CN103469172B - 石英晶体镀膜厚度控制方法及石英晶体镀膜装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种石英晶体镀膜厚度控制方法，根据镀膜前的石英晶体起始振荡频率和镀膜后的石英晶体振荡频率计算镀膜厚度；其特征在于，减少因石英晶体片温度升高而使石英晶体振荡频率升高所引起的厚度测量误差。本发明中的石英晶体镀膜装置，操作方便，工作效率提高。本发明中的石英晶体膜厚控制仪采用人机界面，方便操作人员实时监控镀膜过程，并对成膜数据进行分析，提高了镀膜工艺的可控性。使用本发明，可以将镀膜厚度的误差降低为现有技术的四分之一以下，大大提高了镀膜厚度的精确性。

Description

石英晶体镀膜厚度控制方法及石英晶体镀膜装置

技术领域

本发明涉及一种石英晶体镀膜厚度控制方法及石英晶体镀膜装置。

背景技术

厚度作为光学薄膜最重要的参数之一。决定性地影响薄膜的力学性能、电学性能和光学性能。另一方面，几乎所有的薄膜性能都与厚度有关。因此准确控制薄膜的厚度就成为制备具有优良性能的光学薄膜的关键。

其中一种石英晶体膜厚控制仪(简称晶控仪)通过晶体振荡器控制镀膜厚度。其原理是利用石英晶体片(简称晶体片、晶振片、晶控片)的谐振频率与膜层厚度之间的关系来监控膜层厚度及镀膜速率。其主要由装有石英晶体片的晶振探头，及用于测量石英晶体片谐振频率的频率测量电路，用于控制镀膜速率及厚度的控制电路组成。晶振探头安装在真空镀膜设备的真空室内，晶振探头上的晶体片的一侧表面暴露在蒸发源的上方。在真空镀膜过程中，镀膜材料同时沉积在石英晶体片及样品基片上，通过石英晶体膜厚控制仪测定石英晶体片的谐振频率来监控镀膜厚度及镀膜速率。石英晶体片的谐振频率会随着镀膜材料沉积而降低。晶控仪实时测量出镀膜晶体片的谐振频率，根据谐振频率与膜层厚度的转换关系，计算出沉积膜层厚度，并根据厚度关系比的大小得到样品基片的镀膜厚度。再根据膜层在不同时刻的厚度差，计算出膜料沉积速率，然后通过PID等控制算法控制蒸发源的功率，以得到稳定的趋于设计速率的沉积速率。由于石英晶体片的谐振频率在一定范围内，其变化与膜层厚度变化成线性关系，使得晶控仪相对于其他膜厚控制方法（例如光学控制法），更便于沉积速率控制。相对恒定的沉积速率对于镀膜过程的稳定性与重复性非常重要，因此晶控仪已经逐渐成为真空镀膜设备的标准控制仪器之一。

镀膜过程中，晶控仪实时根据晶体振荡器测量的晶体频率计算出对应的膜层厚度，当计算厚度与设计厚度一致时，停止镀膜。目前使用的晶控方法及装置，标称的厚度误差一般为0.5%。然而，对于含有薄层的膜系，此标称误差实际难以达成。镀膜厚度越薄，该标称0.5%的厚度误差就越难以达成。而且由于其他膜厚控制方法(如光学控制法)对薄层也缺乏有效准确的监控手段，成膜工艺人员甚至更愿意用晶控方法来控制薄层。

目前，在膜系设计阶段，或为应对各种设计要求，或为节约生产成本，或为提高成品率，计算机优化已成了几乎不可或缺的手段，而薄层在计算机膜系优化结果中恰恰是经常出现的。为此，设计阶段或以增加总膜层厚度或牺牲部分光谱性能多次优化来换取较少的薄层；但对于某些特定膜系，薄层是不可避免的。另外，成膜阶段，对于薄层缺乏有效准确的监控手段增加了成膜的难度及成本。

