CN109950180A - 晶圆刻蚀装置及晶圆刻蚀方法 - Google Patents

Abstract

该发明涉及一种晶圆刻蚀装置及晶圆刻蚀方法，其中所述晶圆刻蚀装置包括：支撑单元，用于承载晶圆；至少两个喷嘴，分别朝向所述支撑单元上放置的晶圆的不同区域设置，用于分别向所述晶圆的不同区域喷出刻蚀液；混酸系统，连通至所述喷嘴，用于根据晶圆的不同区域的剖面情况，向各喷嘴提供与该喷嘴喷淋到的晶圆的区域的剖面情况相对应的浓度的刻蚀液。本发明的晶圆刻蚀装置及晶圆刻蚀方法具有混酸系统，可以根据晶圆的剖面情况确定晶圆喷出的刻蚀液的比例，从而针对不同的晶圆的剖面情况喷出具有不同的刻蚀能力的刻蚀液，能够实现更好的刻蚀效果，能够改善晶圆剖面厚度的均匀性，提高晶圆的良率。

Description

晶圆刻蚀装置及晶圆刻蚀方法

技术领域

本发明涉及晶圆生产领域，具体涉及一种晶圆刻蚀装置及晶圆刻蚀方法。

背景技术

在晶圆生产的过程中，经常需要对晶圆进行减薄。目前，大多数减薄工艺是采用刻蚀的方法刻蚀晶圆表面，从而实现晶圆的减薄。如在CIS(CMOS Image Sensor，CMOS图像传感器)生产制造过程中，需要利用单一(Single)机台对晶圆进行刻蚀减薄操作。

在对晶圆进行刻蚀的过程中，晶圆被控制为绕中心轴做旋转运动，刻蚀液被喷淋到晶圆表面后，由于离心力的作用，在晶圆边缘处的刻蚀液停留时间短，且刻蚀液参与反应后，从晶圆表面的中心位置到晶圆的边缘处，刻蚀液的浓度会逐渐降低，因此，在实际生产中，晶圆的剖面(Profile)厚度很难做到一致，会大大影响晶圆的良率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶圆刻蚀装置及晶圆刻蚀方法，能够改善晶圆剖面厚度的均匀性，提高晶圆的良率。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种晶圆刻蚀装置，包括：支撑单元，用于承载晶圆；至少两个喷嘴，分别朝向所述支撑单元上放置的晶圆的不同区域设置，用于分别向所述晶圆的不同区域喷出刻蚀液；混酸系统，连通至所述喷嘴，用于根据晶圆的不同区域的剖面情况，向各喷嘴提供与该喷嘴喷淋到的晶圆的区域的剖面情况相对应的浓度的刻蚀液。

可选的，所述混酸系统包括：刻蚀液供应单元，连通至所述喷嘴，用于给所述喷嘴提供不同浓度的刻蚀液；控制单元，连接至所述刻蚀液供应单元，用于根据晶圆的不同区域的剖面情况，控制所述刻蚀液控制单元向各喷嘴提供与该喷嘴喷淋到的晶圆的区域的剖面情况相对应的浓度的刻蚀液。

可选的，所述刻蚀液供应单元包括：刻蚀液源，连通至所述喷嘴，用于向所述喷嘴提供一定浓度的刻蚀液；第一流量控制阀，设置于每一喷嘴与所述刻蚀液源之间，用于根据所述控制单元的控制，调整自所述刻蚀液源流至各喷嘴的刻蚀液的量；超纯水源，连通至所述喷嘴，用于向所述喷嘴提供稀释刻蚀液所需的超纯水。

可选的，所述刻蚀液供应单元还包括：第二流量控制阀，设置于所述每一喷嘴与所述超纯水源之间，用于根据所述控制单元的控制，调整自所述超纯水源流至各喷嘴的超纯水的量。

可选的，所述刻蚀液供应单元还包括：第一流量计，与所述控制单元相连接，设置于所述第一流量控制阀与喷嘴之间，用于检测自所述第一流量控制阀流至所述喷嘴的刻蚀液的量；第二流量计，与所述控制单元相连接，设置于所述第二流量控制阀与喷嘴之间，用于检测自所述第二流量控制阀流至所述喷嘴的超纯水的量。

