CN106119781B - 蒸发装置、蒸镀设备和蒸镀方法 - Google Patents

蒸发装置、蒸镀设备和蒸镀方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种蒸发装置、蒸镀设备和蒸镀方法，属于镀膜领域。蒸发装置包括：喂料组件和加热组件；喂料组件用于存储膜料并将膜料在n个连续的时间段内输送至加热组件，n为大于等于2的整数；加热组件用于在喂料组件将膜料在n个连续的时间段内输送至加热组件时，将喂料组件输送的膜料蒸发成为膜料蒸汽。本发明通过蒸发装置中的喂料组件将膜料在n个连续的时间段内输送至加热组件，使得加热组件中的膜料不会堆积过多，解决了相关技术中可能由于加热的不均匀造成部分膜料碳化，进而严重影响镀膜的正常进行的问题，达到了加热组件中加热的膜料较少，加热较为均匀，膜料不会发生碳化的效果，镀膜可以正常进行。

Description

蒸发装置、蒸镀设备和蒸镀方法
技术领域
本发明涉及镀膜领域，特别涉及一种蒸发装置、蒸镀设备和蒸镀方法。
背景技术
蒸镀设备是一种用于给待镀膜件进行镀膜的设备，通常包括镀膜腔室和位于镀膜腔室中的蒸发装置，其中镀膜腔室用于提供一个镀膜的环境(如真空环境)，而蒸发装置用于使膜料蒸发并附着在待镀膜件上，以在待镀膜件上形成膜层。
相关技术中有一种蒸发装置，该蒸发装置包括坩埚和加热丝，加热丝围在坩埚外部用于加热坩埚，而坩埚用于放置膜料。在进行镀膜时，首先打开镀膜腔室将膜料放置在坩埚中，并将待镀膜件放置在坩埚上方，然后关闭镀膜腔室，通过加热丝加热坩埚，坩埚中的膜料蒸发并附着在位于坩埚上方的待镀膜件上，使待镀膜件转变为镀膜件，之后可以打开镀膜腔室取出镀膜件。
在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：上述通过坩埚加热膜料的方式在坩埚中的膜料较多并堆积在一起时，可能由于加热的不均匀造成部分膜料碳化，进而严重影响镀膜的正常进行。
发明内容
为了解决现有技术中通过坩埚加热膜料的方式在坩埚中的膜料较多并堆积在一起时，可能由于加热的不均匀造成部分膜料碳化，进而严重影响镀膜的正常进行的问题，本发明实施例提供了一种蒸发装置、蒸镀设备和蒸镀方法。所述技术方案如下：
根据本发明的第一方面，提供了一种蒸发装置，所述蒸发装置包括：
喂料组件和加热组件；
所述喂料组件用于存储膜料并将所述膜料在n个连续的时间段内输送至所述加热组件，所述n为大于等于2的整数；
所述加热组件用于在所述喂料组件将所述膜料在所述n个连续的时间段内输送至所述加热组件时，将所述喂料组件输送的膜料蒸发成为膜料蒸汽。
可选地，所述喂料组件包括储料仓和喂料件，所述储料仓用于存放膜料，所述喂料件用于将所述膜料在n个连续的时间段内输送至所述加热组件。
可选地，所述蒸发装置还包括蒸发腔室，
所述加热组件位于所述蒸发腔室中，所述蒸发腔室上设置有蒸汽出口，所述蒸汽出口用于使所述膜料蒸汽能够排出所述蒸发腔室；
所述储料仓位于所述蒸发腔室外部。
可选地，所述蒸发腔室设置有温度控制组件，所述温度控制组件用于控制所述蒸发腔室内的温度。
可选地，所述温度控制组件包括围绕在所述蒸发腔室外部的加热丝。
可选地，所述储料仓设置有预热件，所述预热件用于对所述储料仓中的膜料进行预热。
可选地，所述蒸发腔室内部设置有气流稳定板，所述气流稳定板上设置有多个开口，所述蒸发腔室被所述气流稳定板分隔为两个空间，所述加热组件位于所述两个空间中的一个空间，所述蒸汽出口与所述两个空间中的另一个空间连通。
可选地，所述储料仓中的膜料呈粒状，所述喂料件包括喂料通道和叶片轮，
所述叶片轮设置在所述喂料通道中，将所述喂料通道分为第一段和第二段，所述第一段与所述储料仓连通，并堆积有所述膜料，所述第二段远离所述叶片轮的端口设置在所述加热组件处，所述叶片轮转动时，预定粒数的所述膜料会从所述第一段进入所述第二段，并由所述第二段进入所述加热组件。
可选地，所述储料仓呈漏斗状，
所述储料仓较小的一端与所述喂料通道的第一段连通且所述储料仓的出料方向与重力方向平行。
可选地，所述蒸发装置包括至少两个喂料组件，每个所述喂料组件用于存储膜料并将所述膜料在n个连续的时间段内输送至所述加热组件。
可选地，所述至少两个喂料组件中的膜料呈粒状，所述至少两个喂料组件用于分别存储参数不同的膜料，所述参数包括所述膜料的材料和所述膜料的颗粒大小中的至少一种。
可选地，所述加热组件包括加热凹槽，所述加热凹槽包括槽底和围在所述槽底边缘的槽壁，所述喂料组件用于存储膜料并将所述膜料在n个连续的时间段内输送至所述加热凹槽中。
根据本发明实施例的第二方面，提供一种蒸镀设备，所述蒸镀设备包括第一方面所述的蒸发装置。
