TWI501343B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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TWI501343B
TWI501343B TW102109857A TW102109857A TWI501343B TW I501343 B TWI501343 B TW I501343B TW 102109857 A TW102109857 A TW 102109857A TW 102109857 A TW102109857 A TW 102109857A TW I501343 B TWI501343 B TW I501343B
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Atsuyasu Miura
Hiroaki Ishii
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Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於一種對基板進行處理之基板處理裝置及基板處理方法。成為處理對象之基板例如包含半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、場發射顯示器(FED，Field Emission Display)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等。
於半導體裝置或液晶顯示裝置等之製造步驟中，使用對半導體晶圓或液晶顯示裝置用玻璃基板等基板進行處理之基板處理裝置。
日本專利特開2006-344907號公報中記載之單片式基板處理裝置具備：旋轉夾盤，其將基板保持為水平且使該基板旋轉；及噴嘴，其向旋轉狀態之基板之上表面中央部吐出較室溫為高溫之處理液。自噴嘴吐出之高溫之處理液附著於基板之上表面中央部，且藉由離心力而於基板上向外方擴展。藉此，將高溫之處理液供給至基板之上表面整個區域。
供給至旋轉狀態之基板之中央部之高溫之處理液藉由離心力而自基板之中央部移動至基板之周緣部。於該過程中，處理液之熱被基板剝奪，因而處理液之溫度降低。進而，於處理液於基板上 向外方移動之過程中，因處理液之一部分自周圍奪取汽化熱而蒸發，故處理液之溫度降低。因距旋轉軸線越遠則旋轉狀態之基板之各部分之速度越大，故於基板之周緣部，相較於基板之中央部，處理液易於蒸發。因此，周緣部之處理液之溫度低於中央部之基板之溫度。進而，因周緣部之速度大於中央部之速度，故基板之周緣部較基板之中央部易於冷卻。因包含該等之複數個因素，而周緣部之處理液之溫度變得低於中央部之處理液之溫度，基板上之處理液之溫度之均勻性降低。因此，處理之均勻性降低。
於日本專利特開2007-220989號公報中揭示有將較環境氣體溫度低1.0~5.0℃之溫度之清洗液供給至基板之下表面。然而，於日本專利特開2007-220989號公報中，因僅對基板之下表面周緣部供給清洗液，故無法對基板之下表面整個區域均勻地進行處理。
本發明之一個目的在於提供一種可提高處理之均勻性之基板處理裝置及基板處理方法。
