TW201438089A - 基板處理方法及基板處理裝置 - Google Patents

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Tatsuya Fujii
Toru Endo
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Abstract

進行掃描步驟(S3)，其以使相對旋轉狀態之基板之蝕刻液的液體附著位置係自基板之主表面周緣部而朝向基板之主表面中央部移動之方式，一方面自噴嘴噴吐蝕刻液一方面使噴嘴產生移動。然後，進行中央噴吐步驟(S4)，其在使液體附著位置位於基板之主表面中央部的狀態下繼續朝向基板之主表面而加以供給蝕刻液。在掃描步驟(S3)中之液體附著位置之移動速度，係配合液體附著位置位於基板之主表面中央部的狀態下之朝向基板之蝕刻液的供給條件而被加以確定。

Description

基板處理方法及基板處理裝置
本發明係關於一種朝旋轉中之基板之表面或背面供給蝕刻液而實施蝕刻處理之基板處理方法、及進行此基板處理方法之基板處理裝置。作為處理對象之基板，例如包括半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、FED(Field Emission Display)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等。
日本專利特開2002-336761號公報所記載之基板處理裝置，其包含使基板保持水平進行旋轉之旋轉夾頭、及朝保持於旋轉夾頭上之基板供給處理液之供液噴嘴。
供液噴嘴係被保持於保持部上。保持部係被支持於旋轉支軸，旋轉支軸連結於正‧反旋轉馬達之旋轉軸。此外，供液噴嘴連接有供液配管，供液配管連接有連接於蝕刻液供給部之蝕刻液供給管。供液噴嘴中供給有蝕刻液。自供液噴嘴噴吐之蝕刻液，係於利用旋轉夾頭使基板旋轉之狀態下被供給於基板。
具體而言，於供液噴嘴噴吐蝕刻液之狀態下，正‧反旋轉馬達以使蝕刻液之對基板上面的液體附著位置自基板之周緣部朝基板之中央部移動之方式使供液噴嘴轉動(掃描步驟)。並且，當蝕刻液之 液體附著位置移動至基板之中央部時，正‧反旋轉馬達使供液噴嘴之轉動停止。自供液噴嘴朝基板中央部之蝕刻液之噴吐，在供液噴嘴之轉動停止後仍持續規定時間(中央噴吐步驟)。來自供液噴嘴之蝕刻液之噴吐停止後，正‧反旋轉馬達使正‧反旋轉馬達之旋轉軸反向轉動，以使供液噴嘴自基板之上方退避。
日本專利特開2002-336761號公報所記載之基板處理裝置，係著眼於中央噴吐步驟之基板主表面周緣部與基板主表面中央部之蝕刻量之差、及掃描步驟之基板主表面周緣部與基板主表面中央部之蝕刻量之差，進行蝕刻處理。
更具體而言，於中央噴吐步驟中供給於基板主表面之蝕刻液之溫度，因氣化熱之影響，隨著越朝向基板主表面之周緣部而逐漸降低。因此，基板主表面之中央部比基板主表面之周緣部蝕刻的更深，蝕刻量係自基板主表面之周緣部朝向基板主表面之中央部而呈同心圓狀地增加。相反，於掃描步驟中，由於基板主表面之周緣部比基板主表面之中央部更長時間地接續蝕刻液，因此比基板主表面之中央部蝕刻的更深，蝕刻量係自基板主表面之中央部朝向基板主表面之周緣部而呈同心圓狀地增加。
日本專利特開2002-336761號公報所記載之基板處理裝置，係為了將基板主表面周緣部與基板主表面中央部之蝕刻量之差抵消，而進行掃描步驟及中央噴吐步驟。因此，比僅進行中央噴吐步驟之情況，可更加提高蝕刻之均勻性。
然而，若中央噴吐步驟之蝕刻液之供給條件(中央噴吐條件)變化，藉由中央噴吐步驟而獲得之蝕刻狀態(蝕刻量之分布)也會發生變化。因此，若未將掃描速度等之掃描步驟之蝕刻液的供給條件 (掃描條件)按照中央噴吐條件之變化而變更時，會有最終之蝕刻之均勻性降低之情況。日本專利特開2002-336761號公報所記載之基板處理裝置中，未考慮到該情形，因而有因蝕刻條件造成均勻性降低之情況。
此外，隨著形成於基板之元件之高度化，需要更高之蝕刻均勻性。並且，對任一之蝕刻量皆要求高蝕刻均勻性。
日本專利特開平11-307492號公報揭示一種方法，該方法係遵照一定之運算式(V1=V0/R)使掃描速度變化。同樣地，U.S.Patent Application Publication No.2012/318304 A1揭示一種方法，該方法係遵照一定之運算式(V(r)×Ra=一定)使掃描速度變化。
基板周緣部之蝕刻量比基板中央部之蝕刻量減少，而蝕刻之均勻性惡化一事，早已周知。若採用日本專利特開平11-307492號公報或U.S.Patent Application Publication No.2012/318304 A1所記載之方法，也許能緩和因基板周緣部之蝕刻量的降低而造成蝕刻之均勻性惡化之情況。
然而，基板中央部之蝕刻量與基板周緣部之蝕刻量之差，並不是以如上述之一律之關係式就能抵消者。此外，基板周緣部之蝕刻動作，係根據每個蝕刻條件而異。因此，現實中需要通過實驗找出抑制基板周緣部之蝕刻量降低之條件。
日本專利特開平11-307492號公報及U.S.Patent Application Publication No.2012/318304 A1所記載之習知方法，與本發明不同，無法滿足這些要求。
並且，這些方法係連續地使掃描速度變化。掃描速度連續地變化之情況，與掃描速度一定之情況或掃描速度階段性地變化之情況比較，其控制複雜。因此以掃描速度一定或階段性地變化為較佳。
本發明之目的在於，藉由根據中央噴吐條件之變化對掃描條件進行調整，而進行對基板主表面均勻性高之蝕刻處理。