发明内容

本发明的目的是为了克服现有技术中的不足，本发明的目的之一是提供一种镀膜精度高的石英晶体镀膜厚度控制方法。

为实现以上目的，本发明通过以下技术方案实现：

石英晶体镀膜厚度控制方法，根据镀膜前的石英晶体起始振荡频率和镀膜后的石英晶体振荡频率计算镀膜厚度；其特征在于，减少因石英晶体片温度升高而使石英晶体振荡频率升高所引起的厚度测量误差。

优选地是，提供一频率补偿值，将镀膜前的石英晶体振荡频率加上频率补偿值作为起始振荡频率或者将实时检测的镀膜后石英晶体振荡频率减去频率补偿值作为镀膜后石英晶体振荡频率，根据两个振荡频率值计算得到厚度差为实际膜层厚度；或者提供一厚度补偿值，根据镀膜前的石英晶体起始振荡频率和镀膜后的石英晶体振荡频率计算镀膜厚度，再加上厚度补偿值，作为镀膜实际厚度。

优选地是，还包括一频率补偿值检测步骤，确定所述频率补偿值。

优选地是，所述频率补偿值检测步骤包括:将蒸发源关闭时刻检测的镀膜石英晶体的振荡频率值与蒸发源关闭后镀膜石英晶体温度不再变化时的镀膜石英晶体的振荡频率之差，作为频率补偿值。

优选地是，将蒸发源关闭时刻检测的镀膜石英晶体的振荡频率值与蒸发源关闭后大于等于晶振探头温度时间常数时刻的镀膜石英晶体的振荡频率之差，作为频率补偿值。

优选地是，将蒸发源关闭时刻检测的石英晶体的振荡频率值与蒸发源关闭后不小于3倍晶振探头温度时间常数时刻的石英晶体的振荡频率值之差，作为所述频率补偿值。

优选地是，还包括一厚度补偿值检测步骤，确定所述厚度补偿值。

优选地是，所述厚度补偿检测步骤包括：将蒸发源关闭时刻检测的石英晶体的振荡频率测量值与蒸发源关闭后不小于晶体振荡器温度时间常数时刻的石英晶体的振荡频率测量值之差转换的厚度值作为所述厚度补偿值。

优选地是，所述厚度补偿检测步骤包括：通过膜厚控制仪控制进行两次膜厚设定值相同的镀膜；首先提供一第一参比片，分n1次完成镀膜，利用光谱分析法检测第一参比片的镀膜厚度为d1；再提供一第二参比片，分n2次镀膜，再利用光谱分析法检测第二参比片的镀膜厚度为d2；n2不等于n1；所述厚度补偿值为（d2-d1）/(n2-n1)/k；所述k为厚度关系比，其值为第一参比片的镀膜厚度或第二参比片镀膜厚度与对应石英晶体片的镀膜厚度的比值。

优选地是，第一参比片与第二参比片在同一位置镀膜。

优选地是，所述第一参比片和第二参比片为玻璃基片。

优选地是，所述n1为大于等于1的自然数。

优选地是，所述n2为大于等于5的自然数。更优选地是，n2与n1之差大于5。

优选地是，每相邻两次镀膜之间的时间间隔大于等于温度时间常数。

本发明的目的是为了克服现有技术中的不足，本发明的目的之二是提供一种石英晶体镀膜装置。

为实现以上目的，本发明通过以下技术方案实现：

石英晶体镀膜装置，其特征在于，采用前述的石英晶体镀膜厚度控制方法控制镀膜厚度。

优选地是，包括晶体振荡器和膜厚控制仪，所述膜厚控制仪控制晶体振荡器为石英晶体镀膜并控制镀膜厚度；所述膜厚控制仪接收晶体振荡器检测的石英晶体的振荡频率数据，并将其转换为镀膜厚度数据。

