CN111621764A - 一种石英晶振膜厚仪及其镀膜控制方法 - Google Patents

一种石英晶振膜厚仪及其镀膜控制方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111621764A
CN111621764A CN202010452084.8A CN202010452084A CN111621764A CN 111621764 A CN111621764 A CN 111621764A CN 202010452084 A CN202010452084 A CN 202010452084A CN 111621764 A CN111621764 A CN 111621764A
Authority
CN
China
Prior art keywords
temperature
probe
coating
semiconductor unit
film thickness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010452084.8A
Other languages
English (en)
Inventor
游龙
赵家乐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Huazhong University of Science and Technology
Original Assignee
Huazhong University of Science and Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Huazhong University of Science and Technology filed Critical Huazhong University of Science and Technology
Priority to CN202010452084.8A priority Critical patent/CN111621764A/zh
Publication of CN111621764A publication Critical patent/CN111621764A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
    • C23C14/545—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material
    • C23C14/546—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material using crystal oscillators
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Length Measuring Devices Characterised By Use Of Acoustic Means (AREA)

Abstract

本发明公开了一种石英晶振膜厚仪及其镀膜控制方法，包括：探头、恒温模块、膜厚控制仪，蒸发源、挡板和真空罩；其中，恒温模块用于在镀膜开始前，对半导体单元通人电流，使半导体单元释放热量，对探头进行加热；在镀膜过程中，基于实时测量的探头温度，通过控制半导体单元中的电流大小和方向，使半导体单元加热或制冷，使得在镀膜过程中，探头的温度几乎不发生变化，避免了环境温度对振荡频率稳定性的影响，大大提高了膜厚控制仪实时测量的探头振动频率的稳定性，镀膜到指定厚度时，镀膜精度较高。

Description

一种石英晶振膜厚仪及其镀膜控制方法
技术领域
本发明属于新型膜厚检测技术领域，更具体地，涉及一种石英晶振膜厚仪及其镀膜控制方法。
背景技术
一些晶体材料，如石英等，在挤压之后就会像电池一样产生电流，俗称压电性相反，如果将一个电池接到压电晶体上，晶体就会压缩或伸展，如果将电流连续不断地快速开关，晶体就会振动。1950年德国科学家GEORGE SAUERBREY研究发现，如果在晶体的表面上镀一层薄膜，则晶体的振动就会减弱，而且还发现这种振动或频率的减少，是由薄膜的厚度和密度决定的，利用非常精密的电子设备，每秒钟可以多次测试振动，从而实现对晶体镀膜厚度和邻近基体薄膜厚度的实时测量与监控。石英晶振膜厚仪通过测量石英晶体的振动频率或与频率有关的参量的变化来监控淀积薄膜的厚度，可以同时控制膜层厚度和成膜速率，它的输出为电信号，因此很容易用来做制程的自动控制，此外它的设备简单，成本低，控制精度高，可以控制任意厚度的薄膜，设备维护方便，具有许多优点，故研究一种石英晶振膜厚仪及其镀膜控制方法具有重要的意义。