可选的，所述喷嘴的数目为16个，设置在同一直线上，且相邻两喷嘴的距离相等。

可选的，所述控制单元内包括一晶圆剖面厚度-刻蚀液浓度对照表，所述控制单元根据所述晶圆剖面厚度-刻蚀液浓度对照表获取到晶圆的不同区域的剖面厚度所对应的刻蚀液浓度。

为了解决上述技术问题，本发明还提供了一种晶圆刻蚀方法，包括以下步骤：获取晶圆的不同区域的剖面情况；使用与晶圆的不同区域一一对应的喷嘴分别向晶圆的不同区域喷淋刻蚀液，且各喷嘴喷出的刻蚀液的浓度根据晶圆的不同区域的剖面情况而定。

可选的，各喷嘴喷出的刻蚀液的浓度根据晶圆的不同区域的剖面厚度而定。

可选的，根据晶圆的不同区域的剖面厚度，查找一晶圆剖面厚度-刻蚀液浓度对照表获取晶圆的各个区域所对应的刻蚀液浓度。

可选的，控制被喷至晶圆的各个区域的刻蚀液的浓度时，包括以下步骤：控制流至所述喷嘴的一定浓度的刻蚀液的量，并向所述喷嘴通入超纯水，使一定浓度的刻蚀液被稀释至该喷嘴喷淋到的晶圆的区域的剖面厚度所对应的刻蚀液浓度。

可选的，还包括以下步骤：检测流至所述喷嘴的一定浓度的刻蚀液的量；检测流至所述喷嘴的超纯水的量；根据检测结果获取到各喷嘴实际喷出的刻蚀液的浓度，并与应当喷出的刻蚀液的浓度对比，在不相等时，对通入的超纯水和一定浓度的刻蚀液的量进行调整，使所述喷嘴实际喷出的刻蚀液的浓度与应当喷出的刻蚀液的浓度相同。

本发明的晶圆刻蚀装置及晶圆刻蚀方法具有混酸系统以及依据晶圆的不同区域设置的多个喷头，可以根据晶圆的不同区域的剖面情况确定某一区域所需要的刻蚀液浓度，从而控制晶圆的不同区域所对应到的喷头喷出与该区域的剖面情况相适应的浓度的刻蚀液，使最终呈现的刻蚀效果更好，能够改善晶圆剖面厚度的均匀性，提高晶圆的良率。

附图说明

图1为本发明的一种具体实施方式中的晶圆刻蚀装置的侧视示意图。

图2为本发明的一种具体实施方式中的喷嘴的连接关系示意图。

图3为本发明的一种具体实施方式中的晶圆刻蚀装置的连接关系示意图。

图4为具有第一种剖面情况的晶圆的剖面示意图。

图5为具有第二种剖面情况的晶圆的剖面示意图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施方式对本发明提出的一种晶圆刻蚀装置及晶圆刻蚀方法作进一步详细说明。

请参阅图1至图3，其中图1为本发明的一种具体实施方式中的晶圆刻蚀装置的侧视示意图，图2为本发明的一种具体实施方式中的喷嘴的连接关系示意图，图3为本发明的一种具体实施方式中的晶圆刻蚀装置的连接关系示意图。

在该具体实施方式中，所述晶圆刻蚀装置包括：支撑单元101，用于承载晶圆102；至少两个喷嘴103，分别朝向所述支撑单元101上放置的晶圆102的不同区域设置，用于分别向所述晶圆102的不同区域喷出刻蚀液；混酸系统200，连通至所述喷嘴103，用于根据晶圆102的不同区域的剖面情况，向各喷嘴103提供与该喷嘴103喷淋到的晶圆102的区域的剖面情况相对应的浓度的刻蚀液。

