WO2020059280A1

WO2020059280A1 - 基板処理装置および基板処理方法

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Publication number: WO2020059280A1
Application number: PCT/JP2019/028345
Authority: WO
Inventors: 賢士川口; 亨遠藤; 紘太谷川
Original assignee: 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス
Priority date: 2018-09-20
Filing date: 2019-07-18
Publication date: 2020-03-26
Also published as: TW202013491A; KR102525270B1; JP7220537B2; TWI839024B; US20220219209A1; US11883858B2; US20240116087A1; KR20210042380A; CN112740361A; TW202141615A; TW202314925A; US20210252560A1; US11318504B2; TWI736934B; JP2020047857A

Abstract

この基板処理装置は、吐出口を有し、基板に向けて前記吐出口からＳＰＭを吐出するノズルと、前記吐出口に連通する混合部と、前記基板保持ユニットに保持されている基板に供給され当該基板から排出された液体を回収し、回収した液体に基づいて硫酸含有液を作成し、作成後の硫酸含有液を前記混合部に供給するための硫酸含有液供給装置と、制御装置とを含む。そして、前記制御装置が、前記基板に供給され当該基板から排出されたＳＰＭを回収して硫酸含有液を作成する硫酸含有液作成工程と、作成後の硫酸含有液および過酸化水素水を前記混合部に供給して前記混合部において硫酸含有液および過酸化水素水を混合することによりＳＰＭを生成し、生成されたＳＰＭを前記吐出口から吐出するＳＰＭ吐出工程と、を実行する。

Description

基板処理装置および基板処理方法

　この発明は、基板処理装置および基板処理方法に関する。処理対象となる基板の例には、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、有機ＥＬ（electroluminescence）表示装置などのＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。

　半導体装置や液晶表示装置などの製造工程では、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板などの基板を処理する基板処理装置が用いられる。

　下記特許文献１には、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が開示されている。この基板処理装置は、基板を水平に保持しながら回転させるスピンチャックと、スピンチャックに保持されている基板に向けてＳＰＭ（硫酸と過酸化水素水との混合液）を吐出するノズルと、を備えている。特許文献１には、基板の処理に用いた後のＳＰＭを回収して、その回収したＳＰＭを以降の処理に再使用する構成が開示されている。

特許文献１：特開２００６－０２４７９３号公報

　特許文献１では、スピンチャックが収容された処理室から回収されたＳＰＭは、回収ラインを通して回収タンクに回収される。この回収タンクに貯められたＳＰＭは、フィルタによってＳＰＭ中に含まれる異物が除去された後、循環タンクに供給される。循環タンクには、ＳＰＭノズルに向けて延びたＳＰＭ供給配管が接続されている。このＳＰＭ供給配管の途中部には、ポンプが介装されている。また、ＳＰＭ供給配管の途中部には、ポンプの下流側に、フィルタ、ヒータおよび吐出バルブが介装されている。ＳＰＭ供給配管には、ヒータと吐出バルブとの間において、ＳＰＭ帰還配管が分岐して接続されている。ＳＰＭ帰還配管の先端は、循環タンクへ延びている。

基板処理装置の運転中は、ポンプおよび温度調節器が常に駆動されていて、吐出バルブが閉じられている間は、帰還バルブが開かれることにより、循環タンクから汲み出されるＳＰＭが、ＳＰＭ供給配管をＳＰＭ帰還配管の分岐点まで流れ、その分岐点からＳＰＭ帰還配管を通して循環タンクに戻される。つまり、ＳＰＭノズルからＳＰＭを吐出しない期間は、循環タンク、ＳＰＭ供給配管およびＳＰＭ帰還配管をＳＰＭが循環している。ＳＰＭを循環させることにより、一定温度に温度調節されたＳＰＭが循環タンクに貯留される。そして、ＳＰＭノズルからＳＰＭを吐出するタイミングになると、一定温度に温度調節されたＳＰＭが循環タンクから汲み出され、ＳＰＭ供給配管を通してＳＰＭノズルに供給される。そして、ＳＰＭノズルから吐出されたＳＰＭが基板に供給される。

　しかしながら、特許文献１において、ＳＰＭの回収および再利用を繰り返すと、ＳＰＭに含まれる硫酸および過酸化水素水のそれぞれの濃度が、再利用に適さない値まで低下してしまう。

　とくに、過酸化水素濃度の減少が著しい。すなわち、ＳＰＭの温度が高くなるに従って、ＳＰＭの除去能力（ＳＰＭがレジストを除去する能力）が高まるので、ＳＰＭは高温で使用されることが望ましい。しかしながら、過酸化水素は高温状態では水と酸素とに分解し易い。そのため、ＳＰＭの回収および再利用を繰り返すと、比較的早期に、過酸化水素濃度が再利用に適さない値まで低下するおそれがある。

　いずれにしても、特許文献１に記載の手法では、ＳＰＭに含まれる硫酸および過酸化水素水のそれぞれの濃度が低下するから、基板からレジストを効率良く除去することができない。

　そこで、この発明の目的の一つは、回収された硫酸含有液に基づいて作成されたＳＰＭを用いて基板からレジストを効率良く除去できる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。

　この発明は、硫酸および過酸化水素水の混合液であるＳＰＭで基板からレジストを除去する基板処理装置であって、少なくとも一部がレジストで覆われた基板を保持する基板保持ユニットと、吐出口を有し、前記基板保持ユニットに保持されている基板に向けて前記吐出口からＳＰＭを吐出するノズルと、前記吐出口に連通する混合部と、前記基板保持ユニットに保持されている基板に供給され当該基板から排出された液体を回収し、回収した液体に基づいて硫酸含有液を作成し、作成後の硫酸含有液を前記混合部に供給するための硫酸含有液供給装置と、過酸化水素水を前記混合部に供給するための過酸化水素水供給ユニットと、前記硫酸含有液供給装置および前記過酸化水素水供給ユニットを制御する制御装置とを含み、前記制御装置が、前記基板に供給され当該基板から排出されたＳＰＭを回収して硫酸含有液を作成する硫酸含有液作成工程と、作成後の硫酸含有液および過酸化水素水を前記混合部に供給して前記混合部において硫酸含有液および過酸化水素水を混合することによりＳＰＭを生成し、生成されたＳＰＭを前記吐出口から吐出するＳＰＭ吐出工程と、を実行する、基板処理装置を提供する。

　この明細書において、硫酸含有液とは、硫酸を含む液体であって、硫酸以外の成分を含んでいてもよいが、重量％濃度において、硫酸を半分以上の割合で含む液体である。

　この構成によれば、基板から排出され回収されたＳＰＭに基づいて、ＳＰＭそのものではなく硫酸含有液が作成される。作成された硫酸含有液は、過酸化水素水と混合されることによりＳＰＭとして再利用される。

　ＳＰＭの除去能力を高める観点から、作成される硫酸含有液の硫酸濃度は、所定の濃度範囲であることが求められる。そして、同様の観点から、作成される硫酸含有液の温度は所定の温度範囲であることが求められる。

　回収されたＳＰＭに含まれる硫酸に着目し、過酸化水素と切り離した形で硫酸含有液の硫酸濃度および温度を調整するので、求められる濃度範囲および温度範囲の双方を満たす硫酸含有液を良好に作成できる。そして、作成された硫酸含有液を過酸化水素水と混合することにより、回収された硫酸含有液に基づいて作成されたＳＰＭを用いて基板からレジストを効率良く除去できる。

　この発明の一実施形態では、前記硫酸含有液供給装置が、第１の貯液部と、第２の貯液部と、を含む。前記第１の貯液部が、回収した液体を貯留する第１のタンクと、前記第１のタンクに硫酸を補充するための硫酸補充ユニットと、を含む。前記第２の貯液部が、前記第１のタンクから送られた液体を貯留する第２のタンクと、前記第２のタンクに両端が接続され、前記第２のタンクに貯留されている液体が循環する第１の配管と、前記第２のタンクおよび前記第１の配管を循環している液体を加熱するための第１のヒータと、を含む。前記制御装置が、前記硫酸含有液作成工程において、前記基板から排出されたＳＰＭを回収して、硫酸含有液として前記第１のタンクに貯留する第１の貯留工程と、前記硫酸補充ユニットによって前記第１のタンクに硫酸を補充する硫酸補充工程と、前記第１のタンクから送られた硫酸含有液を前記第２のタンクに貯留する第２の貯留工程と、前記第２のタンクおよび前記第１の配管を循環している硫酸含有液を前記第１のヒータによって加熱する第１の加熱工程と、を実行する。そして、前記制御装置が、前記ＳＰＭ吐出工程において、前記第２のタンクおよび前記第１の配管を循環している硫酸含有液を前記混合部に供給する工程を実行する。

　この構成によれば、第１の貯液部において、基板から排出され回収されたＳＰＭが硫酸含有液として第１のタンクに貯留される。また、硫酸補充ユニットからの硫酸が第１のタンクに補充される。これにより、第１のタンクに貯留されている硫酸含有液の硫酸濃度を、求められる濃度範囲に精度良く調整することが可能である。

　また、第２の貯液部において、第１の貯液部から送られた硫酸含有液が、第２のタンクおよび第１の配管を循環する。第２のタンクおよび第１の配管を循環する硫酸含有液が第１のヒータによって加熱される。これにより、第２のタンクおよび第１の配管を循環する硫酸含有液の温度を、求められる温度範囲に精度良く調整することが可能である。

　硫酸含有液の温度調整が専ら行われる第２の貯液部を、硫酸含有液に硫酸を補充可能（硫酸含有液の硫酸濃度を調整可能）な第１の貯液部と別に設けている。補充される硫酸の温度が室温であることから、仮に、硫酸含有液の温度調整を行うための貯液部において、硫酸の補充を行いながら硫酸含有液を温度調整すると、貯液部における硫酸含有液の温度が安定しない。硫酸含有液の温度調整が専ら行われる第２の貯液部と、硫酸含有液に硫酸を補充可能な第１の貯液部と、をそれぞれ別に設けているので、第２の貯液部における硫酸含有液の温度が安定する。これにより、混合部に送られる硫酸含有液を所望の温度範囲に調整できる。

　この発明の一実施形態では、前記第２の貯液部が、前記第２のタンクおよび前記第１の配管を循環している硫酸含有液の硫酸濃度を計測する硫酸濃度計をさらに含む。そして、前記制御装置が、前記硫酸濃度計による計測値が所定の判定値未満である場合に、前記硫酸補充工程を実行する。

　この構成によれば、第２のタンクおよび第１の配管を循環している硫酸含有液の硫酸濃度が濃度計によって計測されるので、第２のタンクおよび第１の配管を循環している硫酸含有液の硫酸濃度を正確に求めることができる。これにより、混合部に送られる硫酸含有液の硫酸濃度を所望の濃度範囲に精度良く調整できる。

　この発明の一実施形態では、前記第１の貯液部が、前記第１のタンクに両端が接続され、前記第１のタンクに貯留されている硫酸含有液が循環する第２の配管と、前記第１のタンクおよび前記第２の配管を循環している硫酸含有液を加熱する第２のヒータと、をさらに含む。前記制御装置が、前記硫酸含有液作成工程において、前記第１のタンクおよび前記第２の配管を循環している硫酸含有液を第２のヒータによって加熱する第２の加熱工程をさらに実行する。

　この構成によれば、第１の貯液部において、第１のタンクおよび第２の配管を硫酸含有液が循環する。第１のタンクおよび第２の配管を循環する硫酸含有液が第２のヒータによって加熱される。第１および第２の貯液部においてそれぞれ第２および第１のヒータによって硫酸含有液が加熱される。そのため、硫酸含有液により多くの熱量を与えることができる。そのため、第２の貯液部において、硫酸含有液をより高温に昇温させることが可能である。

　また、第１および第２のヒータの双方を用いて硫酸含有液を加熱するので、一方のヒータ（すなわち、第１のヒータ）に加わる負担を低減できる。

　この発明の一実施形態では、前記第１の貯液部が、前記第１のタンクに両端が接続され、前記第１のタンクに貯留されている硫酸含有液が循環する第２の配管をさらに含む。そして、前記第１の貯液部には、前記第１のタンクおよび前記第２の配管を循環している硫酸含有液を加熱するためのユニットが設けられていない。

　この構成によれば、第１の貯液部には、第１のタンクおよび第２の配管を循環している硫酸含有液を加熱するためのユニットが設けられていない。すなわち、第１の貯液部において硫酸含有液の加熱が行われない。そのため、第１のタンクおよび第２の配管を循環している硫酸含有液は、比較的低温を有している。

　この発明の一実施形態では、前記第１の貯液部が、前記第２の配管に介装され、当該前記第２の配管を流通する硫酸含有液に含まれる異物を捕獲するフィルタをさらに含む。

　この構成によれば、フィルタによって、第２の配管を流通する硫酸含有液が捕獲される。フィルタを通過する硫酸含有液が比較的低温である。

　第１のタンクおよび第２の配管を、仮に高温の硫酸含有液が流通する場合には、フィルタを高温の硫酸含有液が継続的に流通することに伴ってフィルタが膨張し、フィルタの各孔の径が広がるおそれがある。フィルタの各孔の径が広がると、フィルタによって捕獲可能な異物の径が大きくなる。そのため、フィルタのフィルタリング性能が低下し、第１の貯液部において硫酸含有液に含まれる異物を良好に捕獲できないおそれがある。

　この構成では、フィルタを通過する硫酸含有液が比較的低温であるので、フィルタのフィルタリング性能の低下を抑制できる。そのため、第１の貯液部において硫酸含有液に含まれる異物を良好に捕獲できる。これにより、清浄な硫酸含有液を混合部に供給することが可能である。

　この発明の一実施形態では、前記硫酸含有液供給装置が、第３の貯液部をさらに含む。前記第３の貯液部が、前記第１のタンクから送られる液体を貯留する第３のタンクと、前記第３のタンクに両端が接続され、前記第３のタンクに貯留されている液体が循環する第３の配管と、前記第３のタンクおよび前記第３の配管を循環している液体を加熱するための第２のヒータと、を含む。前記制御装置が、前記硫酸含有液作成工程において、前記第１のタンクから送られた硫酸含有液を前記第３のタンクに貯留する第３の貯留工程と、前記第３のタンクおよび前記第３の配管を循環している硫酸含有液を前記第２のヒータによって加熱する第２の加熱工程と、をさらに実行する。そして、前記制御装置が、前記ＳＰＭ吐出工程において、前記第３のタンクおよび前記第３の配管を循環している硫酸含有液を前記第２のタンクに送る工程をさらに実行する。

　この構成によれば、第１の貯液部から送られた硫酸含有液が、第３のタンクおよび第３の配管を循環する。第３のタンクおよび第３の配管を循環する硫酸含有液が第２のヒータによって加熱される。第３および第２の貯液部においてそれぞれ第２および第１のヒータによって硫酸含有液が加熱される。硫酸含有液により多くの熱量を与えることができる。そのため、第２の貯液部において、硫酸含有液をより高温に昇温させることが可能である。

　また、第１および第２のヒータの双方を用いて硫酸含有液を加熱するので、第１のヒータに加わる負担を低減できる。

　この発明の一実施形態では、前記第１の貯液部が、前記第１のタンクおよび前記第２の配管を循環している硫酸含有液を冷却するためのクーラーをさらに含む。前記制御装置が、前記硫酸含有液作成工程において、前記第１のタンクおよび前記第２の配管を循環している硫酸含有液を前記クーラーによって冷却する冷却工程をさらに実行する。

　この構成によれば、第１のタンクおよび第２の配管を循環している硫酸含有液をクーラーによって冷却できる。そのため、第１のタンクおよび第２の配管を循環している硫酸含有液の温度を室温または室温未満まで下げることが可能である。

　この場合、前記第１の貯液部が、前記フィルタをさらに含んでいることが好ましい。

　この構成によれば、フィルタを通過する硫酸含有液の温度を、室温または室温未満まで下げることができるから、フィルタリング性能の低下をより一層効果的に抑制できる。そのため、第１の貯液部において硫酸含有液に含まれる異物を、より一層良好に捕獲できる。これにより、より一層清浄な硫酸含有液を混合部に供給することが可能である。

　この発明の一実施形態では、前記第１のタンクおよび前記第２の配管を循環している硫酸含有液が自然冷却のみによって冷却される。

　この構成によれば、コストアップを招くことなく、硫酸含有液を冷却できる。

　この発明の一実施形態では、前記第１のヒータによる加熱温度である第１の加熱温度が、前記第２のヒータによる加熱温度である第２の加熱温度よりも高い。

　この構成によれば、第１の貯液部（第３の貯液部）において第２の加熱温度にまで昇温された後の硫酸含有液が第２の貯液部に供給される。そして、第２の貯液部において硫酸含有液が加熱されて、第１の加熱温度まで昇温される。つまり、硫酸含有液が段階的に加熱される。そのため、第２の貯液部において、硫酸含有液をより高温まで昇温させることが可能である。これにより、混合部に送られるべき硫酸含有液の温度（第１の加熱温度）を極めて高温に設ける場合であっても、そのような高温の硫酸含有液を良好に作成できる。