现有的石英晶振膜厚仪在镀膜过程中，会产生无法消除的热源，特别是蒸发源的辐射热和蒸汽在晶体上凝聚时释放的热量，而环境温度会大大影响石英晶振的振荡频率的稳定性，故频率测量的稳定性较低，且当需要镀膜到指定厚度时，镀膜精度也较低。
发明内容
针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本发明提供一种石英晶振膜厚仪及其镀膜控制方法，用以解决现有技术由于在蒸镀薄膜的过程中会产生无法消除的热源而导致当需要镀膜到指定厚度时，镀膜精度较低的问题。
为了实现上述目的，一方面，本发明提出了一种石英晶振膜厚仪，包括：探头、恒温模块、膜厚控制仪，蒸发源、挡板和真空罩；
其中，恒温模块包括半导体单元，半导体单元放置在探头的上表面，膜厚控制仪的一端与探头接口相连，另一端与挡板相连；探头、恒温模块中的半导体单元、蒸发源和挡板放置在真空罩内部，其中，蒸发源置于真空罩的底部；
探头包括石英晶振片和待镀膜基片，用于基于石英晶振片的振动对待镀膜基片进行镀膜，并将振动频率反馈给膜厚控制仪；
恒温模块用于在镀膜开始前，对半导体单元通入电流，使半导体单元释放热量，对探头进行加热；在镀膜过程中，基于实时测量的探头温度，通过控制半导体单元中的电流大小和方向，使半导体单元加热或制冷，进而使探头的温度保持恒定；
蒸发源用于蒸发镀膜材料；
膜厚控制仪用于在镀膜开始前，当探头温度达到预设温度时，驱动探头发生振动，并控制挡板闭合，使镀膜材料蒸发到探头的待镀膜基片上；在镀膜过程中，通过实时测量探头的振动频率，来控制探头中待镀膜基片的镀膜厚度；且当待镀膜基片的镀膜厚度达到预设厚度时，控制挡板打开，遮挡蒸发源所蒸发的镀膜材料，镀膜结束；其中，所述预设温度高于镀膜开始前的环境温度；
真空罩用于提供真空的镀膜环境。
进一步优选地，恒温模块还包括温度测量单元、温度控制单元和可控电流源；其中，温度控制单元、可控电流源与半导体单元串连形成回路；温度测量单元的一端与探头接口相连，另一端与温度控制单元相连；温度测量单元放置在真空罩内部；
温度控制单元用于将温度测量单元实时测量的探头温度与预设温度进行比较，控制可控电流源输出的电流大小和方向；
可控电流源用于将电流输入到半导体单元上，使半导体单元加热或制冷。
进一步优选地，温度测量单元为热敏电阻。
进一步优选地，上述恒温模块包括1组或多组半导体单元，每组半导体单元包括两个功函数不同的半导体，两个半导体接触放置。
第二方面，本发明提出了一种基于本发明第一方面所提出的石英晶振膜厚仪的镀膜控制方法，包括以下步骤：
S1、在镀膜开始前，对半导体单元通人电流，使半导体单元释放热量，对探头进行加热，当探头温度达到预设温度时，驱动探头发生振动，闭合挡板，将镀膜材料蒸发到探头的待镀膜基片上，开始镀膜；其中，预设温度高于镀膜开始前的环境温度；
S2、在镀膜过程中，通过实时测量探头的振动频率，来控制探头中待镀膜基片的镀膜厚度；与此同时，基于实时测量的探头温度，通过控制半导体单元中的电流大小和方向，使半导体单元加热或制冷，进而使探头的温度保持恒定；
S3、当探头中待镀膜基片的镀膜厚度达到预设厚度时，将挡板打开，遮挡蒸发源所蒸发的镀膜材料，镀膜结束。
进一步优选地，镀膜过程中，当探头温度从低于预设温度变为高于预设温度时，将半导体单元中的输入电流的方向变为相反方向，使半导体单元制冷，降低探头温度；当探头温度从高于预设温度变为低于预设温度时，将半导体单元中的输入电流的方向再次变为相反方向，使半导体单元加热，升高探头温度；
重复上述过程，直至探头温度与预设温度之差的绝对值小于预设温度阈值，此时，减小半导体单元中通人电流的大小，使半导体单元加热或制冷功率减小。
进一步优选地，上述预设温度由石英晶振片的振动频率随温度变化的灵敏度和温度测量单元随温度的变化的灵敏度确定。
总体而言，通过本发明所构思的以上技术方案，能够取得以下有益效果：
1、本发明提出了一种石英晶振膜厚仪，引入恒温模块，在镀膜开始前，恒温模块就先对半导体单元加热，使其达到恒温点，之后再开始镀膜，且在镀膜过程中，基于半导体的珀尔帖效应，根据实时测量的探头温度，来控制半导体单元中的电流大小和方向，对半导体单元加热或制冷，使得在镀膜过程中，探头的温度几乎不发生变化，大大减小了环境温度对振荡频率的稳定性的影响，进而提高膜厚控制仪实时测量所得的探头振动频率的稳定性，镀膜到指定厚度时，镀膜精度较高。
2、在本发明所提出的石英晶振膜厚仪中，恒温模块包括温度测量单元，温度控制单元与可控电流源，可以实时监控探头中石英晶振片的温度，并且随时改变半导体单元中电流的大小和方向，改变对半导体单元的加热与制冷以及工作功率，该恒温模块结构简单，成本较低。
