CN103367223B - 基板处理装置以及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

一种基板处理装置以及基板处理方法，该基板处理装置具有：腔室；基板保持旋转单元，在腔室内将基板保持为水平并使其旋转；处理液供给单元，向所保持的基板中央部喷出处理液；温度测定单元，测定腔室内气温及所喷出的处理液的温度中至少一个；温度调整单元，对腔室内气温及所喷出的处理液的温度中至少一个变更；存储单元，存储示出气温和处理液的温度间的对应关系的映射图，该对应关系被设定为，与某气温对应的处理液的温度设定为低于该气温；温度控制单元，基于温度测定单元的测定值和映射图设定腔室内的气温或从处理液供给单元喷出的处理液的温度的目标值，控制温度调整单元使腔室内的气温或从处理液供给单元喷出的处理液的温度接近目标值。

Description

基板处理装置以及基板处理方法
技术领域
本发明涉及用于处理基板的基板处理装置以及基板处理方法。成为处理对象的基板例如包括半导体晶体、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、FED（Field Emission Display：场致发射显示器）用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等。
背景技术
在半导体装置、液晶显示装置等的制造工序中，采用对半导体晶体、液晶显示装置用玻璃基板等基板进行处理的基板处理装置。
在日本特开2006-344907号公报中记载的单张式的基板处理装置具有：旋转卡盘，将基板保持为水平，并使该基板旋转；喷嘴，朝向处于旋转状态的基板的上表面中央部喷出温度高于室温的处理液。从喷嘴喷出的高温的处理液着落至基板的上表面中央部，借助离心力在基板上向外方扩散。由此，高温的处理液供给至基板的上表面的整个区域。
供给至处于旋转状态的基板的中央部的高温的处理液借助离心力从基板的中央部向基板的周缘部移动。在该过程中，处理液的热被基板夺取，从而处理液的温度降低。并且，在处理液在基板上向外侧移动的过程中，处理液的一部分从周围夺取气化热来进行蒸发，因此处理液的温度降低。就处于旋转状态的基板的各部分的速度而言，越远离旋转轴线，则速度越大，因此处理液在基板的周缘部比在基板的中央部更容易蒸发。因此，周缘部的处理液的温度低于中央部的基板的温度。并且，由于周缘部的速度大于中央部的速度，因此基板的周缘部比基板的中央部更容易冷却。由于包括上述内容在内的多个原因，在周缘部的处理液的温度比在中央部的处理液的温度低，基板上的处理液的温度的均匀性降低。因此，处理的均匀性降低。
在日本特开2007-220989号公报中，公开了如下内容：向基板的下表面供给温度比环境气体的温度低1.0℃～5.0℃的清洗液。但是，在日本特开2007-220989号公报中，仅向基板的下表面周缘部供给清洗液，因此不能均匀地对基板的下表面的整个区域进行处理。
发明内容
本发明的一个目的在于，提供能够提高处理的均匀性的基板处理装置以及基板处理方法。
本发明提供的基板处理装置，具有：腔室；基板保持旋转单元，在上述腔室内将基板保持为水平，并使该基板围绕穿过该基板的铅垂的旋转轴线旋转；处理液供给单元，向被上述基板保持旋转单元保持的基板的中央部喷出处理液；温度测定单元，测定上述腔室内的气温以及从上述处理液供给单元喷出的处理液的温度中的至少一个；温度调整单元，对上述腔室内的气温以及从上述处理液供给单元喷出的处理液的温度中的至少一个进行变更；存储单元，存储有示出气温和处理液的温度之间的对应关系的映射图，该对应关系被设定为，与某气温对应的处理液的温度设定为低于该气温；温度控制单元，基于上述温度测定单元的测定值和上述映射图，来设定上述腔室内的气温或者从上述处理液供给单元喷出的处理液的温度的目标值，并且，通过控制上述温度调整单元，使上述腔室内的气温或者从上述处理液供给单元喷出的处理液的温度接近上述目标值。处理液可以是蚀刻液等药液，也可以是纯水（去离子水：Deionzied Water）等冲洗液。也可以利用除了药液以及冲洗液之外的液体来作为处理液。
