CN108172529B - 基板处理方法和基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供能抑制或防止基板间的蚀刻处理的偏差的基板处理方法和装置。基板处理方法对多张基板依次实施共同的共同蚀刻处理，共同蚀刻处理具有：蚀刻工序，通过向共同配管供给第一液温的蚀刻液，并从喷嘴喷出蚀刻液，对基板进行蚀刻；高温液体喷出工序，在蚀刻工序之后向共同配管供给具有高于第一液温的液温的高温液体，并从喷嘴喷出高温液体，基板处理方法还包括配管升温工序，在配管升温工序中，在对上述多张基板进行的多个上述共同蚀刻处理中的最初的共同蚀刻处理之前，使共同配管的管壁升温至高于第一液温的规定的第二液温，在各共同蚀刻处理中，在各高温液体喷出工序之后且下一次的各蚀刻工序之前不进行使共同配管的管壁降温的工序。

Description

基板处理方法和基板处理装置
技术领域
本发明涉及对基板进行处理的基板处理方法和基板处理装置。作为处理对象的基板，例如包括半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、FED(FieldEmission Display：场致发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等。
背景技术
在日本特开2015-185644号公报中记载了一张一张地对基板进行蚀刻处理的单张式的基板处理装置。在该基板处理装置的蚀刻处理中，向由旋转卡盘以水平姿势旋转的基板的上下表面供给蚀刻液(蚀刻工序)。蚀刻工序结束后向基板的上下表面供给冲洗液，由此，冲洗附着于基板的上下表面的蚀刻液。向用冲洗液处理后的基板的上表面供给异丙醇(isopropyl alcohol：IPA)等有机溶剂(有机溶剂供给工序)。通过有机溶剂供给工序，将基板的上表面的冲洗液置换成有机溶剂。然后，进行高速旋转基板的旋转干燥工序，从而甩掉附着于基板的冲洗液来去除(干燥)。
日本特开2015-185644的基板处理装置包括：下面喷嘴，其向基板的下表面的中央部喷出处理液；处理液配管，其与下面喷嘴连接；蚀刻液单元，其向处理液配管供给常温的蚀刻液；以及加热液体单元，其向处理液配管供给加热成高温的加热液体。处理液配管有选择地向下面喷嘴供给常温的蚀刻液和加热液体。
就这样的基板处理装置而言，在有机溶剂供给工序中，来自加热液体的热蓄积于处理液配管的管壁。因此，在对多个基板连续地执行蚀刻处理的情况下，存在处理液配管的管壁随着重复进行蚀刻处理升温的担忧，结果，存在从下面喷嘴喷出的蚀刻液的液温上升的担忧。在日本特开2015-185644号公报中，为了排除这样的热影响，每当各蚀刻工序结束时，向处理液配管供给冷却液来对处理液配管的管壁进行冷却。
但是，在日本特开2015-185644号公报的方法中，很难将蓄积于处理液配管的热完全去除。因此，当对多张基板继续实施蚀刻处理时，处理液配管的管壁随着重复蚀刻处理而升温，结果，存在从下面喷嘴喷出的蚀刻液的液温上升的担忧。
图19是用于说明蚀刻处理张数和来自下面喷嘴的蚀刻液的喷出温度的关系的图表。在对多张基板继续实施蚀刻处理的情况下，最初从下面喷嘴以向处理液配管提供的蚀刻液的温度TA喷出蚀刻液，但是随着重复进行蚀刻处理(随着蚀刻处理的处理张数增加)，蚀刻液的喷出温度上升。由于对基板的蚀刻速率与蚀刻液的喷出温度成比例，因此存在蚀刻速率随着重复进行蚀刻处理而上升的担忧。
此外，上述问题并不局限于如日本特开2015-185644号公报那样的向背面供给温水的方法，在对基板使用作为冲洗液的温水的情况下也存在共同的问题。
即，在对多张基板实施蚀刻处理的情况下，要求抑制或防止由这种热影响引起的基板间的蚀刻处理的偏差。
发明内容
因此，本发明的目的在于，提供能够抑制或防止基板间的蚀刻处理的偏差的基板处理方法和基板处理装置。
本发明提供给基板处理方法，其中，该基板处理方法在基板处理装置中执行，分别对多张基板依次实施共同的共同蚀刻处理，上述基板处理装置包括：喷嘴，用于向保持于基板保持单元的基板供给液体；以及共同配管，与上述喷嘴连结，上述共同蚀刻处理具有：蚀刻工序，通过向上述共同配管供给第一液温的蚀刻液，并从上述喷嘴喷出蚀刻液，对保持于上述基板保持单元的基板进行蚀刻；以及高温液体喷出工序，在上述蚀刻工序之后向上述共同配管供给具有高于上述第一液温的液温的高温液体，并从上述喷嘴喷出高温液体，上述基板处理方法还包括配管升温工序，在上述配管升温工序中，在对上述多张基板进行的多个上述共同蚀刻处理中的最初的共同蚀刻处理之前，使上述共同配管的管壁升温至高于上述第一液温的规定的第二液温，在各共同蚀刻处理中，在各高温液体喷出工序之后且下一次的各蚀刻工序之前不进行使上述共同配管的管壁降温的工序。
根据该方法，在多个共同蚀刻处理中的最初的共同蚀刻处理之前，共同配管的管壁升温至高于向喷嘴供给的蚀刻液的液温的第二液温。此外，在各高温液体喷出工序之后且下一次的各蚀刻工序之前，不使共同配管的管壁降温。
由于在最初的共同蚀刻处理之前共同配管的管壁升温至第二液温，因此从最初的共同蚀刻处理的蚀刻工序开始，能够利用高于第一液温的第二液温的蚀刻液，对基板进行蚀刻。然后，通过在共同蚀刻处理的高温液体喷出工序中蓄积于共同配管的热，能够将在之后的共同蚀刻处理的蚀刻工序中使用的蚀刻液的液温保持为高于第一液温的温度。由此，在各蚀刻工序中对多个基板，能够以大致相同或近似的蚀刻速率即稳定的蚀刻速率实施蚀刻处理。因此，能够抑制或防止基板间的蚀刻处理的偏差。
根据本发明的一实施方式，上述基板处理装置还包括规程存储部，上述规程存储部用于存储：工艺规程，规定对基板实施的处理的内容；以及前规程，在上述工艺规程之前执行。该情况下，也可以将与上述共同蚀刻处理对应的第一规程作为上述工艺规程、将与上述配管升温工序对应的第二规程作为上述前规程，分别存储于上述规程存储部。而且，也可以基于上述第一规程执行上述共同蚀刻处理，并且基于上述第二规程执行上述配管升温工序。
根据该方法，基于存储于程存储部的第一规程执行共同蚀刻处理，并且基于存储于规程存储部的第二规程执行配管升温工序。因此，能够比较容易地实现在多个共同蚀刻处理中的最初的共同蚀刻处理之前执行配管升温工序。
此外，上述共同蚀刻处理也可以是对构成一个批次的多张基板分别执行的工序。
根据该方法，对构成一个批次的多张基板，分别能够以大致相同或近似的蚀刻速率实施蚀刻处理。因此，能够抑制或防止构成一个批次的多张基板间的蚀刻处理的偏差。
也可以在上述基板处理装置中，继构成上述一个批次的多张基板之后对构成下一批次的多张基板进行处理。该情况下，在对构成上述一个批次的多张基板执行上述共同蚀刻处理，并且还对构成上述下一批次的多张基板执行上述共同蚀刻处理的情况下，也可以不针对上述下一批次进行上述配管升温工序。
根据该方法，在不仅对构成一个批次的多张基板，还对构成下一批次的多张基板执行共同蚀刻处理的情况下，取消对下一批次执行的配管升温工序。因此，从下一批的最初的共同蚀刻处理的蚀刻工序开始，能够将蚀刻液的液温保持为高于第一液温的温度。由此，对构成下一批次的多张基板，能够以大致相同或近似的蚀刻速率实施蚀刻处理。因此，能够抑制或防止构成下一批次的多张基板间的蚀刻处理的偏差。
上述方法还可以包括配管降温工序，在对上述多张基板进行的多个上述共同蚀刻处理中的最后的共同蚀刻处理之后，冷却上述共同配管使该共同配管的管壁降温。该情况下，在上述基板处理装置中，继构成上述一个批次的多张基板之后对构成下一批次的多张基板进行处理。然后，在对构成上述一个批次的多张基板进行上述共同蚀刻处理，并且还对构成上述下一批次的多张基板进行上述共同蚀刻处理的情况下，也可以不对上述一个批次进行上述配管降温工序。
根据该方法，在不仅对构成一个批次的多张基板，还对构成下一批次的多张基板执行共同蚀刻处理的情况下，取消对一个批次执行的配管降温工序。因此，能够从下一批次的最初的共同蚀刻处理的蚀刻工序开始，将蚀刻液的液温保持为高于第一液温的温度。由此，对构成下一批次的多张基板，能够以大致相同或近似的蚀刻速率实施蚀刻处理。因此，能够抑制或防止构成下一批次的多张基板间的蚀刻处理的偏差。