本發明提供一種基板處理裝置，該基板處理裝置包括：腔室；基板保持旋轉單元，其於上述腔室內將基板保持為水平，且使該基板圍繞通過該基板之鉛垂的旋轉軸線旋轉；處理液供給單元，其向保持於上述基板保持旋轉單元之基板之中央部吐出處理液；溫度測定單元，其測定上述腔室內之氣溫及自上述處理液供給單元吐出之處理液之溫度中之至少一者；溫度調整單元，其變更上述腔室內之氣溫及自上述處理液供給單元吐出之處理液之溫度中之至少一者；記憶單元，其記憶有表示以與某一氣溫對應之處理液之溫度較該氣溫變為低溫之方式設定的氣溫與處理液之溫度之對應關係之映射(map)；以及溫 度控制單元，其基於上述溫度測定單元之測定值及上述映射，而設定上述腔室內之氣溫或自上述處理液供給單元吐出之處理液之溫度之目標值，並藉由控制上述溫度調整單元，而使上述腔室內之氣溫或自上述處理液供給單元吐出之處理液之溫度接近上述目標值。處理液亦可為蝕刻液等藥液，亦可為純水(去離子水：Deionzied Water)等淋洗液。亦可將除藥液及淋洗液以外之液體用作處理液。
根據該構成，將自處理液供給單元吐出之處理液供給至藉由基板保持旋轉單元而於腔室內保持為水平之基板之中央部。基板保持旋轉單元使基板圍繞通過基板之鉛垂的旋轉軸線旋轉。供給至旋轉狀態之基板之中央部之處理液藉由離心力而自基板之中央部移動至基板之周緣部。藉此，將處理液供給至基板表面之整個區域。
溫度控制單元基於測定腔室內之氣溫及自處理液供給單元吐出之處理液之溫度中之至少一者之溫度測定單元之測定值、以及記憶於記憶單元中之映射，而設定腔室內之氣溫或自處理液供給單元吐出之處理液之溫度之目標值。而且，溫度控制單元藉由控制變更腔室內之氣溫及自處理液供給單元吐出之處理液之溫度中之至少一者之溫度之溫度調整單元，而使腔室內之氣溫或自處理液供給單元吐出之處理液之溫度接近目標值(較佳為與目標值一致)。藉此，將滿足映射所示之對應關係之溫度之處理液供給至基板。
於映射中，處理液之溫度對應於高於該溫度之氣溫。換言之，於映射內，對應於任意氣溫之處理液之溫度低於該氣溫。因此，較腔室內之氣溫為低溫之處理液自處理液供給單元吐出，而供給至基板之中央部。供給至基板之處理液之熱藉由與基板之接觸或蒸發，而於處理液移動至基板之周緣部之過程中逐漸減少。然而，因腔室內之 氣溫高於自處理液供給單元吐出之處理液之溫度，故基板上之處理液藉由環境氣體而升溫。進而，因越接近基板之周緣部則處理液與環境氣體之接觸時間越增加，故自環境氣體供給至處理液之熱量越接近基板之周緣部則越增加。因此，自處理液失去之熱由自環境氣體給予之熱來補償，其結果，中央部與周緣部之間之處理液之溫度差減少。
於腔室內之氣溫高於基板上之處理液之溫度的情形時，處理液雖藉由環境氣體而升溫，但促進處理液之蒸發，故因汽化而自處理液剝奪之熱量增加。然而，於本發明中，並非僅使腔室內之氣溫相較於處理液之溫度為高溫，而於腔室內之氣溫及處理液之溫度滿足映射所示之對應關係之狀態下，將處理液供給至基板。因此，可一面抑制處理液之蒸發，一面藉由環境氣體而加熱基板上之處理液。藉此，可提高基板上之處理液之溫度之均勻性。因此，可提高處理之均勻性。
上述處理液供給單元亦可包括於靜止狀態下向基板之上表面中央部吐出處理液之上表面噴嘴、及於靜止狀態下向基板之下表面中央部吐出處理液之下表面噴嘴中之至少一者。又，上述溫度測定單元亦可包括測定上述腔室內之氣溫之氣溫測定單元、及測定自上述處理液供給單元吐出之處理液之溫度之液溫測定單元中的至少一者。同樣地，上述溫度調整單元亦可包括變更上述腔室內之氣溫之氣溫調整單元、及變更自上述處理液供給單元吐出之處理液之溫度之液溫調整單元中的至少一者。
又，上述溫度控制單元亦可以上述腔室內之氣溫較自上述處理液供給單元吐出之處理液之溫度變高2℃之方式設定上述目標值。