本發明之一實施形態，提供一種基板處理方法，其為用於處理基板之基板處理方法，其包含有以下之步驟：掃描速度確定步驟，其配合蝕刻液所附著之液體附著位置係位於基板主表面之中央部的狀態下而朝向上述基板之蝕刻液的供給條件，加以確定自上述基板主表面之周緣部而朝向上述基板主表面之中央部之上述液體附著位置的移動速度；掃描步驟，其使上述基板繞著通過上述基板主表面之旋轉軸線而加以旋轉，並且以使上述液體附著位置係藉由在上述掃描速度確定步驟中所確定之上述移動速度而自上述基板主表面之周緣部移動至上述基板主表面之中央部之方式，一方面自噴嘴噴吐蝕刻液一方面使上述噴嘴產生移動；及中央噴吐步驟，其使上述基板繞著上述旋轉軸線而加以旋轉，並且在使上述液體附著位置位於上述基板主表面之中央部的狀態下而繼續朝向上述基板主表面噴吐蝕刻液。蝕刻液之供給條件係蝕刻液之濃度、蝕刻液之溫度、蝕刻液之供給時間及蝕刻液之種類之中之至少一個。
根據此方法，自噴嘴噴吐之蝕刻液被供給於繞旋轉軸線旋轉之基板。具體而言，以使蝕刻液對基板主表面之液體附著位置以規定之移動速度自基板主表面之周緣部移動至基板主表面之中央部之方式對噴嘴進行驅動(掃描步驟)。然後，於液體附著位置位於基板主表面之中央部之狀態下，繼續自噴嘴噴吐蝕刻液(中央噴吐步驟)。掃描步驟中之液體附著位置之移動速度(掃描速度)，係根據液體附著位置位於基板主表面之中央部之狀態下朝基板供給蝕刻液之供給條件、即中央 噴吐步驟中之蝕刻液之供給條件(中央噴吐條件)而被預先確定(掃描速度確定步驟)。因此，即使中央噴吐條件有被變更，仍進行對應於此之掃描步驟，因而可對基板主表面之全區域均勻地進行蝕刻。藉此，可於所有之蝕刻條件下提高基板之面內均勻性。
本發明之一實施形態中，上述掃描速度確定步驟係亦可為確定上述移動速度之步驟，而該移動速度係配合上述液體附著位置位於上述基板主表面之中央部之狀態下而朝向上述基板之蝕刻液的供給時間。
根據此方法，確定根據蝕刻液之供給時間之掃描速度。因此，可根據藉由中央噴吐步驟而獲得之蝕刻量之分布，使藉由掃描步驟而獲得之蝕刻量的分布變化。藉此，可確實地提高基板之蝕刻量之面內均勻性。又，蝕刻液之供給時間係線性變化之參數(變數)，因而可容易進行求取液體附著位置之移動速度之運算。
本發明之一實施形態中，上述掃描速度確定步驟係亦可為從表格而加以確定上述液體附著位置的移動速度之步驟，而該表格係顯示在上述液體附著位置位於上述基板主表面之中央部之狀態下之上述蝕刻液的供給時間與上述液體附著位置的移動速度之對應關係。
根據此方法，可自顯示蝕刻液之供給時間與液體附著位置之移動速度(掃描速度)之對應關係之表格來確定掃描速度。亦即，由於蝕刻液之供給時間與掃描速度之對應關係被預先求得，因而可根據蝕刻液之供給時間，確定適宜之掃描速度。
本發明之一實施形態中，上述掃描速度確定步驟係亦可為從表格而加以確定上述液體附著位置的移動速度之步驟，而該表格係顯示於上述液體附著位置位於上述基板主表面之中央部之狀態下之 上述蝕刻液的供給時間與自上述基板主表面之周緣部至上述基板主表面之中央部之上述液體附著位置的移動時間之對應關係。
根據此方法，可自顯示蝕刻液之供給時間與液體附著位置之移動時間之對應關係之表格來確定掃描速度。亦即，由於蝕刻液之供給時間與掃描時間之對應關係被預先求得，因而可根據蝕刻液之供給時間，確定適宜之掃描速度。
本發明之一實施形態中，上述表格係亦可包含有，利用自上述表格所確定之上述液體附著位置的移動速度而加以進行上述掃描步驟及中央噴吐步驟時之蝕刻均勻度。上述掃描速度確定步驟係亦可包含有，於進行上述掃描步驟及中央噴吐步驟之前，判斷於上述表格內所包含之上述蝕刻均勻度是否在容許範圍內之步驟。
本發明之一實施形態中，上述表格係亦可包含有複數個查詢表，而該查詢表係配合在上述中央噴吐步驟中，供給至基板之蝕刻液的每一個供給流量而加以設置。上述掃描速度確定步驟係亦可包含有：自上述複數個查詢表中之蝕刻液之供給流量為最小時的查詢表而依序對上述蝕刻均勻度在容許範圍內之上述液體附著位置的移動速度進行檢索之步驟；當找到上述蝕刻均勻度在容許範圍內之上述液體附著位置的移動速度，則將上述液體附著位置的移動速度之檢索加以停止之步驟；及將找到之上述液體附著位置的移動速度，作為在上述掃描步驟中之上述液體附著位置的移動速度而加以確定之步驟。
本發明之一實施形態中，上述掃描速度確定步驟係亦可為按照在上述基板主表面之周緣部與上述基板主表面之中央部之間之複數個中之每一個區間而加以確定上述液體附著位置的移動速度之步驟。
根據此方法，按照在基板主表面之周緣部與基板主表面之中央部之間之複數個中之每一個區間而加以確定掃描速度。亦即，於液體附著位置朝基板主表面之中央部移動之途中將掃描速度變更。僅進行中央噴吐步驟時之蝕刻量之分布，既有相對於朝基板之旋轉半徑方向之距離以大致一定之比例變化之情況，也有其變化之比例於途中大幅變化之情況。因此，即使於此種情況下，藉由按複數之區間之每個來確定掃描速度，可更加確實地提高基板之蝕刻量之面內均勻性。
本發明之一實施形態中，上述掃描速度確定步驟係亦可從表格而按照在上述基板主表面之周緣部與上述基板主表面之中央部之間之複數個中之每一個區間而加以確定上述液體附著位置的移動速度，而該表格係顯示按照在上述基板主表面之周緣部與上述基板主表面之中央部之間之複數個中之每一個區間之每個而所設定之複數個移動速度。
本發明之其他實施形態，提供一種基板處理裝置，其為用於處理基板之基板處理裝置，其包含有：基板保持旋轉單元，其保持上述基板並且使上述基板繞著通過基板主表面之旋轉軸線而加以旋轉；蝕刻液供給機構，其包括有朝向由上述基板保持旋轉單元所保持之上述基板之主表面噴吐蝕刻液之噴嘴；噴嘴移動機構，其藉由使上述噴嘴產生移動，使自上述噴嘴所噴吐之蝕刻液所附著之液體附著位置，移動在上述基板之主表面內；及控制裝置，其對上述基板保持旋轉單元、蝕刻液供給機構、及噴嘴移動機構進行控制。
上述控制裝置係執行以下之步驟：掃描速度確定步驟，其配合上述液體附著位置位於上述基板主表面之中央部的狀態下而朝向上述基板之蝕刻液的供給條件，加以確定自上述基板主表面之周緣 部而朝向上述基板主表面之中央部之上述液體附著位置的移動速度；掃描步驟，其藉由上述基板保持旋轉單元而使上述基板繞著上述旋轉軸線而加以旋轉，並且以使上述液體附著位置係藉由在上述掃描速度確定步驟中所確定之上述移動速度而自上述基板主表面之周緣部移動至上述基板主表面之中央部之方式，一方面自上述噴嘴噴吐蝕刻液一方面藉由上述噴嘴移動機構使上述噴嘴產生移動；及中央噴吐步驟，其藉由上述基板保持旋轉單元使上述基板繞著上述旋轉軸線而加以旋轉，並且在使上述液體附著位置位於上述基板主表面之中央部的狀態下而繼續朝向上述基板主表面噴吐蝕刻液。根據此構成，可獲得與上述功效同樣之功效。