上述第二液温也可以是上述共同配管的管壁的温度，并是在上述基板处理装置中连续地进行上述共同蚀刻处理的情况下收敛(维持热力学上的平衡状态)的热平衡温度。
根据该方法，从最初的共同蚀刻处理的蚀刻工序开始使用热平衡温度的蚀刻液，能够对基板进行蚀刻。然后，通过在共同蚀刻处理的高温液体喷出工序中蓄积于共同配管的热，能够将之后的共同蚀刻处理的蚀刻工序中使用的蚀刻液的液温保持为热平衡温度。即，能够将各共同蚀刻处理的蚀刻工序中使用的蚀刻液的液温保持为恒定。由此，在各蚀刻工序中能够对多个基板以相同的蚀刻速率实施蚀刻处理。因此，能够抑制或防止基板间的蚀刻处理的偏差。
上述配管升温工序也可以包括加热液体流通工序，在上述加热液体流通工序中，使具有与上述第二液温相同的温度或高于该第二液温的温度的加热液体在上述共同配管中流通，以加热上述共同配管。
根据该方法，通过使加热液体在共同配管中流通，能够使共同配管的管壁良好地升温。
上述配管升温工序也可以包括：加热工序，加热该共同配管以使上述共同配管的管壁升温至高于上述第二液温的温度；以及温度调整工序，在上述加热工序之后冷却上述共同配管，将上述共同配管的温度调整为上述第二液温。
根据该方法，在暂时使共同配管升温至高于第二液温的温度之后冷却共同配管，使上述共同配管的温度接近上述第二液温。通过这样阶段性地温度调整，能够将共同配管的温度良好地调整为第二液温。
上述方法也可以还包括配管降温工序，在对上述多张基板进行的多个上述共同蚀刻处理中的最后的共同蚀刻处理之后，冷却上述共同配管使该共同配管的管壁降温。
根据该方法，在多个共同蚀刻处理中的最后的共同蚀刻处理之后执行配管降温工序。由于在最后的共同蚀刻处理之后使共同配管的管壁降温(例如到第一温度)，因此能够清除(reset)在共同蚀刻处理和配管升温工序中蓄积于共同配管的热。由此，能够避免多个共同蚀刻处理涉及的配管升温工序的热影响，并且良好地执行在该基板处理装置执行的下一处理。
上述基板处理装置也可以包括规程存储部，上述规程存储部存储：工艺规程，规定对基板实施的处理的内容；前规程，在上述工艺规程之前执行；以及后规程，在上述工艺规程之后执行。也可以将与上述共同蚀刻处理对应的第一规程作为上述工艺规程，将与上述配管升温工序对应的第二规程作为上述前规程，将与上述配管降温工序对应的第三规程作为上述后规程，分别存储于上述规程存储部。上述共同蚀刻处理也可以基于上述第一规程执行，上述配管升温工序基于上述第二规程执行，并且上述配管降温工序也可以基于上述第三规程执行。
根据该方法，基于存储于规程存储部的第一规程执行共同蚀刻处理，基于存储于规程存储部的第二规程执行配管升温工序，并且基于存储于规程存储部的第三规程执行配管降温工序。因此，能够比较容易地实现在多个共同蚀刻处理中的最后的共同蚀刻处理之后执行配管降温工序。
上述配管降温工序也可以包括冷却液流通工序，在上述冷却液流通工序中，使具有低于上述第二液温的温度的冷却液在上述共同配管中流通以冷却上述共同配管。
根据该方法，通过使冷却液在共同配管中流通，能够使共同配管的管壁良好地降温。
上述配管降温工序也可以包括外部冷却工序，在上述外部冷却工序中，从外部冷却该共同配管，以冷却上述共同配管。
根据该方法，通过从外部冷却共同配管，能够使共同配管的管壁良好地降温。
本发明提供基板处理装置，其中，包括：基板保持单元，保持基板；喷嘴，用于向保持于上述基板保持单元的基板供给液体；共同配管，与上述喷嘴连结；蚀刻液供给单元，用于向上述共同配管供给规定的第一液温的蚀刻液；高温液体供给单元，用于向上述共同配管供给具有高于上述第一液温的液温的高温液体；配管加热单元，用于加热上述共同配管；控制装置，控制上述蚀刻液供给单元、上述加热液体供给单元和上述配管加热单元，上述控制装置执行对将预先规定的张数作为一单位的多张基板依次实施共同的处理的共同蚀刻处理，上述共同蚀刻处理具有：蚀刻工序，通过向上述共同配管供给第一液温的蚀刻液，并从上述喷嘴喷出蚀刻液，对保持于上述基板保持单元的基板进行蚀刻；以及高温液体喷出工序，在上述蚀刻工序之后向上述共同配管供给具有高于上述第一液温的液温的高温液体，并从上述喷嘴喷出高温液体，上述控制装置还执行配管升温工序，在上述配管升温工序中，在对上述多张基板进行的多个上述共同蚀刻处理中的最初的共同蚀刻处理之前，使上述共同配管的管壁升温至高于上述第一液温的规定的第二液温，上述控制装置在上述共同蚀刻处理中，在各高温液体喷出工序之后且下一次的各蚀刻工序之前不进行使上述共同配管的管壁降温的工序。
根据该结构，在多个共同蚀刻处理中的最初的共同蚀刻处理之前，使共同配管的管壁升温至高于向喷嘴供给的蚀刻液的液温的第二液温。此外，在各高温液体喷出工序之后且下次的各蚀刻工序之前，不使共同配管的管壁降温。
由于在最初的共同蚀刻处理之前使共同配管的管壁升温至第二液温，因此能够从最初的共同蚀刻处理的蚀刻工序开始，使用高于第一液温的第二液温的蚀刻液，对基板进行蚀刻。然后，通过在共同蚀刻处理的高温液体喷出工序中蓄积于共同配管的热，能够使在之后的共同蚀刻处理的蚀刻工序中使用的蚀刻液的液温保持为高于第一液温的温度。由此，在各蚀刻工序中对多个基板，能够以大致相同或近似的蚀刻速率即稳定的蚀刻速率实施蚀刻处理。因此，能够抑制或防止基板间的蚀刻处理的偏差。
根据本发明的一实施方式，上述基板处理装置还包括规程存储部：用于存储：工艺规程，规定对基板实施的处理的内容；以及前规程，在上述工艺规程之前执行。也可以将与上述共同蚀刻处理对应的第一规程作为上述工艺规程，将与上述配管升温工序对应的第二规程作为上述前规程，分别存储于上述规程存储部。上述控制装置也可以基于上述第一规程执行上述共同蚀刻处理，并且基于上述第二规程执行上述配管升温工序。
根据该结构，基于存储于规程存储部的第一规程执行共同蚀刻处理，并且基于存储于规程存储部的第二规程执行配管升温工序。因此，比较容易地实现在多个共同蚀刻处理中的最初的共同蚀刻处理之前执行配管升温工序。
此外，上述控制装置也可以对构成一个批次的多张基板分别执行上述共同蚀刻处理。
根据该结构，分别对构成一个批次的多张基板，能够以大致相同或近似的蚀刻速率实施蚀刻处理。因此，能够抑制或防止构成一个批次的多张基板间的蚀刻处理的偏差。
在上述基板处理装置中，也可以继构成上述一个批次的多张基板之后对构成下一批次的多张基板进行处理。该情况下，在对构成上述一个批次的多张基板执行上述共同蚀刻处理，并且还对构成上述下一批次的多张基板执行上述共同蚀刻处理的情况下，上述控制装置也可以不针对上述下一批次进行上述配管升温工序。
根据该结构，在不仅对构成一个批次的多张基板，还对构成下一批次的多张基板执行共同蚀刻处理的情况下，取消对下一批次执行的配管升温工序。因此，从下一批次的最初的共同蚀刻处理的蚀刻工序开始，能够将蚀刻液的液温保持为高于第一液温的温度。由此，对构成下一批次的多张基板，能够以大致相同或近似的蚀刻速率实施蚀刻处理。因此，能够抑制或防止构成下一批次的多张基板间的蚀刻处理的偏差。
在上述基板处理装置中，也可以继构成上述一个批次的多张基板之后对构成下一批次的多张基板进行处理。该情况下，上述控制装置也可以还执行配管降温工序，在上述配管降温工序中，在对上述多张基板进行的多个上述共同蚀刻处理中的最后的共同蚀刻处理之后，冷却上述共同配管使该共同配管的管壁降温。该情况下，在对构成上述一个批次的多张基板执行上述共同蚀刻处理，并且还对构成上述下一批次的多张基板执行上述共同蚀刻处理的情况下，上述控制装置也可以不针对上述一个批次进行上述配管降温工序。
根据该结构，不仅对构成一个批次的多张基板，还对构成下一批次的多张基板执行共同蚀刻处理的情况下，取消对一个批次执行的配管降温工序。因此，从下一批次的最初的共同蚀刻处理的蚀刻工序开始，能够将蚀刻液的液温保持为高于第一液温的温度。由此，对构成下一批次的多张基板，能够以大致相同或近似的蚀刻速率实施蚀刻处理。因此，能够抑制或防止构成下一批次的多张基板间的蚀刻处理的偏差。
上述第二液温也可以是上述共同配管的管壁的温度，并是在上述基板处理装置中连续地进行上述共同蚀刻处理的情况下收敛的热平衡温度。