3、本发明提出了一种石英晶振膜厚仪镀膜控制方法，在镀膜开始前，就先对半导体单元加热，使探头达到恒温点，之后再开始镀膜，在镀膜过程中，通过控制半导体单元中的电流大小和方向，使半导体单元加热或制冷，从而使探头在整个镀膜过程中的温度几乎不发生变化，减小了环境温度对探头振动频率测量的影响，镀膜厚度测量精度较高，并且镀膜控制过程更加智能。
4、本发明所提出的石英晶振膜厚仪镀膜控制方法，根据所使用的石英晶振片的振动频率和温度测量单元随温度变化的灵敏度来设定不同的恒温点，在恒温点处，当温度变化时，石英晶振片的振动频率变化小而温度测量单元反应灵敏，因此可以达到控温迅速而对频率的影响又很小的效果，大大提高了镀膜精度。
附图说明
图1为本发明实施例1提供的一种石英晶振膜厚仪结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。此外，下面所描述的本发明各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。
实施例1、
一种石英晶振膜厚仪，如图1所示，包括：探头1、恒温模块2、膜厚控制仪3，蒸发源4、挡板5和真空罩6；
其中，恒温模块2包括半导体单元21，半导体单元21放置在探头1的上表面，膜厚控制仪3的一端与探头1的接口相连，另一端与挡板5相连；探头1、恒温模块2中的半导体单元21、蒸发源4和挡板5放置在真空罩6内部，其中，蒸发源4置于真空罩6的底部；其中，恒温模块包括1组或多组半导体单元，每组半导体单元包括两个功函数不同的半导体，两个半导体接触放置，当有电流通过这两种不同的半导体接触处时，接触处会产生或者吸收热量，本实施例中，半导体单元为1组。
探头1包括石英晶振片11和待镀膜基片12，用于基于石英晶振片11的振动对待镀膜基片12进行镀膜，并将振动频率反馈给膜厚控制仪3；
恒温模块2用于在镀膜开始前，对半导体单元21通入电流，使半导体单元21释放热量，对探头1进行加热；在镀膜过程中，基于实时测量的探头温度，通过控制半导体单元21中的电流大小和方向，使半导体单元21·加热或制冷，进而使探头1的温度保持恒定；具体的，恒温模块2还包括温度测量单元22、温度控制单元23和可控电流源24；其中，温度控制单元23、可控电流源24与半导体单元21串连形成回路；温度测量单元22的一端与探头1的接口相连，另一端与温度控制单元23相连；温度测量单元22放置在真空罩6的内部；温度控制单元23用于将温度测量单元22实时测量的探头温度与预设温度进行比较，控制可控电流源24输出的电流大小和方向；可控电流源24用于将电流输入到半导体单元21上，使半导体单元21加热或制冷。具体的，本实施例中，温度测量单元22为热敏电阻。
蒸发源4用于蒸发镀膜材料；
膜厚控制仪3用于在镀膜开始前，当探头温度达到预设温度时，驱动探头1发生振动，并控制挡板5闭合，使镀膜材料蒸发到探头1的待镀膜基片12上；在镀膜过程中，通过实时测量探头1的振动频率，来控制探头1中待镀膜基片12的镀膜厚度；且当待镀膜基片12的镀膜厚度达到预设厚度时，控制挡板5打开，遮挡蒸发源4所蒸发的镀膜材料，镀膜结束；其中，所述预设温度高于镀膜开始前的环境温度；
真空罩6用于提供真空的镀膜环境。
实施例2、
一种基于实施例1中石英晶振膜厚仪的镀膜控制方法，包括以下步骤：
S1、在镀膜开始前，可控电流源24对半导体单元通人电流，使半导体单元21释放热量，对探头1进行加热，当探头温度达到预设温度时，驱动探头1发生振动，闭合挡板5，蒸发源4将镀膜材料蒸发到探头1的待镀膜基片12上，开始镀膜；其中，预设温度高于镀膜开始前的环境温度；
S2、在镀膜过程中，膜厚控制仪3实时测量探头的振动频率，控制探头中待镀膜基片的镀膜厚度；与此同时，温度测量单元22将实时测量的探头温度传递至温度控制单元23，温度控制单元23将实时测量的探头温度与预设温度进行比较，控制可控电流源24输入半导体单元的电流大小和方向，使半导体单元加热或制冷，进而使探头的温度保持恒定；
具体的，镀膜过程中，温度测量单元22实时测量探头温度，并将温度信息迅速传递给温度控制单元23。当探头温度从低于预设温度变为高于预设温度时，温度控制单元23改变可控电流源24输出电流的方向，使半导体单元制冷，降低探头温度；当探头温度从高于预设温度变为低于预设温度时，温度控制单元23再次改变可控电流源24输出电流的方向，使半导体单元加热，升高探头温度；重复上述过程，直至探头温度与预设温度之差的绝对值小于预设温度阈值，此时，减小半导体单元中通入电流的大小，使半导体单元加热或制冷功率减小，从而使得在预设温度附近，温度变化缓慢，在镀膜过程中，探头温度稳定在预设温度附近很小的一个范围内，探头的温度几乎不发生变化，大大减小了环境温度对振荡频率的稳定性的影响，进而使得膜厚控制仪3实时测量所得的探头振动频率的误差较低。由于待镀膜基片12所镀膜的厚度越大，探头的振动频率越低，故可以通过测量探头的振动频率来实时测量镀膜厚度，振动频率测量的越精确，所镀膜的厚度也越精确。本实施例中，预设温度阈值为1摄氏度。