　この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記第２のタンクまたは前記第１の配管と前記混合部とを接続する硫酸含有液供給配管と、前記硫酸含有液供給配管を流通している硫酸含有液を加熱するための第３のヒータと、をさらに含む。前記制御装置が、前記硫酸含有液作成工程において、前記硫酸含有液供給配管を流通している硫酸含有液を前記第３のヒータによって加熱する第３の加熱工程をさらに実行する。

　この構成によれば、第２のタンクおよび第１の配管を循環している硫酸含有液が、硫酸含有液供給配管に導かれる。そして、硫酸含有液供給配管を流通している硫酸含有液が第３のヒータによって加熱される。第３のヒータによる加熱によって、硫酸含有液を、第２のタンクおよび第１の配管を循環していたときよりもさらに昇温させることが可能である。

　この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記混合部における過酸化水素水に対する硫酸含有液の比を変更する混合比変更ユニットと、前記基板保持ユニットに保持されている基板に供給され当該基板から排出された液体を回収して前記硫酸含有液供給装置に送るための回収配管と、前記基板保持ユニットに保持されている基板に供給され当該基板から排出された液体が流入する排液配管と、前記基板保持ユニットに保持されている基板から排出された液体が流入する配管を、前記排液配管および前記回収配管の間で切り換える切り換えユニットと、をさらに含む。そして、前記制御装置が、前記混合比変更ユニットを制御することにより、過酸化水素水に対する硫酸含有液の比を表す第１の混合比で硫酸含有液および過酸化水素水を混合して第１のＳＰＭを作成し、作成された前記第１のＳＰＭを、前記基板保持ユニットに保持されている基板に供給する第１のＳＰＭ供給工程と、前記混合比変更ユニットを制御することにより、過酸化水素水に対する硫酸含有液の比を表し、前記第１の混合比よりも大きい第２の混合比で硫酸および過酸化水素水を混合して第２のＳＰＭを作成し、作成された前記第２のＳＰＭを、前記第１のＳＰＭ供給工程において前記第１のＳＰＭの供給が停止された後に、前記基板保持ユニットに保持されている基板に供給する第２のＳＰＭ供給工程と、前記切り換えユニットを制御することにより、前記第１のＳＰＭ供給工程において前記基板に供給され前記基板から排出された前記第１のＳＰＭを、前記排液配管に流入させる排液工程と、前記切り換えユニットを制御することにより、前記第２のＳＰＭ供給工程において前記基板に供給され前記基板から排出された前記第２のＳＰＭを、前記回収配管に流入させる回収工程と、をさらに実行する。

　この構成によれば、第１のＳＰＭを作成するときは、硫酸含有液および過酸化水素水が第１の混合比で混合される。第２のＳＰＭを作成するときは、硫酸含有液および過酸化水素水が第２の混合比で混合される。第１の混合比および第２の混合比は、いずれも、混合前の過酸化水素水の体積に対する混合前の硫酸含有液の体積の比を表す。第１の混合比は、第２の混合比よりも小さい。したがって、第１のＳＰＭに含まれる過酸化水素濃度は、第２のＳＰＭに含まれる過酸化水素の濃度よりも高い。

　過酸化水素濃度が相対的に高いので、第１のＳＰＭは、第２のＳＰＭよりも高い除去能力を有している。したがって、レジストを効率的に基板から除去できる。そして、第１のＳＰＭが基板に供給された後、第２のＳＰＭが基板に供給される。第２のＳＰＭは除去能力が第１のＳＰＭより劣るものの、第１のＳＰＭの供給によって殆ど全てのレジストが基板から除去されているので、比較的除去し易いレジストしか基板に残っていない。そのため、除去能力が劣る第２のＳＰＭであっても、レジストを基板から確実に除去できる。

　基板に供給され基板から排出された第１のＳＰＭは、回収配管ではなく、排液配管に流入する。基板から排出された第１のＳＰＭは、過酸化水素濃度が相対的に高く、硫酸濃度が相対的に低い。それだけでなく、基板から排出された第１のＳＰＭは、第１のＳＰＭとレジストとの反応によって生じた多くの汚染物質（レジストの炭化物など）を含んでいる。したがって、基板から排出された第１のＳＰＭは、回収に適さない。

　その一方で、基板から排出された第２のＳＰＭは、硫酸濃度が相対的に高い。さらに、基板から排出された第２のＳＰＭに含まれる汚染物質の量は、基板から排出された第１のＳＰＭに含まれる汚染物質の量よりも少ない。したがって、硫酸濃度が相対的に高く、汚染物質の含有量が少ない第２のＳＰＭが、回収配管に導かれ硫酸含有液が作成される。作成された硫酸含有液は、過酸化水素水と混合される。これにより、この硫酸含有液に含まれる硫酸が過酸化水素と反応し、新たなＳＰＭが作成される。そのため、ＳＰＭの廃棄量を減らすことができる。

　このように、硫酸濃度、つまり、混合前の硫酸および過酸化水素水の体積に対する混合前の硫酸の体積の割合が大きいときに、ＳＰＭを回収するので、硫酸濃度が高いＳＰＭを回収することができる。さらに、硫酸濃度が大きい状態を維持するのではなく、ＳＰＭの回収を開始する前に、過酸化水素濃度が高く、十分な除去能力を有するＳＰＭを基板に供給するので、レジストを効率的に基板から除去できる。したがって、基板から効率良くレジストを除去しながら、硫酸濃度が高いＳＰＭを回収することができる。

　この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記排液配管に接続されて、前記基板保持ユニットに保持されている基板を取り囲む第１のガードと、前記回収配管に接続されて、前記基板保持ユニットに保持されている基板を取り囲む第２のガードと、をさらに含む。前記切り換えユニットが、前記第１のガードおよび前記第２のガードの状態を、前記基板から排出された液体を前記第１のガードが受け止める第１状態と、前記基板から排出された液体を前記第２のガードが受け止める第２状態との間で切り換えるガード切り換えユニットと、を含む。そして、前記制御装置が、前記ガード切り換えユニットを制御することにより、前記第１のＳＰＭ供給工程において前記基板から排出された前記第１のＳＰＭを、前記第１のガードに受け止めさせる第１のＳＰＭ捕獲工程と、前記ガード切り換えユニットを制御することにより、前記第２のＳＰＭ供給工程において前記基板から排出された前記第２のＳＰＭを、前記第２のガードに受け止めさせる第２のＳＰＭ捕獲工程と、をさらに実行する。

　この構成によれば、基板から排出された第１のＳＰＭが、基板を取り囲む第１のガードに受け止められる。基板から排出された第２のＳＰＭは、基板を取り囲む第２のガードに受け止められる。第１のガードに受け止められた第１のＳＰＭは、第１のガードに接続された排液配管に流入する。第２のガードに受け止められた第２のＳＰＭは、第２のガードに接続された回収配管に流入する。

　基板から排出された第１のＳＰＭは、多くの汚染物質を含んでいる。したがって、第１のガードが第１のＳＰＭを受け止め後は、汚染物質が第１のガードの内壁に残留している場合がある。基板から排出された第２のＳＰＭを第１のガードで受け止めて回収すると、第１のガードに付着している汚染物質が、第２のＳＰＭに混入する場合がある。したがって、第１のガードとは異なる第２のガードに第２のＳＰＭを受け止めさせることにより、回収されたＳＰＭに含まれる汚染物質の量を減らすことができる。

　この発明は、基板保持ユニットに保持されている基板に向けて吐出口から、硫酸および過酸化水素水の混合液であるＳＰＭを吐出するノズルと、前記吐出口に連通する混合部と、を含む基板処理装置において実行される基板処理方法であって、前記基板保持ユニットに保持されている、少なくとも一部がレジストで覆われた基板に供給され、当該基板から排出されたＳＰＭを回収して硫酸含有液を作成する硫酸含有液作成工程と、作成後の硫酸含有液および過酸化水素水を前記混合部に供給することにより、前記混合部において硫酸含有液および過酸化水素水を混合してＳＰＭを生成し、生成されたＳＰＭを前記吐出口から吐出するＳＰＭ吐出工程と、を含む、基板処理方法を提供する。

　この方法によれば、基板から排出され回収されたＳＰＭに基づいて、ＳＰＭそのものではなく硫酸含有液が作成される。作成された硫酸含有液は、過酸化水素水と混合されることによりＳＰＭとして再利用される。

　この発明の一実施形態では、前記硫酸含有液作成工程が、前記基板から排出されたＳＰＭを回収して硫酸含有液として第１の貯液部の第１のタンクに貯留する工程と、前記第１のタンクに硫酸を補充する硫酸補充工程と、前記第１のタンクから送られた硫酸含有液を、前記第１のタンクとは異なる、第２の貯液部の第２のタンクに貯留する工程と、前記第２のタンク、および前記第２のタンクに両端が接続された第１の配管を循環している硫酸含有液を、第２の貯液部の第１のヒータによって加熱する加熱工程と、を含む。そして、前記ＳＰＭ吐出工程が、前記第２のタンクおよび前記第１の配管を循環している硫酸含有液を前記混合部に供給する工程を含む。

　この方法によれば、第１の貯液部において、基板から排出され回収されたＳＰＭが硫酸含有液として第１のタンクに貯留される。また、硫酸補充ユニットからの硫酸が第１のタンクに補充される。これにより、第１のタンクに貯留されている硫酸含有液の硫酸濃度を、求められる濃度範囲に精度良く調整することが可能である。

　この発明の一実施形態では、前記基板処理方法が、前記混合部における過酸化水素水に対する硫酸含有液の比を変更することにより、過酸化水素水に対する硫酸含有液の比を表す第１の混合比で硫酸含有液および過酸化水素水を混合して第１のＳＰＭを作成し、作成された前記第１のＳＰＭを、前記基板保持ユニットに保持されている基板に供給する第１のＳＰＭ供給工程と、前記混合部における過酸化水素水に対する硫酸含有液の比を変更することにより、過酸化水素水に対する硫酸含有液の比を表し、前記第１の混合比よりも大きい第２の混合比で硫酸および過酸化水素水を混合して第２のＳＰＭを作成し、作成された前記第２のＳＰＭを、前記第１のＳＰＭ供給工程において前記第１のＳＰＭの供給が停止された後に、前記基板保持ユニットに保持されている基板に供給する第２のＳＰＭ供給工程と、前記第１のＳＰＭ供給工程において前記基板に供給され前記基板から排出された前記第１のＳＰＭを、前記基板保持ユニットに保持されている基板に供給され当該基板から排出された液体を回収して前記硫酸含有液供給装置に送るための回収配管とは異なる配管である排液配管に流入させる排液工程と、前記第２のＳＰＭ供給工程において前記基板に供給され前記基板から排出された前記第２のＳＰＭを、前記回収配管に流入させる回収工程と、をさらに含む。

　この方法によれば、第１のＳＰＭを作成するときは、硫酸含有液および過酸化水素水が第１の混合比で混合される。第２のＳＰＭを作成するときは、硫酸含有液および過酸化水素水が第２の混合比で混合される。第１の混合比および第２の混合比は、いずれも、混合前の過酸化水素水の体積に対する混合前の硫酸含有液の体積の比を表す。第１の混合比は、第２の混合比よりも小さい。したがって、第１のＳＰＭに含まれる過酸化水素濃度は、第２のＳＰＭに含まれる過酸化水素の濃度よりも高い。

　この発明の一実施形態では、前記基板処理方法が、前記第１のＳＰＭ供給工程において前記基板から排出された前記第１のＳＰＭを、前記基板を取り囲んでおり、前記排液配管に接続された第１のガードに受け止めさせる第１のＳＰＭ捕獲工程と、前記第２のＳＰＭ供給工程において前記基板から排出された前記第２のＳＰＭを、前記基板を取り囲んでおり、前記回収配管に接続された第２のガードに受け止めさせる第２のＳＰＭ捕獲工程と、をさらに含む。

　この方法によれば、基板から排出された第１のＳＰＭが、基板を取り囲む第１のガードに受け止められる。基板から排出された第２のＳＰＭは、基板を取り囲む第２のガードに受け止められる。第１のガードに受け止められた第１のＳＰＭは、第１のガードに接続された排液配管に流入する。第２のガードに受け止められた第２のＳＰＭは、第２のガードに接続された回収配管に流入する。

　本発明における前述の、またはさらに他の目的、特徴および効果は、添付図面を参照して次に述べる実施形態の説明により明らかにされる。

図１は、この発明の第１の実施形態に係る基板処理装置を上から見た模式図である。図２は、図１に示す第１の硫酸含有液供給装置および装置本体を、水平方向から見た図である。図３は、図２に示す第３の捕獲フィルタの構成を拡大して示す断面図である。図４は、図１に示す第２の硫酸含有液供給装置および装置本体を、水平方向から見た図である。図５は、図１に示す処理ユニットの構成例を説明するための図解的な断面図である。図６は、前記基板処理装置の電気的構成を説明するためのブロック図である。図７は、前記基板処理装置によって行われる基板の処理の一例について説明するためのフローチャートである。図８は、ＳＰＭ工程（図７のＳ３）における、硫酸含有液および過酸化水素水の混合比の推移と、第１のガードおよび第２のガードの動作等を示すタイミングチャートである。図９は、ＳＰＭを作成するために硫酸含有液および過酸化水素水を混合し、基板から回収されたＳＰＭを別の基板に供給するときの流れを示すフローチャートである。図１０は、回収された硫酸含有液の硫酸濃度の推移を示すグラフである。図１１は、本発明の第２の実施形態に係る第１の硫酸含有液供給装置を、水平方向から見た図である。図１２は、本発明の第３の実施形態に係る第１の硫酸含有液供給装置を、水平方向から見た図である。図１３は、捕獲フィルタのフィルタリング性能の熱影響による変化を説明するための図である。

　図１は、この発明の第１の実施形態に係る基板処理装置１を上から見た模式図である。

　基板処理装置１は、半導体ウエハなどの円板状の基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置１は、クリーンルーム内に配置された装置本体２と、装置本体２に結合されたインデクサユニット３と、処理液供給装置と、基板処理装置１を制御する制御装置４と、を含む。

　インデクサユニット３は、基板Ｗを収容する複数のキャリアＣをそれぞれ保持する複数のロードポートＬＰと、各キャリアＣに対して基板Ｗを搬送するためのインデクサロボットＩＲと、を含む。

　装置本体２は、搬送室５と、複数のロードポートＬＰから搬送された基板Ｗを処理液や処理ガスなどの処理流体で処理する複数の処理ユニット６と、を含む。複数の処理ユニット６は、水平に離れた６つの位置にそれぞれ配置された６つの塔を形成している。各塔は、上下に積層された複数（たとえば３つ）の処理ユニット６を含む。６つの塔は、搬送室５の両側に３つずつ配置されている。処理ユニット６は、装置本体２の外壁７の中に配置されており、すなわち外壁７に取り囲まれている。

　基板処理装置１は、搬送ロボットとして、インデクサロボットＩＲの他に、第１の基板搬送ロボットＣＲ１と、第２の基板搬送ロボットＣＲ２と、を含む。第１の基板搬送ロボットＣＲ１および第２の基板搬送ロボットＣＲ２は、搬送室５内に配置されている。インデクサロボットＩＲは、ロードポートＬＰと第１の基板搬送ロボットＣＲ１との間で基板Ｗを搬送する。インデクサロボットＩＲは、基板Ｗを支持するハンドを含む。第１の基板搬送ロボットＣＲ１は、インデクサロボットＩＲと、ロードポートＬＰ側の２つの塔に含まれる処理ユニット６との間で基板Ｗを搬送すると共に、インデクサロボットＩＲと第２の基板搬送ロボットＣＲ２との間で基板Ｗを搬送する。第２の基板搬送ロボットＣＲ２は、インデクサロボットＩＲと、ロードポートＬＰ側とは反対側の４つの塔に含まれる処理ユニット６と、の間で基板Ｗを搬送する。第１の基板搬送ロボットＣＲ１および第２の基板搬送ロボットＣＲ２は、基板Ｗを支持するハンドを含む。

　処理液供給装置は、処理ユニット６に対して処理液（硫酸含有液（エッチング液や洗浄液））を供給する。処理液供給装置は、処理ユニット６に対して硫酸を含有する硫酸含有液を供給する硫酸含有液供給装置８を含む。硫酸含有液供給装置８は、処理ユニット６から排出された硫酸含有液を回収して硫酸含有液として調整し、調整後の硫酸含有液を処理ユニット６に供給する。硫酸含有液供給装置８は、クリーンルームの外に配置された第１の硫酸含有液供給装置９と、クリーンルームにおいて外壁７の外側に配置された第２の硫酸含有液供給装置１０と、を含む。

