WO2017135064A1 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

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WO2017135064A1
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storage tank
liquid
path
concentration
substrate processing
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康弘 ▲高▼木
慎一 梅野
高志 永井
寿 守田
信博 緒方
祐助 ▲高▼松
治郎 東島
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東京エレクトロン株式会社
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Definitions

  • the disclosed embodiment relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.
  • a substrate processing apparatus for processing a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate using a mixed liquid obtained by mixing a first processing liquid and a second processing liquid.
  • the first processing liquid is recovered and reused by returning the used mixed liquid to the tank storing the first processing liquid. There is.
  • the concentration of the first processing liquid in the tank gradually decreases by repeating the above recovery and reuse. Therefore, in recent years, the concentration of the first processing liquid can be obtained by collecting a part of the used liquid mixture and discarding the remainder, and replenishing the tank with the same amount of the first processing liquid as the discarded liquid mixture.
  • a technique for suppressing the reduction has been proposed (see Patent Document 1).
  • the first processing liquid in the tank may not have a desired concentration.
  • An object of one embodiment of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of accurately collecting a mixed solution so that a first processing solution for processing a substrate has a desired concentration.
  • a substrate processing apparatus includes a storage tank, a substrate processing unit, a recovery path, a disposal path, a supply path, a switching unit, and a switching control unit.
  • the storage tank stores the first processing liquid.
  • the substrate processing unit processes the substrate by supplying a mixed liquid of the first processing liquid and the second processing liquid supplied from the storage tank to the substrate.
  • the collection path returns the mixed solution supplied to the substrate processing unit to the storage tank.
  • the disposal route discards the supplied mixed solution to a place other than the storage tank.
  • the supply path supplies the first processing liquid to the storage tank.
  • the switching unit switches the inflow destination of the supplied mixed liquid between the recovery path and the disposal path.
  • the switching control unit controls the switching unit to cause the supplied mixed solution to flow into the disposal path until the first time elapses after the substrate processing unit starts supplying the mixed solution to the substrate.
  • the supplied liquid mixture is caused to flow into the recovery path after the first time has elapsed and until the second time determined based on the recovery rate determined in advance has elapsed.
  • the supplied mixed liquid is caused to flow into the disposal path from the elapse of time until the supply of the mixed liquid is completed.
  • the mixed liquid so that the first processing liquid for processing the substrate has a desired concentration.
  • FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a processing liquid supply system in the substrate processing system according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating an example of the substrate processing method according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating a schematic configuration of the substrate processing system according to the first embodiment.
  • FIG. 4 is a diagram showing a schematic configuration of the processing unit.
  • FIG. 5 is a diagram illustrating a specific configuration example of the processing liquid supply system in the substrate processing system according to the first embodiment.
  • FIG. 6 is a flowchart illustrating an example of a substrate processing procedure executed by the processing unit according to the first embodiment.
  • FIG. 7 is a graph showing the final reached concentration of sulfuric acid in the storage tank when the recovery rate of the used SPM is X1 to X3%.
  • FIG. 8 is a graph showing the amount of sulfuric acid consumed per wafer when the used SPM recovery rate is X1 to X3%.
  • FIG. 9 is a graph showing temporal changes in the concentration of sulfuric acid in the storage tank and the amount of liquid in the storage tank when a plurality of wafers are successively processed using the processing unit.
  • FIG. 10 is a flowchart illustrating an example of the procedure of the collection process.
  • FIG. 11 is a flowchart illustrating an example of a replenishment processing procedure.
  • FIG. 12 is a diagram illustrating a configuration example of the storage tank.
  • FIG. 13 is a schematic plan sectional view of the storage tank.
  • FIG. 14 is a schematic side sectional view of the storage tank.
  • FIG. 15 is a graph showing temporal changes in the SPM temperature and the sulfuric acid concentration in the storage tank when the circulation temperature adjustment process is not performed.
  • FIG. 16 is a graph showing temporal changes in the temperature of SPM and the concentration of sulfuric acid in the storage tank when the circulation temperature adjustment process is performed.
  • FIG. 17 is a diagram illustrating a configuration example of a processing liquid supply system in the substrate processing system according to the second embodiment.
  • FIG. 18 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate processing system according to the third embodiment.
  • FIG. 19 is a diagram illustrating a schematic configuration of a processing unit according to the third embodiment.
  • FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a processing liquid supply system in the substrate processing system according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating an example of the substrate processing method according to the first embodiment.
  • the substrate processing system 1 processes a substrate using a mixed liquid of a first processing liquid and a second processing liquid. Further, the substrate processing system 1 collects and reuses the used liquid mixture. Specifically, the substrate processing system 1 includes a storage tank 102, a processing unit 16, a recovery path 114, a disposal path 115, a supply path 170, a switching unit 80, and a control unit 18.
  • the storage tank 102 stores the first processing liquid.
  • the processing unit 16 processes the substrate using a mixed liquid of the first processing liquid supplied from the storage tank 102 and the second processing liquid supplied from a place other than the storage tank 102.
  • the recovery path 114 returns the mixed liquid (used mixed liquid) used in the processing unit 16 to the storage tank 102.
  • the discard path 115 discharges the used mixed liquid to a place other than the storage tank 102.
  • the supply path 170 replenishes the storage tank 102 with the first processing liquid.
  • the switching unit 80 switches the inflow destination of the used mixed liquid from the recovery path 114 to the discard path 115 or from the discard path 115 to the recovery path 114.
  • the switching unit 80 is controlled by the control unit 18.
  • the substrate processing system 1 configured as described above recovers the first processing liquid by returning the used mixed liquid to the storage tank 102 via the recovery path 114, and reuses the recovered first processing liquid.
  • the consumption of the first processing liquid is to be suppressed.
  • the concentration of the first processing liquid in the storage tank 102 gradually decreases by repeating the above recovery and reuse. Therefore, in the substrate processing system 1, a part of the used mixed liquid is collected and the rest is discarded, and the first processing liquid having a relatively higher concentration than the first processing liquid stored in the storage tank 102 is supplied. By replenishing the storage tank 102 via the path 170, a decrease in the concentration of the first processing liquid in the storage tank 102 is suppressed.
  • the actual recovery rate of the used mixed liquid matches the recovery rate determined in advance as much as possible.
  • the concentration of the mixed liquid that is, the first processing liquid and the second processing liquid The mixing ratio
  • the desired concentration and flow rate may not be achieved.
  • the concentration of the first processing liquid in the storage tank 102 may be lower than the minimum concentration necessary for processing the substrate. .
  • the amount of liquid in the storage tank 102 may increase or decrease too much. In this case, the excess of the first processing liquid is consumed by discarding the excess or replenishing the shortage.
  • the used mixed liquid is collected in a period excluding a predetermined period after the start when the concentration and flow rate are not stable and a predetermined period before the end.
  • the used mixed solution is caused to flow into the disposal path 115 until the first time elapses after the processing by the processing unit 16 is started.
  • the used liquid mixture is allowed to flow into the collection path 114 until the second time elapses after the elapse of time, and is used until the processing by the processing unit 16 ends after the elapse of the second time.
  • the mixed liquid was allowed to flow into the disposal path 115.
  • the first processing liquid in the storage tank 102 can be set to a desired concentration.
  • FIG. 3 is a diagram showing a schematic configuration of the substrate processing system 1 according to the first embodiment.
  • the X axis, the Y axis, and the Z axis that are orthogonal to each other are defined, and the positive direction of the Z axis is the vertically upward direction.
  • the substrate processing system 1 includes a carry-in / out station 2 and a processing station 3.
  • the carry-in / out station 2 and the processing station 3 are provided adjacent to each other.
  • the loading / unloading station 2 includes a carrier placement unit 11 and a conveyance unit 12.
  • the transfer unit 12 is provided adjacent to the carrier placement unit 11 and includes a substrate transfer device 13 and a delivery unit 14 inside.
  • the substrate transfer device 13 includes a wafer holding mechanism that holds the wafer W. Further, the substrate transfer device 13 can move in the horizontal direction and the vertical direction and can turn around the vertical axis, and transfers the wafer W between the carrier C and the delivery unit 14 using the wafer holding mechanism. Do.
  • the processing station 3 is provided adjacent to the transfer unit 12.
  • the processing station 3 includes a transport unit 15 and a plurality of processing units 16.
  • the plurality of processing units 16 are provided side by side on the transport unit 15.
  • the transfer unit 15 includes a substrate transfer device 17 inside.
  • the substrate transfer device 17 includes a wafer holding mechanism that holds the wafer W. Further, the substrate transfer device 17 can move in the horizontal direction and the vertical direction and can turn around the vertical axis, and transfers the wafer W between the delivery unit 14 and the processing unit 16 using a wafer holding mechanism. I do.
  • the processing unit 16 performs predetermined substrate processing on the wafer W transferred by the substrate transfer device 17.
  • the substrate processing system 1 includes a control device 4.
  • the control device 4 is a computer, for example, and includes a control unit 18 and a storage unit 19.
  • the storage unit 19 stores a program for controlling various processes executed in the substrate processing system 1.
  • the control unit 18 controls the operation of the substrate processing system 1 by reading and executing the program stored in the storage unit 19.
  • Such a program may be recorded in a computer-readable storage medium and installed in the storage unit 19 of the control device 4 from the storage medium.
  • Examples of the computer-readable storage medium include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnetic optical disk (MO), and a memory card.
