JP2013207268A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板処理装置1は、チャンバー4内の気温および上面ノズル7から吐出される処理液の温度を測定する温度測定装置10、17と、チャンバー4内の気温および上面ノズル7から吐出される処理液の温度を変更する温度調整装置11、16と、ある気温に対応する処理液の温度がその気温よりも低温になるように設定された気温と処理液の温度との対応関係を示すマップM1が記憶された記憶装置19と、温度測定装置10、17の測定値とマップM1とに基づいてチャンバー4内の気温または上面ノズル7から吐出される処理液の温度の目標値を設定し、温度調整装置11、16を制御することにより、チャンバー4内の気温または上面ノズル7から吐出される処理液の温度を目標値に近づける温度制御装置3とを含む。
【選択図】図1
Description
特許文献1に記載の枚葉式の基板処理装置は、基板を水平に保持して回転させるスピンチャックと、回転状態の基板の上面中央部に向けて室温よりも高温の処理液を吐出するノズルとを備えている。ノズルから吐出された高温の処理液は、基板の上面中央部に着液し、遠心力によって基板上を外方に広がる。これにより、高温の処理液が基板の上面全域に供給される。
そこで、本発明の目的は、処理の均一性を高めることができる基板処理装置を提供することである。
請求項3に記載の発明は、基板保持回転手段によってチャンバー内で基板を水平に保持して基板を通る鉛直な回転軸線まわりに回転させる保持回転工程と、前記保持回転工程と並行して、前記基板保持回転手段に保持されている基板の中央部に向けて処理液供給手段から処理液を吐出する処理液供給工程と、前記処理液供給工程の前に、温度測定手段によって前記チャンバー内の気温および前記処理液供給手段から吐出される処理液の温度の少なくとも一方を測定する温度測定工程と、前記温度測定工程の後に、前記チャンバー内の気温または前記処理液供給手段から吐出される処理液の温度の目標値を、前記温度測定手段の測定値と、ある気温に対応する処理液の温度がその気温よりも低温になるように設定された気温と処理液の温度との対応関係を示すマップとに基づいて、温度差制御手段によって設定する目標値設定工程と、前記処理液供給工程の前に、前記温度差制御手段によって温度調整手段を制御することにより、前記チャンバー内の気温または前記処理液供給手段から吐出される処理液の温度を前記目標値設定工程で設定された前記目標値に近づける温度制御工程とを含む、基板処理方法である。この方法によれば、請求項1の発明に関して述べた効果と同様な効果を奏することができる。
図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置1に備えられた処理ユニット2の内部を示す模式図である。
基板処理装置1は、半導体ウエハなどの円板状の基板Wを1枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置1は、複数の処理ユニット2と、基板処理装置1に備えられた装置の動作やバルブの開閉を制御する制御装置3とを含む。
チャンバー4は、箱形の隔壁8と、隔壁8の上部から隔壁8内にクリーンエアー(清浄空気)を送る送風ユニットとしてのFFU9(ファン・フィルタ・ユニット9)と、チャンバー4内の気温を監視する気温測定装置10とを含む。FFU9は、隔壁8の上方に配置されており、隔壁8の天井に取り付けられている。気温測定装置10は、隔壁8内に配置されている。FFU9は、基板処理装置1が設置されたクリーンルーム内の室温(20〜30℃)の空気を取り込んでフィルターによってろ過すると共に、FFU9に内蔵された気温調整装置11によって温度調節する。気温調整装置11は、ヒータおよびクーラーのいずれであってもよい。FFU9は、ろ過された空気(クリーンエアー)を隔壁8の天井からチャンバー4内に送る。これにより、所定温度に調整されたクリーンエアーが、チャンバー4内に供給される。そのため、クリーンエアーの下降流(ダウンフロー)が、チャンバー4内に形成される。基板Wの処理は、チャンバー4内にダウンフローが形成されている状態で行われる。
図3において二点鎖線で示すように、チャンバー4内の気温が26℃のときも同様に、エッチングの均一性は上向きに開いた放物線を描く。すなわち、DHFの温度が約24℃のときに、エッチングの均一性が最も高く(値が最も小さく)、DHFの温度が24℃から離れるに従ってエッチングの均一性が低下する(値が大きくなる)。
たとえば、前述の実施形態では、気温調整装置11および液温調整装置16の両方が、処理ユニット2に設けられている場合について説明したが、液温調整装置16だけが処理ユニット2に設けられており、マップM1に示された対応関係を満たすように処理液の温度が調整されてもよい。また、クリーンルーム内の気温はほぼ一定であるので、気温調整装置11によってチャンバー4内の気温を変更しない場合には、気温測定装置10が省略されてもよい。
また、前述の実施形態では、基板処理装置1が、円板状の基板Wを処理する装置である場合について説明したが、基板処理装置1は、液晶表示装置用基板などの多角形の基板Wを処理する装置であってもよい。
3 :制御装置(記憶手段、温度制御手段)
4 :チャンバー
5 :スピンチャック(基板保持回転手段)
7 :上面ノズル(処理液供給手段)
10 :気温測定装置(温度測定手段)
11 :気温調整装置(温度調整手段)
16 :液温調整装置(温度調整手段)
17 :液温測定装置(温度測定手段)
19 :記憶装置(記憶手段)
20 :CPU(温度制御手段)
21 :下面ノズル(処理液供給手段)
A1 :回転軸線
M1 :マップ
Claims (3)
- チャンバーと、
前記チャンバー内で基板を水平に保持して基板を通る鉛直な回転軸線まわりに回転させる基板保持回転手段と、
前記基板保持回転手段に保持されている基板の中央部に向けて処理液を吐出する処理液供給手段と、
前記チャンバー内の気温および前記処理液供給手段から吐出される処理液の温度の少なくとも一方を測定する温度測定手段と、
前記チャンバー内の気温および前記処理液供給手段から吐出される処理液の温度の少なくとも一方を変更する温度調整手段と、
ある気温に対応する処理液の温度がその気温よりも低温になるように設定された気温と処理液の温度との対応関係を示すマップが記憶された記憶手段と、
前記温度測定手段の測定値と前記マップとに基づいて前記チャンバー内の気温または前記処理液供給手段から吐出される処理液の温度の目標値を設定し、前記温度調整手段を制御することにより、前記チャンバー内の気温または前記処理液供給手段から吐出される処理液の温度を前記目標値に近づける温度制御手段とを含む、基板処理装置。 - 前記目標値は、前記チャンバー内の気温が前記処理液供給手段から吐出される処理液の温度よりも2℃高くなる値である、請求項1に記載の基板処理装置。
- 基板保持回転手段によってチャンバー内で基板を水平に保持して基板を通る鉛直な回転軸線まわりに回転させる保持回転工程と、
前記保持回転工程と並行して、前記基板保持回転手段に保持されている基板の中央部に向けて処理液供給手段から処理液を吐出する処理液供給工程と、
