JP2022155739A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板の周縁部のベベルエッチングにおけるエッチングレートを精密に制御することが可能な基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置５００は、スピンチャック３と、第１ノズル１１と、第１ノズル移動部３１と、第２ノズル１３と、制御部Ｕ３４とを備える。スピンチャック３は、基板Ｗを保持して回転軸線ＡＸを中心として回転する。第１ノズル１１は、基板Ｗの上面Ｗａの周縁部ＥＧにおける着液位置Ｐ１に向け第１処理流体ＦＬ１を供給する。第２ノズル１３は、基板Ｗの下面Ｗｂの周縁部ＥＧにおける着液位置Ｐ２に向け第２処理流体ＦＬ２を供給する。制御部Ｕ３４は、基板Ｗの中心から着液位置Ｐ１までの第１距離、及び基板Ｗの中心から着液位置Ｐ２までの第２距離が所定の値になるように、着液位置Ｐ１と、着液位置Ｐ２とを制御する。
【選択図】図２

Description

本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。

半導体装置の製造工程には、ウエットエッチングにより半導体ウエハ等の基板の表面に形成された膜のうちの周縁部分のみを除去する工程があり、この工程はベベルエッチングと呼ばれている。こうした工程は、基板処理装置において、ウエットエッチングにより半導体ウエハ等の基板の表面に形成された膜のうちの周縁部分にエッチング液を供給することにより行われる（例えば特許文献１参照）。特許文献１には、水平に保持された基板を回転し、基板の周縁部に薬液を供給して基板の表面周縁部をエッチングする方法及び装置が示されている。

ベベルエッチングの処理対象となる基板には、周縁部を除く部分に基板パターンが設けられるデバイス領域が含まれる。ベベルエッチングにおいては、周縁部以外の領域にエッチングが及ばないように留意する必要がある。

特開２００８－４７６２９号公報

近年、基板の高集積化が進展するにつれ、基板表面にデバイス領域が占める範囲をより拡げようとする要求がある。これに伴い、ベベルエッチングによりエッチング処理を行う領域を基板の端面から１０ｍｍ以内、場合によっては数ｍｍ以内に限定しつつ、かつ、確実に周縁部分の不要膜を除去するという要求が出ている。

ここで、不要膜が残存している場合、後の工程において不要膜又は不要膜に起因する残存パーティクル等が後の工程の品質に悪影響を及ぼし得る。その反面、不要膜の除去エッチングが進み過ぎると、不要膜の周辺や下部の膜や基板にダメージを与えるおそれがある。こうしたことから、ベベルエッチングにより不要膜を除去するだけでなく、エッチング度合いをより精密に制御したいという要求が出ている。特に、ベベルエッチングによりエッチング除去される領域と、この領域に隣接する領域との間の境界領域についてエッチングレートを精密に制御し、境界領域での膜除去度合いを精密に制御したいという要求がある。

従来の装置や方法においては、ベベルエッチングによりエッチング除去される領域は、薬液を基板の周縁のどこに供給するかにより制御される。エッチング度合いについては、ベベルエッチングの処理時間や、供給する薬液の温度制御などにより制御される。

しかしながら、デバイスが高密度化しベベルエッチング処理を行う対象領域が一層狭まるにつれて、ベベルエッチングによりエッチング除去される領域と、この領域に隣接する領域との間の境界領域についてエッチングレートを精密に制御することが困難となってきている。

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板の周縁部のベベルエッチングにおけるエッチングレートを精密に制御できる基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。

本発明の一局面による基板処理装置は、基板保持部と、第１ノズルと、第１ノズル移動機構と、第２ノズルと、制御部とを備える。前記基板保持部は、基板を水平に保持して前記基板の中心を鉛直に通る回転軸線を中心として回転する。前記第１ノズルは、前記基板の上面の周縁部における第１の着液位置に向け第１処理流体を供給する。前記第１ノズル移動機構は、前記第１ノズルを水平移動する。前記第２ノズルは、前記基板の下面の周縁部における第２の着液位置に向け第２処理流体を供給する。前記制御部は、前記第１の着液位置と、前記第２の着液位置とを制御する。前記制御部は、前記基板の中心から前記第１の着液位置までの第１距離、及び前記基板の中心から前記第２の着液位置までの第２距離が所定の値になるように、前記第１の着液位置と、前記第２の着液位置とを制御する。

本発明の一態様においては、基板処理装置において、前記第１処理流体は、エッチング液であってもよい。

本発明の一態様においては、基板処理装置において、前記第２処理流体は、温水であってもよい。

本発明の一態様においては、基板処理装置において、前記制御部は、前記第２ノズルの位置の設定を変更して、前記基板の下面における前記第２の着液位置を変更することによって、前記基板の上面に対する前記第１処理流体による処理速度を変更してもよい。

本発明の一態様においては、基板処理装置において、前記第２の着液位置は、前記基板の端面から５ｍｍ以内であってもよい。

本発明の一態様においては、基板処理装置において、前記第２の着液位置は、平面視において前記第１の着液位置よりも、前記基板の径方向内側であってもよい。

本発明の一態様においては、基板処理装置において、前記第２の着液位置と前記基板の上面に対する前記第１処理流体による処理速度との関係を示す処理速度情報を記憶する記憶部と、前記処理速度情報を表示する表示部とをさらに備えてもよい。

本発明の一態様においては、基板処理装置において、前記制御部は、前記回転軸線に対して略直交する方向に前記第２ノズルを移動させることによって、前記第２の着液位置を変更してもよい。

本発明の一態様においては、基板処理装置において、前記第２ノズルは、前記回転軸線からの距離がそれぞれ異なる複数のノズルを有してもよい。前記制御部は、前記複数の吐出口から、前記第２処理流体を吐出する吐出口を選択することによって、前記第２の着液位置を変更してもよい。

本発明の一態様においては、基板処理装置において、前記第２ノズルは、前記基板の径方向の外方に向けて斜め上に前記第２処理流体を吐出してもよい。

本発明の他の局面による基板処理方法は、基板の周縁部をエッチング処理する。前記基板処理方法は、前記基板の上面の周縁部における第１の着液位置に第１処理流体を供給する工程と、前記基板の下面の周縁部における第２の着液位置に前記第１処理流体とは異なる第２処理流体を供給する工程と、前記基板の中心から前記第１の着液位置までの第１距離、及び前記基板の中心から前記第２の着液位置までの第２距離が所定の値となるように、前記第１の着液位置と、前記第２の着液位置とを制御する制御工程とを備える。

本発明の一態様においては、基板処理方法において、前記第１処理流体は、エッチング液であってもよい。

本発明の一態様においては、基板処理方法において、前記第２処理流体は、温水であってもよい。

本発明の一態様においては、基板処理方法において、前記制御工程は、前記基板の下面における前記第２の着液位置を変更することによって、前記基板の上面に対する前記第１処理流体による処理速度を変更してもよい。

本発明の一態様においては、基板処理方法において、前記第２の着液位置は、前記基板の端面から５ｍｍ以内であってもよい。

本発明の一態様においては、基板処理方法において、前記第２の着液位置は、平面視において前記第１の着液位置よりも、前記基板の径方向内側であってもよい。

本発明の一態様においては、基板処理方法において、前記制御工程では、前記第２の着液位置と前記基板の上面に対する前記第１処理流体による処理速度との関係を示す処理速度情報と、前記第１処理流体及び前記第２処理流体により予め処理した基板の上面の周縁部の状態とに基づいて、前記第２の着液位置を変更してもよい。

本発明の一態様においては、基板処理方法において、複数の処理ユニットによって複数の前記基板が処理される。前記基板処理方法は、前記制御工程に先立って、前記各処理ユニットにおいて前記第１処理流体及び前記第２処理流体により予め処理した基板の上面の周縁部の状態を検出する工程をさらに含み、前記制御工程では、少なくとも１つの前記処理ユニットにおいて処理された前記基板の状態の検出結果と、他の前記処理ユニットの前記第２の着液位置と前記基板の上面に対する前記第１処理流体による処理速度との関係を示す処理速度情報とに基づいて、前記他の処理ユニットの前記第２の着液位置を変更してもよい。

本発明の一態様においては、基板処理方法において、前記制御工程では、前記少なくとも１つの処理ユニットにおいて処理された前記基板の状態の検出結果と、前記他の処理ユニットにおいて処理された前記基板の状態の検出結果との差分を算出し、前記差分と前記他の処理ユニットの前記処理速度情報とに基づいて、前記他の処理ユニットの前記第２の着液位置を変更してもよい。