  • the substrate transfer device 13 of the loading / unloading station 2 takes out the wafer W from the carrier C placed on the carrier placement unit 11 and receives the taken-out wafer W. Place on the transfer section 14.
  • the wafer W placed on the delivery unit 14 is taken out from the delivery unit 14 by the substrate transfer device 17 of the processing station 3 and carried into the processing unit 16.
  • the wafer W loaded into the processing unit 16 is processed by the processing unit 16, then unloaded from the processing unit 16 by the substrate transfer device 17, and placed on the delivery unit 14. Then, the processed wafer W placed on the delivery unit 14 is returned to the carrier C of the carrier placement unit 11 by the substrate transfer device 13.
  • the control unit 18 of the control device 4 includes a microcomputer having a CPU (Central Processing Unit), a ROM (Read Only Memory), a RAM (Random Access Memory), an input / output port, and various circuits.
  • the CPU of such a microcomputer realizes control to be described later by reading and executing a program stored in the ROM.
  • the storage unit 19 is realized by, for example, a semiconductor memory element such as a RAM or a flash memory, or a storage device such as a hard disk or an optical disk.
  • FIG. 4 is a diagram showing a schematic configuration of the processing unit 16.
  • the processing unit 16 includes a chamber 20, a substrate holding mechanism 30, a processing fluid supply unit 40, and a recovery cup 50.
  • the chamber 20 accommodates the substrate holding mechanism 30, the processing fluid supply unit 40, and the recovery cup 50.
  • An FFU (Fan Filter Unit) 21 is provided on the ceiling of the chamber 20.
  • the FFU 21 forms a down flow in the chamber 20.
  • the substrate holding mechanism 30 includes a holding part 31, a support part 32, and a driving part 33.
  • the holding unit 31 holds the wafer W horizontally.
  • pillar part 32 is a member extended in a perpendicular direction, a base end part is rotatably supported by the drive part 33, and supports the holding
  • the drive unit 33 rotates the column unit 32 around the vertical axis.
  • the substrate holding mechanism 30 rotates the support unit 31 by rotating the support unit 32 using the drive unit 33, thereby rotating the wafer W held by the support unit 31. .
  • the processing fluid supply unit 40 supplies a processing fluid to the wafer W.
  • the processing fluid supply unit 40 is connected to a processing fluid supply source 70.
  • the collection cup 50 is disposed so as to surround the holding unit 31, and collects the processing liquid scattered from the wafer W by the rotation of the holding unit 31.
  • a drain port 51 is formed at the bottom of the recovery cup 50, and the processing liquid collected by the recovery cup 50 is discharged from the drain port 51 to the outside of the processing unit 16. Further, an exhaust port 52 for discharging the gas supplied from the FFU 21 to the outside of the processing unit 16 is formed at the bottom of the recovery cup 50.
  • FIG. 5 is a diagram illustrating a specific configuration example of the processing liquid supply system in the substrate processing system 1 according to the first embodiment.
  • the processing fluid supply source 70 includes a storage tank 102 that stores sulfuric acid, a circulation path 104 that exits from the storage tank 102 and returns to the storage tank 102, and a branch from the circulation path 104. And a plurality of branch paths 112 connected to each processing unit 16.
  • the storage tank 102 is provided with a liquid level sensor S1.
  • the liquid level sensor S1 is disposed, for example, on the side of the storage tank 102, and detects the liquid level of sulfuric acid stored in the storage tank 102.
  • the liquid level sensor S ⁇ b> 1 is a sensor for detecting the lower limit liquid level in the storage tank 102. The detection result by the liquid level sensor S1 is output to the control unit 18.
  • the circulation path 104 is provided with a pump 106, a filter 108, a heater 109, and a concentration meter 110 in order from the upstream side.
  • the pump 106 forms a circulation flow that exits the storage tank 102, passes through the circulation path 104, and returns to the storage tank 102.
  • the filter 108 removes contaminants such as particles contained in sulfuric acid.
  • the heater 109 is controlled by the control unit 18 and heats the sulfuric acid circulating through the circulation path 104 to a set temperature.
  • the concentration meter 110 detects the concentration of sulfuric acid circulating in the circulation path 104 and outputs the detection result to the control unit 18.
  • a plurality of branch paths 112 are connected downstream of the densitometer 110 in the circulation path 104.
  • Each branch path 112 is connected to a later-described mixing section 45 of each processing unit 16 and supplies sulfuric acid flowing through the circulation path 104 to each mixing section 45.
  • Each branch path 112 is provided with a valve 113.
  • the processing fluid supply source 70 includes a hydrogen peroxide solution supply path 160, a valve 161, and a hydrogen peroxide solution supply source 162 as a hydrogen peroxide solution supply system.
  • One end of the hydrogen peroxide solution supply path 160 is connected to the hydrogen peroxide solution supply source 162 via the valve 161, and the other end is connected to a mixing unit 45 described later of the processing unit 16.
  • the processing fluid supply source 70 supplies the hydrogen peroxide solution supplied from the hydrogen peroxide solution supply source 162 to the mixing unit 45 of the processing unit 16 via the hydrogen peroxide solution supply path 160.
  • the processing fluid supply source 70 includes a supply path 170, a valve 171, and a sulfuric acid supply source 172.
  • One end of the supply path 170 is connected to the sulfuric acid supply source 172 via the valve 171, and the other end is connected to the storage tank 102.
  • the sulfuric acid supply source 172 supplies sulfuric acid.
  • the processing fluid supply source 70 supplies sulfuric acid supplied from the sulfuric acid supply source 172 to the storage tank 102 via the supply path 170.
  • the process fluid supply source 70 is provided with the rinse liquid supply path
  • the rinse liquid for example, DIW (pure water) can be used.
  • the processing unit 16 includes a mixing unit 45.
  • the mixing unit 45 mixes sulfuric acid supplied from the branch path 112 and hydrogen peroxide supplied from the hydrogen peroxide supply path 160 to generate SPM as a mixed liquid, and the generated SPM is treated as a processing fluid. It supplies to the supply part 40 (refer FIG. 4).
  • the mixing unit 45 may be integrated into the processing fluid supply unit 40.
  • drain port 51 of each processing unit 16 is connected to the discharge path 54 via the branch path 53.
  • the SPM used in each processing unit 16 is discharged from the drain port 51 to the discharge path 54 via the branch path 53.
  • the supply of the SPM and the supply of the rinsing liquid are performed using the processing fluid supply unit 40, but the processing unit 16 includes a processing fluid supply unit for supplying the rinsing liquid separately. Also good.
  • the substrate processing system 1 further includes a switching unit 80, a recovery path 114, and a discard path 115.
  • the switching unit 80 is connected to the discharge path 54, the recovery path 114, and the discard path 115, and the used SPM inflow destination that flows through the discharge path 54 is changed between the recovery path 114 and the discard path 115 according to the control of the control unit 18. Switch between.
  • the collection path 114 has one end connected to the switching unit 80 and the other end connected to the storage tank 102.
  • a collection tank 116 In the collection path 114, a collection tank 116, a pump 117, and a filter 118 are provided in order from the upstream side.
  • the collection tank 116 temporarily stores used SPM.
  • the pump 117 forms a flow for sending the used SPM stored in the recovery tank 116 to the storage tank 102.
  • the filter 118 removes contaminants such as particles contained in the used SPM.
  • the discard path 115 is connected to the switching unit 80, and discharges used SPM flowing from the discharge path 54 via the switching unit 80 to the outside of the substrate processing system 1.
  • FIG. 6 is a flowchart illustrating an example of a substrate processing procedure executed by the processing unit 16 according to the first embodiment. Each processing procedure shown in FIG. 6 is executed under the control of the control unit 18.
  • the wafer W is carried in (step S101). Specifically, the wafer W is loaded into the chamber 20 (see FIG. 4) of the processing unit 16 by the substrate transfer device 17 (see FIG. 3) and held by the holding unit 31. Thereafter, the processing unit 16 rotates the holding unit 31 at a predetermined rotation speed (for example, 50 rpm).
  • a predetermined rotation speed for example, 50 rpm
  • an SPM supply process is performed (step S102).
  • the valve 113 and the valve 161 are opened for a predetermined time (for example, 30 seconds), whereby SPM is supplied from the processing fluid supply unit 40 to the upper surface of the wafer W.
  • the SPM supplied to the wafer W is spread on the surface of the wafer W by centrifugal force accompanying the rotation of the wafer W.
  • the resist formed on the upper surface of the wafer W is removed by using the strong oxidizing power of caloic acid contained in the SPM and the reaction heat of sulfuric acid and hydrogen peroxide.
  • the flow rates of sulfuric acid and hydrogen peroxide water are determined according to the mixing ratio of sulfuric acid and hydrogen peroxide water. Since the ratio of sulfuric acid in SPM is higher than that of hydrogen peroxide solution, the flow rate of sulfuric acid is set to be higher than that of hydrogen peroxide solution.
  • step S103 the processing unit 16 performs a rinsing process.
  • a rinsing liquid for example, DIW
  • DIW a rinsing liquid
  • the DIW supplied to the wafer W is spread on the surface of the wafer W by centrifugal force accompanying the rotation of the wafer W. As a result, the SPM remaining on the wafer W is washed away by the DIW.
  • step S104 the processing unit 16 performs a drying process.
  • the wafer W is rotated at a predetermined rotation speed (for example, 1000 rpm) for a predetermined time. Thereby, the DIW remaining on the wafer W is shaken off, and the wafer W is dried. Thereafter, the rotation of the wafer W is stopped.