根据该结构，能够从最初的共同蚀刻处理的蚀刻工序开始使用热平衡温度的蚀刻液，对基板进行蚀刻。然后，通过在共同蚀刻处理的高温液体喷出工序中在共同配管蓄积的热，能够使在之后的共同蚀刻处理的蚀刻工序中使用的蚀刻液的液温保持为热平衡温度。即，能够将在各共同蚀刻处理的蚀刻工序中使用的蚀刻液的液温保持为恒定。由此，能够在各蚀刻工序中对多个基板以同一蚀刻速率实施蚀刻处理。因此，能够抑制或防止基板间的蚀刻处理的偏差。
上述控制装置也可以将加热液体流通工序作为上述配管升温工序执行，在上述加热液体流通工序中，使具有与上述第二液温相同的温度或高于该第二液温的温度的加热液体在上述共同配管中流通，以加热上述共同配管。
根据该结构，通过使加热液体在共同配管中流通，能够使共同配管的管壁良好地升温。
此外，上述控制装置也可以在上述配管升温工序中执行：加热工序，加热该共同配管以使上述共同配管的管壁升温至高于上述第二液温的高温；以及温度调整工序，在上述加热工序之后冷却上述共同配管，将上述共同配管的温度调整为上述第二液温。
根据该结构，在暂时使共同配管升温至高于第二液温的高温之后冷却共同配管，使上述共同配管的温度接近上述第二液温。通过这样阶段性地温度调整，能够将共同配管的温度良好地调整为第二液温。
上述基板处理装置也可以还包括配管冷却单元，用于冷却上述共同配管。该情况下，上述控制装置还控制上述配管冷却单元，上述控制装置也可以执行配管降温工序，在上述配管降温工序中，在对上述多张基板进行多个上述共同蚀刻处理中的最后的共同蚀刻处理之后，冷却上述共同配管使该共同配管的管壁降温。
根据该结构，在多个共同蚀刻处理中的最后的共同蚀刻处理之后执行配管降温工序。由于在最后的共同蚀刻处理之后使共同配管的管壁降温(例如到第一温度)，因此能够清除在共同蚀刻处理和配管升温工序中蓄积于共同配管的热。由此，能够避免多个共同蚀刻处理涉及的配管升温工序的热影响，并且良好地执行在该基板处理装置执行的下一处理。
上述基板处理装置也可以还包括规程存储部，用于存储：工艺规程，规定对基板实施的处理的内容；前规程，在上述工艺规程之前执行；以及后规程，在上述工艺规程之后执行。该情况下，也可以将与上述共同蚀刻处理对应的第一规程作为上述工艺规程，将与上述配管升温工序对应的第二规程作为上述前规程，将与上述配管降温工序对应的第三规程作为上述后规程，分别存储于上述规程存储部，上述控制装置基于上述第一规程执行上述共同蚀刻处理，基于上述第二规程执行上述配管升温工序，并且基于上述第三规程执行上述配管降温工序。
根据该结构，基于存储于规程存储部的第一规程执行共同蚀刻处理，基于存储于规程存储部的第二规程执行配管升温工序，并且基于存储于规程存储部的第三规程执行配管降温工序。因此，比较容易地实现在多个共同蚀刻处理中的最后的共同蚀刻处理之后执行配管降温工序。
此外，上述配管冷却单元也可以包括冷却液供给单元，上述冷却液供给单元向上述共同配管供给具有低于上述第二液温的温度的冷却液。该情况下，上述控制装置也可以将冷却液流通工序作为上述配管降温工序执行，在上述冷却液流通工序中，为了冷却上述共同配管使上述冷却液在该共同配管中流通。
根据该结构，通过使冷却液在共通配管中流通，能够使共同配管的管壁良好地降温。
此外，上述配管冷却单元也可以包括外部冷却单元，上述外部冷却单元从外部冷却上述共同配管。该情况下，上述控制装置也可以将外部冷却工序作为上述配管降温工序执行，在上述外部冷却工序中，通过上述外部冷却单元冷却上述共同配管。
根据该结构，通过从外部冷却共同配管，能够使共同配管的管壁良好地降温。
通过下面参照附图说明的实施方式，明确本发明的上述或者其它目的、特征以及效果。
附图说明
图1是用于说明本发明一实施方式的基板处理装置的内部布局的图解性的俯视图。
图2是用于说明上述基板处理装置所包括的处理单元的结构例的图解性的剖视图。
图3是用于说明上述处理单元所包括的外部冷却单元的示意性的纵向剖视图。
图4是用于说明上述基板处理装置的主要部分的电气结构的框图。
图5是用于说明在控制装置中作成的工艺规程、前规程、后规程和流程规程的结构的图。
图6是用于说明在上述处理单元中执行的处理的内容的流程图。
图7是用于说明基于上述工艺规程执行的共同蚀刻的流程图。
图8是用于说明图7所示的蚀刻工序的图。
图9是用于说明图7所示的有机溶剂工序的图。
图10是用于说明基于上述前规程执行的配管升温工序的流程图。
图11是用于说明图10所示的加热工序的图。
图12是用于说明图10所示的第一温度调整工序的图。
图13是用于说明图10所示的第二温度调整工序的图。
图14是用于说明图10所示的第一干燥工序的图。
图15是用于说明基于上述后规程执行的配管降温工序的流程图。
图16是用于说明图15所示的第二冷却液流通工序的图。
图17是用于说明图15所示的第二干燥工序的图。
图18是用于说明上述处理单元中执行的处理的内容的流程图。
图19是用于说明蚀刻处理张数和来自下面喷嘴的蚀刻液的喷出温度的关系的图表。
具体实施方式
图1是用于说明本发明一实施方式的基板处理装置1的内部布局的图解性的俯视图。基板处理装置1是一张一张地对硅晶片等的基板W进行处理的单张式的装置。在实施方式中，基板W是圆板状的基板。基板处理装置1包括：多个处理单元2，其用处理液对基板W进行处理；装载口LP，其载置容纳构成一个批次的多张基板W的基板容纳器(例如FOUP(FrontOpening Unified Pod：前开式统一标准箱))C；搬运机械手IR和CR，其在装载口LP和处理单元2之间搬运基板W；以及控制装置3，其对基板处理装置1进行控制。搬运机械手IR在基板容纳器C和搬运机械手CR之间搬运基板W。搬运机械手CR在搬运机械手IR和处理单元2之间搬运基板W。多个处理单元2例如具有相同的结构。
图2是用于说明处理单元2的结构例的图解性的剖视图。
处理单元2包括：箱形的腔室4；旋转卡盘(基板保持单元)5，其在腔室4内将一张基板W保持为水平的姿势，并以通过基板W的中心的铅垂的旋转轴线A1为中心旋转基板W；蚀刻液单元6，其用于向保持于旋转卡盘5的基板W的上表面供给蚀刻液；水供给单元7，其用于向保持于旋转卡盘5的基板W的上表面供给水；有机溶剂供给单元8，其用于向保持于旋转卡盘5的基板W的上表面供给有机溶剂的一例的液体的IPA(isopropyl alcohol：异丙醇)；下面喷嘴9，其向保持于旋转卡盘5的基板W的下表面(基板W的背面)的中央部喷出液体(处理液、加热液体、冷却液)；下面供给单元10，其向下面喷嘴9供给处理液；以及杯(Cup)11，其包围旋转卡盘5。
腔室4包括：箱状的间隔壁12，其容纳旋转卡盘5和喷嘴；作为送风单元的FFU(FanFilter Units：风扇过滤单元)13，其从间隔壁12的上部向间隔壁12内输送清洁空气(由过滤器过滤后的空气)；以及排气管道14，其从间隔壁12的下部排出腔室4内的气体。FFU13配置于间隔壁12的上方，并安装于间隔壁12的顶部。FFU13从间隔壁12的顶部朝下向腔室4内输送清洁空气。排气管道14与杯11的底部连接，向设置基板处理装置1的工厂所设置的排气处理设备导出腔室4内的气体。因此，通过FFU13和排气管道14形成向下方流过腔室4内的下降流(down flow)。在腔室4内形成有下降流的状态下进行基板W的处理。
作为旋转卡盘5，采用沿水平方向夹持基板W来将基板W保持为水平的夹持式的卡盘。具体地说，旋转卡盘5包括：旋转马达15；旋转轴16，其与该旋转马达15的驱动轴形成为一体；圆板状的旋转基座17，其大致水平地安装于旋转轴16的上端。
在旋转基座17的上表面的周缘部配置有多个(三个以上，例如六个)夹持构件18。在旋转基座17的上表面周缘部的与基板W的外周形状对应的圆周上隔开恰当的间隔配置多个夹持构件18。
此外，作为旋转卡盘5，并不限定于夹持式的结构，例如也可以采用真空吸附式的结构(真空卡盘)，其通过对基板W的背面进行真空吸附，将基板W保持为水平的姿势，并且在该状态下以铅垂的旋转轴线为中心旋转，从而使保持于旋转卡盘5的基板W旋转。
蚀刻液单元6包括蚀刻液喷嘴19。蚀刻液喷嘴19例如是以连续流的状态喷出液体的直线型喷嘴，在旋转卡盘5的上方，将其喷出口朝向基板W的上表面的旋转中心附近固定地配置。蚀刻液喷嘴19与从蚀刻液供给源供给常温(第一液温。例如约24℃)的蚀刻液的第一蚀刻液配管20连接。在第一蚀刻液配管20安装有用于对向蚀刻液喷嘴19供给蚀刻液和停止向蚀刻液喷嘴19供给蚀刻液进行切换的第一蚀刻液阀21。作为向蚀刻液喷嘴19供给的蚀刻液，使用稀氢氟酸(DHF)或缓冲氢氟酸(BHF)作为向第一蚀刻液配管20供给的蚀刻液。此外，作为蚀刻液，也可以使用浓氢氟酸(concHF)、氟化硝酸(氢氟酸和硝酸(HNO3)的混合液)、氟化铵等。蚀刻液单元6也可以具备蚀刻液喷嘴移动装置，上述蚀刻液喷嘴移动装置通过移动蚀刻液喷嘴19，使蚀刻液相对基板W的上表面的着落位置在基板W的面内进行扫描。