本發明之其他實施形態中，上述控制裝置係亦可在上述掃描速度確定步驟中，確定上述移動速度，而該移動速度係配合上述液體附著位置位於上述基板主表面之中央部的狀態下而朝向上述基板之蝕刻液的供給時間。根據此構成，可獲得與上述功效同樣之功效。
本發明之其他實施形態中，上述控制裝置係亦可包含有記憶表格之記憶裝置，而該表格係顯示上述蝕刻液的供給時間與上述液體附著位置的移動速度之對應關係。此情況下，上述控制裝置係亦可在上述掃描速度確定步驟中，從上述表格而加以確定上述液體附著位置的移動速度。根據此構成，可獲得與上述功效同樣之功效。
本發明之其他實施形態中，上述控制裝置係亦可包含有記憶表格之記憶裝置，而該表格係顯示上述液體附著位置位於上述基板主表面之中央部之狀態下之上述蝕刻液的供給時間與自上述基板主表面之周緣部至上述基板主表面之中央部之上述液體附著位置的移動時間之對應關係。此情況下，上述控制裝置係亦可在上述掃描速度確 定步驟中，從上述表格而加以確定上述液體附著位置的移動速度。根據此構成，可獲得與上述功效同樣之功效。
本發明之其他實施形態中，上述表格係亦可包含有，利用自上述表格所確定之上述液體附著位置的移動速度而加以進行上述掃描步驟及中央噴吐步驟時之蝕刻均勻度。上述掃描速度確定步驟係亦可包含有，於進行上述掃描步驟及中央噴吐步驟之前，判斷於上述表格內所包含之上述蝕刻均勻度是否在容許範圍內之步驟。
本發明之其他實施形態中，上述表格係亦可包含有複數個查詢表，而該複數個查詢表係配合在上述中央噴吐步驟中，供給至基板之蝕刻液的每一個供給流量而加以設置，上述掃描速度確定步驟係包含有：自上述複數個查詢表中之蝕刻液之供給流量為最小時的查詢表而依序對上述蝕刻均勻度在容許範圍內之上述液體附著位置的移動速度進行檢索之步驟；當找到上述蝕刻均勻度在容許範圍內之上述液體附著位置的移動速度，則將上述液體附著位置的移動速度之檢索加以停止之步驟；及將找到之上述液體附著位置的移動速度，作為在上述掃描步驟中之上述液體附著位置的移動速度而加以確定之步驟。
本發明之其他實施形態中，上述控制裝置係亦可在上述掃描速度確定步驟中，按照在上述基板主表面之周緣部與上述基板主表面之中央部之間之複數個中之每一個區間而加以確定上述液體附著位置的移動速度。根據此構成，可獲得與上述功效同樣之功效。
本發明之其他實施形態中，上述控制裝置係亦可包含有記憶表格之記憶裝置，而該表格係顯示按照在上述基板主表面之周緣部與上述基板主表面之中央部之間之複數個中之每一個區間而所設定之複數個移動速度。上述控制裝置係亦可在上述掃描速度確定步驟 中，從上述表格而按照上述基板主表面之周緣部與上述基板主表面之中央部之間之複數個中之每一個區間而加以確定上述液體附著位置的移動速度。
本發明之前述或其他之目的、特徵及功效，參照添加之圖式且根據以下所述之實施形態之說明，應能容易瞭解。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧旋轉夾頭
3‧‧‧蝕刻液供給機構
4‧‧‧噴嘴移動機構
5‧‧‧清洗液供給機構
6‧‧‧控制裝置
7‧‧‧處理室
21‧‧‧馬達
22‧‧‧旋轉軸
23‧‧‧旋轉基台
24‧‧‧基板挾持構件
31‧‧‧蝕刻液噴嘴
32‧‧‧蝕刻液供給配管
33‧‧‧蝕刻液閥
41‧‧‧噴嘴臂
42‧‧‧噴嘴臂驅動機構
43‧‧‧旋轉馬達
44‧‧‧噴嘴臂支持軸
51‧‧‧清洗液噴嘴
52‧‧‧清洗液供給配管
53‧‧‧清洗液閥
61‧‧‧CPU
62‧‧‧記憶裝置
63‧‧‧指示部
64‧‧‧步驟參數
65‧‧‧表格
L1‧‧‧旋轉軸線
L2‧‧‧轉動軸線
T‧‧‧軌跡
W‧‧‧基板
圖1為水平觀察本發明之第一實施形態之基板處理裝置所具備之處理室內之構成之示意圖。
圖2為本發明之第一實施形態之旋轉夾頭之俯視示意圖。
圖3為用以說明本發明之第一實施形態之控制裝置的功能構成之方塊圖。
圖4為用以說明藉由本發明之第一實施形態之基板處理裝置所進行的基板之處理步驟之一例之流程圖。
圖5為用以說明本發明之第一實施形態之掃描速度的設定步驟之一例之流程圖。
圖6為顯示本發明之第一實施形態之基板之表面蝕刻量的分布之曲線圖。
圖7為顯示本發明之第一實施形態之蝕刻處理時間與基板之表面中央部及基板之表面周緣部之蝕刻量的差之關係之曲線圖。
圖8為顯示進行本發明之第一實施形態之掃描步驟及中央噴吐步驟時之基板之表面蝕刻量的分布之曲線圖。
圖9為表示本發明之第一實施形態之蝕刻處理時間與掃描速度之關係之曲線圖。
圖10為用以對本發明之其他實施形態之掃描速度進行說明之曲線圖。
圖11為顯示記憶於控制裝置之查詢表之一例之表。
圖12為顯示記憶於控制裝置之查詢表之另一例之表。
圖1為水平觀察本發明之第一實施形態之基板處理裝置所具備之處理室內之構成之示意圖。圖2為本發明之第一實施形態之旋轉夾頭之俯視示意圖。圖3為用以說明本發明之第一實施形態之控制裝置之功能構成之方塊圖。
基板處理裝置1係對半導體晶圓等之圓板狀之基板W一片一片地進行處理之單片式之裝置。被施以處理之基板W之主表面，可為元件形成面之表面，也可為沒有形成元件之另一表面之背面。以下，對基板W之表面被處理之例子進行說明。
基板處理裝置1包含：旋轉夾頭2(基板保持旋轉單元)；蝕刻液供給機構3；噴嘴移動機構4；清洗液供給機構5；及控制裝置6。旋轉夾頭2係收容於藉由未圖示之隔壁所劃分之處理室7內。
旋轉夾頭2包含：用以使基板W旋轉之馬達21；自馬達21鉛直延伸之筒狀之旋轉軸22；安裝於旋轉軸22上端之旋轉基台23；及於旋轉基台23上水平地挾持基板W之複數個基板挾持構件24。
旋轉軸22之下端係安裝於馬達21。亦即，旋轉基台23及被保持於旋轉基台23上之基板W，係藉由馬達21驅動，而繞通過該基板W之中心的鉛直之旋轉軸線L1一體地旋轉。又，本實施形態中，例示了以複數個基板挾持構件24於水平方向挾持基板W而水平地挾持該基板W之挾持式旋轉夾頭2，但旋轉夾頭2也可為吸附保持 基板W之下面(背面)之真空式夾頭。