本發明進而提供一種基板處理方法，該基板處理方法包括：保持旋轉步驟，其係藉由基板保持旋轉單元而於腔室內將基板保持為水平，且使該基板圍繞通過該基板之鉛垂的旋轉軸線旋轉；處理液供給步驟，其係與上述保持旋轉步驟同時進行，自處理液供給單元向保持於上述基板保持旋轉單元之基板之中央部吐出處理液；溫度測定步驟，其係於上述處理液供給步驟之前，藉由溫度測定單元而測定上述腔室內之氣溫及自上述處理液供給單元吐出之處理液之溫度中的至少一者；目標值設定步驟，其係於上述溫度測定步驟之後，基於上述溫度測定單元之測定值、及表示以與某一氣溫對應之處理液之溫度較該氣溫變為低溫的方式設定之氣溫與處理液之溫度之對應關係的映射而設定上述腔室內之氣溫或自上述處理液供給單元吐出之處理液之溫度的目標值；以及溫度控制步驟，其係於上述處理液供給步驟之前，以使上述腔室內之氣溫或自上述處理液供給單元吐出之處理液之溫度接近於上述目標值設定步驟中設定之上述目標值之方式進行控制。
本發明之上述、或進而其他目的、特徵及效果可藉由參照隨附圖式於下文進行敍述之實施形態之說明而明確。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理單元
3‧‧‧控制裝置
4‧‧‧腔室
5‧‧‧旋轉夾盤
6‧‧‧護罩
7‧‧‧上表面噴嘴
8‧‧‧間隔壁
9‧‧‧FFU(風扇．過濾器．單元)
10‧‧‧氣溫測定裝置
11‧‧‧氣溫調整裝置
12‧‧‧旋轉基座
13‧‧‧夾盤銷
14‧‧‧旋轉馬達
15‧‧‧處理液配管
16‧‧‧液溫調整裝置
17‧‧‧液溫測定裝置
18‧‧‧處理液閥
19‧‧‧記憶裝置
20‧‧‧中央處理裝置
21‧‧‧下表面噴嘴
A1‧‧‧旋轉軸線
M1‧‧‧映射
W‧‧‧基板
X1、X2、X3、X4、X5‧‧‧區域
圖1係表示本發明之一實施形態之基板處理裝置中所具備之處理單元的內部之示意圖。
圖2係表示記憶於控制裝置中之映射之一例之圖表。
圖3係表示腔室內之氣溫為24℃時及26℃時之供給至基板之稀氫氟酸(DHF，diluted hydrofluoric acid)的溫度與蝕刻之均勻性之關係之圖表。
圖1係表示本發明之一實施形態之基板處理裝置1中所具備之處理單元2的內部之示意圖。
基板處理裝置1為對半導體晶圓等圓板狀之基板W逐片進行處理之單片式裝置。基板處理裝置1包括複數個處理單元2、及控制基板處理裝置1中所具備之裝置之動作或閥之開關的控制裝置3。
處理單元2包括：腔室4；旋轉夾盤5，其於腔室4內將基板W保持為水平且使該基板W圍繞通過基板W之中心之鉛垂的旋轉軸線A1旋轉；筒狀護罩(cup)6，其包圍旋轉夾盤5；及上表面噴嘴7，其向基板W之上表面中央部吐出處理液。旋轉夾盤4為基板保持旋轉單元之一例。又，上表面噴嘴7為處理液供給單元之一例。
腔室4包括箱形間隔壁8、作為自間隔壁8之上部向間隔壁8內吹送潔淨空氣(clean air)之送風單元之FFU9(風扇(fan)．過濾器(filter)．單元(unit)9)、及作為監視腔室4內之氣溫之溫度測定單元之氣溫測定裝置10。FFU9配置於間隔壁8之上方，且安裝於間隔壁8之頂。氣溫測定裝置10配置於間隔壁8內。FFU9係引入設置有基板處理裝置1之潔淨室內之室溫(20~30℃)之空氣並藉由過濾器而進行過濾，並且藉由內藏於FFU9中之氣溫調整裝置11而進行溫度調節。氣溫調整裝置11亦可為加熱器及冷卻器中之任一者。FFU9將經過濾之空氣(潔淨空氣)自間隔壁8之頂吹送至腔室4內。藉此，將調整為既定溫度之潔淨空氣供給至腔室4內。因此，於腔室4內形成潔淨空氣之下降流(down flow)。基板W之處理係於在腔室4內形成有下降流之狀態下進行。
旋轉夾盤5配置於FFU9之下方。旋轉夾盤5包括以水 平之姿勢保持之圓盤狀之旋轉基座(spin base)12、配置於旋轉基座12上之複數個夾盤銷13、及使旋轉基座12圍繞通過旋轉基座12之中心之鉛垂的軸線(旋轉軸線A1)旋轉的旋轉馬達14。旋轉夾盤5藉由使複數個夾盤銷13接觸於基板W之周端面，而將基板W以水平之姿勢保持(夾持)於旋轉基座12之上方之保持位置(圖1所示之基板W之位置)。進而，旋轉夾盤5於保持基板W之狀態下藉由旋轉馬達14而使旋轉基座12旋轉。藉此，基板W圍繞旋轉軸線A1進行旋轉。旋轉夾盤5並不限於夾持式夾盤，亦可為藉由吸附基板W之下表面(背面)而保持基板W之真空式夾盤。
