JP5371862B2 - 基板処理装置および処理液温度測定方法 - Google Patents
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Description
この枚葉型の基板処理装置は、処理対象の基板をほぼ水平に保持しつつ、その基板を回転させるスピンチャックと、スピンチャックによって回転される基板の表面に処理液を供給するためのノズルとを備えている。処理液の活性度合は処理液の温度に大きく依存する。そのため、ノズルから吐出される処理液の温度が不適正であると、基板処理に処理不良が生じるおそれがある。とくに、処理液の温度が室温と異なる場合(たとえば室温よりも高い場合)には、処理液の温度を管理することが重要である。
熱電対温度計は、熱伝達を利用して温度を検出する温度計である。熱電対温度計による温度検出は、そのセンサ部分を検出対象の温度まで加熱/冷却することによって達成される。そのため、熱電対温度計の応答時間(検出開始から、検出値が検出対象の温度に一致するまでの時間)は比較的長い。したがって、ノズルから吐出される処理液の温度を精度良く検出するには、十分に長い検出時間が必要である。
一方、放射温度計は、検出対象の表面から放射される赤外線などの光線の強度を検出し、これらの光線の強度および検出対象の放射率に基づいて検出対象の温度を検出する温度計である。この放射温度計は、一般的に応答時間が短い。
そして、処理液温度の検出精度が悪いと、ログファイルに記録される検出値が実際の処理液の温度履歴と異なるおそれがある。この場合、基板処理不良が発生しても、その原因が処理液の温度異常にあるのか否かを把握することができない。また、処理液温度の検出精度が悪いと、温度計の検出値を監視しても、処理液の温度異常を精度良く検出することができない。そのため、基板処理不良が発生しているのに警報が出力されなかったり、逆に、基板処理不良が生じていないのに警報が出力されたりするおそれがある。むろん、処理液温度の検出精度が悪いと、基板に対して適正に温度制御された処理液を供給できなくなるおそれがあるから、基板処理品質が悪くなるおそれがある。
また、この発明の他の目的は、基板に供給される処理液の温度を精度良く測定することができる処理液温度測定方法を提供することである。
この構成によれば、処理液供給手段から基板に供給される処理液の温度が、放射温度計によって検出される。そして、この放射温度計の検出値を、当該処理液に関する補正量によって補正して、当該処理液の温度が算出される。
また、基板が水平姿勢に保持されつつ、回転数設定手段によって設定される回転数で回転される。基板に処理液が供給されると、基板の表面に処理液の液膜が形成される。この液膜の表面温度が放射温度計によって検出される。処理液の液膜の内部温度は基板の温度の影響を受けるので、厳密に言えば、液膜の表面と、液膜の内部(とくに基板表面の近くの部分)との間には温度差が生じている。この温度差は液膜の厚さに依存する。そして、液膜の厚さは基板の回転数に依存する。なぜなら、基板の回転数に応じて液膜に作用する遠心力が変化し、これに伴って、液膜の厚みが変化するからである。したがって、基板の回転数を考慮して放射温度計の検出値を補正すれば、基板に接している処理液の温度を一層高精度に求めることができる。
そこで、請求項1の構成によれば、記憶手段には、放射温度計の検出値が、現実の温度および基板の回転数に対応付けて記憶されている。そして、放射温度計の検出値、現実の温度および基板の回転数に基づいて、回転数設定手段によって設定された回転数に対応する補正量が作成される。そして、その補正量で放射温度計の検出値を補正して処理液の温度を算出する。これにより、処理液の温度(とくに基板表面に接している処理液の温度)を、より一層精度良く測定することができる。
記憶手段には、放射温度計の検出値が、所定個数の離散的な回転数値に対応して記憶されていてもよい。回転数設定手段によって設定された回転数に該当するデータが記憶手段に記憶されていない場合には、たとえば、記憶手段に記憶されているデータに対応した補正量に対する線形補間演算を行うことで、当該回転数に対応した補正量を算出できる。