根据该结构，从处理液供给单元喷出的处理液供给至被基板保持旋转单元在腔室内保持为水平的基板的中央部。基板保持旋转单元使基板围绕穿过基板的铅垂的旋转轴线旋转。供给至处于旋转状态的基板的中央部的处理液，借助离心力从基板的中央部向基板的周缘部移动。由此，处理液供给至基板表面的整个区域。
温度控制单元基于温度测定单元的测定值和存储单元所存储的映射图，来设定腔室内的气温或者从处理液供给单元喷出的处理液的温度的目标值，其中，上述温度测定单元测定腔室内的气温以及从处理液供给单元喷出的处理液的温度中的至少一个。并且，温度控制单元通过控制温度调整单元，使腔室内的气温或者从处理液供给单元喷出的处理液的温度接近目标值（优选与目标值一致），其中，上述温度调整单元对腔室内的气温以及从处理液供给单元喷出的处理液的温度中的至少一个温度进行变更。由此，向基板供给满足映射图所示的对应关系的温度的处理液。
在映射图中，处理液的温度与高于处理液的温度的气温建立关联。换而言之，在映射图内，与任意的气温相对应关联的处理液的温度低于该气温。因此，温度低于腔室内的气温的处理液，从处理液供给单元喷出并供给至基板的中央部。供给至基板的处理液的热，因处理液与基板发生接触或蒸发，在处理液向基板的周缘部移动的过程中逐渐减少。但是，腔室内的气温高于从处理液供给单元喷出的处理液的温度，因此基板上的处理液被环境气体加热。并且，越接近基板的周缘部，则处理液和环境气体的接触时间越长，因此越接近基板的周缘部，则从环境气体供给至处理液的热量越多。因此，处理液所失去的热被环境气体所供给的热补充，结果，使处理液在中央部和周缘部之间的温度差减少。
在腔室内的气温高于基板上的处理液的温度的情况下，处理液被环境气体加热，但是又促进处理液蒸发，因此通过气化从处理液夺取的热量增加。但是，在本发明中，不仅使腔室内的气温高于处理液的温度，而且在腔室内的气温和处理液的温度满足映射图所示的对应关系的状态下，向基板供给处理液。由此，能够一边抑制处理液蒸发一边通过环境气体对基板上的处理液进行加热。由此，能够提高基板上的处理液的温度的均匀性。因此，能够提高处理的均匀性。
上述处理液供给单元也可以包括上表面喷嘴以及下表面喷嘴中的至少一个，其中，上述上表面喷嘴以静止状态朝向基板的上表面中央部喷出处理液；上述下表面喷嘴以静止状态朝向基板的下表面中央部喷出处理液。另外，上述温度测定单元也可以包括气温测定单元以及液温测定单元中的至少一个，其中，上述气温测定单元用于测定上述腔室内的气温，上述液温测定单元用于测定从上述处理液供给单元喷出的处理液的温度。同样地，上述温度调整单元也可以包括气温调整单元以及液温调整单元中的至少一个，其中，上述气温调整单元用于对上述腔室内的气温进行变更，上述液温调整单元用于对从上述处理液供给单元喷出的处理液的温度进行变更。
另外，上述温度控制单元也可以以使上述腔室内的气温比从上述处理液供给单元喷出的处理液的温度高2℃的方式设定上述目标值。
本发明还提供一种基板处理方法，包括：保持旋转工序，通过基板保持旋转单元在腔室内将基板保持为水平，并使该基板围绕穿过该基板的铅垂的旋转轴线旋转；处理液供给工序，与上述保持旋转工序并行地从处理液供给单元向被上述基板保持旋转单元保持的基板的中央部喷出处理液；温度测定工序，在进行上述处理液供给工序之前，通过温度测定单元测定上述腔室内的气温以及从上述处理液供给单元喷出的处理液的温度中的至少一个；目标值设定工序，在进行上述温度测定工序之后，基于上述温度测定单元的测定值和示出气温和处理液的温度之间的对应关系的映射图，来设定上述腔室内的气温或者从上述处理液供给单元喷出的处理液的温度的目标值，其中，该对应关系被设定为，与某气温对应的处理液的温度设定为低于该气温；温度控制工序，在进行上述处理液供给工序之前，使上述腔室内的气温或者从上述处理液供给单元喷出的处理液的温度，接近在上述目标值设定工序中设定的上述目标值。
本发明的上述的或者其它目的、特征以及效果，参照附图并通过下面叙述的实施方式的说明来明确。
附图说明
图1是示出本发明的第一实施方式的基板处理装置所具有的处理单元的内部的示意图。