上表面噴嘴7配置於較旋轉夾盤5更上方。處理單元2包括連接於上表面噴嘴7之處理液配管15、調整供給至處理液配管15之處理液之溫度之液溫調整裝置16、作為監視供給至處理液配管15之處理液之溫度之溫度測定單元的一例之液溫測定裝置17、及介裝於處理液配管15之處理液閥18。液溫調整裝置16亦可為加熱器及冷卻器中之任一者。若打開處理液閥18，則藉由液溫調整裝置16而調整為既定溫度之處理液自靜止狀態之上表面噴嘴7向基板W之上表面中央部吐出。若於旋轉夾盤5使基板W圍繞旋轉軸線A1旋轉之狀態下，自上表面噴嘴7吐出處理液，則所吐出之處理液於附著於基板W之上表面中央部之後，藉由離心力而於基板W上向外方擴展。因此，處理液自基板W之上表面中央部移動至基板W之上表面周緣部。藉此，將既定溫度之處理液供給至基板W之上表面整個區域。而且，被甩至基板W之周圍之處理液由護罩6接住。
供給至上表面噴嘴7之處理液之一例為氫氟酸(hydrofluoric acid)等藥液。藥液並不限於氫氟酸，亦可為包含硫酸、乙 酸、硝酸、鹽酸、氫氟酸、氨水、過氧化氫水、有機酸(例如檸檬酸、草酸等)、有機鹼(例如四甲基氫氧化銨(TMAH：Tetramethylammonium hydroxide)等)、界面活性劑、防腐劑中之至少1種之液體。例如，亦可將緩衝氫氟酸(BHF，buffer hydrofluoric acid)(包含HF及NH4 F之混合液)、硝氟酸(包含HF及HNO3 之混合液)、SC-1(包含NH4 OH及H2 O2 之混合液)、SC-2(包含HCl及H2 O2 之混合液)、及TMAH中之任一者供給至上表面噴嘴7。又，並不限於藥液，亦可將淋洗液等其他液體供給至上表面噴嘴7。淋洗液亦可為純水(去離子水：Deionzied Water)、碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水、及稀釋濃度(例如10~100ppm左右)之鹽酸水中之任一者。
氣溫測定裝置10及液溫測定裝置17之測定值係輸入至控制裝置3。控制裝置3為溫度控制單元之一例。控制裝置3電性連接於氣溫調整裝置11及液溫調整裝置16。控制裝置3基於氣溫測定裝置10及液溫測定裝置17之測定值而控制氣溫調整裝置11及液溫調整裝置16。控制裝置3包括記憶有程式等資訊之記憶裝置19、及執行記憶於記憶裝置19中之程式之中央處理單元(CPU，Central Processing Unit)20(中央處理裝置20)。記憶裝置19之記憶資訊包含表示腔室4內之氣溫與處理液之溫度之對應關係之映射M1。CPU20基於氣溫測定裝置10及液溫測定裝置17之測定值以及映射M1，而設定腔室4內之氣溫或處理液之溫度之目標值。然後，CPU20於設定目標值後，藉由控制氣溫調整裝置11及液溫調整裝置16，而使腔室4內之氣溫或處理液之溫度接近目標值。藉此，將滿足映射M1所示之對應關係之既定溫度之處理液自上表面噴嘴7供給至基板W。
圖2係表示記憶於控制裝置3(記憶裝置19)中之映射M1 之一例之圖表。圖3係表示於腔室4內之氣溫為24℃之情形及26℃之情形時，供給至基板W之DHF(稀氫氟酸)之溫度與蝕刻之均勻性的關係(測定值)之圖表。圖3之測定值為表示將作為蝕刻液之一例之DHF(氟化氫：水=1：50)自上表面噴嘴7向旋轉狀態的基板W之上表面中央部吐出，而將各種溫度之DHF供給至基板W之上表面整個區域時之蝕刻均勻性之值。蝕刻之均勻性係將基板面內之蝕刻量之最大值與最小值之差除以其平均值所得的值以百分率來表示。因此，值越小則表示蝕刻均勻性越良好，且基板面內之蝕刻量之不均越少。
