそれぞれ”’
＋ｌ）’ ＋Ｃ′１０とするとｏａ’ 、 ｏｂ’
、 ｏｃ′の長さを読み取ることによってａ、 ｂ、
ｃの値を検出Ｊることが可能である。
トの厚さはセロ）の表面からの反射光８ａ、 ８ｂ、
８ｃ、 ８゜の検出器９−Ｌ、の位ｊ５をそれぞれ”’
＋ｌ）’ ＋Ｃ′１０とするとｏａ’ 、 ｏｂ’
、 ｏｃ′の長さを読み取ることによってａ、 ｂ、
ｃの値を検出Ｊることが可能である。
検出器９は例えば受光ダイオードを用いて反射光の位置
を検出し、それを信号として出力する構成とする。また
、角αを小に設定すると、前記したＯａ′＋ ｏｂ′、
ＱＣ’間のそれぞれの川内１１が拡大して表示され、
検出が容易になる。または図示しないミラー等を用いる
拡大手段によってＯと ａ′。
を検出し、それを信号として出力する構成とする。また
、角αを小に設定すると、前記したＯａ′＋ ｏｂ′、
ＱＣ’間のそれぞれの川内１１が拡大して表示され、
検出が容易になる。または図示しないミラー等を用いる
拡大手段によってＯと ａ′。
ｂ’ 、ｃ’それぞれの間の距離を人にすることも可能
である。いずれにしても、本発明の方法によると、レジ
スト塗布；膜厚の変化が検出器９の検出位置の変化に置
換され、その値が信号として出力される。
である。いずれにしても、本発明の方法によると、レジ
スト塗布；膜厚の変化が検出器９の検出位置の変化に置
換され、その値が信号として出力される。
第３図は上記の測定方法を実施するための回路構成図で
あり、同図を参照すると、１０は基準信号発生器であり
、１１は基準信号発生器１０からの基準信号と検出器９
からの反射光位置検出信号を比較する比較器で、比較の
結果得られるｆａ号をモーフ制御回路１２に送り、この
回路からの信号によって回転台１を回転するモータ１３
の回転速度が制御される。かかる回路を用いて、試料２
が回転している間にその上に塗布されるレジスト４の膜
ｊ７がリアルタイムで測定され、それＧこよって回転台
Ｉの回転が自動式に制御される。第３図の回路を構成す
る諸部品はすべて市販の部品から構成されうるので、本
発明の方法は特に問題な〈実施可能である。
あり、同図を参照すると、１０は基準信号発生器であり
、１１は基準信号発生器１０からの基準信号と検出器９
からの反射光位置検出信号を比較する比較器で、比較の
結果得られるｆａ号をモーフ制御回路１２に送り、この
回路からの信号によって回転台１を回転するモータ１３
の回転速度が制御される。かかる回路を用いて、試料２
が回転している間にその上に塗布されるレジスト４の膜
ｊ７がリアルタイムで測定され、それＧこよって回転台
Ｉの回転が自動式に制御される。第３図の回路を構成す
る諸部品はすべて市販の部品から構成されうるので、本
発明の方法は特に問題な〈実施可能である。
なお、光源５に可視光光源を用いると、電子ビーノ・お
よびＸ線用のレジストは入射光によってなんら変化する
ことなく、レジストに光を当てることの影響は全く発住
しない。また第３図の回路は本発明の方法を実施するた
めの１つの其体例であり、反射光の検出、その結果ｉＭ
られる信号の基準信号との比較、この比較の結果の回転
台のフィートバンクは、その他の手段によって実現可能
である。
よびＸ線用のレジストは入射光によってなんら変化する
ことなく、レジストに光を当てることの影響は全く発住
しない。また第３図の回路は本発明の方法を実施するた
めの１つの其体例であり、反射光の検出、その結果ｉＭ
られる信号の基準信号との比較、この比較の結果の回転
台のフィートバンクは、その他の手段によって実現可能
である。
（７）発明の効果
以上詳細に説明したように、本発明の方法によれば、回
転する試料土に塗布されるレジストの膜厚がリアルタイ
Ｊ・で正ｆｉｌｌに測定しうるので、製造される半導体
装置の信頼性向上に効果大である。
転する試料土に塗布されるレジストの膜厚がリアルタイ
Ｊ・で正ｆｉｌｌに測定しうるので、製造される半導体
装置の信頼性向上に効果大である。
第１図はレジスト塗布に用いる従来の回転台の概略断面
図、第２図は本発明の方法の原理を説明するための図、
第３図は本発明の方法を実施するに用いる回路の回路構
成図である。 ■−回転台、２−試料、イー レジスト、５−光源、６
−入射光、７−レンス、
図、第２図は本発明の方法の原理を説明するための図、
第３図は本発明の方法を実施するに用いる回路の回路構
成図である。 ■−回転台、２−試料、イー レジスト、５−光源、６
−入射光、７−レンス、
Claims (1)
- 回転台に吸着保持した試料上に電子ビームまたはＸ線用
のレジストを滴下し、前記回転台を回転させている間に
、前記試料のレジスト塗布表面に対し光を所定角度で入
射させ、その反射光の位置を検出してレジスト塗布膜厚
を測定し、かかる測定の結果に応じて前記回転台の回ｄ
伝達度を制御することを特徴とするレジスト塗布膜厚・
測定力法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22865682A JPS59120909A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | レジスト塗布膜厚測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22865682A JPS59120909A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | レジスト塗布膜厚測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59120909A true JPS59120909A (ja) | 1984-07-12 |
Family
ID=16879747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22865682A Pending JPS59120909A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | レジスト塗布膜厚測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59120909A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61218902A (ja) * | 1985-03-26 | 1986-09-29 | Toshiba Corp | 位置測定方法 |
| JPH0215439A (ja) * | 1988-07-04 | 1990-01-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ディスク原盤用レジスト塗布装置 |
| US5289265A (en) * | 1991-04-11 | 1994-02-22 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method and apparatus for measuring a coating state |
| WO2006027568A1 (en) * | 2004-09-07 | 2006-03-16 | Scalar Technologies Ltd | Method and apparatus for thin film metrology |
-
1982
- 1982-12-28 JP JP22865682A patent/JPS59120909A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61218902A (ja) * | 1985-03-26 | 1986-09-29 | Toshiba Corp | 位置測定方法 |
| JPH0215439A (ja) * | 1988-07-04 | 1990-01-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ディスク原盤用レジスト塗布装置 |
| US5289265A (en) * | 1991-04-11 | 1994-02-22 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method and apparatus for measuring a coating state |
| WO2006027568A1 (en) * | 2004-09-07 | 2006-03-16 | Scalar Technologies Ltd | Method and apparatus for thin film metrology |
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