  • a predetermined rotation speed for example, 1000 rpm
  • step S105 an unloading process is performed (step S105).
  • the wafer W held by the holding unit 31 is transferred to the substrate transfer device 17.
  • the substrate processing for one wafer W is completed.
  • FIG. 7 is a graph showing the final concentration of sulfuric acid in the storage tank 102 when the recovery rate of the used SPM is X1 to X3%.
  • FIG. 8 is a graph showing the consumption of sulfuric acid per wafer W when the recovery rate of used SPM is X1 to X3%.
  • FIG. 9 is a graph showing temporal changes in the concentration of sulfuric acid in the storage tank 102 and the amount of liquid in the storage tank 102 when a plurality of wafers W are successively processed using the processing unit 16.
  • FIG. 7 shows sulfuric acid having the same concentration as the initial concentration of sulfuric acid in the storage tank 102 (concentration before being diluted with hydrogen peroxide solution), and the amount of decrease in the liquid in the storage tank 102 ( The sulfuric acid in the storage tank 102 when replenishing the same amount of sulfuric acid from the supply path 170 as the amount of liquid supplied from the storage tank 102 to the processing unit 16 minus the amount of liquid returning to the storage tank 102).
  • the final concentration reached is shown.
  • the final concentration is a convergence value of the concentration of sulfuric acid in the storage tank 102 when a plurality of wafers W are successively processed while collecting used SPM and replenishing sulfuric acid.
  • the recovery rate of the used SPM is determined based on the lower concentration limit Cmin set as the lower limit of the sulfuric acid concentration necessary for the treatment using the SPM.
  • the concentration lower limit Cmin is, for example, the lower limit of the concentration of sulfuric acid so that the temperature does not fall below the SPM temperature necessary for exhibiting the desired resist removal performance.
  • the temperature of the SPM is determined by the heating temperature of the sulfuric acid by the heater 109 and the reaction heat generated by the reaction between the sulfuric acid and the hydrogen peroxide solution.
  • the concentration of sulfuric acid decreases, the reaction heat decreases, There exists a possibility that temperature may fall below temperature required in order to exhibit desired resist removal performance.
  • the decrease in sulfuric acid concentration occurs when the hydrogen peroxide contained in the collected used SPM flows into the storage tank 102 to dilute the sulfuric acid in the storage tank 102. For this reason, if the recovery rate of the used SPM is increased too much, the amount of the hydrogen peroxide water flowing into the storage tank 102 increases and the concentration of sulfuric acid decreases drastically. As a result, as shown in FIG. The density will fall below the density lower limit Cmin.
  • the recovery rate of the used SPM is determined to be the recovery rate X1% at which the concentration of sulfuric acid stored in the storage tank 102 is maintained at the lower concentration limit value Cmin. It is desirable that
  • the concentration in the tank can be maintained at the concentration lower limit Cmin as shown by the solid line in FIG. Therefore, since sulfuric acid is not consumed excessively by liquid exchange, the consumption of sulfuric acid can be reduced as much as possible.
  • sulfuric acid having the same concentration as the initial concentration of sulfuric acid in the storage tank 102 and having the same amount of sulfuric acid as the amount of liquid in the storage tank 102 is replenished from the supply path 170.
  • the amount of liquid in the storage tank 102 can be maintained at a constant amount, as indicated by a one-dot chain line. Therefore, it is not necessary to discard the increase or replenish the shortage, so that the consumption of sulfuric acid can be reduced as much as possible.
  • the used SPM is recovered.
  • the rate X1 is determined to be 53%.
  • FIG. 10 is a flowchart illustrating an example of the procedure of the collection process.
  • FIG. 10 shows the procedure of the recovery process when the discharge path 54 and the discard path 115 are in communication at the start of the SPM supply process.
  • Each processing procedure shown in FIG. 10 is controlled by the control unit 18.
  • the control unit 18 determines whether or not the first time has elapsed since the start of the SPM supply process (see FIG. 6) by the processing unit 16 (step S201).
  • the first time is set to a time longer than the time from when the valves 113 and 161 are opened until the flow rates of sulfuric acid and hydrogen peroxide are stabilized.
  • the time when both the valves 113 and 161 are opened is the start time of the SPM supply process, but the definition of the start time of the SPM supply process is not limited to this.
  • other definitions such as the time when the control unit 18 sends an opening instruction signal to the valves 113 and 161 and the time when the SPM reaches the wafer W may be made.
  • the control unit 18 repeats the determination process in step S201 until the first time has elapsed (step S201, No). At this time, since the discharge path 54 communicates with the discard path 115, the used SPM is discarded from the discard path 115 to the outside.
  • step S201 when it is determined in step S201 that the first time has elapsed (step S201, Yes), the control unit 18 controls the switching unit 80 to change the inflow destination of the used SPM from the discard route 115 to the recovery route. Switch to 114 (step S202). As a result, the used SPM flows from the discharge path 54 to the recovery path 114 and is returned to the storage tank 102.
  • control unit 18 determines whether or not the second time has elapsed since the first time has elapsed (step S203).
  • the second time is set to a time when the used SPM recovery rate becomes the predetermined used SPM recovery rate X1.
  • the control unit 18 repeats the determination process in step S202 until the second time has elapsed (No in step S203).
  • step S203 when it is determined in step S203 that the second time has elapsed (step S203, Yes), the control unit 18 switches the inflow destination of the used SPM from the collection path 114 to the discard path 115 (step S204). As a result, the used SPM is discarded from the discard path 115 to the outside.
  • the used SPM is collected at a predetermined recovery rate in a period excluding a predetermined period after the start of the SPM supply process and a predetermined period before the end. It was decided to collect.
  • the used SPM can be collected at a stable concentration and flow rate, so that the actual collection rate of the used SPM can be matched with the predetermined collection rate as much as possible. Therefore, according to the substrate processing system 1 which concerns on 1st Embodiment, the consumption of a sulfuric acid can be reduced as much as possible.
  • the control unit 18 determines the used SPM inflow destination before the SPM supply process is started. The process of switching from to the discard path 115 may be performed.
  • FIG. 11 is a flowchart illustrating an example of a replenishment processing procedure. Each processing procedure shown in FIG. 11 is controlled by the control unit 18.
  • the control unit 18 determines whether or not the amount of liquid in the storage tank 102 has fallen below a threshold value (step S301). For example, when the lower limit liquid level in the storage tank 102 is detected by the liquid level sensor S1, the control unit 18 determines that the liquid amount in the storage tank 102 has fallen below the threshold value. The control part 18 repeats the process of step S301 until it determines with the liquid quantity in the storage tank 102 having fallen below the threshold value (step S301, No).
  • control unit 18 acquires, for example, the weight of the liquid in the storage tank 102 and the elapsed time since the previous replenishment as liquid amount information related to the liquid amount in the storage tank 102, and the liquid The above determination may be made based on the quantity information.
  • step S301 When it is determined in step S301 that the amount of liquid in the storage tank 102 has fallen below the threshold (Yes in step S301), the control unit 18 replenishes the storage tank 102 with a predetermined amount of sulfuric acid via the supply path 170. (Step S302), the process returns to Step S301.
  • step S ⁇ b> 302 the control unit 18 replenishes the storage tank 102 with sulfuric acid having the same concentration as the initial concentration of sulfuric acid stored in the storage tank 102 and the same amount as the amount of decrease in the liquid in the storage tank 102. As a result, the concentration and the amount of liquid in the storage tank 102 are kept constant.
  • FIG. 12 is a diagram illustrating a configuration example of the storage tank 102.
  • a partition member 130 for partitioning the storage tank 102 up and down is provided inside the storage tank 102.
  • the partition member 130 is disposed with a predetermined gap between the partition member 130 and the side wall of the storage tank 102.
  • the storage tank 102 includes an extraction port 141 for a recovery path 114 that extracts sulfuric acid in the storage tank 102.
  • the take-out port 141 is disposed below the partition member 130.
  • a return port 142 of the circulation path 104 that discharges sulfuric acid extracted from the extraction port 141 toward the partition member 130 is disposed above the partition member 130.
  • the return port 142 of the circulation path 104 is arranged close to the partition member 130 so that the flow of sulfuric acid flowing out from the return port 142 reaches the partition member 130 and the convection of sulfuric acid is formed in the storage tank 102. Is done. The specific arrangement of the return port 142 will be described later.
  • the sulfuric acid stirred above the partition member 130 moves below the partition member 130 through a gap between the partition member 130 and the side wall of the storage tank 102, and is an extraction port disposed below the partition member 130. 141 flows into the circulation path 104.
  • the extraction port 141 of the circulation path 104 is disposed below the partition member 130, the used SPM supplied from the recovery path 114 is extracted from the extraction port 141. It is possible to prevent direct flow into the water.
  • FIG. 13 is a schematic plan sectional view of the storage tank 102.
  • FIG. 14 is a schematic side sectional view of the storage tank 102.
  • the fixing member 180 shown in FIG. 14 is omitted.
  • the storage tank 102 has a cylindrical shape.
  • sulfuric acid stagnation is less likely to occur in the storage tank 102 as compared to a rectangular tank, so that the sulfuric acid can be further efficiently stirred. Therefore, it is possible to further shorten the time until the concentration of sulfuric acid in the storage tank 102 is stabilized.
  • the storage tank 102 is more preferably a perfect circle in plan view, but the storage tank 102 may be elliptical in plan view. .
  • the return port 142 of the circulation path 104 is disposed at the center of the storage tank 102 in plan view.