水供给单元7包括水喷嘴24。水喷嘴24例如是以连续流的状态喷出液体的直线型喷嘴，在旋转卡盘5的上方，将其喷出口朝向基板W的上表面的旋转中心附近固定地配置。水喷嘴24与从水供给源供给常温(例如约24℃)的水的水配管25连接。在水配管25安装有用于对向水喷嘴24供给水和停止向水喷嘴24供给水进行切换的第一水阀26。作为向水喷嘴24供给的水，可以列举DIW(去离子水)，但也可以是碳酸水、电解离子水、含氢水、臭氧水、稀释浓度(例如，10～100ppm左右)的盐酸水、还原水(含氢水)、脱气水等。水供给单元7也可以具备水喷嘴移动装置，上述水喷嘴移动装置通过移动水喷嘴24，使水相对基板W的上表面的着落位置在基板W的面内进行扫描。
有机溶剂供给单元8包括有机溶剂喷嘴29。有机溶剂喷嘴29例如是以连续流的状态喷出液体的直线型喷嘴，在旋转卡盘5的上方，将其喷出口朝向基板W的上表面的旋转中心附近固定地配置。有机溶剂喷嘴29与从有机溶剂供给源(IPA供给源)供给液体的有机溶剂(IPA)的有机溶剂配管30连接。在有机溶剂配管30安装有用于对向有机溶剂喷嘴29供给IPA和停止向有机溶剂喷嘴29供给IPA进行切换的有机溶剂阀31。有机溶剂供给单元8也可以具备有机溶剂喷嘴移动装置，上述有机溶剂喷嘴移动装置通过移动有机溶剂喷嘴29，使有机溶剂相对基板W的上表面的着落位置在基板W的面内进行扫描。
如图2所示，下面喷嘴9具有喷出口9a，上述喷出口9a与保持于旋转卡盘5的基板W的下表面的中央部相对。喷出口9a向铅垂上方喷出液体。喷出的液体相对保持于旋转卡盘5的基板W的下表面的中央部几乎垂直地入射。
下面供给单元10包括：第一共同配管32，其在旋转轴16内沿上下延伸；第二共同配管33，其一端与第一共同配管32连接；以及第三共同配管34，其与第二共同配管33的另一端连接。
旋转轴16成为中空轴，第一共同配管32以沿上下延伸的方式插入该旋转轴16的内部。第一共同配管32延伸到接近保持于旋转卡盘5的基板W的下表面中央部的位置，在其顶端设置有下面喷嘴9。第一共同配管32例如用PFA(perfluoroalkoxyethylene：全氟烷氧基乙烯)形成。第二共同配管33与第一共同配管32的基端(图2的下端)和第三共同配管34连接。第二共同配管33安装有用于开闭第二共同配管33的共同阀40。第三共同配管34例如具有树脂制(例如PTFE(聚四氟乙烯)制)的筒体(例如圆筒)的管壁。
下面供给单元10包括：排液配管35，其一端侧(图2的左侧)与第三共同配管34连接；第二蚀刻液配管(蚀刻液供给单元)36，其一端侧(图2的左侧)与第三共同配管34连接；第二水配管(配管冷却单元)37，其一端侧(图2的左侧)与第三共同配管34连接；加热液体配管(加热液体供给单元、高温液体供给单元)38，其一端侧(图2的左侧)与第三共同配管34连接；以及吸引配管39，其一端侧(图2的左侧)与第三共同配管34连接。
排液配管35安装有用于开闭排液配管35的排液阀41。排液配管35的另一端侧与机外的排液设备连接。第三共同配管34容纳于处理单元2外的处理液盒。处理液盒与处理单元2一对一对应地设置。
第二蚀刻液配管36安装有用于开闭第二蚀刻液配管36的第二蚀刻液阀(蚀刻液供给单元)42。从蚀刻液供给源向第二蚀刻液配管36的另一端侧供给常温(第一液温。例如约24℃)的蚀刻液。向第二蚀刻液配管36供给的蚀刻液，是与向第一蚀刻液配管20供给的蚀刻液相同种类的蚀刻液。
第二水配管37安装有用于开闭第二水配管37的第二水阀(配管冷却单元)43。从水供给源向第二水配管37的另一端侧供给常温(例如约24℃)的水。作为向第二水配管37供给的水，可以举例DIW(去离子水)，但也可以是碳酸水、电解离子水、含氢水、臭氧水、稀释浓度(例如，10～100p pm左右)的盐酸水、还原水(含氢水)、脱气水等。
加热液体配管38安装有用于开闭加热液体配管38的加热液体阀(配管加热单元、高温液体供给单元)44。从加热液体供给源向加热液体配管38的另一端侧供给加热液体。加热液体是加热至接近高温(例如，IPA的沸点(约82.4℃)的温度(约70～80℃))的液体。作为加热液体的种类，可以列举DIW(去离子水)，但也可以是碳酸水、电解离子水、含氢水、臭氧水、IPA或稀释浓度(例如，10～100ppm左右)的盐酸水、还原水(含氢水)、脱气水等。
吸引配管39安装有用于开闭吸引配管39的吸引阀45。吸引配管39的另一端侧(顶端)与吸引装置46连接。吸引装置46例如是喷射式的吸引装置。作为吸引装置46，代替喷射式也可以采用虹吸式、隔膜式。
当在关闭下面供给单元10的其他阀的状态下，打开第二蚀刻液阀42和共同阀40时，从第二蚀刻液配管36向第二共同配管33供给蚀刻液，从喷出口9a朝上方喷出蚀刻液。
此外，当在关闭下面供给单元10的其他阀的状态下，打开第二水阀43和共同阀40时，从第二水配管37向第二共同配管33供给常温的水，从喷出口9a朝上方喷出常温的水。
此外，当在关闭下面供给单元10的其他阀的状态下，打开加热液体阀44和共同阀40时，从加热液体配管38向第二共同配管33供给加热液体，从喷出口9a朝上方喷出加热液体。
此外，当在关闭下面供给单元10的其他阀的状态下，打开第二水阀43和排液阀41时，来自第二水配管37的常温的水在第三共同配管34的内部流通向排液配管35供给。由此，能够冷却第三共同配管34的管壁。
吸引装置46例如设为一直工作状态。当在吸引装置46的工作状态中打开吸引阀45时，因吸引装置46有效地动作而对排出吸引配管39的内部进行排气。由此，对吸引配管39的内部进行减压，从而存在于与吸引配管39的内部连通的第一共同配管32以及第二共同配管33的内部的处理液(蚀刻液、水或加热液体)被吸入到吸引配管39。
杯11配置于比保持于旋转卡盘5的基板W更靠外方(从旋转轴线A1离开的方向)的位置。杯11包围旋转基座17。当在旋转卡盘5旋转基板W的状态下，向基板W供给处理液时，向基板W供给的处理液被甩向基板W的周围。在向基板W供给处理液时，朝上开放的杯11的上端部11a配置于比旋转基座17更靠上方的位置。因此，由杯11接住向基板W的周围排出的处理液(蚀刻液、水或加热液体)。然后，由杯11接住的处理液输送到未图示的回收装置或废液装置。
处理单元2还包括从外部冷却第一共同配管32的外部冷却单元47(参照图3)。
图3是用于说明外部冷却单元47的示意性的纵向剖视图。
外部冷却单元47包括：环状构件48，其包围第一共同配管32的途中部；以及冷却液配管49，其被环状构件48包围顶端部(图3的上端部)。即，第一共同配管32和冷却液配管49的顶端部插入到环状构件48内。环状构件48的上端部封闭，第一共同配管32贯通环状构件48的上端部并与下面喷嘴9连接。冷却液配管49的顶端(图3的上端)开放。
冷却液配管49安装有用于开闭冷却液配管49的冷却液阀50。从冷却液供给源向冷却液配管49的另一端侧供给冷却液。冷却液是具有常温或低于常温的液温的液体。作为冷却液的种类，可以举例DIW(去离子水)，但也可以是碳酸水、电解离子水、含氢水、臭氧水、IPA或稀释浓度(例如，10～100ppm左右)的盐酸水、还原水(含氢水)、脱气水等。
当打开冷却液阀50时，从冷却液配管49的顶端喷出冷却液，因此，环状构件48的内部充满冷却液。由此，第一共同配管32的外壁的整周与冷却液接触，结果，从外部冷却第一共同配管32的管壁。
图4是用于说明基板处理装置1的主要部分的电气结构的框图。图5是用于说明在控制装置3中作成的工艺规程56、前规程57、后规程58和流程规程59的结构的图。
控制装置3例如使用微型计算机。控制装置3具有CPU等的运算单元51、固定存储器器件(未图示)、硬盘驱动器等存储单元52和输入输出单元(未图示)。存储单元52存储有运算单元51执行的程序53。