蝕刻液供給機構3包含蝕刻液噴嘴31、蝕刻液供給配管32及蝕刻液閥33。蝕刻液供給配管32連接於蝕刻液噴嘴31。蝕刻液閥33介設於蝕刻液供給配管32。
若開啟蝕刻液閥33，則自蝕刻液供給配管32朝蝕刻液噴嘴31供給蝕刻液。此外，若關閉蝕刻液閥33，則停止自蝕刻液供給配管32朝蝕刻液噴嘴31之蝕刻液的供給。自蝕刻液噴嘴31噴吐之蝕刻液，係供給於保持在旋轉夾頭2之基板W之表面(上面)。
自蝕刻液供給機構3朝基板W供給之蝕刻液，係氟酸(氫氟酸)及DHF(Dilute Hydrogen Fluoride)等之含氟化氫之液體。蝕刻液不限為氟酸及DHF，也可為TMAH(四甲基氫氧化銨)、BHF(Buffered Hydrogen Fluoride：緩衝氫氟酸)、及氟硝酸、SC-1(ammonia-hydrogen peroxide mixture：氨-過氧化氫混合物)之任一種。
噴嘴移動機構4包含噴嘴臂41、及驅動噴嘴臂41之噴嘴臂驅動機構42。噴嘴臂驅動機構42更包括旋轉馬達43、及可轉動地保持於旋轉馬達43之噴嘴臂支持軸44(參照圖2)。旋轉馬達43之驅動力，係經由噴嘴臂支持軸44傳遞至噴嘴臂41。
噴嘴臂41之一端係可轉動地連結支持於噴嘴臂支持軸44上。此外，噴嘴臂41之另一端係保持蝕刻液噴嘴31。藉由旋轉馬達43之驅動，使噴嘴臂41繞通過噴嘴臂支持軸44之鉛直之轉動軸線L2轉動。藉此，蝕刻液噴嘴31也相應於噴嘴臂41之轉動而繞轉動軸線L2轉動。
如圖2所示，噴嘴移動機構4係使噴嘴臂41及蝕刻液噴嘴31以如下方式移動，即，以使蝕刻液之對基板W表面的液體附 著位置沿俯視為通過基板W之表面周緣部及基板W之表面中央部之圓弧狀軌跡T移動之方式。又，噴嘴移動機構4係使噴嘴臂41及蝕刻液噴嘴31以如下方式移動，即，以使噴嘴臂41及蝕刻液噴嘴31往返於處理室7內之規定的退避位置及與基板W之表面對向的區域之間之方式。
清洗液供給機構5包含清洗液噴嘴51、清洗液供給配管52及清洗液閥53。清洗液供給配管52連接於清洗液噴嘴51。清洗液閥53係介設於清洗液供給配管52。
若開啟清洗液閥53，則自清洗液供給配管52朝清洗液噴嘴51供給清洗液。此外，若關閉清洗液閥53，則停止自清洗液供給配管52朝清洗液噴嘴51之清洗液的供給。自清洗液噴嘴51噴吐之清洗液，係供給於保持在旋轉夾頭2之基板W之表面中央部。
作為自清洗液供給機構5供給於基板W之清洗液，可例示出純水(脫離子水：Deionized Water)、碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水、或稀釋濃度(例如為10~100ppm程度)之鹽酸水等。
如圖3所示，控制裝置6包括CPU61(中央處理裝置61)及記憶裝置62，且與指示部63連接。此外，控制裝置6連接於旋轉夾頭2、蝕刻液供給機構3、噴嘴移動機構4及清洗液供給機構5。CPU61依序執行記憶於記憶裝置62中之程式，以發揮各種之功能。此外，CPU61根據來自指示部63之輸入信號，將資料記憶於記憶裝置62。
CPU61讀取記憶於記憶裝置62之資料，對旋轉夾頭2、蝕刻液供給機構3、噴嘴移動機構4及清洗液供給機構5之各個發出指令。更具體而言，CPU61對旋轉夾頭2發出馬達21之旋轉指令及旋轉停止指令、暨基板W之挾持指令及挾持解除指令等。此時，CPU61係 控制馬達21之旋轉速度、旋轉時間及旋轉角等。此外，CPU61對蝕刻液供給機構3發出蝕刻液之供給指令、供給停止指令等。此時，CPU61係控制蝕刻液之供給時間(蝕刻處理時間)、蝕刻液之流量等。此外，CPU61對噴嘴移動機構4發出噴嘴臂41之轉動指令、轉動停止指令等。此時，CPU61係控制噴嘴臂41之轉動速度、轉動時間及轉動範圍(轉動角)等。並且，CPU61對清洗液供給機構5發出清洗液供給指令及供給停止指令等。此時，CPU61係控制清洗液之供給時間及清洗液之流量等。
如圖3所示，於記憶裝置62中記憶有顯示基板W之處理條件之步驟參數(Recipe)64。於記憶裝置62更記憶有顯示蝕刻處理時間與掃描速度之關係之表格65。
步驟參數64係用以執行規定之基板處理步驟之控制程式。步驟參數64例如包括馬達21之旋轉速度、馬達21之旋轉時間、馬達21之旋轉角、蝕刻處理時間、蝕刻液之流量、噴嘴臂41之轉動速度、噴嘴臂41之轉動時間、噴嘴臂41之轉動範圍、清洗液之供給時間、及清洗液之流量等中的含有2個以上之複數個條件。
圖4為用以說明藉由本發明之第一實施形態之基板處理裝置所進行之基板W之處理步驟之一例之流程圖。
作為處理對象之基板W，係自未圖示之基板搬送機器人交接給旋轉夾頭2。此時，旋轉夾頭2係被控制在旋轉停止狀態。基板W係於未被挾持之狀態下，以由基板挾持構件24所圍繞之方式水平載置於旋轉基台23上方(基板搬入步驟，步驟S1)。然後，基板搬送機器人退避，並由基板挾持構件24挾持基板W。接著，驅動旋轉夾頭2之馬達21，使旋轉基台23及基板W繞旋轉軸線L1一體地旋轉(基板保 持旋轉步驟，步驟S2)。
旋轉基台23及基板W之旋轉開始後，噴嘴臂41自處理室7內之規定的退避位置朝向基板W之表面周緣部轉動。並且，於蝕刻液噴嘴31與基板W之表面周緣部對向之位置上將蝕刻液閥33開啟，自蝕刻液噴嘴31對基板W之表面周緣部開始噴吐蝕刻液。然後，蝕刻液噴嘴31一面繼續蝕刻液之噴吐，一面自在上下方向與基板W之表面周緣部對向之位置至在上下方向與基板W之表面中央部對向之位置以規定之轉動速度(掃描速度)進行轉動。根據此動作，蝕刻液之液體附著位置也以規定之掃描速度自基板W之表面周緣部至基板W之表面中央部轉動。藉此，對基板W之表面實施蝕刻處理(掃描步驟，步驟S3)。
以規定之掃描速度進行掃描步驟後，蝕刻液噴嘴31在與基板W之表面中央部對向之位置上繼續規定時間之蝕刻液之噴吐。亦即，於蝕刻液之液體附著位置位於基板W之表面中央部的狀態下，對基板W之表面實施蝕刻處理(中央噴吐步驟，步驟S4)。