  • the convection of sulfuric acid is less likely to be biased. Therefore, the stirring property of sulfuric acid can be improved.
  • the supply port 119 of the collection path 114 and the supply port 173 of the supply path 170 are arranged in the vicinity of the return port 142 of the circulation path 104 in plan view.
  • the supply port 119 of the recovery path 114 and the supply port 173 of the supply path 170 are arranged in the central portion of the storage tank 102 that is the starting point of convection. Therefore, it is possible to further shorten the time until the concentration of sulfuric acid in the storage tank 102 is stabilized. Further, it is possible to prevent the convection from being hindered by the used SPM supplied from the recovery path 114 or the flow of sulfuric acid supplied from the supply path 170.
  • the circulation path 104 that continuously supplies sulfuric acid to the storage tank 102 is more convective than the recovery path 114 and the supply path 170.
  • the contribution is large.
  • the supply port 119 of the recovery path 114 and the supply port 173 of the supply path 170 that have a smaller contribution to convection formation than the circulation path 104 are farther from the center of the storage tank 102 than the return port 142 of the circulation path 104. It is preferable to be arranged at a different location.
  • the return port 142 of the circulation path 104, the supply port 119 of the recovery path 114, and the supply port 173 of the supply path 170 are located below the liquid level sensor S1, in other words, the lower limit in the storage tank 102. It arrange
  • the gap between the side wall 121 of the storage tank 102 and the partition member 130 is formed over the entire circumference of the partition member 130. Thereby, it is possible to make it difficult for sulfuric acid stagnation to occur between the side wall 121 of the storage tank 102 and the partition member 130.
  • the partition member 130 has the same circular shape as the storage tank 102 in a plan view, and the partition member 130 is arranged in the center of the storage tank 102 so that the partition wall 130 is separated from the side wall 121 of the storage tank 102.
  • the gap between the members 130 can be made uniform over the entire circumference of the partition member 130. In this way, by making the gap between the side wall 121 of the storage tank 102 and the partition member 130 uniform over the entire circumference of the partition member 130, it is possible to make it difficult to cause stagnation of sulfuric acid in the storage tank 102. In other words, the sulfuric acid in the storage tank 102 can be stirred more uniformly.
  • the opening area D1 of the gap between the side wall 121 of the storage tank 102 and the partition member 130 is equal to or larger than the opening area D2 of the outlet 141 of the circulation path 104 as shown in FIG.
  • the opening area D3 of the gap between the bottom surface 122 of the storage tank 102 and the partition member 130 is also equal to or larger than the opening area D2 of the take-out port 141 of the circulation path 104.
  • the partition member 130 is fixed by the fixing member 180 in a state of being separated from the bottom surface 122 of the storage tank 102. Therefore, by changing the fixing member 180, the opening area D3 of the gap between the bottom surface 122 of the storage tank 102 and the partition member 130 can be easily adjusted.
  • the partition member 130 has an umbrella shape as shown in FIG. Specifically, the upper surface 131 of the partition member 130 has a shape whose height decreases from the central portion toward the peripheral portion. Thereby, for example, when all the sulfuric acid in the storage tank 102 is discharged from the return port 142 to the outside, it is possible to suppress the sulfuric acid from remaining on the upper surface 131 of the partition member 130.
  • the bottom surface 122 of the storage tank 102 has a downward slope toward the central portion, and the outlet 141 of the circulation path 104 is disposed at the central portion of the bottom surface 122. Therefore, it is possible to efficiently flow the sulfuric acid in the storage tank 102 into the take-out port 141.
  • the partition member 130 includes a through hole 133 at the center.
  • the through hole 133 is a hole for venting air, and when the sulfuric acid is supplied to the empty storage tank 102, the air accumulated on the lower surface 132 of the partition member 130 can be removed.
  • the through hole 133 is formed with a smaller diameter than the extraction port 141 of the circulation path 104.
  • the opening area D4 of the through hole 133 is formed to be smaller than the opening area D2 of the extraction port 141. Accordingly, the sulfuric acid supplied from the return port 142 of the circulation path 104 or the supply port 173 of the supply path 170 or the used SPM supplied from the supply port 119 of the recovery path 114 passes through the through hole 133 and is taken out from the circulation path 104. It is possible to suppress direct inflow into 141.
  • the lower surface 132 of the partition member 130 has a shape that decreases in height from the central portion toward the peripheral portion. Thereby, the air accumulated on the lower surface 132 of the partition member 130 can be collected at the central portion of the partition member 130 and efficiently removed from the through hole 133.
  • Circulation temperature adjustment processing By the way, in the substrate processing system 1, a circulating temperature adjustment process may be performed in which the temperature of sulfuric acid circulating in the circulation path 104 is adjusted by controlling the heater 109 so that the SPM temperature is kept constant.
  • FIG. 15 is a graph showing the time change of the SPM temperature and the concentration of sulfuric acid in the storage tank 102 when the circulating temperature adjustment process is not performed.
  • FIG. 16 is a graph showing the time change of the temperature of SPM and the concentration of sulfuric acid in the storage tank 102 when the circulation temperature adjustment process is performed.
  • the control unit 18 may control the heater 109 so that the temperature of the SPM becomes constant.
  • the control unit 18 may control the heater 109 so that the circulating temperature increases as the concentration of sulfuric acid in the storage tank 102 decreases. Thereby, the performance fall of the SPM process accompanying the density
  • control unit 18 uses the concentration of sulfuric acid detected by the densitometer 110 as concentration information, and adjusts the heating temperature of sulfuric acid by the heater 109 according to the concentration information.
  • concentration information is not limited to the above example.
  • the control unit 18 may store the number of processed wafers W using SPM in the storage unit 19 as concentration information, and adjust the heating temperature of sulfuric acid by the heater 109 using the concentration information.
  • control unit 18 may adjust the heating temperature of sulfuric acid by the heater 109 using the specific gravity of the liquid stored in the storage tank 102 as concentration information.
  • the substrate processing system 1 only needs to include a hydrometer as the concentration information acquisition unit.
  • the hydrometer can be provided in the circulation path 104, for example.
  • control unit 18 may use, for example, the water head pressure of the liquid in the storage tank 102 as the concentration information.
  • the substrate processing system 1 may include a pressure gauge, for example, as the concentration information acquisition unit.
  • control unit 18 may use the power consumption amount of the heater 109 as the density information.
  • the substrate processing system 1 may include a power meter, for example, as the concentration information acquisition unit.
  • the substrate processing system 1 (an example of a substrate processing apparatus) according to the first embodiment includes a storage tank 102, a processing unit 16 (an example of a substrate processing unit), a recovery path 114, and a disposal path. 115, a supply path 170, a switching unit 80, and a control unit 18 (an example of a switching control unit).
  • the storage tank 102 stores sulfuric acid (first treatment liquid).
  • the processing unit 16 processes the wafer W (an example of a substrate) using SPM of sulfuric acid supplied from the storage tank 102 and a hydrogen peroxide solution (an example of a second processing liquid).
  • the collection path 114 returns the SPM used in the processing unit 16 to the storage tank 102.
  • the discard path 115 discards the used SPM to a place other than the storage tank 102.
  • the supply path 170 replenishes the storage tank 102 with sulfuric acid having a relatively higher concentration than the concentration of sulfuric acid stored in the storage tank 102.
  • the switching unit 80 switches the used SPM inflow destination between the recovery path 114 and the discard path 115.
  • the control unit 18 controls the switching unit 80 based on the recovery rate determined in advance, and the SPM used until the first time elapses after the processing using the SPM by the processing unit 16 is started. From the first time until the second time elapses, the used SPM is caused to flow into the recovery path 114, and after the second time elapses, the SPM The used SPM is caused to flow into the discard path 115 until the processing using the is completed.
  • the substrate processing system 1 it is possible to accurately collect SPM so that sulfuric acid for processing the wafer W has a desired concentration.
  • the recovery rate is a recovery rate at which the concentration of sulfuric acid stored in the storage tank 102 is maintained at the concentration lower limit Cmin set as the lower limit of the concentration of sulfuric acid necessary for the processing using the SPM. Thereby, the consumption of sulfuric acid can be reduced as much as possible.
  • the substrate processing system 1 includes a circulation path 104, a branch path 112, and a partition member 130.
  • the circulation path 104 takes out the sulfuric acid stored in the storage tank 102 and returns it to the storage tank 102.
  • the branch path 112 is connected to the circulation path 104 and supplies sulfuric acid flowing through the circulation path 104 to the processing unit 16.
  • the partition member 130 is disposed with a gap between the partition wall 130 and the side wall 121 of the storage tank 102, and partitions the storage tank 102 up and down.
  • a takeout port 141 for taking out the sulfuric acid in the storage tank 102 is arranged below the partition member 130, and a return port 142 for discharging the sulfuric acid taken out from the takeout port 141 toward the partition member 130 is a partition member. 130 is disposed above.
  • the substrate processing system 1 includes a heater 109 (an example of a heating unit), a densitometer 110 (an example of a concentration information acquisition unit), and a control unit 18 (an example of a temperature control unit).
  • a heater 109 heats the sulfuric acid supplied to the processing unit 16.
  • the densitometer 110 acquires the concentration information of the sulfuric acid supplied to the processing unit 16.
  • the control unit 18 controls the heating temperature of sulfuric acid by the heater 109 according to the concentration information acquired by the densitometer 110.
  • the substrate processing system 1 includes a control unit 18 (an example of a replenishment control unit).