請求項3に記載のように、前記処理液供給手段が、基板に向けて処理液を吐出するノズル(5)を備えている場合は、前記接触式温度計は、前記ノズルの管壁(26)内を流通する処理液の温度を検出するものであってもよい。
この方法では、前記処理液供給手段から実際に処理液を吐出しつつ、その処理液の温度を放射温度計により検出したときの検出値が、当該処理液の温度を接触式温度計により検出したときの検出値に対応付けて記憶手段に記憶される。接触式温度計による温度検出が、接触式温度計の応答時間よりも長い時間にわたって実行される場合、接触式温度計の検出値は、処理液の現実の温度を実質的に表わす。そして、この記憶手段に記憶された放射温度計の検出値と、現実の温度とに基づいて、当該処理液に関する補正量が作成される。その補正量によって放射温度計の検出値を補正するので、これにより、処理液の温度を精度良く測定することができる。
また、基板が水平姿勢に保持されつつ、所定の回転数で回転される。基板に処理液が供給されると、基板の表面に処理液の液膜が形成される。この液膜の表面温度が放射温度計によって検出される。処理液の液膜の内部温度は基板の温度の影響を受けるので、厳密に言えば、液膜の表面と、液膜の内部(とくに基板表面の近くの部分)との間には温度差が生じている。この温度差は液膜の厚さに依存する。そして、液膜の厚さは基板の回転数に依存する。なぜなら、基板の回転数に応じて液膜に作用する遠心力が変化し、これに伴って、液膜の厚みが変化するからである。したがって、基板の回転数を考慮して放射温度計の検出値を補正すれば、基板に接している処理液の温度を一層高精度に求めることができる。
そこで、請求項8の方法では、放射温度計の検出値が、現実の温度および基板の回転数に対応付けて記憶される。そして、記憶手段に記憶された放射温度計の検出値、現実の温度および基板の回転数に基づいて、基板の回転数に対応する補正量が作成される。その補正量によって放射温度計の検出値を補正して処理液の温度を算出する。これにより、処理液の温度(とくに基板表面に接している処理液の温度)を、より一層精度良く測定することができる。
図1は、本発明の第1実施形態に係る基板処理装置1の構成を示す模式図である。この基板処理装置1は、処理液を用いて、基板の一例である半導体ウエハW(以下、単に「ウエハW」という。)におけるデバイス形成領域側の表面から汚染物質を除去するための洗浄処理や、ウエハWのデバイス形成領域側の表面に塗布されたレジスト膜を剥離するレジスト剥離処理を実行するための枚葉式の装置である。基板処理装置1は、処理液として、薬液やDIW(deionized water)を用いることができる。
ノズル5は、たとえば連続流の状態で処理液を吐出するストレートノズルであり、スピンチャック4の上方でほぼ水平に延びるアーム11の先端に取り付けられている。このアーム11は、スピンチャック4の側方でほぼ鉛直に延びたアーム支持軸12に支持されている。アーム支持軸12には、ノズル駆動機構13が結合されており、このノズル駆動機構13の駆動力によって、アーム支持軸12を回動させて、アーム11を揺動させることができるようになっている。
ノズル5には、薬液供給源からの薬液が供給される薬液供給管15と、DIW供給源からのDIWが供給されるDIW供給管16とが接続されている。薬液供給源から薬液供給管15に供給される薬液として、SC1(アンモニア過酸化水素水混合液)、SC2(塩酸過酸化水素水混合液)、SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture:硫酸過酸化水素水混合液)、フッ酸、バファードフッ酸(Buffered HF:フッ酸とフッ化アンモニウムとの混合液)などを例示することができる。薬液は、薬液供給源において所定の高温(たとえば常温(25℃))に温度調節されている。また、DIWは、DIW供給源において所定の高温(たとえば85℃)に温度調節されている。