图2是示出控制装置所存储的映射图的一例的曲线图。
图3是示出在腔室内的气温分别为24℃和26℃时供给至基板的DHF（稀氢氟酸）的温度和蚀刻的均匀性之间的关系的曲线图。
具体实施方式
图1是示出本发明的第一实施方式的基板处理装置1所具有的处理单元2的内部的示意图。
基板处理装置1是逐张地处理半导体晶体等圆板状的基板W的单张式的装置。基板处理装置1具有：多个处理单元2；控制装置3，对基板处理装置1所具有的装置的动作和阀的开闭进行控制。
处理单元2具有：腔室4；旋转卡盘5，在腔室4内将基板W保持为水平，并且使基板W围绕穿过基板W的中心的铅垂的旋转轴线A1旋转；筒状的罩部6，包围旋转卡盘5；上表面喷嘴7，向基板W的上表面中央部喷出处理液。旋转卡盘4是基板保持旋转单元的一例。另外，上表面喷嘴7是处理液供给单元的一例。
腔室4具有：箱形的间隔壁8；FFU（风扇及过滤器单元）9，从间隔壁8的上部向间隔壁8内输送清洁空气（洁净空气）；作为温度测定单元的气温测定装置10，监视腔室4内的气温。FFU9配置于间隔壁8的上方，并安装在间隔壁8的顶棚上。气温测定装置10配置于间隔壁8内。FFU9取入设置有基板处理装置1的无尘室（clean room）内的室温（20～30℃）的空气并通过过滤器对该空气进行过滤，并且通过内置于FFU9中的气温调整装置11来对该空气进行温度调节。气温调整装置11可以是加热器以及冷却器中的任一个。FFU9将进行了过滤的空气（清洁空气）从间隔壁8的顶棚输送至腔室4内。由此，调整至规定温度的清洁空气供给至腔室4内。因此，在腔室4内形成清洁空气的下降流（Down flow）。在腔室4内形成有下降流的状态下，对基板W进行处理。
旋转卡盘5配置于FFU9的下方。旋转卡盘5具有：圆盘状的旋转基座12，以水平姿势被保持；多个卡销13，配置于旋转基座12上；旋转马达14，使旋转基座12围绕穿过旋转基座12的中心的铅垂的轴线（旋转轴线A1）旋转。旋转卡盘5使多个卡销13与基板W的周端面相接触，由此在旋转基座12的上方的保持位置（图1所示的基板W的位置）将基板W保持（夹持）为水平的姿势。并且，旋转卡盘5在保持有基板W状态下通过旋转马达14使旋转基座12旋转。由此，基板W围绕旋转轴线A1旋转。旋转卡盘5并不限定于夹持式的卡盘，也可以是通过吸附基板W的下表面（背面）来保持基板W的真空式的卡盘。
上表面喷嘴7配置于旋转卡盘5的上方。处理单元2具有：处理液配管15，与上表面喷嘴7相连接；液温调整装置16，用于调整供给至处理液配管15的处理液的温度；作为温度测定单元的一例的液温测定装置17，用于监视供给至处理液配管15的处理液的温度；处理液阀18，安装在处理液配管15上。液温调整装置16可以是加热器以及冷却器中的任一个。当打开处理液阀18时，通过液温调整装置16调整至规定的温度的处理液，从静止状态的上表面喷嘴7向基板W的上表面中央部喷出。若在旋转卡盘5使基板W围绕旋转轴线A1旋转的状态下，从上表面喷嘴7喷出处理液，则喷出的处理液着落至基板W的上表面中央部之后，借助离心力而在基板W上向外方扩散。因此，处理液从基板W的上表面中央部向基板W的上表面周缘部移动。由此，规定温度的处理液供给至基板W的上表面的整个区域。并且，甩向基板W的周围的处理液被罩部6接受。
供给至上表面喷嘴7的处理液的一例是氢氟酸等药液。药液并不限定于氢氟酸，也可以是含有硫酸、乙酸、硝酸、盐酸、氢氟酸、氨水、过氧化氢水、有机酸（例如，柠檬酸、草酸等）、有机碱（例如，TMAH：四甲基氢氧化铵等）、表面活性剂、防腐剂的中的至少一种的液体。例如，也可以向上表面喷嘴7供给BHF（含有HF和NH4F的混合液）、氢氟硝酸（含有HF和HNO3的混合液）、SC-1（含有NH4OH和H2O2的混合液）、SC-2（含有HCl和H2O2的混合液）以及TMAH中的某一种。另外，并不限定于药液，也可以向上表面喷嘴7供给冲洗液等其它液体。冲洗液也可以是纯水（去离子水：Deionzied Water）、碳酸水、电解离子水、富氢水、臭氧水、以及稀释浓度（例如，10～100ppm左右）的盐酸水中的任一种。