  • the control unit 18 replenishes the storage tank 102 via the supply path 170 with sulfuric acid having the same concentration as the initial concentration of sulfuric acid stored in the storage tank 102 and the same amount as the decrease amount of the liquid in the storage tank 102. .
  • the control unit 18 replenishes the storage tank 102 via the supply path 170 with sulfuric acid having the same concentration as the initial concentration of sulfuric acid stored in the storage tank 102 and the same amount as the decrease amount of the liquid in the storage tank 102.
  • FIG. 17 is a diagram illustrating a configuration example of a processing liquid supply system in the substrate processing system according to the second embodiment.
  • parts that are the same as those already described are given the same reference numerals as those already described, and redundant descriptions are omitted.
  • the substrate processing system 1A includes a processing fluid supply source 70A, a processing fluid supply source 70B, and a processing unit 16B.
  • the processing fluid supply source 70A has the same configuration as the processing fluid supply source 70 according to the first embodiment except that the supply path 170, the valve 171 and the sulfuric acid supply source 172 are removed. That is, unlike the processing fluid supply source 70 according to the first embodiment, the storage tank 102 of the processing fluid supply source 70A is not supplemented with sulfuric acid.
  • the processing fluid supply source 70B includes a storage tank 102B, a circulation path 104B, and a branch path 112B as a sulfuric acid supply system. These are the same as the storage tank 102, the circulation path 104, and the branch path 112 included in the processing fluid supply source 70 according to the first embodiment.
  • the storage tank 102B is provided with a liquid level sensor S2 similar to the liquid level sensor S1.
  • the circulation path 104B is provided with a pump 106B, a filter 108B, a heater 109B, and a densitometer 110B in order from the upstream side.
  • the pump 106B, the filter 108B, the heater 109B, and the concentration meter 110B are the same as the pump 106, the filter 108, the heater 109, and the concentration meter 110 according to the first embodiment.
  • Each branch path 112B is connected to the mixing section 45B of each processing unit 16B, and supplies sulfuric acid flowing through the circulation path 104B to each mixing section 45B.
  • Each branch path 112B is provided with a valve 113B.
  • the processing fluid supply source 70B includes a hydrogen peroxide solution supply path 160B, a valve 161B, and a hydrogen peroxide solution supply source 162B as a hydrogen peroxide solution supply system.
  • One end of the hydrogen peroxide solution supply path 160B is connected to the hydrogen peroxide solution supply source 162B via the valve 161B, and the other end is connected to the mixing unit 45B of the processing unit 16B.
  • the processing fluid supply source 70B includes a supply path 170B, a valve 171B, and a sulfuric acid supply source 172B.
  • One end of the supply path 170B is connected to the sulfuric acid supply source 172B via the valve 171B, and the other end is connected to the storage tank 102B.
  • the sulfuric acid supply source 172B supplies sulfuric acid having a higher concentration than the sulfuric acid stored in the storage tank 102B.
  • the processing unit 16B includes a mixing unit 45B.
  • the mixing unit 45B mixes the high-concentration sulfuric acid supplied from the branch path 112B with the hydrogen peroxide solution supplied from the hydrogen peroxide solution supply path 160B to generate SPM that is a mixed solution, and the generated SPM Is supplied to the flow path upstream of the mixing unit 45.
  • the mixing unit 45B may be integrated into the processing fluid supply unit 40.
  • the substrate processing system 1A in addition to the SPM generated by the sulfuric acid having a reduced concentration supplied from the circulation path 104, the substrate processing system 1A is generated by the high concentration sulfuric acid supplied from the supply path 170B. SPM was discharged onto the wafer W.
  • the substrate processing system 1A according to the second embodiment can compensate for the decrease in the reaction heat by the reaction heat of the SPM generated by the high concentration sulfuric acid. Therefore, according to the substrate processing system 1A according to the second embodiment, it is possible to suppress the performance deterioration of the SPM processing due to the decrease in sulfuric acid concentration.
  • FIG. 18 is a diagram showing a schematic configuration of the substrate processing system 1 according to the third embodiment.
  • symbol is attached
  • the newly added common exhaust path 81 collects and exhausts the atmosphere in which the chemicals used in each processing unit 16 are mixed.
  • the lower exhaust path 82 is provided in association with each processing unit 16, and the front end thereof is disposed below the chamber 20 of each processing unit 16, and the other end is connected to the common exhaust path 81.
  • FIG. 19 is a diagram showing a schematic configuration of the processing unit 16 according to the third embodiment.