本発明によれば、基板の周縁部のベベルエッチングにおけるエッチングレートを精密に制御することが可能な基板処理装置及び基板処理方法を提供できる。

本発明の一実施形態の基板処理装置を示す模式的平面図である。 本発明の一実施形態の処理ユニットの内部を示す側面図である。 本発明の一実施形態の加熱部及び第２ノズルの構造を示す平面図である。 本発明の一実施形態の第１ノズル、第２ノズル及び加熱部等を示す平面図である。 本発明の一実施形態の処理ユニットのベベル処理を示す断面図である。 本発明の一実施形態の基板処理装置における第２処理流体の着液位置と第１処理流体によるエッチング量との関係を示すグラフの一例である。 本発明の一実施形態の基板処理方法を示すフローチャートである。 本発明の変形例の基板処理装置の第２ノズルを説明するための平面図である。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図中、同一又は相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。また、図中、理解を容易にするために、Ｘ軸、Ｙ軸、及び、Ｚ軸を適宜図示している。Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は互いに直交し、Ｘ軸及びＹ軸は水平方向に平行であり、Ｚ軸は鉛直方向に平行である。また、図中、図面を見易くするために、断面を示すハッチングを省略する場合がある。さらに、基板Ｗの回転軸線ＡＸに対する径方向を「径方向ＲＤ」と記載し、回転軸線ＡＸに対する周方向を「周方向ＣＤ」と記載し、回転軸線ＡＸに略平行な方向を「軸方向ＡＤ」と記載する。

図１～図７を参照して、本発明の一実施形態に係る基板処理装置５００を説明する。基板処理装置５００は基板Ｗを処理する。基板Ｗは、例えば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、電界放出ディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、又は、太陽電池用基板である。本実施形態では、基板Ｗは、半導体ウエハである。基板Ｗは、例えば、略円板状である。

まず、図１を参照して基板処理装置５００を説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置５００を示す模式的平面図である。図１に示すように、基板処理装置５００は、インデクサユニットＵ１と、複数の処理ユニットＵ２と、搬送ロボットＣＲと、受渡部ＰＳと、制御装置Ｕ３とを備える。制御装置Ｕ３は、インデクサユニットＵ１、複数の処理ユニットＵ２及び搬送ロボットＣＲを制御する。制御装置Ｕ３は、例えば、コンピュータである。インデクサユニットＵ１は、複数の基板収容器Ｃと、インデクサロボットＩＲとを含む。

基板収容器Ｃの各々は、複数枚の基板Ｗを積層して収容する。インデクサロボットＩＲは、複数の基板収容器Ｃのうちのいずれかの基板収容器Ｃから未処理の基板Ｗを取り出して、基板Ｗを受渡部ＰＳに渡す。そして、受渡部ＰＳには、基板収容器Ｃから取り出された基板Ｗが載置される。搬送ロボットＣＲは、受渡部ＰＳから未処理の基板Ｗを受け取って、複数の処理ユニットＵ２のうちのいずれかの処理ユニットＵ２に基板Ｗを搬入する。

そして、処理ユニットＵ２は、未処理の基板Ｗを処理する。処理ユニットＵ２は、基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉型である。

処理ユニットＵ２による処理後に、搬送ロボットＣＲは、処理済みの基板Ｗを処理ユニットＵ２から取り出して、基板Ｗを受渡部ＰＳに渡す。そして、受渡部ＰＳには、処理ユニットＵ２で処理された基板Ｗが載置される。インデクサロボットＩＲは、受渡部ＰＳから処理済みの基板Ｗを受け取って、複数の基板収容器Ｃのうちのいずれかの基板収容器Ｃに基板Ｗを収容する。

次に、図２を参照して、本実施形態に係る処理ユニットＵ２を説明する。図２は、本実施形態の処理ユニットＵ２の内部を示す側面図である。

図２に示す処理ユニットＵ２は、基板Ｗを処理流体によって処理する。処理流体は、例えば、処理液又は処理ガスである。

処理流体は、基板Ｗに接触する流体である限りは、特に限定されない。処理流体としての処理液は、例えば、薬液又はリンス液である。

薬液は、例えば、希フッ酸（ＤＨＦ）、フッ酸（ＨＦ）、フッ硝酸（フッ酸と硝酸（ＨＮＯ₃）との混合液）、バファードフッ酸（ＢＨＦ）、フッ化アンモニウム、ＨＦＥＧ（フッ酸とエチレングリコールとの混合液）、燐酸（Ｈ₃ＰＯ₄）、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（例えば、クエン酸、シュウ酸）、有機アルカリ（例えば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）、硫酸過酸化水素水混合液（ＳＰＭ）、アンモニア過酸化水素水混合液（ＳＣ１）、塩酸過酸化水素水混合液（ＳＣ２）、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、界面活性剤、腐食防止剤、又は、疎水化剤である。

リンス液は、例えば、脱イオン水、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、又は、希釈濃度（例えば、１０ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度）の塩酸水である。

また、処理流体としての処理ガスは、例えば、基板Ｗと反応する反応ガス、又は、不活性ガスである。反応ガスは、例えば、オゾンガス、フッ素ガス、フッ化水素を含む気体、又は、ＩＰＡを含む気体である。不活性ガスは、例えば、窒素、ヘリウム、又は、アルゴンである。

図２に示すように、処理ユニットＵ２は、チャンバ１と、スピンチャック３と、モータ筐体５と、モータ７と、加熱部９と、第１ノズル１１と、第２ノズル１３と、第３ノズル１５と、第４ノズル１７と、第１流体供給機構２１と、第２流体供給機構２３と、第３流体供給機構２５と、第４流体供給機構２７と、第１ノズル移動部３１と、第２ノズル移動部３３と、第３ノズル移動部３５と、第４ノズル移動部３７と、ガード４１とを備える。なお、スピンチャック３は、本発明の「基板保持部」の一例である。第１ノズル移動部３１は、本発明の「第１ノズル移動機構」の一例である。

チャンバ１は略箱形状を有する。チャンバ１は、基板Ｗ、スピンチャック３、モータ筐体５、モータ７、加熱部９、第１ノズル１１～第４ノズル１７、第１流体供給機構２１～第４流体供給機構２７の一部、第１ノズル移動部３１～第４ノズル移動部３７、及び、ガード４１を収容する。

スピンチャック３は回転可能である。そして、スピンチャック３は、基板Ｗを水平に保持して基板Ｗの中心を鉛直に通る回転軸線ＡＸを中心として回転する。具体的には、スピンチャック３は、チャンバ１内で基板Ｗを水平に保持しながら、回転軸線ＡＸの回りに基板Ｗを回転させる。スピンチャック３は、モータ７によって駆動されて回転する。スピンチャック３は、真空吸着式のチャックである。スピンチャック３は、基板Ｗの下面Ｗｂ（上面Ｗａと反対側の面）の中央部を吸着する。なお、本明細書において、基板Ｗの上面Ｗａは、基板Ｗの表面である。また、基板Ｗの下面Ｗｂは、基板Ｗの裏面である。

スピンチャック３は、スピンベースＳＢと、スピン軸ＳＳとを含む。スピンベースＳＢは、略円板状の部材である。スピンベースＳＢは、少なくとも１つの吸引孔（図示せず）を有する。吸引孔は、スピンベースＳＢの上面に配置される。吸引孔には、吸引ポンプ（図示せず）が接続される。吸引ポンプが吸引孔の内部の空気を吸引することによって、スピンベースＳＢの上面に基板Ｗが保持される。スピンベースＳＢは、基板Ｗの外径よりも小さい外径を有する。基板ＷがスピンベースＳＢに保持された状態で、基板Ｗの周縁部ＥＧは、スピンベースＳＢの周縁よりも径方向ＲＤ外側に配置される。

スピン軸ＳＳは、スピンベースＳＢの下面の中央部に取り付けられる。スピン軸ＳＳは、鉛直方向に延びる。スピン軸ＳＳは、モータ７に連結される。モータ７が駆動することにより、スピンチャック３（スピン軸ＳＳ及びスピンベースＳＢ）が回転軸線ＡＸの回りに回転する。よって、スピンチャック３に保持された基板Ｗが回転軸線ＡＸの回りに回転する。

モータ筐体５は、中空の部材である。モータ筐体５は、モータ７を収容する。

加熱部９は、基板Ｗを加熱する。加熱部９は、例えば、ヒータである。本実施形態では、加熱部９は、基板Ｗの少なくとも周縁部ＥＧを加熱する。加熱部９は、例えば、基板Ｗの下方に配置される。加熱部９は、例えば、基板Ｗを下面Ｗｂ側から加熱する。加熱部９は、略円環状である。なお、加熱部９の詳細は、後述する。