气温测定装置10以及液温测定装置17的测定值被输入至控制装置3。控制装置3是温度控制单元的一例。控制装置3与气温调整装置11以及液温调整装置16电连接。控制装置3基于气温测定装置10以及液温测定装置17的测定值，来控制气温调整装置11以及液温调整装置16。控制装置3包括：存储装置19，存储有程序等信息；CPU（中央处理装置）20，用于执行存储在存储装置19中的程序。存储装置19的存储信息包括映射图M1，该映射图M1示出腔室4内的气温和处理液的温度之间的对应关系。CPU20基于气温测定装置10以及液温测定装置17的测定值和映射图M1，来设定腔室4内的气温或者处理液的温度的目标值。并且，在设定了目标值之后，CPU20通过控制气温调整装置11以及液温调整装置16，使腔室4内的气温或者处理液的温度接近目标值。由此，从上表面喷嘴7向基板W供给满足映射图M1所示的对应关系的规定温度的处理液。
图2是示出控制装置3（存储装置19）所存储的映射图M1的一例的曲线图。图3是示出在腔室4内的气温分别为24℃和26℃的情况下供给至基板W的DHF（稀氢氟酸）的温度和蚀刻的均匀性之间的关系（测定值）的曲线图。图3的测定值是示出将作为蚀刻液的一例的DHF（氟化氢：水=1：50）从上表面喷嘴7向处于旋转状态的基板W的上表面中央部喷出并将各种温度的DHF供给至基板W的上表面的整个区域时的蚀刻均匀性的值。蚀刻的均匀性是将基板面内的蚀刻量的最大值和最小值之差除以蚀刻量的平均值而得到的值以百分率来表示的值。因此，值越小，则蚀刻均匀性越好，表示基板面内的蚀刻量的偏差小。
如图3的点划线所示，在腔室4内的气温为24℃时，蚀刻的均匀性呈朝上打开的抛物线。具体地，在DHF的温度为大约22℃时，蚀刻的均匀性最好（值最小），随着DHF的温度远离22℃，蚀刻的均匀性恶化（值变大）。
如图3的双点划线所示，在腔室4内的气温为26℃时，也同样地，蚀刻的均匀性呈朝上打开的抛物线。具体地，在DHF的温度为大约24℃时，蚀刻的均匀性最好（值最小），随着DHF的温度远离24℃，蚀刻的均匀性恶化（值变大）。
这样，无论腔室4内的气温为24℃以及26℃中的哪个温度，都在DHF的温度（液温）比气温低2℃时，蚀刻的均匀性最好，随着从气温减去液温的值小于或者大于2℃，蚀刻的均匀性恶化。因此，在腔室4内的气温和处理液的温度满足一定的关系时，处理液对基板W的处理的面内均匀性变高。
图2示出了使腔室4内的气温在22℃至30℃的范围内变化且使供给至基板W的处理液的温度在20℃至25℃的范围内变化时的蚀刻的均匀性。区域X1是蚀刻的均匀性处于0.15%～0.3%的范围内的区域，区域X2是蚀刻的均匀性处于0.3%～0.45%的范围内的区域。另外，区域X3是蚀刻的均匀性处于0.45%～0.6%的范围内的区域，区域X4是蚀刻的均匀性处于0.6%～0.75%的范围内的区域。区域X5是蚀刻的均匀性处于0.75%～0.9%的范围内的区域。
控制装置3控制气温（腔室4内的气温）和液温（处理液的温度）的温度差，以便例如成为区域X1的范围内的相关关系。在区域X1中，处理液的液温低于与该处理液的液温对应的气温。即，区域X1内的任意的点将处理液的温度和高于处理液的温度的气温建立对应关联。具体地，在气温为26℃的情况下，蚀刻的均匀性为0.15%～0.3%的液温为大约22℃～25℃。在该情况下，控制装置3例如控制液温调整装置16，将供给至基板W的处理液的温度调整为该范围内的温度。另外，在液温为23℃的情况下，蚀刻的均匀性为0.15%～0.3%的气温为24℃～26℃。在该情况下，控制装置3例如控制气温调整装置11，将从FFU9供给至腔室4内的清洁空气的温度调整为该范围内的温度。
控制装置3可以使气温以及液温这两者变更，也可以使气温以及液温中的某一个变更。
例如，在变更液温来控制温度差的情况下，控制装置3基于气温测定装置10的检测值和映射图M1，来设定液温的目标值（例如，比气温低2℃的值）。并且，控制装置3基于液温测定装置17的检测值和液温的目标值，判断液温的当前值和液温的目标值是否一致。在两个值不一致的情况下，控制装置3通过液温调整装置16对液温的当前值进行变更。由此，使液温的当前值接近液温的目标值。然后，当气温以及液温中的至少一个发生变化时，控制装置3再次使液温（当前值）发生变化，来使液温（当前值）接近目标值。