前記処理液供給工程の前に、温度測定手段によって前記チャンバー内の気温および前記処理液供給手段から吐出される処理液の温度の少なくとも一方を測定する温度測定工程と、
前記温度測定工程の後に、前記チャンバー内の気温または前記処理液供給手段から吐出される処理液の温度の目標値を、前記温度測定手段の測定値と、ある気温に対応する処理液の温度がその気温よりも低温になるように設定された気温と処理液の温度との対応関係を示すマップとに基づいて、温度差制御手段によって設定する目標値設定工程と、
前記処理液供給工程の前に、前記温度差制御手段によって温度調整手段を制御することにより、前記チャンバー内の気温または前記処理液供給手段から吐出される処理液の温度を前記目標値設定工程で設定された前記目標値に近づける温度制御工程とを含む、基板処理方法。
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Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63244845A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-12 | Toshiba Corp | 処理装置 |
JPS6464219A (en) * | 1987-09-02 | 1989-03-10 | Nec Corp | Developing device |
JPH02191571A (ja) * | 1989-01-19 | 1990-07-27 | Tokyo Electron Ltd | 塗布装置 |
JPH03178123A (ja) * | 1989-12-06 | 1991-08-02 | Sharp Corp | スピンコーターの塗布膜厚安定化システム |
US5635463A (en) * | 1995-03-17 | 1997-06-03 | Purex Co., Ltd. | Silicon wafer cleaning fluid with HN03, HF, HCl, surfactant, and water |
JPH11150176A (ja) * | 1997-11-18 | 1999-06-02 | Tokyo Electron Ltd | 基板保持方法,基板保持装置及び基板処理方法 |
JPH11216664A (ja) * | 1998-01-30 | 1999-08-10 | Ebara Corp | 研磨テーブル及び研磨装置 |
JP2004214449A (ja) * | 2003-01-06 | 2004-07-29 | Nec Kansai Ltd | 液処理装置及び液処理方法 |
JP2006344907A (ja) * | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2007220989A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法、基板処理装置、その制御プログラム及びコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
JP2011171708A (ja) * | 2010-01-25 | 2011-09-01 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置、処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP2011211092A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および処理液温度測定方法 |
JP2012069696A (ja) * | 2010-09-22 | 2012-04-05 | Toshiba Corp | 基板の処理装置および基板の処理方法 |
WO2012073743A1 (ja) * | 2010-12-02 | 2012-06-07 | Hoya株式会社 | 液体供給装置およびレジスト現像装置 |
JP2012525715A (ja) * | 2009-04-30 | 2012-10-22 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 化学機械研磨の温度制御 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW459266B (en) * | 1997-08-27 | 2001-10-11 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing method |
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Patent Citations (15)
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---|---|---|---|---|
JPS63244845A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-12 | Toshiba Corp | 処理装置 |
JPS6464219A (en) * | 1987-09-02 | 1989-03-10 | Nec Corp | Developing device |
JPH02191571A (ja) * | 1989-01-19 | 1990-07-27 | Tokyo Electron Ltd | 塗布装置 |
JPH03178123A (ja) * | 1989-12-06 | 1991-08-02 | Sharp Corp | スピンコーターの塗布膜厚安定化システム |
US5635463A (en) * | 1995-03-17 | 1997-06-03 | Purex Co., Ltd. | Silicon wafer cleaning fluid with HN03, HF, HCl, surfactant, and water |
JPH11150176A (ja) * | 1997-11-18 | 1999-06-02 | Tokyo Electron Ltd | 基板保持方法,基板保持装置及び基板処理方法 |
JPH11216664A (ja) * | 1998-01-30 | 1999-08-10 | Ebara Corp | 研磨テーブル及び研磨装置 |
JP2004214449A (ja) * | 2003-01-06 | 2004-07-29 | Nec Kansai Ltd | 液処理装置及び液処理方法 |
JP2006344907A (ja) * | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2007220989A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法、基板処理装置、その制御プログラム及びコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
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