存储单元52包括规程存储部54，上述规程存储部54存储规定对基板W进行各处理的内容的规程。规程存储部54由能够电改写数据的非易失性存储器构成。规程存储部54存储由操作部55的操作而成的工艺规程(Process Recipe)56、前规程(pre-recipe)57、后规程(post-recipe)58和流程规程59。工艺规程56规定对基板W进行处理的内容(包括顺序和条件。以下相同。)。前规程57是预备动作规程的一例，规定预先规定的前处理的内容。后规程58是预备动作规程的一例，规定预先规定的后处理的内容。流程规程59如图5所示，规定按照工艺规程的控制(工艺规程控制)、按照前规程的控制(前规程控制)和按照后规程的控制(后规程控制)的执行顺序和执行次数。例如，作为存储于规程存储部54的工艺规程56例示一个工艺规程PROCESS1(第一规程)，作为存储于规程存储部54的前规程57例示两个规程即前规程PRE1(第二规程)和前规程PRE2，作为存储于规程存储部54的后规程58例示两个规程即后规程POST1(第三规程)和后规程POST2，这些是一例，显然并不局限于此。
在基板处理装置1中，以一并容纳于基板容纳器C(参照图1)的状态搬入构成一个批次的规定张数(例如，25张)的基板W。在基板处理装置1中，针对每个基板容纳器C设定图5所示的一个流程规程59。如图5所示，流程规程59包括：工艺规程56，其规定处理的内容；前规程57，其规定在一系列的处理开始前进行的前处理的内容；以及后规程58，其规定在一系列的处理结束后进行的后处理的内容。
当基板容纳器C(参照图1)载置于基板处理装置1的装载口LP(参照图1)时，从主计算机向控制装置3发送表示基板容纳器C所包括的批次的信息的基板信息。主计算机是统一管理半导体制造工厂所设置的多个基板处理装置的计算机。控制装置3基于从主计算机发送来的基板信息，从规程存储部54读取与该批次对应的流程规程59。然后，按照流程规程59，依次进行前规程控制、工艺规程控制和后规程控制。首先，在各处理单元2(参照图1)中，通过按照前规程57执行控制来进行前处理。然后，通过按照工艺规程56重复执行控制，依次连续地向处理单元2搬入容纳于一个基板容纳器C的基板W，在处理单元2接受基板处理。然后，按照工艺规程56的控制仅执行与容纳于基板容纳器C的基板的张数相等的规定次数，当一系列的规定次数的处理结束时，通过在各处理单元2中按照后规程58执行控制，从而执行后处理。
而且，控制装置3控制旋转马达15和吸引装置46的动作。此外，控制装置3开闭第一蚀刻液阀21、第一水阀26、有机溶剂阀31、共同阀40、排液阀41、第二蚀刻液阀42、第二水阀43、加热液体阀44、吸引阀45、冷却液阀50等。
图6是用于说明在各处理单元2中执行的处理的内容的流程图。
在一个或多个处理单元2中对一个批次(多张基板W)实施处理。在实施方式中，对一个批次(多张基板W)的基板W进行处理时，在处理单元2中对N(N是2以上的整数)张的基板W进行处理。在工艺规程56(参照图4)是工艺规程PROCESS1的情况下，对多个基板实施在彼此共同的条件实施蚀刻(步骤S2)的共同蚀刻处理(S2)。在前规程57(参照图4)是前规程PRE1的情况下，作为前处理，执行加热共同配管32～34以使共同配管32～34的管壁升温的配管升温工序(步骤S1)。在后规程58(参照图4)是后规程POST1的情况下，作为后处理，执行冷却共同配管32～34以使共同配管32～34的管壁降温的配管降温工序(步骤S3)。
因此，在各处理单元2(参照图1)中进行配管升温工序(S1)。然后，向处理单元2依次连续地搬入容纳于一个基板容纳器C的基板W，在处理单元2中进行共同蚀刻处理(S2)。然后，当N次的共同蚀刻处理(S2)结束时，在各处理单元2中执行配管降温工序(S3)。
图7是用于说明基于工艺规程PROCESS1执行的共同蚀刻处理(S2)的流程图。图8是用于说明蚀刻工序(E3)的图。图9是用于说明置换工序(E5)的图。对于该蚀刻，参照图1、图2、图4、图6和图7来进行说明。适当参照图8。
在由处理单元2执行蚀刻时，向腔室4的内部搬入未处理的基板W(图7的步骤E1)。
具体来说，通过使保持有基板W的搬运机械手CR的手部H进入到腔室4的内部，在基板W的表面(蚀刻对象面)朝向上方的状态下，将基板W交接到旋转卡盘5。然后，在旋转卡盘5保持基板W。
在旋转卡盘5保持基板W后，控制装置3控制旋转马达15，使基板W开始旋转(图7的步骤E2)。使基板W的转速上升至液体处理速度(约300rpm～约1000rpm的规定的速度)。
当基板W的转速达到液体处理速度时，接着，控制装置3开始执行蚀刻工序(图7的步骤E3)。具体来说，控制装置3打开第一蚀刻液阀21，并且，关闭下面供给单元10的其他阀并打开第二蚀刻液阀42和共同阀40。由此，如图8所示，从蚀刻液喷嘴19向基板W的上表面中央部喷出蚀刻液，并且从下面喷嘴9的喷出口9a向基板W的下表面中央部喷出蚀刻液。向基板W的上表面中央部供给的蚀刻液，受到借助基板W的旋转的离心力，朝向基板W的周缘部流过基板W的上表面。此外，向基板W的下表面中央部供给的蚀刻液，受到借助基板W的旋转的离心力，朝向基板W的周缘部流过基板W的下表面。由此，对基板W的上下表面的整个区域实施蚀刻。
当从喷出蚀刻液开始经过预先规定的期间时，控制装置3关闭第一蚀刻液阀21、第二蚀刻液阀42和共同阀40，并停止从蚀刻液喷嘴19和下面喷嘴9喷出蚀刻液。
接着，控制装置3开始执行冲洗工序(图7的步骤E4)。具体来说，控制装置3打开第一水阀26，并且，关闭下面供给单元10的其他阀并打开第二水阀43和共同阀40。由此，从水喷嘴24向基板W的上表面中央部喷出水，并且从下面喷嘴9的喷出口9a向基板W的下表面中央部喷出水。
向基板W的上表面中央部供给的水，受到借助基板W的旋转的离心力，朝向基板W的周缘部流过基板W的上表面。由此，冲洗掉附着于基板W的上表面的蚀刻液。此外，向基板W的下表面中央部供给的水，受到借助基板W的旋转的离心力，朝向基板W的周缘部流过基板W的下表面。由此，冲洗掉附着于基板W的下表面的蚀刻液。因此，对基板W的上下表面的整个区域实施冲洗处理。
当从喷出水开始经过预先规定的期间时，控制装置3关闭第一水阀26、第二水阀43和共同阀40，停止从水喷嘴24和下面喷嘴9喷出水。
接着，控制装置3开始执行置换工序(图5的步骤E5。高温液体喷出工序)。置换工序(E5)是将基板W上的水置换为比水的表面张力低的有机溶剂的工序。具体来说，如图9所示，控制装置3打开有机溶剂阀31，从有机溶剂喷嘴29向基板W的上表面中央部供给有机溶剂。此外，向基板W供给的有机溶剂，受到借助基板W的旋转的离心力向基板W的周缘部流动。由此，在基板W的上表面(图案形成面)的整个区域中，水被置换为有机溶剂。此外，也可以在基板W的转速减速至浸泡速度的状态下进行置换工序(E5)。浸泡速度是作用于基板W的上表面的有机溶剂的液膜的离心力小于有溶剂和基板W的上表面之间的表面张力情况下的基板W的转速，或者上述的离心力与上述的表面张力几乎相同的情况下的基板W的转速。
而且，在置换工序(E5)中，与向基板W的上表面供给有机溶剂并行，向基板W的下表面供给加热液体(高温液体。加热至接近IPA的沸点(约82.4℃)的温度(约70～80℃)的液体)。具体来说，如图9所示，控制装置3关闭下面供给单元10的其他阀，并且打开加热液体阀44和共同阀40。由此，从下面喷嘴9的喷出口9a朝上喷出加热液体，向基板W的下表面中央部供给加热液体。通过与从喷出口9a喷出加热液体并行，以上述的液体处理速度旋转基板W，能够向基板W的下表面的整个区域供给加热液体。由此，通过供给加热液体来加热基板W，由此，使基板W和有机溶剂的界面升温，结果，能够提高有机溶剂的置换效率。
接着，进行使基板W干燥的旋转干燥工序(图7的步骤E6)。具体地说，控制装置3控制旋转马达15，使基板W的转速从蚀刻工序(E3)中的转速加速至大于冲洗工序E5中的转速的干燥转速(例如几千rpm)，使基板W以该干燥转速旋转。由此，大的离心力施加于基板W上的液体，从而附着于基板W的液体被甩向基板W的周围。这样，从基板W去除液体，使基板W干燥。
在从基板W高速旋转开始经过规定期间时，控制装置3控制旋转马达15，停止由旋转卡盘5旋转基板W(图7的步骤E7)。