优选地是，所述膜厚控制仪采用前述的石英晶体镀膜厚度控制方法控制镀膜厚度。

优选地是，包括晶体振荡器、膜厚控制仪和上位机；所述上位机控制所述膜厚控制仪进行石英晶体镀膜；所述上位机采用前述的石英晶体镀膜厚度控制方法控制镀膜厚度。

发明人经过研究发现：对于晶控仪来说，晶体片振荡频率及其变化是膜厚计算的依据，频率测量是所有晶控仪的核心。从成膜的实际监测过程看，有些材料成膜开始后会出现几秒钟的负速率，而光控信号已有变化(即已经有材料沉积)，说明成膜初始时的温度上升带来频率上升幅度大于材料沉积带来的频率下降，使得晶控仪表现出负速率。然而，成膜后晶体片温度变化是难以避免的，随之而出现的频率变化也同样难以避免。晶体片的频率随温度上升而上升，而晶体片的频率随沉积材料的厚度增加而下降。

晶控仪自身尚无法辨别频率变化的来源是晶体片温度变化还是材料沉积上去的厚度变化，只将频率变化认为是厚度变化。成膜开始时，晶体片表面处于一个温度，当成膜停止时，晶体片表面将达到一个更高温度。这个温度差额外带来了晶体片频率变化，而晶控仪将把这个额外的频率变化计算成负的膜厚累积进膜层总厚度中，使得真实总厚度比记录的总厚度要厚。

发明人进一步研究发现：在石英晶体片初始镀膜时，其温度上升所带来的频率升高与镀膜后导致的频率下降混合在一起，而且，晶体片温度升高必然伴随着膜材料沉积引起的质量变化；膜材料沉积也必然伴随着晶体片温度升高。无法将温度因素对晶体片的频率影响与质量因素对晶体片的频率影响分离检测。

发明人进一步分析得出：在镀膜过程中，晶体片的温度呈现上升、稳定、下降的趋势。蒸发源挡板打开并开始镀膜，晶体片上自开始有膜材料沉积时，晶体片温度开始上升，并上升至一定温度后趋于稳定，直至镀膜完成，膜材料停止沉积时。关闭蒸发源挡板及蒸发源停止沉积膜材料后，镀膜的晶体片温度下降。而且，最重要的，在开始镀膜后晶体片的温度上升幅度与镀膜完成后晶体片的温度下降幅度相当，由此二者带来的频率变化幅度相当。因此，通过检测镀膜完成后晶体片频率的下降幅度，可以确定晶体片开始镀膜时因温度上升引起晶体片频率升高而带来的误差。在控制镀膜厚度时，扣除误差值就可以使镀膜的实际厚度更精确。

在镀膜过程中，晶体振荡器的温度变化通常是自与冷却水相近的温度点开始上升，至最高值后维持至镀膜完成，外界热源撤除后，其温度将回落至与冷却水相近，便不再变化。

镀膜完成后，关闭蒸发源，晶振探头的温度自最高点开始降温，直至温度不再变化，这两个平衡状态之间存在温度差。本发明中所谓的温度时间常数是指，晶振探头的温度自最高温度开始降温，直至降低了温度差的63%时所需的时间长度。即以假定镀膜时晶振探头温度为40℃为例，关闭蒸发源后，其温度降低至25℃后不再变化。温度时间常数即是晶振探头自关闭蒸发源开始计算，直至降低至40-（40-25）×63%=30.55℃时，所需要的时间即为温度时间常数。在非成膜状态下，在室温附近，镀膜所用AT切晶体片的频率与温度是单调对应的，频率变化可反映出温度变化。实际的晶振探头温度时间常数可通过连续一段时间监测停止成膜后的频率变化来得出。

本发明中的石英晶体镀膜厚度控制方法及石英晶体镀膜装置，解决了因无法辨别晶体片频率变化是来源于温度还是来源于镀膜而导致根据频率计算出的厚度与真实厚度偏差大这一缺陷，将温度变化引起的晶体片频率变化值定量化，并将该频率变化值引起的成膜厚度偏差值自动补偿进总成膜厚度中，提高了晶控仪成膜厚度精度。特别是对于提高极薄层厚度精度有着重要意义。

