JP2015065277A - Pzt薄膜製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】表面の平坦性に優れたPZT薄膜を形成することができるPZT薄膜製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るPZT薄膜製造方法は、600℃以上に加熱された基板上に、鉛を含む有機金属とジルコニウムを含む有機金属とチタンを含む有機金属とを混合した成膜用ガスであって、TG(熱重量分析)において測定前の質量から50%減少する温度をT50とするとき上記有機金属の各々のT50の差が40℃以下である上記成膜用ガスを供給する。これにより、基板上での有機金属の熱分解による核生成が均一となり、膜表面平坦性に優れたPZT薄膜を形成することができる。
【選択図】図3
【解決手段】本発明の一実施形態に係るPZT薄膜製造方法は、600℃以上に加熱された基板上に、鉛を含む有機金属とジルコニウムを含む有機金属とチタンを含む有機金属とを混合した成膜用ガスであって、TG(熱重量分析)において測定前の質量から50%減少する温度をT50とするとき上記有機金属の各々のT50の差が40℃以下である上記成膜用ガスを供給する。これにより、基板上での有機金属の熱分解による核生成が均一となり、膜表面平坦性に優れたPZT薄膜を形成することができる。
【選択図】図3
Description
本発明は、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)薄膜を形成するための薄膜製造方法に関する。
強誘電体メモリ(Ferroelectric Random Access Memory:FeRAM)に用いられる誘電体膜の成膜法の一つに、有機金属化学気相成長(Metal Organic Chemical Vapor Deposition:MOCVD)法がある。この方法では、欠陥の少ない高品質な誘電体膜を基板上に製造できる。
現在、強誘電体材料として、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)が用いられている。このPZTは、チタン酸鉛とジルコン酸鉛との固溶体であり、ほぼ1:1のモル比で固溶したものは自発分極が大きく、低い電界でも反転することができるので、圧電素子の他、記憶媒体用材料としても用いられている。
特許文献1には、一般的なMOCVD法によるPZT薄膜製造方法及び薄膜製造装置が記載されている。
特許文献2には、チタン原料Ti(OiPr)2(dibm)2を用いることで基板温度が350〜450℃と比較的低温でPZT薄膜を成膜する、化学気相成長法によるPZT薄膜の製造方法が記載されている。
一般に、MOCVD法によるPZT成膜においては、下部電極膜上にPZTを成膜し、その後上部電極膜形成工程、キャパシタ形成工程(エッチング工程)を経て、FeRAMとして製品化されている。ところが、PZT薄膜の表面平坦性が悪い場合では、リーク電流が大きくなってしまい、良好な性能が得られない。
しかしながら、特許文献1及び特許文献2には、PZT薄膜の表面平坦性の向上についての方法や手法は記載されておらず、また、成膜されたPZT薄膜の表面性状に関する情報も記載されていない。
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、表面の平坦性に優れたPZT薄膜を形成することができるPZT薄膜製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明の一形態に係るPZT薄膜製造方法は、反応室内の基板を600℃以上に加熱することを含む。
鉛を含む有機金属とジルコニウムを含む有機金属とチタンを含む有機金属とを混合した成膜用ガスであって、TG(熱重量分析)において測定前の質量から50%減少する温度をT50とするとき上記有機金属の各々のT50の差が40℃以下である上記成膜用ガスが上記反応室に導入される。
上記成膜用ガスを上記反応室の上記基板上に供給することで、上記基板上にPZT薄膜が製造される。
鉛を含む有機金属とジルコニウムを含む有機金属とチタンを含む有機金属とを混合した成膜用ガスであって、TG(熱重量分析)において測定前の質量から50%減少する温度をT50とするとき上記有機金属の各々のT50の差が40℃以下である上記成膜用ガスが上記反応室に導入される。
上記成膜用ガスを上記反応室の上記基板上に供給することで、上記基板上にPZT薄膜が製造される。
本発明の一実施形態に係るPZT薄膜製造方法は、反応室内の基板を600℃以上に加熱することを含む。
鉛を含む有機金属とジルコニウムを含む有機金属とチタンを含む有機金属とを混合した成膜用ガスであって、TG(熱重量分析)において測定前の質量から50%減少する温度をT50とするとき上記有機金属の各々のT50の差が40℃以下である上記成膜用ガスが上記反応室に導入される。
上記成膜用ガスを上記反応室の上記基板上に供給することで、上記基板上にPZT薄膜が製造される。
鉛を含む有機金属とジルコニウムを含む有機金属とチタンを含む有機金属とを混合した成膜用ガスであって、TG(熱重量分析)において測定前の質量から50%減少する温度をT50とするとき上記有機金属の各々のT50の差が40℃以下である上記成膜用ガスが上記反応室に導入される。
上記成膜用ガスを上記反応室の上記基板上に供給することで、上記基板上にPZT薄膜が製造される。
TG(Thermogravimetry:熱重量分析)は物質の温度を変化させながら、その物質の質量を温度の関数として測定する方法である。本明細書では、TGにおいて測定開始前の物質の質量から50%減少する温度をT50と定義している。T50の値は実際の熱分解温度ではないものの、異なる物質間の熱的安定性の比較を行う際の指標とすることができる。