熱電対温度計21は、温度計本体29と、温度計本体29に接続されるプローブ30とを備えている。プローブ30では、熱電対素線(図示せず)および絶縁材(図示せず)は、シースなどの金属保護管(図示せず)内に収納されている。プローブ30の先端部分に設けられた熱電対素線の接点を、そのセンサ部分としている。プローブ30はケーシング26を貫通し、その先端部分が処理液流通路28に進入している。これにより、ノズル5内を流通する処理液の温度を、熱電対温度計21によって検出することができる。熱電対温度計21による温度検出では、検出対象の温度までセンサ部分を加熱/冷却する必要があり、そのため、熱電対温度計21の応答時間(検出開始から、検出値が検出対象の温度に一致するまでの時間)が比較的長い。そして、熱電対温度計21による温度検出のための検出時間が、熱電対温度計21の応答時間よりも長い場合、熱電対温度計21の検出値は、現実の処理液の温度を実質的に表わしている。
基板処理装置1は、CPU(補正量作成手段、処理液温度算出手段、流量比変更制御手段)31およびメモリ(記憶手段)32を含む構成のコンピュータ33を備えている。このコンピュータ33には、スピンモータ8、ノズル駆動機構13、第1開閉バルブ17、第1流量調節バルブ18、第2開閉バルブ19および第2流量調節バルブ20が、制御対象として接続されている。
また、コンピュータ33には、基板処理の内容を規定するレシピ35を入力するためのレシピ入力キー(回転数設定手段、供給流量設定手段)34が接続されている。レシピ入力キー34は、オペレータが操作可能な位置に配置されている。オペレータは、レシピ入力キー34を操作して、基板処理の条件を規定するレシピ35を作成することができる。基板処理の条件としては、処理液の種類、処理液供給時間、処理液の供給流量(ノズル5から吐出される処理液の流量)、ウエハWの回転数(スピンチャック4の回転数)、処理の順序を例示できる。レシピ入力キー34の操作により入力されたレシピ35は、コンピュータ33のメモリ32に保持される。レシピ35の作成は、必ずしもレシピ入力キー34の操作によって行われる必要はなく、パーソナルコンピュータその他の適当な処理装置で別途作成されたレシピ35をメモリ32にダウンロードして格納するようにしてもよい。
洗浄処理に際しては、搬送ロボット(図示せず)によって、処理室3に処理対象のウエハWが搬入されてくる。ウエハWは、その表面を上方に向けて、スピンチャック4に保持される。なお、スピンチャック4へのウエハWの受け渡し時には、ウエハWの搬入を阻害しないように、ノズル5は、カップ7の側方の退避位置に退避されている。
さらに、コンピュータ33は、ノズル駆動機構13を制御して、ノズル5を、カップ7の側方の退避位置からウエハWの上方に向けて移動させる。そして、ノズル5は、その吐出口がウエハWの上面の回転中心を向く位置で停止される。この状態でコンピュータ33によって第1開閉バルブ17が開かれることにより、ノズル5からウエハWの上面の回転中心に向けて処理液が吐出される。まず、ウエハWに薬液処理が施される。
CPU31は、薬液の供給タイミングになると(ステップS1でYES)、レシピ35に規定された供給流量の薬液がノズル5から吐出されるように、第1流量調節バルブ18の開度を制御する。さらに、CPU31は、第2開閉バルブ19を閉じた状態で、第1開閉バルブ17を開く(ステップS2)。これにより、薬液供給源からの薬液が、薬液供給管15を通してノズル5に供給される。そして、ノズル5からウエハWの上面の回転中心に向けて薬液が吐出される。
薬液の供給停止タイミングになると(ステップS5でYES)、CPU31は、第1開閉バルブ17を閉じる(ステップS6)。そして、コンピュータ33は、ノズル駆動機構13を制御して、ノズル5をウエハWの上方から、退避位置まで移動させる。これにより、薬液の吐出動作が終了する。次に、ウエハWにリンス処理が施される。