如圖3中以一點鏈線所示般，於腔室4內之氣溫為24℃時，蝕刻之均勻性係描繪向上開口之抛物線。具體而言，於DHF之溫度為約22℃時，蝕刻之均勻性最佳(值最小)，隨著DHF之溫度遠離22℃而蝕刻之均勻性變差(值變大)。
如圖3中以兩點鏈線所示般，於腔室4內之氣溫為26℃時亦同樣地，蝕刻之均勻性係描繪向上開口之抛物線。具體而言，於DHF之溫度為約24℃時，蝕刻之均勻性最佳(值最小)，隨著DHF之溫度遠離24℃而蝕刻之均勻性變差(值變大)。
如此，即便於腔室4內之氣溫為24℃及26℃中之任一溫度之情形時，亦於DHF之溫度(液溫)較氣溫低2℃時，蝕刻之均勻性最佳，隨著自氣溫中減去液溫所得之值變得小於或大於2℃而蝕刻之均勻性變差。因此，於腔室4內之氣溫與處理液之溫度滿足固定之關係時，利用處理液之基板W之處理之面內均勻性變高。
圖2係表示使腔室4內之氣溫於22~30℃之範圍內變化且使供給至基板W之處理液的溫度於20~25℃之範圍內變化時之蝕刻之均勻性。區域X1係蝕刻之均勻性為0.15~0.3%之範圍內之區域，區 域X2係蝕刻之均勻性為0.3~0.45%之範圍內之區域。又，區域X3係蝕刻之均勻性為0.45~0.6%之範圍內之區域，區域X4係蝕刻之均勻性為0.6~0.75%之範圍內之區域。區域X5係蝕刻之均勻性為0.75~0.9%之範圍內之區域。
控制裝置3係以例如成為區域X1之範圍內之相關關係之方式控制氣溫(腔室4內之氣溫)與液溫(處理液之溫度)之溫度差。於區域X1中，處理液之液溫低於與該液溫對應之氣溫。即，區域X1內之任意點係使處理液之溫度與較其高之氣溫對應。具體而言，於氣溫為26℃之情形時，蝕刻之均勻性成為0.15~0.3%之液溫為約22~25℃。於該情形時，控制裝置3例如控制液溫調整裝置16，將供給至基板W之處理液之溫度調整為該範圍內之溫度。又，於液溫為23℃之情形時，蝕刻之均勻性成為0.15~0.3%之氣溫為24~26℃。於該情形時，控制裝置3例如控制氣溫調整裝置11，將自FFU9供給至腔室4內之潔淨空氣之溫度調整為該範圍內之溫度。
控制裝置3亦可變更氣溫及液溫之兩者，亦可變更氣溫及液溫中之任一者。
於例如變更液溫而控制溫度差之情形時，控制裝置3基於氣溫測定裝置10之檢測值及映射M1而設定液溫之目標值(例如，較氣溫低2℃之值)。然後，控制裝置3基於液溫測定裝置17之檢測值及液溫之目標值，而判斷液溫之當前值與液溫之目標值是否一致。於2個值不一致之情形時，控制裝置3藉由液溫調整裝置16而變更液溫之當前值。藉此，使液溫之當前值接近液溫之目標值。其後，若氣溫及液溫中之至少一者產生變化，則控制裝置3再次使液溫(當前值)產生變化而接近目標值。
又，於變更氣溫而控制溫度差之情形時，控制裝置3基於液溫測定裝置17之檢測值及映射M1而設定氣溫之目標值(例如，較液溫高2℃之值)。然後，控制裝置3基於氣溫測定裝置10之檢測值及氣溫之目標值，而判斷氣溫之當前值與氣溫之目標值是否一致。於2個值不一致之情形時，控制裝置3藉由氣溫調整裝置11而變更氣溫之當前值。藉此，使氣溫之當前值接近氣溫之目標值。其後，若氣溫及液溫中之至少一者產生變化，則控制裝置3再次使氣溫(當前值)產生變化而接近目標值。
又，控制裝置3亦可對於氣溫及液溫中之一者預先決定調整範圍，優先地變更氣溫及液溫中之任一者而控制溫度差。例如，控制裝置3基於映射M1而設定與氣溫對應之液溫目標值，若該液溫目標值為液溫調整範圍內，則基於該液溫目標值而控制液溫調整裝置16。另一方面，於液溫目標值成為液溫調整範圍外之值時，控制裝置3基於映射M1而設定與液溫對應之氣溫目標值，並基於該氣溫目標值而控制氣溫調整裝置11。藉此，可一面避免大幅變更處理液之液溫，一面適當地控制氣溫與液溫之關係，從而實現良好之均勻性之基板處理。