上記成膜用ガスは、各々のT50の差が40℃以下である有機金属を混合した成膜用ガスが用いられる。これにより、基板上で同程度の熱的安定性を有する各有機金属が熱分解されることで、基板上での各金属の核発生が均一になり膜表面平坦性の高いPZT薄膜を成膜することが可能となる。一方、各々のT50の差が40℃を超えるような有機金属の組合せの成膜用ガスを用いると、各有機金属の基板上での熱分解温度に差が生じる。このため、基板上での核発生が不均一になり、膜表面平坦性の高いPZT薄膜を成膜することができなくなる。
上記成膜用ガスは、Pb(dpm)2pmdetaとZr(OiPr)(dpm)3とTi(OiPr)2(dpm)2とを混合した成膜用ガスを用いることができる。これらの有機金属のT50はそれぞれ230℃,270℃,230℃と、同程度の熱的安定性を有している。
これにより、基板上で同程度の熱的安定性を有する各有機金属が熱分解されることで、基板上での核発生が均一になり、膜表面の平坦性に優れたPZT薄膜を成膜することが可能となる。
これにより、基板上で同程度の熱的安定性を有する各有機金属が熱分解されることで、基板上での核発生が均一になり、膜表面の平坦性に優れたPZT薄膜を成膜することが可能となる。
上記成膜用ガスは、Pb(dpm)2とZr(OiPr)(dpm)3とTi(OiPr)2(dpm)2とを混合した成膜用ガスを用いることができる。これらの有機金属のT50はそれぞれT50=270,270,230℃と、同程度の熱的安定性を有している。
これにより、基板上で同程度の熱的安定性を有する各有機金属が熱分解されることで、基板上での核発生が均一になり、膜表面の平坦性に優れたPZT薄膜を成膜することが可能となる。
これにより、基板上で同程度の熱的安定性を有する各有機金属が熱分解されることで、基板上での核発生が均一になり、膜表面の平坦性に優れたPZT薄膜を成膜することが可能となる。
上記有機金属の溶媒としては、オクタンを用いることができる。
上記基板を加熱する工程では、基板は600℃以上に加熱され、これにより成膜時の結晶成長を促し、表面性状の良好なPZT薄膜を得ることができる。
また上記基板を加熱する工程は、上記基板の中央を第1の温度で、上記基板の周縁を上記第1の温度より高い第2の温度で加熱してもよい。比較的蒸気圧の高いPb化合物の成膜用ガス中の濃度は、基板の加熱温度によって決定され、基板の周縁でPb化合物の濃度が高まると、気体状態を保持できず固体として薄膜上に析出してしまう。この場合、上記のような温度分布を形成することで、基板周縁の蒸気圧が基板中央の蒸気圧よりも高くなり、基板周縁において気相中に含有できるPb化合物の量を増加させることができる。これにより、基板周縁部上に高濃度に分布するPb化合物の析出を抑制でき、基板面内において均一な組成の薄膜を形成することが可能となる。
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。
[薄膜製造装置]
図1は、本発明の一実施形態に係る薄膜製造装置の構成例を示す模式図である。薄膜製造装置100は、有機金属の有機溶媒溶液を供給する原料供給部10と、当該有機溶媒溶液を気化して原料ガスを生成する気化器20と、当該原料ガスと反応ガス等との混合ガス(成膜用ガス)を生成する混合器30と、当該成膜用ガスを基板に吹き付けて成膜処理を行う成膜室50とを有する。
図1は、本発明の一実施形態に係る薄膜製造装置の構成例を示す模式図である。薄膜製造装置100は、有機金属の有機溶媒溶液を供給する原料供給部10と、当該有機溶媒溶液を気化して原料ガスを生成する気化器20と、当該原料ガスと反応ガス等との混合ガス(成膜用ガス)を生成する混合器30と、当該成膜用ガスを基板に吹き付けて成膜処理を行う成膜室50とを有する。
(ガス供給ライン)
ガス供給ラインは、原料供給部10と、気化器20と、混合器30とを有し、さらにこれらに設けられた各配管及び各バルブ等により構成される。原料供給部10は、有機金属溶液及び溶媒が充填されるタンクA,B,C,Dと、各タンクにヘリウム(He)ガスを供給する供給配管11と、Heガスの圧力で各タンクから押し出された有機金属溶液及び溶媒を運搬するキャリアガスの供給配管12とを有する。Heガス供給配管11からタンクにHeガスが供給されるとタンクの内部圧力が上昇し、タンクに充填されていた有機金属溶液及び溶媒がキャリアガス供給配管12に押し出される。押し出された有機金属溶液及び溶媒の液滴は、窒素(N2)ガスなどのキャリアガスにより気化器20に運搬される。
ガス供給ラインは、原料供給部10と、気化器20と、混合器30とを有し、さらにこれらに設けられた各配管及び各バルブ等により構成される。原料供給部10は、有機金属溶液及び溶媒が充填されるタンクA,B,C,Dと、各タンクにヘリウム(He)ガスを供給する供給配管11と、Heガスの圧力で各タンクから押し出された有機金属溶液及び溶媒を運搬するキャリアガスの供給配管12とを有する。Heガス供給配管11からタンクにHeガスが供給されるとタンクの内部圧力が上昇し、タンクに充填されていた有機金属溶液及び溶媒がキャリアガス供給配管12に押し出される。押し出された有機金属溶液及び溶媒の液滴は、窒素(N2)ガスなどのキャリアガスにより気化器20に運搬される。
本実施形態では、キャリアガスとしてN2ガスが用いられるが、これに限られず、他の不活性ガスを用いることもできる。同様に、各タンクA〜Dに供給されるガスもHeガスに限られず、他の不活性ガスを用いることもできる。
本実施形態では、チャンバ51内でPZT薄膜を製造する。よって、タンクA〜Dには、PZTに含まれる金属元素であるPb、Zr、Tiを含む各有機金属溶液と、有機系の溶媒がそれぞれ充填される。Pb、Zr及びTiの有機金属溶液としては、Pb(dpm)2は0.10mol/L、Pb(dpm)2pmdetaは0.25mol/L、Zr(OiPr)(dpm)3とZr(dibm)4は0.10mol/L、Ti(OiPr)2(dpm)2は0.25mol/Lの濃度で溶解したオクタン溶液が用いられる。
溶媒に溶解される有機金属材料は、成膜用ガスに含まれる有機金属材料の各々のT50の差が40℃以下となるように選定される。さらに、有機金属材料を安定化させるアダクツが付加されている材料等も用いることができる。