由于具有混酸系统200以及依据晶圆102的不同区域设置的多个喷头103，可以根据晶圆102的不同区域的剖面情况确定某一区域所需要的刻蚀液浓度，从而控制各喷头103喷出与该喷头103所对应的晶圆102的区域的剖面情况相适应的浓度的刻蚀液，使最终呈现的刻蚀效果更好，能够改善晶圆102剖面厚度的均匀性，提高晶圆102的良率。

在一种具体实施方式中，所述支撑单元101包括承载盘，待刻蚀的晶圆102置于所述承载盘的上表面。请看图1、2，所述承载盘的盘面还设置有卡位结构104，能够将放置到所述承载盘的晶圆102卡扣在对应位置，以防止晶圆102滑动。

由于喷嘴103喷淋的刻蚀液具有一定的腐蚀性，因此，在一种具体实施方式中，所述喷嘴103具有一定的抗腐蚀能力。可采用具有抗腐蚀特性的材料制成喷嘴103，或在喷嘴103表层以及内壁涂覆有抗腐蚀能力的涂层，以防止喷嘴103被刻蚀液所腐蚀，并防止刻蚀液被腐蚀后的产物所污染，影响刻蚀效果。

在一种具体实施方式中，所述混酸系统200包括：刻蚀液供应单元，连通至所述喷嘴，用于给所述喷嘴103提供不同浓度的刻蚀液。所述混酸系统200还包括控制单元301，连接至所述刻蚀液供应单元，用于根据晶圆102的不同区域的剖面情况，控制所述刻蚀液控制单元向各喷嘴103提供与该喷嘴103喷淋到的晶圆102的区域的剖面情况相对应的浓度的刻蚀液。

在一种具体实施方式中，所述刻蚀液供应单元包括：刻蚀液源201，连通至所述喷嘴103，用于向所述喷嘴103提供一定浓度的刻蚀液。

所述刻蚀液供应单元还包括超纯水源203，连通至所述喷嘴103，用于向所述喷嘴103提供稀释刻蚀液所需的超纯水。

在一种具体实施方式中，所述刻蚀液源201和所述超纯水源203分别对应至一个装有刻蚀液的水箱，以及一个装有超纯水的水箱。在一种具体实施方式中，装有刻蚀液的水箱内的刻蚀液的浓度大于或等于所述晶圆刻蚀装置用于刻蚀晶圆102的刻蚀液的最大浓度，以便于使用超纯水对刻蚀液进行稀释，使获得其他浓度的刻蚀液。

在一种具体实施方式中，装有刻蚀液的水箱内壁耐腐蚀。具体的，通过使用耐腐蚀的材料制备该水箱，或在该水箱内壁涂覆具有抗腐蚀能力的涂层，来使所述水箱内壁耐腐蚀。

所述刻蚀液供应单元还包括第一流量控制阀202，设置于每一喷嘴103与所述刻蚀液源201之间，连接至所述控制单元301，用于根据所述控制单元301的控制，调整自所述刻蚀液源201流至所述喷嘴103的刻蚀液的量。

所述刻蚀液供应单元还包括第二流量控制阀207，设置于所述每一喷嘴103与所述超纯水源203之间，连接至所述控制单元301，用于根据所述控制单元301的控制，调整自所述超纯水源203流至所述喷嘴103的超纯水的量。

在一种具体实施方式中，所述刻蚀液供应单元还包括：第一流量计204，与所述控制单元301相连接，设置于所述第一流量控制阀202与喷嘴103之间，用于检测自所述第一流量控制阀202流至所述喷嘴103的刻蚀液的量；第二流量计205，与所述控制单元301相连接，设置于所述第二流量控制阀207与喷嘴103之间，用于检测自所述第二流量控制阀207流至所述喷嘴103的超纯水的量。