本发明中的石英晶体镀膜装置，操作方便，工作效率提高。本发明中的石英晶体膜厚控制仪采用人机界面，方便操作人员实时监控镀膜过程，并对成膜数据进行分析，提高了镀膜工艺的可控性。使用本发明，可以将镀膜厚度的误差降低为现有技术的四分之一以下，大大提高了镀膜厚度的精确性。

附图说明

图1为实施例1中的石英晶体镀膜厚度控制装置示意图。

图2为实施例5中的石英晶体镀膜厚度控制装置示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明进行详细的描述：

实施例1

如图1所示为石英晶体镀膜装置，其包括真空室10和控制仪20。真空室10内的底部设置有可盛放镀膜材料的蒸发容器30。晶控仪20通过蒸发容器控制器21与蒸发容器30通信连接。蒸发容器30上方设置有可活动的挡板40。晶控仪20通过挡板控制器22与挡板40通信连接。真空室10内的上部设置有晶振探头50和用于固定样品片60的支架70。晶振探头50上设置有石英晶体片51。晶振探头50与冷却水循环装置80接触。冷却水循环装置80通过真空法兰81安装于真空室10内的上部。晶控仪20通过振荡包23与晶振探头50通信连接。

镀膜时，镀膜材料放置于蒸发容器30内。晶控仪20通过挡板控制器22控制挡板40，使挡板40从蒸发容器30上方移开。晶控仪20通过蒸发容器控制器21控制蒸发容器30，使其加热镀膜材料而使镀膜材料蒸发。镀膜材料向上同时蒸发至石英晶体片51和样品片60表面。镀膜过程中，晶控仪20通过振荡包23，监测石英晶体片51的振荡频率，再通过振荡包23将数据传输给晶控仪20。晶控仪20通过检测石英晶体片51镀膜前和镀膜后的振荡频率变化，通过计算获得镀膜的厚度值。计算过程中，由于石英晶体片与样品片处于不同位置，因此两者表面的镀膜厚度会存在差别，因此，计算时需考虑石英晶体片镀膜厚度与样品片的镀膜厚度关系比。厚度关系比k的值为样品片的镀膜厚度与石英晶体片的镀膜厚度的比值。

晶控仪20通过晶体振荡器实时监测镀膜石英晶体片51的振荡频率，计算镀膜厚度。镀膜厚度达到目标后，晶控仪20控制镀膜工作结束。

在镀膜过程中，晶控仪20确定镀膜石英晶体片51的频率时，由于频率变化部分包含晶体片51温度变化带来的频率变化。因此，本实施例减少因温度变化所引起的误差，得到镀膜的实际厚度。具体地，本实施例通过提供一频率补偿值，用于抵消因温度改变而引起的频率变化。本实施例可以通过两种方式消除因温度改变而引起的频率变化，一是在检测起始频率时，检测值加上频率补偿值作为实际的起始频率值；二是在镀膜中，检测值减去频率补偿值作为镀膜中的实际频率值。根据两个时间点的实际频率值与镀膜厚度的换算关系，通过计算可获得镀膜的实际厚度值。

晶控仪20检测石英晶体片51的振荡频率，计算两个频率之间的膜层厚度的方法是，分别用两个频率值代入厚度公式(1)，得到两个厚度T1与T2，而膜层厚度就是T2-T1。

$T_f=\left(\frac{N_{\mathrm{at}}{d}_q}{\mathrm{\π}{d}_f{F}_{c}Z}\right)\arctan \left(Z\tan \right[\frac{\mathrm{\π}(F_q-F_c)}{F_q}\left]\right)---\left(1\right)$