　この実施形態では、基板処理装置１は、第１の硫酸含有液供給装置９を２つ備えている。２つの第１の硫酸含有液供給装置９は、サブファブ（Sub-Fab）と呼ばれる、クリーンルームの階下スペースに配置されている。各第１の硫酸含有液供給装置９は、搬送室５の片側に配置された３つの塔に対応している。各第１の硫酸含有液供給装置９には、対応する３つの塔に含まれる処理ユニット６から排出されたＳＰＭが供給される。第１の硫酸含有液供給装置９は、処理ユニット６から排出されたＳＰＭを回収して硫酸含有液として貯留し、所定の状態に調整する第１の貯液部１１を含む。

　第１の硫酸含有液供給装置９には、第２の硫酸含有液供給装置１０が一対一対応で設けられている。すなわち、基板処理装置１は、第２の硫酸含有液供給装置１０を２つ備えている。

　第２の硫酸含有液供給装置１０には、対応する第１の硫酸含有液供給装置９から硫酸含有液が送られる。第２の硫酸含有液供給装置１０は、第１の貯液部１１から送られる硫酸含有液を貯留し、所定の硫酸濃度および温度に調整する第２の貯液部１２を含む。第２の貯液部１２によって調整された硫酸含有液が、処理ユニット６のＳＰＭノズル（ノズル）１３（図２および図４参照）に供給される。ＳＰＭノズル１３には、過酸化水素水供給ユニット１２２（図４参照）から過酸化水素水が供給される。ＳＰＭノズル１３に供給された硫酸含有液および過酸化水素水は、ＳＰＭノズル１３の内部（混合部）で混合され、これによってＳＰＭが生成される。そして、ＳＰＭノズル１３の下部に形成されている吐出口１３ａ（図５参照）からＳＰＭが吐出される。吐出口１３ａは、ＳＰＭノズル１３の内部に連通している。そして、処理ユニット６において、吐出口１３ａから吐出されるＳＰＭが基板Ｗに供給される。これにことにより、基板Ｗからレジストが除去される。

　硫酸含有液供給装置８では、基板Ｗから排出され回収されたＳＰＭに基づいて、ＳＰＭそのものではなく硫酸含有液が作成される（硫酸含有液作成工程）。作成された硫酸含有液は、過酸化水素水と混合されることによりＳＰＭとして再利用される。

　硫酸含有液供給装置８では、回収されたＳＰＭに含まれる硫酸に着目し、過酸化水素と切り離した形で硫酸含有液の硫酸濃度および温度を調整するので、求められる濃度範囲および温度範囲の双方を満たす硫酸含有液を良好に作成できる。

　そして、作成後の硫酸含有液をＳＰＭノズル１３において過酸化水素水と混合することによりＳＰＭを生成し、生成されたＳＰＭをＳＰＭノズル１３から吐出して基板Ｗに供給する（ＳＰＭ吐出工程）。これにより、回収された硫酸含有液に基づいて作成されたＳＰＭによって基板Ｗからレジストを効率良く除去できる。

　図２は、図１にそれぞれ示す第１の硫酸含有液供給装置９および装置本体２を、水平方向から見た図である。図３は、図２に示す第３の捕獲フィルタ３７の構成を拡大して示す断面図である。

　図２に示すように、第１の硫酸含有液供給装置９に含まれる第１の貯液部１１は、リクレームタンク（ｒｅｃｌａｉｍｔａｎｋ）２１と、第１の循環タンク（第１のタンク）２２と、第１の循環配管（第２の配管）２３と、第１の循環ヒータ（第２のヒータ）２４と、硫酸補充ユニット２５と、を含む。

　図２に示すように、リクレームタンク２１は、対応する３つのタワーに含まれる合計９つの処理ユニット６から回収されたＳＰＭを、硫酸含有液として貯留する。具体的には、リクレームタンク２１には、後述する回収配管１５６に接続された回収導出配管２６の下流端が接続されている。各処理ユニット６の処理カップ１１１に回収されたＳＰＭは、回収配管１５６および回収導出配管２６を通ってリクレームタンク２１に導かれ、硫酸含有液としてリクレームタンク２１に貯留される。回収導出配管２６の途中部には、回収導出配管２６を流通するＳＰＭ中の異物を捕捉して除去する第１の捕獲フィルタ２７が介装されている。第１の捕獲フィルタ２７は、ＳＰＭ中に含まれる比較的大きな異物を捕捉するためのフィルタである。第１の捕獲フィルタ２７は、後述する第３の捕獲フィルタ３７と同等の構成である。第１の捕獲フィルタ２７は、次に述べる第２の捕獲フィルタ３０や第３の捕獲フィルタ（フィルタ）３７と比較して、後述する孔７１（図３参照）の径が大きい。回収導出配管２６は上下に延びており、回収導出配管２６を流通するＳＰＭの自重によって、第１の捕獲フィルタ２７にＳＰＭが押し付けられる。これにより、第１の捕獲フィルタ２７によって比較的大きな異物が捕捉される。そして、比較的大きな異物が除去された後のＳＰＭが、硫酸含有液としてリクレームタンク２１に貯留される。

　リクレームタンク２１には、３つのタワーに対応する３つの回収導出配管２６の下流端が、それぞれ接続されている。図２では、１つのタワーについてのみ詳細に図示し、他の２つのタワーに関しては、「他のタワー」とのみ記載し、詳細な記載を省略している。

　図２に示すように、リクレームタンク２１には、第１の循環タンク２２に下流端が接続された移送配管２８の上流端が接続されている。移送配管２８には、リクレームタンク２１内の硫酸含有液を汲み出すためのポンプ等の第１の送液装置２９、および移送配管２８を流通する硫酸含有液中に含まれる比較的小さな異物を捕捉して除去するための第２の捕獲フィルタ３０が介装されている。第２の捕獲フィルタ３０は、次に述べる第３の捕獲フィルタ３７と同等の構成である。第２の捕獲フィルタ３０は、第３の捕獲フィルタ３７と同等の孔７１（図３参照）の径を有する。図２に示すように、第１の送液装置２９および第２の捕獲フィルタ３０は、リクレームタンク２１側からこの順で並んでいる。そのため、第１の送液装置２９による汲み出し力によって、移送配管２８を流通する硫酸含有液が第２の捕獲フィルタ３０に押し付けられる。これにより、第２の捕獲フィルタ３０によって異物を捕捉できる。リクレームタンク２１から第１の循環タンク２２に移送配管２８を介して硫酸含有液が送られ、この硫酸含有液が第１の循環タンク２２に貯留される（第１の貯留工程）。

　図２に示すように、第１の循環タンク２２には、第２の硫酸含有液供給装置１０（第２の貯液部１２）に向けて延びた第１の導液配管３１が接続されている。第１の導液配管３１の途中部には、第１の循環タンク２２内の硫酸含有液を汲み出すためのポンプ等の第２の送液装置３２が介装されている。第１の導液配管３１の途中部には、第２の送液装置３２の下流側に第３の捕獲フィルタ３７および開閉バルブ３８が介装されている。第３の捕獲フィルタ３７は、第１の導液配管３１を流通する硫酸含有液中に含まれる比較的小さな異物を捕捉して除去するためのフィルタである。第３の捕獲フィルタ３７は、第２の捕獲フィルタ３０で除去し切れなかった異物を除去する。

　図３に示すように、第３の捕獲フィルタ３７は、たとえば、下流端側が閉塞された筒状であり、たとえば標準閉塞タイプのフィルタである。第３の捕獲フィルタ３７の全域には、第３の捕獲フィルタ３７の厚み方向に、第３の捕獲フィルタ３７を貫通する複数の孔７１が形成されている。第３の捕獲フィルタ３７の孔７１は、第３の捕獲フィルタ３７の厚み方向から見て、たとえば正方形状であるが、当該方向から見て、正角形状以外の多角形状や円形状や楕円形状であってもよい。

　図３に示すように、第３の捕獲フィルタ３７は、第３の捕獲フィルタ３７を内部に保持するハウジング７２に着脱可能に取り付けられている。ハウジング７２は、第３の捕獲フィルタ３７よりも上流側の配管（第１の導液配管３１）の下流端が接続された流入部７３と、第３の捕獲フィルタ３７よりも下流側の配管（第１の導液配管３１）の上流端が接続された流出部７４と、を備えている。

　図３に示すように、ハウジング７２の内部は、第３の捕獲フィルタ３７によって、ろ過すべき硫酸含有液が流通する第３の捕獲フィルタ３７の上流側空間Ｂ１と、ろ過された硫酸含有液が流通する第３の捕獲フィルタ３７の下流側空間Ｂ２とに仕切られている。第２の送液装置３２による汲み出し力によって、第１の導液配管３１を流通する硫酸含有液が第３の捕獲フィルタ３７に押し付けられ、上流側空間Ｂ１から下流側空間Ｂ２に向かって硫酸含有液が流れて第３の捕獲フィルタ３７の孔７１を通過する。これにより、第３の捕獲フィルタ３７によって硫酸含有液がろ過される。上流側空間Ｂ１に存在する硫酸含有液に含まれる異物は、孔７１を区画する第３の捕獲フィルタ３７の壁面によって吸着されることにより孔７１内に捕捉される。これにより、第３の捕獲フィルタ３７によって異物が除去される。

　図２に示すように、開閉バルブ３８は、第１の導液配管３１における硫酸含有液の流通およびその停止を制御するためのバルブである。

　図２に示すように、第１の導液配管３１には、開閉バルブ３８と第３の捕獲フィルタ３７との間において、リターン配管４０が分岐接続されている。リターン配管４０の下流端は第１の循環タンク２２へ延びている。リターン配管４０の途中部には、リターンバルブ４１が介装されている。第１の導液配管３１におけるリターン配管４０の分岐位置４２の下流側部分と、リターン配管４０とによって、第１の循環配管２３が構成されている。

　図２に示すように、硫酸補充ユニット２５は、新しい硫酸（基板Ｗの処理に未使用の硫酸）を第１の循環タンク２２に供給するユニットである。硫酸補充ユニット２５は、第１の循環タンク２２に硫酸を補充する硫酸補充配管４４と、硫酸補充配管４４を開閉する硫酸補充バルブ４５と、を含む。補充される硫酸は、未使用の硫酸（たとえば濃硫酸）であり、その硫酸濃度は、第１の循環タンク２２内の硫酸含有液における硫酸濃度よりも高い。補充される硫酸は、室温（約２３℃～約２５℃）である。

　基板処理装置１の運転中（基板Ｗの処理を停止している期間を含む）において、第２の送液装置３２および第１の循環ヒータ２４が常に駆動されている。そのため、開閉バルブ３８が閉じられかつリターンバルブ４１が開かれることにより、第１の循環タンク２２から汲み出される硫酸含有液が、第１の導液配管３１を分岐位置４２まで流れ、その分岐位置４２からリターン配管４０を通して第１の循環タンク２２に戻される。つまり、第２の貯液部１２に硫酸含有液を送らない期間は、第１の循環タンク２２および第１の循環配管２３を硫酸含有液が循環している。そして、第２の貯液部１２に硫酸含有液を送るタイミングになると、開閉バルブ３８が開かれかつリターンバルブ４１が閉じられることによって、第１の循環タンク２２から汲み出される硫酸含有液が、第１の導液配管３１を通して第２の貯液部に供給される。

　図２に示すように、第１の循環ヒータ２４は、第１の導液配管３１の途中部において第１の送液装置２９の上流側に介装されている。第１の循環ヒータ２４は、第１の循環タンク２２および第１の循環配管２３を循環する硫酸含有液を加熱する（第２の加熱工程）。第１の循環ヒータ２４の加熱温度は、所定の第１の温度（第２の加熱温度。たとえば約１２０℃～約１３０℃）に設定されている。第１の循環タンク２２および第１の循環配管２３を硫酸含有液が循環することにより、硫酸含有液が第１の温度に調整される。第２の貯液部１２に硫酸含有液を送らない期間、硫酸含有液を循環させておくことによって、第１の温度に調整された硫酸含有液を第１の循環タンク２２に貯留しておくことができる。また、開閉バルブ３８の開成後、第１の温度に調整された硫酸含有液を第２の貯液部１２に送ることができる。

　図２に示すように、第１の貯液部１１は、排液タンク５０をさらに含む。第１の循環タンク２２には、排液タンク５０に向けて延びた排液配管４６が接続されている。排液配管４６の途中部には、排液配管４６を開閉する排液バルブ４７が介装されている。第１の循環タンク２２に貯留されている硫酸含有液を、それ以上基板Ｗの処理のために使用しない場合には、排液バルブ４７が開かれ、第１の循環タンク２２に貯留されている硫酸含有液が、第１の循環タンク２２から排出され排液タンク５０に導かれ、排液タンク５０に貯留される。

　図２に示すように、排液タンク５０からは導出配管４８が延び、その導出配管４８の下流端が、冷却ユニット（図示しない）に接続されている。導出配管４８には、ポンプ等の第３の送液装置４９が介装されている。第３の送液装置４９が駆動されると、排液タンク５０に貯留されている硫酸含有液は導出配管４８に汲み出され、冷却ユニットに与えられる。そして、その冷却ユニットによって冷却された硫酸含有液は、機外に設けられた廃液装置（図示しない）に案内され、その廃液装置において処理される。

　以上、第１の貯液部１１について説明した。第１の貯液部１１において、処理ユニット６から回収されたＳＰＭが、硫酸含有液として第１の循環タンク２２に貯留される。第１の循環タンク２２に貯留されている硫酸含有液が、第１の循環配管２３を循環する。また、硫酸補充ユニット２５からの硫酸が第１の循環タンク２２に補充される。硫酸補充ユニット２５が設けられているため、第１の貯液部１１を、硫酸濃度調整用の貯液部と捉えることができる。

　図４は、図１にそれぞれ示す第２の硫酸含有液供給装置１０および装置本体２を、水平方向から見た図である。

　第２の硫酸含有液供給装置１０に含まれる第２の貯液部１２は、第２の循環タンク（第２のタンク）５１と、第２の循環ヒータ（第１のヒータ）５２と、第２の循環配管５３と、ヒータ（第３のヒータ）５４と、を含む。

　第２の循環タンク５１には、第１の導液配管３１の下流端が接続されている。第２の循環タンク５１には、第１の貯液部１１において第１の温度（たとえば約１２０℃～約１３０℃）に温度調整された硫酸含有液が導かれる。そして、導かれた硫酸含有液が第２の循環タンク５１に貯留される（第２の貯留工程）。

第２の循環タンク５１には、高さの異なる複数の位置にそれぞれセンサ部を有する液量計６５が取り付けられており、これらの液量計６５によって、第２の循環タンク５１に貯留されている硫酸含有液の液面高さが検出される。

　第２の循環タンク５１には、共通配管５１Ａが接続されている。第２の循環ヒータ５２が、共通配管５１Ａの途中部に介装されている。

　第２の循環タンク５１および共通配管５１Ａには、３つの硫酸含有液流通配管５１Ｂが接続されている。具体的には、共通配管５１Ａの下流端に、対応するタワーにそれぞれ硫酸を供給するための３つの硫酸含有液流通配管５１Ｂの上流端が接続されている。第２の循環タンク５１には、これら３つの硫酸含有液流通配管５１Ｂの下流端が接続されている。共通配管５１Ａおよび硫酸含有液流通配管５１Ｂによって第２の循環配管５３が構成されている。硫酸含有液流通配管５１Ｂの途中部には、共通配管５１Ａ内の硫酸含有液を汲み出すためのポンプ等の第４の送液装置５６が介装されている。第４の送液装置５６によって第２の循環配管５３に汲み出された硫酸含有液は、硫酸含有液流通配管５１Ｂを上流端から下流端まで流通し、第２の循環タンク５１に戻る。これにより、硫酸含有液が、第２の循環タンク５１ならびに第２の循環配管５３（共通配管５１Ａおよび硫酸含有液流通配管５１Ｂ）を循環する。

　図４では、１つのタワーについてのみ詳細に図示し、他の２つのタワーに関しては、「他のタワー」とのみ記載し、詳細な記載を省略している。

　第２の循環ヒータ５２は、第２の循環タンク５１ならびに第２の循環配管５３（共通配管５１Ａおよび硫酸含有液流通配管５１Ｂ）を循環する硫酸含有液を加熱する（第１の加熱工程）。第２の循環ヒータ５２の加熱温度は、所定の第２の温度（＞第１の温度。第１の加熱温度。たとえば約１６０℃）に設定されている。第２の循環タンク５１ならびに第２の循環配管５３（共通配管５１Ａおよび硫酸含有液流通配管５１Ｂ）を硫酸含有液が循環することにより、硫酸含有液が、それまでの第１の温度から第２の温度に調整される。

　第２の貯液部１２は、第２の循環配管５３から分岐して、対応するタワーに含まれる複数（３つの）の処理ユニット６に硫酸含有液を供給するための硫酸含有液供給配管５７を、タワーに含まれる処理ユニット６の数と同数含む。

