JP2007266554A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板の処理効率を顕著に向上することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの表面中央に向けて処理液を吐出する処理液ノズル５０に接続された処理液供給管６３は、ミキシングバルブ（多連弁）８０に接続されている。ミキシングバルブ８０には、複数種の薬液または純水の流量を制御する複数の流量コントロールバルブ８１，８２，８３，８４，８５が接続されている。一方、基板Ｗの裏面中央に向けて処理液を吐出する裏面ノズル２７を先端に有する処理液供給管２６は、ミキシングバルブ９０に接続されている。ミキシングバルブ９０には、複数種の薬液または純水の流量を制御する複数の流量コントロールバルブ９１，９２，９３，９４，９５が接続されている。
【選択図】図３

Description

本発明は、基板に所定の処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。

従来から、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、および光ディスク用ガラス基板等の基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。

この基板処理装置においては、例えばＢＨＦ（バッファードフッ酸）、ＤＨＦ（希フッ酸）、フッ酸、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、シュウ酸もしくはアンモニア等の薬液、またはそれらの混合溶液を基板に供給することにより、その基板の表面処理を行う（以下、薬液処理と呼ぶ）。薬液処理が終了した後、リンス液による基板のリンス処理を行う。

薬液処理またはリンス処理は、例えばスピンチャックにより基板を保持しつつ回転させながら当該基板の表面に向けて薬液またはリンス液を供給することにより行われる。同様に、薬液処理またはリンス処理は基板の裏面に対しても行われる（例えば、特許文献１参照）。
特開２００５−２４３８１３号公報

しかしながら、従来の基板処理装置においては、基板の表面および裏面に薬液を供給する供給系が共通に構成されていた。

すなわち、基板の表面に薬液を供給するノズル（以下、表面ノズルと称する）および基板の裏面に薬液を供給するノズル（以下、裏面ノズルと称する）は、それぞれ各バルブを介して共通の配管および共通のミキシングバルブに接続されている。

上記のミキシングバルブは、各種薬液と純水とを混合し、この混合液を上記共通の配管を介して表面ノズルおよび裏面ノズルの一方または両方に供給する。

このような構成であったため、従来は、基板の表面および裏面に対し異なる薬液を用いた処理、および基板の表面および裏面に対し同じ種類で異なる濃度の薬液を用いた処理を行うことができなかった。その結果、基板の表面処理と裏面処理とを別の基板処理装置で行わなければならない場合があり、基板の処理効率を顕著に向上することができなかった。

本発明の目的は、基板の処理効率を顕著に向上することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することである。

（１）第１の発明に係る基板処理装置は、基板に処理を施す基板処理装置であって、基板を保持する基板保持手段と、純水と第１の薬液とを混合することにより第１の処理液を生成する第１の処理液生成手段と、純水と第２の薬液とを混合することにより第２の処理液を生成する第２の処理液生成手段と、第１の処理液生成手段により生成された第１の処理液を基板保持手段により保持された基板の表面に供給する第１の処理液供給手段と、第２の処理液生成手段により生成された第２の処理液を基板保持手段により保持された基板の裏面に供給する第２の処理液供給手段とを備えたものである。

第１の発明に係る基板処理装置においては、基板は基板保持手段により保持される。また、第１の処理液生成手段によって純水と第１の薬液とが混合されることにより第１の処理液が生成され、第２の処理液生成手段によって純水と第２の薬液とが混合されることにより第２の処理液が生成される。

第１の処理液生成手段により生成された第１の処理液が基板保持手段により保持された基板の表面に第１の処理液供給手段により供給され、第２の処理液生成手段により生成された第２の処理液が基板保持手段により保持された基板の裏面に第２の処理液供給手段により供給される。

このように、本発明に係る基板処理装置では、処理対象の基板の表面に対して第１の処理液を供給することができ、基板の裏面に対して第２の処理液を供給することができる。このような構成によって、第１の処理液および第２の処理液が異なる種類の処理液である場合には、基板の表面および裏面に対しそれぞれ異なる処理液を用いた処理を行うことが可能となる。また、第１の処理液および第２の処理液が同じ種類の処理液である場合には、基板の表面および裏面に対し濃度または流量がそれぞれ異なる処理液を用いた処理を行うことが可能となる。したがって、基板の表面および裏面に対して種類がそれぞれ異なる処理液による処理または濃度が異なる処理液による処理を行う場合に、別の基板処理装置で行う必要性がなくなり、基板の処理効率を顕著に向上することができる。

（２）基板処理装置は、第１の処理液生成手段に供給される第１の薬液の流量を調節する第１の流量調節手段と、第２の処理液生成手段に供給される第２の薬液の流量を調節する第２の流量調節手段とをさらに備えてもよい。

この場合、第１の処理液生成手段に供給される第１の薬液の流量が第１の流量調節手段により調節され、第２の処理液生成手段に供給される第２の薬液の流量が第２の流量調節手段により調節される。

このような構成により、基板の表面に供給される第１の処理液の濃度は第１の流量調節手段によって変更することができ、基板の裏面に供給される第２の処理液の濃度は第２の流量調節手段によって変更することができる。つまり、基板の表面および裏面に供給する処理液の濃度をそれぞれ独立して調節することができる。したがって、基板の表面および裏面に対して濃度がそれぞれ異なる処理液を供給して処理を行うことができる。

（３）基板処理装置は、第１の処理液生成手段に供給される純水の流量を調節する第３の流量調節手段と、第２の処理液生成手段に供給される純水の流量を調節する第４の流量調節手段とをさらに備えてもよい。

この場合、第１の処理液生成手段に供給される純水の流量が第３の流量調節手段により調節され、第２の処理液生成手段に供給される純水の流量が第４の流量調節手段により調節される。

このような構成により、基板の表面に供給される第１の処理液の流量は第３の流量調節手段によって変更することができ、基板の裏面に供給される第２の処理液の流量は第４の流量調節手段によって変更することができる。つまり、基板の表面および裏面に供給する処理液の流量をそれぞれ独立して調節することができる。したがって、基板の表面および裏面に対して流量がそれぞれ異なる処理液を供給して処理を行うことができる。

（４）基板処理装置は、複数種の薬液のうち１種または複数種の薬液を選択し、選択された１種または複数種の薬液を第１の薬液として第１の処理液生成手段に供給する第１の薬液選択手段と、複数種の薬液のうち１種または複数種の薬液を選択し、選択された１種または複数種の薬液を第２の薬液として第２の処理液生成手段に供給する第２の薬液選択手段とをさらに備えてもよい。