  • the same components as those in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals.
  • the lower exhaust path 82 is the lower part of the chamber 20, and the tip thereof is located adjacent to the column part 32.
  • a part of the SPM supplied from the processing fluid supply unit 40 becomes a mist, soars above the wafer W, and mixes with the atmosphere.
  • the atmosphere in which the SPM is mixed is guided to the lower side of the recovery cup 50 by the down flow of the FFU 21 and is discharged from the exhaust port 52.
  • a minute gap 83 exists between the collection cup 50 and the column part 32. Through this gap 83, the atmosphere in which SPM is mixed may leak from the collection cup 50 to the lower part of the collection cup 50. Similarly, the atmosphere in which SPM is mixed may leak from the inside of the chamber 20 to the lower portion of the chamber 20 through the minute gap 84 between the chamber 20 and the support column 32.
  • the passage of the atmosphere can be suppressed by providing a labyrinth structure.
  • leakage to the outside of the substrate processing system should be prevented as much as possible.
  • the lower exhaust passage 82 sucks the atmosphere finally leaking from the chamber 20 through the gap 84.
  • the atmosphere in which SPM is mixed does not leak outside the substrate processing system.
  • the atmosphere in which the SPM is mixed has been described.
  • the present invention is not limited to this.
  • the present invention is also applicable when it occurs in the chamber.

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Abstract

実施形態に係る基板処理装置は、貯留タンクと、基板処理部と、回収経路と、廃棄経路と、供給経路と、切替部と、切替制御部とを備える。回収経路は、基板処理部に供給された混合液を貯留タンクへ戻す。廃棄経路は、供給された混合液を貯留タンク以外の場所へ廃棄する。切替部は、供給された混合液の流入先を回収経路と廃棄経路との間で切り替える。切替制御部は、切替部を制御して、基板処理部による混合液の供給が開始されてから第１の時間が経過するまでの間、供給された混合液を廃棄経路へ流入させ、第１の時間の経過後であって予め決定された回収率に基づき決定される第２の時間が経過するまでの間、供給された混合液を回収経路へ流入させ、第２の時間が経過してから混合液の供給が終了するまでの間、供給された混合液を廃棄経路へ流入させる。

Description

基板処理装置および基板処理方法
　開示の実施形態は、基板処理装置および基板処理方法に関する。
　従来、第１処理液と第２処理液とを混合した混合液を用いて、半導体ウェハやガラス基板等の基板を処理する基板処理装置が知られている。
　この種の基板処理装置では、第１処理液の消費量を抑えるために、第１処理液を貯留するタンクに使用済みの混合液を戻すことによって第１処理液を回収して再利用する場合がある。
　回収される混合液には第２処理液が含まれるため、上記回収および再利用を繰り返すことで、タンク内の第１処理液の濃度は徐々に低下することとなる。そこで、近年では、使用済みの混合液のうちの一部を回収して残りを廃棄し、廃棄した混合液と同量の第１処理液をタンクへ補充することで、第１処理液の濃度低下を抑制する手法が提案されている（特許文献１参照）。
特開２０１３－２０７２０７号公報
　しかしながら、使用された混合液を精度良く回収しないと、タンク内の第１処理液が所望の濃度とならないおそれがある。
　実施形態の一態様は、基板を処理するための第１処理液が所望の濃度となるよう混合液を精度よく回収することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
　実施形態の一態様に係る基板処理装置は、貯留タンクと、基板処理部と、回収経路と、廃棄経路と、供給経路と、切替部と、切替制御部とを備える。貯留タンクは、第１処理液を貯留する。基板処理部は、貯留タンクから供給される第１処理液と、第２処理液との混合液を基板へ供給することにより基板を処理する。回収経路は、基板処理部に供給された混合液を貯留タンクへ戻す。廃棄経路は、供給された混合液を貯留タンク以外の場所へ廃棄する。供給経路は、第１処理液を貯留タンクに供給する。切替部は、供給された混合液の流入先を回収経路と廃棄経路との間で切り替える。切替制御部は、切替部を制御して、基板処理部による混合液の基板への供給が開始されてから第１の時間が経過するまでの間、供給された混合液を廃棄経路へ流入させ、第１の時間の経過後であって予め決定された回収率に基づき決定される第２の時間が経過するまでの間、供給された混合液を回収経路へ流入させ、第２の時間が経過してから混合液の供給が終了するまでの間、供給された混合液を廃棄経路へ流入させる。
　実施形態の一態様によれば、基板を処理するための第１処理液が所望の濃度となるよう混合液を精度よく回収することができる。
図１は、第１の実施形態に係る基板処理システムにおける処理液供給系の概略構成を示す図である。 図２は、第１の実施形態に係る基板処理方法の一例を示す図である。 図３は、第１の実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。 図４は、処理ユニットの概略構成を示す図である。 図５は、第１の実施形態に係る基板処理システムにおける処理液供給系の具体的な構成例を示す図である。 図６は、第１の実施形態に係る処理ユニットが実行する基板処理の手順の一例を示すフローチャートである。 図７は、使用済みＳＰＭの回収率をそれぞれＸ１～Ｘ３％とした場合における、貯留タンク内の硫酸の最終到達濃度を示すグラフである。 図８は、使用済みＳＰＭの回収率をそれぞれＸ１～Ｘ３％とした場合における、ウェハ１枚当たりの硫酸の消費量を示すグラフである。 図９は、処理ユニットを用いて複数のウェハを連続して処理した場合における、貯留タンク内の硫酸の濃度および貯留タンク内の液量の時間変化を示すグラフである。 図１０は、回収処理の手順の一例を示すフローチャートである。 図１１は、補充処理の手順の一例を示すフローチャートである。 図１２は、貯留タンクの構成例を示す図である。 図１３は、貯留タンクの模式平断面図である。 図１４は、貯留タンクの模式側断面図である。 図１５は、循環温度調整処理を行わない場合における、ＳＰＭの温度および貯留タンク内の硫酸の濃度の時間変化を示すグラフである。 図１６は、循環温度調整処理を行った場合における、ＳＰＭの温度および貯留タンク内の硫酸の濃度の時間変化を示すグラフである。 図１７は、第２の実施形態に係る基板処理システムにおける処理液供給系の構成例を示す図である。 図１８は、第３の実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。 図１９は、第３の実施形態に係る処理ユニットの概略構成を示す図である。
　以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理装置および基板処理方法の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
（第１の実施形態）
　図１～図１１を参照して、本願の開示する基板処理装置および基板処理方法の第１の実施形態について説明する。
＜１．基板処理方法＞
　図１は、第１の実施形態に係る基板処理システムにおける処理液供給系の概略構成を示す図である。また、図２は、第１の実施形態に係る基板処理方法の一例を示す図である。
　図１に示すように、第１の実施形態に係る基板処理システム１は、第１処理液と第２処理液との混合液を用いて基板を処理する。また、基板処理システム１は、使用した混合液を回収して再利用する。具体的には、基板処理システム１は、貯留タンク１０２と、処理ユニット１６と、回収経路１１４と、廃棄経路１１５と、供給経路１７０と、切替部８０と、制御部１８とを備える。
　貯留タンク１０２は、第１処理液を貯留する。処理ユニット１６は、貯留タンク１０２から供給される第１処理液と、貯留タンク１０２以外の場所から供給される第２処理液との混合液を用いて基板を処理する。
　回収経路１１４は、処理ユニット１６で使用された混合液（使用済み混合液）を貯留タンク１０２へ戻す。廃棄経路１１５は、使用済み混合液を貯留タンク１０２以外の場所へ排出する。供給経路１７０は、第１処理液を貯留タンク１０２に補充する。
　切替部８０は、使用済み混合液の流入先を回収経路１１４から廃棄経路１１５へ又は廃棄経路１１５から回収経路１１４へ切り替える。なお、切替部８０は、制御部１８によって制御される。
　上記のように構成された基板処理システム１は、使用済み混合液を回収経路１１４経由で貯留タンク１０２へ戻すことにより第１処理液を回収し、回収した第１処理液を再利用することで、第１処理液の消費量を抑えることとしている。
　また、回収される混合液には第２処理液が含まれるため、上記回収および再利用を繰り返すことで、貯留タンク１０２内の第１処理液の濃度は徐々に低下することとなる。そこで、基板処理システム１では、使用済み混合液のうち一部を回収して残りを廃棄し、貯留タンク１０２に貯留される第１処理液よりも相対的に高濃度の第１処理液を供給経路１７０経由で貯留タンク１０２へ補充することで、貯留タンク１０２内の第１処理液の濃度低下を抑制している。
　ここで、貯留タンク１０２内の第１処理液が所望の濃度となるよう安定させるためには、使用済み混合液の実際の回収率が、予め決定した回収率とできるだけ一致していることが望ましい。ここで、処理ユニット１６による混合液を用いた処理の開始直後や終了直前は、例えばバルブの開閉動作に起因するタイムラグ等により、混合液の濃度（すなわち、第１処理液および第２処理液の混合比）や流量が安定しておらず、所望の濃度や流量となっていないおそれがある。