　ヒータ（第３のヒータ）５４が、各硫酸含有液供給配管５７の途中部に介装されている。また、各硫酸含有液供給配管５７の途中部には、ヒータ５４の下流側において、ヒータ５４側から順に、流量計５８、硫酸含有液流量調整バルブ（混合比変更ユニット）５９および硫酸含有液バルブ６０が介装されている。

　流量計５８は、各硫酸含有液供給配管５７内を流れる硫酸含有液の流量を検出する流量計である。

　硫酸含有液流量調整バルブ５９は、硫酸含有液供給配管５７の開度を調整して、ＳＰＭノズル１３に供給される硫酸含有液の流量を調整するためのバルブである。硫酸含有液流量調整バルブ５９は、弁座が内部に設けられたバルブボディと、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータと、を含む構成であってもよい。

　硫酸含有液バルブ６０は、ＳＰＭノズル１３への硫酸含有液の供給およびその停止を制御するためのバルブである。

　硫酸含有液供給配管５７には、硫酸含有液バルブ６０と硫酸含有液流量調整バルブ５９との間において、リターン配管６１が分岐接続されている。リターン配管６１の下流端は硫酸含有液流通配管５１Ｂに接続されている。硫酸含有液供給配管５７における分岐位置６３の上流側部分の圧力損失が、リターン配管６１での圧力損失よりも大きい。

　ＳＰＭノズル１３に硫酸含有液を供給するときは、制御装置４は、硫酸含有液バルブ６０を開く。これにより、リターン配管６１での圧力損失が、硫酸含有液供給配管５７における分岐位置６３の下流側部分の圧力損失よりも大きくなる。そのため、硫酸含有液供給配管５７における分岐位置６３の上流側部分内の硫酸含有液は、硫酸含有液供給配管５７における分岐位置６３の下流側部分に供給され、この下流側部分からＳＰＭノズル１３に供給される。

　ＳＰＭノズル１３への硫酸含有液の供給を停止させるときは、制御装置４は、硫酸含有液バルブ６０を閉じる。これにより、リターン配管６１での圧力損失が、硫酸含有液供給配管５７における分岐位置６３の下流側部分の圧力損失よりも小さくなる。そのため、分岐位置６３に到達した硫酸含有液は、硫酸含有液供給配管５７における分岐位置６３の上流側部分を逆流することなく、リターン配管６１へと導かれる。リターン配管６１に導かれた硫酸含有液は、硫酸含有液流通配管５１Ｂに戻り、再び、第２の循環タンク５１および第２の循環配管５３（共通配管５１Ａおよび硫酸含有液流通配管５１Ｂ）を循環する。

　ヒータ５４は、硫酸含有液供給配管５７を流通する硫酸含有液を加熱する。ヒータ５４の加熱温度は、所定の第３の温度（＞第２の温度。たとえば約１６５℃）に設定されている。硫酸含有液供給配管５７を硫酸含有液が流通することにより、それまで、第２の温度に温度調整されていた硫酸含有液が、それまでの第２の温度から第３の温度に昇温する。

　基板処理装置１の運転中（基板Ｗの処理を停止している期間を含む）において、第４の送液装置５６および第２の循環ヒータ５２が常に駆動されている。そのため、基板処理装置１の運転中は、第２の循環タンク５１ならびに第２の循環配管５３（共通配管５１Ａおよび硫酸含有液流通配管５１Ｂ）を、第２の温度に温度調整された硫酸含有液が循環している。

　硫酸含有液バルブ６０が閉じられた状態では、第２の循環配管５３を流れる硫酸含有液は、第２の循環配管５３から硫酸含有液供給配管５７に流れ、分岐位置６３を介してリターン配管６１に流れて、硫酸含有液流通配管５１Ｂに戻る。これにより、第２の循環タンク５１および第２の循環配管５３を循環する。

　一方で、硫酸含有液バルブ６０が開かれた状態では、硫酸含有液流通配管５１Ｂを流れる硫酸含有液は、第２の循環配管５３から硫酸含有液供給配管５７に流れ、ＳＰＭノズル１３に供給される。つまり、第３の温度に調整された硫酸含有液がＳＰＭノズル１３に供給される。

　液量計６５の出力の参照により、第２の循環タンク５１に溜められている硫酸含有液の液量は、制御装置４によって常時監視されている。そして、第２の循環タンク５１に溜められている硫酸含有液の液量が下限液量よりも少なくなると、開閉バルブ３８が開かれ、第１の貯液部１１から第１の導液配管３１を通って硫酸含有液が供給される。

　３つの硫酸含有液流通配管５１Ｂのうち１つには、第４の送液装置５６の下流側に、硫酸含有液流通配管５１Ｂを流れる硫酸含有液（つまりは、第２の循環タンク５１および第２の循環配管５３を循環している硫酸含有液）の硫酸濃度を計測する硫酸濃度計６４が介装されている。３つの第２の循環配管５３を流れる硫酸含有液の硫酸濃度は互いに同一であると考えられるため、硫酸濃度計６４は、３つの第２の循環配管５３のうち１つに介装すれば足りる。

　硫酸濃度計６４の出力の参照により、すなわち、第２の循環タンク５１および第２の循環配管５３を循環している硫酸含有液の硫酸濃度（第２の循環タンク５１に溜められている硫酸含有液の硫酸濃度）は、制御装置４によって常時監視されている。そして、第２の循環タンク５１および第２の循環配管５３を循環している硫酸含有液の硫酸濃度が下限濃度よりも低くなると、硫酸補充配管４４を開閉する硫酸補充バルブ４５が開かれ、第１の循環タンク２２に硫酸が供給される（硫酸補充工程）。これにより、第１の循環タンク２２および第１の循環配管２３を循環している硫酸含有液の硫酸濃度が高くなり、それに従い、その後しばらくの期間の経過後には、第２の循環タンク５１および第２の循環配管５３を循環している硫酸含有液の硫酸濃度が高くなる。

　以上、第２の貯液部１２について説明した。第２の貯液部１２において、第１の貯液部１１から送られた硫酸含有液が第２の循環タンク５１に貯留される。第２の循環タンク５１に貯留されている硫酸含有液が加熱される。これにより、第２の貯液部１２における硫酸含有液の温度を処理に適した温度まで上昇できる。そのため、第２の貯液部１２を、硫酸含有液の温度調整用の貯液部と捉えることができる。

　図５は、処理ユニット６の構成例を説明するための図解的な断面図である。

　処理ユニット６は、内部空間を有する箱形のチャンバ１０７と、チャンバ１０７内で１枚の基板Ｗを水平な姿勢で保持して、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック（基板保持ユニット）１０８と、ＳＰＭノズル１３と、スピンチャック１０８に保持されている基板Ｗの上面にリンス液を供給するためのリンス液供給ユニット１１０と、スピンチャック１０８を取り囲む筒状の処理カップ１１１と、を含む。

　チャンバ１０７は、箱状の隔壁１１２と、隔壁１１２の上部から隔壁１１２内（チャンバ１０７内に相当）に清浄空気を送る送風ユニットとしてのＦＦＵ（ファン・フィルタ・ユニット）１１４と、隔壁１１２の下部からチャンバ１０７内の気体を排出する排気装置（図示しない）と、を含む。ＦＦＵ１１４は隔壁１１２の上方に配置されており、隔壁１１２の天井に取り付けられている。ＦＦＵ１１４は、隔壁１１２の天井からチャンバ１０７内に清浄空気を送る。排気装置（図示しない）は、処理カップ１１１に接続された排気ダクト１１３を介して処理カップ１１１の底部に接続されており、処理カップ１１１の底部から処理カップ１１１内の気体を吸引する。ＦＦＵ１１４および排気装置（図示しない）により、チャンバ１０７内にダウンフロー（下降流）が形成される。

　スピンチャック１０８として、基板Ｗを水平方向に挟んで基板Ｗを水平に保持する挟持式のチャックが採用されている。具体的には、スピンチャック１０８は、スピンモータ（回転ユニット）Ｍと、このスピンモータＭの駆動軸と一体化されたスピン軸１１５と、スピン軸１１５の上端に略水平に取り付けられた円板状のスピンベース１１６と、を含む。

　スピンベース１１６は、基板Ｗの外径よりも大きな外径を有する水平な円形の上面１１６ａを含む。上面１１６ａには、その周縁部に複数個（３個以上。たとえば６個）の挟持部材１１７が配置されている。複数個の挟持部材１１７は、スピンベース１１６の上面周縁部において、基板Ｗの外周形状に対応する円周上で適当な間隔を空けて配置されている。

　ＳＰＭノズル１３は、たとえば、連続流の状態でＳＰＭを吐出するストレートノズルである。ＳＰＭノズル１３は、ノズルアーム１１９の先端部に取り付けられている。ＳＰＭノズル１３は、たとえば、基板Ｗの上面に垂直な方向に処理液（ＳＰＭ）を吐出する垂直姿勢でノズルアーム１１９に取り付けられている。ノズルアーム１１９は水平方向に延びている。また、ノズルアーム１１９には、ノズルアーム１１９を移動させることにより、ＳＰＭノズル１３を移動させるノズル移動ユニット１２０が結合されている。ノズル移動ユニット１２０は、電動モータを含む構成である。

　ノズル移動ユニット１２０は、処理カップ１１１のまわりに設定された鉛直な揺動軸線まわりにノズルアーム１１９を水平移動させることにより、ＳＰＭノズル１３を水平に移動させる。ノズル移動ユニット１２０は、ＳＰＭノズル１３から吐出されたＳＰＭが基板Ｗの上面に着液する処理位置と、ＳＰＭノズル１３が平面視でスピンチャック１０８の周囲に位置する退避位置との間で、ＳＰＭノズル１３を水平に移動させる。この実施形態では、処理位置は、たとえば、ＳＰＭノズル１３から吐出されたＳＰＭが基板Ｗの上面中央部に着液する中央位置である。

　処理液供給装置は、ＳＰＭノズル１３に過酸化水素水（Ｈ_２Ｏ_２）を供給する過酸化水素水供給ユニット１２２を含む。過酸化水素水供給ユニット１２２は、ＳＰＭノズル１３に接続された過酸化水素水配管１３５と、過酸化水素水配管１３５を開閉するための過酸化水素水バルブ１３６と、過酸化水素水バルブ１３６の開度を調整して、過酸化水素水バルブ１３６を流通する過酸化水素水の流量を調整する過酸化水素水流量調整バルブ（混合比変更ユニット）１３７と、を含む。過酸化水素水流量調整バルブ１３７は、弁座が内部に設けられたバルブボディと、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータと、を含む構成であってもよい。過酸化水素水配管１３５には、過酸化水素水供給源（図示しない）から、温度調整されていない常温（２０～４０℃）程度の過酸化水素水が供給される。

　硫酸含有液バルブ６０および過酸化水素水バルブ１３６が開かれると、硫酸含有液供給配管５７からの高温（１６５℃）の硫酸含有液および過酸化水素水配管１３５からの過酸化水素水が、ＳＰＭノズル１３のケーシング（図示しない）内へと供給され、ケーシング内において十分に混合（攪拌）される。この混合によって、硫酸含有液と過酸化水素水とが均一に混ざり合い、硫酸含有液に含まれる硫酸と過酸化水素水との反応によって硫酸および過酸化水素水の混合液（ＳＰＭ）が生成される。ＳＰＭは、酸化力が強いペルオキソ一硫酸（Peroxomonosulfuric acid；Ｈ_２ＳＯ_５）を含み、混合前の硫酸含有液（たとえば約１６５℃）および過酸化水素水の温度よりも高い温度（たとえば約１９０℃～約２２０℃）まで昇温させられる。生成された高温のＳＰＭは、ＳＰＭノズル１３のケーシングの先端（たとえば下端）に開口した吐出口から吐出される。

　ＳＰＭノズル１３に供給される硫酸含有液の流量は、硫酸含有液流量調整バルブ５９によって変更される。ＳＰＭノズル１３に供給される過酸化水素水の流量は、過酸化水素水流量調整バルブ１３７によって変更される。したがって、硫酸含有液および過酸化水素水の混合比は、硫酸含有液流量調整バルブ５９および過酸化水素水流量調整バルブ１３７によって変更される。硫酸含有液および過酸化水素水の混合比（硫酸含有液および過酸化水素水の流量比）は、たとえば、３０：１（硫酸含有液：過酸化水素水）～２：１（硫酸含有液：過酸化水素水）の範囲内で調整される。

　リンス液供給ユニット１１０は、基板Ｗの上面に向けてリンス液を吐出するリンス液ノズル１４７を含む。リンス液ノズル１４７は、たとえば、連続流の状態で液を吐出するストレートノズルである。リンス液ノズル１４７は、チャンバ１０７の隔壁１１２に対して固定された固定ノズルである。リンス液ノズル１４７の吐出口は、基板Ｗの上面中央部に向けてられている。リンス液ノズル１４７は、チャンバ１０７内で移動可能なスキャンノズルであってもよい。すなわち、リンス液供給ユニット１１０は、リンス液ノズル１４７を移動させることにより、基板Ｗの上面に対するリンス液の着液位置を基板Ｗの上面内で移動させるノズル移動ユニットを備えていてもよい。

　リンス液ノズル１４７は、リンス液供給源からのリンス液を案内するリンス液配管１４８に接続されている。リンス液配管１４８の途中部には、リンス液ノズル１４７からのリンス液の供給／供給停止を切り換えるためのリンス液バルブ１４９が介装されている。リンス液バルブ１４９が開かれると、リンス液がリンス液配管１４８からリンス液ノズル１４７に供給され、リンス液ノズル１４７の下端に設けられた吐出口から吐出される。

　リンス液バルブ１４９が閉じられると、リンス液配管１４８からリンス液ノズル１４７へのリンス液の供給が停止される。リンス液は、たとえば脱イオン水（ＤＩＷ（Ｄeionized Ｗater））であるが、ＤＩＷに限らず、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、アンモニア水および希釈濃度（たとえば、１０ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度）の塩酸水のいずれかであってもよい。リンス液は、常温（２０～４０℃）であってもよいし、基板Ｗに供給される前に加熱されていてもよい。

　処理カップ１１１は、スピンチャック１０８に保持されている基板Ｗよりも外方（回転軸線Ａ１から離れる方向）に配置されている。処理カップ１１１は、スピンベース１１６の側方を取り囲んでいる。スピンチャック１０８が基板Ｗを回転させている状態で、処理液が基板Ｗに供給されると、基板Ｗに供給された処理液が基板Ｗの周囲に振り切られる。処理液が基板Ｗに供給されるとき、上向きに開いた処理カップ１１１の上端部１１１ａは、スピンベース１１６よりも上方に配置される。したがって、基板Ｗの周囲に排出された薬液や水などの処理液は、処理カップ１１１によって受け止められる。そして、処理カップ１１１に受け止められた処理液は、第１の貯液部１１のリクレームタンク２１に送られるか、または冷却ユニット（図示しない）を介して廃液装置（図示しない）に送られる。

　処理カップ１１１は、基板Ｗの周囲に飛散した処理液（薬液またはリンス液）を受け止める複数の筒状のガード（第１のガード１４３、第２のガード１４４および第３のガード１４５）と、複数のガードによって案内された処理液を受け止める環状の複数のカップ（第１のカップ１４１および第２のカップ１４２）と、複数のガードおよび複数のカップを取り囲む円筒部材１４０と、を含む。

　処理カップ１１１は、さらに、個々のガード（第１のガード１４３、第２のガード１４４および第３のガード１４５）を独立して昇降させるガード昇降ユニット１４６を含む。ガード昇降ユニット１４６は、たとえば、動力を発生する電動モータと、電動モータの動力をいずれかのガードに伝達するボールねじ機構と、を含む。ガード昇降ユニット１４６が３つのガードのうちの少なくとも一つを昇降させると、処理カップ１１１の状態が切り換わる。

　後述するように、処理カップ１１１の状態は、全てのガードの上端が基板Ｗよりも下方に配置された退避状態（図５に示す状態）と、第１のガード１４３が基板Ｗの周端面に対向する第１の対向状態と、第２のガード１４４が基板Ｗの周端面に対向する第２の対向状態と、第３のガード１４５が基板Ｗの周端面に対向する第３の対向状態と、のうちのいずれかに切り換えられる。

　第１のカップ１４１は、円筒部材１４０の内側でスピンチャック１０８を取り囲んでいる。第１のカップ１４１は、基板Ｗの処理に使用された処理液が流入する環状の第１の溝１５０を区画している。第１の溝１５０の底部の最も低い箇所には、排液口１５１が開口しており、排液口１５１には、第１の排液配管１５２が接続されている。第１の排液配管１５２に導入される処理液は、排液装置に送られ、当該装置で処理される。