根据本发明的第三方面，提供一种蒸镀方法，用于蒸镀设备中，所述蒸镀设备包括蒸发装置、镀膜腔室和待镀膜件放置组件，所述待镀膜件放置组件上放置有待镀膜件，所述蒸发装置包括：喂料组件和加热组件，所述方法包括：
将所述膜料放入所述喂料组件后关闭所述镀膜腔室；
启动所述加热组件，使所述加热组件的温度高于所述膜料的气化温度；
通过所述喂料组件将所述膜料在n个连续的时间段内输送至所述加热组件，使所述加热组件将输送的膜料蒸发成膜料蒸汽，所述膜料蒸汽附着在所述待镀膜件上在所述待镀膜件上形成膜层。
可选地，所述启动所述加热组件，使所述加热组件的温度高于所述膜料的气化温度之后，所述方法还包括：
通过调节所述加热组件的功率，使所述加热组件的温度保持高于所述膜料的气化温度。
可选地，所述蒸镀设备还包括膜厚感应组件，所述膜厚感应组件用于获取所述待镀膜件上的膜层厚度变化速率，
所述通过所述喂料组件将所述膜料在n个连续的时间段内输送至所述加热，包括：
开始将所述膜料输送至所述加热组件；
周期性获取所述待镀膜件上的膜层厚度变化速率；
根据所述膜层厚度变化速率调整所述喂料组件在每个所述时间段内输送至所述加热组件的膜料的质量，使所述膜层厚度变化速率与预设膜层厚度变化速率的差值小于预设值。
可选地，所述根据所述膜层厚度变化速率调整所述喂料组件在每个所述时间段内输送至所述加热组件的膜料的质量，包括：
在所述膜层厚度变化速率大于预设膜层厚度变化速率时，降低所述喂料组件在每个所述时间段内输送至所述加热组件的膜料的质量；
在所述膜层厚度变化速率小于预设膜层厚度变化速率时，提高所述喂料组件在每个所述时间段内输送至所述加热组件的膜料的质量。
可选地，所述喂料组件包括储料仓和喂料件，所述储料仓用于存放膜料，所述喂料件用于将所述膜料在n个连续的时间段内输送至所述加热组件，所述储料仓设置有预热件，
所述通过所述喂料组件将所述膜料在n个连续的时间段内输送至所述加热组件之前，所述方法还包括：
通过所述预热件对所述储料仓中的膜料进行预热。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
通过蒸发装置中的喂料组件将膜料在n个连续的时间段内输送至加热组件，使得加热组件中的膜料不会堆积过多，解决了相关技术中通过坩埚加热膜料的方式在坩埚中的膜料较多并堆积在一起时，可能由于加热的不均匀造成部分膜料碳化，进而严重影响镀膜的正常进行的问题，达到了加热组件中加热的膜料较少，加热较为均匀，膜料不会发生碳化的效果，镀膜可以正常进行。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例示出的一种蒸发装置的结构示意图；
图2-1是本发明实施例示出的另一种蒸发装置的结构示意图；
图2-2是图2-1所示蒸发装置中气流稳定板的俯视图；
图2-3是本发明实施例示出的另一种蒸发装置的结构示意图；
图2-4是本发明实施例中一种喂料组件的结构示意图；
图3是本发明实施例示出的一种蒸镀方法的流程图；
图4-1是本发明实施例示出的另一种蒸镀方法的流程图；
图4-2是图4-1所示实施例中镀膜设备的结构示意图；
图4-3是图4-1所示实施例中调整所述喂料组件在每个时间段内输送至加热组件的膜料的质量的流程图。
上述各个附图中，附图标记的含义可以为：10-蒸发装置，11-喂料组件，12-加热组件，111-储料仓，111a-预热件，112-喂料件，13-蒸发腔室，131-蒸汽出口，132-温度控制组件，132a-加热丝，133-气流稳定板，133a-气流稳定板上的开口，121-加热凹槽，121a-槽底，121b-槽壁，M-膜料，112a-喂料通道，112b-叶片轮，D1-第一段，D2-第二段，k-第二段D2远离叶片轮112b的端口，f-出料方向，41-待镀膜件放置组件，42-待镀膜件，43-镀膜腔室。
通过上述附图，已示出本发明明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本发明构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本发明的概念。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
图1是本发明实施例示出的一种蒸发装置的结构示意图。该蒸发装置10可以包括：
喂料组件11和加热组件12。
喂料组件11用于存储膜料并将膜料在n个连续的时间段内输送至加热组件12。
加热组件12用于在喂料组件11将膜料在n个连续的时间段内输送至加热组件12时，将喂料组件11输送的膜料蒸发成为膜料蒸汽。