另外，在变更气温来控制温度差的情况下，控制装置3基于液温测定装置17的检测值和映射图M1，来设定气温的目标值（例如，比液温高2℃的值）。并且，控制装置3基于气温测定装置10的检测值和气温的目标值，判断气温的当前值和气温的目标值是否一致。在两个值不一致的情况下，控制装置3通过气温调整装置11对气温的当前值进行变更。由此，使气温的当前值接近气温的目标值。然后，当气温以及液温中的至少一个发生变化时，控制装置3再次使气温（当前值）发生变化，来使气温（当前值）接近目标值。
另外，控制装置3也可以针对气温以及液温中的一个预先设定调整范围，来对气温以及液温中的一个优先进行变更来控制温度差。例如，控制装置3基于映射图M1设定与气温对应的液温目标值，若该液温目标值在液温调整范围内，则基于该液温目标值来控制液温调整装置16。另一方面，在液温目标值为液温调整范围外的值时，控制装置3基于映射图M1设定与液温对应的气温目标值，基于该气温目标值来控制气温调整装置11。由此，一边回避处理液的液温大幅度变更，一边适当地控制气温和液温之间的关系，从而能够实现均匀性良好的基板处理。
如上所述，在本实施方式中，控制装置3基于气温测定装置10以及液温测定装置17的测定值和存储装置19所存储的映射图M1，来设定腔室4内的气温或者从上表面喷嘴7喷出的处理液的温度的目标值。并且，控制装置3通过控制气温调整装置11以及液温调整装置16，使腔室4内的气温或者从上表面喷嘴7喷出的处理液的温度接近目标值。由此，向基板W供给满足映射图M1所示的对应关系的温度的处理液。
在映射图M1中，使处理液的任意的温度与高于处理液的温度的气温建立关联。因此，温度低于腔室4内的气温的处理液，从上表面喷嘴7喷出并供给至基板W的中央部。供给至基板W的处理液的热，因处理液与基板W发生接触或蒸发，在处理液向基板W的周缘部移动的过程中逐渐减少。但是，由于腔室4内的气温高于从上表面喷嘴7喷出的处理液的温度，因此基板W上的处理液被环境气体加热。并且，越接近基板W的周缘部，则处理液和环境气体的接触时间越长，因此越接近基板W的周缘部，则从环境气体供给至处理液的热量越多。因此，处理液所失去的热被环境气体所供给的热补充，从而使处理液在中央部和周缘部之间的温度差减少。
在腔室4内的气温高于基板W上的处理液的温度的情况下，处理液被环境气体加热，但是又促进处理液蒸发，因此因气化而从处理液夺取的热量增加。但是，在本实施方式中，不仅使腔室4内的气温高于处理液的温度，而且在腔室4内的气温和处理液的温度满足映射图M1所示的对应关系的状态下，向基板W供给处理液。由此，能够一边抑制处理液蒸发一边通过环境气体对基板W上的处理液进行加热。由此，能够提高基板W上的处理液的温度的均匀性。因此，能够提高处理的均匀性。
上面对本发明的实施方式进行了说明，但是本发明并不限定于上述实施方式中的内容，而能够在权利要求记载的范围内进行各种变更。
例如，在上述的实施方式中，对气温调整装置11以及液温调整装置16这两者设置于处理单元2的情况进行了说明，但是也可以省略气温调整装置11来不对气温进行调整，而通过液温调整装置16来调整处理液的温度，以使满足映射图M1所示的对应关系。另外，无尘室内的气温大致恒定，因此，在不通过气温调整装置11对腔室4内的气温进行变更的情况下，也可以省略气温测定装置10。
另外，在上述的实施方式中，对从上表面喷嘴7向下方喷出的处理液供给至基板W的上表面中央部的情况进行了说明，但是也可以从下表面喷嘴21（参照图1）向上方喷出满足映射图M1所示的对应关系的温度的处理液，来供给至基板W的下表面中央部，其中，上述下表面喷嘴21从旋转基座12的上表面中央部向上方突出。下表面喷嘴21是处理液供给单元的一例。
另外，在上述的实施方式中，对基板处理装置1为处理圆板状的基板W的装置的情况进行了说明，但是基板处理装置1也可以应用于处理液晶显示装置用基板等多边形的基板的装置。