　第２のカップ１４２は、円筒部材１４０の内側で第１のカップ１４１を取り囲んでいる。第２のカップ１４２は、基板Ｗの処理に使用された処理液が流入する環状の第２の溝１５３を区画している。第２の溝１５３の底部の最も低い箇所には、排液／回収口１５４が開口しており、排液／回収口１５４には、共用配管１５５が接続されている。回収配管１５６および第２の排液配管１５７は、共用配管１５５から分岐している。回収配管１５６の上流端は、共用配管１５５に接続されており、回収配管１５６の下流端は、第１の貯液部１１のリクレームタンク２１に接続されている。

　回収配管１５６には回収バルブ１５８が介装されており、第２の排液配管１５７には排液バルブ１５９が介装されている。排液バルブ１５９が閉じられ、回収バルブ１５８が開かれると、共用配管１５５内を流れる液が回収配管１５６に導かれる。また、排液バルブ１５９が開かれ、回収バルブ１５８が閉じられると、共用配管１５５内を流れる液が第２の排液配管１５７に導かれる。回収バルブ１５８および排液バルブ１５９は、基板Ｗから排出された液が流入する配管を回収配管１５６と第２の排液配管１５７との間で切り換える回収排液切り換えユニットに含まれる。

　最も内側の第１のガード１４３は、円筒部材１４０の内側でスピンチャック１０８を取り囲んでいる。第１のガード１４３は、スピンチャック１０８の周囲を取り囲む円筒状の下端部１６３と、下端部１６３の上端から外方（基板Ｗの回転軸線Ａ１から遠ざかる方向）に延びる筒状部１６４と、筒状部１６４の上端から鉛直上方に延びる円筒状の中段部１６５と、中段部１６５の上端から内方（基板Ｗの回転軸線Ａ１に近づく方向）に向かって斜め上方に延びる円環状の上端部１６６と、を含む。

　第１のガード１４３の下端部１６３は、第１のカップ１４１の第１の溝１５０上に位置している。第１のガード１４３の上端部１６６の内周端は、平面視で、スピンチャック１０８に保持される基板Ｗよりも大径の円形をなしている。図５に示すように、第１のガード１４３の上端部１６６の断面形状は直線状である。上端部１６６の断面形状は、円弧などの直線状以外の形状であってもよい。

　内側から２番目の第２のガード１４４は、円筒部材１４０の内側で第１のガード１４３を取り囲んでいる。第２のガード１４４は、第１のガード１４３を取り囲む円筒部１６７と、円筒部１６７の上端から中心側（基板Ｗの回転軸線Ａ１に近づく方向）に斜め上方に延びる円環状の上端部１６８と、を有している。第２のガード１４４の円筒部１６７は、第２のカップ１４２の第２の溝１５３上に位置している。

　第２のガード１４４の上端部１６８の内周端は、平面視で、スピンチャック１０８に保持される基板Ｗよりも大径の円形をなしている。第２のガード１４４の上端部１６８の断面形状は直線状である。上端部１６８の断面形状は、円弧などの直線状以外の形状であってもよい。第２のガード１４４の上端部１６８は、第１のガード１４３の上端部１６６と上下方向に重なっている。第２のガード１４４の上端部１６８は、第１のガード１４３と第２のガード１４４とが最も近接した状態で第１のガード１４３の上端部１６６に対して微少な隙間を保って近接するように形成されている。

　内側から３番目の第３のガード１４５は、円筒部材１４０の内側で第２のガード１４４を取り囲んでいる。第３のガード１４５は、第２のガード１４４を取り囲む円筒部１７０と、円筒部１７０の上端から中心側（基板Ｗの回転軸線Ａ１に近づく方向）に斜め上方に延びる円環状の上端部１７１と、を有している。上端部１７１の内周端は、平面視で、スピンチャック１０８に保持される基板Ｗよりも大径の円形をなしている。上端部１７１の断面形状は直線状である。上端部１７１の断面形状は、円弧などの直線状以外の形状であってもよい。

　第１のカップ１４１の第１の溝１５０、第１のガード１４３の内壁１４３ａおよびスピンチャック１０８のケーシングの外周は、基板Ｗの処理に用いられた薬液が導かれる第１の流通空間（換言すると、排液空間）ＳＰ１を区画している。第２のカップ１４２の第２の溝１５３、第１のガード１４３の外壁１４３ｂおよび第２のガード１４４の内壁１４４ａは、基板Ｗの処理に用いられた薬液が導かれる第２の流通空間（換言すると、回収空間）ＳＰ２を区画している。第１の流通空間ＳＰ１と第２の流通空間ＳＰ２とは、第１のガード１４３によって互いに隔離されている。

　ガード昇降ユニット１４６は、ガードの上端部が基板Ｗより上方に位置する上位置と、ガードの上端部が基板Ｗより下方に位置する下位置との間で、各ガード（第１のガード１４３、第２のガード１４４および第３のガード１４５）を昇降させる。ガード昇降ユニット１４６は、上位置と下位置との間の任意の位置で各ガードを保持可能である。基板Ｗへの処理液の供給は、いずれかのガードが基板Ｗの周端面に対向している状態で行われる。

　最も内側の第１のガード１４３を基板Ｗの周端面に対向させる、処理カップ１１１の第１の対向状態では、第１のガード１４３、第２のガード１４４および第３のガード１４５の全てが上位置（処理高さ位置）に配置される。内側から２番目の第２のガード１４４を基板Ｗの周端面に対向させる、処理カップ１１１の第２の対向状態では、第２および第３のガード１４４，１４５が上位置に配置され、かつ第１のガード１４３が下位置に配置される。最も外側の第３のガード１４５を基板Ｗの周端面に対向させる、処理カップ１１１の第３の対向状態では、第３のガード１４５が上位置に配置され、かつ第１のガード１４３および第２のガード１４４が下位置に配置される。全てのガードを、基板Ｗの周端面から退避させる退避状態（図５参照）では、第１のガード１４３、第２のガード１４４および第３のガード１４５の全てが下位置に配置される。

　後述するように、処理カップ１１１を第１の対向状態から第２の対向状態に切り換えるときに、第１のガード１４３は、第２のガード１４４および第３のガード１４５が上位置に配置されている状態で、上位置と下位置との間の洗浄高さ位置に配置される。この状態は、処理カップ１１１が第１の対向状態から第２の対向状態に切り換わる移行状態である。処理カップ１１１は、第１～第３の対向状態、退避状態、および移行状態を含む複数の状態のうちのいずれかに切り換わる。移行状態は、第１のガード１４３が基板Ｗの周端面に対向する状態である。

　図６は、基板処理装置１の電気的構成を説明するためのブロック図である。

　制御装置４は、たとえばコンピュータである。制御装置４は、ＣＰＵ等の演算ユニットと、固定メモリデバイス、ハードディスクドライブ等の記憶ユニットと、情報の入力および出力が行われる入出力ユニットと、を有している。記憶ユニットは、演算ユニットによって実行されるコンピュータプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体を含む。記録媒体には、制御装置４に後述するレジスト除去処理を実行させるようにステップ群が組み込まれている。

　制御装置４は、予め定められたプログラムにしたがって、スピンモータＭ、ノズル移動ユニット１２０、ガード昇降ユニット１４６、第１の送液装置２９、第２の送液装置３２、第３の送液装置４９、第４の送液装置５６、第１の循環ヒータ２４、第２の循環ヒータ５２、ヒータ５４等の動作を制御する。また、制御装置４は、予め定められたプログラムにしたがって、開閉バルブ３８、リターンバルブ４１、硫酸補充バルブ４５、排液バルブ４７、硫酸含有液バルブ６０、過酸化水素水バルブ１３６、リンス液バルブ１４９、回収バルブ１５８、排液バルブ１５９等の開閉動作を制御する。また、制御装置４は、予め定められたプログラムにしたがって、硫酸含有液流量調整バルブ５９、過酸化水素水流量調整バルブ１３７の開度を調整する。硫酸濃度計６４および液量計６５の計測値はそれぞれ制御装置４に入力される。

　図７は、基板処理装置１によって行われる基板Ｗの処理の一例について説明するためのフローチャートである。

　以下では、図１～図７を参照しながら、基板Ｗの処理の一例について説明する。この基板Ｗの処理の一例は、基板Ｗの上面（主面）からレジストを除去するレジスト除去処理である。レジストは、たとえば、炭素を含む化合物によって形成されたフォトレジストである。

　基板処理装置１によって基板Ｗが処理されるとき、制御装置４は、全てのノズルがスピンチャック１０８の上方から退避しており、全てのガード１４３～１４５が下位置に位置している状態で、基板Ｗの表面（デバイス形成面）の少なくとも一部がレジストで覆われた基板Ｗを保持している基板搬送ロボット（第１の基板搬送ロボットＣＲ１、第２の基板搬送ロボットＣＲ２（図１参照））のハンドをチャンバ１０７の内部に進入させる。これにより、基板Ｗは、その表面が上に向けた状態でスピンチャック１０８に渡され、スピンチャック１０８に保持される。

　基板Ｗがスピンチャック１０８に保持された後、制御装置４は、スピンモータＭに回転を開始させる。これにより、基板Ｗの回転が開始される（図７のＳ２）。基板Ｗの回転速度は、予め定める液処理速度（３００～１５００ｒｐｍの範囲内で、たとえば５００ｒｐｍ）まで上昇させられ、その液処理速度に維持される。そして、基板Ｗの回転速度が液処理速度に達すると、制御装置４は、ＳＰＭ工程Ｓ３を実行する。

　具体的には、制御装置４は、ノズル移動ユニット１２０を制御して、ＳＰＭノズル１３を、退避位置から処理位置に移動させる。また、制御装置４は、硫酸含有液バルブ６０および過酸化水素水バルブ１３６を同時に開く。これにより、硫酸含有液供給配管５７を通って硫酸含有液がＳＰＭノズル１３に供給されると共に、過酸化水素水配管１３５を通って過酸化水素水がＳＰＭノズル１３に供給される。ＳＰＭノズル１３の内部において硫酸含有液と過酸化水素水とが混合され、高温（たとえば、１９０～２２０℃）のＳＰＭが生成される。そのＳＰＭが、ＳＰＭノズル１３の吐出口から吐出され、基板Ｗの上面中央部に着液する。

　ＳＰＭノズル１３から吐出されたＳＰＭは、基板Ｗの上面に着液した後、遠心力によって基板Ｗの上面に沿って外方に流れる。そのため、ＳＰＭが基板Ｗの上面全域に供給され、基板Ｗの上面全域を覆うＳＰＭの液膜が基板Ｗ上に形成される。これにより、レジストとＳＰＭとが化学反応し、基板Ｗ上のレジストがＳＰＭによって基板Ｗから除去される。基板Ｗの周縁部に移動したＳＰＭは、基板Ｗの周縁部から基板Ｗの側方に向けて飛散する。

　なお、制御装置４は、ＳＰＭ工程Ｓ３において、ノズル移動ユニット１２０を制御して、ＳＰＭノズル１３を、基板Ｗの上面の周縁部に対向する周縁位置と、基板Ｗの上面の中央部に対向する中央位置との間で移動させてもよい。この場合、基板Ｗの上面におけるＳＰＭの着液位置が、基板Ｗの上面の全域を通過するので、基板Ｗの上面の全域がＳＰＭの着液位置で走査される。これにより、基板Ｗの上面全域が均一に処理される。

　ＳＰＭの吐出開始から予め定める期間が経過すると、制御装置４は、硫酸含有液バルブ６０および過酸化水素水バルブ１３６を閉じて、ＳＰＭノズル１３からのＳＰＭの吐出を停止する。これにより、ＳＰＭ工程Ｓ３が終了する。その後、制御装置４がノズル移動ユニット１２０（図６参照）を制御して、ＳＰＭノズル１３を退避位置に戻させる。

　次いで、リンス液を基板Ｗに供給するリンス工程（図７のＳ４）が行われる。具体的には、制御装置４は、リンス液バルブ１４９を開いて、基板Ｗの上面中央部に向けてリンス液ノズル１４７にリンス液を吐出させる。リンス液ノズル１４７から吐出されたリンス液は、ＳＰＭによって覆われている基板Ｗの上面中央部に着液する。基板Ｗの上面中央部に着液したリンス液は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの上面上を基板Ｗの周縁部に向けて流れる。これにより、基板Ｗ上のＳＰＭが、リンス液によって外方に押し流され、基板Ｗの周囲に排出される。その結果、ＳＰＭおよびレジスト（レジスト残渣）が基板Ｗの上面の全域から洗い流される。リンス工程Ｓ４の開始から予め定める期間が経過すると、制御装置４は、リンス液バルブ１４９を閉じて、リンス液ノズル１４７にリンス液の吐出を停止させる。

　次いで、基板Ｗを乾燥させる乾燥工程（図７のＳ５）が行われる。具体的には、制御装置４は、スピンモータＭを制御することにより、ＳＰＭ工程Ｓ３およびリンス工程Ｓ４までの回転速度よりも大きい乾燥回転速度（たとえば数千ｒｐｍ）まで基板Ｗを加速させ、乾燥回転速度で基板Ｗを回転させる。これにより、大きな遠心力が基板Ｗ上の液に加わり、基板Ｗに付着している液が基板Ｗの周囲に振り切られる。このようにして、基板Ｗから液が除去され、基板Ｗが乾燥する。そして、基板Ｗの高速回転が開始されてから所定時間が経過すると、制御装置４は、スピンモータＭを停止させ、スピンチャック１０８による基板Ｗの回転を停止させる（図７のＳ６）。

　次いで、チャンバ１０７内から基板Ｗが搬出される（図７のＳ７）。具体的には、制御装置４は、全てのガード１４３～１４５が下位置に位置している状態で、基板搬送ロボット（第１の基板搬送ロボットＣＲ１、第２の基板搬送ロボットＣＲ２（図１参照））のハンドをチャンバ１０７の内部に進入させる。そして、制御装置４は、基板搬送ロボットのハンドにスピンチャック１０８上の基板Ｗを保持させる。その後、制御装置４は、基板搬送ロボットのハンドをチャンバ１０７内から退避させる。これにより、表面（デバイス形成面）からレジストが除去された基板Ｗがチャンバ１０７から搬出される。

　次に、ＳＰＭ工程（図７のＳ３）における、硫酸含有液および過酸化水素水の混合比の推移と、第１のガード１４３および第２のガード１４４の動作等について説明する。

　図８は、ＳＰＭ工程（図７のＳ３）における、硫酸含有液および過酸化水素水の混合比の推移と、第１のガード１４３および第２のガード１４４の動作等を示すタイミングチャートである。図８において、回収のＯＮは、基板Ｗから排出されたＳＰＭが第２のガード１４４を介して回収配管１５６に流入することを表し、回収のＯＦＦは、回収配管１５６へのＳＰＭの流入が停止されていることを表す。図８において、排液のＯＮは、基板Ｗから排出されたＳＰＭが第１のガード１４３を介して第１の排液配管１５２に流入することを表し、排液のＯＦＦは、第１の排液配管１５２へのＳＰＭの流入が停止されていることを表す。以下では、図５および図８を参照する。以下の動作等は、制御装置４が基板処理装置１を制御することにより実行される。言い換えると、制御装置４は、以下の動作等を実行するようにプログラムされている。

　図８に示す時刻Ｔ１で硫酸含有液バルブ６０および過酸化水素水バルブ１３６が開かれると、硫酸含有液が第１の硫酸含有液流量でＳＰＭノズル１３に供給され、過酸化水素水が第１のＨ_２Ｏ_２流量でＳＰＭノズル１３に供給される。そのため、硫酸含有液および過酸化水素水は、ＳＰＭノズル１３内において第１の混合比（第１の硫酸含有液流量／第１のＨ_２Ｏ_２流量）で混合される。これにより、第１のＳＰＭが、ＳＰＭノズル１３内で作成され、ＳＰＭノズル１３から基板Ｗの上面に向けて吐出される（第１のＳＰＭ供給工程）。その結果、基板Ｗの上面の全域を覆う第１のＳＰＭの液膜が形成される。

　硫酸含有液バルブ６０および過酸化水素水バルブ１３６が開かれてから所定時間が経過すると、図８に示す時刻Ｔ２で硫酸含有液流量調整バルブ５９および過酸化水素水流量調整バルブ１３７の少なくとも一方の開度が変更され、硫酸含有液および過酸化水素水が、第１の混合比よりも大きい第２の混合比（第２の硫酸含有液流量／第２のＨ_２Ｏ_２流量）でＳＰＭノズル１３内において混合される。図８は、硫酸含有液流量調整バルブ５９および過酸化水素水流量調整バルブ１３７の両方の開度が変更される例を示している。これにより、第２のＳＰＭが、ＳＰＭノズル１３内で作成され、ＳＰＭノズル１３から基板Ｗの上面に向けて吐出される（第２のＳＰＭ供給工程）。その結果、基板Ｗの上面の全域を覆う第１のＳＰＭの液膜が、基板Ｗの上面の全域を覆う第２のＳＰＭの液膜に置換される。