第１ノズル１１は、基板Ｗの回転中に基板Ｗの上面Ｗａの周縁部ＥＧに向かって第１処理流体ＦＬ１を供給する。本実施形態では、第１処理流体ＦＬ１は処理液である。

第１流体供給機構２１は、第１ノズル１１に第１処理流体ＦＬ１を供給する。第１流体供給機構２１は、配管２１ａと、バルブ２１ｂとを含む。配管２１ａは第１ノズル１１に第１処理流体ＦＬ１を供給する。バルブ２１ｂは、第１ノズル１１に対する第１処理流体ＦＬ１の供給開始と供給停止とを切り替える。バルブ２１ｂが開かれると、第１処理流体ＦＬ１が配管２１ａを通って第１ノズル１１に供給される。その結果、第１ノズル１１は、第１処理流体ＦＬ１を基板Ｗに向かって吐出する。

第１ノズル移動部３１は、略鉛直方向及び略水平方向に第１ノズル１１を移動する。具体的には、第１ノズル移動部３１は、アーム３１ａと、ノズル移動機構３１ｂとを含む。アーム３１ａは略水平方向に沿って延びる。アーム３１ａの先端部には第１ノズル１１が配置される。第１ノズル移動部３１の詳細は後述する。

第２ノズル１３は、基板Ｗの回転中に基板Ｗの下面Ｗｂの周縁部ＥＧに向かって第２処理流体ＦＬ２を供給する。本実施形態では、第２処理流体ＦＬ２は処理液である。

第２流体供給機構２３は、第２ノズル１３に第２処理流体ＦＬ２を供給する。第２流体供給機構２３は、配管２３ａと、バルブ２３ｂとを含む。配管２３ａは第２ノズル１３に第２処理流体ＦＬ２を供給する。バルブ２３ｂは、第２ノズル１３に対する第２処理流体ＦＬ２の供給開始と供給停止とを切り替える。バルブ２３ｂが開かれると、第２処理流体ＦＬ２が配管２３ａを通って第２ノズル１３に供給される。その結果、第２ノズル１３は、第２処理流体ＦＬ２を基板Ｗに向かって吐出する。

第２ノズル移動部３３は、略鉛直方向及び略水平方向に第２ノズル１３を移動する。具体的には、第２ノズル移動部３３は、アーム３３ａと、ノズル移動機構３３ｂとを含む。アーム３３ａは略水平方向に沿って延びる。アーム３３ａの先端部には第２ノズル１３が配置される。第２ノズル移動部３３の詳細は後述する。

第３ノズル１５は、基板Ｗの回転中に基板Ｗの上面Ｗａの中心部に向かって第３処理流体ＦＬ３を供給する。本実施形態では、第３処理流体ＦＬ３は処理ガスである。

第３流体供給機構２５は、第３ノズル１５に第３処理流体ＦＬ３を供給する。第３流体供給機構２５は、配管２５ａと、バルブ２５ｂとを含む。配管２５ａは第３ノズル１５に第３処理流体ＦＬ３を供給する。バルブ２５ｂは、第３ノズル１５に対する第３処理流体ＦＬ３の供給開始と供給停止とを切り替える。バルブ２５ｂが開かれると、第３処理流体ＦＬ３が配管２５ａを通って第３ノズル１５に供給される。その結果、第３ノズル１５は、第３処理流体ＦＬ３を基板Ｗに向かって吐出する。

第３ノズル移動部３５は、略鉛直方向及び略水平方向に第３ノズル１５を移動する。具体的には、第３ノズル移動部３５は、アーム３５ａと、ノズル移動機構３５ｂとを含む。アーム３５ａは略水平方向に沿って延びる。アーム３５ａの先端部には第３ノズル１５が配置される。第３ノズル移動部３５の詳細は後述する。

第４ノズル１７は、基板Ｗの回転中に基板Ｗの上面Ｗａに向かって第４処理流体ＦＬ４を供給する。本実施形態では、第４処理流体ＦＬ４は処理ガスである。

第４流体供給機構２７は、第４ノズル１７に第４処理流体ＦＬ４を供給する。第４流体供給機構２７は、配管２７ａと、バルブ２７ｂとを含む。配管２７ａは第４ノズル１７に第４処理流体ＦＬ４を供給する。バルブ２７ｂは、第４ノズル１７に対する第４処理流体ＦＬ４の供給開始と供給停止とを切り替える。バルブ２７ｂが開かれると、第４処理流体ＦＬ４が配管２７ａを通って第４ノズル１７に供給される。その結果、第４ノズル１７は、第４処理流体ＦＬ４を基板Ｗに向かって吐出する。

第４ノズル移動部３７は、略鉛直方向及び略水平方向に第４ノズル１７を移動する。具体的には、第４ノズル移動部３７は、アーム３７ａと、ノズル移動機構３７ｂとを含む。アーム３７ａは略水平方向に沿って延びる。アーム３７ａの先端部には第４ノズル１７が配置される。第４ノズル移動部３７の詳細は後述する。

ガード４１は、基板Ｗから排出された処理流体（第１処理流体ＦＬ１～第４処理流体ＦＬ４）を受け止める。ガード４１は略筒形状を有する。例えば、ガード４１は、略円筒形状の円筒部４１ａと、張り出し部４１ｂとを含む。張り出し部４１ｂは、例えば、円筒部４１ａの上端から、径方向ＲＤ内側に向かって斜め上方に張り出している。

次に、図３及び図４を参照して、加熱部９、第１ノズル移動部３１、第２ノズル移動部３３、第３ノズル移動部３５及び第４ノズル移動部３７について詳細に説明する。図３は、本実施形態の加熱部９及び第２ノズル１３の構造を示す平面図である。図４は、本実施形態の第１ノズル１１、第２ノズル１３及び加熱部９等を示す平面図である。

図３に示すように、加熱部９は、発熱体（図示せず）と、発熱体を収容する略円板状の収容部材９ａとを含む。収容部材９ａは、発熱領域９ｂを含む。発熱領域９ｂは、発熱体の熱によって高温になる領域である。発熱領域９ｂは、例えば、１００℃以上になる。発熱領域９ｂは、略円環形状を有する。

加熱部９は、切欠き部９ｃをさらに含む。切欠き部９ｃは、収容部材９ａの外周部の一部を切り欠いた形状を有する。切欠き部９ｃには、第２ノズル１３が配置される。切欠き部９ｃは、第２ノズル１３が例えば略水平方向に移動できるように形成されている。例えば、図３に示したように、切欠き部９ｃは、収容部材９ａの外周面から径方向ＲＤ内側に延びている。よって、第２ノズル１３は、切欠き部９ｃ内において、径方向ＲＤに移動可能である。

図４に示すように、第１ノズル移動部３１のノズル移動機構３１ｂは、アーム３１ａを略水平面に沿って回動させる。その結果、第１ノズル１１が略水平面に沿って移動する。ノズル移動機構３１ｂは、例えば、アーム３１ａを略水平面に沿って回動させるための電動モータを含む。また、ノズル移動機構３１ｂは、アーム３１ａを略鉛直方向に沿って昇降させる。その結果、第１ノズル１１が略鉛直方向に沿って移動する。この場合、ノズル移動機構３１ｂは、例えば、ボールねじ機構と、ボールねじ機構に駆動力を与える電動モータとを含む。

第２ノズル移動部３３のノズル移動機構３３ｂ（図２参照）は、アーム３３ａを略水平面に沿って、略径方向ＲＤに移動させる。その結果、第２ノズル１３が略径方向ＲＤに移動する。言い換えると、第２ノズル１３が基板Ｗの周縁部ＥＧを横切るように移動する。本実施形態では、ノズル移動機構３３ｂは、第２ノズル１３を略径方向ＲＤに約０．１ｍｍピッチで移動することが可能である。ノズル移動機構３３ｂは、例えば、アーム３３ａを略径方向ＲＤに沿って移動させるための直動モータを含む。また、ノズル移動機構３３ｂは、アーム３３ａを略鉛直方向に沿って昇降させる。その結果、第２ノズル１３が略鉛直方向に沿って移動する。この場合、ノズル移動機構３３ｂは、例えば、ボールねじ機構と、ボールねじ機構に駆動力を与える電動モータとを含む。

第３ノズル移動部３５のノズル移動機構３５ｂは、アーム３５ａを略水平面に沿って回動させる。その結果、第３ノズル１５が略水平面に沿って移動する。ノズル移動機構３５ｂは、例えば、アーム３５ａを略水平面に沿って回動させるための電動モータを含む。また、ノズル移動機構３５ｂは、アーム３５ａを略鉛直方向に沿って昇降させる。その結果、第３ノズル１５が略鉛直方向に沿って移動する。この場合、ノズル移動機構３５ｂは、例えば、ボールねじ機構と、ボールねじ機構に駆動力を与える電動モータとを含む。

第４ノズル移動部３７のノズル移動機構３７ｂは、アーム３７ａを略水平面に沿って回動させる。その結果、第４ノズル１７が略水平面に沿って移動する。ノズル移動機構３７ｂは、例えば、アーム３７ａを略水平面に沿って回動させるための電動モータを含む。また、ノズル移動機構３７ｂは、アーム３７ａを略鉛直方向に沿って昇降させる。その結果、第４ノズル１７が略鉛直方向に沿って移動する。この場合、ノズル移動機構３７ｂは、例えば、ボールねじ機構と、ボールねじ機構に駆動力を与える電動モータとを含む。