设置第一流量计204和第二流量计205可以监控到实际流出到喷嘴103的刻蚀液的量和超纯水的量，从而获取到喷嘴103实际喷出的刻蚀液的浓度，用于供混酸系统200对喷嘴103喷出的刻蚀液的浓度进行反馈调整，使实际喷出的刻蚀液的浓度与应当喷出的刻蚀液的浓度相一致。具体的，当实际喷出的刻蚀液的浓度与理论上应当喷出的刻蚀液的浓度不相等时，则所述控制单元301控制所述第一流量控制阀202和第二流量控制阀207，使流至喷嘴103的刻蚀液的量和超纯水的量发生变化，从而使实际喷出的刻蚀液的浓度发生变化，趋近于理论上应当喷出的刻蚀液的浓度。

在一种具体实施方式中，所述喷嘴103的数目为16个，设置在同一直线上，且相邻两喷嘴103的距离相等。实际上，也可根据需要设置更多的喷嘴103。在一种具体实施方式中，所有喷嘴103所在的直线在晶圆102表面的投影与晶圆102的一条直径重合，并与晶圆102的直径等长，使得晶圆102表面的一条直径被等分为多个区域，对应至不同的喷嘴103。

实际上，喷嘴103的数目越多，晶圆102的直径就会被等分为更多份。在对每一份所对应的喷嘴103喷出的刻蚀液的浓度进行控制时，就会更精确。

实际上，也可以根据需要排布喷嘴103，使所有喷嘴103在晶圆表面形成的投影是其他的形状，而不再仅仅是线状。具体的，如形成圆形、正六边形、正八边形等。

在一种具体实施方式中，所述控制单元301内包括一晶圆剖面厚度-刻蚀液浓度对照表，所述控制单元301根据所述晶圆剖面厚度-刻蚀液浓度对照表获取到晶圆102的不同区域的剖面厚度所对应的刻蚀液浓度，并控制晶圆102的不同区域所对应的喷嘴103喷淋对应浓度的刻蚀液。具体的，通过控制第一流量控制阀202和第二流量控制阀207，对自刻蚀液源201流至喷嘴103的刻蚀液的量以及自超纯水源203流至喷嘴103的超纯水的量进行控制，使刻蚀液与超纯水混合后得到的浓度与根据对照表得到的浓度相等。在一种具体实施方式中，对对应到晶圆102的不同区域的喷嘴103喷出的刻蚀液浓度的控制，是为了使晶圆102的剖面厚度一致，改善晶圆102减薄时的刻蚀均匀性。

请参阅图1至图5，其中图4为具有第一种剖面情况的晶圆的示意图，图5为具有第二种剖面情况的晶圆的示意图。在图4、5中的坐标轴用于表示晶圆102的剖面情况，其中横轴用于表示晶圆102的水平区域，纵轴用于表示晶圆102的剖面高度。坐标轴内的弯曲线段表示晶圆102的剖面的边缘，对应的是晶圆102的上表面。横坐标为0处对应于晶圆102的中心位置，横坐标为150处对应于晶圆102的边缘位置。

由于在刻蚀前晶圆102前，晶圆102就已经被加工成每一条半径方向上的剖面厚度情形都与另一条半径方向上的剖面厚度情形相同的形状，因此，图4、5中展示的也是晶圆102的任意一条半径方向上的剖面厚度情形。

在该具体实施方式中，在喷淋过程中，晶圆102是绕中心位置旋转着的，因此所述喷嘴103对应的喷淋区域是一个个的同心圆或同心圆环，都以晶圆102的中心位置为圆心。在同一个同心圆环内，对应着相同的剖面厚度，都需要被某一特定浓度的刻蚀液喷淋，以实现晶圆102表面的找平，因此与该区域对应的喷嘴103就需要喷出该特定浓度的刻蚀液。

在图4、5中，还具有三条与横坐标平行的线，用来表示晶圆102不同的剖面高度，分别为最佳剖面高度所对应的横线、最高剖面高度所对应的横线以及最低剖面高度所对应的横线。