本実施形態に用いられる有機金属材料の組合せは、Pbを含む有機金属材料としては、Pb(dpm)2pmdetaが用いられ、Zrを含む有機金属材料としては、Zr(OiPr)(dpm)3が用いられる。またTiを含む有機金属材料としては、Ti(OiPr)2(dpm)2が用いられる。これらの材料のT50はそれぞれ230℃,270℃,230℃と、同程度の熱的安定性を有する値となっている。
また、本実施形態に用いられる有機金属材料は、Pb(dpm)2とZr(OiPr)(dpm)3とTi(OiPr)2(dpm)2との組み合わせ(T50はそれぞれ270℃,270℃,230℃)、または、Pb(dpm)2pmdetaとZr(OiPr)2(dpm)2とTi(OiPr)2(dpm)2との組み合わせ(T50はそれぞれ230℃,235℃,230℃)を用いることができる。これらの組合せも、同程度の熱的安定性を有する有機金属材料の組合せとなっている。
なお、本実施形態に用いられる有機金属材料とその組合せは上述のものに限定されず、成膜用ガスに含まれる有機金属材料の各々のT50の差が40℃以下となっていればよい。
各有機金属材料を溶かす溶媒及びタンクDに充填される溶媒は、上記のオクタンに代えて、例えば酢酸n−ブチル、トルエン、テトラヒドロフラン(THF)、シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、又はメチルシクロヘキサン等を用いることもできる。
気化器20は、図示しない加熱手段を備えており、原料供給部10から気化器20へキャリアガスによって搬送された有機金属溶液及び溶媒の液滴を加熱して気化し、有機金属材料を含む原料ガスを生成するものである。
気化器20は、本実施形態のように有機金属溶液が複数の場合には、複数の溶液を混合して気化させることができる。なお気化効率を向上させるために、有機金属溶液及び溶媒の液滴にガスや超音波等を当てる方法や、微細ノズルを介して予め微細化された液滴を導入する方法等を併用することもできる。また、有機金属溶液が気化する際に発生する残渣や、気化していない液滴が混合器30等へ搬送されるのを抑制するために、パーティクル捕獲器を設けることも可能である。
図1に示すように、気化器20には、混合器30に接続される供給用配管21と、排気システム40に接続される排気用配管22とが設けられる。供給用配管21にはバルブV1が設けられ、排気用配管22にはバルブV2が設けられる。
混合器30は、気化器20により生成された原料ガスと、酸化ガス及び不活性ガスとを混合し、成膜用ガスを生成するものである。そのため、混合器30には酸化ガス供給部31及び不活性ガス供給部32が接続されている。本実施形態では、酸化ガス供給部31により、酸素(O2)ガスが供給され、不活性ガス供給部32によりN2ガスが供給されるが、酸化ガスとして例えば一酸化窒素やオゾン等が供給されることも可能である。また不活性ガスとしてアルゴン(Ar)ガス等の供給も可能である。
混合器30と成膜室50との間には、配管33が接続されている。配管33には、図示しないバルブを接続することもできる。また、配管33には、不純物を除去するためのVCR型パーティクル捕獲器等を接続することもできる。
気化器20から成膜室50までの各ライン、各バルブ及び混合器30等を含む各装置は、気化したガスの液化等を防止するため、図示しない加熱機構により例えば200℃以上の高温状態に保たれる。
以上のような構成のガス供給ラインによって、成膜用ガスが成膜室50内に供給され、薄膜の製造が行われる。以下、成膜室50の構造について説明する。
(成膜室)
成膜室50は、チャンバ51と、ステージ52と、シャワープレート53とを有する。ステージ52は、基板を支持することが可能であり、チャンバ51内に配置される。シャワープレート53は、ステージ52と対向してチャンバ51内部に設置されており、配管33が接続されている。またチャンバ51内には、図示しない防着板等の部品が洗浄済みの状態で配置される。
成膜室50は、チャンバ51と、ステージ52と、シャワープレート53とを有する。ステージ52は、基板を支持することが可能であり、チャンバ51内に配置される。シャワープレート53は、ステージ52と対向してチャンバ51内部に設置されており、配管33が接続されている。またチャンバ51内には、図示しない防着板等の部品が洗浄済みの状態で配置される。
圧力調整バルブ41は、成膜室50の外部に配置され、チャンバ51と排気用配管42によって接続されている。このことから、チャンバ51内の圧力を適宜設定することで、様々な成膜圧力条件に容易に対応することが可能である。さらに、圧力調整バルブ41は、例えばドライポンプやターボ分子ポンプ等を備えた排気システム40に接続される。
また、本実施形態においては、排気用配管42が、基板Wを支持する支持板521aより下部で、チャンバ51に接続されている。これにより、シャワープレート53からステージ52の周囲を介して排気用配管42へ向かうガスの排気経路が形成され、更に、チャンバ51内の基板W以外への成膜用ガスの付着等により発生するパーティクルの巻上げ等を抑制することが可能となる。
シャワープレート53は、本実施形態において、チャンバ51の天井面を構成する上蓋511に固定されている。シャワープレート53の大きさ及び形状は特に制限されないが、例えば、基板Wに成膜用ガスを供給するガス供給面53aが、基板Wを支持する支持板521aの面積と同程度の円形状で構成される。ガス供給面53aには、全体に均一な分布でシャワー穴が配置されている。このことによって、基板Wのほぼ全面に、均一に成膜用ガスを供給することができる。
シャワープレート53の内部には、配管33に接続され、成膜用ガスが拡散可能な空間Sを有している。さらに、基板Wの加熱に伴い、ガス供給面53aが大量の輻射熱を受ける場合は、成膜条件に合わせて温度制御可能な熱交換器等の冷却装置を接続することもできる。
成膜工程中には、シャワープレート53から基板W上に新しい成膜用ガスが供給される。これと同時に、反応副生成物や成膜中の薄膜から再蒸発したPb化合物などを含むガスは、排気用配管42を介して排気システム40へ排気される。上述のように、排気用配管42は、基板Wを支持する支持板521aより下部で、チャンバ51に接続される。すなわち、チャンバ51内において、ガスの流れは、基板Wの中央から周縁に向かうよう形成されることとなる。