　図８に示す例では、硫酸含有液が第１の硫酸含有液流量よりも大きい第２の硫酸含有液流量でＳＰＭノズル１３に供給され、過酸化水素水が第１のＨ_２Ｏ_２流量よりも小さい第２のＨ_２Ｏ_２流量でＳＰＭノズル１３に供給される。第２の硫酸含有液流量および第２のＨ_２Ｏ_２流量は、混合比（過酸化水素水に対する硫酸含有液の比）が変更されてもＳＰＭノズル１３から吐出されるＳＰＭの流量が一定に保たれるように設定されてもよいし、ＳＰＭノズル１３から吐出されるＳＰＭの流量が増加または減少するように設定されてもよい。混合比は、第１の混合比から第２の混合比に連続的に変更される。したがって、基板Ｗの上面に供給されるＳＰＭは、過酸化水素濃度が高い状態から硫酸含有液の濃度が高い状態に連続的に変化する。

　ＳＰＭの混合比が第２の混合比に変更されてから所定時間が経過すると、図８に示す時刻Ｔ５で硫酸含有液バルブ６０および過酸化水素水バルブ１３６が閉じられ、ＳＰＭノズル１３からのＳＰＭの吐出が停止される。

　図８に示すように、処理カップ１１１は、ＳＰＭノズル１３が第１のＳＰＭの吐出を開始する前に（図８に示す時刻Ｔ１の前に）、３つのガード１４３～１４５の中で最も内側の第１のガード１４３が基板Ｗの周端面に対向する第１の対向状態に設定されている。したがって、基板Ｗから排出された第１のＳＰＭは、第１のガード１４３の内壁１４３ａによって受け止められ、第１のカップ１４１に案内される（第１のＳＰＭ捕獲工程）。そして、第１のカップ１４１内の第１のＳＰＭは、第１の排液配管１５２に排出される（図８に示す排液のＯＮ。排液工程）。

　図８に示すように、ＳＰＭの混合比が第２の混合比に変更された時点では（図８に示す時刻Ｔ２）、第１のガード１４３は、上位置に位置している。したがって、基板Ｗから排出された第２のＳＰＭは、第１のガード１４３の内壁１４３ａによって受け止められ、第１のカップ１４１に案内される。ガード昇降ユニット１４６は、ＳＰＭの混合比が第２の混合比に変更された後、図８に示す時刻Ｔ３で第１のガード１４３を上位置と下位置との間の洗浄高さ位置まで下降させる。これにより、第２のＳＰＭが第１のガード１４３の内壁１４３ａに直接当たる位置が、第１のガード１４３に対して上方に移動する。

　ガード昇降ユニット１４６は、たとえば第１のガード１４３を洗浄高さ位置で所定時間静止させた後、図８に示す時刻Ｔ４で第１のガード１４３を下位置まで下降させる。したがって、処理カップ１１１は、ＳＰＭノズル１３が第２のＳＰＭを吐出しており、基板Ｗの上面の全域が第２のＳＰＭの液膜で覆われている状態で、第２のガード１４４が基板Ｗの周端面に対向する第２の対向状態に切り換わる。基板Ｗから排出された第２のＳＰＭは、第２のガード１４４の内壁１４４ａによって受け止められ、第２のカップ１４２に案内される（第２のＳＰＭ捕獲工程）。そして、第２のカップ１４２内の第２のＳＰＭは、共用配管１５５および回収配管１５６を介して、第１の貯液部１１のリクレームタンク２１に送られる。これにより、基板Ｗに供給された第２のＳＰＭが回収される（回収工程。図８に示す回収のＯＮ）。

　図８に示す時刻Ｔ５でＳＰＭノズル１３からのＳＰＭの吐出が停止されると、ガード昇降ユニット１４６は、図８に示す時刻Ｔ６で第１のガード１４３を下位置から上位置まで上昇させる。これにより、処理カップ１１１は、ＳＰＭノズル１３がＳＰＭの吐出を停止しており、基板Ｗの上面の全域がＳＰＭの液膜で覆われている状態で、第１のガード１４３が基板Ｗの周端面に対向する第１の対向状態に切り換わる。この状態で、リンス液を基板Ｗに供給するリンス工程（図７のＳ４）が行われる。基板Ｗを乾燥させる乾燥工程（図７のＳ５）は、第３のガード１４５が基板Ｗの周端面に対向する第３の対向状態に処理カップ１１１が設定された状態で行われる。

　図９は、ＳＰＭを作成するために硫酸含有液および過酸化水素水を混合し、基板Ｗから回収されたＳＰＭを別の基板Ｗに供給するときの流れを示すフローチャートである。以下では、図５および図９を参照する。以下の動作等は、制御装置４が基板処理装置１を制御することにより実行される。言い換えると、制御装置４は、以下の動作等を実行するようにプログラムされている。

　前述のように、ＳＰＭ工程（図７のＳ３）を開始するときは、図９に示すように、硫酸含有液および過酸化水素水を第１の混合比で混合して、第１のＳＰＭを作成する（図９のＳ１１）。第１のＳＰＭは、ＳＰＭノズル１３から吐出され、基板Ｗに供給される（図９のＳ１２）。そして、基板Ｗから排出された第１のＳＰＭは、第１のガード１４３および第１のカップ１４１を介して第１の排液配管１５２に導かれる。

　第１のＳＰＭの吐出が開始されてから所定時間が経過すると、硫酸含有液および過酸化水素水の混合比（混合前の過酸化水素水の流量に対する混合前の硫酸含有液の流量の比）が、第１の混合比から第２の混合比に増加する（図９のＳ１３）。これにより、硫酸含有液および過酸化水素水が第２の混合比で混合され、第２のＳＰＭが作成される。その後、第２のＳＰＭは、基板Ｗに供給され（図９のＳ１４）、基板Ｗから排出される。基板Ｗから排出された第２のＳＰＭは、第２のガード１４４、第２のカップ１４２、共用配管１５５、および回収配管１５６を介して、第１の貯液部１１のリクレームタンク２１に硫酸含有液として回収される（図９のＳ１５）。

　リクレームタンク２１に回収された硫酸含有液は、第１の貯液部１１の第１の循環タンク２２を経て、第２の貯液部１２の第２の循環タンク５１に送られる。過酸化水素は高温状態において水と酸素とに分解し易いため、リクレームタンク２１に回収された第２のＳＰＭ（硫酸含有液）は水を含む。しかしながら、第２のＳＰＭ（硫酸含有液）の成分の半分以上は硫酸である。リクレームタンク２１に回収された第２のＳＰＭ（硫酸含有液）は、第１の循環タンク２２内の硫酸含有液および第２の循環タンク５１内の硫酸含有液と混合され、第２の循環タンク５１ならびに第２の循環配管５３（共通配管５１Ａおよび硫酸含有液流通配管５１Ｂ）を循環する。こうして循環する硫酸含有液の硫酸濃度は、硫酸濃度計６４によって計測される（図９のＳ１６）。制御装置４は、硫酸濃度計６４の計測値に基づいて、第２の循環タンク５１および第２の循環配管５３を循環する硫酸含有液の硫酸濃度を監視している（図９のＳ１７）。

　硫酸濃度計６４によって計測された硫酸含有液の硫酸濃度が下限値以上であれば（図９のＳ１７でＹＥＳ）、制御装置４は、硫酸含有液バルブ６０を開く。これにより、硫酸含有液流通配管５１Ｂを流れる硫酸含有液は、硫酸含有液供給配管５７を流れて、ＳＰＭノズル１３に供給される。これにより、基板Ｗから排出された第２のＳＰＭに基づいて作成された硫酸含有液が過酸化水素水と混合され、新たなＳＰＭが作成される。そして、この新たなＳＰＭは、後続の基板Ｗに供給される。これにより、基板Ｗから排出されたＳＰＭが再利用されるので、ＳＰＭの廃棄量を減らすことができる。

　その一方で、硫酸濃度計６４によって計測された硫酸含有液の硫酸濃度が下限値を下回る場合（図９のＳ１７でＮＯ）、制御装置４は、硫酸補充配管４４に介装された硫酸補充バルブ４５を開いて、第１の循環タンク２２内に硫酸を補充する（図９のＳ１８）。未使用の硫酸が第１の循環タンク２２内に補充されることにより、第１の循環タンク２２および第１の循環配管２３を循環する硫酸含有液の硫酸濃度が上昇する。その後、第１の循環タンク２２および第１の循環配管２３を循環する硫酸含有液が、第１の導液配管３１を通って第２の循環タンク５１に送られることにより、第２の循環タンク５１ならびに第２の循環配管５３（共通配管５１Ａおよび硫酸含有液流通配管５１Ｂ）を循環する硫酸含有液の硫酸濃度が上昇する。これにより、こうして循環する硫酸含有液の硫酸濃度が高い状態が維持される。

　図７～図９を用いて説明した基板処理例では、第１のＳＰＭを作成するために硫酸含有液および過酸化水素水が混合され、作成された第１のＳＰＭが基板Ｗに供給される。そして、第１のＳＰＭの供給が停止された後、第２のＳＰＭを作成するために硫酸含有液および過酸化水素水が混合され、作成された第２のＳＰＭが基板Ｗに供給される。これにより、第１のＳＰＭおよび第２のＳＰＭが基板Ｗに供給され、レジストが基板Ｗから除去される。

　第１のＳＰＭを作成するときは、硫酸含有液および過酸化水素水が第１の混合比で混合される。第２のＳＰＭを作成するときは、硫酸含有液および過酸化水素水が第２の混合比で混合される。第１の混合比および第２の混合比は、いずれも、混合前の過酸化水素水の体積に対する混合前の硫酸含有液の体積の比を表す。第１の混合比は、第２の混合比よりも小さい。したがって、第１のＳＰＭに含まれる過酸化水素濃度は、第２のＳＰＭに含まれる過酸化水素濃度よりも高い。

　過酸化水素濃度が相対的に高いので、第１のＳＰＭは、第２のＳＰＭよりも高い除去能力を有している。したがって、レジストを効率的に基板Ｗから除去できる。そして、第１のＳＰＭが基板Ｗに供給された後、第２のＳＰＭが基板Ｗに供給される。第２のＳＰＭは除去能力が第１のＳＰＭより劣るものの、第１のＳＰＭの供給によって殆ど全てのレジストが基板Ｗから除去されているので、比較的除去し易いレジストしか基板Ｗに残っていない。また、基板Ｗに供給されるＳＰＭ（第２のＳＰＭ）の温度が非常に高温（約１９０℃～約２２０℃）に調整されているため、第１のＳＰＭより劣るものの高い除去能力を有している。これらにより、除去能力が劣る第２のＳＰＭであっても、レジストを基板Ｗから確実に除去できる。

　基板Ｗから排出された第１のＳＰＭは、回収配管１５６ではなく、第１の排液配管１５２に流入する。基板Ｗから排出された第１のＳＰＭは、過酸化水素濃度が相対的に高く、硫酸濃度が相対的に低い。それだけでなく、基板Ｗから排出された第１のＳＰＭは、第１のＳＰＭとレジストとの反応によって生じた多くの汚染物質（レジストの炭化物など）を含んでいる。したがって、基板Ｗから排出された第１のＳＰＭは、回収に適さない。

　その一方で、基板Ｗから排出された第２のＳＰＭは、硫酸濃度が相対的に高い。さらに、基板Ｗから排出された第２のＳＰＭに含まれる汚染物質の量は、基板Ｗから排出された第１のＳＰＭに含まれる汚染物質の量よりも少ない。したがって、硫酸濃度が相対的に高く、汚染物質の含有量が少ない第２のＳＰＭが、回収配管１５６に導かれ、過酸化水素水と再び混合される。これにより、第２のＳＰＭに含まれる硫酸が過酸化水素水と反応し、新たなＳＰＭが作成される。そのため、ＳＰＭの廃棄量を減らすことができる。

　このように、硫酸濃度、つまり、混合前の硫酸および過酸化水素水の体積に対する混合前の硫酸の体積の割合が大きいときに、ＳＰＭを回収するので、硫酸濃度が高いＳＰＭを回収することができる。さらに、硫酸濃度が大きい状態を維持するのではなく、ＳＰＭの回収を開始する前に、過酸化水素濃度が高く、十分な除去能力を有するＳＰＭを基板Ｗに供給するので、レジストを効率的に基板Ｗから除去できる。したがって、基板Ｗから効率良くレジストを除去しながら、硫酸濃度が高いＳＰＭを回収することができる。

　この基板処理例では、基板Ｗから排出された第１のＳＰＭが、基板Ｗを取り囲む第１のガード１４３に受け止められる。基板Ｗから排出された第２のＳＰＭが、基板Ｗを取り囲む第２のガード１４４に受け止められる。第１のガード１４３に受け止められた第１のＳＰＭは、第１のガード１４３に接続された第１の排液配管１５２に流入する。第２のガード１４４に受け止められた第２のＳＰＭは、第２のガード１４４に接続された回収配管１５６に流入する。

　基板Ｗから排出された第１のＳＰＭは、多くの汚染物質を含んでいる。したがって、第１のガード１４３が第１のＳＰＭを受け止め後は、汚染物質が第１のガード１４３の内周面に残留している場合がある。基板Ｗから排出された第２のＳＰＭを第１のガード１４３で受け止めて回収すると、第１のガード１４３に付着している汚染物質が、第２のＳＰＭに混入する場合がある。したがって、第１のガード１４３とは異なる第２のガード１４４に第２のＳＰＭを受け止めさせることにより、回収されたＳＰＭに含まれる汚染物質の量を減らすことができる。

　この基板処理例では、第１のＳＰＭの供給が停止されたときに基板Ｗから排出された第１のＳＰＭは、第１のガード１４３に受け止められる。その後、第１のガード１４３および第２のガード１４４の状態が第１の対向状態から第２の対向状態に切り換えられ、基板Ｗから排出された第２のＳＰＭが第２のガード１４４に受け止められる。つまり、汚染物質の含有量が多い第１のＳＰＭの排出が終了した後に、第１のガード１４３が基板Ｗに直接対向した状態から第２のガード１４４が基板Ｗに直接対向した状態に切り換えられる。これにより、汚染物質の含有量が多い第１のＳＰＭで第２のガード１４４が汚染されることを防止できる。

　図１０は、回収された硫酸含有液の硫酸濃度の推移を示すグラフである。図１０中の縦軸は、回収された硫酸含有液の硫酸濃度を示している。図１０中の横軸は、基板処理装置１で処理された基板Ｗの枚数を示している。図１０中の比Ｘ、比Ｙ、および比Ｚは、いずれも、過酸化水素水の流量を１とした場合の硫酸含有液の流量の比を示している。比Ｘは、比Ｙよりも大きく、比Ｙは、比Ｚよりも大きい（比Ｘ＞比Ｙ＞比Ｚ）。

　図１０を見ると分かるように、硫酸含有液の比が比Ｘ、比Ｙ、および比Ｚのいずれの場合も、硫酸含有液の硫酸濃度は、基板Ｗの処理枚数が増えるにしたがって減少する。硫酸の濃度の低下率は、硫酸含有液の比が小さいほど大きい。つまり、硫酸含有液の比が比Ｚのとき、硫酸含有液における硫酸濃度の低下率が最も大きく、硫酸含有液の比が比Ｙのとき、硫酸含有液における硫酸濃度の低下率が２番目に大きい。言い換えると、硫酸含有液の比が高いと、硫酸含有液における硫酸濃度が低下し難い。硫酸含有液の比が比Ｘのとき、基板Ｗに供給されたＳＰＭを回収しながら１００枚以上の基板Ｗを処理しても、硫酸含有液の硫酸濃度が９０％程度までしか低下しないことが確認された。

　前述のように、本実施形態では、硫酸含有液の硫酸濃度が高いＳＰＭを硫酸含有液供給装置８に回収し、回収されたＳＰＭを硫酸含有液として再利用する。図１０を見ると分かるように、硫酸含有液の比が小さいほど、硫酸の濃度の低下率が大きいので、硫酸含有液供給装置８に回収する硫酸含有液の比が小さければ、多数枚の基板Ｗを処理しても硫酸含有液における硫酸濃度が低下し難い。したがって、硫酸含有液供給装置８に回収される硫酸含有液の硫酸濃度を再利用に適した値に維持できる。これにより、第１の循環タンク２２および第２の循環タンク５１内の硫酸含有液を新しい硫酸に交換する頻度や、第１の循環タンク２２内に新しい硫酸を補充する頻度を減らすことができる。ゆえに、硫酸の消費量（すなわち、硫酸の廃棄量）を低減できる。

　以上によりこの実施形態によれば、硫酸含有液供給装置８において、硫酸濃度調整用の貯液部（第１の貯液部１１）と、温度調整用の貯液部（第２の貯液部１２）と、を別に設けている。補充される硫酸の温度が室温であることから、仮に、温度調整用の第２の貯液部１２において、硫酸の補充を行いながら硫酸含有液を温度調整すると、貯液部における硫酸含有液の温度が安定しない。この実施形態では、硫酸濃度調整用の第１の貯液部１１と、温度調整用の第２の貯液部１２と、をそれぞれ別に設けるので、第２の貯液部１２において硫酸含有液の温度が安定する。これにより、ＳＰＭノズル１３に供給される硫酸含有液を所望の高温に調整できる。