於掃描步驟及中央噴吐步驟中供給於基板W之表面的蝕刻液，藉由隨基板W之旋轉而產生之離心力，自基板W之表面中央部向基板W之表面周緣部擴散。並且，藉由蝕刻液之化學作用，對基板W之表面全區域實施蝕刻處理(蝕刻步驟)。
經進行了規定時間之中央噴吐步驟後，將蝕刻液閥33關閉，結束自蝕刻液噴嘴31之蝕刻液之噴吐。接著，噴嘴臂41自基板W之表面中央部朝向處理室7內之規定之退避位置轉動而退避。停止朝基板W供給蝕刻液之後，藉由開啟清洗液閥53，自清洗液噴嘴51對基板W之表面中央部供給清洗液。供給之清洗液藉由因基板W 之旋轉而產生之離心力，朝基板W之表面全區域擴散，對基板W之表面全區域進行沖洗而將蝕刻液更換(清洗步驟，步驟S5)。
經供給清洗液達規定之清洗處理時間後，將清洗液閥53關閉，停止清洗液之供給。接著，旋轉基台23被加速至比蝕刻步驟及清洗步驟之旋轉速度更高速之旋轉速度。附著於基板W之液體，藉由基板W之高速旋轉而被甩向周圍。如此，執行乾燥步驟(旋轉乾燥步驟，步驟S6)，將基板W乾燥。
經執行旋轉乾燥步驟達規定之乾燥處理時間後，停止旋轉夾頭2之旋轉。旋轉夾頭2停止後，解除基板挾持構件24對基板W之挾持。然後，藉由未圖示之基板搬送機器人抬起旋轉夾頭2上之基板W，自處理室7內搬出(基板搬出步驟，步驟S7)。
圖5為用以說明藉由本發明之第一實施形態之基板處理裝置1所進行之掃描速度的設定步驟之一例之流程圖。
朝基板W供給蝕刻液之蝕刻處理時間、即自蝕刻液噴嘴31朝向基板W噴吐蝕刻液之時間(前述之掃描步驟與中央噴吐步驟之和)，例如藉由用戶操作指示部63(例如觸控面板等之顯示及輸入裝置)而進行設定或變更。
例如，若蝕刻處理時間有變更，則控制裝置6之CPU61對變更後之蝕刻處理時間進行確認(處理條件確認步驟，步驟S8)。並且，將以後述之方法所確定之最適掃描速度作為表格65(參照圖3)記憶於控制裝置6之記憶裝置62。又，蝕刻處理時間與最適掃描速度之關係，係作為盡可能提高蝕刻均勻性之資料系列而被記憶，後述之圖9中匯總了最適值之一例。CPU61參照此表格65，對與被變更之蝕刻處理時間對應之掃描速度(蝕刻液之對基板W表面的液體附著位置之移 動速度)進行選擇並予確定(掃描速度確定步驟，步驟S9)。
然後，CPU61將設定於步驟參數64之掃描速度置換為所選出之掃描速度。因此，上述基板W之處理步驟之一例，係於將掃描速度設定為對應於蝕刻處理時間之適宜值之狀態下而進行。
表格65內所含之掃描速度之值，係根據蝕刻處理時間而確定之值，且是基於僅進行中央噴吐步驟時之蝕刻量之分布(具體為中央部與周緣部之蝕刻量之差)而設定。因此，以下對僅進行中央噴吐步驟時之蝕刻量之分布進行說明。
圖6為顯示本發明之第一實施形態之基板W之表面蝕刻量之分布之曲線圖。圖6之縱軸係基板W之表面蝕刻量，圖6之橫軸係以基板W之中心為基準的基板W之半徑方向之距離。
圖6之曲線顯示將蝕刻處理時間固定，且使蝕刻液之流量變化之情況下之基板W之表面蝕刻量的分布。圖6中以折線顯示之4個測量值，顯示於相同之蝕刻條件下僅將蝕刻液之流量改變之情況時的基板W之蝕刻量的分布。4個測量值之蝕刻液之流量，係2.0L/min、1.5L/min、1.0L/min、0.5L/min。各折線係連結共同之直徑上之複數個位置上之蝕刻量者。
根據圖6之4個測量值，於所有之條件下，基板W之表面中央部之蝕刻量多於基板W之表面周緣部。此外，若著眼於基板W之表面中央部之蝕刻量，則看不見在各條件下之蝕刻量上有太大之差。相對於此，若著眼於基板W之表面周緣部之蝕刻量，隨著蝕刻液之流量增多，蝕刻量也增多。也就是，基板W之表面周緣部之蝕刻量，於蝕刻液之流量為2.0L/min時為最大，於蝕刻液之流量為0.5L/min時為最小。
根據圖6之曲線可知，蝕刻量係自基板W之表面中央部朝向基板W之表面周緣部大致呈直線狀減少。亦即，可知蝕刻量係隨著自基板W之表面周緣部朝向基板W之表面中央部而呈同心圓狀且直線式地增多。
此外，可知隨著將蝕刻液之流量減少(省液)，基板W之表面周緣部之蝕刻量會變得比基板W之表面中央部之蝕刻量少。亦即，可知隨著省液，基板W之表面中央部(Center)與基板W之表面周緣部(Edge)之蝕刻量的差(C-E蝕刻量之差)增大，其蝕刻均勻性降低。
圖7為顯示蝕刻處理時間與基板之表面中央部及基板之表面周緣部之蝕刻量的差之關係之曲線圖。圖7之曲線顯示使蝕刻處理時間變化之情況之圖6的C-E蝕刻量之差(基板W之表面中央部(Center)與基板W之表面周緣部(Edge)之蝕刻量之差)之變化。圖7之縱軸係C-E蝕刻量之差，圖7之橫軸係蝕刻處理時間。圖7顯示測量值(實測值)及將該測量值直線近似之近似值，其中該測量值顯示將蝕刻液之流量固定在0.5L/min之情況之C-E蝕刻量之差。又，此近似直線係使用最小平方方法將測量值直線近似者。
根據圖7之曲線可知，僅進行中央噴吐步驟時之C-E蝕刻量之差，隨著蝕刻處理時間之增加而以大致一定之比例增加。亦即，C-E蝕刻量之差與蝕刻處理時間係，實質上之一次函數之關係。因此，藉由運算可求得任意之蝕刻處理時間之C-E蝕刻量之差。
如此，由於C-E蝕刻量之差與蝕刻處理時間係實質上之一次函數之關係，因而控制裝置6藉由根據蝕刻處理時間對掃描速度進行變更，可均勻地對基板W之上面全區域進行蝕刻。例如，若蝕刻處理時間增加，則中央噴吐步驟之C-E蝕刻量之差也增加，因此控制 裝置6藉由減慢掃描速度，可對基板W之上面全區域均勻地進行蝕刻。此外，若蝕刻處理時間減少，則中央噴吐步驟之C-E蝕刻量之差也減少，因此，控制裝置6藉由加快掃描速度，可對基板W之上面全區域均勻地進行蝕刻。
如此，若僅進行將蝕刻液之液體附著位置固定於基板W之上面中央部之中央噴吐步驟，則基板W之中央部之蝕刻量多於基板W之周緣部之蝕刻量。另一方面，若僅進行使蝕刻液之液體附著位置自基板W之周緣部移動至基板W之中央部之掃描步驟，則基板W之中央部之蝕刻量少於基板W之周緣部之蝕刻量。因此，若進行中央噴吐步驟及掃描步驟之雙方，可使藉由中央噴吐步驟而產生之C-E蝕刻量之差與藉由掃描步驟而產生之C-E蝕刻量的差相互抵消，而提高蝕刻均勻性。