如上所述，於本實施形態中，控制裝置3基於氣溫測定裝置10及液溫測定裝置17之測定值、以及記憶於記憶裝置19中之映射M1，而設定腔室4內之氣溫或自上表面噴嘴7吐出之處理液之溫度之目標值。而且，控制裝置3藉由控制氣溫調整裝置11及液溫調整裝置16，而使腔室4內之氣溫或自上表面噴嘴7吐出之處理液之溫度接近目標值。藉此，將滿足映射M1所示之對應關係之溫度之處理液供給至基板W。
映射M1使處理液之任意溫度對應於較其高之氣溫。因此，較腔室4內之氣溫為低溫之處理液自上表面噴嘴7吐出，而供給至基板W之中央部。供給至基板W之處理液之熱藉由與基板W之接觸或蒸發，而於處理液移動至基板W之周緣部之過程中逐漸減少。然而，因腔室4內之氣溫高於自上表面噴嘴7吐出之處理液之溫度，故基板W上之處理液藉由環境氣體而升溫。進而，因越接近基板W之周緣部則處理液與環境氣體之接觸時間越增加，故越接近基板W之周緣部則自環境氣體供給至處理液之熱量越增加。因此，自處理液失去之熱由自環境氣體供給之熱來補償，因而中央部與周緣部之處理液之溫度差減少。
於腔室4內之氣溫高於基板W上之處理液之溫度的情形時，處理液雖藉由環境氣體而升溫，但因促進處理液之蒸發，故因汽化而自處理液剝奪之熱量增加。然而，於本實施形態中，並非僅使腔室4內之氣溫較處理液之溫度為高溫，而於腔室4內之氣溫與處理液之溫度滿足映射M1所示之對應關係的狀態下，將處理液供給至基板W。藉此，可一面抑制處理液之蒸發，一面藉由環境氣體而加熱基板W上之處理液。藉此，可提高基板W上之處理液之溫度之均勻性。因此，可提高處理之均勻性。
以上為本發明之實施形態之說明，但本發明並不限定於上述實施形態之內容，可於請求項記載之範圍內進行各種變更。
例如，於上述實施形態中，對於將氣溫調整裝置11及液溫調整裝置16之兩者設置於處理單元2之情況進行了說明，但亦可省略氣溫調整裝置11，不進行氣溫之調整，而以滿足映射M1所示之對應關係之方式藉由液溫調整裝置16而調整處理液之溫度。又，因潔 淨室內之氣溫為大致固定，故於不藉由氣溫調整裝置11而變更腔室4內之氣溫之情形時，亦可省略氣溫測定裝置10。
又，於上述實施形態中，對於將自上表面噴嘴7向下方吐出之處理液供給至基板W之上表面中央部之情況進行了說明，但滿足映射M1所示之對應關係之溫度之處理液亦可由自旋轉基座12的上表面中央部向上方突出之下表面噴嘴21(參照圖1)向上方吐出，而供給至基板W之下表面中央部。下表面噴嘴21為處理液供給單元之一例。
又，於上述實施形態中，對於基板處理裝置1為對圓板狀之基板W進行處理之裝置之情況進行了說明，但基板處理裝置1亦可應用於對液晶顯示裝置用基板等多邊形基板進行處理之裝置。
雖對本發明之實施形態進行了詳細說明，但該等僅為用於使本發明之技術內容明確之具體例，本發明並不應限定於該等具體例而解釋，本發明之範圍僅由隨附之申請專利範圍限定。
本申請案係對應於2012年3月29日向日本專利廳提出申請之日本專利特願2012-078182號，且該申請案之所有揭示內容藉由引用而併入本文。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理單元
3‧‧‧控制裝置
4‧‧‧腔室
5‧‧‧旋轉夾盤
6‧‧‧護罩
7‧‧‧上表面噴嘴
8‧‧‧間隔壁
9‧‧‧FFU(風扇．過濾器．單元)
10‧‧‧氣溫測定裝置
11‧‧‧氣溫調整裝置
12‧‧‧旋轉基座
13‧‧‧夾盤銷
14‧‧‧旋轉馬達
15‧‧‧處理液配管
16‧‧‧液溫調整裝置
17‧‧‧液溫測定裝置
18‧‧‧處理液閥
19‧‧‧記憶裝置
20‧‧‧中央處理裝置
21‧‧‧下表面噴嘴
A1‧‧‧旋轉軸線
M1‧‧‧映射
W‧‧‧基板

Claims (10)