リンス処理の終了後、コンピュータ33はスピンモータ8を駆動して、ウエハWの回転速度を予め定める乾燥速度(たとえば、3000rpm)まで加速する。これにより、ウエハWに付着しているDIWが遠心力によって振り切られる。そして、乾燥時間の経過後、コンピュータ33はスピンモータ8を駆動して、スピンチャック4の回転を停止する。その後、搬送ロボット(図示せず)によってウエハWが搬出される。
薬液処理中は、ウエハWの上面に形成される薬液の液膜の表面温度が、放射温度計6によって検出される(ステップS11)。具体的には、ウエハWの上面における回転軸線と周縁との間の中間位置にある液膜の表面温度が、放射温度計6によって検出される。そして、CPU31は、放射温度計6から出力される検出値(放射検出値)を取得する(ステップS12)。また、CPU31は、メモリ32に記憶されたレシピ35を参照し(ステップS13)、設定されている回転数を取得する。
薬液供給管15には、複数の薬液供給源(図8ではたとえば3つ)が接続されている。薬液供給管15には、複数の薬液供給源から互いに異なる温度の薬液が供給されるようになっている。各薬液供給源は、薬液供給管15に開閉バルブ40,41,42を介して接続されている。各開閉バルブ40,41,42は、コンピュータ33に制御対象として接続されている。薬液供給用の開閉バルブ40,41,42のうち1つのバルブだけを開状態にするとともに、その開状態にあるバルブを他のバルブに変更することにより、薬液供給管15に供給される薬液の温度を変更することができるようになっている。
図9は、データベース作成処理の流れを示すフローチャートである。この実施形態では、データベース作成処理中に、放射検出値−熱電対検出値対応式38を作成するための対応式作成処理が実行される。
そして、ダミーウエハDWがスピンチャック4に保持されると、コンピュータ33は、スピンモータ8を駆動して、レシピ入力キー34の操作によって設定された回転数でスピンチャック4を回転させる(ステップS21)。スピンチャック4の回転に伴って、スピンチャック4に保持されたダミーウエハDWも、スピンチャック4と同じ回転数で回転される。
ダミーウエハDWの回転数が設定された回転数まで達すると、コンピュータ33は、第1開閉バルブ17を開ける(ステップS22)。このとき、開閉バルブ40,41,42のうち所望の1つが開状態にされている。これにより、薬液供給源から所定の温度の薬液が薬液供給管15を通してノズル5に与えられ、ノズル5からダミーウエハDWの回転中心に向けて薬液が吐出される。ノズル5から吐出された薬液は、ダミーウエハDWの上面(表面)の回転中心に供給され、ウエハWの回転による遠心力を受けて、ダミーウエハDWの上面を周縁部に向けて拡がる。そのため、ダミーウエハDWの上面の全域が薬液によって覆われる。すなわち、ダミーウエハDWの上面に薬液の液膜が形成される。
ノズル5から実際に処理液を吐出させ、その処理液の温度を放射温度計6により検出したときの放射検出値が、当該処理液の温度を熱電対温度計21により測定したときの熱電対検出値に対応付けて、メモリ32に記憶されている。そして、このメモリ32に記憶された放射温度計6の検出値と、熱電対温度計21の検出値とに基づいて、当該処理液に対応する放射検出値−熱電対検出値対応式38が作成される。その放射検出値−熱電対検出値対応式38によって、放射温度計6の検出値を補正するので、これにより、処理液の温度を精度良く測定することができる。
また、処理液の液膜の内部温度はウエハWの温度の影響を受けるので、厳密に言えば、ウエハW上の処理液の液膜の表面と、液膜の内部との間には温度差が生じている。この温度差は、ウエハWの回転数の変化に伴って変化する。なぜなら、ウエハWの回転数が変化すると、ウエハW上の処理液の液膜に作用する遠心力が変化し、これに伴って、処理液の液膜の厚みが変化するからである。また、ウエハWの回転数の変化に伴って、処理液の拡散速度や回転による風による放熱量も変化する。そして、液膜厚み、拡散速度および放熱量のバランスにより、ウエハW上の処理液の液膜の表面と液膜の内部との間に温度差が生じるものと考えられる。そのため、放射検出値−熱電対検出値対応式を、ウエハWの回転数を考慮したものにしておかないと、放射検出値がウエハW上における処理液の液膜内の温度から大きくずれるおそれがある。