其中，喂料组件可以将存储的膜料分成多个部分在n个连续的时间段内输送至加热组件中，每个时间段都将一部分膜料输送至加热组件，加热组件可以分别将每一部分的膜料蒸发为膜料蒸汽。此外，每个时间段输送至加热组件中膜料的质量可以相同，也可以不同。
综上所述，本发明实施例提供的蒸发装置，通过蒸发装置中的喂料组件将膜料在n个连续的时间段内输送至加热组件，使得加热组件中的膜料不会堆积过多，解决了相关技术中通过坩埚加热膜料的方式在坩埚中的膜料较多并堆积在一起时，可能由于加热的不均匀造成部分膜料碳化，进而严重影响镀膜的正常进行的问题，达到了加热组件中加热的膜料较少，加热较为均匀，膜料不会发生碳化的效果，镀膜可以正常进行。
进一步的，请参考图2-1，其示出了本实施例提供的另一种蒸发装置的结构示意图，该蒸发装置在图1所示的蒸发装置的基础上增加了更优选的部件，从而使得本实施例提供的蒸发装置具有更好的性能。
可选地，喂料组件11包括储料仓111和喂料件112，储料仓111用于存放膜料，喂料件112用于将膜料在n个连续的时间段内输送至加热组件12。其中，膜料可以为有机发光(英文：Organic Electro-Luminescence；简称：OEL)材料，本发明实施例提供的蒸发装置可以用于形成有机发光二极管(英文：Organic Light-Emitting Diode；简称：OLED)上的有机层。
可选地，蒸发装置10还包括蒸发腔室13。
加热组件12位于蒸发腔室13中，蒸发腔室13上设置有蒸汽出口131，蒸汽出口131用于使膜料蒸汽能够排出蒸发腔室13。待镀膜件可以设置在蒸汽出口131的正上方。具体的，喂料组件11可以分5至10个时间段将膜料输送至加热组件12，使得蒸汽出口131能够形成稳定的膜料蒸汽。
此外，由于本发明实施例提供的蒸发装置每次对部分膜料进行蒸发，蒸发速度较快，进而提高了镀膜的效率。
储料仓111位于蒸发腔室13外部。这样可以避免储料仓111中的温度对膜料产生影响。
蒸发装置通常位于镀膜腔室中，而为了避免外界空气污染镀膜腔室，在镀膜开始后通常不能打开镀膜腔室，因而需要将所有的膜料全部放入坩埚中，坩埚中的膜料较多，容易因为温度不均匀而使部分膜料发生碳化，影响正常镀膜且浪费膜料。
可选地，储料仓111设置有预热件111a，预热件111a用于对储料仓111中的膜料进行预热。对膜料进行预热可以避免膜料进入加热组件后温度瞬间急剧增高导致膜料的损坏。预热的温度可以为80度左右或者50度左右。预热件可以是围绕在储料仓外部的加热丝。
可选地，蒸发腔室13设置有温度控制组件132，温度控制组件132用于控制蒸发腔室13内的温度。温度控制组件132可以包括围绕在蒸发腔室外部的加热丝132a。加热丝132a可以提升蒸发腔室13内的温度，避免膜料蒸汽在上升的过程中凝固，还能够避免膜料蒸汽接触到蒸发腔室13的内壁后凝固在蒸发腔室13的内壁上，造成膜料的浪费。
此外，温度控制组件还可以包含有其他部件，如电磁加热器或红外加热器等等，本发明实施例不作出限制。
可选地，蒸发腔室13内部设置有气流稳定板133，气流稳定板133上设置有多个开口133a，蒸发腔室13被气流稳定板133分隔为两个空间，加热组件12位于两个空间中的一个空间A，蒸汽出口131与两个空间中的另一个空间B连通。图2-1所示气流稳定板133的而俯视图可以如图2-2所示，其中，开口133在气流稳定板133上排布，可以使膜料蒸汽散开，避免膜料蒸汽聚集在一起，影响镀膜效果。
在图2-1中，加热组件12包括加热凹槽121，加热凹槽121包括槽底121a和围在槽底边缘的槽壁121b，喂料组件11用于存储膜料并将膜料在n个连续的时间段内输送至加热凹槽121中。即加热凹槽121的槽底121a和槽壁121b均能够进行加热，提高了加热效果，进而提升了膜料的蒸发速度。其中，加热凹槽121可以通过电阻丝加热或者感应加热技术加热，本发明实施例不作出限制。此外，加热组件还可以为其他结构，示例性的，加热组件还可以为电子束加热器。
可选地，蒸发装置10包括至少两个喂料组件11，每个喂料组件11用于存储膜料并将膜料在n个连续的时间段内输送至加热组件12。图2-1示出的是喂料组件11为两个的情况，但喂料组件的数量还可以更多，例如3个、4个或更多个，本发明实施例不作出限制。示例性的，喂料组件11为4个的情况可以如图2-3所示，4个喂料组件11在蒸发腔室四周均匀排布。