この場合、第１の薬液選択手段により複数種の薬液のうち１種または複数種の薬液が選択される。そして、選択された１種または複数種の薬液が第１の薬液として第１の薬液選択手段により第１の処理液生成手段に供給される。また、第２の薬液選択手段により複数種の薬液のうち１種または複数種の薬液が選択される。そして、選択された１種または複数種の薬液が第２の薬液として第２の薬液選択手段により第２の処理液生成手段に供給される。

このような構成によって、基板の表面に対して供給する第１の処理液の種類は第１の薬液選択手段によって選択することができ、同様に、基板の裏面に対して供給する第２の処理液の種類は第２の薬液選択手段によって選択することができる。つまり、基板の表面および裏面に供給する処理液の種類をそれぞれ独立して選択することができる。したがって、基板の表面および裏面に対して種類がそれぞれ異なる処理液を供給して処理を行うことができる。

（５）第１の処理液は、フッ酸、アンモニア水、過酸化水素水、または塩酸を含み、第２の処理液は、フッ酸、アンモニア水、過酸化水素水、または塩酸を含んでもよい。

この場合、基板の表面をフッ酸、アンモニア水、過酸化水素水、または塩酸を含む第１の処理液により処理することができ、基板の裏面をフッ酸、アンモニア水、過酸化水素水、または塩酸を含む第２の処理液により処理することができる。

（６）第２の発明に係る基板処理方法は、基板に処理を施す基板処理方法であって、基板を保持する基板保持ステップと、純水と第１の薬液とを混合することにより第１の処理液を生成する第１の処理液生成ステップと、純水と第２の薬液とを混合することにより第２の処理液を生成する第２の処理液生成ステップと、第１の処理液生成ステップにより生成された第１の処理液を基板保持ステップで保持された基板の表面に供給する第１の処理液供給ステップと、第２の処理液生成ステップにより生成された第２の処理液を基板保持ステップで保持された基板の裏面に供給する第２の処理液供給ステップとを備えたものである。

第２の発明に係る基板処理方法においては、基板保持ステップで基板は保持される。また、第１の処理液生成ステップで純水と第１の薬液とが混合されることにより第１の処理液が生成され、第２の処理液生成ステップで純水と第２の薬液とが混合されることにより第２の処理液が生成される。

第１の処理液供給ステップで第１の処理液が基板保持ステップで保持された基板の表面に供給され、第２の処理液供給ステップで第２の処理液が基板保持ステップで保持された基板の裏面に供給される。

このように、本発明に係る基板処理方法では、処理対象の基板の表面に対して第１の処理液を供給することができ、基板の裏面に対して第２の処理液を供給することができる。

このような方法によって、第１の処理液および第２の処理液が異なる種類の処理液である場合には、基板の表面および裏面に対しそれぞれ異なる処理液を用いた処理を行うことが可能となる。また、第１の処理液および第２の処理液が同じ種類の処理液である場合には、基板の表面および裏面に対し濃度がそれぞれ異なる処理液を用いた処理を行うことが可能となる。したがって、基板の表面および裏面に対して種類がそれぞれ異なる処理液による処理または濃度がそれぞれ異なる処理液による処理を行う場合に、別の基板処理装置で行う必要性がなくなり、基板の処理効率を顕著に向上することができる。

本発明に係る基板処理装置および基板処理方法によれば、基板の処理効率が顕著に向上される。

以下、本実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について図面を参照しながら説明する。

以下の説明において、基板とは、半導体ウェハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、および光ディスク用基板等をいう。

また、薬液とは、例えばＢＨＦ（バッファードフッ酸）、ＤＨＦ（希フッ酸）、フッ酸、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、シュウ酸、過酸化水素水もしくはアンモニア等の水溶液、またはそれらの混合溶液をいう。

以下、これらの薬液を用いた処理を薬液処理と呼ぶ。通常、薬液処理が終了した後、リンス液を用いた基板のリンス処理を行う。

リンス液とは、例えば純水、炭酸水、オゾン水、磁気水、還元水（水素水）もしくはイオン水、またはＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等の有機溶剤をいう。

（１）基板処理装置の構成
図１は、本実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。また、図２は、図１の基板処理装置１００の側面図である。

図１に示すように、基板処理装置１００は、処理領域Ａ，Ｂを有し、処理領域Ａ，Ｂ間に搬送領域Ｃを有する。

処理領域Ａには、制御部４、流体ボックス部２ａ，２ｂ、薬液処理部５ａ，５ｂおよび薬液処理部６ａ，６ｂが配置されている。

図２に示すように、薬液処理部６ａ，６ｂは、薬液処理部５ａ，５ｂの上部にそれぞれ設けられている。

図１の流体ボックス部２ａ，２ｂは、それぞれ薬液処理部５ａ，６ａへの薬液および純水の供給、薬液処理部５ｂ，６ｂへの薬液および純水の供給ならびに薬液処理部５ａ，６ａおよび薬液処理部５ｂ，６ｂからの排液等に関する配管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器、薬液貯留タンク等の流体関連機器を収納する。

薬液処理部５ａ，５ｂでは、上述の薬液による薬液処理が行われる。また、薬液処理部６ａ，６ｂでも、上述の薬液による薬液処理が行われる。なお、薬液処理後は、純水等によるリンス処理が行われる。

処理領域Ｂには、流体ボックス部２ｃ，２ｄおよび薬液処理部５ｃ，５ｄおよび薬液処理部６ｃ，６ｄが配置されている。薬液処理部６ｃ，６ｄは、薬液処理部５ｃ，５ｄの上部にそれぞれ設けられている。

図１の流体ボックス部２ｃ，２ｄは、それぞれ薬液処理部５ｃ，６ｃへの薬液および純水の供給、薬液処理部５ｄ，６ｄへの薬液および純水の供給ならびに薬液処理部５ｃ，６ｃおよび薬液処理部５ｄ，６ｄからの排液等に関する配管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器、薬液貯留タンク等の流体関連機器を収納する。

薬液処理部５ｃ，５ｄおよび薬液処理部６ｃ，６ｄにおいては、上述の薬液処理部５ａ，５ｂ，６ａ，６ｂと同様の薬液処理が行われる。

以下、薬液処理部５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄおよび薬液処理部６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄを処理ユニットと総称する。