然后，从腔室4内搬出基板W(图7的步骤E8)。具体地说，控制装置3使搬运机械手CR的手部进入腔室4的内部。然后，控制装置3使旋转卡盘5上的基板W保持于搬运机械手CR的手部。然后，控制装置3使搬运机械手CR的手部从腔室4内退避。由此，从腔室4搬出蚀刻后的基板W。
另外，在共同蚀刻处理(S2)中，搬出基板W后，不进行使共同配管32～34的管壁降温的工序。
图10是用于说明基于前规程PRE1执行的配管升温工序(S1)的流程图。图11是用于说明加热工序(P1)的图。图12是用于说明第一温度调整工序(P2)的图。图13是用于说明第二温度调整工序(P3)的图。图14是用于说明第一干燥工序(P4)的图。对于配管升温工序(S1)，参照图1、图2、图4和图10进行说明。适当参照图11～图14。
配管升温工序(S1)是在对共同的批次的基板W进行共同蚀刻处理(S2)中的最初的共同蚀刻处理之前，使共同配管32～34的管壁升温至热平衡温度(第二液温)TB(例如约28℃。参照图19)的工序。热平衡温度TB是共同配管32～34的管壁的温度，且是在处理单元2中连续地进行共同蚀刻处理(S2)的情况下收敛的(处于热平衡状态)热平衡温度。热平衡温度TB根据实验求出。然后，基于热平衡温度TB设定配管升温工序(S1)中的以下描述的加热液体的供给流量和加热液体的供给期间。
在实施方式中，在向各腔室4搬入基板W之前进行配管升温工序(S1)。
具体来说，如图11所示，控制装置3关闭下面供给单元10的其他阀，并且打开加热液体阀44和共同阀40。由此，向第三共同配管34、第二共同配管33和第一共同配管32提供具有约70～80℃的液温的加热液体，从而加热共同配管32～34(P1：加热工序)。使该加热液体在第三共同配管34、第二共同配管33和第一共同配管32中流通并提供给下面喷嘴9，并从喷出口9a向上方喷出。
通常，第一共同配管～第三共同配管32～34的温度是常温(例如约24℃)。由于使加热液体流通，因此第一共同配管～第三共同配管32～34的管壁升温。在将向下面喷嘴9的加热液体的供给流量设为约0.4(升/分)的情况下，使加热液体流通约40秒钟(加热液体流通工序)。由此，能够使第一共同配管～第三共同配管32～34的管壁升温至高于热平衡温度TB的规定的升温温度(约73℃)。
当从供给加热液体开始经过预先规定的期间(约40秒钟)时，控制装置3关闭加热液体阀44和共同阀40，使加热液体停止向第一共同配管～第三共同配管32～34流通。
接着，控制装置3开始执行第一温度调整工序(步骤P2)。具体来说，控制装置3打开图12所示的冷却液阀50。当打开冷却液阀50时，通过向环状构件48的内部供给冷却液，使冷却液与第一共同配管32的外壁的整周接触，结果，从外部冷却第一共同配管32的管壁(外部冷却工序)。
此外，在第一温度调整工序(P2)中，与第一共同配管32的冷却并行，吸引存在于第一共同配管～第三共同配管32～34的内部的加热液体。具体来说，如图12所示，控制装置3关闭共同阀40并且打开吸引阀45，使吸引装置46的动作有效。由此，分别对第三共同配管34的内部以及与该第三共同配管34的内部连通的第一共同配管和第二共同配管32、33的内部排气，存在于第一共同配管～第三共同配管32～34的内部的加热液体，借助吸引装置46的吸引力被引入到吸引配管39。加热液体的吸引继续至加热液体的顶端面后退到比吸引阀45更靠下游侧(图12的右侧)的位置为止。
当加热液体的顶端面后退到比吸引阀45更靠下游侧(图12的右侧)的位置时，控制装置3关闭共同阀40和吸引阀45，使吸引装置46的动作无效。由此，结束第一温度调整工序(P2)。此时，继续冷却第一共同配管32的外部(外部冷却工序)。
第一温度调整工序(P2)结束之后，控制装置3开始执行第二温度调整工序(步骤P3)。具体来说，如图13所示，控制装置3关闭下面供给单元10的其他阀，并且打开第二水阀43和排液阀41。由此，来自第二水配管37的常温的水在第三共同配管34的内部流通并向排液配管35供给。由此，能够冷却第三共同配管34的管壁(第一冷却液流通工序)。
当从向第三共同配管34供给常温的水开始经过预先规定的期间时，控制装置3关闭第二水阀43和排液阀41，停止向第三共同配管34的内部供给常温的水。由此，结束第三共同配管34的冷却(第一冷却液流通工序)。此时，继续进行第一共同配管32的外部冷却(外部冷却工序)。
第二温度调整工序(P3)结束之后，控制装置3开始执行第一干燥工序(P4)。具体来说，控制装置3控制旋转马达15使旋转基座17开始旋转，如图14所示，使旋转基座17的转速从蚀刻工序(E3)中的转速上升至高于冲洗工序(E4)中的转速的干燥转速(例如几千rpm)，使旋转基座17以该干燥转速旋转。由此，大的离心力施加于旋转基座17上的加热液体，从而使附着于旋转基座17的上表面的加热液体被甩向基板W的周围。这样，从旋转基座17去除加热液体，从而使旋转基座17干燥。
当从基板W高速旋转开始经过规定期间时，控制装置3通过控制旋转马达15，停止由旋转卡盘5旋转基板W。此外，控制装置3关闭冷却液阀50，停止向环状构件48的内部供给冷却液。由此，结束第一共同配管32的外部冷却(外部冷却工序)。
结束一系列的配管升温工序(S1)。然后，向处理单元2依次连续地搬入容纳于基板容纳器C(参照图1)的基板W，在处理单元2中接受共同蚀刻处理(S2)。由于在最初的共同蚀刻处理(S2)之前使共同配管32～34的管壁升温至热平衡温度TB，因此能够从最初的共同蚀刻处理(S2)的蚀刻工序(E3)开始使用热平衡温度TB的蚀刻液，对基板W进行蚀刻。
然后，基于后规程POST1(参照图4)执行配管降温工序(S3)。
图15是用于说明基于后规程POST1执行的配管降温工序(S3)的流程图。图16是是用于说明第二冷却液流通工序(Q1)的图。图17是用于说明第二干燥工序(Q2)的图。参照图1、图2、图4、图6和图15说明配管降温工序(S3)。适当参照图16和图17。
在从各腔室4搬出基板W后进行配管降温工序(S3)。在配管降温工序(S3)中，控制装置3首先执行第二冷却液流通工序(Q1)。
具体来说，如图16所示，控制装置3关闭下面供给单元10的其他阀，并且打开第二水阀43和共同阀40。由此，向第三共同配管34、第二共同配管33和第一共同配管32提供常温的水。该常温的水在第三共同配管34、第二共同配管33和第一共同配管32中流通并向下面喷嘴9提供，并从喷出口9a朝上方喷出。
在第一共同配管～第三共同配管32～34的管壁的温度高于常温(例如约24℃)的情况下，通过流通常温的水使第一共同配管～第三共同配管32～34的管壁降温。向下面喷嘴9的常温的水供给流量是约0.4(升/分)，供给水的期间例如是约170秒钟。由此，能够将第一共同配管～第三共同配管32～34的管壁降温到常温。
当从供给水开始经过预先规定的期间(约170秒钟)时，控制装置3关闭第二水阀43和共同阀40，停止水向第一共同配管～第三共同配管32～34流通。
第二冷却液流通工序(Q1)是使常温的水遍及所有三个即第一共同配管～第三共同配管32～34的工序，因此，能够使所有第一共同配管～第三共同配管32～34有效地降温。
接着，控制装置3开始执行第二干燥工序(Q2)。具体来说，控制装置3控制旋转马达15使旋转基座17开始旋转，如图17所示，使旋转基座17的转速从蚀刻工序(E3)中的转速上升到高于置换工序(E5)中的转速的干燥转速(例如几千rpm)，并以该干燥转速使旋转基座17旋转。由此，大的离心力施加于旋转基座17上的水，从而使附着于旋转基座17的上表面的水被甩向基板W的周围。这样，从旋转基座17去除水，从而使旋转基座17干燥。
当从基板W高速旋转开始经过规定期间时，通过控制装置3控制旋转马达15，停止由旋转卡盘5旋转基板W。由此，结束配管降温工序(S3)。
通过配管降温工序(S3)，能够清除(reset)在共同蚀刻处理(S2)和配管升温工序(S1)中蓄积于共同配管32～34的热。因此，在对一批次的基板W进行共同蚀刻处理之后执行其他处理(例如由工艺规程PROCESS2规定的处理)的情况下，能够避免多个共同蚀刻处理(S2)涉及的热影响并且执行该其他处理。