次に、図４及び図５を参照して、処理ユニットＵ２によるベベル処理を説明する。図５は、本実施形態の処理ユニットＵ２のベベル処理を示す断面図である。図５に示すように、第１ノズル１１は、回転中の基板Ｗに対して、基板Ｗの上面Ｗａの側から第１処理流体ＦＬ１を供給する。本実施形態では、第１ノズル１１は、ベベル処理を実行する。ベベル処理とは、回転中の基板Ｗの表面の周縁部ＥＧに向かって第１処理流体ＦＬ１を供給して、基板Ｗの周縁部ＥＧを処理することである。本実施形態では、基板Ｗが加熱部９によって加熱された状態でベベル処理が実行される。本実施形態では、第１処理流体ＦＬ１は、処理液である。処理液は例えばエッチング液であり、エッチング液の例としては、硫酸、塩酸、フッ酸、過酸化水素、硫酸と過酸化水素の混合液、アンモニア化合物や、これらの混合液などが含まれる。ベベル処理の目的によっては、有機化合物系の膜を除去する目的で、有機系の処理液が用いられても良い。処理液は、ＳＣ１、ＳＣ２、ＦＯＭ、オゾン含有ＤＩＷなどの洗浄液であっても良い。

例えば、第１ノズル１１は、回転中の基板Ｗの表面の周縁部ＥＧ上の所定位置に向かってエッチング液を供給することによって、基板Ｗの周縁部ＥＧに存在する膜をエッチングする。本実施形態では、第１処理流体ＦＬ１の温度は、例えば、常温（約２５℃）である。なお、本実施形態では、基板Ｗの周縁部ＥＧは、例えば、基板Ｗの周縁から径方向ＲＤ内側に約５ｍｍまでの環状の領域である。また、基板Ｗの周縁部ＥＧに存在する膜としては、例えば、シリコン窒化膜等の窒化膜及び酸化膜が挙げられる。

図４に示すように、第１ノズル１１は、第１処理流体ＦＬ１を吐出する第１吐出口１１ａを含む。第１ノズル１１は、モータ７によって回転している基板Ｗに対して、基板Ｗの上面Ｗａの側から第１処理流体ＦＬ１を供給する。具体的には、第１ノズル１１は、回転中の基板Ｗの上面Ｗａの周縁部ＥＧに向かって第１処理流体ＦＬ１を供給する。第１ノズル１１は、基板Ｗの上面Ｗａの周縁から径方向ＲＤ内側に約０．５ｍｍの位置から、さらに径方向ＲＤ内側に約４．５ｍｍの位置までの位置に向かって第１処理流体ＦＬ１を供給する。言い換えると、第１ノズル１１は、基板Ｗの上面Ｗａの周縁部ＥＧのうち、径方向ＲＤ外側の約０．５ｍｍの以外のいずれかの部分に向かって第１処理流体ＦＬ１を供給する。さらに言い換えると、第１ノズル１１は、基板Ｗの上面Ｗａの端面（周縁）から約０．５ｍｍ以上約５．０ｍｍ以下の位置に向かって第１処理流体ＦＬ１を供給する。この場合、第１ノズル１１は、径方向ＲＤ外側で斜め下方に向かって第１処理流体ＦＬ１を吐出する。第１ノズル１１は、例えば、鉛直方向に対して傾斜する流路を有する。流路の下端は、第１吐出口１１ａである。

図５に示すように、第１ノズル１１は、基板Ｗの上面Ｗａの周縁部ＥＧにおける所定位置（以下、着液位置Ｐ１とも記載する）に向けて第１処理流体ＦＬ１を供給する。従って、第１ノズル１１から吐出された第１処理流体ＦＬ１は、基板Ｗの上面Ｗａの周縁部ＥＧの所定位置（着液位置Ｐ１）に供給される。なお、着液位置Ｐ１は、本発明の「第１の着液位置」の一例である。着液位置Ｐ１は、基板Ｗの上面Ｗａのうち、第１ノズル１１から供給された処理液が着液する位置である。なお、第１ノズル１１と基板Ｗの上面Ｗａとの間の距離Ｌ１と、基板Ｗの上面Ｗａに対する第１処理流体ＦＬ１の入射角θ１とに基づいて、第１ノズル１１の位置を設定することによって、着液位置Ｐ１を容易に所望の位置に配置することができる。

図４に示すように、第３ノズル１５は、第３処理流体ＦＬ３を吐出する第３吐出口（図示せず）を含む。具体的には、第３ノズル１５は、他の部分よりも径の大きい大径部１５ａを含む。大径部１５ａは、略円板状である。大径部１５ａには、第３吐出口が複数形成されている。第３ノズル１５は、回転中の基板Ｗの上面Ｗａの中央部に向かって第３処理流体ＦＬ３を供給する。この場合、第３ノズル１５は、径方向ＲＤ外側で斜め下方に向かって第３処理流体ＦＬ３を吐出する。第３ノズル１５は、例えば、鉛直方向に対して傾斜する複数の流路を有する。流路の下端は、第３吐出口である。

第３処理流体ＦＬ３は、処理ガス（例えば、窒素）である。なお、第３処理流体ＦＬ３として、例えば清浄空気を用いてもよい。第３ノズル１５から吐出された第３処理流体ＦＬ３は、基板Ｗの中央部から周縁部ＥＧに向かって放射状に広がる。第３処理流体ＦＬ３によって、基板Ｗの周縁部ＥＧの第１処理流体ＦＬ１が基板Ｗの外部に効率よく排出される。

第４ノズル１７は、第４処理流体ＦＬ４を吐出する第４吐出口１７ａを含む。第４ノズル１７は、回転中の基板Ｗの上面Ｗａに向かって第４処理流体ＦＬ４を吐出する。第４処理流体ＦＬ４は、処理ガス（例えば、窒素）である。第４ノズル１７は、基板Ｗの上面Ｗａのうち、第１ノズル１１から供給された処理液が着液する着液位置Ｐ１（図５参照）よりも径方向ＲＤの内側（回転軸線ＡＸ側）に処理ガスを供給する。この場合、第４ノズル１７は、径方向ＲＤ外側で斜め下方に向かって第４処理流体ＦＬ４を吐出する。第４ノズル１７は、例えば、鉛直方向に対して傾斜する流路を有する。流路の下端は、第４吐出口１７ａである。

第４ノズル１７から吐出された第４処理流体ＦＬ４は、基板Ｗの周縁部ＥＧに向かって流れる。第４処理流体ＦＬ４によって、基板Ｗの周縁部ＥＧに残留している第１処理流体ＦＬ１が基板Ｗの外部に効率よく排出される。

第２ノズル１３は、第２処理流体ＦＬ２を吐出する第２吐出口１３ａを含む。第２ノズル１３は、回転中の基板Ｗに対して、基板Ｗの下面Ｗｂの側から第２処理流体ＦＬ２を供給する。具体的には、第２ノズル１３は、回転中の基板Ｗの下面Ｗｂの周縁部ＥＧに向かって第２処理流体ＦＬ２を供給する。第２ノズル１３は、基板Ｗの下面Ｗｂの周縁から径方向ＲＤ内側に約０．５ｍｍの位置から、さらに径方向ＲＤ内側に約４．５ｍｍの位置までの位置に向かって第２処理流体ＦＬ２を供給する。言い換えると、第２ノズル１３は、基板Ｗの下面Ｗｂの周縁部ＥＧのうち、径方向ＲＤ外側の約０．５ｍｍの以外のいずれかの部分に向かって第２処理流体ＦＬ２を供給する。さらに言い換えると、第２ノズル１３は、基板Ｗの下面Ｗｂの端面（周縁）から約０．５ｍｍ以上約５．０ｍｍ以下の位置に向かって第２処理流体ＦＬ２を供給する。この場合、第２ノズル１３は、径方向ＲＤ外側で斜め上方に向かって第２処理流体ＦＬ２を吐出する。第２ノズル１３は、例えば、鉛直方向に対して傾斜する流路を有する。流路の下端は、第２吐出口１３ａである。

図５に示すように、第２ノズル１３は、基板Ｗの下面Ｗｂの周縁部ＥＧにおける所定位置（以下、着液位置Ｐ２とも記載する）に向かって第２処理流体ＦＬ２を供給する。従って、第２ノズル１３から吐出された第２処理流体ＦＬ２は、基板Ｗの下面Ｗｂの周縁部ＥＧの所定位置（着液位置Ｐ２）に供給される。なお、着液位置Ｐ２は、本発明の「第２の着液位置」の一例である。着液位置Ｐ２は、基板Ｗの下面Ｗｂのうち、第２ノズル１３から供給された処理液が着液する位置である。本実施形態では、第２処理流体ＦＬ２は、温水である。ただし、第２処理流体ＦＬ２は、水でなくてもよいし、常温であってもよい。なお、第２ノズル１３と基板Ｗの下面Ｗｂとの間の距離Ｌ２と、基板Ｗの下面Ｗｂに対する第２処理流体ＦＬ２の入射角θ２とに基づいて、第２ノズル１３の位置を設定することによって、着液位置Ｐ２を容易に所望の位置に配置することができる。