本実施の形態では、薬液としてフッ酸、アンモニア水、過酸化水素水、および塩酸をそれぞれ処理ユニットに供給する薬液供給系が流体ボックス部２ａ〜２ｄに設けられている。詳細については後述する。

搬送領域Ｃには、基板搬送ロボットＣＲが設けられている。処理領域Ａ，Ｂの一端部側には、基板の搬入および搬出を行うインデクサＩＤが配置されている。

インデクサＩＤには、基板Ｗを収納するキャリア１が載置される。本実施の形態においては、キャリア１として、基板Ｗを密閉した状態で収納するＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）を用いているが、これに限定されるものではなく、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッド、ＯＣ（Open Cassette）等を用いてもよい。

インデクサＩＤのインデクサロボットＩＲは、矢印Ｕの方向に移動し、キャリア１から基板Ｗを取り出して基板搬送ロボットＣＲに渡し、逆に、一連の処理が施された基板Ｗを基板搬送ロボットＣＲから受け取ってキャリア１に戻す。

基板搬送ロボットＣＲは、インデクサロボットＩＲから渡された基板Ｗを指定された処理ユニットに搬送し、または、処理ユニットから受け取った基板Ｗを他の処理ユニットまたはインデクサロボットＩＲに搬送する。

制御部４は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）を含むコンピュータ等からなり、処理領域Ａ，Ｂの各処理ユニットの動作、搬送領域Ｃの基板搬送ロボットＣＲの動作およびインデクサＩＤのインデクサロボットＩＲの動作を制御する。

なお、基板処理装置１００は、ダウンフロー（下降流）が形成されているクリーンルーム内等に設けられる。また、処理ユニットおよび搬送領域Ｃにもそれぞれダウンフローが形成されている。

（２）薬液処理部の構成
次に、薬液処理部５ａ〜５ｄ，６ａ〜６ｄの構成について図面を参照しながら説明する。なお、薬液処理部５ａ〜５ｄ，６ａ〜６ｄの各構成は同じであるので、以下の説明では、薬液処理部５ａの構成を代表的に述べる。

図３は、本実施の形態に係る基板処理装置１００の薬液処理部５ａの側面図である。

図３に示すように、薬液処理部５ａは、基板Ｗを水平に保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック２１を備える。

スピンチャック２１は、チャック回転駆動機構３６によって回転される回転軸２５の上端に固定されている。基板Ｗは、薬液処理、リンス処理およびリンス処理後の乾燥処理等を行う場合に、スピンチャック２１により水平に保持された状態で回転する。

スピンチャック２１の外方には、第１のモータ６０が設けられている。第１のモータ６０には、第１の回動軸６１が接続されている。また、第１の回動軸６１には、第１のアーム６２が水平方向に延びるように連結され、第１のアーム６２の先端に処理液ノズル５０が設けられる。

処理液ノズル５０は、各種薬液（フッ酸、アンモニア水、過酸化水素水、および塩酸）、当該各種薬液と純水との混合によって生成された処理液、または純水を吐出する。なお、純水に混合する薬液の量を調節することにより処理液の濃度を変更することができる。

第１のモータ６０、第１の回動軸６１および第１のアーム６２の内部を通るように処理液供給管６３が設けられている。この処理液供給管６３は処理液ノズル５０に接続されており、処理液供給管６３を介して処理液ノズル５０に処理液等が供給される。このような構成により、処理液ノズル５０から基板Ｗの表面に向けて処理液等が吐出される。

スピンチャック２１の外方に第２のモータ７１が設けられている。第２のモータ７１には、第２の回動軸７２が接続され、第２の回動軸７２には、第２のアーム７３が連結されている。

また、第２のアーム７３の先端にリンスノズル７０が設けられる。リンスノズル７０は、基板Ｗに純水等のリンス液を吐出する。

第２のモータ７１、第２の回動軸７２および第２のアーム７３の内部を通るようにリンス液供給管７４が設けられている。このリンス液供給管７４はリンスノズル７０に接続されており、リンス液供給管７４を介してリンスノズル７０にリンス液が供給される。このような構成により、リンスノズル７０から基板Ｗの表面に向けてリンス液が吐出される。なお、リンス液供給管７４は、図示しないリンス液供給源に接続されている。

処理液ノズル５０を用いて基板Ｗの薬液処理を実施する際には、リンスノズル７０は、所定の位置に退避される。

スピンチャック２１の回転軸２５は中空軸からなる。回転軸２５の内部には、処理液供給管２６が挿通されている。

処理液供給管２６には、処理液ノズル５０と同様に、各種薬液（フッ酸、アンモニア水、過酸化水素水、および塩酸）、当該各種薬液と純水との混合によって生成された処理液、または純水が供給される。

処理液供給管２６は、スピンチャック２１に保持された基板Ｗの裏面に近接する位置まで延びている。処理液供給管２６の先端には、基板Ｗの裏面中央に向けて処理液を吐出する裏面ノズル２７が設けられる。

スピンチャック２１は、処理カップ２３内に収容されている。処理カップ２３の内側には、筒状の仕切壁３３が設けられている。

また、スピンチャック２１の周囲を取り囲むように、基板Ｗの処理に用いられた処理液を排液するための排液空間３１が形成されている。さらに、排液空間３１を取り囲むように、処理カップ２３と仕切壁３３の間に基板Ｗの処理に用いられた処理液を回収するための回収液空間３２が形成されている。

排液空間３１には、排液処理装置（図示せず）へ処理液を導くための排液管３４が接続され、回収液空間３２には、処理液を再利用させる回収処理装置（図示せず）へ処理液を導くための回収管３５が接続されている。

処理カップ２３の上方には、基板Ｗからの処理液が外方へ飛散することを防止するためのガード２４が設けられている。このガード２４は、回転軸２５に対して回転対称な形状からなっている。ガード２４の上端部の内面には、断面く字状の排液案内溝４１が環状に形成されている。

また、ガード２４の下端部の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる回収液案内部４２が形成されている。回収液案内部４２の上端付近には、処理カップ２３の仕切壁３３を受け入れるための仕切壁収納溝４３が形成されている。

このガード２４には、ボールねじ機構等で構成されたガード昇降駆動機構（図示せず）が設けられている。ガード昇降駆動機構は、ガード２４を、回収液案内部４２がスピンチャック２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する回収位置と、排液案内溝４１がスピンチャック２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する排液位置との間で上下動させる。