　したがって、仮にこのような期間において使用済み混合液の回収を行うこととすると、例えば、貯留タンク１０２内の第１処理液の濃度が、基板を処理するのに必要な最低濃度を下回るおそれがある。この場合、貯留タンク１０２内の第１処理液の濃度を回復させるためには、例えば、供給経路１７０から第１処理液を追加で補充する必要がある。また、例えば、貯留タンク１０２内の液量が増え過ぎたり、減り過ぎたりするおそれもある。この場合、超過分を廃棄したり、不足分を補充したりすることによって、第１処理液を余分に消費してしまうこととなる。
　そこで、第１の実施形態に係る基板処理システム１では、濃度や流量が安定しない開始後の所定期間および終了前の所定期間を除いた期間において、使用済み混合液の回収を行うこととした。
　具体的には、図２に示すように、処理ユニット１６による処理が開始されてから第１の時間が経過するまでの間、使用済み混合液を廃棄経路１１５へ流入させ、第１の時間が経過してから第２の時間が経過するまでの間、使用済み混合液を回収経路１１４へ流入させ、第２の時間が経過してから処理ユニット１６による処理が終了するまでの間、使用済み混合液を廃棄経路１１５へ流入させることとした。
　これにより、安定した濃度および流量で使用済み混合液を精度よく回収することができるため、使用済み混合液の実際の回収率を予め決定した回収率と可及的に一致させることができる。したがって、第１の実施形態に係る基板処理システム１によれば、貯留タンク１０２内の第１処理液を所望の濃度とすることができる。
＜２．基板処理システム＞
　次に、第１の実施形態に係る基板処理システム１の概略構成について図３を参照して説明する。図３は、第１の実施形態に係る基板処理システム１の概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
　図３に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。
　搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウェハ（以下ウェハＷ）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。
　搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。
　処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。
　搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウェハＷの搬送を行う。
　処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウェハＷに対して所定の基板処理を行う。
　また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。
　なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
　上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウェハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。
　処理ユニット１６へ搬入されたウェハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウェハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。
　なお、制御装置４の制御部１８は、ＣＰＵ（Central　Processing　Unit）、ＲＯＭ（Read　Only　Memory）、ＲＡＭ（Random　Access　Memory）、入出力ポートなどを有するマイクロコンピュータや各種の回路を含む。かかるマイクロコンピュータのＣＰＵは、ＲＯＭに記憶されているプログラムを読み出して実行することにより、後述する制御を実現する。また、記憶部１９は、たとえば、ＲＡＭ、フラッシュメモリ（Flash　Memory）等の半導体メモリ素子、又は、ハードディスク、光ディスク等の記憶装置によって実現される。
＜３．処理ユニット＞
　次に、処理ユニット１６の概略構成について図４を参照して説明する。図４は、処理ユニット１６の概略構成を示す図である。図４に示すように、処理ユニット１６は、チャンバ２０と、基板保持機構３０と、処理流体供給部４０と、回収カップ５０とを備える。
　チャンバ２０は、基板保持機構３０と処理流体供給部４０と回収カップ５０とを収容する。チャンバ２０の天井部には、ＦＦＵ（Fan　Filter　Unit）２１が設けられる。ＦＦＵ２１は、チャンバ２０内にダウンフローを形成する。
　基板保持機構３０は、保持部３１と、支柱部３２と、駆動部３３とを備える。保持部３１は、ウェハＷを水平に保持する。支柱部３２は、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部３３によって回転可能に支持され、先端部において保持部３１を水平に支持する。駆動部３３は、支柱部３２を鉛直軸まわりに回転させる。かかる基板保持機構３０は、駆動部３３を用いて支柱部３２を回転させることによって支柱部３２に支持された保持部３１を回転させ、これにより、保持部３１に保持されたウェハＷを回転させる。
　処理流体供給部４０は、ウェハＷに対して処理流体を供給する。処理流体供給部４０は、処理流体供給源７０に接続される。
　回収カップ５０は、保持部３１を取り囲むように配置され、保持部３１の回転によってウェハＷから飛散する処理液を捕集する。回収カップ５０の底部には、排液口５１が形成されており、回収カップ５０によって捕集された処理液は、かかる排液口５１から処理ユニット１６の外部へ排出される。また、回収カップ５０の底部には、ＦＦＵ２１から供給される気体を処理ユニット１６の外部へ排出する排気口５２が形成される。
＜４．処理液供給系の具体的な構成例＞
　次に、第１の実施形態に係る基板処理システム１における処理液供給系の具体的な構成例について図５を参照して説明する。図５は、第１の実施形態に係る基板処理システム１における処理液供給系の具体的な構成例を示す図である。
　以下では、第１処理液として硫酸を使用し、第２処理液として過酸化水素水を使用して、これらの混合液であるＳＰＭ（Sulfuric　acid　Hydrogen　Peroxide　Mixture）をウェハＷに供給する場合における処理液供給系の構成例について説明する。
＜４－１．処理流体供給源＞
　図５に示すように、処理流体供給源７０は、硫酸の供給系として、硫酸を貯留する貯留タンク１０２と、貯留タンク１０２から出て貯留タンク１０２に戻る循環経路１０４と、循環経路１０４から分岐して各処理ユニット１６に接続される複数の分岐経路１１２とを有している。
　貯留タンク１０２には、液面センサＳ１が設けられる。液面センサＳ１は、たとえば貯留タンク１０２の側方に配置され、貯留タンク１０２に貯留された硫酸の液面を検知する。具体的には、液面センサＳ１は、貯留タンク１０２内における下限液面を検知するためのセンサである。液面センサＳ１による検知結果は、制御部１８へ出力される。
　循環経路１０４には、上流側から順に、ポンプ１０６、フィルタ１０８、ヒータ１０９および濃度計１１０が設けられる。ポンプ１０６は、貯留タンク１０２から出て循環経路１０４を通り貯留タンク１０２に戻る循環流を形成する。フィルタ１０８は、硫酸に含まれるパーティクル等の汚染物質を除去する。ヒータ１０９は、制御部１８によって制御され、循環経路１０４を循環する硫酸を設定された温度に加熱する。濃度計１１０は、循環経路１０４を循環する硫酸の濃度を検出して、検出結果を制御部１８へ出力する。
　循環経路１０４における濃度計１１０よりも下流側には、複数の分岐経路１１２が接続される。各分岐経路１１２は、各処理ユニット１６の後述する混合部４５に接続され、循環経路１０４を流れる硫酸を各混合部４５に供給する。各分岐経路１１２には、バルブ１１３が設けられる。
　また、処理流体供給源７０は、過酸化水素水の供給系として、過酸化水素水供給経路１６０と、バルブ１６１と、過酸化水素水供給源１６２とを備える。過酸化水素水供給経路１６０の一端は、バルブ１６１を介して過酸化水素水供給源１６２に接続され、他端は処理ユニット１６の後述する混合部４５に接続される。処理流体供給源７０は、過酸化水素水供給源１６２から供給される過酸化水素水を過酸化水素水供給経路１６０を介して処理ユニット１６の混合部４５へ供給する。
　また、処理流体供給源７０は、供給経路１７０と、バルブ１７１と、硫酸供給源１７２とを備える。供給経路１７０の一端は、バルブ１７１を介して硫酸供給源１７２に接続され、他端は貯留タンク１０２に接続される。硫酸供給源１７２は、硫酸を供給する。処理流体供給源７０は、硫酸供給源１７２から供給される硫酸を供給経路１７０を介して貯留タンク１０２へ供給する。
　なお、ここでは、図示を省略するが、処理流体供給源７０は、処理ユニット１６に対してリンス液を供給するためのリンス液供給経路を備える。リンス液としては、例えば、ＤＩＷ（純水）を用いることができる。
＜４－２．処理ユニット＞
　処理ユニット１６は、混合部４５を備える。混合部４５は、分岐経路１１２から供給される硫酸と、過酸化水素水供給経路１６０から供給される過酸化水素水とを混合して混合液であるＳＰＭを生成し、生成したＳＰＭを処理流体供給部４０（図４参照）へ供給する。なお、混合部４５は、処理流体供給部４０に一体的に組み込まれていてもよい。
　また、各処理ユニット１６の排液口５１は、分岐経路５３を介して排出経路５４に接続される。各処理ユニット１６において使用されたＳＰＭは、排液口５１から分岐経路５３を介して排出経路５４へ排出される。
　なお、ここでは、ＳＰＭの供給とリンス液の供給とを処理流体供給部４０を用いて行うこととするが、処理ユニット１６は、リンス液を供給するための処理流体供給部を別途備えていてもよい。
＜４－３．切替部、回収経路および廃棄経路＞
　基板処理システム１は、切替部８０と、回収経路１１４と、廃棄経路１１５とをさらに備える。切替部８０は、排出経路５４、回収経路１１４および廃棄経路１１５に接続されており、制御部１８の制御に従って、排出経路５４を流れる使用済みＳＰＭの流入先を回収経路１１４と廃棄経路１１５との間で切り替える。
　回収経路１１４は、一端が切替部８０に接続され、他端が貯留タンク１０２に接続される。回収経路１１４には、上流側から順に、回収タンク１１６と、ポンプ１１７と、フィルタ１１８とが設けられる。回収タンク１１６は、使用済みＳＰＭを一時的に貯留する。ポンプ１１７は、回収タンク１１６に貯留された使用済みＳＰＭを貯留タンク１０２へ送る流れを形成する。フィルタ１１８は、使用済みＳＰＭに含まれるパーティクル等の汚染物質を除去する。
　廃棄経路１１５は、切替部８０に接続され、排出経路５４から切替部８０を介して流入する使用済みＳＰＭを基板処理システム１の外部へ排出する。
＜５．基板処理の内容＞
　次に、本実施形態に係る処理ユニット１６が実行する基板処理の内容について図６を参照して説明する。図６は、第１の実施形態に係る処理ユニット１６が実行する基板処理の手順の一例を示すフローチャートである。図６に示す各処理手順は、制御部１８の制御に従って実行される。
　まず、処理ユニット１６では、ウェハＷの搬入処理が行われる（ステップＳ１０１）。具体的には、基板搬送装置１７（図３参照）によって処理ユニット１６のチャンバ２０（図４参照）内にウェハＷが搬入されて保持部３１に保持される。その後、処理ユニット１６は、保持部３１を所定の回転速度（たとえば、５０ｒｐｍ）で回転させる。
　つづいて、処理ユニット１６では、ＳＰＭ供給処理が行われる（ステップＳ１０２）。ＳＰＭ供給処理では、バルブ１１３およびバルブ１６１が所定時間（たとえば、３０秒間）開放されることによって、処理流体供給部４０からウェハＷの上面へＳＰＭが供給される。ウェハＷに供給されたＳＰＭは、ウェハＷの回転に伴う遠心力によってウェハＷの表面に塗り広げられる。
　かかるＳＰＭ供給処理では、ＳＰＭに含まれるカロ酸の強い酸化力と、硫酸と過酸化水素水との反応熱とを利用し、例えば、ウェハＷの上面に形成されたレジストを除去する。