圖8為顯示進行本發明之第一實施形態之掃描步驟及中央噴吐步驟時之基板之表面蝕刻量的分布之曲線圖。圖8之縱軸係基板W之表面之蝕刻量，圖8之橫軸係以基板W之中心為基準之基板W之半徑方向之距離。
圖8中由折線所示之3個測量值之掃描步驟及中央噴吐步驟的蝕刻液之流量係0.5L/min。此外，3個測量值之掃描步驟時之掃描速度，係第一速度、第二速度及第三速度。第一速度係比第二速度低速，第二速度係比第三速度低速(第一速度<第二速度<第三速度)。各折線係連結共同之直徑上之複數個位置之蝕刻量者。
經對圖6及圖8比較後可知，於進行了掃描步驟及中央噴吐步驟之圖8之任一條件下，蝕刻均勻性比僅進行中央噴吐步驟之情況提高。亦即，比藉由以根據蝕刻處理時間而確定之掃描速度進行 掃描步驟，而僅進行中央噴吐步驟之情況，基板W之表面更平坦化。
此外，如圖8所示，以第一速度及第二速度進行掃描步驟之情況的蝕刻均勻性，比以第三速度進行掃描步驟之情況的蝕刻均勻性差。這可認為是由於第一速度及第二速度比最適值還慢，因此在基板W之表面周緣部之蝕刻量增加，C-E蝕刻量之差發生逆轉而變大之原因。因此，於比第一速度及第二速度高速之第三速度中，提高蝕刻均勻性。
圖9為顯示本發明之第一實施形態之蝕刻處理時間與掃描速度之關係之曲線圖。
圖9中所示之折線顯示於圖4所示之基板W之處理步驟中均勻地進行蝕刻時之蝕刻處理時間與掃描速度之關係。圖9之折線係作為構成表格65之表格資料被記憶於控制裝置6(記憶裝置62)。亦即，表格65係基於圖9之折線而製成者。
圖9中，可知於選擇任意之蝕刻處理時間T之情況下，蝕刻均勻性最佳之掃描速度為V1。此外，基於此掃描速度V1及液體附著位置之移動距離(基板W之半徑)而計算出掃描時間T1。並且，藉由自蝕刻處理時間T減去此掃描時間T1，求得與掃描速度(掃描時間)對應之中央噴吐時間T2(=T-T1)。因此，藉由採用表格65內之值作為蝕刻處理時間及掃描速度，即可求得與最適之掃描速度對應之中央噴吐時間。
又，也可將蝕刻處理時間及掃描時間作為表格65記憶於控制裝置6。於此情況下，掃描速度係基於顯示蝕刻處理時間與蝕刻液之液體附著位置之移動時間之對應關係之表格65而算出。
如圖6所示，若增加供給於基板W之表面之蝕刻液之 流量，雖表面中央部之蝕刻量大致一定，但表面中央部與表面周緣部之蝕刻量之差(C-E蝕刻量之差)減少，蝕刻均勻性提高。另一方面，有欲減少藥液等之處理液之消費的用戶需求。因此，有需要尋找與此相反之需求(均勻性提高及消費量降低)之妥協點。
若蝕刻液之供給流量不同，則有圖9之T-V1之關係(蝕刻處理時間-掃描速度之關係)也不同之情況。因此，如圖3所示，控制裝置6將按每個蝕刻液之供給流量而設之複數個表格65(查詢表)記憶於記憶裝置62。各表格65係基於實驗地所求得之T-V1之關係式而製成。
例如，於給予有蝕刻液之供給流量之情況下，控制裝置6係參照存放有與此蝕刻液之供給流量對應之T-V1曲線之查詢表。
如圖11所示，各查詢表係存放T-V1資料(各蝕刻處理時間及與此對應之掃描速度)。以各查詢表係存放蝕刻之均勻度σ之測量資料為較適。蝕刻之均勻度σ係以自T-V1曲線所求取之最適之掃描速度V1進行圖4所示之處理步驟時之實驗值。蝕刻之均勻度σ係自蝕刻量之最大值減去蝕刻量之最小值之值、或蝕刻量之偏差。
於蝕刻之均勻度σ被存放於查詢表之情況下，控制裝置6可於執行處理步驟之前，對藉由某一掃描速度所進行之處理步驟是否與所需之均勻度要件一致進行判斷。
具體而言，於事先未提供蝕刻液之供給流量之情況下，控制裝置6參照存放有關於低流量(例如，0.5L/min)之T-V1資料之查詢表，求取與所供給之蝕刻處理時間T對應之均勻度σ。此時，若蝕刻之均勻度σ在容許範圍外(用戶要求之範圍以外)，控制裝置6參照存放有關於更高流量之T-V1資料之查詢表，求取均勻度σ。控制裝置6 反複地進行同樣之操作，直到找出均勻度σ落在容許範圍內之條件為止(大流量例如為4L/min)。
若找到蝕刻之均勻度σ落在容許範圍內之掃描速度，控制裝置6停止對掃描速度之檢索。並且，控制裝置6將找出之掃描速度確定作為掃描步驟(圖4之步驟S3)中之掃描速度。因此，可一面提高蝕刻之均勻性，一面減低蝕刻液之消費量。
如上述，本實施形態中，藉由對中央噴吐步驟之基板W的表面蝕刻量之分布進行調查，可確定掃描時間及掃描速度之條件(掃描條件)。其結果，可對基板W之表面全區域實施均勻性高之蝕刻處理。
此外，即使蝕刻液之流量、濃度及溫度、基板W之旋轉速度、暨基板W之面積、大小等之條件不同，藉由對根據此不同條件之中央噴吐步驟的蝕刻量之分布進行調查，仍可計算出每個不同條件之掃描條件。其結果，即使於範圍大之蝕刻條件下，也可採用該方法。藉此，於範圍大之蝕刻條件下，可對基板W之表面全區域實施均勻性高之蝕刻處理。
又，控制裝置6係可將最適化之掃描條件及中央噴吐條件記憶於記憶裝置62，因此藉由使記憶於記憶裝置62之條件再現，可均勻地對複數片之基板W之各個進行處理。
以上對本發明之第一實施形態進行了說明，惟本發明不只限於上述第一實施形態之內容，也可於申請專利範圍內進行各種之變更。
例如，第一實施形態之掃描步驟中，對噴嘴移動機構4使蝕刻液噴嘴31沿圓弧狀之軌跡T水平移動之情況進行了說明，但噴嘴移動機構4也可使蝕刻液噴嘴31沿水平延伸之直線移動。
此外，上述第一實施形態中，對噴嘴移動機構4使蝕刻液噴嘴31沿圓弧狀之軌跡T水平移動，藉以使液體附著位置移動於基板W之上面內之情況進行了說明，但噴嘴移動機構4也可藉由使蝕刻液噴嘴31之下端部搖動，以使液體附著位置於基板W之上面中央部與基板W之上面周緣部之間移動。亦即，液體附著位置之移動可藉由蝕刻液噴嘴31整體之移動進行，也可藉由蝕刻液噴嘴31之姿勢變更來進行。
此外，第一實施形態之掃描步驟中，對噴嘴移動機構4使蝕刻液噴嘴31以使蝕刻液之對基板W表面的液體附著位置以一定之移動速度移動之方式移動之情況進行了說明，但也可於液體附著位置朝向基板W之表面中央部移動之途中，對液體附著位置之移動速度(掃描速度)進行變更。亦即，也可按基板W之表面周緣部與基板W之表面中央部之間的複數個區間之每個來確定掃描速度。