ガード２４が回収位置（図３に示すガード２４の位置）にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が回収液案内部４２により回収液空間３２に導かれ、回収管３５を通して回収される。

一方、ガード２４が排液位置にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が排液案内溝４１により排液空間３１に導かれ、排液管３４を通して排液される。以上の構成により、処理液の排液および回収が行われる。なお、本実施の形態では、基板Ｗの処理後の処理液は廃棄される。なお、スピンチャック２１への基板Ｗの搬入の際には、ガード昇降駆動機構は、ガード２４を排液位置よりもさらに下方に退避させ、ガード２４の上端部２４ａがスピンチャック２１の基板Ｗ保持高さよりも低い位置となるように移動させる。

ここで、上記の処理液供給管６３は、ミキシングバルブ（多連弁）８０に接続されている。

ミキシングバルブ８０には、複数の流量コントロールバルブ８１，８２，８３，８４，８５が接続されている。

流量コントロールバルブ８１は、流量調整弁８１ａおよび流量計８１ｂにより構成され、流量コントロールバルブ８２は、流量調整弁８２ａおよび流量計８２ｂにより構成され、流量コントロールバルブ８３は、流量調整弁８３ａおよび流量計８３ｂにより構成され、流量コントロールバルブ８４は、流量調整弁８４ａおよび流量計８４ｂにより構成され、流量コントロールバルブ８５は、流量調整弁８５ａおよび流量計８５ｂにより構成される。

また、流量コントロールバルブ８１，８２，８３，８４には、それぞれ図示しないコントローラーが設けられている。流量コントロールバルブ８１に設けられたコントローラーは、流量計８１ｂにより測定された流量信号を検出および演算し、設定流量になるように流量調整弁８１ａを制御する。

同様に、流量コントロールバルブ８２，８３，８４に設けられた各コントローラーは、各流量計８２ｂ，８３ｂ，８４ｂにより測定された流量信号を検出および演算し、設定流量になるように各流量調整弁８２ａ，８３ａ，８４ａを制御する。

ミキシングバルブ８０と流量コントロールバルブ８１とは配管８１ｃにより接続されており、ミキシングバルブ８０と流量コントロールバルブ８２とは配管８２ｃにより接続されており、ミキシングバルブ８０と流量コントロールバルブ８３とは配管８３ｃにより接続されており、ミキシングバルブ８０と流量コントロールバルブ８４とは配管８４ｃにより接続されている。

配管８１ｃ，８２ｃ，８３ｃ，８４ｃには、それぞれバルブ８１ｄ，８２ｄ，８３ｄ，８４ｄが介装されており、各バルブの開閉を制御することにより、ミキシングバルブ８０への各薬液の導入が制御される。

また、本実施の形態では、流体ボックス部２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄに、フッ酸を供給する第１の薬液供給系２００、アンモニア水を供給する第２の薬液供給系３００、過酸化水素水を供給する第３の薬液供給系４００、および塩酸を供給する第４の薬液供給系５００がそれぞれ設けられる。

流量コントロールバルブ８１は配管２０４により第１の薬液供給系２００に接続されており、流量コントロールバルブ８２は配管３０４により第２の薬液供給系３００に接続されており、流量コントロールバルブ８３は配管４０４により第３の薬液供給系４００に接続されており、流量コントロールバルブ８４は配管５０４により第４の薬液供給系５００に接続されている。なお、第１〜第４の薬液供給系２００〜５００の詳細な構成については後述する。

また、配管２０４には、第１の薬液供給系２００から送られた薬液（フッ酸）に含まれる異物を除去するためのフィルタ２１１、および薬液（フッ酸）の流量を監視するための監視用流量計２１２が介装されている。

同様に、配管３０４にはフィルタ３１１および監視用流量計３１２が介装されており、配管４０４にはフィルタ４１１および監視用流量計４１２が介装されており、配管５０４にはフィルタ５１１および監視用流量計５１２が介装されている。

また、ミキシングバルブ８０と流量コントロールバルブ８５とは配管８５ｃにより接続されており、当該流量コントロールバルブ８５は純水を供給する図示しない純水供給系に接続されている。

流量コントロールバルブ８５は、流量調整弁８５ａおよび流量計８５ｂにより構成される。また、流量コントロールバルブ８５にはコントローラー（図示せず）が設けられており、そのコントローラーは、流量計８５ｂにより測定された流量信号を検出および演算し、設定流量になるように流量調整弁８５ａを制御する。なお、ミキシングバルブ８０、流量コントロールバルブ８１〜８５、および配管８１ｃ〜８５ｃは、それぞれ図１の例えば流体ボックス部２ａ内に収納される。

このような構成において、第１の薬液供給系２００からのフッ酸は、配管２０４を通じて流量コントロールバルブ８１に導入される。

流量コントロールバルブ８１に導入されたフッ酸は、流量調整弁８１ａによりその流量が調整される。また、流量計８１ｂによりその流量が測定され、流量コントロールバルブ８１に設けられた図示しないコントローラーにより設定流量になるように流量調整弁８１ａがフィードバック制御される。そして、配管８１ｃを通じてフッ酸がミキシングバルブ８０内に導入される。

一方、流量コントロールバルブ８５に導入された純水は、流量調整弁８５ａによりその流量が調整される。また、流量計８５ｂによりその流量が測定され、流量コントロールバルブ８５に設けられた図示しないコントローラーにより設定流量になるように流量調整弁８５ａがフィードバック制御される。そして、配管８５ｃを通じて純水がミキシングバルブ８０内に導入される。

上記のように、ミキシングバルブ８０内に導入されたフッ酸は、ミキシングバルブ８０内でミキシングバルブ８０内に導入された純水と混合される。ミキシングバルブ８０によってフッ酸と純水とが混合され生成された処理液（以下、ミキシングバルブ８０内で混合され生成された処理液を第１の処理液と呼ぶ）は、処理液供給管６３に導入される。ミキシングバルブ８０に導入される純水およびフッ酸の流量を調整することにより、第１の処理液の濃度および流量を調整することができる。