(1)式中N_at为AT切割石英频率常数，d_q为石英密度，d_f为附着材料密度，Z为附着材料声阻抗率，F_q为干净石英晶体片的初始频率，F_c为附着材料时刻的频率，T_f为附着膜材料层厚度。

晶控仪20将蒸发源打开时刻的石英晶体片51的振荡频率测量值加上所述频率补偿值作为石英晶体片51的计算膜厚用振荡频率初始值，计算出初始厚度T1。成膜过程中，晶控仪用当前实时检测到的石英晶体片51的频率计算出厚度T2。当前石英晶体片51上的膜层厚度值就是T2-T1。再根据石英晶体片51与样品片60之间由于位置不同而产生的镀膜厚度比例值，得到样品片60上的膜层厚度为k*(T2-T1)。当晶控仪20检测到样品片60的厚度达到设计厚度时，停止当前层镀膜过程，即关闭控制挡板40，并控制蒸发容器控制器21的输出功率至零或静态维持功率。

频率补偿值的确定方法为：镀膜停止时刻，记录下镀膜晶体片的频率；并在镀膜晶体片温度不再变化时，记录镀膜晶体片另一振荡频率。在此两种温度下的频率值之差作为频率补偿值。

实施例2

本实施例与实施例1的不同之处在于频率补偿值的确定方法，其余与实施例1相同。

本实施例中的频率补偿值的确定方法为：镀膜停止时刻，记录下镀膜晶体片的频率；并在经过3倍于温度时间常数的时间时，记录镀膜晶体片另一振荡频率。在此两种温度下的频率值之差作为频率补偿值。

镀膜完成后，关闭蒸发源，晶振探头的温度自最高点开始降温，直至温度不再变化，这两个平衡状态之间存在温度差。本实施例中所谓的温度时间常数是指，晶振探头的温度自最高温度开始降温，直至降低了温度差的63%时所需的时间长度。即以假定镀膜时晶振探头温度为40℃为例，关闭蒸发源后，其温度降低至25℃后不再变化。温度时间常数即是晶振探头自关闭蒸发源开始计算，直至降低至40-（40-25）×63%=30.55℃时，所需要的时间即为温度时间常数。

在实施例1中，自关闭蒸发源开始至石英晶体片温度不再变化，约需要30秒时间。本实施例中的温度时间常数约为5秒，3倍温度时间常数为15秒。记录关闭蒸发源时刻的镀膜晶体片51的振荡频率以及经过15秒时的镀膜石英晶体振荡频率，两者之差即为频率补偿值。本实施例相对于实施例1，可以更加节省时间，提高镀膜效率。而且，经过3倍时间常数时间的振荡频率，与镀膜石英晶体温度不再变化时的振荡频率的差别，对于最终的镀膜厚度精度而言，可以忽略不计。

确定温度是否变化可以通过两种方式，一是在真空室内设置温度检测装置，利用温度检测装置检测；二是利用振荡频率检测，停止镀膜后，镀膜石英晶体的振荡频率仅受温度变化影响，温度不再变化时，振荡频率也不再变化；因此，可通过检测振荡频率是否变化获知温度是否还会变化。

实施例3

本实施例与实施例1的不同之处在于，通过晶控仪20的计算，显示镀膜厚度。通过晶控仪20将频率补偿值转换为厚度补偿值。晶控仪20检测的石英晶体片51的前后的频率换算出的膜层厚度后加上厚度补偿值，直接输出实际厚度值。

实施例4

本实施例与实施例1的不同之处在于，不提供频率补偿值，而是提供厚度补偿值。晶控仪20检测镀膜石英晶体片51的振荡频率后，通过计算获得其检测的镀膜厚度。晶控仪20检测的镀膜厚度值加上厚度补偿值后做为镀膜实际厚度值。