S3、当探头的振动频率达到预设频率时，将挡板打开，遮挡蒸发源所蒸发的镀膜材料，镀膜结束。具体的，上述预设频率与待镀膜的厚度一一对应，当探头的振动频率达到预设频率，所镀膜的厚度达到指定厚度。
进一步地，上述预设温度由石英晶振片的振动频率随温度变化的灵敏度和温度测量单元随温度的变化的灵敏度确定，在本实施例中，温度测量单元为热敏电阻，上述预设温度由石英晶振片的振动频率随温度的变化曲线和热敏电阻的阻值随温度的变化曲线综合确定，将预设温度控制在石英晶振片的振动频率随温度变化较小，即df/dT较小，且热敏电阻的阻值随温度的变化较大，即dR/dT较大的区域；其中，f为石英晶振片的振动频率，T为探头的温度，R为热敏电阻的阻值。在该预设温度下，石英晶振片的振动频率随温度变化的灵敏度较低，温度测量单元随温度的变化的灵敏度较高，以保证当温度变化时，晶振片的频率变化小而温度测量单元(热敏电阻)反应灵敏，从而减小温度对频率测量的影响，并且当外界温度发生变化时，温度测量单元能够迅速反应，调整可控电流源，调整半导体单元的加热或致冷，从而减小振动频率的测量误差，提高镀膜精度；进一步地，不同型号的石英晶振片与热敏电阻的上述区域对应的温度不同，可根据膜厚仪使用的石英晶振片和热敏电阻设定合适的预设温度。
本领域的技术人员容易理解，以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种石英晶振膜厚仪，其特征在于，包括：探头、恒温模块、膜厚控制仪，蒸发源、挡板和真空罩；
所述恒温模块包括半导体单元，半导体单元放置在所述探头的上表面，所述膜厚控制仪的一端与探头接口相连，另一端与所述挡板相连；所述探头、半导体单元、蒸发源和挡板放置在所述真空罩内部，其中，所述蒸发源置于所述真空罩的底部；
所述探头包括石英晶振片和待镀膜基片，用于基于石英晶振片的振动对待镀膜基片进行镀膜，并将振动频率反馈给所述膜厚控制仪；
所述恒温模块用于在镀膜开始前，对半导体单元通入电流，使半导体单元释放热量，对探头进行加热；在镀膜过程中，基于实时测量的探头温度，通过控制半导体单元中的电流大小和方向，使半导体单元加热或制冷，进而使探头的温度保持恒定；
所述蒸发源用于蒸发镀膜材料；
所述膜厚控制仪用于在镀膜开始前，当探头温度达到预设温度时，驱动探头发生振动，并控制挡板闭合，使镀膜材料蒸发到探头的待镀膜基片上；在镀膜过程中，通过实时测量探头的振动频率，来控制探头中待镀膜基片的镀膜厚度；且当待镀膜基片的镀膜厚度达到预设厚度时，控制挡板打开，遮挡蒸发源所蒸发的镀膜材料，镀膜结束；其中，所述预设温度高于镀膜开始前的环境温度；
所述真空罩用于提供真空的镀膜环境。
2.根据权利要求1所述的石英晶振膜厚仪，其特征在于，所述恒温模块还包括温度测量单元、温度控制单元和可控电流源；
所述温度控制单元、可控电流源与半导体单元串连形成回路；温度测量单元的一端与探头接口相连，另一端与温度控制单元相连；温度测量单元放置在真空罩内部；
所述温度控制单元用于将所述温度测量单元实时测量的探头温度与预设温度进行比较，控制所述可控电流源输出的电流大小和方向；
所述可控电流源用于将电流输入到半导体单元上，使半导体单元加热或制冷。
3.根据权利要求2所述的石英晶振膜厚仪，其特征在于，所述温度测量单元为热敏电阻。
4.根据权利要求1-3任意一项所述的石英晶振膜厚仪，其特征在于，所述恒温模块包括1组或多组半导体单元，每组半导体单元包括两个功函数不同的半导体，两个半导体接触放置。
5.一种基于权利要求1-4任意一项所述的石英晶振膜厚仪的镀膜控制方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、在镀膜开始前，对半导体单元通人电流，使半导体单元释放热量，对探头进行加热，当探头温度达到预设温度时，驱动探头发生振动，闭合挡板，将镀膜材料蒸发到探头的待镀膜基片上，开始镀膜；其中，预设温度高于镀膜开始前的环境温度；
S2、在镀膜过程中，通过实时测量探头的振动频率，来控制探头中待镀膜基片的镀膜厚度；与此同时，基于实时测量的探头温度，通过控制半导体单元中的电流大小和方向，使半导体单元加热或制冷，进而使探头的温度保持恒定；
S3、当探头中待镀膜基片的镀膜厚度达到预设厚度时，将挡板打开，遮挡蒸发源所蒸发的镀膜材料，镀膜结束。
6.根据权利要求5所述的石英晶振膜厚仪的镀膜控制方法，其特征在于，镀膜过程中，当探头温度从低于预设温度变为高于预设温度时，将半导体单元中的输入电流的方向变为相反方向，使半导体单元制冷，降低探头温度；当探头温度从高于预设温度变为低于预设温度时，将半导体单元中的输入电流的方向再次变为相反方向，使半导体单元加热，升高探头温度；