当坐标轴内的弯曲线段高于最佳剖面高度所对应的横线时，表示晶圆102的上表面突起，需要增大该区域对应的喷嘴103喷出的刻蚀液的浓度，以增大刻蚀力度，使晶圆102表面被减薄的程度更大，剖面边缘的纵坐标趋近于最佳剖面高度所对应的横线。当坐标轴内的弯曲线段低于最佳剖面高度所对应的横线时，则表示晶圆102的上表面凹陷，需要减小该区域对应的喷嘴103喷出的刻蚀液的浓度，以减小刻蚀力度，使晶圆102表面被减薄的程度更小。

同时参阅图1至图4，在横坐标为70mm至110mm处，以及0mm至10mm处，即晶圆102表面距离晶圆102的中心位置70mm至110mm处，以及0mm至10mm处，均有坐标轴内的弯曲线段高于最佳剖面高度所对应的横线，此时，晶圆102表面的这两个区域凸起，这两个区域对应的喷嘴103将要喷射相对高浓度的刻蚀液，以具有更大的刻蚀深度。

在横坐标为15mm至45mm处、130mm至150mm处，即晶圆102表面距离晶圆102的中心位置15mm至45mm处，以及130mm至150mm处，均有坐标轴内的弯曲线段低于最佳剖面高度所对应的横线，此时，晶圆102表面的这两个区域凹陷，这两个区域对应的喷嘴103将要喷射相对低浓度的刻蚀液，以具有较浅的刻蚀深度，从而实现对晶圆102表面的保护。在一种更优的具体实施方式中，晶圆102凹陷区域对应的喷嘴103甚至可以喷射超纯水，以对晶圆102的该区域进行保护，而不是进行进一步的刻蚀。

同时参阅图1至3、图5，在横坐标为50mm至105mm处、0mm至15mm处，以及144mm至150mm处，即晶圆102表面距离晶圆102的中心位置50mm至105mm处、0mm至15mm处，以及144mm至150mm处，均有坐标轴内的弯曲线段高最佳剖面高度所对应的横线，此时，晶圆102表面的这三个区域凸起，这三个区域对应的喷嘴103将要喷射相对高浓度的刻蚀液，以具有更大的刻蚀深度。

在横坐标为15mm至45mm处、105mm至143mm处，即晶圆102表面距离晶圆102的中心位置15mm至45mm处，以及105mm至143mm处，均有坐标轴内的弯曲线段低于最佳剖面高度所对应的横线，此时，晶圆102表面的这两个区域凹陷，这两个区域对应的喷嘴103将要喷射相对低浓度的刻蚀液，以具有较浅的刻蚀深度，从而实现对晶圆102表面的保护。在一种更优的具体实施方式中，晶圆102凹陷区域对应的喷嘴103甚至可以喷射超纯水，以对晶圆102的该区域进行保护，而不是进行进一步的刻蚀。

在该具体实施方式中，喷嘴103排布成一条直线，与晶圆102的任一条直径平行。这样，在晶圆102旋转的过程中，所述喷嘴103也始终对准与前一被喷淋的位置有着相同剖面厚度的位置，从而获取到更均匀的刻蚀效果。

在该具体实施方式中，所述喷嘴103所形成的线段的长度与晶圆102的半径长度相同，且线段两端的喷嘴103分别对准所述晶圆102的中心位置所在区域，以及晶圆102的边缘位置所在区域，这样，在节省了喷嘴103的个数的同时，由于晶圆102在刻蚀过程中是旋转着的，也能实现对晶圆102的整个表面的刻蚀液喷淋，进行完整的湿法刻蚀。

在一种具体实施方式中，在使用所述晶圆刻蚀装置进行晶圆102刻蚀时，将晶圆102放置在支撑单元101上，所述混酸系统200根据晶圆102的剖面厚度控制自所述刻蚀液源201流至喷嘴103的刻蚀液的量，以及自所述超纯水源203流至喷嘴103的超纯水的量，从而控制喷淋至所述晶圆102表面的刻蚀液的浓度，使能够根据晶圆102的厚度获取到相适宜的刻蚀能力。