  1. 一種基板處理裝置，其包括：腔室；基板保持旋轉單元，其於上述腔室內將基板保持為水平，且使該基板圍繞通過該基板之鉛垂的旋轉軸線旋轉；處理液供給單元，其向保持於上述基板保持旋轉單元之基板之中央部吐出處理液；溫度測定單元，其測定上述腔室內之氣溫及自上述處理液供給單元吐出之處理液之溫度中的至少一者；溫度調整單元，其變更上述腔室內之氣溫及自上述處理液供給單元吐出之處理液之溫度中的至少一者；記憶單元，其記憶有表示氣溫與處理液之溫度與處理的均勻性之對應關係之記憶資訊；以及溫度控制單元，其根據上述溫度測定單元之測定值及上述記憶資訊，設定上述腔室內之氣溫或自上述處理液供給單元吐出之處理液之溫度的目標值，並藉由控制上述溫度調整單元，使上述腔室內之氣溫或自上述處理液供給單元吐出之處理液之溫度接近上述目標值。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述溫度控制單元以自上述處理液供給單元吐出之處理液之溫度成為比上述腔室內之氣溫低的方式，設定上述目標值。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述溫度控制單元以上述腔室內之氣溫成為比自上述處理液供給單元吐出之處理液之溫度高2℃的方式設定上述目標值。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板處理裝置，其中，上述處理液供給單元包括於靜止狀態下向基板之上表面中央部吐出處理液之上表面噴嘴、及於靜止狀態下向基板之下表面中央部吐出處理液之下表面噴嘴中的至少一者。
  5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板處理裝置，其中，上述溫度測定單元包括測定上述腔室內之氣溫之氣溫測定單元、及測定自上述處理液供給單元吐出之處理液之溫度之液溫測定單元中的至少一者。
  6. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板處理裝置，其中，上述溫度調整單元包括變更上述腔室內之氣溫之氣溫調整單元、及變更自上述處理液供給單元吐出之處理液之溫度之液溫調整單元中的至少一者。
  7. 一種基板處理方法，其包括：保持旋轉步驟，其係藉由基板保持旋轉單元而於腔室內將基板保持為水平，且使該基板圍繞通過該基板之鉛垂的旋轉軸線旋轉；處理液供給步驟，其係與上述保持旋轉步驟同時進行，自處理液供給單元向保持於上述基板保持旋轉單元之基板之中央部吐出處理液；溫度測定步驟，其係於上述處理液供給步驟之前，藉由溫度測定單元而測定上述腔室內之氣溫及自上述處理液供給單元吐出之處理液之溫度中的至少一者；目標值設定步驟，其係於上述溫度測定步驟之後，根據上述溫度測定單元之測定值、及表示氣溫與處理液之溫度與處理的均勻性之對應關係之記憶資訊而設定上述腔室內的氣溫或自上述處理液供給單 元吐出之處理液之溫度之目標值；以及溫度控制步驟，其係於上述處理液供給步驟之前，藉由控制溫度調整單元，而以使上述腔室內之氣溫或自上述處理液供給單元吐出之處理液之溫度接近於上述目標值設定步驟中所設定的上述目標值之方式進行控制。
  8. 如申請專利範圍第7項之基板處理方法，其中，於上述目標值設定步驟中，以自上述處理液供給單元吐出之處理液之溫度成為比上述腔室內之氣溫低的方式，設定上述目標值。
  9. 如申請專利範圍第7項之基板處理方法，其中，於上述溫度控制步驟中，以上述腔室內之氣溫成為比自上述處理液供給單元吐出之處理液之溫度高2℃的方式設定上述目標值。
  10. 如申請專利範圍第7至9項中任一項之基板處理方法，其中，上述處理液包含氫氟酸。
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