処理液供給管６３に導入された第１の処理液は、スピンチャック２１に保持されつつ回転される基板Ｗの表面に向けて処理液ノズル５０により吐出される。

また、上記と同様な構成であるので説明を簡略化するが、第２の薬液供給系３００から導入されるアンモニア水は、ミキシングバルブ８０により純水と混合される。混合されて生成された処理液は、処理液供給管６３を通じてスピンチャック２１に保持されつつ回転される基板Ｗの表面に向けて処理液ノズル５０により吐出される。

第３の薬液供給系４００から導入される過酸化水素水は、ミキシングバルブ８０により純水と混合される。混合されて生成された処理液は、処理液供給管６３を通じてスピンチャック２１に保持されつつ回転される基板Ｗの表面に向けて処理液ノズル５０により吐出される。

さらに、第４の薬液供給系５００から導入される塩酸は、ミキシングバルブ８０により純水と混合される。混合されて生成された処理液は、処理液供給管６３を通じてスピンチャック２１に保持されつつ回転される基板Ｗの表面に向けて処理液ノズル５０により吐出される。

なお、ミキシングバルブ８０で生成される第１の処理液は、複数種類の薬液を混合してもよい。例えば、第２の薬液供給系３００から導入されるアンモニア水と、第３の薬液供給系４００から導入される過酸化水素水とをミキシングバルブ８０により純水と混合してもよい。また、第４の薬液供給系５００から導入される塩酸と、第３の薬液供給系４００から導入される過酸化水素水とをミキシングバルブ８０により純水と混合してもよい。

次に、スピンチャック２１に保持されつつ回転される基板Ｗの裏面に処理液を供給する構成について説明する。

基板Ｗの裏面中央に向けて処理液を吐出する裏面ノズル２７を先端に有する処理液供給管２６は、ミキシングバルブ９０に接続されている。

ミキシングバルブ９０には、複数の流量コントロールバルブ９１，９２，９３，９４，９５が接続されている。

流量コントロールバルブ９１は、流量調整弁９１ａおよび流量計９１ｂにより構成され、流量コントロールバルブ９２は、流量調整弁９２ａおよび流量計９２ｂにより構成され、流量コントロールバルブ９３は、流量調整弁９３ａおよび流量計９３ｂにより構成され、流量コントロールバルブ９４は、流量調整弁９４ａおよび流量計９４ｂにより構成され、流量コントロールバルブ９５は、流量調整弁９５ａおよび流量計９５ｂにより構成される。

また、流量コントロールバルブ９１，９２，９３，９４には、それぞれ図示しないコントローラーが設けられている。流量コントロールバルブ９１に設けられたコントローラーは、流量計９１ｂにより測定された流量信号を検出および演算し、設定流量になるように流量調整弁９１ａを制御する。

同様に、流量コントロールバルブ９２，９３，９４に設けられた各コントローラーは、各流量計９２ｂ，９３ｂ，９４ｂにより測定された流量信号を検出および演算し、設定流量になるように各流量調整弁９２ａ，９３ａ，９４ａを制御する。

ミキシングバルブ９０と流量コントロールバルブ９１とは配管９１ｃにより接続されており、ミキシングバルブ９０と流量コントロールバルブ９２とは配管９２ｃにより接続されており、ミキシングバルブ９０と流量コントロールバルブ９３とは配管９３ｃにより接続されており、ミキシングバルブ９０と流量コントロールバルブ９４とは配管９４ｃにより接続されている。

配管９１ｃ，９２ｃ，９３ｃ，９４ｃには、それぞれバルブ９１ｄ，９２ｄ，９３ｄ，９４ｄが介装されており、各バルブの開閉を制御することにより、ミキシングバルブ９０への各薬液の導入が制御される。

流量コントロールバルブ９１は配管２１４により第１の薬液供給系２００に接続されており、流量コントロールバルブ９２は配管３１４により第２の薬液供給系３００に接続されており、流量コントロールバルブ９３は配管４１４により第３の薬液供給系４００に接続されており、流量コントロールバルブ９４は配管５１４により第４の薬液供給系５００に接続されている。

また、配管２１４には、第１の薬液供給系２００から送られた薬液（フッ酸）に含まれる異物を除去するためのフィルタ２２１および薬液（フッ酸）の流量を監視するための監視用流量計２２２が介装されている。

同様に、配管３１４にはフィルタ３２１および監視用流量計３２２が介装されており、配管４１４にはフィルタ４２１および監視用流量計４２２が介装されており、配管５１４にはフィルタ５２１および監視用流量計５２２が介装されている。

また、ミキシングバルブ９０と流量コントロールバルブ９５とは配管９５ｃにより接続されており、当該流量コントロールバルブ９５は純水を供給する図示しない純水供給系に接続されている。

流量コントロールバルブ９５は、流量調整弁９５ａおよび流量計９５ｂにより構成される。また、流量コントロールバルブ９５にはコントローラー（図示せず）が設けられており、そのコントローラーは、流量計９５ｂにより測定された流量信号を検出および演算し、設定流量になるように流量調整弁９５ａを制御する。なお、ミキシングバルブ９０、流量コントロールバルブ９１〜９５、および配管９１ｃ〜９５ｃは、それぞれ図１の例えば流体ボックス部２ａ内に収納される。

このような構成において、第１の薬液供給系２００からのフッ酸は、配管２１４を通じて流量コントロールバルブ９１に導入される。

流量コントロールバルブ９１に導入されたフッ酸は、流量調整弁９１ａによりその流量が調整される。また、流量計９１ｂによりその流量が測定され、流量コントロールバルブ９１に設けられた図示しないコントローラーにより設定流量になるように流量調整弁９１ａがフィードバック制御される。そして、配管９１ｃを通じてミキシングバルブ９０内に導入される。

一方、流量コントロールバルブ９５に導入された純水は、流量調整弁９５ａによりその流量が調整される。また、流量計９５ｂによりその流量が測定され、流量コントロールバルブ９５に設けられた図示しないコントローラーにより設定流量になるように流量調整弁９５ａがフィードバック制御される。そして、配管９５ｃを通じてミキシングバルブ９０内に導入される。

上記のように、ミキシングバルブ９０内に導入されたフッ酸は、ミキシングバルブ９０によりミキシングバルブ９０内に導入された純水と混合される。ミキシングバルブ９０によってフッ酸と純水とが混合されて、処理液（以下、ミキシングバルブ９０内で混合され生成された処理液を第２の処理液と呼ぶ）が生成される。生成された第２の処理液は、処理液供給管２６に導入される。ミキシングバルブ９０に導入される純水およびフッ酸の流量を調整することにより、第２の処理液の濃度および流量を調整することができる。処理液供給管２６に導入された第２の処理液は、スピンチャック２１に保持されつつ回転される基板Ｗの裏面に向けて裏面ノズル２７により吐出される。