洗浄処理中は、ウエハWの上面に形成される処理液の液膜の表面温度が、放射温度計6によって検出される(ステップS41)。具体的には、ウエハWの上面における回転軸線と周縁との間の中間位置にある液膜の表面温度が、放射温度計6によって検出される。そして、CPU31は、放射温度計6から出力される検出値(放射検出値)を取得する(ステップS42)。また、CPU31は、レシピ35を参照し(ステップS43)、設定されている処理液の供給流量をチェックする。
このプリディスペンスポッド61は、図1に示すプリディスペンスポッド22に代えて用いられる。
基板処理装置70は、処理装置本体71と、処理液キャビネット72とを備えている。処理装置本体71には、ウエハWを1枚ずつ処理する枚葉式の基板処理部73が複数(図14では2つのみ図示)備えられている。各基板処理部73は、スピンチャック4と、ノズル5と、放射温度計6と、カップ7とを備えている。
薬液原液供給源74は、薬液原液としてのアンモニア(NH4OH)を供給し、薬液原液供給源75は、薬液原液としての過酸化水素水(H2O2)を供給する。また、希釈液供給源76は、希釈液としての常温(第1温度。たとえば25℃)のDIW(低温処理液)を供給し、希釈液供給源77は、希釈液としての高温(第2温度。たとえば80℃)のDIW(高温処理液。図14に示す「HOT DIW」)を供給する。むろん、薬液原液および希釈液の種類および数は一例であり、別の種類の薬液原液および希釈液が用いられてもよい。なお、「原液」とは、混合部79で混合される前の薬液を意味するものとする。
各混合部79には、アンモニア供給管81、過酸化水素水供給管82、第1DIW供給管(第1処理液供給管)83および第2DIW供給管(第2処理液供給管)84が接続されている。アンモニア供給管81は、薬液原液供給源74に接続されたアンモニア集合管85に共通して分岐接続されている。各アンモニア供給管81の途中部には、アンモニア供給管81を開閉するための開閉バルブ89と、アンモニア供給管81を流通するアンモニアの流量を調節するためのアンモニア用流量調節バルブ90とが、混合部79側からこの順で介装されている。
図16は、基板処理装置70における処理液供給動作の流れを示すフローチャートである。
図17は、本発明の第5実施形態に係る基板処理装置100の構成を示す模式図である。
第5実施形態に係る基板処理装置100が、第4実施形態に係る基板処理装置70と大きく相違する点は、処理液供給部78から基板処理部73に供給される処理液がSPMである点である。処理液キャビネット72は、薬液原液供給源74,75および希釈液供給源76,77に代えて、第1薬液原液としての硫酸(H2SO4)を供給する薬液原液供給源101と、第2薬液原液としての過酸化水素水(H2O2)を供給する薬液原液供給源102とを備えている。なお、「薬液原液」とは、混合部103で混合される前の薬液を意味するものとする。
各処理液供給部78は、SPMを生成するための混合部103と、混合部103とノズル5との間に接続され、混合部103によって生成された所定温度のSPMをノズル5に供給するための処理液供給管104とを備えている。処理液供給管104の途中部には、処理液供給管104を開閉するための開閉バルブ115が介装されている。
開閉バルブ109が開かれると、硫酸供給管105からの硫酸が混合部103に流入する。また、開閉バルブ111が開かれると、過酸化水素水供給管106からの過酸化水素水が混合部103に流入する。混合部103内に流入した硫酸および過酸化水素水は混合される。この混合によって、硫酸と過酸化水素水とが十分に反応し、多量のペルオキソ一硫酸(H2SO5)を含むSPMが作成される。そして、開閉バルブ115が開かれると、混合部103で作成されたSPMは、ノズル5から吐出され、スピンチャック4に保持されたウエハWの上面に供給される。SPMは、硫酸と過酸化水素水との反応時に生じる反応熱により、硫酸の液温以上に昇温する。硫酸と過酸化水素水との混合比に依存するが、ウエハWの表面上では約80〜約130℃に達する。