在一种具体实施方式中，晶圆102的剖面厚度是在前一道工艺中完成测量的。

在一种具体实施方式中，在刻蚀过程中，可以通过所述第一流量计204和第二流量计205获取到自所述第一流量控制阀202流至所述喷嘴103的刻蚀液的量，以及自所述第二流量控制阀207流至所述喷嘴103的超纯水的量，从而获取到喷嘴103喷淋的实际的刻蚀液的浓度。

实际上，所述第一流量计204和第二流量计205的测量值还反馈到所述控制单元301，供所述控制单元301对所述喷嘴103喷淋的实际的刻蚀液的浓度进行反馈控制。在该具体实施方式中，所述控制单元301根据所述第一流量计204和第二流量计205的测量值计算获取到当前喷嘴103喷淋的实际的刻蚀液的浓度X1。所述控制单元301将X1与根据晶圆102的剖面情况获取到的喷嘴103应当喷淋的刻蚀液的浓度X2进行对比，当X1大于X2，则所述控制单元301控制所述第二流量控制阀207，使自所述超纯水源203流至喷嘴103的超纯水的量更多，从而降低X1的大小，使得X1向X2趋近。当X1小于X2，则所述控制单元301控制所述第一流量控制阀202，使自所述刻蚀液源201流至喷嘴103的刻蚀液的量更多，从而给增大X1的大小，使得X1向X2趋近。

在一种具体实施方式中，在刻蚀制程结束后，所述控制单元301控制所述第一流量控制阀202完全关闭，所述第二流量控制阀207打开，使所述喷嘴103只往晶圆102表面喷淋超纯水，从而达到冲洗晶圆102的目的，之后再进行干燥处理。

在一种具体实施方式中，所述晶圆刻蚀装置还包括回吸管路206，连通至所述喷嘴103用于回吸流至所述喷嘴103，且并未喷出的超纯水与刻蚀液。在整个刻蚀制程结束后，所述回吸管路206将流至所述喷嘴103，且并未喷出的超纯水与刻蚀液回吸掉，以避免对下一道制程产生干扰。

在一种具体实施方式中，所述回吸管路206上设置有一回吸阀。所述回吸阀打开时，所述回吸管路206连通至所述喷嘴103，此时，所述回吸管路206回吸超纯水与刻蚀液。所述回吸阀关闭时，所述回吸管路206断开与所述喷嘴103的连通，停止回吸超纯水与刻蚀液。

在一种具体实施方式中，所述回吸管路206包括管道以及连通至所述管道的真空泵，由所述真空泵对管道进行抽真空，从而回吸喷嘴103内未喷出的超纯水与刻蚀液。

请参阅图1至图3，本发明还提供了一种晶圆刻蚀方法，包括以下步骤：获取晶圆102的不同区域的剖面情况；使用与晶圆102的不同区域一一对应的喷嘴103分别向晶圆102的不同区域喷淋刻蚀液，且各喷嘴103喷出的刻蚀液的浓度根据晶圆102的不同区域的剖面情况而定。

由于根据晶圆102的不同区域的剖面情况确定晶圆102某一区域所需要的刻蚀液浓度，因此与晶圆102的不同区域对应到的喷头103喷出的刻蚀液的浓度也是与该区域的剖面情况相适应的，这样能够呈现更好的刻蚀效果，改善晶圆102剖面厚度的均匀性，提高晶圆102的良率。

在一种具体实施方式中，各喷嘴103喷出的刻蚀液的浓度根据晶圆102的不同区域的剖面厚度而定。在一种具体实施方式中，根据晶圆102的不同区域的剖面厚度，查找一晶圆剖面厚度-刻蚀液浓度对照表获取晶圆102的各个区域所对应的刻蚀液浓度。

在一种具体实施方式中，所述晶圆剖面厚度-刻蚀液浓度对照表存储在一混酸系统200中。具体的，存储在所述混酸系统200的控制单元301中。所述混酸系统200还包括刻蚀液供应单元，连通至所述喷嘴，用于给所述喷嘴103提供不同浓度的刻蚀液。所述刻蚀液供应单元也连接至所述控制单元301，用于根据所述控制单元301的控制，向各喷嘴103提供与该喷嘴103喷淋到的晶圆102的区域的剖面情况相对应的浓度的刻蚀液。