图18是用于说明在处理单元2执行的处理的内容的流程图。
考虑如下情况，即，在基板处理装置1中，继构成当前的批次R1的多张基板W之后搬入构成下一批次R2的多张基板W，对该多张基板W进行彼此共同的蚀刻处理的情况。
该情况下，在不仅对已搬入到基板处理装置1的构成批次R1的多张基板W，还对构成下一批次R2的多张基板W执行共同蚀刻处理(S2)的情况下，如图18所示，取消对当前的批次R1执行的配管降温工序(S3)，并且取消对下一批次R2执行的配管升温工序(S1)。
因此，从下一批次R2的最初的共同蚀刻处理(S2)的蚀刻工序(E3)开始，能够将蚀刻液的液温保持为热平衡温度TB。即，由此，对下一批次R2的多个基板W，能够以相同蚀刻速率实施蚀刻处理。
另一方面，在对构成下一批次R2的多张基板W，执行与共同蚀刻处理(S2)不同的蚀刻处理(其他处理)的情况下，不会取消对当前的批次R1执行的配管降温工序(S3)。
如上所述，根据该实施方式，在各处理单元2执行的多个共同蚀刻处理(S2)中的最初的共同蚀刻处理(S2)之前，使共同配管32～34的管壁升温至热平衡温度TB。此外，在各置换工序(E5)之后且执行下次的各蚀刻工序(E3)之前，不会对共同配管32～34的管壁进行降温。
由于在最初的共同蚀刻处理(S2)之前使共同配管32～34的管壁升温至热平衡温度TB，因此能够从最初的共同蚀刻处理(S2)的蚀刻工序(E3)开始使用热平衡温度TB的蚀刻液，对基板W进行蚀刻。然后，通过共同蚀刻处理(S2)的置换工序(E5)中蓄积于共同配管32～34的热，能够使这之后的共同蚀刻处理(S2)的蚀刻工序(E3)中使用的蚀刻液的液温保持于热平衡温度TB。即，能够使在各共同蚀刻处理(S2)的蚀刻工序(E3)中使用的蚀刻液的液温保持为恒定。由此，在各蚀刻工序(E3)中能够以相同蚀刻速率对多个基板W实施蚀刻处理。因此，能够抑制或防止基板W之间的蚀刻处理的偏差。
此外，在各共同蚀刻处理(S2)之前使共同配管32～34的管壁升温，并且在各共同蚀刻处理(S2)之后使共同配管32～34的管壁降温的以往的方法中，共同配管32～34的管壁的升温和降温需要时间，结果，存在处理能力降低的担忧。
与此相对，在本实施方式中，由于只要在多个共同蚀刻处理(S2)中的最初的共同蚀刻处理(S2)之前使共同配管32～34的管壁仅升温一次即可，因此能够改善处理能力。
此外，在多个共同蚀刻处理(S2)中的最后的共同蚀刻处理(S2)之后执行配管降温工序(S3)。由于最后的共同蚀刻处理(S2)之后使共同配管32～34的管壁降温(到第一温度)，因此能够清除在共同蚀刻处理(S2)中蓄积于共同配管32～34的热。由此，能够避免多个共同蚀刻处理(S2)涉及的配管升温工序的热影响并且执行多个共同蚀刻处理(S2)的下一处理，由此，能够良好地执行该下一处理。
此外，在前述的实施方式中，由于通过将在置换工序(E5)中使用的高温液体作为加热液体向共同配管32～34供给来实现加热液体流通工序，因此与在加热液体流通工序中使用与该高温液体不同的加热液体的情况比较，能够省略加热液体的配管结构等。
以上，说明了本发明的一实施方式，但本发明也可以其他方式实施。
例如在前述的实施方式中，在配管升温工序(S1)的温度调整工序(P2、P3)，采用了使用外部冷却工序和第一冷却液流通工序冷却共同配管32～34的管壁的方法，但也可以使用第二冷却液流通工序进行冷却。
此外，说明了在配管升温工序(S1)中的温度调整工序(P2、P3)，使升温至规定的升温温度的共同配管32～34的管壁通过两个阶段降温到热平衡温度TB的方法，但也可以仅通过一个阶段即仅通过一个温度调整工序，使升温至规定的升温温度的共同配管32～34的管壁降温到热平衡温度TB。
此外，在前述的实施方式中，也可以通过使加热液体流通共同配管32～34，通过两个阶段使共同配管32～34的管壁降温到热平衡温度TB，该加热液体是与置换工序(E5)中使用的高温液体不同的加热液体，具有低于该高温液体的温度且高于常温(第一液温)的温度。
此外，在配管升温工序(S1)中，也可以不设置温度调整工序(P2、P3)。即也可以通过加热工序(P1)使共同配管32～34的管壁的温度直接调到热平衡温度TB。该情况下，也可以通过使加热液体流通共同配管32～34，通过两个阶段使共同配管32～34的管壁降温到热平衡温度TB，该加热液体是与置换工序(E5)中使用的高温液体不同的加热液体，具有低于该高温液体的温度且高于常温(第一液温)的温度。
此外，在配管升温工序(S1)，也可以不使加热液体流通共同配管32～34，通过外部的热源使共同配管32～34的管壁升温。
此外，配管升温工序(S1)的结果，在共同蚀刻处理(S2)开始前的共同配管32～34的管壁的液温即便与热平衡温度TB不相同，也与热平衡温度TB接近。
此外，从第二蚀刻液配管36向共同配管32～34供给的蚀刻液的液温(第一液温)也可以不是常温。在该情况下，将热平衡温度设定成高于前述的热平衡温度TB。
此外，说明了在配管降温工序(S3)中使用第二冷却液流通工序冷却共同配管32～34的管壁的方法，但作为配管降温工序(S3)，也可以与第二冷却液流通工序一起，执行外部冷却工序和/或第一冷却液流通工序，也可以代替第二冷却液流通工序，执行外部冷却工序和/或第一冷却液流通工序。
此外，也可以省略配管降温工序(S3)。该情况下，也可以通过在共同蚀刻处理(S2)结束后放置规定时间，能够使共同配管32～34的管壁降温。
此外，以在前述的第一冷却液流通工序和第二冷却液流通工序中，以冷却液的温度是常温的情况为例进行了说明，但是冷却液也可以具有低于常温的液温。
此外，说明了喷嘴是向基板W的下表面供给液体的下面喷嘴9，但也可以将本发明适用于与向基板W的上表面供给液体的上面喷嘴连结的供给配管。
此外，本发明的高温液体喷出工序并不局限于置换工序(S5。向基板W的下表面供给高温的调温液体的工序)，能够应用从喷嘴向基板喷出高温的液体的结构。例如，也可以将向基板W供给具有高于常温的液温的冲洗液的背面冲洗处理，作为本发明的高温液体喷出工序。
基板处理装置1并不局限于对圆板状的基板W进行处理的装置，也可以是对多边形的基板W进行处理的装置。
详细地说明了本发明的实施方式，但是这些仅仅是用于使本发明的技术内容明确的具体例，本发明并不限定于这些具体例，本发明的范围仅由权利要求书限定。
本申请与2016年12月7日向日本特许厅提交的特愿2016-237804号对应，将该申请的全部内容通过引用编入于此。

Claims (22)

1.一种基板处理方法，其中，该基板处理方法在基板处理装置中执行，对多张基板依次实施共同的共同蚀刻处理，上述基板处理装置包括：喷嘴，用于向保持于基板保持单元的基板供给液体；以及共同配管，与上述喷嘴连结，
上述共同蚀刻处理具有：蚀刻工序，通过向上述共同配管供给第一液温的蚀刻液，并从上述喷嘴喷出蚀刻液，对保持于上述基板保持单元的基板进行蚀刻；以及高温液体喷出工序，在上述蚀刻工序之后向上述共同配管供给具有高于上述第一液温的液温的高温液体，并从上述喷嘴喷出高温液体，
上述基板处理方法还包括配管升温工序，在上述配管升温工序中，在对上述多张基板进行的多个上述共同蚀刻处理中的最初的共同蚀刻处理之前，使上述共同配管的管壁升温至高于上述第一液温的规定的第二液温，
上述第二液温是上述共同配管的管壁的温度，并是在上述基板处理装置中连续地进行上述共同蚀刻处理的情况下收敛的热平衡温度，
在各共同蚀刻处理中，在各高温液体喷出工序之后且下一次的各蚀刻工序之前，不进行使上述共同配管的管壁降温的工序。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，
上述基板处理装置还包括规程存储部，上述规程存储部用于存储：工艺规程，规定对基板实施的处理的内容；以及前规程，在上述工艺规程之前执行，
将与上述共同蚀刻处理对应的第一规程作为上述工艺规程、将与上述配管升温工序对应的第二规程作为上述前规程，分别存储于上述规程存储部，
基于上述第一规程执行上述共同蚀刻处理，并且基于上述第二规程执行上述配管升温工序。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，