また、着液位置Ｐ２は、平面視において着液位置Ｐ１よりも、基板Ｗの径方向ＲＤ内側であってもよい。

距離Ｌ１、入射角θ１、距離Ｌ２及び入射角θ２は、特に限定されるものではないが、本実施形態では、距離Ｌ１は、例えば約１ｍｍであり、入射角θ１は、例えば４５°である。また、距離Ｌ２は、例えば約２ｍｍであり、入射角θ２は、例えば４５°である。また、第１ノズル１１の吐出量及び第２ノズル１３の吐出量は、特に限定されるものではないが、本実施形態では、第１ノズル１１の吐出量と第２ノズル１３の吐出量とは例えば同じ量である。

第２処理流体ＦＬ２は、着液位置Ｐ２から、基板Ｗの下面Ｗｂに沿って径方向ＲＤ外側に向かって流れる。このとき、基板Ｗの周縁部ＥＧは、加熱部９によって加熱されている。基板Ｗの周縁部ＥＧの温度は、例えば、数十度から百数十度になっている。従って、基板Ｗの下面Ｗｂに供給された第２処理流体ＦＬ２は、基板Ｗから熱を奪って気化する。よって、基板Ｗの周縁部ＥＧの温度が低下する。すなわち、第２処理流体ＦＬ２は、基板Ｗの周縁部ＥＧの温度に影響を及ぼし、さらに、第１処理流体ＦＬ１による基板Ｗの上面Ｗａの処理速度（エッチングレート）に影響を及ぼす。

次に、図６を参照して、第２処理流体ＦＬ２の着液位置Ｐ２と、第１処理流体ＦＬ１によるエッチング量との関係について説明する。図６は、本実施形態の基板処理装置５００における第２処理流体ＦＬ２の着液位置Ｐ２と第１処理流体ＦＬ１によるエッチング量との関係を示すグラフの一例である。図６中、基準位置Ｐ３は、第２ノズル１３を初期位置に配置した状態で第２ノズル１３から吐出された第２処理流体ＦＬ２が着液する位置である。エッチング量とは、エッチングレートと、エッチング時間との積である。図６では、基板Ｗの上面Ｗａの周縁部ＥＧに存在する膜として、シリコン窒化膜を用い、第１処理流体ＦＬ１として、フッ酸を用いている。なお、第２処理流体ＦＬ２の着液位置Ｐ２と第１処理流体ＦＬ１によるエッチング量との関係を示すグラフは、本発明の「処理速度情報」の一例である。以下、第２処理流体ＦＬ２の着液位置Ｐ２と第１処理流体ＦＬ１によるエッチング量との関係を示すグラフを、処理速度情報と記載する場合がある。

図６に示すように、第２処理流体ＦＬ２の着液位置Ｐ２が基準位置Ｐ３から径方向ＲＤ内側に移動すると、基板Ｗの周縁部ＥＧの温度が低下するため、第１処理流体ＦＬ１による基板Ｗの上面Ｗａの処理速度（エッチングレート）が低下する。その一方、第２処理流体ＦＬ２の着液位置Ｐ２が基準位置Ｐ３から径方向ＲＤ外側に移動すると、基板Ｗの周縁部ＥＧの温度が低下しにくくなるため、第１処理流体ＦＬ１による基板Ｗの上面Ｗａの処理速度（エッチングレート）が高くなる。従って、第２処理流体ＦＬ２の着液位置Ｐ２を基準位置Ｐ３から径方向ＲＤに沿って移動させることによって、第１処理流体ＦＬ１による基板Ｗの上面Ｗａの処理速度（エッチングレート）を変更することが可能である。また、第２処理流体ＦＬ２の着液位置Ｐ２を変更する場合、基板Ｗの上面Ｗａの処理速度は少しだけ変化する。すなわち、第２処理流体ＦＬ２の着液位置Ｐ２を変更することによって、基板Ｗの上面Ｗａの処理速度を微調節することができる。なお、第２処理流体ＦＬ２の着液位置Ｐ２を径方向ＲＤに移動させたとしても、パーティクル性能等の他のプロセス性能には、ほとんど影響しない。

このように、第２処理流体ＦＬ２の着液位置Ｐ２を移動させることにより、パーティクル性能等の他のプロセス性能に影響を及ぼさない形で、基板Ｗの上面Ｗａの処理速度を微調節することには、いくつかの利点がある。一つは、温度制御の安定性である。第２処理流体ＦＬ２の温度を調整するのではなく、第２処理流体ＦＬ２の着液位置Ｐ２を調整することにより、短時間で基板Ｗの上面Ｗａの所定位置における温度を微調整することが可能となる。例えば、第１処理流体ＦＬ１の着液位置Ｐ１が固定された状態において、第２処理流体ＦＬ２の着液位置Ｐ２のみを移動させることで、第１処理流体ＦＬ１による基板Ｗの上面Ｗａの処理速度を微調整することが可能である。

図６に示したグラフは、例えば、第１処理流体ＦＬ１の種類，吐出量，吐出時間，濃度，温度、第２処理流体ＦＬ２の種類，吐出量，吐出時間，濃度，温度、膜の種類、及び、加熱部９の温度等の各種条件によって異なる。各種条件を変更する毎に、図６に示したような処理速度情報が多数得られる。得られた処理速度情報は、記憶部Ｕ３１に記憶されている。

また、各種条件を同じにしたとしても、異なる処理ユニットＵ２間では、エッチングレート及びエッチング量が異なる。従って、処理ユニットＵ２毎に、多くの処理速度情報が存在する。

次に、図２を参照して、制御装置Ｕ３について説明する。制御装置Ｕ３は、記憶部Ｕ３１と、表示部Ｕ３２と、操作部Ｕ３３と、制御部Ｕ３４とを含む。記憶部Ｕ３１は、記憶装置を含み、データ及びコンピュータプログラムを記憶する。記憶装置は、半導体メモリのような主記憶装置と、半導体メモリ及び／又はハードディスクドライブのような補助記憶装置とを含む。記憶装置は、リムーバブルメディアを含んでいてもよい。

表示部Ｕ３２は、例えば、表示パネルを有する表示装置を含む。表示部Ｕ３２は、処理ユニットＵ２の例えば動作情報、設定情報及び報知情報を表示する。本実施形態では、表示部Ｕ３２は、図６に示したような各処理ユニットＵ２における着液位置Ｐ２とエッチング量との関係を示すグラフを表示する。

操作部Ｕ３３は、作業者による入力操作を受け付ける。操作部Ｕ３３は、各処理ユニットＵ２の例えば処理条件を設定したり、変更したりするための複数のボタンを含む。なお、操作部Ｕ３３は、例えばタッチパネルを含んでもよい。表示部Ｕ３２は、例えば操作部Ｕ３３としてのタッチパネルを含んでもよい。

制御部Ｕ３４は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）のようなプロセッサを含む。制御部Ｕ３４のプロセッサは、記憶部Ｕ３１の記憶装置が記憶しているコンピュータプログラムを実行して、処理ユニットＵ２を制御する。

すなわち、制御部Ｕ３４は、スピンチャック３、モータ７、加熱部９、第１流体供給機構２１～第４流体供給機構２７、及び、第１ノズル移動部３１～第４ノズル移動部３７を制御する。

例えば、制御部Ｕ３４は、第１ノズル移動部３１～第４ノズル移動部３７をそれぞれ制御して、第１ノズル１１～第４ノズル１７の位置を制御する。また、例えば、制御部Ｕ３４は、第１流体供給機構２１～第４流体供給機構２７をそれぞれ制御して、第１処理流体ＦＬ１～第４処理流体ＦＬ４の供給の有無及び供給量を制御する。

また、制御部Ｕ３４は、着液位置Ｐ１と着液位置Ｐ２とを制御する。具体的には、制御部Ｕ３４は、基板Ｗの中心から着液位置Ｐ１までの第１距離、及び基板Ｗの中心から着液位置Ｐ２までの第２距離が所定の値となるように、着液位置Ｐ１と着液位置Ｐ２とを制御する。例えば、基板Ｗの中心から着液位置Ｐ１までの第１距離は、基板Ｗの中心から第１ノズル１１までの距離と、上述した距離Ｌ１及び入射角θ１等とに基づいて算出できる。同様に、基板Ｗの中心から着液位置Ｐ２までの第２距離は、基板Ｗの中心から第２ノズル１３までの距離と、上述した距離Ｌ２及び入射角θ２等とに基づいて算出できる。