厚度补偿值的确定方法为：通过膜厚控制仪进行两次膜厚设定值相同的镀膜；首先提供一第一玻璃基片，放置在样品片60位置，将总厚度分n1层完成镀膜，利用光谱分析法检测第一玻璃基片膜层总厚度为d1；再提供一与所述第一玻璃基片厚度相同的第二玻璃基片，仍放置在样品片60位置，将总厚度分n2次完成镀膜，再利用光谱分析法检测第二玻璃基片膜层总厚度为d2。n2大于n1；厚度补偿值为（d2-d1）/(n2-n1)/k；k值为石英晶体片51与样品片60之间由于位置不同而产生的镀膜厚度比例值。由于石英晶体片51与样品片60位置相近，因此，位置不同所引起的镀膜厚度差可以忽略不计，K值取为1。每相邻两次镀膜之间的时间间隔大于3倍温度时间常数。温度时间常数如前实施例所述。

本实施例分别在2片玻璃基片上镀膜，用于检测厚度补偿值。确定厚度补偿值后，再为样品片镀膜。用晶控仪控制厚度。镀膜总厚度均设定为200nm。在第一片玻璃基片上一次镀200nm厚度的膜。在第二片玻璃基片上分10次，每次镀20nm，总厚度也为200nm。利用晶控仪20实时检测镀膜玻璃片的频率，并换算为镀膜厚度。当晶控仪20检测的镀膜厚度为200nm时停止镀膜。

每次成膜分别只使用一个坩埚。使用的材料均为Nb₂O₅，用电子枪蒸镀，有离子源辅助。镀膜总厚度设定为200nm。每片玻璃基片镀膜膜结束后，使用光谱仪测量镀膜总厚度。

由前2次的测量结果，可计算出补偿厚度约为(218.9-202.2)/(10-1)/1=1.86nm。

样品片镀膜时，分10次总共镀厚度为200nm的膜。样品片为实际生产的使用的玻璃片。晶控仪20检测镀膜玻璃基片厚度时，扣除厚度补偿值1.86nm作为实际镀膜厚度。10次镀膜完成后，利用光谱仪测量镀膜厚度，其结果如表一所示。

表一

对比第二片与样品片镀膜结果可见，可明显看到单次厚度偏差值从18.9/10=1.89nm降低到4.5nm/10=0.45nm。未应用本发明的一次性成膜200nm，即第一次成膜，单次厚度偏差值为2.2nm；对比第1片与第三片玻璃基片镀膜结果可见，单次厚度偏差值由2.2nm大幅下降到0.45nm。

未应用本发明的一次性成膜200nm，即第一片玻璃基片成膜时，厚度误差为2.2/200=1.1%。可预期的是，应用本发明之后，如仍一次性成膜200nm，厚度误差有望降低到0.45/200=0.2%。

实施例5

如图2所示，本实施例与实施例1、2、3或4不同之处在于，在实施例1、2、3或4的基础上，还包括上位机90。上位机90与晶控仪20通信连接。通过镀膜石英晶体片频率换算镀膜厚度，并对频率进行补偿或对厚度补偿的工作，均由上位机90进行，并由上位机90输出结果。

利用以上各实施例中的方法镀膜，厚度误差均能降低至原来的25%以下。

本发明中的实施例仅用于对本发明进行说明，并不构成对权利要求范围的限制，本领域内技术人员可以想到的其他实质上等同的替代，均在本发明保护范围内。

Claims (14)

1.石英晶体镀膜厚度控制方法，根据镀膜前的石英晶体起始振荡频率和镀膜后的石英晶体振荡频率计算镀膜厚度；其特征在于，减少因石英晶体片温度升高而使石英晶体片振荡频率升高所引起的厚度测量误差；提供一频率补偿值，将镀膜前的石英晶体振荡频率加上频率补偿值作为起始振荡频率或者将实时检测的镀膜后石英晶体振荡频率减去频率补偿值作为镀膜后石英晶体振荡频率，根据两个振荡频率值计算得到厚度差为实际膜层厚度；还包括一频率补偿值检测步骤，确定所述频率补偿值；或者提供一厚度补偿值，根据镀膜前的石英晶体起始振荡频率和镀膜后的石英晶体振荡频率计算镀膜厚度，再加上厚度补偿值，作为镀膜实际厚度；还包括一厚度补偿值检测步骤，确定所述厚度补偿值。