ステージ52は、支持部材521を有し、さらに支持部材521は、基板Wを支持することが可能な支持板521aを有する。支持板521aの大きさ及び形状は特に制限されないが、所望の基板を支持できるよう構成される。例えば本実施形態において、基板Wは略円形の8インチ径基板(半径約100mm)である。よって、支持板521aは、半径が約105mmの略円形で構成される。支持板521aが基板Wを支持する方法は、特に制限されず、例えば静電チャック方式等を採用することができる。また、ステージ52は、図示しない駆動源によって、支持部材521を回転または昇降させるように構成されることも可能である。
さらに支持部材521内部には、基板Wを加熱することが可能な、図示しないヒータ(加熱源)が支持板521aに近接して配置されている。このため、支持板521aは、ヒータからの熱を基板Wに効率的に伝えることができる材料で構成されており、例えばSiC(炭化ケイ素)、Si3N4(窒化ケイ素)、カーボン等が採用される。これにより、基板Wが支持板521aとほぼ同じ温度に維持されることが可能となる。以下、本実施形態に係るヒータの構造について説明する。
図2は、ヒータHの構造を示す模式図である。図2(A)は、基板Wを支持した状態の支持板521aとヒータHとの中心を含む断面図を示し、図2(B)はヒータHの上面図を示している。ヒータHは支持板521aの全面を加熱することが可能に構成され、本実施形態において、全体として半径R2が約105mmの略円盤状に構成されている。
本実施形態において、ヒータHは、第1の加熱部H1と、第2の加熱部H2とを有する。図2に示すように基板Wが支持板521a上に支持される際、ヒータHは、第1の加熱部H1が基板Wの中央を加熱し、第2の加熱部H2が基板Wの周縁を加熱するよう、構成されている。例えば、第1の加熱部H1は、ヒータHの中心からの半径がR1の略円盤状である。ここで、R1はR2より小さく、例えば約70mmである。第2の加熱部H2は、第1の加熱部H1の外周に形成され、ヒータHの中心からの半径がR1〜R2の領域に形成された環状構造を有する。
第1の加熱部H1及び第2の加熱部H2は、それぞれ別個の加熱装置で構成され、例えばそれぞれに抵抗加熱ヒータ等を採用することができる。しかしながら、基板Wの面内を所望の温度分布で加熱できれば、加熱装置の構成は特に制限されず、例えば径が異なる同心円状の多段ヒータをそれぞれ配置することも可能である。
また、支持部材521は、第1の加熱部H1及び第2の加熱部H2によって加熱された支持板521aの温度をそれぞれ測定することが可能な、温度センサを内蔵することも可能である。温度センサは、例えば支持板521aに近接して配置された熱電対等を用いることができる。これによって、第1の加熱部H1及び第2の加熱部H2によってそれぞれ加熱された支持板521aの温度が測定可能となる。また、温度センサは、基板面内の温度分布を測定するために、複数配置することも可能である。
さらに、上述のように支持板521aの温度と基板Wの温度とはほぼ等しいとみなせるため、支持板521aの温度を計測することで、間接的に基板Wの温度を計測することが可能となる。
本実施形態に係る薄膜製造装置100は、第1の加熱部H1と第2の加熱部H2との加熱温度をそれぞれ制御する制御システムを有している。制御システムは、例えばCPU(Central Processing Unit)や、ROM(Read Only Memory)又はRAM(Random Access Memory)等からなるメインメモリ等を有するコンピュータで構成されたコントローラ60を含む。
コントローラ60は、例えば有線あるいは無線を介して、第1の加熱部H1と第2の加熱部H2とにそれぞれ接続されている。これによって、第1の加熱部H1を第1の温度で加熱させ、第2の加熱部H2を第1の温度より高い第2の温度で加熱させるよう、制御することができる。
また、制御システムは、基板Wの温度を測定する温度センサ等に接続されることも可能である。このことによって、第1の加熱部H1と第2の加熱部H2とに対応する基板Wの温度をモニタリングし、その結果を元に第1の加熱部H1と第2の加熱部H2との温度を制御することができる。
さらに、制御システムは、上記で説明したガス供給ラインの各バルブや成膜装置50の各装置を、例えば有線あるいは無線を介して制御するように構成されることも可能である。このことによって、薄膜製造装置100全体の動作を制御システムによって制御することが可能となる。
次に、以上のような薄膜製造装置100の動作について説明する。
[薄膜製造装置の動作]
薄膜製造装置100の動作の工程は、成膜室内の基板を600℃以上に加熱する工程(基板加熱工程)と、成膜用ガスを成膜室に導入する工程(成膜用ガス導入工程)と、成膜用ガスを成膜室の基板上に供給し基板上にPZT薄膜を製造する工程(成膜用ガス供給及び成膜工程)とを有する。以下、各工程を説明する。
薄膜製造装置100の動作の工程は、成膜室内の基板を600℃以上に加熱する工程(基板加熱工程)と、成膜用ガスを成膜室に導入する工程(成膜用ガス導入工程)と、成膜用ガスを成膜室の基板上に供給し基板上にPZT薄膜を製造する工程(成膜用ガス供給及び成膜工程)とを有する。以下、各工程を説明する。
(基板加熱工程)
チャンバ51内には、予めN2やAr等の不活性ガスが、不活性ガス供給部32から配管33を介して、例えば約2000sccmで流入している。これにより実際の成膜が開始する前に成膜圧力である約267Pa(2Torr)に調圧される。
チャンバ51内には、予めN2やAr等の不活性ガスが、不活性ガス供給部32から配管33を介して、例えば約2000sccmで流入している。これにより実際の成膜が開始する前に成膜圧力である約267Pa(2Torr)に調圧される。