对本发明的实施方式进行了详细的说明，这些仅是为了明确本发明的技术内容而采用的具体例，不应该解释为本发明限于上述的具体例，本发明的范围仅由权利要求书来限定。
本申请与2012年3月29日向日本特许厅提出的特愿2012-078182号相对应，该申请的全部公开内容通过引用编入到此。

Claims (8)

1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：
腔室；
基板保持旋转单元，在上述腔室内将基板保持为水平，并使该基板围绕穿过该基板的铅垂的旋转轴线旋转；
处理液供给单元，向被上述基板保持旋转单元保持的基板的中央部喷出处理液；
温度测定单元，测定上述腔室内的气温以及从上述处理液供给单元喷出的处理液的温度中的至少一个；
温度调整单元，对上述腔室内的气温以及从上述处理液供给单元喷出的处理液的温度中的至少一个进行变更；
存储单元，存储有示出气温、处理液的温度和处理的均匀性之间的对应关系的存储信息，该对应关系被设定为，与某气温对应的处理液的温度低于该气温；
温度控制单元，基于上述温度测定单元的测定值和上述存储信息，来设定上述腔室内的气温或者从上述处理液供给单元喷出的处理液的温度的目标值，并且，通过控制上述温度调整单元，使上述腔室内的气温或者从上述处理液供给单元喷出的处理液的温度与上述目标值一致。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
上述温度控制单元以使上述腔室内的气温比从上述处理液供给单元喷出的处理液的温度高2℃的方式设定上述目标值。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
上述处理液供给单元包括上表面喷嘴以及下表面喷嘴中的至少一个，其中，上述上表面喷嘴以静止状态朝向基板的上表面中央部喷出处理液；上述下表面喷嘴以静止状态朝向基板的下表面中央部喷出处理液。
4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
上述温度测定单元包括气温测定单元以及液温测定单元中的至少一个，其中，上述气温测定单元用于测定上述腔室内的气温，上述液温测定单元用于测定从上述处理液供给单元喷出的处理液的温度。
5.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
上述温度调整单元包括气温调整单元以及液温调整单元中的至少一个，其中，上述气温调整单元用于对上述腔室内的气温进行变更，上述液温调整单元用于对从上述处理液供给单元喷出的处理液的温度进行变更。
6.一种基板处理方法，其特征在于，包括：
保持旋转工序，通过基板保持旋转单元在腔室内将基板保持为水平，并使该基板围绕穿过该基板的铅垂的旋转轴线旋转；
处理液供给工序，与上述保持旋转工序并行地进行，在该处理液供给工序中，从处理液供给单元向被上述基板保持旋转单元保持的基板的中央部喷出处理液；
温度测定工序，在进行上述处理液供给工序之前，通过温度测定单元测定上述腔室内的气温以及从上述处理液供给单元喷出的处理液的温度中的至少一个；
目标值设定工序，在进行上述温度测定工序之后，基于上述温度测定单元的测定值和示出气温、处理液的温度和处理的均匀性之间的对应关系的存储信息，来设定上述腔室内的气温或者从上述处理液供给单元喷出的处理液的温度的目标值，其中，该对应关系被设定为，与某气温对应的处理液的温度设定为低于该气温；
温度控制工序，在进行上述处理液供给工序之前，通过控制温度调整单元，使上述腔室内的气温或者从上述处理液供给单元喷出的处理液的温度与在上述目标值设定工序中设定的上述目标值一致。
7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其特征在于，
在上述温度控制工序中，以使上述腔室内的气温比从上述处理液供给单元喷出的处理液的温度高2℃的方式设定上述目标值。
8.根据权利要求6或7所述的基板处理方法，其特征在于，
上述处理液含有氢氟酸。
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