可选地，至少两个喂料组件11中的膜料呈粒状，至少两个喂料组件11用于分别存储参数不同的膜料，参数包括膜料的材料和膜料的颗粒大小中的至少一种。在多个喂料组件中膜料的材料相同但颗粒大小不同时，可以通过控制不同喂料组件中的膜料进入加热组件来对进入加热组件中膜料的数量进行精确控制，进而调整膜料的蒸发速率。而在多个喂料组件中的膜料的材料不同时，可以在进行完一次镀膜后无需向喂料组件中重新添加膜料，将新的待镀膜件设置好后可以直接进行第二次镀膜，加快了镀膜速度。此外，至少两个喂料组件11还可以存放有参数相同的膜料，这样相对于相关技术中将膜料全部存放在坩埚中，蒸发装置能够存放更多的膜料。
可选地，如图2-4所示，其示出了一种喂料组件的结构示意图，该喂料组件可以是图2-1或图2-3所示蒸发装置中的喂料组件，其中，储料仓111中的膜料M呈粒状，喂料件112包括喂料通道112a和叶片轮112b。
叶片轮112b设置在喂料通道112a中，将喂料通道112a分为第一段D1和第二段D2，第一段D1与储料仓111连通，并堆积有膜料M，第二段D2远离叶片轮112b的端口k设置在加热组件(图2-3未示出)处，叶片轮112b转动时，预定粒数(例如一粒)的膜料M会从第一段D1进入第二段D2，并由第二段D2进入加热组件12。需要说明的是，图2-4示出的是叶片轮的一种结构，叶片轮还可以有其他的多种结构，具体可以参考相关技术，本发明实施例不作出限制。
可选地，储料仓111呈漏斗状。
储料仓111较小的一端与喂料通道112a的第一段D1连通且储料仓111的出料方向f与重力方向平行。这样依靠重力的作用，储料仓111中的膜料就能够自发的进入喂料件112中，而在喂料件112中的叶片轮112b转动时，膜料就能够从喂料通道112a的第一段D1进入第二段D2，再由第二段D2进入加热组件。其中，叶片轮112b可以由电机驱动，并可以通过电机来控制叶片轮112b的转动速度，进而调节膜料进入加热组件的速度。
综上所述，本发明实施例提供的蒸发装置，通过蒸发装置中的喂料组件将膜料在n个连续的时间段内输送至加热组件，使得加热组件中的膜料不会堆积过多，解决了相关技术中通过坩埚加热膜料的方式在坩埚中的膜料较多并堆积在一起时，可能由于加热的不均匀造成部分膜料碳化，进而严重影响镀膜的正常进行的问题，达到了加热组件中加热的膜料较少，加热较为均匀，膜料不会发生碳化的效果，镀膜可以正常进行。
此外，本发明实施例还提供一种蒸镀设备，该蒸镀设备可以包括图1示出的蒸发装置、图2-1示出的蒸发装置或图2-3示出的蒸发装置。
图3是本发明实施例示出的一种蒸镀方法的流程图，用于蒸镀设备中，该蒸镀设备包括蒸发装置、镀膜腔室和待镀膜件放置组件，待镀膜件放置组件上放置有待镀膜件，蒸发装置包括：喂料组件和加热组件，该方法可以包括下面几个步骤：
步骤301，将膜料放入喂料组件后关闭镀膜腔室。
步骤302，启动加热组件，使加热组件的温度高于膜料的气化温度。
步骤303，通过喂料组件在n个连续的时间段内将膜料输送至加热组件，使加热组件将输送的膜料蒸发成膜料蒸汽，膜料蒸汽附着在待镀膜件上在待镀膜件上形成膜层。
本发明实施例中的蒸镀设备可以包括图1示出的蒸发装置、图2-1示出的蒸发装置或图2-3示出的蒸发装置。
综上所述，本发明实施例提供的蒸镀方法，通过蒸发装置中的喂料组件将膜料在n个连续的时间段内输送至加热组件，使得加热组件中的膜料不会堆积过多，解决了相关技术中通过坩埚加热膜料的方式在坩埚中的膜料较多并堆积在一起时，可能由于加热的不均匀造成部分膜料碳化，进而严重影响镀膜的正常进行的问题，达到了加热组件中加热的膜料较少，加热较为均匀，膜料不会发生碳化的效果，镀膜可以正常进行。
图4-1是本发明实施例示出的另一种蒸镀方法的流程图，用于蒸镀设备中，该蒸镀设备包括蒸发装置、镀膜腔室和待镀膜件放置组件，待镀膜件放置组件上放置有待镀膜件，蒸发装置包括：喂料组件和加热组件；喂料组件用于存储膜料并将膜料在n个连续的时间段内输送至加热组件，该方法可以包括下面几个步骤：
步骤401，将膜料放入喂料组件后关闭镀膜腔室。
在使用本发明实施例提供的蒸镀方法时，首先可以将膜料放入喂料组件后关闭镀膜腔室。在喂料组件有多个时，每个喂料组件中的膜料的参数可以相同也可以不同，膜料的参数可以包括膜料的材料和膜料的颗粒大小中的至少一种。示例性的，蒸镀设备的结构示意图可以如图4-2所示，其中41为待镀膜件放置组件，42为待镀膜件，43为镀膜腔室，在本步骤可以将木料放入喂料组件11后关闭镀膜腔室43，图4-2中其它标号的含义可以参考图2-1，在此不再赘述。
步骤402，启动加热组件，使加热组件的温度高于膜料的气化温度。
在关闭镀膜腔室后可以启动加热组件，使加热组件的温度高于膜料的气化温度。
步骤403，通过调节加热组件的功率，使加热组件的温度保持高于膜料的气化温度。
在启动加热组件后可以通过调节加热组件的功率，使加热组件的温度保持高于膜料的气化温度，以避免后续添加膜料后，使加热组件的温度下降，影响膜料的蒸发。