　この実施形態では、第１の貯液部１１および第２の貯液部１２においてそれぞれ第２および第１の循環ヒータ５２，２４によって硫酸含有液が加熱される。そのため、硫酸含有液により多くの熱量を与えることができる。また、第１の貯液部１１において第１の温度（約１２０℃～約１３０℃）に温度調整された硫酸含有液が第２の貯液部１２に供給される。そして、第２の貯液部１２において硫酸含有液が加熱されて、第２の温度（約１６０℃）まで昇温される。つまり、硫酸含有液が段階的に加熱される。そのため、第２の貯液部１２において、硫酸含有液をより高温まで昇温させることが可能である。

　また、第２の循環タンク５１および第２の循環配管５３を循環している硫酸含有液が、硫酸含有液供給配管５７に導かれる。そして、硫酸含有液供給配管５７を流通している硫酸含有液がヒータ５４によって加熱される。ヒータ５４による加熱によって、硫酸含有液を、第２の循環タンク５１および第２の循環配管５３を循環していたときよりもさらに高温の第３の温度（約１６５℃）まで昇温させることが可能である。

　ＳＰＭの混合比が第２の混合比である第２のＳＰＭは、除去能力が第１のＳＰＭより劣る。しかしながら、ＳＰＭの除去能力は、過酸化水素濃度だけでなく、そのＳＰＭの温度にも依存している。すなわち、ＳＰＭの除去能力は、そのＳＰＭの温度が高くなるにつれて上昇する。そして、硫酸含有液の温度が高くなるにつれて、混合後のＳＰＭの温度が高くなる。したがって、混合前の硫酸含有液の温度を高めることで、混合比が第２の混合比であっても、ＳＰＭの除去能力を高く保つことができる。これにより、混合比が第２の混合比であっても、基板Ｗからレジストを効率良く除去できる。

　この実施形態では、第２の循環タンク５１および第２の循環配管５３を循環している硫酸含有液の硫酸濃度が硫酸濃度計６４によって計測される。そのため、第２の循環タンク５１および第２の循環配管５３を循環している硫酸含有液の硫酸濃度を正確に求めることができる。そして、硫酸濃度計６４によって計測された硫酸濃度が下限値を下回ると、硫酸補充ユニット２５によって、第１の循環タンク２２に硫酸が供給される。これにより、ＳＰＭノズル１３に供給される硫酸含有液の硫酸濃度を所望の高濃度に調整できる。

　この実施形態では、第１の循環ヒータ２４および第２の循環ヒータ５２の双方を用いて硫酸含有液を加熱するので、第２の循環ヒータ５２のみで硫酸含有液を加熱する場合と比較して、第２の循環ヒータ５２に加わる負担を低減できる。

　図１１は、本発明の第２の実施形態に係る第１の硫酸含有液供給装置２０９を、水平方向から見た図である。図１１において、前述の図１～図１０に示された構成と同等の構成については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。

　第２の実施形態に係る第１の硫酸含有液供給装置２０９が、第１の実施形態に係る第１の硫酸含有液供給装置９と相違する点は、第１の貯液部に加えて第３の貯液部２１３をさらに設けた点である。第３の貯液部２１３には、第１の貯液部から硫酸含有液が送られ、第３の貯液部２１３に貯留されている硫酸含有液は、第２の貯液部１２に送られる。

　また、第１の貯液部２１１は、第１の循環ヒータ２４が廃止されている点で、第１の実施形態に係る第１の貯液部１１と相違している。また、第１の貯液部２１１は、排液タンク５０を備えていない。すなわち、第１の貯液部２１１には、第１の循環タンク２２および第１の循環配管２３を循環している硫酸含有液を加熱するためのユニットが設けられていない。

　リクレームタンク２１に回収されるＳＰＭは、硫酸含有液としてリクレームタンク２１に貯留される。基板Ｗから排出されたＳＰＭは、処理カップ１１１、回収配管１５６および回収導出配管２６を流れる過程で冷却されながら、リクレームタンク２１に回収される。そのため、リクレームタンク２１に回収されるＳＰＭは、基板Ｗに供給されるＳＰＭの温度（約１９０℃～約２２０℃）よりもかなり低いが、それでも約８０℃～約９０℃という高い液温を有している。

　リクレームタンク２１に貯留されている硫酸含有液は、第１の送液装置２９の駆動によって、移送配管２８を介して第１の循環タンク２２に送られる。そして、第１の循環タンク２２および第１の循環配管２３を硫酸含有液が循環する。移送配管２８および第１の循環配管２３を硫酸含有液が流れる過程で、移送配管２８の管壁および第１の循環配管２３の管壁によって熱を奪われるから、硫酸含有液の温度は降下する。第１の循環タンク２２および第１の循環配管２３を循環する硫酸含有液は、第１の循環配管２３の管壁との熱平衡により、室温（約２３℃～約２５℃）よりも高いが、リクレームタンク２１に貯留されている硫酸含有液よりも低い第４の温度（約４０℃～約６０℃）に保たれている。

　第１の硫酸含有液供給装置２０９に含まれる第３の貯液部２１３は、第３の循環タンク（第３のタンク）２２２と、第３の循環配管（第３の配管）２２３と、第３の循環ヒータ（第２のヒータ）２２４と、を含む。

　第３の循環タンク２２２には、第１の導液配管３１の下流端が接続されている。第３の循環タンク２２２には、第１の貯液部１１において第４の温度（たとえば約４０℃～約６０℃）の硫酸含有液が導かれる。そして、導かれた硫酸含有液が第３の循環タンク２２２に貯留される（第３の貯留工程）。

　第３の循環タンク２２２には、第２の硫酸含有液供給装置１０（第２の貯液部１２）に向けて延びた第２の導液配管２３１が接続されている。第２の導液配管２３１の下流端は、第２の貯液部１２の第２の循環タンク５１に接続されている。第２の導液配管２３１の途中部には、第１の導液配管３１の途中部には、第３の循環タンク２２２内の硫酸含有液を汲み出すためのポンプ等の第５の送液装置２３２が介装されている。第２の導液配管２３１の途中部には、第５の送液装置２３２の下流側に第４の捕獲フィルタ２３７および開閉バルブ２３８が介装されている。第４の捕獲フィルタ２３７は、第２の導液配管２３１を流通する硫酸含有液中に含まれる比較的小さな異物を捕捉して除去するためのフィルタである。第４の捕獲フィルタ２３７は、第３の捕獲フィルタ３７で除去し切れなかった異物を除去する。

　開閉バルブ２３８は、第２の導液配管２３１における硫酸含有液の流通およびその停止を制御するためのバルブである。

　第２の導液配管２３１には、開閉バルブ２３８と第４の捕獲フィルタ２３７との間において、リターン配管２４０が分岐接続されている。リターン配管２４０の下流端は第３の循環タンク２２２へ延びている。リターン配管２４０の途中部には、リターンバルブ２４１が介装されている。第２の導液配管２３１におけるリターン配管２４０の分岐位置２４２の下流側部分と、リターン配管２４０とによって、第３の循環配管２２３が構成されている。

　基板処理装置の運転中（基板Ｗの処理を停止している期間を含む）において、第５の送液装置２３２および第３の循環ヒータ２２４が常に駆動されている。そのため、開閉バルブ２３８が閉じられかつリターンバルブ２４１が開かれることにより、第３の循環タンク２２２から汲み出される硫酸含有液が、第２の導液配管２３１を分岐位置２４２まで流れ、その分岐位置２４２からリターン配管２４０を通して第３の循環タンク２２２に戻される。つまり、第２の貯液部１２に硫酸含有液を送らない期間は、第３の循環タンク２２２および第３の循環配管２２３を硫酸含有液が循環している。そして、第２の貯液部１２に硫酸含有液を送るタイミングになると、開閉バルブ２３８が開かれかつリターンバルブ２４１が閉じられることによって、第３の循環タンク２２２から汲み出される硫酸含有液が、第２の導液配管２３１を通して第２の貯液部１２に供給される。

　第３の循環ヒータ２２４は、第２の導液配管２３１の途中部において第５の送液装置２３２の上流側に介装されている。第３の循環ヒータ２２４は、第３の循環タンク２２２および第３の循環配管２２３を循環する硫酸含有液を加熱する（第３の加熱工程）。第３の循環ヒータ２２４の加熱温度は、所定の第１の温度（第２の加熱温度。たとえば約１２０℃～約１３０℃）に設定されている。第３の循環タンク２２２および第３の循環配管２２３を硫酸含有液が循環することにより、硫酸含有液が第１の温度に調整される。第２の貯液部１２に硫酸含有液を送らない期間、硫酸含有液を循環させておくことによって、第１の温度に調整された硫酸含有液を第３の循環タンク２２２に貯留しておくことができる。また、開閉バルブ２３８の開成後、第１の温度に調整された硫酸含有液を第２の貯液部１２に送ることができる。

　第３の貯液部２１３は、排液配管２４６、排液バルブ２４７、導出配管２４８、第６の送液装置２４９および排液タンク２５０を含む。排液配管２４６、排液バルブ２４７、導出配管２４８、第６の送液装置２４９および排液タンク２５０は、それぞれ、排液配管４６、排液バルブ４７、導出配管４８、第３の送液装置４９および排液タンク５０と同等の構成および機能を有している。

　この第２の実施形態では、前述の第１の実施形態に加えて、以下の作用効果を奏する。

　すなわち、第１の貯液部２１１には、第１の循環タンク２２および第１の循環配管２３を循環している硫酸含有液を加熱するためのユニットが設けられていない。すなわち、第１の貯液部２１１において硫酸含有液の加熱が行われない。そのため、第１の循環タンク２２および第１の循環配管２３を循環している硫酸含有液は、比較的低温（約４０℃から約６０℃）を有している。そのため、第３の捕獲フィルタ３７を通過する硫酸含有液が比較的低温である。

　第１の実施形態のように、第１の循環タンク２２および第１の循環配管２３を高温（約１２０℃～約１３０℃）の硫酸含有液が流通する場合には、第３の捕獲フィルタ３７を高温（約１２０℃～約１３０℃）の硫酸含有液が継続的に流通することに伴ってフィルタが膨張し、各孔７１（図３参照）の径が広がるおそれがある。各孔７１（図３参照）の径が広がると、第３の捕獲フィルタ３７によって捕獲可能な異物の径が大きくなる。そのため、第３の捕獲フィルタ３７のフィルタリング性能が低下し、第１の貯液部において硫酸含有液に含まれる異物を良好に捕獲できないおそれがある。

　第２の実施形態では、第３の捕獲フィルタ３７を通過する硫酸含有液が比較的低温（約４０～約６０℃）であるので、第３の捕獲フィルタ３７のフィルタリング性能の低下を抑制できる。そのため、第１の貯液部２１１において硫酸含有液に含まれる異物を良好に捕獲できる。これにより、清浄な硫酸含有液をＳＰＭノズル１３に供給することが可能である。

　第２の実施形態では、第３の貯液部２１３において、第１の貯液部２１１から送られた硫酸含有液が、第３の循環タンク２２２および第３の循環配管２２３を循環する。第３の循環タンク２２２および第３の循環配管２２３を循環する硫酸含有液が第３の循環ヒータ２２４によって加熱される。第３の貯液部２１３および第２の貯液部１２においてそれぞれ第３の２２４および第２の循環ヒータ５２によって硫酸含有液が加熱される。硫酸含有液により多くの熱量を与えることができるので、第２の貯液部１２において、硫酸含有液をより高温に昇温させることが可能である。

　また、第３の循環ヒータ２２４および第２の循環ヒータ５２の双方を用いて硫酸含有液を加熱するので、一方のヒータ（すなわち、第２の循環ヒータ５２）に加わる負担を低減できる。

　図１２は、本発明の第３の実施形態に係る第１の硫酸含有液供給装置３０９を、水平方向から見た図である。図１２において、前述の図１～図１０に示された構成と同等の構成については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。

　第３の実施形態に係る第１の硫酸含有液供給装置３０９に係る第１の貯液部３１１が、第１の実施形態に係る第１の硫酸含有液供給装置９の第１の貯液部１１と相違する点は、において、第１の循環ヒータ２４を廃止した点である。その余において、第１の貯液部３１１は、第１の貯液部１１と同等の構成である。

　前述のように、リクレームタンク２１に回収されるＳＰＭは、基板Ｗに供給されるＳＰＭの温度（約１９０℃～約２２０℃）よりもかなり低いが、それでも約８０℃～約９０℃という高い液温を有している。前述のように、第１の循環タンク２２および第１の循環配管２３を循環する硫酸含有液は、第１の循環配管２３の管壁との熱平衡により、室温（約２３℃～約２５℃）よりも高いが、リクレームタンク２１に貯留されている硫酸含有液よりも低い第４の温度（約４０℃～約６０℃）に保たれている。そして、第１の循環タンク２２および第１の循環配管２３を循環する第４の硫酸含有液が、第２の硫酸含有液供給装置１０の第２の貯液部１２に送られる。

　そして、第２の貯液部１２において、第２の循環タンク５１および第２の循環配管５３を循環している硫酸含有液を、第２の循環ヒータ５２に加熱することにより、この循環ヒータを、第２の温度まで昇温させる。

　第３の実施形態では、第３の捕獲フィルタ３７を通過する硫酸含有液が比較的低温（約４０～約６０℃）であるので、第３の捕獲フィルタ３７のフィルタリング性能の低下を抑制できる。そのため、第１の貯液部３１１において硫酸含有液に含まれる異物を良好に捕獲できる。これにより、清浄な硫酸含有液をＳＰＭノズル１３に供給することが可能である。

　以上、この発明の３つの実施形態について説明したが、この発明は、さらに他の形態で実施することもできる。

　たとえば、前述の第２および第３の実施形態において、図１１および図１２に破線で示すように、第１の貯液部２１１，３１１が、第１の循環タンク２２および第１の循環配管２３を循環している硫酸含有液を冷却するクーラー４０１をさらに備えていてもよい。クーラー４０１は、たとえば、第１の導液配管３１の途中部において、第３の送液装置４９の上流側に介装されている。この場合、第１の循環タンク２２および第１の循環配管２３のおける硫酸含有液の循環により、硫酸含有液が冷却される。クーラー４０１による冷却温度の設定次第で、第１の循環タンク２２および第１の循環配管２３を循環している硫酸含有液を室温（約２３℃～約２５℃）や、室温未満の低温にまで下げることも可能である。

　図１３は、捕獲フィルタ（第３の捕獲フィルタ３７）のフィルタリング性能の熱影響による変化を説明するための図である。図１３に示すように、捕獲フィルタ（第３の捕獲フィルタ３７）を通過する硫酸含有液の温度（循環温度）が低くなるにしたがって、捕獲フィルタのフィルタリング性能が向上する（すなわち、比較的小さい異物（微小パーティクル）を良好に捕捉できる）。捕獲フィルタを通過する硫酸含有液の温度をリクレームタンクに貯留されている硫酸含有液よりも低い温度（温度Ａ）にした場合の微小パーティクルが通過する数を基準（１００％）とすると、捕獲フィルタを通過する硫酸含有液の温度を常温（温度Ｂ）まで下げた場合、微小パーティクルが通過する数が４０％になり、フィルタリング性能がさらによくなる。一方、図示はしないが、硫酸含有液の温度が８０℃以上の場合、基準（１００％）よりも微小パーティクルが通過する数が大幅に増え、フィルタリング性能が悪化する。そのため、第１の貯液部２１１，３１１において硫酸含有液に含まれる比較的小さな異物を、より一層良好に捕獲できる。これにより、より一層清浄な硫酸含有液をＳＰＭノズル１３に供給することが可能である。

　また、図４に破線で示すように、第２の貯液部１２が、第２の循環タンク５１に新しい硫酸（基板Ｗの処理に未使用の硫酸）を供給する硫酸供給ユニット４０２を含んでいてもよい。硫酸供給ユニット４０２は、第２の循環タンク５１に硫酸を補充する硫酸供給配管４０３と、硫酸供給配管４０３を開閉する硫酸補充バルブ４０４と、を含む。硫酸供給配管４０３に供給される硫酸は、未使用の硫酸（たとえば濃硫酸）である。

　硫酸供給ユニット４０２からの硫酸の供給は、第２の循環タンク５１および第２の循環配管５３を循環している硫酸含有液の硫酸濃度を上昇させるための硫酸の補充のためには用いることはない。基板処理装置１の起動開始時等に、第２の循環タンク５１に硫酸含有液を溜めるために専ら用いられる。

　また、硫酸含有液と過酸化水素水とをＳＰＭノズル１３の内部で混合させるノズル内混合方式を採用する場合について説明したが、硫酸含有液と過酸化水素水とを、ノズルに接続された処理液配管内、または当該処理液配管に連結された混合配管において混合させる配管内混合方式が採用されていてもよい。