また、制御部Ｕ３４は、第２ノズル１３の位置の設定を変更して、基板Ｗの下面Ｗｂにおける第２処理流体ＦＬ２の着液位置Ｐ２を変更することによって、基板Ｗの上面Ｗａに対する第１処理流体ＦＬ１による処理速度を変更する。従って、複数の処理ユニットＵ２間で膜に対する処理速度が異なる場合に、各処理ユニットＵ２の処理速度を制御することができる。よって、処理ユニットＵ２間における処理速度の差を抑制することができる。

また、処理ユニットＵ２間での処理速度の差を抑制するために第２処理流体ＦＬ２の温度又は濃度を調節する必要がない。従って、例えば、パーティクル性能等の他のプロセス性能に影響が及ぶことを抑制できる。その結果、他のプロセス性能への影響を検証するために、膨大な時間を要することを抑制できる。

また、表示部Ｕ３２は処理速度情報を表示するため、作業者は、表示部Ｕ３２で処理速度情報を確認しながら、第２処理流体ＦＬ２の着液位置Ｐ２を変更できる。

また、制御部Ｕ３４は、回転軸線ＡＸに対して略直交する方向に第２ノズル１３を移動させることによって、着液位置Ｐ２を変更する。従って、第２処理流体ＦＬ２の着液位置Ｐ２が径方向ＲＤに沿って移動するため、第１処理流体ＦＬ１による基板Ｗの上面Ｗａの処理速度（エッチングレート）を容易に変更できる。具体的には、制御部Ｕ３４は、回転軸線ＡＸから第２ノズル１３までの距離が変化するように第２ノズル１３を移動させることによって、着液位置Ｐ２を変更する。

以上、図１～図６を用いて説明したように、制御部Ｕ３４は、第１処理流体ＦＬ１の着液位置Ｐ１と、第２処理流体ＦＬ２の着液位置Ｐ２とを制御する。従って、基板Ｗの周縁部ＥＧのベベルエッチングにおけるエッチングレートを精密に制御できる。

また、上述したように、着液位置Ｐ２は、平面視において着液位置Ｐ１よりも、基板Ｗの径方向ＲＤ内側であってもよい。この場合、平面視においてエッチング液（第１処理流体ＦＬ１）が供給される位置よりも内側の基板Ｗの温度を制御することによって、ベベルエッチングにより除去される領域とこの領域に隣接する領域との間の境界領域におけるエッチングレートをより精密に制御することが可能となる。

次に、図７を参照して、本実施形態に係る基板処理方法を説明する。また、基板処理方法の説明において、図１～図６が適宜参照される。基板処理方法では、複数の処理ユニットＵ２によって複数の基板Ｗが処理される。図７は、本実施形態の基板処理方法を示すフローチャートである。

図７に示すように、基板処理方法は、ベベル処理を実行する工程Ｓ１、基板Ｗの周縁部ＥＧの状態を検出する工程Ｓ２と、着液位置Ｐ２を変更する工程Ｓ３と、ベベル処理を実行する工程Ｓ４とを含む。また、基板処理方法は、第１処理流体ＦＬ１を供給する工程Ｓ４１と、第２処理流体ＦＬ２を供給する工程Ｓ４２とを含む。工程Ｓ１及び工程Ｓ２は、例えば、処理ユニットＵ２間の差（チャンバ間差とも言う）を確認するための工程である。工程Ｓ３は、例えば、処理ユニットＵ２間の差を補正するための工程である。工程Ｓ４は、例えば、製品としての基板Ｗにベベル処理を実行する工程である。なお、工程Ｓ２は、本発明の「周縁部の状態を検出する工程」の一例である。工程Ｓ３は、本発明の「制御工程」の一例である。工程Ｓ４１は、本発明の「第１処理流体を供給する工程」の一例である。工程Ｓ４２は、本発明の「第２処理流体ＦＬ２を供給する工程」の一例である。以下、詳細に説明する。

工程Ｓ１において、制御部Ｕ３４は、各処理ユニットＵ２によって、図４及び図５を用いて説明したベベル処理を実行する。このとき、同一の処理条件で、各処理ユニットＵ２によってベベル処理が実行される。すなわち、第１処理流体ＦＬ１の種類，吐出量，吐出時間，濃度，温度、第２処理流体ＦＬ２の種類，吐出量，吐出時間，濃度，温度、膜の種類、及び、加熱部９の温度等の各種条件は、各処理ユニットＵ２において同一に設定される。工程Ｓ１では、例えば、処理ユニットＵ２間の差を確認するための基板Ｗが用いられる。確認用の基板Ｗとしては、少なくとも周縁部ＥＧの膜の材質及び厚み等が、製品としての基板Ｗと同じものが用いられる。なお、工程Ｓ１において、製品としての基板Ｗを用いてもよい。

また、工程Ｓ１では、各処理ユニットＵ２において、第２ノズル１３から吐出される第２処理流体ＦＬ２の着液位置Ｐ２は、例えば基準位置Ｐ３に設定される。

工程Ｓ２において、ベベル処理された各基板Ｗの周縁部ＥＧの状態を検出する。具体的には、各基板Ｗの上面Ｗａの周縁部ＥＧの膜の厚みを検出する。例えば、周縁部ＥＧの膜の厚みを測定してもよい。また、周縁部ＥＧの膜の色又は透明度から、膜の厚みを導出してもよい。

本実施形態では、周縁部ＥＧの状態の検出は、作業者が行う。作業者は、例えば、顕微鏡を用いて周縁部ＥＧを視認したり、各処理ユニットＵ２が撮像した画像を確認したりすることによって、周縁部ＥＧの状態を検出する。そして、作業者は、例えば、周縁部ＥＧの膜の厚み、色又は透明度に基づいて、各基板Ｗの周縁部ＥＧの膜の厚みが所望の範囲内に収まっているか否かを判定する。つまり、作業者は、各処理ユニットＵ２において処理条件を変更（補正）する必要があるか否かを判定する。

工程Ｓ３において、作業者は、工程Ｓ２において処理条件を変更する必要があると判定した処理ユニットＵ２に対して、第２処理流体ＦＬ２の着液位置Ｐ２を変更する。以下、処理条件を変更する必要がある処理ユニットＵ２を、変更要ユニットＵ２２と記載する場合がある。また、処理条件を変更する必要の無い処理ユニットＵ２を、変更不要ユニットＵ２１と記載する場合がある。

具体的には、作業者は、例えば、変更不要ユニットＵ２１で処理された基板Ｗの膜の厚みと、変更要ユニットＵ２２で処理された基板Ｗの膜の厚みとの差分を算出する。そして、作業者は、算出した差分と、表示部Ｕ３２に表示される変更要ユニットＵ２２の処理速度情報（具体的には、図６に示すグラフ）とに基づいて、変更要ユニットＵ２２の第２ノズル１３の位置を変更する量を入力する。言い換えると、作業者は、算出した差分と、表示部Ｕ３２に表示される変更要ユニットＵ２２の処理速度情報（具体的には、図６に示すグラフ）とに基づいて、変更要ユニットＵ２２の第２処理流体ＦＬ２の着液位置Ｐ２の変更する量を入力する。このとき、作業者は、変更不要ユニットＵ２１が複数ある場合は、１つの変更不要ユニットＵ２１で処理された基板Ｗの膜の厚みを用いて差分を算出してもよいし、複数の変更不要ユニットＵ２１で処理された基板Ｗの膜の厚みの平均値等を用いて差分を算出してもよい。

例えば、変更要ユニットＵ２２で処理された基板Ｗの膜の厚みが、変更不要ユニットＵ２１で処理された基板Ｗの膜の厚みよりも５ｎｍ厚い場合、作業者は、変更要ユニットＵ２２のエッチング量が５ｎｍ増加するように、着液位置Ｐ２を変更する。この場合、作業者は、変更要ユニットＵ２２に対応する処理速度情報を用いて、第２処理流体ＦＬ２の着液位置Ｐ２を基準位置Ｐ３から径方向ＲＤ外側に移動させる距離を求める。そして、作業者は、求めた距離を操作部Ｕ３３に入力する。このようにして、変更要ユニットＵ２２における第２処理流体ＦＬ２の着液位置Ｐ２が変更される。

一方、例えば、変更要ユニットＵ２２で処理された基板Ｗの膜の厚みが、変更不要ユニットＵ２１で処理された基板Ｗの膜の厚みよりも５ｎｍ薄い場合、作業者は、変更要ユニットＵ２２のエッチング量を５ｎｍ減少するように、着液位置Ｐ２を変更する。この場合、作業者は、変更要ユニットＵ２２に対応する処理速度情報を用いて、第２処理流体ＦＬ２の着液位置Ｐ２を基準位置Ｐ３から径方向ＲＤ内側に移動させる距離を求める。そして、作業者は、求めた距離を操作部Ｕ３３に入力する。このようにして、変更要ユニットＵ２２における第２処理流体ＦＬ２の着液位置Ｐ２が変更される。