步骤404，通过预热件对储料仓中的膜料进行预热。
在开始将膜料输送至加热组件前，可以通过预热件对储料仓中的膜料进行预热，对膜料进行预热可以避免膜料进入加热组件后温度瞬间急剧增高导致膜料的损坏。预热的温度可以为80度左右或者50度左右。预热件可以是围绕在储料仓外部的加热丝。其中，喂料组件11包括储料仓111和喂料件112，储料仓111用于存放膜料，喂料件112用于将膜料在n个连续的时间段内输送至加热组件121，储料仓111设置有预热件111a。
步骤405，开始将膜料输送至加热组件。
在加热组件的温度保持高于膜料的气化温度后，可以开始在n个连续的时间段内将膜料输送至加热组件。具体的，可以将储料仓中的膜料分成10部分，并将这10部分膜料在10个时间段内输送至加热组件，使得蒸发装置能够形成稳定的膜料蒸汽，其中，10部分膜料的质量可以相同，也可以不同，本发明实施例不作出限制。
步骤406，周期性获取待镀膜件上的膜层厚度变化速率。
在开始将膜料输送至加热组件后，可以周期性获取待镀膜件上的膜层厚度变化速率。示例性的，周期可以为两秒，即可以每过两秒获取一次待镀膜件上的膜层厚度变化速率。
其中，蒸镀设备包括膜厚感应组件，膜厚感应组件可以获取待镀膜件上的膜层厚度变化速率，具体的，膜厚感应组件可以为晶振感应片。
步骤407，根据膜层厚度变化速率调整喂料组件在每个时间段内输送至加热组件的膜料的质量，使膜层厚度变化速率与预设膜层厚度变化速率的差值小于预设值。
在获取了待镀膜件上的膜层厚度变化速率后，可以根据膜层厚度变化速率调整喂料组件在每个时间段内输送至加热组件的膜料的质量，使膜层厚度变化速率与预设膜层厚度变化速率的差值小于预设值，这样可以使膜层厚度变化速率趋于稳定，提高成膜质量。
如图4-3所示，本步骤可以包括下面三个子步骤：
子步骤4071，确定膜层厚度变化速率与预设膜层厚度变化速率的大小关系。在膜层厚度变化速率大于预设膜层厚度变化速率时，执行步骤4072，在膜层厚度变化速率小于预设膜层厚度变化速率时，执行步骤4073。
预设膜层厚度变化速率可以由操作人员预先设置。
子步骤4072，在膜层厚度变化速率大于预设膜层厚度变化速率时，降低喂料组件在每个时间段内输送至加热组件的膜料的质量。
在膜层厚度变化速率大于预设膜层厚度变化速率时，可以降低喂料组件在每个时间段内输送至加热组件的膜料的质量。由于加热组件中的温度保持高于膜料的气化温度，因而加热组件中膜料越多，膜料的蒸发速率就越快，而每个时间段输送至加热组件中的膜料的质量越大，加热组件中的膜料就越多(膜料的密度不变)，因而可以在膜层厚度变化速率大于预设膜层厚度变化速率时，通过降低喂料组件在每个时间段内输送至加热组件的膜料的质量，使膜层厚度变化速率与预设膜层变化速率的差距变小。
子步骤4073，在膜层厚度变化速率小于预设膜层厚度变化速率时，提高降低喂料组件在每个时间段内输送至加热组件的膜料的质量。
在膜层厚度变化速率小于预设膜层厚度变化速率时，可以提高降低喂料组件在每个时间段内输送至加热组件的膜料的质量。
综上所述，本发明实施例提供的蒸镀方法，通过蒸发装置中的喂料组件将膜料在n个连续的时间段内输送至加热组件，使得加热组件中的膜料不会堆积过多，解决了相关技术中通过坩埚加热膜料的方式在坩埚中的膜料较多并堆积在一起时，可能由于加热的不均匀造成部分膜料碳化，进而严重影响镀膜的正常进行的问题，达到了加热组件中加热的膜料较少，加热较为均匀，膜料不会发生碳化的效果，镀膜可以正常进行。
本发明中术语“A和B的至少一种”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和B的至少一种，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。同理，“A、B和C的至少一种”表示可以存在七种关系，可以表示：单独存在A，单独存在B，单独存在C，同时存在A和B，同时存在A和C，同时存在C和B，同时存在A、B和C这七种情况。同理，“A、B、C和D的至少一种”表示可以存在十五种关系，可以表示：单独存在A，单独存在B，单独存在C，单独存在D，同时存在A和B，同时存在A和C，同时存在A和D，同时存在C和B，同时存在D和B，同时存在C和D，同时存在A、B和C，同时存在A、B和D，同时存在A、C和D，同时存在B、C和D，同时存在A、B、C和D，这十五种情况。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分步骤可以通过硬件来完成，也可以通过程序来指令相关的硬件完成，所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中，上述提到的存储介质可以是只读存储器，磁盘或光盘等。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (16)