具體而言，如圖10所示，也可為噴嘴移動機構4使蝕刻液噴嘴31以如下方式移動，即以使液體附著位置以第一移動速度移動於基板W之表面周緣部，然後，以比第一移動速度高速之第二移動速度使液體附著位置移動至基板W之表面中央部之方式。僅進行中央噴吐步驟時之蝕刻量之分布，如圖6所示，既有以大致一定之比例變化之情況，如圖10所示，也有此變化之比例於途中大幅變化之情況。此種情況下，控制裝置6藉由按蝕刻量之分布所變化之每個區間來確定掃描速度，可確實提高基板W之蝕刻量之面內均勻性。
又，圖10中，顯示了液體附著位置之移動速度(掃描速度)在基板W之上面中央部與基板W之上面周緣部之間的2個區間變更之例子，但掃描速度也可在基板W之上面中央部與基板W之上面 周緣部之間的3個以上之區間變更。
以下，稱「自基板之周緣部Re至基板之中央部Rc為止將掃描速度維持一定」為「一階段掃描」，稱「於基板之周緣部Re與基板之中央部Rc之間使掃描速度階段性地變化一次以上」為「多階段掃描」。多階段掃描之代表例係僅使掃描速度變化一次之二階段掃描(參照圖10)。如圖10所示，變化之前後的各掃描速度一定。
於半導體裝置及液晶顯示裝置等之製造步驟中，可考慮到如以下之對多階段掃描之要求之存在。
具體而言，根據所蝕刻之薄膜的種類，具有基板周緣部附近之蝕刻量之變化程度大之情況。此外，於具有例如450mm之大直徑之大型基板中，由於半徑之大小比通常之基板還大，因此朝基板之周緣部作用之離心力、及基板周緣部之溫度降低之影響大。因此，於對形成有蝕刻量之變化程度大的膜之基板進行蝕刻之情況、及對大型基板進行蝕刻之情況下，具有於一階段掃描中無法獲得所需之均勻度之情況。
此種情況下，控制裝置6進行例如以下方式之處理步驟。
具體而言，控制裝置6首先自所處理之膜種及處理液資訊，判斷是進行一階段掃描還是進行二階段掃描。判斷資訊被存放於查詢表中。此外，判斷資訊之值係實驗求得。
於判斷為需要進行二階段掃描之情況下，控制裝置6按以下方式確定速度變化位置Rm、第一掃描速度V1、第二掃描速度V2。速度變化位置Rm係掃描速度發生變化之基板之表面內之位置。第一掃描速度V1係自基板之周緣部Re至速度變化位置Rm之掃描速度， 其為一定之值。第二掃描速度V2係自速度變化位置Rm至基板之中央部Rc之掃描速度，其為一定之值。
控制裝置6首先參照查詢表，根據基板尺寸(例如，直徑300mm或直徑450mm)來確定速度變化位置Rm。查詢表中存放有與各基板尺寸對應之速度變化位置Rm之固定值。
其次，控制裝置6參照圖12所示之查詢表，確定第一掃描速度V1及第二掃描速度V2。圖12所示之查詢表係存放蝕刻處理時間T與第一掃描速度V1及第二掃描速度V2之關係。
於蝕刻處理時間T=T2之情況下，控制裝置6參照圖12所示之查詢表，將第一掃描速度V1之值確定為以V12所表示之固定值，並將第二掃描速度V2之值確定為以V22所表示之固定值。
此外，於蝕刻處理時間T=X(T1<X<T2)之情況下，控制裝置6參照圖12所示之查詢表，自V11之值及V12之值對V11與V12之間之值進行補足，並將藉由補足而求得之值代入第一掃描速度V1。同樣地，控制裝置6參照圖12所示之查詢表，自V21之值及V22之值對V21與V22之間之值進行補足，並將藉由補足而求得之值代入第二掃描速度V2。
由於具有蝕刻處理時間具有根據處理內容而增減之情況，對所有之蝕刻條件預先求取查詢表會有困難。因此，藉由利用補足來計算第一掃描速度V1之值等，即可應對多種之條件。
除此之外，還可於申請專利範圍所記載之事項之範圍內實施各種之變更。
以上，對本發明之實施形態進行了詳細說明，但這些說明僅僅是為了瞭解本發明之技術內容而使用之具體例而已，不應解釋 為這些之具體例是用來限制本發明，本發明之精神及範圍只能由所附之申請專利範圍限制。
本申請案係與2013年1月15日向日本國專利廳提出申請之日本專利特願2013-004732號、及2013年11月13日向日本國專利廳提出申請之日本專利特願2013-234958號對應，這些申請案之所有揭示皆作為引用而組入本說明書中。

Claims (16)

  1. 一種基板處理方法，其為用於處理基板之基板處理方法，其包含有以下之步驟：掃描速度確定步驟，其配合蝕刻液所附著之液體附著位置係位於基板主表面之中央部的狀態下而朝向上述基板之蝕刻液的供給條件，加以確定自上述基板主表面之周緣部而朝向上述基板主表面之中央部之上述液體附著位置的移動速度；掃描步驟，其使上述基板繞著通過上述基板主表面之旋轉軸線而加以旋轉，並且以使上述液體附著位置係藉由在上述掃描速度確定步驟中所確定之上述移動速度而自上述基板主表面之周緣部移動至上述基板主表面之中央部之方式，一方面自噴嘴噴吐蝕刻液一方面使上述噴嘴產生移動；及中央噴吐步驟，其使上述基板繞著上述旋轉軸線而加以旋轉，並且在使上述液體附著位置位於上述基板主表面之中央部的狀態下而繼續朝向上述基板主表面噴吐蝕刻液。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中，上述掃描速度確定步驟係為確定上述移動速度之步驟，而該移動速度係配合上述液體附著位置位於上述基板主表面之中央部之狀態下而朝向上述基板之蝕刻液的供給時間。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理方法，其中，上述掃描速度確定步驟，係為從表格而加以確定上述液體附著位置的移動速度之步驟，而該表格係顯示在位於上述基板主表面之中央部之狀態下之上述蝕刻液的供給時間與上述液體附著位置的移動速度之對應關係。
  4. 如申請專利範圍第2項之基板處理方法，其中，上述掃描速度確定步驟，係為從表格而加以確定上述液體附著位置的移動速度之步驟，而該表格係顯示上述液體附著位置位於上述基板主表面之中央部之狀態下之上述蝕刻液的供給時間與自上述基板主表面之周緣部至上述基板主表面之中央部之上述液體附著位置的移動時間之對應關係。