SPMによるウエハWの処理時には、開閉バルブ109および開閉バルブ111が開かれて、ノズル5から回転中のウエハWの表面に向けてSPMが吐出される。SPMは、ウエハW上で遠心力を受け、ウエハWの全域へと拡がり、ウエハWの上面にSPMの液膜が形成される。そして、液膜の表面温度が放射温度計6によって検出される。また、CPU31は、放射検出値を、メモリ32に記憶された放射検出値−熱電対検出値対応式38によって補正して、ウエハWの上面に供給されるSPMの温度を算出する。また、CPU31は、レシピ35を参照し、設定されているSPMの温度を取得する。
この第5実施形態によれば、混合部103において、硫酸と過酸化水素水とを混合させてSPMが作成され、そのSPMが、ノズル5からウエハWに向けて吐出される。硫酸と過酸化水素水との組み合わせは、混合により発熱反応を生じさせるものであるので、硫酸供給管105から混合部103に供給される硫酸と、過酸化水素水供給管106から混合部103に供給される過酸化水素水との間の流量比を変更することにより、ノズル5から吐出されるSPMの温度を調節することができる。放射検出値を補正した値に基づいて、混合部103に供給される硫酸と過酸化水素水との間の流量比を調節するので、ノズル5から吐出されるSPMを所望の温度に正確に保つことができる。
以上、この発明の5つの実施形態について説明してきたが、この発明は他の形態でも実施することができる。
また、前述の第1〜第5実施形態において、常温のDIWおよび高温(たとえば80℃)のDIWのように処理液種類が同じで温度が大きく異なる場合は、異なる処理液として取り扱うことができる。この例では、常温のDIWに対応する放射検出値−熱電対検出値対応式38および高温のDIWに対応する放射検出値−熱電対検出値対応式38が、それぞれメモリ32に記憶される。また、処理液種類が同じであって、その濃度が大きく異なる場合も、異なる処理液として取り扱うことができる。
たとえば、前記の第4実施形態では、希釈液としてDIWを用いる場合を例にとって説明したが、DIWに限らず、炭酸水、イオン水、オゾン水、還元水(水素水)または磁気水などを希釈液として用いることもできる。
また、第1〜第5実施形態において、接触式温度計として、熱電対温度計21の他、抵抗温度計、サーミスタ温度計、半導体温度計などを例示することができる。また、放射温度計6は、赤外線放射温度計に限られず、検出対象から放射される可視光線の強度に基づいて検出対象の温度を検出するタイプのものであってもよい。
また、第2実施形態において、洗浄処理時に、メモリ32にレシピ35に設定された供給流量に対応する放射検出値−熱電対検出値対応式52が記憶されていない場合には、当該供給流量に対応する放射検出値−熱電対検出値対応式52を、線形補完により求めることもできる。
また、第2実施形態において、データベース作成処理時における処理液の種類の設定や処理液の供給流量の設定は、オペレータの操作により設定されるものでなく、メモリ22に、データベース作成処理時における処理液の種類や処理液の供給流量が予め記憶されていてもよい。
また、第1〜第5実施形態において、メモリ32の放射検出値−熱電対検出値対応データベースに、ノズル5から実際に処理液を吐出させ、その処理液の温度を放射温度計6により検出したときの放射検出値が、当該処理液の種類、当該処理液の温度を熱電対温度計21により測定したときの熱電対検出値、その処理液吐出時におけるダミーウエハDW(ウエハW)の回転数、および処理液の吐出時における処理液の供給流量に対応付けて格納されていてもよい。そして、CPU31は、放射検出値−熱電対検出値対応データベースに記憶された放射検出値および熱電対検出値に基づいて、ダミーウエハDW(ウエハW)の回転数、およびその処理液の吐出時における処理液の供給流量に対応する放射検出値−熱電対検出値対応式を作成するものであってもよい。