工程Ｓ３では、上述したように、基板Ｗの中心から着液位置Ｐ１までの第１距離、及び基板Ｗの中心から着液位置Ｐ２までの第２距離が所定の値となるように、着液位置Ｐ１と着液位置Ｐ２とを制御する。

また、工程Ｓ３では、第２ノズル１３の位置の設定を変更して、基板Ｗの下面Ｗｂにおける第２処理流体ＦＬ２の着液位置Ｐ２を変更することによって、基板Ｗの上面Ｗａに対する第１処理流体ＦＬ１による処理速度を変更する。

工程Ｓ４において、制御部Ｕ３４は、各処理ユニットＵ２において、ベベル処理を実行する。工程Ｓ４では、例えば、製品としての基板Ｗが用いられる。工程Ｓ４では、第２処理流体ＦＬ２の着液位置Ｐ２の位置を除き、同一の処理条件で、各処理ユニットＵ２によってベベル処理が実行される。

具体的には、工程Ｓ４は、工程Ｓ４１と工程Ｓ４２とを少なくとも含む。工程Ｓ４１において、制御部Ｕ３４は、基板Ｗの上面Ｗａの周縁部ＥＧにおける着液位置Ｐ１に第１処理流体ＦＬ１を供給する。工程Ｓ４２において、制御部Ｕ３４は、基板Ｗの下面Ｗｂの周縁部ＥＧにおける着液位置Ｐ２に第１処理流体ＦＬ１とは異なる第２処理流体ＦＬ２を供給する。なお、工程Ｓ４２の実行期間は、工程Ｓ４１の実行期間の少なくとも一部と重なっている。

工程Ｓ４では、全ての処理ユニットＵ２における処理速度が、所望の範囲内に収まる。

なお、工程Ｓ１及び工程Ｓ４の処理中においては、第２ノズル１３の位置の設定は変更されない。

以上、図７を参照して説明したように、本実施形態によれば、工程Ｓ３では、着液位置Ｐ２と処理速度との関係を示す処理速度情報と、工程Ｓ１において第１処理流体ＦＬ１及び第２処理流体ＦＬ２により予め処理した基板Ｗの上面Ｗａの周縁部ＥＧの状態とに基づいて、着液位置Ｐ２を変更する。従って、処理速度情報を用いることによって、処理ユニットＵ２毎に適した位置に着液位置Ｐ２を容易に変更することができる。

また、本実施形態によれば、工程Ｓ３において、少なくとも１つの処理ユニットＵ２において処理された基板Ｗの状態の検出結果と、他の処理ユニットＵ２の処理速度情報とに基づいて、該他の処理ユニットＵ２の着液位置Ｐ２を変更する。従って、例えば、少なくとも１つの変更不要ユニットＵ２１において処理された基板Ｗの状態の検出結果と、変更要ユニットＵ２２の処理速度情報とに基づいて、変更要ユニットＵ２２の着液位置Ｐ２を変更することができる。よって、変更要ユニットＵ２２の処理速度を、変更不要ユニットＵ２１の処理速度に容易に近づけることができる。

また、本実施形態によれば、少なくとも１つの処理ユニットＵ２において処理された基板Ｗの状態の検出結果と、他の処理ユニットＵ２において処理された基板Ｗの状態の検出結果との差分を算出する。そして、算出した差分と該他の処理ユニットＵ２の処理速度情報とに基づいて、他の処理ユニットＵ２の着液位置Ｐ２を変更する。従って、例えば、少なくとも１つの変更不要ユニットＵ２１において処理された基板Ｗの状態の検出結果と、変更要ユニットＵ２２において処理された基板Ｗの状態の検出結果との差分を算出する。そして、差分と変更要ユニットＵ２２の処理速度情報とに基づいて、変更要ユニットＵ２２の着液位置Ｐ２を変更することができる。よって、変更要ユニットＵ２２の処理速度を、変更不要ユニットＵ２１の処理速度にさらに容易に近づけることができる。

以下、図８を参照して、本実施形態の変形例の基板処理装置５００の第２ノズル１３について説明する。図８は、本発明の変形例の基板処理装置５００の第２ノズル１３を説明するための平面図である。

図８に示すように、本実施形態の変形例の第２ノズル１３は、複数の第２吐出口１３ａを有する。具体的には、複数の第２吐出口１３ａは、回転軸線ＡＸからの距離がそれぞれ異なる。複数の第２吐出口１３ａは、例えば、径方向ＲＤに沿って一直線上に配置される。ただし、第２吐出口１３ａは、一直線上に配置されなくてもよい。第２吐出口１３ａは、例えば、千鳥状に配置されていてもよいし、径方向ＲＤに対して傾斜する方向に沿って配置されていてもよい。この場合、回転軸線ＡＸと第２吐出口１３ａとの距離を、例えば、約０．１ｍｍピッチに設定することも可能である。なお、第２吐出口１３ａは、本発明の「吐出口」の一例である。

制御部Ｕ３４は、複数の第２吐出口１３ａから、第２処理流体を吐出する第２吐出口１３ａを選択することによって、着液位置Ｐ２を変更する。従って、第２ノズル１３を移動させることなく、着液位置Ｐ２を変更することができる。

具体的には、例えば、第２流体供給機構２３は、各第２吐出口１３ａに対応する複数のバルブ２３ｂを含む。制御部Ｕ３４は、複数のバルブ２３ｂのうち１つのバルブ２３ｂを開くことによって、複数の第２吐出口１３ａのうち１つの第２吐出口１３ａから第２処理流体ＦＬ２を吐出させる。

以上、図面を参照して本発明の実施形態について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、又は、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。

また、図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。

例えば、上記の実施形態では、第２ノズル１３を略径方向ＲＤに沿って移動させることによって、着液位置Ｐ２を略径方向ＲＤに移動させる例について示したが、本発明はこれに限らない。例えば、第１ノズル１１、第３ノズル１５及び第４ノズル１７と同様に、ノズル移動機構３３ｂを中心として第２ノズル１３を回動させることによって、着液位置Ｐ２を径方向ＲＤに移動させてもよい。

また、上記の実施形態では、第２ノズル１３を略水平面に沿って移動させることによって、着液位置Ｐ２を径方向ＲＤに移動させる例について示したが、本発明はこれに限らない。例えば、第２ノズル１３が斜め上方に向かって第２処理流体ＦＬ２を吐出する場合、第２ノズル１３を略鉛直方向に沿って移動させ、距離Ｌ２を変化させることによって、着液位置Ｐ２を径方向ＲＤに移動させてもよい。

また、上記の実施形態では、第１ノズル１１は斜め下方に向かって第１処理流体ＦＬ１を吐出し、第２ノズル１３は斜め上方に向かって第２処理流体ＦＬ２を吐出する例について示したが、本発明はこれに限らない。例えば、第１ノズル１１は鉛直下方に向かって第１処理流体ＦＬ１を吐出し、第２ノズル１３鉛直上方に向かって第２処理流体ＦＬ２を吐出してもよい。

また、上記の実施形態では、工程Ｓ２において、作業者が、基板Ｗの周縁部ＥＧの膜の厚みを検出し、かつ、各処理ユニットＵ２において処理条件を変更する必要があるか否かを判定する例について示したが、本発明はこれに限らない。工程Ｓ２において、例えば、検出装置が、基板Ｗの上面Ｗａの周縁部ＥＧの膜の厚みを検出し、かつ、各処理ユニットＵ２において処理条件を変更する必要があるか否かを判定してもよい。すなわち、工程Ｓ２を基板処理装置５００に自動で行わせてもよい。

また、上記の実施形態では、工程Ｓ３において、作業者が、差分を算出し、距離を求め、かつ、求めた距離を入力する例について示したが、本発明はこれに限らない。工程Ｓ３において、例えば、制御部Ｕ３４が、差分を算出し、距離を求め、かつ、求めた距離だけ第２ノズル１３を移動させてもよい。すなわち、工程Ｓ３を基板処理装置５００に自動で行わせてもよい。