また、上記と同様な構成であるので説明を簡略化するが、第２の薬液供給系３００から導入されるアンモニア水は、ミキシングバルブ９０により純水と混合される。混合されて生成された処理液は、処理液供給管２６を通じてスピンチャック２１に保持されつつ回転される基板Ｗの裏面に向けて裏面ノズル２７により吐出される。

第３の薬液供給系４００から導入される過酸化水素水は、ミキシングバルブ９０により純水と混合される。混合されて生成された処理液は、処理液供給管２６を通じてスピンチャック２１に保持されつつ回転される基板Ｗの裏面に向けて裏面ノズル２７により吐出される。

さらに、第４の薬液供給系５００から導入される塩酸は、ミキシングバルブ９０により純水と混合される。混合されて生成された処理液は、処理液供給管２６を通じてスピンチャック２１に保持されつつ回転される基板Ｗの裏面に向けて裏面ノズル２７により吐出される。

なお、ミキシングバルブ９０で生成される第２の処理液は、複数種類の薬液を混合してもよい。たとえば、第２の薬液供給系３００から導入されるアンモニア水と、第３の薬液供給系４００から導入される過酸化水素水とをミキシングバルブ９０により純水と混合してもよい。また、第４の薬液供給系５００から導入される塩酸と、第３の薬液供給系４００から導入される過酸化水素水とをミキシングバルブ９０により純水と混合してもよい。

ミキシングバルブ８０およびミキシングバルブ９０に供給する薬液の種類は制御部４により選択される。また、制御部４は、流量コントロールバルブ８１〜８４，９１〜９４およびバルブ８１ｄ〜８４ｄ，９１ｄ〜９４ｄを制御することにより、ミキシングバルブ８０およびミキシングバルブ９０に供給する薬液の流量を制御する。

（３）第１〜第４の薬液供給系の構成
次に、第１〜第４の薬液供給系２００〜５００の構成について説明する。なお、各薬液供給系の構成は一部（後述の供給源）を除き同じであるので、以下の説明では、第１の薬液供給系２００の構成を代表的に述べる。

図４は、第１の薬液供給系２００の構成を示す模式図である。

図４に示すように、第１の薬液供給系２００は、配管２０２、貯留タンク２０３、配管２０７、この配管２０７に介挿されたポンプ２０５およびダンパ２０６を含む。

供給源２０１からフッ酸が配管２０２を通じて貯留タンク２０３に供給される。なお、第１の薬液供給系２００は、流体ボックス部２ａ内に収納されており、この基板処理装置１００が配置されている工場の用力設備である供給源２０１から配管２０２を通じて貯留タンク２０３にフッ酸が供給される。

配管２０７の一端は貯留タンク２０３内に設置されており、配管２０７の他端は配管２０４および配管２１４に接続されている。

ここで、本実施の形態では、配管２０７の上記他端は、薬液処理部５ａ内の基板Ｗの表面に第１の処理液を供給するための配管２０４、および当該基板Ｗの裏面に第２の処理液を供給するための配管２１４に接続されているだけでなく、薬液処理部５ｂ〜５ｄ，６ａ〜６ｄ内の各基板Ｗの表面に第１の処理液を供給するための図示しない各配管、および当該各基板Ｗの裏面に第２の処理液を供給するための図示しない各配管にも接続されている。すなわち、第１の薬液供給系２００の配管２０７の上記他端は、全部で１６の配管に接続されている（１６分岐）。これにより、各薬液処理部５ａ〜５ｄ，６ａ〜６ｄの処理液供給管６３内に第１の処理液が導入され、基板Ｗの表面に第１の処理液がそれぞれ供給される。

また、各薬液処理部５ａ〜５ｄ，６ａ〜６ｄの処理液供給管２６内に第２の処理液が導入され、基板Ｗの裏面に第２の処理液がそれぞれ供給される。なお、第２の薬液供給系３００は流体ボックス部２ｂ内に収納されており、第３の薬液供給系４００は流体ボックス部２ｃ内に収納されており、第４の薬液供給系５００は流体ボックス部２ｄ内に収納されている。

そして、第２〜第４の薬液供給系３００〜５００においても上記のような１６分岐の構成が採用されている。図４において、貯留タンク２０３に貯留されているフッ酸は、ポンプ２０５に吸い上げられることにより配管２０７内を流動し、配管２０４および配管２１４等（合計１６の配管）に供給される。なお、ポンプ２０５の吸い上げによる配管２０７内のフッ酸の脈動がダンパ２０６によって抑制される。

（４）二流体ノズルの構成
次に、処理液ノズル５０の他の構成について説明する。本実施の形態では、処理液ノズル５０は、以下に示す二流体ノズルであってもよい。

図５は、処理液ノズル５０の他の構成を示す断面図である。

図５（ａ）は外部混合型と呼ばれる処理液ノズル５０Ａの一例の縦断面図であり、図５（ｂ）は内部混合型と呼ばれる処理液ノズル５０Ｂの他の一例の縦断面図である。

これら２つのノズル形態の最も大きな相違点は、二流体の混合すなわち混合流体の生成が、ノズル本体の内部でされるか外部でされるかという点である。

図５（ａ）に示す外部混合型処理液ノズル５０Ａは、内部本体部１５１および外部本体部１５２により構成される。内部本体部１５１は、例えば石英からなり、外部本体部１５２は、例えばＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）等のフッ素樹脂からなる。

内部本体部１５１の中心軸に沿って処理液導入部１５１ｂが形成されている。内部本体部１５１の下端には、処理液導入部１５１ｂに連通する処理液吐出口１５１ａが形成されている。内部本体部１５１は外部本体部１５２内に挿入されている。なお、内部本体部１５１および外部本体部１５２の上端部は互いに接合されており、下端は接合されていない。

内部本体部１５１と外部本体部１５２との間には円筒状の気体通過部１５２ｂが形成されている。外部本体部１５２の下端には、気体通過部１５２ｂに連通する気体吐出口１５２ａが形成されている。外部本体部１５２の周壁には、気体通過部１５２ｂに連通する気体導入口１５２ｃが設けられている。