基板Wがチャンバ51に搬送され支持板521a上に図1のように載置されると、ヒータHにより基板Wが加熱される。このとき、基板Wの中央は、第1の加熱部H1によって、第1の温度で加熱される。基板Wの周縁は、第2の加熱部H2によって、第1の温度より高い第2の温度で加熱される。本実施形態では、第1の温度と第2の温度との差が5℃以上10℃以下で、ともに600℃以上となるよう、制御システムによって制御されている。基板Wの温度は例えば3分程で所定の温度に収束する。
(成膜用ガス導入工程)
成膜用ガス導入工程は、成膜用ガスを生成する工程と、成膜用ガスをチャンバ51に導入する工程を有する。図1に示すHeの供給ライン11から各タンクA〜DにHeが供給されると、各タンクの内部圧力が上昇し、各タンクに充填されていた有機金属(Pb(dpm)2pmdeta,Zr(OiPr)(dpm)3,Ti(OiPr)2(dpm)2)の原料溶液及びオクタン等の溶媒がキャリアガス(N2)とともに配管12に押し出される。押し出された金属原料溶液及び溶媒の液滴は、それぞれの流量が液体流量制御器等で制御されて、キャリアガスにより気化器20に運搬される。
各タンクに充填される有機金属材料とその組合せは上述のものに限定されず、各有機金属材料の各々のT50の差が40℃以下である組合せとなっていればよい。また、各タンクに充填される有機金属材料は液体に限定されず、気体状態で充填されていてもよい。各有機金属材料及び溶媒は、1つのタンクに一括して充填されていてもよい。
成膜用ガス導入工程は、成膜用ガスを生成する工程と、成膜用ガスをチャンバ51に導入する工程を有する。図1に示すHeの供給ライン11から各タンクA〜DにHeが供給されると、各タンクの内部圧力が上昇し、各タンクに充填されていた有機金属(Pb(dpm)2pmdeta,Zr(OiPr)(dpm)3,Ti(OiPr)2(dpm)2)の原料溶液及びオクタン等の溶媒がキャリアガス(N2)とともに配管12に押し出される。押し出された金属原料溶液及び溶媒の液滴は、それぞれの流量が液体流量制御器等で制御されて、キャリアガスにより気化器20に運搬される。
各タンクに充填される有機金属材料とその組合せは上述のものに限定されず、各有機金属材料の各々のT50の差が40℃以下である組合せとなっていればよい。また、各タンクに充填される有機金属材料は液体に限定されず、気体状態で充填されていてもよい。各有機金属材料及び溶媒は、1つのタンクに一括して充填されていてもよい。
気化器20では、タンクDから押し出されキャリアガスにより運搬された溶媒による気化器20のノズルフラッシュが始まり、例えば3分ほどで金属原料溶液及び溶媒を気化できる状態になる。この際、排気用配管22のバルブV2が開けられ、溶媒の気化ガス及びキャリアガスは排気用配管22に捨てられる。
基板Wの温度が収束する前に、気化器20による気化動作は、溶媒の気化から、成膜する流量にコントロールされた有機金属溶液主体の気化に切り替わる(排気用配管22は開けられた状態を保持している)。
チャンバ51における基板Wやシャワープレート53等の部品の温度が所定の温度に飽和すると、排気用配管22のバルブV2が閉じられ、供給用配管21のバルブV1が開けられる。そして気化器20により気化された有機金属材料を含むガスが混合器30に供給される。
混合器30では、気化器20から供給された有機金属材料を含むガスと、酸化ガスであるO2と、不活性ガスであるN2とが所定の混合比(モル濃度比)で混合され、成膜用ガスが生成される。混合比は、例えば成膜されるPZT薄膜の結晶配向を所期のものとするために適宜設定される。
混合器30により生成された成膜用ガスは、配管33を通って成膜室50のシャワープレート53を介してチャンバ51内に導入される。
(成膜用ガス供給及び成膜工程)
上記工程によりチャンバ51内に導入された成膜用ガスは、加熱された基板W上に供給される。ここで、本実施形態では、成膜用ガスに含まれる各有機金属材料の各々のT50の差が40℃以下、すなわち同程度の熱的安定性を有する組合せとなっている。このため、基板W表面に供給された成膜用ガス中の各有機金属材料は、加熱された基板Wによって熱分解して均一な核生成が起こり、膜表面平坦性の高いPZT薄膜が基板W上に形成される。なお、成膜されるPZT薄膜の厚み、成膜レート等は適宜設定可能である。
上記工程によりチャンバ51内に導入された成膜用ガスは、加熱された基板W上に供給される。ここで、本実施形態では、成膜用ガスに含まれる各有機金属材料の各々のT50の差が40℃以下、すなわち同程度の熱的安定性を有する組合せとなっている。このため、基板W表面に供給された成膜用ガス中の各有機金属材料は、加熱された基板Wによって熱分解して均一な核生成が起こり、膜表面平坦性の高いPZT薄膜が基板W上に形成される。なお、成膜されるPZT薄膜の厚み、成膜レート等は適宜設定可能である。
成膜が終了すると、供給用配管21のバルブV1が閉じられ、排気用配管22のバルブV2が開けられる。従ってチャンバ51内の基板Wへの成膜用ガスの供給が停止され、成膜用ガスは排気用配管22に捨てられる。チャンバ51内には、シャワープレート53から不活性ガス等が一定の時間(例えば60秒)流される。続いて、次の基板がチャンバ51内に搬送され、同様に成膜が行われる。
以上のような構成の薄膜製造装置100に係るシャワープレート53は、基板W表面に対して均一に成膜用ガスを供給し、基板W上にPZT薄膜を形成させる。そして、シャワープレート53の中央部から供給された成膜用ガスは、基板Wの中央からその周縁に向かうガスの流れを形成する。
一方、成膜用ガス中の比較的蒸気圧の高いPb化合物は、基板W上に固相のPZT薄膜として析出した後も再蒸発を起こし易い。したがって、基板Wの中央では、常に新しい成膜用ガスのみが供給されるのに対して、基板Wの周縁では、シャワープレート53から新しい成膜用ガスが供給されるだけでなく、基板W中央から再蒸発したPb化合物が供給される。その結果、基板Wの面内においてガス濃度あるいはガス種に分布が生じる。
ここで、比較的蒸気圧の高いPb化合物の成膜用ガス中の濃度は、ヒータHによる基板Wの加熱温度によって決定される。基板Wの周縁でこれらの化合物の濃度が高まると、気体状態を保持できず固体として薄膜上に析出してしまう。