2.根据权利要求1所述的石英晶体镀膜厚度控制方法，其特征在于，所述频率补偿值检测步骤包括:将蒸发源关闭时刻检测的镀膜石英晶体的振荡频率值与蒸发源关闭后镀膜石英晶体温度不再变化时的镀膜石英晶体的振荡频率之差，作为频率补偿值。

3.根据权利要求1所述的石英晶体镀膜厚度控制方法，其特征在于，将蒸发源关闭时刻检测的镀膜石英晶体的振荡频率值与蒸发源关闭后大于等于晶振探头温度时间常数时刻的镀膜石英晶体的振荡频率之差，作为频率补偿值。

4.根据权利要求3所述的石英晶体镀膜厚度控制方法，其特征在于，将蒸发源关闭时刻检测的石英晶体的振荡频率值与蒸发源关闭后不小于3倍晶振探头温度时间常数时刻的石英晶体的振荡频率值之差，作为所述频率补偿值。

5.根据权利要求1所述的石英晶体镀膜厚度控制方法，其特征在于，所述厚度补偿检测步骤包括：将蒸发源关闭时刻检测的石英晶体的振荡频率测量值与蒸发源关闭后不小于晶体振荡器温度时间常数时刻的石英晶体的振荡频率测量值之差转换的厚度值作为所述厚度补偿值。

6.根据权利要求1所述的石英晶体镀膜厚度控制方法，其特征在于，所述厚度补偿检测步骤包括：通过膜厚控制仪控制进行两次膜厚设定值相同的镀膜；首先提供一第一参比片，分n1次完成镀膜，利用光谱分析法检测第一参比片的镀膜厚度为d1；再提供一第二参比片，分n2次镀膜，再利用光谱分析法检测第二参比片的镀膜厚度为d2；n2不等于n1；所述厚度补偿值为(d2-d1)/(n2-n1)/k；所述k为厚度关系比，其值为第一参比片的镀膜厚度或第二参比片镀膜厚度与对应石英晶体片的镀膜厚度的比值。

7.根据权利要求6所述的石英晶体镀膜厚度控制方法，其特征在于，所述第一参比片和第二参比片为玻璃基片。

8.根据权利要求6所述的石英晶体镀膜厚度控制方法，其特征在于，所述n1为大于等于1的自然数。

9.根据权利要求6所述的石英晶体镀膜厚度控制方法，其特征在于，所述n2为大于等于5的自然数。

10.根据权利要求6所述的石英晶体镀膜厚度控制方法，其特征在于，每相邻两次镀膜之间的时间间隔大于等于温度时间常数。

11.石英晶体镀膜装置，其特征在于，采用权利要求1至10任一权利要求所述的石英晶体镀膜厚度控制方法控制镀膜厚度。

12.根据权利要求11所述的石英晶体镀膜装置，其特征在于，包括晶体振荡器和膜厚控制仪，所述膜厚控制仪控制晶体振荡器为石英晶体镀膜并控制镀膜厚度；所述膜厚控制仪接收晶体振荡器检测的石英晶体的振荡频率数据，并将其转换为镀膜厚度数据。

13.根据权利要求12所述的石英晶体镀膜装置，其特征在于，所述膜厚控制仪采用权利要求1至10任一权利要求所述的石英晶体镀膜厚度控制方法控制镀膜厚度。

14.根据权利要求11所述的石英晶体镀膜装置，其特征在于，包括晶体振荡器、膜厚控制仪和上位机；所述上位机控制所述膜厚控制仪进行石英晶体镀膜；所述上位机采用权利要求1至10任一权利要求所述的石英晶体镀膜厚度控制方法控制镀膜厚度。