気体通過部１５２ｂは、気体吐出口１５２ａ近傍において、下方に向かうにつれて径小となっている。その結果、窒素ガスの流速が加速され、気体吐出口１５２ａより吐出される。

図５（ａ）の外部混合型処理液ノズル５０Ａでは、処理液吐出口１５１ａから吐出された処理液（本実施の形態では、第１の処理液）と気体吐出口１５２ａから吐出された窒素ガスとが処理液ノズル５０Ａの下端近傍の外部で混合され、処理液の微細な液滴を含む霧状の混合流体が生成される。霧状の混合流体が基板Ｗの表面に吐出されることにより、基板Ｗの表面を効果的に処理することができる。

この場合、霧状の混合流体は、処理液吐出口１５１ａおよび気体吐出口１５２ａから吐出された後に生成されるため、処理液および窒素ガスの流量および流速は、それぞれ処理液吐出口１５１ａ内および気体吐出口１５２ａ内で互いに独立した状態を維持する。これにより、処理液および窒素ガスの流量および流速を所望の値に制御することにより、所望の混合流体を得ることができる。例えば、窒素ガスの流量を調整することにより、混合流体による基板Ｗへの衝撃を緩和することができる。

図５（ｂ）に示す内部混合型処理液ノズル５０Ｂは、気体導入管１５３および本体部１５４により構成される。本体部１５４は、例えば石英からなり、気体導入管１５３は、例えばＰＴＦＥからなる。

気体導入管１５３には、上端から下端まで連通する気体導入部１５３ａが形成されている。本体部１５４は、径大な上部筒１５４ａ、テーパ部１５４ｂおよび径小な下部筒１５４ｃからなる。

上部筒１５４ａのテーパ部１５４ｂ内に混合室１５４ｄが形成され、下部筒１５４ｃ内に直流部１５４ｅが形成されている。下部筒１５４ｃの下端には、直流部１５４ｅに連通する混合流体吐出口１５４ｆが形成されている。

本体部１５４の上部筒１５４ａには、混合室１５４ｄに連通する処理液導入部１５４ｇが設けられている。気体導入管１５３の下端部は、本体部１５４の上部筒１５４ａの混合室１５４ｄ内に挿入されている。

図５（ｂ）の内部混合型処理液ノズル５０Ｂでは、気体導入部１５３ａから加圧された窒素ガスが供給され、処理液導入部１５４ｇから処理液（本実施の形態では、第１の処理液）が供給されると、混合室１５４ｄで窒素ガスと処理液とが混合され、処理液の微細な液滴を含む霧状の混合流体が生成される。

混合室１５４ｄで生成された混合流体は、テーパ部１５４ｂに沿って直流部１５４ｅを通過することにより加速される。加速された混合流体は、混合流体吐出口１５４ｆから吐出され、基板Ｗの表面に供給される。これにより、基板Ｗの表面を混合流体により効果的に処理することができる。

図５（ｂ）の内部混合型処理液ノズル５０Ｂでは、例えば、窒素ガスの流量を調整することにより、混合流体による基板Ｗへの衝撃を緩和することができる。

なお、図５（ａ）の外部混合型処理液ノズル５０Ａおよび図５（ｂ）の内部混合型処理液ノズル５０Ｂは、用途等に応じて選択的に使用することができる。

（５）薬液処理部の処理動作
この基板処理装置１００で基板Ｗを処理する際の処理手順は以下の通りである。

基板Ｗの処理に際しては、基板搬送ロボットＣＲが指定された薬液処理部に基板Ｗを搬送し、基板Ｗがスピンチャック２１に受け渡される。

スピンチャック２１に基板Ｗが保持されると、まず、チャック回転駆動機構３６によりスピンチャック２１が駆動されて、スピンチャック２１による基板Ｗの回転が開始される。

次に、第１のモータ６０により基板Ｗの上方位置に移動された処理液ノズル５０から第１の処理液が回転状態の基板Ｗの表面の中央部に供給される。基板Ｗの表面に供給された第１の処理液は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて、基板Ｗの表面上を周縁に向けて流れることにより、基板Ｗの表面の全域にむらなく行き渡る。これにより、基板Ｗの表面に対する第１の処理液による表面洗浄処理が行われる。

また、基板Ｗの表面洗浄処理を行うと同時に、裏面ノズル２７から第２の処理液が回転状態の基板Ｗの裏面の中央部に供給される。基板Ｗの裏面に供給された第２の処理液は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて、基板Ｗの裏面上を周縁に向けて流れることにより、基板Ｗの裏面の全域にむらなく行き渡る。これにより、基板Ｗの裏面に対する第２の処理液による裏面洗浄処理が行われる。

基板Ｗの表面洗浄処理が所定時間にわたって継続されると、処理液ノズル５０から基板Ｗの表面への第１の処理液の供給が停止される。次に、第２のモータ７１が駆動されることにより、リンスノズル７０が基板Ｗの上方位置に移動される。そして、リンスノズル７０から基板Ｗの表面の中央部にリンス液（例えば、純水）が供給されることにより、基板Ｗの表面に付着した第１の処理液をリンス液で洗い流すための表面リンス処理が行われる。

基板Ｗの表面上に供給されたリンス液は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて、基板Ｗの表面上を周縁に向けて流れる。これにより、基板Ｗの表面の全域にリンス液が行き渡り、基板Ｗの表面上の第１の処理液がリンス液によって洗い流される。

また、基板Ｗの表面リンス処理が行われると同時に、裏面ノズル２７からリンス液（例えば、純水）が回転状態の基板Ｗの裏面の中央部に供給される。これにより、基板Ｗの裏面に付着した第２の処理液をリンス液で洗い流すための裏面リンス処理が行われる。

基板Ｗの裏面に供給されたリンス液は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて、基板Ｗの裏面上を周縁に向けて流れることにより、基板Ｗの裏面の全域にむらなく行き渡り、基板Ｗの裏面上の第２の処理液がリンス液によって洗い流される。これにより、基板Ｗの裏面に対するリンス液による裏面リンス処理が行われる。

基板Ｗの表面リンス処理および裏面リンス処理が所定時間にわたって継続されると、基板Ｗの表面および裏面に対するリンス液の供給が停止される。その後は、チャック回転駆動機構３６が制御されて、基板Ｗの回転速度が予め定める高回転速度（例えば、３０００ｒｐｍ）に上げられて、基板Ｗに付着しているリンス液を遠心力で振り切るためのスピンドライ処理が行われる。