　また、第１の貯液部１１，２１１，３１１において、回収導出配管２６から回収されたＳＰＭをリクレームタンク２１に一旦回収し、その後に第１の循環タンク２２に貯留するとして説明したが、リクレームタンク２１を経ることなく、第１の循環タンク２２に直接貯留させるようにしてもよい。この場合には、リクレームタンク２１を廃止してもよい。

　また、硫酸濃度計６４を、各タワーに対応する硫酸含有液流通配管５１Ｂの１つのみではなく全てに配置するようにしてもよい。また、硫酸濃度計６４を、硫酸含有液流通配管５１Ｂではなく、第２の循環タンク５１および／または共通配管５１Ａに配置するようにしてもよい。硫酸含有液供給装置８において作成された硫酸含有液の硫酸濃度を、第２の循環タンク５１および第２の循環配管５３を循環する硫酸含有液の硫酸濃度の計測に代えてまたは併せて、第１の循環タンク２２および第１の循環配管２３を循環している硫酸含有液の硫酸濃度を計測することによって行ってもよい。

　また、１つの第１の硫酸含有液供給装置９と、１つの第２の硫酸含有液供給装置１０とによって構成される１つの硫酸含有液供給装置が、複数（３つ）の塔に含まれる処理ユニット６に硫酸含有液を供給するのではなく、１つの塔に含まれる処理ユニット６にのみ硫酸含有液を供給するようになっていてもよい。すなわち、第１の循環タンク２２および第２の循環タンク５１の対が、処理ユニット６に一対一対応で設けられていてもよい。この場合、共通配管５１Ａの構成を省略でき、硫酸含有液流通配管５１Ｂの両端が第２の循環タンク５１に接続される。すなわち、硫酸含有液流通配管５１Ｂのみによって第２の循環配管５３を構成することができる。

　この実施形態では、第１の貯液部１１，２１１，３１１および／または第３の貯液部２１３を、第２の貯液部１２と別フロアに配置するのではなく、クリーンルーム内（すなわち、第２の貯液部１２と同じフロア）に共通して配置するようにしてもよい。この場合、第１の貯液部１１，２１１，３１１および／または第３の貯液部２１３と第２の貯液部１２を、それぞれ別々のフレームの中に収容配置するのではなく、共通するフレーム内に収容配置するようにしてもよい。

　また、前述の各実施形態において、基板処理装置１が半導体ウエハからなる基板Ｗを処理する装置である場合について説明したが、基板処理装置が、液晶表示装置用基板、有機ＥＬ（electroluminescence）表示装置などのＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などの基板を処理する装置であってもよい。

　その他、請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。

　この出願は、２０１８年９月２０日に日本国特許庁に提出された特願２０１８－１７６３９４号に対応しており、この出願の全開示はここに引用により組み込まれるものとする。

１　　　　：基板処理装置
４　　　　：制御装置
６　　　　：処理ユニット
８　　　　：硫酸含有液供給装置
１１　　　：第１の貯液部
１２　　　：第２の貯液部
１３　　　：ＳＰＭノズル（ノズル）
１３ａ　　：ＳＰＭノズルの内部（混合部）
２２　　　：第１の循環タンク（第１のタンク）
２３　　　：第１の循環配管（第２の配管）
２４　　　：第１の循環ヒータ（第２のヒータ）
２５　　　：硫酸補充ユニット
３７　　　：第３の捕獲フィルタ（フィルタ）
５１　　　：第２の循環タンク（第２のタンク）
５２　　　：第２の循環ヒータ（第１のヒータ）
５３　　　：第２の循環配管（第１の配管）
５４　　　：ヒータ（第３のヒータ）
５９　　　：硫酸含有液流量調整バルブ（混合比変更ユニット）
６４　　　：硫酸濃度計
１０８　　：スピンチャック（基板保持ユニット）
１２２　　：過酸化水素水供給ユニット
１３７　　：過酸化水素水流量調整バルブ（混合比変更ユニット）
１４３　　：第１のガード
１４４　　：第２のガード
１４６　　：ガード昇降ユニット（ガード切り換えユニット）
１５６　　：回収配管
１５７　　：第２の排液配管（排液配管）
２０９　　：第１の硫酸含有液供給装置
２１１　　：第１の貯液部
２１３　　：第３の貯液部
２２１　　：第３の循環タンク（第３のタンク）
２２３　　：第３の循環配管（第３の配管）
２２４　　：第２の循環ヒータ（第３のヒータ）
２４８　　：導出配管
３０９　　：第１の硫酸含有液供給装置
３１１　　：第１の貯液部
４０１　　：クーラー
Ｗ　　　　：基板

Claims

　硫酸および過酸化水素水の混合液であるＳＰＭで基板からレジストを除去する基板処理装置であって、
　少なくとも一部がレジストで覆われた基板を保持する基板保持ユニットと、
　吐出口を有し、前記基板保持ユニットに保持されている基板に向けて前記吐出口からＳＰＭを吐出するノズルと、
　前記吐出口に連通する混合部と、
　前記基板保持ユニットに保持されている基板に供給され当該基板から排出された液体を回収し、回収した液体に基づいて硫酸含有液を作成し、作成後の硫酸含有液を前記混合部に供給するための硫酸含有液供給装置と、
　過酸化水素水を前記混合部に供給するための過酸化水素水供給ユニットと、
　前記硫酸含有液供給装置および前記過酸化水素水供給ユニットを制御する制御装置と、を含み、
　前記制御装置が、
　前記基板に供給され当該基板から排出されたＳＰＭを回収して硫酸含有液を作成する硫酸含有液作成工程と、
　作成後の硫酸含有液および過酸化水素水を前記混合部に供給して前記混合部において硫酸含有液および過酸化水素水を混合することによりＳＰＭを生成し、生成されたＳＰＭを前記吐出口から吐出するＳＰＭ吐出工程と、を実行する、基板処理装置。
　前記硫酸含有液供給装置が、第１の貯液部と、第２の貯液部と、を含み、
　前記第１の貯液部が、
　回収した液体を貯留する第１のタンクと、
　前記第１のタンクに硫酸を補充するための硫酸補充ユニットと、を含み、
　前記第２の貯液部が、
　前記第１のタンクから送られた液体を貯留する第２のタンクと、
　前記第２のタンクに両端が接続され、前記第２のタンクに貯留されている液体が循環する第１の配管と、
　前記第２のタンクおよび前記第１の配管を循環している液体を加熱するための第１のヒータと、を含み、
　前記制御装置が、前記硫酸含有液作成工程において、
　前記基板から排出されたＳＰＭを回収して、硫酸含有液として前記第１のタンクに貯留する第１の貯留工程と、
　前記硫酸補充ユニットによって前記第１のタンクに硫酸を補充する硫酸補充工程と、
　前記第１のタンクから送られた硫酸含有液を前記第２のタンクに貯留する第２の貯留工程と、
　前記第２のタンクおよび前記第１の配管を循環している硫酸含有液を前記第１のヒータによって加熱する第１の加熱工程と、を実行し、
　前記制御装置が、前記ＳＰＭ吐出工程において、前記第２のタンクおよび前記第１の配管を循環している硫酸含有液を前記混合部に供給する工程を実行する、請求項１に記載の基板処理装置。
　前記第２の貯液部が、
　前記第２のタンクおよび前記第１の配管を循環している硫酸含有液の硫酸濃度を計測する硫酸濃度計をさらに含み、
　前記制御装置が、前記硫酸濃度計による計測値が所定の判定値未満である場合に、前記硫酸補充工程を実行する、請求項２に記載の基板処理装置。
　前記第１の貯液部が、
　前記第１のタンクに両端が接続され、前記第１のタンクに貯留されている硫酸含有液が循環する第２の配管と、
　前記第１のタンクおよび前記第２の配管を循環している硫酸含有液を加熱する第２のヒータと、をさらに含み、
　前記制御装置が、前記硫酸含有液作成工程において、前記第１のタンクおよび前記第２の配管を循環している硫酸含有液を第２のヒータによって加熱する第２の加熱工程をさらに実行する、請求項２に記載の基板処理装置。
　前記第１の貯液部が、
　前記第１のタンクに両端が接続され、前記第１のタンクに貯留されている硫酸含有液が循環する第２の配管をさらに含み、
　前記第１の貯液部には、前記第１のタンクおよび前記第２の配管を循環している硫酸含有液を加熱するためのユニットが設けられていない、請求項２に記載の基板処理装置。
　前記第１の貯液部が、
　前記第２の配管に介装され、当該前記第２の配管を流通する硫酸含有液に含まれる異物を捕獲するフィルタをさらに含む、請求項５に記載の基板処理装置。
　前記硫酸含有液供給装置が、第３の貯液部をさらに含み、
　前記第３の貯液部が、
　前記第１のタンクから送られる液体を貯留する第３のタンクと、
　前記第３のタンクに両端が接続され、前記第３のタンクに貯留されている液体が循環する第３の配管と、
　前記第３のタンクおよび前記第３の配管を循環している液体を加熱するための第２のヒータと、を含み、
　前記制御装置が、前記硫酸含有液作成工程において、
　前記第１のタンクから送られた硫酸含有液を前記第３のタンクに貯留する第３の貯留工程と、
　前記第３のタンクおよび前記第３の配管を循環している硫酸含有液を前記第２のヒータによって加熱する第２の加熱工程と、をさらに実行し、
　前記制御装置が、前記ＳＰＭ吐出工程において、前記第３のタンクおよび前記第３の配管を循環している硫酸含有液を前記第２のタンクに送る工程をさらに実行する、請求項５に記載の基板処理装置。
　前記第１の貯液部が、
　前記第１のタンクおよび前記第２の配管を循環している硫酸含有液を冷却するためのクーラーをさらに含み、
　前記制御装置が、前記硫酸含有液作成工程において、前記第１のタンクおよび前記第２の配管を循環している硫酸含有液を前記クーラーによって冷却する冷却工程をさらに実行する、請求項５～７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
　前記第１のタンクおよび前記第２の配管を循環している硫酸含有液が自然冷却のみによって冷却される、請求項５～７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
　前記第１のヒータによる加熱温度である第１の加熱温度が、前記第２のヒータによる加熱温度である第２の加熱温度よりも高い、請求項４または７に記載の基板処理装置。
　前記第２のタンクまたは前記第１の配管と前記混合部とを接続する硫酸含有液供給配管と、
　前記硫酸含有液供給配管を流通している硫酸含有液を加熱するための第３のヒータと、をさらに含み、
　前記制御装置が、前記硫酸含有液作成工程において、前記硫酸含有液供給配管を流通している硫酸含有液を前記第３のヒータによって加熱する第３の加熱工程をさらに実行する、請求項２に記載の基板処理装置。
　前記混合部における過酸化水素水に対する硫酸含有液の比を変更する混合比変更ユニットと、
　前記基板保持ユニットに保持されている基板に供給され当該基板から排出された液体を回収して前記硫酸含有液供給装置に送るための回収配管と、
　前記基板保持ユニットに保持されている基板に供給され当該基板から排出された液体が流入する排液配管と、
　前記基板保持ユニットに保持されている基板から排出された液体が流入する配管を、前記排液配管および前記回収配管の間で切り換える切り換えユニットと、をさらに含み、
　前記制御装置が、
　前記混合比変更ユニットを制御することにより、過酸化水素水に対する硫酸含有液の比を表す第１の混合比で硫酸含有液および過酸化水素水を混合して第１のＳＰＭを作成し、作成された前記第１のＳＰＭを、前記基板保持ユニットに保持されている基板に供給する第１のＳＰＭ供給工程と、
　前記混合比変更ユニットを制御することにより、過酸化水素水に対する硫酸含有液の比を表し、前記第１の混合比よりも大きい第２の混合比で硫酸および過酸化水素水を混合して第２のＳＰＭを作成し、作成された前記第２のＳＰＭを、前記第１のＳＰＭ供給工程において前記第１のＳＰＭの供給が停止された後に、前記基板保持ユニットに保持されている基板に供給する第２のＳＰＭ供給工程と、
　前記切り換えユニットを制御することにより、前記第１のＳＰＭ供給工程において前記基板に供給され前記基板から排出された前記第１のＳＰＭを、前記排液配管に流入させる排液工程と、
　前記切り換えユニットを制御することにより、前記第２のＳＰＭ供給工程において前記基板に供給され前記基板から排出された前記第２のＳＰＭを、前記回収配管に流入させる回収工程と、をさらに実行する、請求項１または２に記載の基板処理装置。
　前記排液配管に接続されて、前記基板保持ユニットに保持されている基板を取り囲む第１のガードと、
　前記回収配管に接続されて、前記基板保持ユニットに保持されている基板を取り囲む第２のガードと、をさらに含み、
　前記切り換えユニットが、前記第１のガードおよび前記第２のガードの状態を、前記基板から排出された液体を前記第１のガードが受け止める第１状態と、前記基板から排出された液体を前記第２のガードが受け止める第２状態との間で切り換えるガード切り換えユニットと、を含み、
　前記制御装置が、
　前記ガード切り換えユニットを制御することにより、前記第１のＳＰＭ供給工程において前記基板から排出された前記第１のＳＰＭを、前記第１のガードに受け止めさせる第１のＳＰＭ捕獲工程と、
　前記ガード切り換えユニットを制御することにより、前記第２のＳＰＭ供給工程において前記基板から排出された前記第２のＳＰＭを、前記第２のガードに受け止めさせる第２のＳＰＭ捕獲工程と、をさらに実行する、請求項１２に記載の基板処理装置。
　基板保持ユニットに保持されている基板に向けて吐出口から、硫酸および過酸化水素水の混合液であるＳＰＭを吐出するノズルと、前記吐出口に連通する混合部と、を含む基板処理装置において実行される基板処理方法であって、
　前記基板保持ユニットに保持されている、少なくとも一部がレジストで覆われた基板に供給され、当該基板から排出されたＳＰＭを回収して硫酸含有液を作成する硫酸含有液作成工程と、
　作成後の硫酸含有液および過酸化水素水を前記混合部に供給することにより、前記混合部において硫酸含有液および過酸化水素水を混合してＳＰＭを生成し、生成されたＳＰＭを前記吐出口から吐出するＳＰＭ吐出工程と、を含む、基板処理方法。
　前記硫酸含有液作成工程が、
　前記基板から排出されたＳＰＭを回収して硫酸含有液として第１の貯液部の第１のタンクに貯留する工程と、
　前記第１のタンクに硫酸を補充する硫酸補充工程と、
　前記第１のタンクから送られた硫酸含有液を、前記第１のタンクとは異なる、第２の貯液部の第２のタンクに貯留する工程と、
　前記第２のタンク、および前記第２のタンクに両端が接続された第１の配管を循環している硫酸含有液を、第２の貯液部の第１のヒータによって加熱する加熱工程と、を含み、
　前記ＳＰＭ吐出工程が、前記第２のタンクおよび前記第１の配管を循環している硫酸含有液を前記混合部に供給する工程を含む、請求項１４に記載の基板処理方法。
　前記混合部における過酸化水素水に対する硫酸含有液の比を変更することにより、過酸化水素水に対する硫酸含有液の比を表す第１の混合比で硫酸含有液および過酸化水素水を混合して第１のＳＰＭを作成し、作成された前記第１のＳＰＭを、前記基板保持ユニットに保持されている基板に供給する第１のＳＰＭ供給工程と、
　前記混合部における過酸化水素水に対する硫酸含有液の比を変更することにより、過酸化水素水に対する硫酸含有液の比を表し、前記第１の混合比よりも大きい第２の混合比で硫酸および過酸化水素水を混合して第２のＳＰＭを作成し、作成された前記第２のＳＰＭを、前記第１のＳＰＭ供給工程において前記第１のＳＰＭの供給が停止された後に、前記基板保持ユニットに保持されている基板に供給する第２のＳＰＭ供給工程と、
　前記第１のＳＰＭ供給工程において前記基板に供給され前記基板から排出された前記第１のＳＰＭを、前記基板保持ユニットに保持されている基板に供給され当該基板から排出された液体を回収するための回収配管とは異なる配管である排液配管に流入させる排液工程と、
　前記第２のＳＰＭ供給工程において前記基板に供給され前記基板から排出された前記第２のＳＰＭを、前記回収配管に流入させる回収工程と、をさらに含む、請求項１４または１５に記載の基板処理方法。
　前記第１のＳＰＭ供給工程において前記基板から排出された前記第１のＳＰＭを、前記基板を取り囲んでおり、前記排液配管に接続された第１のガードに受け止めさせる第１のＳＰＭ捕獲工程と、
　前記第２のＳＰＭ供給工程において前記基板から排出された前記第２のＳＰＭを、前記基板を取り囲んでおり、前記回収配管に接続された第２のガードに受け止めさせる第２のＳＰＭ捕獲工程と、をさらに含む、請求項１６に記載の基板処理方法。