JPS6372872A - 真空蒸着装置 - Google Patents

真空蒸着装置

Info

Publication number
JPS6372872A
JPS6372872A JP21715786A JP21715786A JPS6372872A JP S6372872 A JPS6372872 A JP S6372872A JP 21715786 A JP21715786 A JP 21715786A JP 21715786 A JP21715786 A JP 21715786A JP S6372872 A JPS6372872 A JP S6372872A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
monitor
crystal
crystal resonator
temperature
vapor deposition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP21715786A
Other languages
English (en)
Inventor
Masanao Yamamoto
昌直 山本
Shigenori Inoue
井上 栄典
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Hitachi Consumer Electronics Co Ltd
Japan Display Inc
Original Assignee
Hitachi Device Engineering Co Ltd
Hitachi Ltd
Hitachi Consumer Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Device Engineering Co Ltd, Hitachi Ltd, Hitachi Consumer Electronics Co Ltd filed Critical Hitachi Device Engineering Co Ltd
Priority to JP21715786A priority Critical patent/JPS6372872A/ja
Publication of JPS6372872A publication Critical patent/JPS6372872A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野〕 本発明は、蒸着量を水晶振動子よりなる蒸着量モニタに
より検出、制御するようにした自動真空蒸着装置におい
て、蒸着対象基板や其の付近の温度が高くなるにもかか
わらず、水晶振動子モニタの温度を所定値に保持し、N
着量の制御精度を向上させた真空蒸着装置に関する。
〔従来の技術〕
従来の技術たとえば特公昭5545549号公報に示さ
れた技術では、薄着物質蒸発口の制御および蒸着対象基
板へ蒸着量の制御の夫々を1個の水晶振動子モニタで行
い、この水晶振動子モニタが回転円板の回転と対応して
、各蒸発源からの蒸発量、被着量を時系列的に演算処理
して検出し制御していた。しかし、従来の蒸着作業では
、蒸着材料の蒸発温度も低く、蒸着対象基板の加熱も行
っていなかったので、水晶振動子モニタの温度上郊の影
響については考慮していなかった。
第2vlJは従来の水晶振動子モニタの断面を示し、モ
ニタ・ホルダ3に絶縁リング4が入れられ、そこに水晶
板2がはめられ、その上に接触板6がには表裏面で互い
に絶縁された金電極9が形成されており、その一方がモ
ニタ・ホルダ3に、他方が接触板6に接触し、水晶の厚
み振動を検出している。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明は、上記従来の技術で考慮していなかった水晶振
動子モニタの温度上昇の影口(固有周波数の変動)を被
らないようにした真空蒸着装置を提供することを目的と
する。
(問題点を解決するための手段) 上記問題点を解決するために本発明においては、水晶振
動子モニタの周辺部をベルチェ素子で囲んで所定温度に
保持するようにした。
〔作用〕
水晶振動子モニタは蒸発量、即ち水晶振動子に材料が蒸
着した量によりその固有共振周波数が低下することを利
用して蒸着量の検出、制御を行っている。水晶振動子は
其の歴史も古く、通信その他の常温に近い環境での用途
に対しては実用的に固有共振周波数が殆ど温度変化の影
響を受けないような方向にカントしたものも開発されて
いるが、本発明の対象とする蒸着装置の場合には、蒸着
物質蒸発源からの放射による加熱、また適当な蒸着膜を
得るために必要な蒸着対象基板自体の加熱などで、水晶
振動子の固有周波数の温度変動は避けられない、この蒸
着装置に用いた水晶振動子(ATカット、25℃での固
有周波数6.OOOMHz)の固有周波数の温度変動を
第4図(横軸は面板即ちモニタ温度、縦軸は周波数変動
)に示す0図中、・は何も付着していない場合の変動を
示し、温度上昇と共に上昇している。△は蒸着膜測定時
のもので何も付着していない場合よりも固有周波数は士
ないし数十H2低下している0本発明により水晶振動子
の温度を所定値に保持すれば、このような変動を避ける
ことができ、その結果、蒸着膜厚を正確に制御すること
が出来るようになる。
〔実施例〕
既述の如〈従来の水晶振動子モニタでは第4図に示すよ
うに温度(但し水晶板の温度を直接測定しておらず、モ
ニタ・ホルダと同一円周上に置かれた面板の温度)が上
昇するにつれ水晶振動子の固有周波数が増大する。一方
、蒸着物が被着すると水晶振動子の固有周波数は減少す
るため、温度が上昇している途中、または温度の高い蒸
発源の上を通過すると実際の被着量よりも少なく測定さ
れる。
第1図は本発明−実施例の要部断面を示し、1はベルチ
ェ素子で、その他の符号は第2図の場合と同様である。
このように水晶振動子モニタをベルチェ素子1で囲むこ
とにより、水晶振動子の温度上昇を防ぎ所定の温度に保
持することができるため、温度変動の影響を排除するこ
とが出来る。
但しベルチェ素子は電流で冷却するため、当然温度セン
サを水晶板に接触させ、前記電流の量を関節させるよう
にすることは言うまでもない。
またベルチェ素子は熱交換素子であり、モニタ・ホルダ
に接している部分は冷却されるが、外側は温度が高くな
るため、蒸着対象基板側へ放熱することにより基板加熱
の熱源の一部とすることができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、水晶振動子モニタ
の出力が正確になるため、予め定められた蒸着量を高い
精度で検出できるようになり、蒸着膜を被着させた製品
の特性の均一性が非常に改善される。
【図面の簡単な説明】
晶板の略図、第4図は温度上昇に伴う水晶振動子固有周
波数の変動例を示す図である。 1−・−ベルチェ素子、 2・・・水晶板、 3・・−
モニタ・ホルダ、 4・・・絶縁リング、 5・−信号
出力リード線、 6−接触板、 7−・・ばね状リード
線第  1  図 第  2  図 /−べ°ルチェキペテ 2− ツ1〈らやFg) 3−モー9ボルり゛ 第  3  図 (cL)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、真空容器内に配置された、円周部に蒸着対象基板を
    保持して回転する円板と、この回転円板の円周部に対向
    して固定配置された複数個の蒸着物質蒸発源と、上記回
    転円板円周の蒸着対象基板保持位置またはそれと所定の
    関係位置に配置された水晶振動子よりなる蒸着量モニタ
    を備え、蒸着作業時には回転円板を回転させて各蒸発源
    からの蒸発物を循環的に蒸着対象基板に積層して蒸着さ
    せる真空蒸着装置において、上記水晶振動子よりなるモ
    ニタの温度をペルチエ素子により所定の一定温度に保持
    するようにしたことを特徴とする真空蒸着装置。
JP21715786A 1986-09-17 1986-09-17 真空蒸着装置 Pending JPS6372872A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21715786A JPS6372872A (ja) 1986-09-17 1986-09-17 真空蒸着装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21715786A JPS6372872A (ja) 1986-09-17 1986-09-17 真空蒸着装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6372872A true JPS6372872A (ja) 1988-04-02