このことから、本実施形態の薄膜製造装置100では、ヒータHによって、基板Wの面内で温度分布を生じさせている。すなわち、第1の加熱部H1が、第1の温度で基板Wの中央を加熱し、第2の加熱部H2が、成膜用ガスの流れの下流となる基板Wの周縁を、第1の温度より高い第2の温度で加熱する。このような温度分布を形成することで、基板Wの周縁におけるPb化合物の蒸気圧を基板Wの中央よりも高め、基板Wの周縁の気相中に含有できるPb化合物の量を増やすことができる。その結果、基板Wの周縁に高濃度に分布するPb化合物の析出を抑制でき、基板Wの面内において均一なPZT薄膜を形成することができる。
<実施例>
上記の実施形態に係る薄膜製造装置及び薄膜製造方法を用いて、8インチ径の基板上にPZT薄膜を形成した例を実施例1とする。実施例2では、成膜用ガスのPb原料としてPb(dpm)2が、Zr原料としてZr(OiPr)(dpm)3が、Ti原料として、Ti(OiPr)2(dpm)2が用いられ、また実施例3では、Pb原料としてPb(dpm)2pmdetaが、Zr原料としてZr(OiPr)2(dpm)2が、Ti原料として、Ti(OiPr)2(dpm)2が用いられ、実施例1と同様の装置及び方法により厚み70nmのPZT薄膜が形成された。作製した薄膜の表面粗さを、東陽テクニカ製AFM(原子間力顕微鏡)(型式Nano−I)を用いて測定した。
上記の実施形態に係る薄膜製造装置及び薄膜製造方法を用いて、8インチ径の基板上にPZT薄膜を形成した例を実施例1とする。実施例2では、成膜用ガスのPb原料としてPb(dpm)2が、Zr原料としてZr(OiPr)(dpm)3が、Ti原料として、Ti(OiPr)2(dpm)2が用いられ、また実施例3では、Pb原料としてPb(dpm)2pmdetaが、Zr原料としてZr(OiPr)2(dpm)2が、Ti原料として、Ti(OiPr)2(dpm)2が用いられ、実施例1と同様の装置及び方法により厚み70nmのPZT薄膜が形成された。作製した薄膜の表面粗さを、東陽テクニカ製AFM(原子間力顕微鏡)(型式Nano−I)を用いて測定した。
一方、比較例1では、成膜用ガスのPb原料としてPb(dpm)2が、Zr原料としてZr(dibm)4が、Ti原料として、Ti(OiPr)2(dpm)2が用いられ、実施例1と同様の装置及び方法により厚み70nmのPZT薄膜が形成された。作製した薄膜の表面粗さを、東陽テクニカ製AFM(原子間力顕微鏡)(型式Nano−I)を用いて測定した。
なお、全ての実施例及び比較例において、制御システムによってヒータを制御することで、基板中央を625℃に加熱し、基板周縁を基板中央よりも10℃高い635℃に加熱した。成膜室内の圧力は、267Pa(2Torr)となるよう制御されており、成膜を行う基板には、二酸化ケイ素(SiO2)酸化膜が100nmの厚さで形成された8インチ径のシリコン基板上に、スパッタ法でイリジウム(Ir)膜が70nmの厚さで形成された基板を用いた。
表1は、上記の実施例及び比較例に用いられた有機金属材料とそのT50の値を示す表である。実施例1〜3において用いられた有機金属材料は、各々のT50の差が40℃以下となっている。ただし、実施例3においては、用いられた有機金属材料の各々のT50の差は40℃以下ではあるが、Zr原料にT50の低いZr(OiPr)2(dpm)2を用いている。一方、比較例1においては、Zr原料にT50の高いZr(dibm)4を用いており、有機金属材料の各々のT50の差は40℃を超えている。
表2は、上記の実施例及び比較例において得られたPZT薄膜表面の粗さを表す値を示しており、それぞれの薄膜表面の算術平均粗さRa[nm]、二乗平均粗さRms[nm]、膜表面の最大谷深さP−V[nm]を算出して示している。
表2より、実施例1ではRa=2.92、Rms=3.65、P−V=28.8、実施例2ではRa=3.20、Rms=4.00、P−V=33.4、実施例3ではRa=2.95、Rms=3.69、P−V=31.5であり、平坦性の高い膜表面となっていることが示された。比較例1では、Ra=5.56、Rms=7.05、P−V=62.6であり、膜表面の平均粗さ及び最大谷深さは、実施例1〜3の2倍近い値となっており、粗い膜表面となっていることが示された。
表2の結果は、各実施例及び比較例に用いられた有機金属材料と関連し、次のように考えられる。まず、実施例1及び2ではPb原料を変えているがどちらも平坦性の高い膜表面となっていることがわかる。これは、基板中央と周縁部の温度差により基板周縁におけるPb原料の蒸気圧が高まり、基板周縁の薄膜にも過剰なPb等が析出せず、膜表面の荒れが起こらないことと考えられる。
これにより、本実施形態では膜表面の平均粗さは、用いられた有機金属材料の各々のT50の差が40℃以下であれば、Pb原料によらないことが示された。
これにより、本実施形態では膜表面の平均粗さは、用いられた有機金属材料の各々のT50の差が40℃以下であれば、Pb原料によらないことが示された。
次に、表2の結果について、用いられたZr原料との関連を考える。実施例1〜3では、有機金属材料の各々のT50の差が40℃以下となる範囲でZr原料が選定され、得られたPZT薄膜は平坦性の高い膜表面となっていることがわかる。
これより、実施例1〜3では、Zr原料を含む各有機金属材料は同程度の熱的安定性を有するので、基板上での熱分解による核発生が均一となっていることが考えられる。
これより、実施例1〜3では、Zr原料を含む各有機金属材料は同程度の熱的安定性を有するので、基板上での熱分解による核発生が均一となっていることが考えられる。
一方、比較例1ではT50の高いZr原料を用いることで有機金属材料の各々のT50の差は60℃となっており、得られたPZT薄膜は粗い膜表面となっていることがわかる。
これより、比較例1ではPb原料、Ti原料と比べてZr原料のT50が高く、基板上でのZr原料の熱分解が遅いため、Zr原料と基板表面との反応性はPb原料、Ti原料と比べて低く、表面平坦性の低い膜表面になったと考えられる。