上述共同蚀刻处理是对构成一个批次的多张基板分别执行的工序。
4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其中，
在上述基板处理装置中，继构成上述一个批次的多张基板之后对构成下一批次的多张基板进行处理，
在对构成上述一个批次的多张基板执行上述共同蚀刻处理，并且还对构成上述下一批次的多张基板执行上述共同蚀刻处理的情况下，不针对上述下一批次进行上述配管升温工序。
5.根据权利要求3所述的基板处理方法，其中，
还包括配管降温工序，在对上述多张基板进行的多个上述共同蚀刻处理中的最后的共同蚀刻处理之后，冷却上述共同配管使该共同配管的管壁降温，
在上述基板处理装置中，继构成上述一个批次的多张基板之后对构成下一批次的多张基板进行处理，
在对构成上述一个批次的多张基板进行上述共同蚀刻处理，并且还对构成上述下一批次的多张基板进行上述共同蚀刻处理的情况下，不针对上述一个批次进行上述配管降温工序。
6.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，
上述配管升温工序包括加热液体流通工序，在上述加热液体流通工序中，使具有与上述第二液温相同的温度或高于该第二液温的温度的加热液体在上述共同配管中流通，以加热上述共同配管。
7.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，
上述配管升温工序包括：加热工序，加热该共同配管以使上述共同配管的管壁升温至高于上述第二液温的温度；以及温度调整工序，在上述加热工序之后冷却上述共同配管，将上述共同配管的温度调整为上述第二液温。
8.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，
还包括配管降温工序，在对上述多张基板进行的多个上述共同蚀刻处理中的最后的共同蚀刻处理之后，冷却上述共同配管使该共同配管的管壁降温。
9.根据权利要求8所述的基板处理方法，其中，
上述基板处理装置包括规程存储部，上述规程存储部存储：工艺规程，规定对基板实施的处理的内容；前规程，在上述工艺规程之前执行；以及后规程，在上述工艺规程之后执行，
将与上述共同蚀刻处理对应的第一规程作为上述工艺规程，将与上述配管升温工序对应的第二规程作为上述前规程，将与上述配管降温工序对应的第三规程作为上述后规程，分别存储于上述规程存储部，
上述共同蚀刻处理基于上述第一规程执行，上述配管升温工序基于上述第二规程执行，并且上述配管降温工序基于上述第三规程执行。
10.根据权利要求8所述的基板处理方法，其中，
上述配管降温工序包括冷却液流通工序，在上述冷却液流通工序中，使具有低于上述第二液温的温度的冷却液在上述共同配管中流通以冷却上述共同配管。
11.根据权利要求8所述的基板处理方法，其中，
上述配管降温工序包括外部冷却工序，在上述外部冷却工序中，从外部冷却该共同配管，以冷却上述共同配管。
12.一种基板处理装置，其中，包括：
基板保持单元，保持基板；
喷嘴，用于向保持于上述基板保持单元的基板供给液体；
共同配管，与上述喷嘴连结；
蚀刻液供给单元，用于向上述共同配管供给规定的第一液温的蚀刻液；
高温液体供给单元，用于向上述共同配管供给具有高于上述第一液温的液温的高温液体；
配管加热单元，用于加热上述共同配管；
控制装置，控制上述蚀刻液供给单元、上述高温液体供给单元和上述配管加热单元，
上述控制装置执行对将预先规定的张数作为一单位的多张基板依次实施共同的处理的共同蚀刻处理，上述共同蚀刻处理具有：蚀刻工序，通过向上述共同配管供给第一液温的蚀刻液，并从上述喷嘴喷出蚀刻液，对保持于上述基板保持单元的基板进行蚀刻；以及高温液体喷出工序，在上述蚀刻工序之后向上述共同配管供给具有高于上述第一液温的液温的高温液体，并从上述喷嘴喷出高温液体，
上述控制装置还执行配管升温工序，在上述配管升温工序中，在对上述多张基板进行的多个上述共同蚀刻处理中的最初的共同蚀刻处理之前，使上述共同配管的管壁升温至高于上述第一液温的规定的第二液温，
上述第二液温是上述共同配管的管壁的温度，并是在上述基板处理装置中连续地进行上述共同蚀刻处理的情况下收敛的热平衡温度，
上述控制装置在上述共同蚀刻处理中，在各高温液体喷出工序之后且下一次的各蚀刻工序之前不进行使上述共同配管的管壁降温的工序。
13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其中，
还包括规程存储部：用于存储：工艺规程，规定对基板实施的处理的内容；以及前规程，在上述工艺规程之前执行，
将与上述共同蚀刻处理对应的第一规程作为上述工艺规程，将与上述配管升温工序对应的第二规程作为上述前规程，分别存储于上述规程存储部，
上述控制装置基于上述第一规程执行上述共同蚀刻处理，并且基于上述第二规程执行上述配管升温工序。
14.根据权利要求12或13所述的基板处理装置，其中，
上述控制装置对构成一个批次的多张基板分别执行上述共同蚀刻处理。
15.根据权利要求14所述的基板处理装置，其中，
在上述基板处理装置中，继构成上述一个批次的多张基板之后对构成下一批次的多张基板进行处理，
在对构成上述一个批次的多张基板执行上述共同蚀刻处理，并且还对构成上述下一批次的多张基板执行上述共同蚀刻处理的情况下，上述控制装置不针对上述下一批次进行上述配管升温工序。
16.根据权利要求14所述的基板处理装置，其中，
在上述基板处理装置中，继构成上述一个批次的多张基板之后对构成下一批次的多张基板进行处理，
上述控制装置还执行配管降温工序，在上述配管降温工序中，在对上述多张基板进行的多个上述共同蚀刻处理中的最后的共同蚀刻处理之后，冷却上述共同配管使该共同配管的管壁降温，
在对构成上述一个批次的多张基板执行上述共同蚀刻处理，并且还对构成上述下一批次的多张基板执行上述共同蚀刻处理的情况下，上述控制装置不针对上述一个批次进行上述配管降温工序。
17.根据权利要求12或13所述的基板处理装置，其中，
上述控制装置将加热液体流通工序作为上述配管升温工序执行，在上述加热液体流通工序中，使具有与上述第二液温相同的温度或高于该第二液温的温度的加热液体在上述共同配管中流通，以加热上述共同配管。
18.根据权利要求12或13所述的基板处理装置，其中，
上述控制装置在上述配管升温工序中执行：加热工序，加热该共同配管以使上述共同配管的管壁升温至高于上述第二液温的温度；以及温度调整工序，在上述加热工序之后冷却上述共同配管，将上述共同配管的温度调整为上述第二液温。
19.根据权利要求12或13所述的基板处理装置，其中，
还包括配管冷却单元，用于冷却上述共同配管，
上述控制装置还控制上述配管冷却单元，
上述控制装置执行配管降温工序，在上述配管降温工序中，在对上述多张基板进行的多个上述共同蚀刻处理中的最后的共同蚀刻处理之后，冷却上述共同配管使该共同配管的管壁降温。
20.根据权利要求19所述的基板处理装置，其中，
还包括规程存储部，用于存储：工艺规程，规定对基板实施的处理的内容；前规程，在上述工艺规程之前执行；以及后规程，在上述工艺规程之后执行，
将与上述共同蚀刻处理对应的第一规程作为上述工艺规程，将与上述配管升温工序对应的第二规程作为上述前规程，将与上述配管降温工序对应的第三规程作为上述后规程，分别存储于上述规程存储部，
上述控制装置基于上述第一规程执行上述共同蚀刻处理，基于上述第二规程执行上述配管升温工序，并且基于上述第三规程执行上述配管降温工序。
21.根据权利要求19所述的基板处理装置，其中，
上述配管冷却单元包括冷却液供给单元，上述冷却液供给单元向上述共同配管供给具有低于上述第二液温的温度的冷却液，
上述控制装置将冷却液流通工序作为上述配管降温工序执行，在上述冷却液流通工序中，使上述冷却液在该共同配管中流通以冷却上述共同配管。
22.根据权利要求19所述的基板处理装置，其中，
上述配管冷却单元包括外部冷却单元，上述外部冷却单元从外部冷却上述共同配管，
上述控制装置将外部冷却工序作为上述配管降温工序执行，上述外部冷却工序通过上述外部冷却单元冷却上述共同配管。
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