1.一种蒸发装置，其特征在于，所述蒸发装置包括：
喂料组件和加热组件；
所述喂料组件用于存储膜料并将所述膜料在n个连续的时间段内输送至所述加热组件，所述n为大于等于2的整数；
所述加热组件用于在所述喂料组件将所述膜料在所述n个连续的时间段内输送至所述加热组件时，将所述喂料组件输送的膜料蒸发成为膜料蒸汽；
所述喂料组件包括储料仓和喂料件，所述储料仓用于存放膜料，所述喂料件用于将所述膜料在所述n个连续的时间段内输送至所述加热组件；
所述储料仓中的膜料呈粒状，所述喂料件包括喂料通道和叶片轮，
所述叶片轮设置在所述喂料通道中，将所述喂料通道分为第一段和第二段，所述第一段与所述储料仓连通，并堆积有所述膜料，所述第二段远离所述叶片轮的端口设置在所述加热组件处，所述叶片轮转动时，预定粒数的所述膜料会从所述第一段进入所述第二段，并由所述第二段进入所述加热组件。
2.根据权利要求1所述的蒸发装置，其特征在于，所述蒸发装置还包括蒸发腔室，
所述加热组件位于所述蒸发腔室中，所述蒸发腔室上设置有蒸汽出口，所述蒸汽出口用于使所述膜料蒸汽能够排出所述蒸发腔室；
所述储料仓位于所述蒸发腔室外部。
3.根据权利要求2所述的蒸发装置，其特征在于，所述蒸发腔室设置有温度控制组件，所述温度控制组件用于控制所述蒸发腔室内的温度。
4.根据权利要求3所述的蒸发装置，其特征在于，所述温度控制组件包括围绕在所述蒸发腔室外部的加热丝。
5.根据权利要求1所述的蒸发装置，其特征在于，所述储料仓设置有预热件，所述预热件用于对所述储料仓中的膜料进行预热。
6.根据权利要求2所述的蒸发装置，其特征在于，
所述蒸发腔室内部设置有气流稳定板，所述气流稳定板上设置有多个开口，所述蒸发腔室被所述气流稳定板分隔为两个空间，所述加热组件位于所述两个空间中的一个空间，所述蒸汽出口与所述两个空间中的另一个空间连通。
7.根据权利要求1所述的蒸发装置，其特征在于，所述储料仓呈漏斗状，
所述储料仓较小的一端与所述喂料通道的第一段连通且所述储料仓的出料方向与重力方向平行。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的蒸发装置，其特征在于，所述蒸发装置包括至少两个喂料组件，每个所述喂料组件用于存储膜料并将所述膜料在所述n个连续的时间段内输送至所述加热组件。
9.根据权利要求8所述的蒸发装置，其特征在于，所述至少两个喂料组件中的膜料呈粒状，所述至少两个喂料组件用于分别存储参数不同的膜料，所述参数包括所述膜料的材料和所述膜料的颗粒大小中的至少一种。
10.根据权利要求1至7中任一项所述的蒸发装置，其特征在于，所述加热组件包括加热凹槽，所述加热凹槽包括槽底和围在所述槽底边缘的槽壁，所述喂料组件用于存储膜料并将所述膜料在所述n个连续的时间段内输送至所述加热凹槽中。
11.一种蒸镀设备，其特征在于，所述蒸镀设备包括权利要求1至10中任一项所述的蒸发装置。
12.一种蒸镀方法，其特征在于，用于蒸镀设备中，所述蒸镀设备包括蒸发装置、镀膜腔室和待镀膜件放置组件，所述待镀膜件放置组件上放置有待镀膜件，所述蒸发装置包括：喂料组件和加热组件，所述方法包括：
将膜料放入所述喂料组件后关闭所述镀膜腔室；
启动所述加热组件，使所述加热组件的温度高于所述膜料的气化温度；
通过所述喂料组件将所述膜料在n个连续的时间段内输送至所述加热组件，使所述加热组件将输送的膜料蒸发成膜料蒸汽，所述膜料蒸汽附着在所述待镀膜件上在所述待镀膜件上形成膜层，所述n为大于等于2的整数；
其中，所述喂料组件包括储料仓和喂料件，所述储料仓用于存放膜料，所述喂料件用于将所述膜料在所述n个连续的时间段内输送至所述加热组件；
所述储料仓中的膜料呈粒状，所述喂料件包括喂料通道和叶片轮，
所述叶片轮设置在所述喂料通道中，将所述喂料通道分为第一段和第二段，所述第一段与所述储料仓连通，并堆积有所述膜料，所述第二段远离所述叶片轮的端口设置在所述加热组件处，所述叶片轮转动时，预定粒数的所述膜料会从所述第一段进入所述第二段，并由所述第二段进入所述加热组件。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述启动所述加热组件，使所述加热组件的温度高于所述膜料的气化温度之后，所述方法还包括：
通过调节所述加热组件的功率，使所述加热组件的温度保持高于所述膜料的气化温度。