これより、比較例1ではPb原料、Ti原料と比べてZr原料のT50が高く、基板上でのZr原料の熱分解が遅いため、Zr原料と基板表面との反応性はPb原料、Ti原料と比べて低く、表面平坦性の低い膜表面になったと考えられる。
図3〜6は、上記の実施例及び比較例において得られたPZT薄膜の表面形状を測定したAFM像(5μm×5μm)である。図3は実施例1、図4は実施例2、図5は実施例3、図6は比較例1において得られたPZT薄膜のAFM像をそれぞれ示している。
図3及び図4では、膜表面の粒界の隙間は狭く、緻密な膜表面となっていることがわかる。図5では、粒界の隙間が狭い箇所と、膜表面が窪んでいる箇所がみられる。図6では、粒界の隙間が広くなっている箇所が点在する。
図5及び図6のように、膜表面に窪みや粒界の隙間があり表面平坦性が悪い場合は、PZT薄膜をFeRAMとして製品化した際、リーク電流が大きくなってしまうため良好な性能を得ることができない。また、図5の実施例3において得られたPZT薄膜は、表2の平均粗さの値は良好であったにも関わらず、膜表面に窪んだ箇所がある薄膜も得られ、膜表面性状にばらつきがみられる。これは、成膜に用いられたZr原料のT50は235℃と低く基板表面との反応性は高いが、熱に不安定なために基板に到達する前に熱分解を起こしていると予想される。このような膜表面性状のばらつきが生じると、製品の歩留まりの低下を引き起こしてしまう。
そこで、成膜安定性の評価として、実施例1〜3の成膜条件でそれぞれ150枚のPZT薄膜の成膜を行い、Zr組成比(Zr/(Zr+Ti))の再現性を評価した。上記の各成膜条件によるZr組成比の再現性は、実施例2が±3.33、実施例3が±3.89となり、実施例3と比べて熱的に安定なZr原料であるZr(OiPr)(dpm)3(T50=270℃)を用いた実施例2の条件で成膜安定性は向上した。この結果から、基板温度600℃以上の条件では、T50が低く熱的安定性が低いZr原料は、基板に達する前に熱分解してしまい膜中のZr組成比が安定しないと考えられる。そのため、Zr原料にZr(OiPr)2(dpm)2(T50=235℃)を用いると成膜が安定せず、図5のように膜表面の粗い薄膜が得られると考えられる。
これにより、本実施形態に係る薄膜製造方法において、良好な成膜安定性を得るには用いられるZr原料はT50>235℃であることが好ましく、T50=270℃であることがより好ましいことが示された。
これにより、本実施形態に係る薄膜製造方法において、良好な成膜安定性を得るには用いられるZr原料はT50>235℃であることが好ましく、T50=270℃であることがより好ましいことが示された。
以上述べたように、本実施形態によれば、薄膜製造装置100において600℃以上に加熱された基板Wに、各有機金属材料の各々のT50の差が40℃以下、すなわち同程度の熱的安定性を有する組合せを含む成膜用ガスを供給しているので、各有機金属材料は加熱された基板W表面によって熱分解し、均一な核生成が起こる。これにより、膜表面平坦性に優れたPZT薄膜を形成することができる。また、本実施形態では基板到達前に熱分解を起こさない範囲内でT50の低いZr原料であるZr(OiPr)(dpm)3(T50=270℃)を用いることで、基板表面と有機金属との反応性を高め、膜表面平坦性に優れ、かつ膜組成安定性に優れたPZT薄膜を成膜することができる。このように、本発明によれば、薄膜表面の平坦性を高める事ができるため、PZT薄膜からFeRAMを作製した際にリーク電流を低減する事ができると期待される。リーク電流の低減により、消費電力が低く抑えられ、素子の劣化を防ぐ事が可能となる。
また、本実施形態によれば、基板の中央を第1の温度で、基板の周縁を第1の温度より高い第2の温度で加熱するような温度分布を形成することで、基板周縁の蒸気圧が基板中央の蒸気圧よりも高くなり、基板周縁において気相中に含有できるPb化合物の量を増加させることができる。これにより、基板周縁部上に高濃度に分布するPb化合物の析出を抑制でき、基板面内において均一な組成の薄膜を形成することが可能となる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
例えば本実施形態では、基板の中央を第1の温度で、基板の周縁を第1の温度より高い第2の温度で加熱するような温度分布を有するヒータにより基板が加熱されるが、これに限られず、基板全体が一定の温度で加熱されるような構成としてもよい。このような構成であっても、基板面内においてZr組成には影響がなく、上述のように膜表面平坦性に優れたPZT薄膜を成膜することが可能である。
W…基板
10…原料供給部
11、12、33…配管
20…気化器
21…供給用配管
22…排気用配管
30…混合器
31…酸化ガス供給部
32…不活性ガス供給部
40…排気システム
50…成膜室
51…チャンバ
52…ステージ
53…シャワープレート
100…薄膜製造装置
10…原料供給部
11、12、33…配管
20…気化器
21…供給用配管
22…排気用配管
30…混合器
31…酸化ガス供給部
32…不活性ガス供給部
40…排気システム
50…成膜室
51…チャンバ
52…ステージ
53…シャワープレート
100…薄膜製造装置
Claims (5)
- 反応室内の基板を600℃以上に加熱し、
鉛を含む有機金属とジルコニウムを含む有機金属とチタンを含む有機金属とを混合した成膜用ガスであって、TG(熱重量分析)において測定前の質量から50%減少する温度をT50とするとき前記有機金属の各々のT50の差が40℃以下である前記成膜用ガスを、前記反応室に導入し、
前記成膜用ガスを前記反応室の前記基板上に供給することで、前記基板上にPZT薄膜を製造する
PZT薄膜製造方法。 - 請求項1に記載のPZT薄膜製造方法であって、
前記成膜用ガスは、Pb(dpm)2pmdetaとZr(OiPr)(dpm)3とTi(OiPr)2(dpm)2とを混合した成膜用ガスである
PZT薄膜製造方法。 - 請求項1に記載のPZT薄膜製造方法であって、