重复上述过程，直至探头温度与预设温度之差的绝对值小于预设温度阈值，此时，减小半导体单元中通人电流的大小，使半导体单元加热或制冷功率减小。
7.根据权利要求5或6所述的石英晶振膜厚仪的镀膜控制方法，其特征在于，所述预设温度由石英晶振片的振动频率随温度变化的灵敏度和温度测量单元随温度的变化的灵敏度确定。
CN202010452084.8A 2020-05-25 2020-05-25 一种石英晶振膜厚仪及其镀膜控制方法 Pending CN111621764A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010452084.8A CN111621764A (zh) 2020-05-25 2020-05-25 一种石英晶振膜厚仪及其镀膜控制方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010452084.8A CN111621764A (zh) 2020-05-25 2020-05-25 一种石英晶振膜厚仪及其镀膜控制方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111621764A true CN111621764A (zh) 2020-09-04

Family

ID=72258151

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010452084.8A Pending CN111621764A (zh) 2020-05-25 2020-05-25 一种石英晶振膜厚仪及其镀膜控制方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111621764A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112647125A (zh) * 2020-11-25 2021-04-13 西安交通大学 一种用于超高真空的宽温区膜厚监测装置及监测方法
CN113106409A (zh) * 2021-04-20 2021-07-13 湖北华鑫光电有限公司 一种膜厚控制装置及其镀膜方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6372872A (ja) * 1986-09-17 1988-04-02 Hitachi Ltd 真空蒸着装置
US20090000552A1 (en) * 2007-06-29 2009-01-01 Hiroshi Sohda Substrate holder and vacuum film deposition apparatus
JP4490160B2 (ja) * 2004-05-13 2010-06-23 株式会社アルバック 有機薄膜の成膜装置
CN103469172A (zh) * 2013-08-31 2013-12-25 上海膜林科技有限公司 石英晶体镀膜厚度控制方法及石英晶体镀膜装置
CN103710666A (zh) * 2012-09-28 2014-04-09 株式会社日立高新技术 水晶振荡式膜厚监视器用传感器头
US9121754B2 (en) * 2011-07-28 2015-09-01 Sensanna Incorporated Surface acoustic wave monitor for deposition and analysis of ultra-thin films
CN106647857A (zh) * 2016-12-07 2017-05-10 深圳市共进电子股份有限公司 一种恒温控制系统及恒温控制方法
CN107819463A (zh) * 2016-09-13 2018-03-20 北京同方微电子有限公司 一种基于半导体制冷片的恒温晶体振荡器

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6372872A (ja) * 1986-09-17 1988-04-02 Hitachi Ltd 真空蒸着装置
JP4490160B2 (ja) * 2004-05-13 2010-06-23 株式会社アルバック 有機薄膜の成膜装置
US20090000552A1 (en) * 2007-06-29 2009-01-01 Hiroshi Sohda Substrate holder and vacuum film deposition apparatus
US9121754B2 (en) * 2011-07-28 2015-09-01 Sensanna Incorporated Surface acoustic wave monitor for deposition and analysis of ultra-thin films