在一种具体实施方式中，控制被喷至晶圆102的各个区域的刻蚀液的浓度时，包括以下步骤：控制流至所述喷嘴103的一定浓度的刻蚀液的量，并向所述喷嘴103通入超纯水，使一定浓度的刻蚀液被稀释至该喷嘴103喷淋到的晶圆102的区域的剖面厚度所对应的刻蚀液浓度。

具体的，使用所述刻蚀液供应单元，根据所述控制单元301的控制，向喷嘴103提供对应浓度的刻蚀液。

所述刻蚀液供应单元包括：刻蚀液源201，连通至所述喷嘴103，用于向所述喷嘴103提供一定浓度的刻蚀液。

所述刻蚀液供应单元还包括超纯水源203，连通至所述喷嘴103，用于向所述喷嘴103提供稀释刻蚀液所需的超纯水。

所述刻蚀液供应单元还包括第一流量控制阀202，设置于所述每一喷嘴103与所述刻蚀液源201之间，连接至所述控制单元301，用于根据所述控制单元301的控制，调整自所述刻蚀液源201流至所述喷嘴103的刻蚀液的量。

所述刻蚀液供应单元还包括第二流量控制阀207，设置于所述每一喷嘴103与所述超纯水源203之间，连接至所述控制单元301，用于根据所述控制单元301的控制，调整自所述超纯水源203流至所述喷嘴103的超纯水的量。

在一种具体实施方式中，所述刻蚀液供应单元还包括：第一流量计204，与所述控制单元301相连接，设置于所述第一流量控制阀202与喷嘴103之间，用于检测自所述第一流量控制阀202流至所述喷嘴103的刻蚀液的量；第二流量计205，与所述控制单元301相连接，相连接，设置于所述第二流量控制阀207与喷嘴103之间，用于检测自所述第二流量控制阀207流至所述喷嘴103的超纯水的量。

设置第一流量计204和第二流量计205可以监控到实际流出到喷嘴103的刻蚀液的量和超纯水的量，从而获取到喷嘴103实际喷出的刻蚀液的浓度，用于供混酸系统200对喷嘴103喷出的刻蚀液的浓度进行反馈调整，使实际喷出的浓度与应当喷出的浓度相一致。具体的，当实际喷出的刻蚀液的浓度与理论上应当喷出的刻蚀液的浓度不相等时，则所述控制单元301控制所述第一流量控制阀202和第二流量控制阀207，使流至喷嘴103的刻蚀液的量和超纯水的量发生变化，从而使实际喷出的刻蚀液的浓度发生变化，趋近于理论上应当喷出的刻蚀液的浓度。

在一种具体实施方式中，还包括以下步骤：检测流至所述喷嘴103的一定浓度的刻蚀液的量；检测流至所述喷嘴103的超纯水的量；根据检测结果获取到各喷嘴103实际喷出的刻蚀液的浓度，并与应当喷出的刻蚀液的浓度对比，在不相等时，对通入的超纯水和一定浓度的刻蚀液的量进行调整，使所述喷嘴103实际喷出的刻蚀液的浓度与应当喷出的刻蚀液的浓度相同。具体的，使用所述第一流量计204和第二流量计205来完成对喷嘴103喷出的刻蚀液的实际浓度的检测。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (12)

1.一种晶圆刻蚀装置，其特征在于，包括：

支撑单元，用于承载晶圆；

至少两个喷嘴，分别朝向所述支撑单元上放置的晶圆的不同区域设置，用于分别向所述晶圆的不同区域喷出刻蚀液；

混酸系统，连通至所述喷嘴，用于根据晶圆的不同区域的剖面情况，向各喷嘴提供与该喷嘴喷淋到的晶圆的区域的剖面情况相对应的浓度的刻蚀液。

2.根据权利要求1所述的晶圆刻蚀装置，其特征在于，所述混酸系统包括：刻蚀液供应单元，连通至所述喷嘴，用于给所述喷嘴提供不同浓度的刻蚀液；

控制单元，连接至所述刻蚀液供应单元，用于根据晶圆的不同区域的剖面情况，控制所述刻蚀液控制单元向各喷嘴提供与该喷嘴喷淋到的晶圆的区域的剖面情况相对应的浓度的刻蚀液。