  5. 如申請專利範圍第3或4項之基板處理方法，其中，上述表格係包含有，利用自上述表格所確定之上述液體附著位置的移動速度而加以進行上述掃描步驟及中央噴吐步驟時之蝕刻均勻度，上述掃描速度確定步驟係包含有，於進行上述掃描步驟及中央噴吐步驟之前，判斷於上述表格內所包含之上述蝕刻均勻度是否在容許範圍內之步驟。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板處理方法，其中，上述表格係包含有複數個查詢表，而該複數個查詢表係配合在上述中央噴吐步驟中，供給至基板之蝕刻液的每一個供給流量而加以設置，上述掃描速度確定步驟係包含有：自上述複數個查詢表中之蝕刻液之供給流量為最小時的查詢表而依序對上述蝕刻均勻度在容許範圍內之上述液體附著位置的移動速度進行檢索之步驟；當找到上述蝕刻均勻度在容許範圍內之上述液體附著位置的移動速度，則將上述液體附著位置的移動速度之檢索加以停止之步驟；及將找到之上述液體附著位置的移動速度，作為在上述掃描步驟中之上述液體附著位置的移動速度而加以確定之步驟。
  7. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中，上述掃描速度確 定步驟，係為按照在上述基板主表面之周緣部與上述基板主表面之中央部之間之複數個中之每一個區間而加以確定上述液體附著位置的移動速度之步驟。
  8. 如申請專利範圍第7項之基板處理方法，其中，上述掃描速度確定步驟，係從表格而按照在上述基板主表面之周緣部與上述基板主表面之中央部之間之複數個中之每一個區間而加以確定上述液體附著位置的移動速度，而該表格係顯示按照在上述基板主表面之周緣部與上述基板主表面之中央部之間之複數個中之每一個區間而所設定之複數個移動速度。
  9. 一種基板處理裝置，其為用於處理基板之基板處理裝置，其包含有：基板保持旋轉單元，其保持上述基板並且使上述基板繞著通過基板主表面之旋轉軸線而加以旋轉；蝕刻液供給機構，其包括有朝向由上述基板保持旋轉單元所保持之上述基板之主表面噴吐蝕刻液之噴嘴；噴嘴移動機構，其藉由使上述噴嘴產生移動，使自上述噴嘴所噴吐之蝕刻液所附著之液體附著位置，移動在上述基板之主表面內；及控制裝置，其對上述基板保持旋轉單元、蝕刻液供給機構、及噴嘴移動機構進行控制，且上述控制裝置執行以下之步驟：掃描速度確定步驟，其配合上述液體附著位置位於上述基板主表面之中央部的狀態下而朝向上述基板之蝕刻液的供給條件，加以確定自上述基板主表面之周緣部而朝向上述基板主表面之 中央部之上述液體附著位置的移動速度；掃描步驟，其藉由上述基板保持旋轉單元而使上述基板繞著上述旋轉軸線而加以旋轉，並且以使上述液體附著位置係藉由在上述掃描速度確定步驟中所確定之上述移動速度而自上述基板主表面之周緣部移動至上述基板主表面之中央部之方式，一方面自上述噴嘴噴吐蝕刻液一方面藉由上述噴嘴移動機構使上述噴嘴產生移動；及中央噴吐步驟，其藉由上述基板保持旋轉單元使上述基板繞著上述旋轉軸線而加以旋轉，並且在使上述液體附著位置位於上述基板主表面之中央部的狀態下而繼續朝向上述基板主表面噴吐蝕刻液。
  10. 如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，其中，上述控制裝置係在上述掃描速度確定步驟中，確定上述移動速度，而該移動速度係配合上述液體附著位置位於上述基板主表面之中央部的狀態下而朝向上述基板之蝕刻液的供給時間。
  11. 如申請專利範圍第10項之基板處理裝置，其中，上述控制裝置係包含有記憶表格之記憶裝置，而該表格係顯示在上述液體附著位置位於上述基板主表面之中央部的狀態下之上述蝕刻液的供給時間與上述液體附著位置的移動速度的對應關係，且在上述掃描速度確定步驟中，從上述表格而加以確定上述液體附著位置的移動速度。
  12. 如申請專利範圍第10項之基板處理裝置，其中，上述控制裝置係包含有記憶表格之記憶裝置，而該表格係顯示上述液體附著位置位於上述基板主表面之中央部之狀態下之上述蝕刻液的供 給時間與自上述基板主表面之周緣部至上述基板主表面之中央部之上述液體附著位置的移動時間之對應關係，且在上述掃描速度確定步驟中，從上述表格而加以確定上述液體附著位置的移動速度。
  13. 如申請專利範圍第11或12項之基板處理裝置，其中，上述表格係包含有，利用自上述表格所確定之上述液體附著位置的移動速度而加以進行上述掃描步驟及中央噴吐步驟時之蝕刻均勻度，上述掃描速度確定步驟係包含有，於進行上述掃描步驟及中央噴吐步驟之前，判斷於上述表格內所包含之上述蝕刻均勻度是否在容許範圍內之步驟。
  14. 如申請專利範圍第13項之基板處理裝置，其中，上述表格係包含有複數個查詢表，而該複數個查詢表係配合在上述中央噴吐步驟中，供給至基板之蝕刻液的每一個供給流量而加以設置，上述掃描速度確定步驟係包含有：自上述複數個查詢表中之蝕刻液之供給流量為最小時的查詢表而依序對上述蝕刻均勻度在容許範圍內之上述液體附著位置的移動速度進行檢索之步驟；當找到上述蝕刻均勻度在容許範圍內之上述液體附著位置的移動速度，則將上述液體附著位置的移動速度之檢索加以停止之步驟；及將找到之上述液體附著位置的移動速度，作為在上述掃描步驟中之上述液體附著位置的移動速度而加以確定之步驟。
  15. 如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，其中，上述控制裝置係在上述掃描速度確定步驟中，按照在上述基板主表面之周緣部 與上述基板主表面之中央部之間之複數個中之每一個區間而加以確定上述液體附著位置的移動速度。
  16. 如申請專利範圍第15項之基板處理裝置，其中，上述控制裝置係包含有記憶表格之記憶裝置，而該表格係顯示按照在上述基板主表面之周緣部與上述基板主表面之中央部之間之複數個中之每一個區間而所設定之複數個移動速度，且在上述掃描速度確定步驟中，從上述表格而按照上述基板主表面之周緣部與上述基板主表面之中央部之間之複數個中之每一個區間而加以確定上述液體附著位置的移動速度。
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