14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述蒸镀设备还包括膜厚感应组件，所述膜厚感应组件用于获取所述待镀膜件上的膜层厚度变化速率，
所述通过所述喂料组件将所述膜料在n个连续的时间段内输送至所述加热组件，包括：
开始将所述膜料输送至所述加热组件；
周期性获取所述待镀膜件上的膜层厚度变化速率；
根据所述膜层厚度变化速率调整所述喂料组件在每个所述时间段内输送至所述加热组件的膜料的质量，使所述膜层厚度变化速率与预设膜层厚度变化速率的差值小于预设值。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述根据所述膜层厚度变化速率调整所述喂料组件在每个所述时间段内输送至所述加热组件的膜料的质量，包括：
在所述膜层厚度变化速率大于预设膜层厚度变化速率时，降低所述喂料组件在每个所述时间段内输送至所述加热组件的膜料的质量；
在所述膜层厚度变化速率小于预设膜层厚度变化速率时，提高所述喂料组件在每个所述时间段内输送至所述加热组件的膜料的质量。
16.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述喂料组件包括储料仓和喂料件，所述储料仓用于存放膜料，所述喂料件用于将所述膜料在所述n个连续的时间段内输送至所述加热组件，所述储料仓设置有预热件，
所述通过所述喂料组件将所述膜料在n个连续的时间段内输送至所述加热组件之前，所述方法还包括：
通过所述预热件对所述储料仓中的膜料进行预热。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106119781B (zh) * 2016-07-27 2018-10-30 京东方科技集团股份有限公司 蒸发装置、蒸镀设备和蒸镀方法
CN110029314A (zh) * 2019-04-17 2019-07-19 深圳天成机器有限公司 一种提高效率的真空镀膜装置
CN112146730A (zh) * 2019-06-28 2020-12-29 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 一种坩埚内材料质量的在线测量装置和方法
WO2021013327A1 (en) * 2019-07-19 2021-01-28 Applied Materials, Inc. Evaporation source, deposition system, and evaporation method
KR102319130B1 (ko) * 2020-03-11 2021-10-29 티오에스주식회사 가변 온도조절 장치를 구비한 금속-산화물 전자빔 증발원
CN111270204B (zh) * 2020-03-25 2024-08-16 江苏集萃有机光电技术研究所有限公司 一种蒸镀装置及蒸镀方法
CN111334756B (zh) * 2020-04-09 2021-12-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 金属蒸镀设备
JP7556128B2 (ja) * 2020-07-27 2024-09-25 江蘇菲沃泰納米科技股▲フン▼有限公司 原料気化装置、コーティング装置、コーティング機器及びその材料投入方法
CN111996501B (zh) * 2020-07-27 2022-03-04 江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司 原料气化装置和镀膜设备及其气化方法
CN111945135B (zh) * 2020-07-27 2022-04-26 江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司 二进料蒸发装置及其进料方法
US11959173B2 (en) * 2021-03-18 2024-04-16 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures, semiconductor processing systems, and semiconductor device structures
CN116334572A (zh) * 2023-03-29 2023-06-27 铜陵市超越电子股份有限公司 柔性基材卷绕镀膜机
CN117821908A (zh) * 2023-11-30 2024-04-05 江苏微凯机械有限公司 一种光学镀膜用电子束蒸发镀膜机智能监控系统