CN103710666A (zh) * 2012-09-28 2014-04-09 株式会社日立高新技术 水晶振荡式膜厚监视器用传感器头
CN103469172A (zh) * 2013-08-31 2013-12-25 上海膜林科技有限公司 石英晶体镀膜厚度控制方法及石英晶体镀膜装置
CN107819463A (zh) * 2016-09-13 2018-03-20 北京同方微电子有限公司 一种基于半导体制冷片的恒温晶体振荡器
CN106647857A (zh) * 2016-12-07 2017-05-10 深圳市共进电子股份有限公司 一种恒温控制系统及恒温控制方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112647125A (zh) * 2020-11-25 2021-04-13 西安交通大学 一种用于超高真空的宽温区膜厚监测装置及监测方法
CN113106409A (zh) * 2021-04-20 2021-07-13 湖北华鑫光电有限公司 一种膜厚控制装置及其镀膜方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103469172B (zh) 石英晶体镀膜厚度控制方法及石英晶体镀膜装置
CN111621764A (zh) 一种石英晶振膜厚仪及其镀膜控制方法
JP6078694B2 (ja) 成膜装置、有機膜の膜厚測定方法および有機膜用膜厚センサ
US7871667B2 (en) Method of operating vacuum deposition apparatus and vacuum deposition apparatus
JP2004091858A (ja) 真空蒸着装置及び方法並びに蒸着膜応用製品の製造方法
KR20170028980A (ko) 막후 모니터 및 막후 측정 방법
CN111829428B (zh) 一种双石英晶振膜厚控制仪及误差校正方法
US4579639A (en) Method of sensing the amount of a thin film deposited during an ion plating process
US20190362991A1 (en) Virtual sensor for spatially resolved wafer temperature control
WO2020110796A1 (ja) 熱伝導率推定方法、熱伝導率推定装置、半導体結晶製品の製造方法、熱伝導率演算装置、熱伝導率演算プログラム、および、熱伝導率演算方法
TW201250039A (en) Film formation apparatus
KR20150135082A (ko) 수정 발진식 막두께 모니터에 의한 막두께 제어 방법
Cui et al. Dynamic calibration of the cutting temperature sensor of NiCr/NiSi thin-film thermocouple
Gridnev et al. Internal friction in thin-film ferrite bismuth with an amorphous structure
CN106471152A (zh) 膜厚控制装置、膜厚控制方法和成膜装置
CN106104251A (zh) 膜厚监视装置用传感器、具备该膜厚监视装置用传感器的膜厚监视装置以及膜厚监视装置用传感器的制造方法
KR102193817B1 (ko) 박막 제조 장치, 박막 제조 방법
Lue Voltage readout of a temperature-controlled thin film thickness monitor
US4084131A (en) Process and apparatus for the determination of the inversion temperature of a quartz piezoelectric resonator element
JPH1123505A (ja) 熱分析装置
JPH07331421A (ja) 真空蒸着装置
JP7128358B2 (ja) Ｐｖｄめっき工程におけるめっき層制御装置及び方法
JP7102588B1 (ja) センサ装置
KR20140083847A (ko) 증착 장치
JP2001115260A (ja) 薄膜形成方法及び装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20200904