工程Ｓ２及び工程Ｓ３を基板処理装置５００に行わせる場合、工程Ｓ１～工程Ｓ４を基板処理装置５００に自動で行わせることができる。

また、上記の実施形態では、変更不要ユニットＵ２１において処理された基板Ｗの状態の検出結果と、変更要ユニットＵ２２において処理された基板Ｗの状態の検出結果との差分を算出し、算出した差分と変更要ユニットＵ２２の処理速度情報とに基づいて、変更要ユニットＵ２２の着液位置Ｐ２を変更する例について示したが、本発明はこれに限らない。例えば、変更不要ユニットＵ２１の処理速度情報と、変更要ユニットＵ２２の処理速度情報との差分を算出し、算出した差分と変更要ユニットＵ２２において処理された基板Ｗの状態の検出結果とに基づいて、変更要ユニットＵ２２の着液位置Ｐ２を変更してもよい。この場合、例えば、設定された処理条件において変更要ユニットＵ２２の処理速度情報から導出されるエッチング量が、変更不要ユニットＵ２１の処理速度情報から導出されるエッチング量よりも５ｎｍ薄い場合、作業者は、エッチング量が５ｎｍ増加するように、変更要ユニットＵ２２の処理速度情報を用いて、着液位置Ｐ２を基準位置Ｐ３から径方向ＲＤ外側に移動させる距離を求める。そして、作業者は、求めた距離を操作部Ｕ３３に入力すればよい。

作業者が入力する処理条件としては、通常、例えば、第１処理流体ＦＬ１の吐出量，吐出時間，温度、第２処理流体ＦＬ２の吐出量，吐出時間，温度、加熱部９の温度等が挙げられるが、さらに、第１処理流体ＦＬ１による処理速度（例えば、エッチングレート）又は処理量（例えば、エッチング量）を作業者が入力してもよい。この場合、制御部Ｕ３４は、入力された値と各処理ユニットＵ２の処理速度情報とに基づいて、各処理ユニットＵ２に適した着液位置Ｐ２を求め、求めた位置に着液位置Ｐ２が一致するように、第２ノズル１３の位置を変更してもよい。

また、上記の実施形態では、処理速度情報の一例として、第２処理流体ＦＬ２の着液位置Ｐ２と第１処理流体ＦＬ１によるエッチング量との関係を用いる例について示したが、本発明はこれに限らない。例えば、処理速度情報として、基板Ｗの下面Ｗｂのうち第２処理流体ＦＬ２が接触する領域の面積と、第１処理流体ＦＬ１によるエッチング量との関係を用いてもよい。言い換えると、処理速度情報として、基板Ｗのうち着液位置Ｐ２から径方向ＲＤ外側の面積と、第１処理流体ＦＬ１によるエッチング量との関係を用いてもよい。この場合も、上記の実施形態と同様、基板Ｗの上面Ｗａに対する第１処理流体ＦＬ１による処理速度を制御できる。

また、基準位置Ｐ３は、第１処理流体ＦＬ１の着液位置Ｐ１に比べて、径方向ＲＤ内側であることが好ましい。すなわち、第２処理流体ＦＬ２の着液位置Ｐ２は、第１処理流体ＦＬ１の着液位置Ｐ１に比べて、径方向ＲＤ内側であることが好ましい。この場合、第１処理流体ＦＬ１が基板Ｗの下面Ｗｂに回り込むことを抑制できる。

また、上記の実施形態では、第２処理流体ＦＬ２が処理液である例について示したが、第２処理流体ＦＬ２は処理ガスであってもよい。

本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に関するものであり、産業上の利用可能性を有する。

３ ：スピンチャック（基板保持部）
９ ：加熱部
１１ ：第１ノズル
１３ ：第２ノズル
１３ａ ：第２吐出口（吐出口）
３１ ：第１ノズル移動部（第１ノズル移動機構）
５００ ：基板処理装置
ＡＸ ：回転軸線
ＥＧ ：周縁部
ＦＬ１ ：第１処理流体
ＦＬ２ ：第２処理流体
Ｐ１ ：着液位置（第１の着液位置）
Ｐ２ ：着液位置（第２の着液位置）
Ｓ２ ：工程（周縁部の状態を検出する工程）
Ｓ３ ：工程（制御工程）
Ｓ４１ ：工程（第１処理流体を供給する工程）
Ｓ４２ ：工程（第２処理流体を供給する工程）
Ｕ２ ：処理ユニット
Ｕ３１ ：記憶部
Ｕ３２ ：表示部
Ｕ３４ ：制御部
Ｗ ：基板
Ｗａ ：上面
Ｗｂ ：下面

Claims (19)

1. 基板を水平に保持して前記基板の中心を鉛直に通る回転軸線を中心として回転する基板保持部と、
   前記基板の上面の周縁部における第１の着液位置に向け第１処理流体を供給する第１ノズルと、
   前記第１ノズルを水平移動する第１ノズル移動機構と、
   前記基板の下面の周縁部における第２の着液位置に向け第２処理流体を供給する第２ノズルと、
   前記第１の着液位置と、前記第２の着液位置とを制御する制御部と
   を備え、
   前記制御部は、前記基板の中心から前記第１の着液位置までの第１距離、及び前記基板の中心から前記第２の着液位置までの第２距離が所定の値になるように、前記第１の着液位置と、前記第２の着液位置とを制御する、基板処理装置。
2. 前記第１処理流体は、エッチング液である、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記第２処理流体は、温水である、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記制御部は、前記第２ノズルの位置の設定を変更して、前記基板の下面における前記第２の着液位置を変更することによって、前記基板の上面に対する前記第１処理流体による処理速度を変更する、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
5. 前記第２の着液位置は、前記基板の端面から５ｍｍ以内である、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
6. 前記第２の着液位置は、平面視において前記第１の着液位置よりも、前記基板の径方向内側である、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
7. 前記第２の着液位置と前記基板の上面に対する前記第１処理流体による処理速度との関係を示す処理速度情報を記憶する記憶部と、
   前記処理速度情報を表示する表示部と
   をさらに備える、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の基板処理装置。
8. 前記制御部は、前記回転軸線に対して略直交する方向に前記第２ノズルを移動させることによって、前記第２の着液位置を変更する、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の基板処理装置。
9. 前記第２ノズルは、前記回転軸線からの距離がそれぞれ異なる複数の吐出口を有し、
   前記制御部は、前記複数の吐出口から、前記第２処理流体を吐出する吐出口を選択することによって、前記第２の着液位置を変更する、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の基板処理装置。
10. 前記第２ノズルは、前記基板の径方向の外方に向けて斜め上に前記第２処理流体を吐出する、請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の基板処理装置。
11. 基板の周縁部をエッチング処理する基板処理方法であって、
    前記基板の上面の周縁部における第１の着液位置に第１処理流体を供給する工程と、
    前記基板の下面の周縁部における第２の着液位置に前記第１処理流体とは異なる第２処理流体を供給する工程と、
    前記基板の中心から前記第１の着液位置までの第１距離、及び前記基板の中心から前記第２の着液位置までの第２距離が所定の値となるように、前記第１の着液位置と、前記第２の着液位置とを制御する制御工程と
    を備える基板処理方法。
12. 前記第１処理流体は、エッチング液である、請求項１１に記載の基板処理方法。
13. 前記第２処理流体は、温水である、請求項１１又は請求項１２に記載の基板処理方法。
14. 前記制御工程は、前記基板の下面における前記第２の着液位置を変更することによって、前記基板の上面に対する前記第１処理流体による処理速度を変更する、請求項１１から請求項１３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
15. 前記第２の着液位置は、前記基板の端面から５ｍｍ以内である、請求項１１から請求項１４のいずれか１項に記載の基板処理方法。
16. 前記第２の着液位置は、平面視において前記第１の着液位置よりも、前記基板の径方向内側である、請求項１１から請求項１５のいずれか１項に記載の基板処理方法。
17. 前記制御工程では、前記第２の着液位置と前記基板の上面に対する前記第１処理流体による処理速度との関係を示す処理速度情報と、前記第１処理流体及び前記第２処理流体により予め処理した基板の上面の周縁部の状態とに基づいて、前記第２の着液位置を変更する、請求項１１から請求項１６のいずれか１項に記載の基板処理方法。
18. 複数の処理ユニットによって複数の前記基板が処理され、
    前記基板処理方法は、前記制御工程に先立って、前記各処理ユニットにおいて前記第１処理流体及び前記第２処理流体により予め処理した基板の上面の周縁部の状態を検出する工程をさらに含み、
    前記制御工程では、少なくとも１つの前記処理ユニットにおいて処理された前記基板の状態の検出結果と、他の前記処理ユニットの前記第２の着液位置と前記基板の上面に対する前記第１処理流体による処理速度との関係を示す処理速度情報とに基づいて、前記他の処理ユニットの前記第２の着液位置を変更する、請求項１１から請求項１７のいずれか１項に記載の基板処理方法。
19. 前記制御工程では、
    前記少なくとも１つの処理ユニットにおいて処理された前記基板の状態の検出結果と、前記他の処理ユニットにおいて処理された前記基板の状態の検出結果との差分を算出し、
    前記差分と前記他の処理ユニットの前記処理速度情報とに基づいて、前記他の処理ユニットの前記第２の着液位置を変更する、請求項１８に記載の基板処理方法。

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