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2848871Y (zh) * 2005-05-03 2006-12-20 杨林 生产彩虹膜或纸的高真空电镀设备
CN203976897U (zh) * 2013-10-11 2014-12-03 京东方科技集团股份有限公司 蒸发源装置和真空蒸镀设备
CN105177507A (zh) * 2015-09-08 2015-12-23 京东方科技集团股份有限公司 蒸镀坩埚及蒸镀设备

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01108364A (ja) * 1987-10-19 1989-04-25 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 蒸発源の蒸着材料供給方法
JPH06280016A (ja) * 1993-03-25 1994-10-04 Kobe Steel Ltd 連続真空蒸着めっきにおけるめっき原料供給装置
US6251233B1 (en) * 1998-08-03 2001-06-26 The Coca-Cola Company Plasma-enhanced vacuum vapor deposition system including systems for evaporation of a solid, producing an electric arc discharge and measuring ionization and evaporation
US7625602B2 (en) 2005-05-03 2009-12-01 Eastman Kodak Company Controllably feeding powdered or granular material
WO2007135870A1 (ja) 2006-05-19 2007-11-29 Ulvac, Inc. 有機蒸着材料用蒸着装置、有機薄膜の製造方法
JP2008274356A (ja) * 2007-04-27 2008-11-13 Victor Co Of Japan Ltd 蒸着装置及び蒸着材料の供給方法
KR101463897B1 (ko) 2008-05-23 2014-11-21 주성엔지니어링(주) 원료 공급 장치 및 이를 구비하는 박막 증착 장치
US7972443B2 (en) 2008-11-14 2011-07-05 Global Oled Technology Llc Metering of particulate material and vaporization thereof
US20100206234A1 (en) 2009-02-17 2010-08-19 Michael Long Simplified powder feeding and vaporization apparatus
WO2012175128A1 (en) * 2011-06-22 2012-12-27 Aixtron Se Vapor deposition system and supply head
CN103469172B (zh) * 2013-08-31 2015-08-05 上海膜林科技有限公司 石英晶体镀膜厚度控制方法及石英晶体镀膜装置
CN204384296U (zh) 2014-12-16 2015-06-10 赛鼎工程有限公司 一种带滚子的刚性叶轮给料机
CN106119781B (zh) * 2016-07-27 2018-10-30 京东方科技集团股份有限公司 蒸发装置、蒸镀设备和蒸镀方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2848871Y (zh) * 2005-05-03 2006-12-20 杨林 生产彩虹膜或纸的高真空电镀设备
CN203976897U (zh) * 2013-10-11 2014-12-03 京东方科技集团股份有限公司 蒸发源装置和真空蒸镀设备
CN105177507A (zh) * 2015-09-08 2015-12-23 京东方科技集团股份有限公司 蒸镀坩埚及蒸镀设备

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US20190185990A1 (en) 2019-06-20

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