Family

ID=16699745

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP21715786A Pending JPS6372872A (ja) 1986-09-17 1986-09-17 真空蒸着装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6372872A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03243766A (ja) * 1990-02-22 1991-10-30 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 薄膜形成装置用の膜厚制御装置
JP2005325391A (ja) * 2004-05-13 2005-11-24 Ulvac Japan Ltd 有機薄膜の成膜装置
CN111621764A (zh) * 2020-05-25 2020-09-04 华中科技大学 一种石英晶振膜厚仪及其镀膜控制方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03243766A (ja) * 1990-02-22 1991-10-30 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 薄膜形成装置用の膜厚制御装置
JP2657565B2 (ja) * 1990-02-22 1997-09-24 日本電波工業株式会社 薄膜形成装置用の膜厚制御装置
JP2005325391A (ja) * 2004-05-13 2005-11-24 Ulvac Japan Ltd 有機薄膜の成膜装置
JP4490160B2 (ja) * 2004-05-13 2010-06-23 株式会社アルバック 有機薄膜の成膜装置
CN111621764A (zh) * 2020-05-25 2020-09-04 华中科技大学 一种石英晶振膜厚仪及其镀膜控制方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4543576A (en) System for measuring electrical resistance and temperature during manufacture of thin, conductive films deposited on substrates by means of evaporation or sputter deposition
US4748367A (en) Contact heater for piezoelectric effect resonator crystal
JPH0810231B2 (ja) フローセンサ
US7275436B2 (en) Method and apparatus for measuring film thickness and film thickness growth
US4805296A (en) Method of manufacturing platinum resistance thermometer
US2586752A (en) Alloy resistance element and method for manufacturing same
US3383238A (en) Method and apparatus of controlling thin film deposition in a vacuum
US4579639A (en) Method of sensing the amount of a thin film deposited during an ion plating process
US6481369B1 (en) Thin film forming method and apparatus
JPS6372872A (ja) 真空蒸着装置
JPH0734248A (ja) 水晶式膜厚計
CN209418465U (zh) 精准测量温度的层结构元件和半导体器件加工设备
JP2860144B2 (ja) 板状体の温度測定装置
US20040206182A1 (en) Method and apparatus for measuring film thickness and film thickness growth
JPS63216283A (ja) 加熱装置
JPH0722482A (ja) 膜厚測定装置およびそれを用いた薄膜形成装置
JP3042786B2 (ja) 真空内被処理物の温度測定方法並びに温度制御方法及び装置
JPS6130028B2 (ja)
US3505632A (en) Indirectly heated thermistor
US3740690A (en) Electro-optical detector
JPS61239127A (ja) 熱流束センサ
JPS6319320Y2 (ja)
JPS59223293A (ja) 分子線エピタキシヤル成長装置
SU278162A1 (ru) УСТРОЙСТВО дл ИЗМЕРЕНИЯ СКОРОСТИ ИСПАРЕНИЯ
JPS58204173A (ja) 蒸着装置および蒸着方法