4 スピンチャック(基板保持手段)
5 ノズル
6 放射温度計
8 スピンモータ(基板回転手段)
15 薬液供給管
16 DIW供給管
17 第1開閉バルブ
18 第1流量調節バルブ
19 第2開閉バルブ
20 第2流量調節バルブ
21 熱電対温度計(接触式温度計)
22 プリディスペンスポッド(容器)
26 ケーシング(管壁)
31 CPU(補正量作成手段、処理液温度算出手段、流量比変更制御手段)
32 メモリ(記憶手段)
34 レシピ入力キー(回転数設定手段、流量設定手段)
37 放射検出値−熱電対検出値対応式(補正量)
60 基板処理装置
70 基板処理装置
79 混合部
80 処理液供給管
83 第1DIW供給管(第1処理液供給管)
84 第2DIW供給管(第2処理液供給管)
94 第1DIW用流量調節バルブ(流量比変更手段)
96 第2DIW用流量調節バルブ(流量比変更手段)
100 基板処理装置
103 混合部
105 硫酸供給管(第1薬液原液供給管)
106 過酸化水素水供給管(第2薬液原液供給管)
110 硫酸用流量調節バルブ(流量比変更手段)
112 過酸化水素水用流量調節バルブ(流量比変更手段)
W ウエハ(基板)
Claims (9)
- 処理液を用いて基板を処理する基板処理装置であって、
基板を水平姿勢に保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持される基板を回転させる基板回転手段と、
前記基板回転手段によって回転される基板の回転数を設定するための回転数設定手段と、
基板に処理液を供給するための処理液供給手段と、
前記処理液供給手段から基板に供給される処理液の温度を検出するための放射温度計と、
前記処理液供給手段から処理液を供給し、かつ前記基板回転手段により基板を回転させつつ、その処理液の温度を前記放射温度計により検出したときの検出値を、前記処理液の現実の温度、およびそのときの基板の回転数に対応付けて記憶した記憶手段と、
前記記憶手段に記憶された前記検出値、前記現実の温度および前記回転数に基づいて、前記処理液の温度に関する、前記回転数設定手段によって設定された回転数に対応する補正量を作成する補正量作成手段と、
前記放射温度計の検出値を、前記補正量作成手段により作成された補正量によって補正して、前記処理液の温度を算出する処理液温度算出手段とを含む、基板処理装置。 - 前記処理液供給手段から基板に供給される処理液の温度を検出するための接触式温度計をさらに含み、
前記記憶手段は、前記処理液供給手段から処理液を供給しつつ、その処理液の温度を前記放射温度計により検出したときの検出値を、当該処理液の温度を接触式温度計により検出したときの検出値に対応付けて記憶した手段を含み、
前記補正量作成手段は、前記記憶手段に記憶された前記放射温度計の検出値および前記接触式温度計の検出値に基づいて、前記補正量を作成する手段を含む、請求項1記載の基板処理装置。 - 前記処理液供給手段は、基板に向けて処理液を吐出するノズルを備えており、
前記接触式温度計は、前記ノズルの管壁内を流通する処理液の温度を検出するものである、請求項2記載の基板処理装置。 - 前記処理液供給手段は、基板に向けて処理液を吐出するノズルを備えており、
前記基板処理装置は、前記ノズルから吐出された処理液を受け止めるための容器をさらに含み、
前記接触式温度計は、前記容器に貯留された処理液の温度を検出するものである、請求項2記載の基板処理装置。 - 前記処理液供給手段から供給される処理液の供給流量を設定するための供給流量設定手段をさらに含み、
前記記憶手段は、前記処理液供給手段から処理液を供給しつつ、その処理液の温度を前記放射温度計により検出したときの検出値を、前記処理液の現実の温度、および前記処理液の供給流量に対応付けて記憶した手段を含み、