このスピンドライ処理の後は、チャック回転駆動機構３６が停止されて、スピンチャック２１（基板Ｗ）が静止した後、基板搬送ロボットＣＲによって、この薬液処理部から処理済みの基板Ｗが搬出される。

このように、本実施の形態では、基板Ｗの表面および裏面に対してそれぞれ異なる処理液で処理を行うことができる。例えば、基板Ｗの表面と裏面とでエッチングレートが異なる場合に、基板Ｗの表面に供給する処理液（第１の処理液）の濃度と、基板Ｗの裏面に供給する処理液（第２の処理液）の濃度とが異なるように設定することが可能となる。

その他、基板Ｗの表面および裏面に対して種類がそれぞれ異なる処理液で処理を行うこともできる。例えば、基板Ｗの表面に塩酸を供給して処理を行い、裏面にフッ酸を供給して処理を行ってもよい。また、基板Ｗの表面および裏面に対して流量がそれぞれ異なる処理液で処理を行ってもよく、例えば、基板Ｗの表面に供給する第１の処理液の流量が、裏面に供給する第２の処理液の流量よりも多くなるようにして処理を行ってもよい。

（６）本実施の形態における効果
このように、本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、処理対象の基板Ｗの表面に対して第１の処理液を基板Ｗの裏面とは独立して供給することができ、基板Ｗの裏面に対して第２の処理液を基板Ｗの表面とは独立して供給することができる。

このような構成によって、異なる種類の処理液を用いて基板Ｗを処理する場合には、基板Ｗの表面および裏面に対しそれぞれ異なる処理液を用いた処理を行うことが可能となる。

また、同じ種類の処理液を用いて基板Ｗを処理する場合には、基板Ｗの表面および裏面に対し濃度または流量がそれぞれ異なる処理液を用いた処理を行うことが可能となる。

したがって、種類が異なる処理液による処理、または濃度もしくは流量が異なる処理液による処理を別の基板処理装置で行う必要性がなくなり、基板の処理効率を顕著に向上することができる。

（７）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。

上記実施の形態においては、スピンチャック２１が基板保持手段に相当し、ミキシングバルブ８０が第１の処理液生成手段に相当し、ミキシングバルブ９０が第２の処理液生成手段に相当し、フッ酸、アンモニア水、過酸化水素水および塩酸が第１および第２の薬液に相当し、処理液ノズル５０が第１の処理液供給手段に相当し、裏面ノズル２７が第２の処理液供給手段に相当する。

また、上記実施の形態においては、流量調整弁８１ａ，８２ａ，８３ａ，８４ａが第１の流量調節手段に相当し、流量調整弁９１ａ，９２ａ，９３ａ，９４ａが第２の流量調節手段に相当し、流量調整弁８５ａが第３の流量調節手段に相当し、流量調整弁９５ａが第４の流量調節手段に相当し、制御部４が第１および第２の薬液選択手段に相当する。

本発明は、半導体ウェハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、および光ディスク用基板等の種々の基板に処理を行うため等に利用することができる。

本実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。 図１の基板処理装置の側面図である。 本実施の形態に係る基板処理装置の薬液処理部の側面図である。 第１の薬液供給系の構成を示す模式図である。 処理液ノズルの他の構成を示す断面図である。

符号の説明

２ａ〜２ｄ 流体ボックス部
４ 制御部
５ａ〜５ｄ，６ａ〜６ｄ 薬液処理部
２１ スピンチャック
２５ 回転軸
２６ 処理液供給管
２７ 裏面ノズル
３６ チャック回転駆動機構
５０ 処理液ノズル
６３ 処理液供給管
７０ リンスノズル
８０，９０ ミキシングバルブ
８１ａ〜８５ａ，９１ａ〜９５ａ 流量調整弁
１００ 基板処理装置
２００〜５００ 第１〜第４の薬液供給系
２０１ 供給源
２０３ 貯留タンク
２０５ ポンプ
２０６ ダンパ
Ｗ 基板

Claims (6)

1. 基板に処理を施す基板処理装置であって、
   基板を保持する基板保持手段と、
   純水と第１の薬液とを混合することにより第１の処理液を生成する第１の処理液生成手段と、
   純水と第２の薬液とを混合することにより第２の処理液を生成する第２の処理液生成手段と、
   前記第１の処理液生成手段により生成された第１の処理液を前記基板保持手段により保持された基板の表面に供給する第１の処理液供給手段と、
   前記第２の処理液生成手段により生成された第２の処理液を前記基板保持手段により保持された基板の裏面に供給する第２の処理液供給手段とを備えたことを特徴とする基板処理装置。
2. 前記第１の処理液生成手段に供給される第１の薬液の流量を調節する第１の流量調節手段と、
   前記第２の処理液生成手段に供給される第２の薬液の流量を調節する第２の流量調節手段とをさらに備えたことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記第１の処理液生成手段に供給される純水の流量を調節する第３の流量調節手段と、
   前記第２の処理液生成手段に供給される純水の流量を調節する第４の流量調節手段とをさらに備えたことを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
4. 複数種の薬液のうち１種または複数種の薬液を選択し、選択された１種または複数種の薬液を第１の薬液として前記第１の処理液生成手段に供給する第１の薬液選択手段と、
   複数種の薬液のうち１種または複数種の薬液を選択し、選択された１種または複数種の薬液を第２の薬液として前記第２の処理液生成手段に供給する第２の薬液選択手段とをさらに備えたことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置。
5. 前記第１の処理液は、フッ酸、アンモニア水、過酸化水素水、または塩酸を含み、前記第２の処理液は、フッ酸、アンモニア水、過酸化水素水、または塩酸を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理装置。
6. 基板に処理を施す基板処理方法であって、
   基板を保持する基板保持ステップと、
   純水と第１の薬液とを混合することにより第１の処理液を生成する第１の処理液生成ステップと、
   純水と第２の薬液とを混合することにより第２の処理液を生成する第２の処理液生成ステップと、
   前記第１の処理液生成ステップにより生成された第１の処理液を前記基板保持ステップで保持された基板の表面に供給する第１の処理液供給ステップと、
   前記第２の処理液生成ステップにより生成された第２の処理液を前記基板保持ステップで保持された基板の裏面に供給する第２の処理液供給ステップとを備えたことを特徴とする基板処理方法。

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