3.根据权利要求2所述的晶圆刻蚀装置，其特征在于，所述刻蚀液供应单元包括：

刻蚀液源，连通至所述喷嘴，用于向所述喷嘴提供一定浓度的刻蚀液；

第一流量控制阀，设置于每一喷嘴与所述刻蚀液源之间，与所述控制单元相连接，用于根据所述控制单元的控制，调整自所述刻蚀液源流至各喷嘴的刻蚀液的量；

超纯水源，连通至所述喷嘴，用于向所述喷嘴提供稀释刻蚀液所需的超纯水。

4.根据权利要求3所述的晶圆刻蚀装置，其特征在于，所述刻蚀液供应单元还包括：

第二流量控制阀，设置于所述每一喷嘴与所述超纯水源之间，与所述控制单元相连接，用于根据所述控制单元的控制，调整自所述超纯水源流至各喷嘴的超纯水的量。

5.根据权利要求4所述的晶圆刻蚀装置，其特征在于，所述刻蚀液供应单元还包括：

第一流量计，与所述控制单元相连接，设置于所述第一流量控制阀与喷嘴之间，用于检测自所述第一流量控制阀流至所述喷嘴的刻蚀液的量；

第二流量计，与所述控制单元相连接，设置于所述第二流量控制阀与喷嘴之间，用于检测自所述第二流量控制阀流至所述喷嘴的超纯水的量。

6.根据权利要求1所述的晶圆刻蚀装置，其特征在于，所述喷嘴的数目为16个，设置在同一直线上，且相邻两喷嘴的距离相等。

7.根据权利要求1所述的晶圆刻蚀装置，其特征在于，所述控制单元内包括一晶圆剖面厚度-刻蚀液浓度对照表，所述控制单元根据所述晶圆剖面厚度-刻蚀液浓度对照表获取到晶圆的不同区域的剖面厚度所对应的刻蚀液浓度。

8.一种晶圆刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：

获取晶圆的不同区域的剖面情况；

使用与晶圆的不同区域一一对应的喷嘴分别向晶圆的不同区域喷淋刻蚀液，且各喷嘴喷出的刻蚀液的浓度根据晶圆的不同区域的剖面情况而定。

9.根据权利要求8所述的晶圆刻蚀方法，其特征在于，各喷嘴喷出的刻蚀液的浓度根据晶圆的不同区域的剖面厚度而定。

10.根据权利要求9所述的晶圆刻蚀方法，其特征在于，根据晶圆的不同区域的剖面厚度，查找一晶圆剖面厚度-刻蚀液浓度对照表获取晶圆的各个区域所对应的刻蚀液浓度。

11.根据权利要求8所述的晶圆刻蚀方法，其特征在于，控制被喷至晶圆的各个区域的刻蚀液的浓度时，包括以下步骤：

控制流至所述喷嘴的一定浓度的刻蚀液的量，并向所述喷嘴通入超纯水，使一定浓度的刻蚀液被稀释至该喷嘴喷淋到的晶圆的区域的剖面厚度所对应的刻蚀液浓度。

12.根据权利要求11所述的晶圆刻蚀方法，其特征在于，还包括以下步骤：

检测流至所述喷嘴的一定浓度的刻蚀液的量；

检测流至所述喷嘴的超纯水的量；

根据检测结果获取到各喷嘴实际喷出的刻蚀液的浓度，并与应当喷出的刻蚀液的浓度对比，在不相等时，对通入的超纯水和一定浓度的刻蚀液的量进行调整，使所述喷嘴实际喷出的刻蚀液的浓度与应当喷出的刻蚀液的浓度相同。