前記補正量作成手段は、前記記憶手段に記憶された前記放射温度計の前記検出値、前記現実の温度、および前記供給流量に基づいて、前記供給流量設定手段によって設定された処理液の供給流量に対応する前記補正量を作成する手段を含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記処理液供給手段は、
基板に向けて処理液を吐出するためのノズルと、
第1温度の低温処理液を供給するための第1処理液供給管と、
前記第1温度よりも高い第2温度の高温処理液を供給するための第2処理液供給管と、
前記第1処理液供給管および前記第2処理液供給管に接続されて、前記第1処理液供給管からの前記低温処理液と、前記第2処理液供給管からの前記高温処理液とを混合した処理液を、前記ノズルに供給する混合部と、
前記混合部で生成された処理液を前記ノズルに供給する処理液供給管と、
前記第1処理液供給管から前記混合部に供給される低温処理液と、前記第2処理液供給管から前記混合部に供給される高温処理液との間の流量比を変更するための流量比変更手段とを含み、
前記基板処理装置は、前記処理液温度算出手段によって求められた温度に基づいて、前記供給流量比変更手段を制御する流量比変更制御手段をさらに含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記処理液供給手段は、
基板に向けて処理液を吐出するためのノズルと、
第1薬液原液を供給するための第1薬液原液供給管と、
第1薬液原液と異なる種別の第2薬液原液を供給するための第2薬液原液供給管と、
前記第1薬液原液供給管および前記2薬液原液供給管に接続されて、前記第1薬液原液からの第1薬液原液と、前記2薬液原液供給管からの第2薬液原液とを混合した処理液を、前記ノズルに供給する混合部と、
前記混合部で生成された処理液を前記ノズルに供給する処理液供給管と、
前記第1薬液原液供給管から前記混合部に供給される第1薬液原液と、前記第2薬液原液から前記混合部に供給される第2薬液原液との間の流量比を変更するための流量比変更手段とをさらに含み、
前記基板処理装置は、前記処理液温度算出手段によって求められた温度に基づいて、前記供給流量比変更手段を制御する流量比変更制御手段をさらに含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 基板に供給される処理液の温度を測定する処理液温度測定方法であって、
処理液供給手段から基板に供給される処理液の温度を、放射温度計を用いて検出する第1検出ステップと、
前記処理液供給手段から基板に処理液を供給する供給ステップと、
前記供給ステップと並行して実行され、基板を所定の回転数で回転させる回転ステップと、
前記供給ステップと並行して実行され、前記処理液供給手段から基板に供給される処理液の温度を、前記放射温度計を用いて検出する第2検出ステップと、
前記処理液供給手段から基板に供給される処理液の温度を、接触式温度計を用いて検出する第3検出ステップと、
前記第2検出ステップにおける前記放射温度計の検出値を、前記第3検出ステップにおける前記接触式温度計の検出値および前記回転数に対応付けて記憶手段に記憶する記憶ステップと、
前記記憶手段に記憶された前記各検出値に基づいて、前記処理液供給手段から供給される処理液に対応する前記放射温度計の検出値の、基板の回転数に対応する補正量を作成する補正量作成ステップと、
前記第1検出ステップにおける前記放射温度計の検出値を前記補正量によって補正して、当該処理液供給手段から供給される処理液の温度を算出する算出ステップとを含む、処理液温度測定方法。 - 前記記憶ステップは、前記放射温度計による検出値を、前記接触式温度計による検出値、および前記供給ステップにおける前記処理液供給手段から供給される処理液の供給流量に対応付けて前記記憶手段に記憶するステップを含み、
前記補正量作成ステップは、前記記憶手段に記憶された前記各検出値に基づいて、処理液の供給流量に対応する前記補正量を作成するステップを含む、請求項8記載の処理液温度測定方法。
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