前記成膜用ガスは、Pb(dpm)2とZr(OiPr)(dpm)3とTi(OiPr)2(dpm)2とを混合した成膜用ガスである
PZT薄膜製造方法。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載のPZT薄膜製造方法であって、
前記有機金属の溶媒は、オクタンである
PZT薄膜製造方法。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載のPZT薄膜製造方法であって、
前記基板を加熱する工程は、前記基板の中央を第1の温度で、前記基板の周縁を前記第1の温度より高い第2の温度で加熱する
PZT薄膜製造方法。
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Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001151782A (ja) * | 1999-11-19 | 2001-06-05 | Kojundo Chem Lab Co Ltd | ジルコニウムアルコキシトリス(β−ジケトネート)とその製造方法およびPZT膜形成用液体組成物 |
JP2003104931A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-09 | Mitsubishi Materials Corp | 有機金属化学蒸着用有機ジルコニウム化合物及び該化合物を含むpzt薄膜形成用原料液 |
JP2003133310A (ja) * | 2001-08-08 | 2003-05-09 | Agilent Technol Inc | 強誘電体pzt被膜の形成方法 |
JP2003213417A (ja) * | 2002-01-21 | 2003-07-30 | Kojundo Chem Lab Co Ltd | 化学気相成長法によるpzt薄膜の製造方法 |
JP2004111621A (ja) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Fujitsu Ltd | Mocvd装置 |
JP2005347624A (ja) * | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Tokyo Electron Ltd | ガス処理装置および成膜装置 |
JP2006213631A (ja) * | 2005-02-03 | 2006-08-17 | Kojundo Chem Lab Co Ltd | 化学気相成長法によるpzt成膜用の原料溶液の製造方法およびpzt膜の形成方法 |
WO2012039107A1 (ja) * | 2010-09-21 | 2012-03-29 | 株式会社アルバック | 薄膜製造方法及び薄膜製造装置 |
JP2013038169A (ja) * | 2011-08-05 | 2013-02-21 | Ulvac Japan Ltd | 薄膜製造方法および薄膜製造装置 |
JP2013145745A (ja) * | 1999-02-19 | 2013-07-25 | Advanced Technology Materials Inc | 液体前駆体溶液の混合液及び前駆体蒸気組成物 |
-
2013
- 2013-09-25 JP JP2013198035A patent/JP2015065277A/ja active Pending
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013145745A (ja) * | 1999-02-19 | 2013-07-25 | Advanced Technology Materials Inc | 液体前駆体溶液の混合液及び前駆体蒸気組成物 |
JP2001151782A (ja) * | 1999-11-19 | 2001-06-05 | Kojundo Chem Lab Co Ltd | ジルコニウムアルコキシトリス(β−ジケトネート)とその製造方法およびPZT膜形成用液体組成物 |
JP2003133310A (ja) * | 2001-08-08 | 2003-05-09 | Agilent Technol Inc | 強誘電体pzt被膜の形成方法 |
JP2003104931A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-09 | Mitsubishi Materials Corp | 有機金属化学蒸着用有機ジルコニウム化合物及び該化合物を含むpzt薄膜形成用原料液 |
JP2003213417A (ja) * | 2002-01-21 | 2003-07-30 | Kojundo Chem Lab Co Ltd | 化学気相成長法によるpzt薄膜の製造方法 |
JP2004111621A (ja) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Fujitsu Ltd | Mocvd装置 |
JP2005347624A (ja) * | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Tokyo Electron Ltd | ガス処理装置および成膜装置 |
JP2006213631A (ja) * | 2005-02-03 | 2006-08-17 | Kojundo Chem Lab Co Ltd | 化学気相成長法によるpzt成膜用の原料溶液の製造方法およびpzt膜の形成方法 |
WO2012039107A1 (ja) * | 2010-09-21 | 2012-03-29 | 株式会社アルバック | 薄膜製造方法及び薄膜製造装置 |
JP2013038169A (ja) * | 2011-08-05 | 2013-02-21 | Ulvac Japan Ltd | 薄膜製造方法および薄膜製造装置 |
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