　なお、硫酸および過酸化水素水の流量は、硫酸および過酸化水素水の混合比に従って決定される。ＳＰＭに占める硫酸の比率は過酸化水素水よりも高いため、硫酸の流量は、過酸化水素水よりも多い流量に設定される。
　ステップＳ１０２のＳＰＭ供給処理を終えると、処理ユニット１６では、リンス処理が行われる（ステップＳ１０３）。かかるリンス処理では、処理流体供給部４０からウェハＷの上面へリンス液（例えば、ＤＩＷ）が供給される。ウェハＷに供給されたＤＩＷは、ウェハＷの回転に伴う遠心力によってウェハＷの表面に塗り広げられる。これにより、ウェハＷに残存するＳＰＭがＤＩＷによって洗い流される。
　つづいて、処理ユニット１６では、乾燥処理が行われる（ステップＳ１０４）。かかる乾燥処理では、ウェハＷを所定の回転速度（たとえば、１０００ｒｐｍ）で所定時間回転させる。これにより、ウェハＷに残存するＤＩＷが振り切られて、ウェハＷが乾燥する。その後、ウェハＷの回転が停止する。
　そして、処理ユニット１６では、搬出処理が行われる（ステップＳ１０５）。搬出処理では、保持部３１に保持されたウェハＷが基板搬送装置１７へ渡される。かかる搬出処理が完了すると、１枚のウェハＷについての基板処理が完了する。
＜６．回収率の決定手法＞
　次に、使用済みＳＰＭの回収率の決定手法について図７～図９を参照して説明する。図７は、使用済みＳＰＭの回収率をそれぞれＸ１～Ｘ３％とした場合における、貯留タンク１０２内の硫酸の最終到達濃度を示すグラフである。図８は、使用済みＳＰＭの回収率をそれぞれＸ１～Ｘ３％とした場合における、ウェハＷ１枚当たりの硫酸の消費量を示すグラフである。図９は、処理ユニット１６を用いて複数のウェハＷを連続して処理した場合における、貯留タンク１０２内の硫酸の濃度および貯留タンク１０２内の液量の時間変化を示すグラフである。
　ここで、図７には、貯留タンク１０２内の硫酸の初期濃度（過酸化水素水によって希釈される前の濃度）と同一の濃度の硫酸であって、貯留タンク１０２内の液の減少量（貯留タンク１０２から処理ユニット１６へ供給される液量から貯留タンク１０２へ戻ってくる液量を差し引いた量）と同一の量の硫酸を供給経路１７０から補充する場合における、貯留タンク１０２内の硫酸の最終到達濃度を示している。また、最終到達濃度とは、使用済みＳＰＭの回収および硫酸の補充を行いつつ、複数のウェハＷを連続して処理した場合における貯留タンク１０２内の硫酸の濃度の収束値である。
　使用済みＳＰＭの回収率は、ＳＰＭを用いた処理に必要な硫酸の濃度の下限値として設定された濃度下限値Ｃｍｉｎに基づいて決定される。
　濃度下限値Ｃｍｉｎは、例えば、所望のレジスト除去性能を発揮するために必要なＳＰＭの温度を下回らないようにするための硫酸の濃度の下限値である。ＳＰＭの温度は、ヒータ１０９による硫酸の加熱温度と、硫酸と過酸化水素水との反応により生じる反応熱とによって決定されるが、硫酸の濃度が低下すると、上記反応熱が低くなり、ＳＰＭの温度が、所望のレジスト除去性能を発揮するために必要な温度を下回るおそれがある。
　硫酸の濃度低下は、回収された使用済みＳＰＭに含まれる過酸化水素水が貯留タンク１０２内に流入することにより、貯留タンク１０２内の硫酸が希釈されることで生じる。このため、使用済みＳＰＭの回収率を上げ過ぎると、貯留タンク１０２内に流入する過酸化水素水の量が増えて硫酸の濃度低下が激しくなる結果、図７に示すように、硫酸の最終到達濃度が濃度下限値Ｃｍｉｎを下回ることとなる。
　かかる場合において硫酸の濃度を回復させるためには、例えば、貯留タンク１０２内の液を新たな硫酸と交換する必要がある。このような液交換を行うことで、図８に示すように、ウェハＷ１枚当たりの硫酸の消費量は増加することとなる。
　したがって、硫酸の消費量を可及的に低減するためには、使用済みＳＰＭの回収率が、貯留タンク１０２に貯留された硫酸の濃度が濃度下限値Ｃｍｉｎに維持される回収率Ｘ１％に決定されることが望ましい。
　かかる回収率Ｘ１％に従って使用済みＳＰＭの回収を行うことにより、図９において実線で示すように、タンク内濃度を濃度下限値Ｃｍｉｎに維持することができる。したがって、液交換によって硫酸を余計に消費することがないため、硫酸の消費量を可及的に低減することができる。
　また、貯留タンク１０２内の硫酸の初期濃度と同一の濃度の硫酸であって、貯留タンク１０２内の液の減少量と同一の量の硫酸を供給経路１７０から補充するようにすることで、図９において一点鎖線で示すように、貯留タンク１０２内の液量を一定量に維持することができる。したがって、増加分を破棄したり、不足分を補充したりする必要がないため、硫酸の消費量を可及的に低減することができる。
　なお、貯留タンク１０２に貯留される硫酸の初期濃度を９６ｗｔ％、硫酸と過酸化水素水との混合比を６：１、硫酸の濃度下限値Ｃｍｉｎを８６ｗｔ％とした場合、使用済みＳＰＭの回収率Ｘ１は、５３％に決定される。
＜７．回収処理＞
　次に、使用済みＳＰＭの回収処理の内容について図１０を参照して説明する。図１０は、回収処理の手順の一例を示すフローチャートである。図１０には、ＳＰＭ供給処理の開始時において、排出経路５４と廃棄経路１１５とが連通している場合の回収処理の手順を示している。なお、図１０に示す各処理手順は、制御部１８によって制御される。
　図１０に示すように、制御部１８は、処理ユニット１６によるＳＰＭ供給処理（図６参照）が開始されてから第１の時間が経過したか否かを判定する（ステップＳ２０１）。ここで、第１の時間は、バルブ１１３，１６１が開いてから硫酸および過酸化水素水の流量が安定するまでの時間よりも長い時間に設定される。
　なお、本実施形態では、バルブ１１３と１６１の両方が開いた状態になる時刻をＳＰＭ供給処理の開始時刻としたが、ＳＰＭ供給処理の開始時刻の定義は、これに限定されるものではない。例えば、制御部１８がバルブ１１３，１６１に開放の指示信号を送る時刻や、ウェハＷにＳＰＭが着液する時刻等、他の定義を行っても良い。
　制御部１８は、第１の時間が経過するまでステップＳ２０１の判定処理を繰り返す（ステップＳ２０１，Ｎｏ）。このとき、排出経路５４は、廃棄経路１１５と連通しているため、使用済みＳＰＭは、廃棄経路１１５から外部へ廃棄される。
　つづいて、ステップＳ２０１において第１の時間が経過したと判定した場合（ステップＳ２０１，Ｙｅｓ）、制御部１８は、切替部８０を制御して、使用済みＳＰＭの流入先を廃棄経路１１５から回収経路１１４へ切り替える（ステップＳ２０２）。これにより、使用済みＳＰＭは、排出経路５４から回収経路１１４へ流入して貯留タンク１０２へ戻される。
　つづいて、制御部１８は、第１の時間が経過してから第２の時間が経過したか否かを判定する（ステップＳ２０３）。第２の時間は、使用済みＳＰＭの回収率が予め決定された使用済みＳＰＭの回収率Ｘ１となる時間に設定される。制御部１８は、第２の時間が経過するまでステップＳ２０２の判定処理を繰り返す（ステップＳ２０３，Ｎｏ）。
　つづいて、ステップＳ２０３において第２の時間が経過したと判定した場合（ステップＳ２０３，Ｙｅｓ）、制御部１８は、使用済みＳＰＭの流入先を回収経路１１４から廃棄経路１１５へ切り替える（ステップＳ２０４）。これにより、使用済みＳＰＭは、廃棄経路１１５から外部へ廃棄される。
　このように、第１の実施形態に係る基板処理システム１では、ＳＰＭ供給処理の開始後の所定期間および終了前の所定期間を除いた期間において、予め決定された回収率で、使用済みＳＰＭを回収することとした。これにより、安定した濃度および流量で使用済みＳＰＭを回収することができるため、使用済みＳＰＭの実際の回収率を予め決定した回収率と可及的に一致させることができる。したがって、第１の実施形態に係る基板処理システム１によれば、硫酸の消費量を可及的に低減することができる。
　なお、ＳＰＭ供給処理の開始時において、排出経路５４と回収経路１１４とが連通している場合、制御部１８は、ＳＰＭ供給処理が開始される前に、使用済みＳＰＭの流入先を回収経路１１４から廃棄経路１１５へ切り替える処理を行えばよい。
＜８．補充処理＞
　次に、硫酸の補充処理の内容について図１１を参照して説明する。図１１は、補充処理の手順の一例を示すフローチャートである。なお、図１１に示す各処理手順は、制御部１８によって制御される。
　図１１に示すように、制御部１８は、貯留タンク１０２内の液量が閾値を下回ったか否かを判定する（ステップＳ３０１）。制御部１８は、例えば、液面センサＳ１によって、貯留タンク１０２内における下限液面が検知された場合には、貯留タンク１０２内の液量が閾値を下回ったと判定する。制御部１８は、貯留タンク１０２内の液量が閾値を下回ったと判定するまでステップＳ３０１の処理を繰り返す（ステップＳ３０１，Ｎｏ）。
　なお、これに限らず、制御部１８は、例えば、貯留タンク１０２内の液の重量や前回の補充からの経過時間などを、貯留タンク１０２内の液量に関する液量情報として取得し、かかる液量情報に基づいて上記判定を行ってもよい。
　ステップＳ３０１において、貯留タンク１０２内の液量が閾値を下回ったと判定した場合（ステップＳ３０１，Ｙｅｓ）、制御部１８は、予め決定された量の硫酸を供給経路１７０経由で貯留タンク１０２に補充し（ステップＳ３０２）、処理をステップＳ３０１へ戻す。
　ステップＳ３０２において、制御部１８は、貯留タンク１０２に貯留される硫酸の初期濃度と同一の濃度、かつ、貯留タンク１０２内の液の減少量と同一の量の硫酸を貯留タンク１０２に補充する。これにより、貯留タンク１０２内の濃度および液量が一定に維持される。
＜９．貯留タンクの構成例＞
　次に、貯留タンク１０２の構成例について図１２を参照して説明する。図１２は、貯留タンク１０２の構成例を示す図である。
　図１２に示すように、貯留タンク１０２の内部には、貯留タンク１０２内を上下に仕切る仕切部材１３０が設けられる。仕切部材１３０は、貯留タンク１０２の側壁との間に所定の隙間をあけて配置される。
　貯留タンク１０２は、貯留タンク１０２内の硫酸を取り出す回収経路１１４の取り出し口１４１を備える。かかる取り出し口１４１は、仕切部材１３０の下方に配置される。また、取り出し口１４１から取り出した硫酸を仕切部材１３０へ向けて吐出する循環経路１０４の戻し口１４２が、仕切部材１３０の上方に配置される。
　仕切部材１３０の上方に循環経路１０４の戻し口１４２を配置することで、仕切部材１３０の上方には、戻し口１４２から流出する硫酸の流れによって硫酸の対流が生じる。貯留タンク１０２内の硫酸はこの対流によって常に攪拌されるため、回収経路１１４から貯留タンク１０２内に使用済みＳＰＭが供給された場合であっても、貯留タンク１０２内の硫酸の濃度を早期に安定させることができる。
　なお、循環経路１０４の戻し口１４２は、戻し口１４２から流出する硫酸の流れが仕切部材１３０に到達し且つ貯留タンク１０２内に硫酸の対流が形成される程度に仕切部材１３０に接近させて配置される。戻し口１４２の具体的な配置については、後述する。
　仕切部材１３０の上方で攪拌された硫酸は、仕切部材１３０と貯留タンク１０２の側壁との間の隙間を通って仕切部材１３０の下方へ移動して、仕切部材１３０の下方に配置された取り出し口１４１から循環経路１０４へ流入する。
　このように、第１の実施形態に係る基板処理システム１では、循環経路１０４の取り出し口１４１が仕切部材１３０の下方に配置されるため、回収経路１１４から供給された使用済みＳＰＭが取り出し口１４１に直接流入することを防止することができる。
　次に、貯留タンク１０２の内部構成について図１３および図１４を参照して説明する。図１３は、貯留タンク１０２の模式平断面図である。また、図１４は、貯留タンク１０２の模式側断面図である。なお、図１３では、図１４に示す固定部材１８０を省略して示している。
　図１３に示すように、貯留タンク１０２は、円筒形状を有する。貯留タンク１０２を円筒形状とすることで、角形のタンクと比較して貯留タンク１０２内に硫酸のよどみが生じにくくなるため、さらに硫酸を効率良く攪拌することができる。したがって、貯留タンク１０２内の硫酸の濃度が安定するまでの時間をさらに短縮することが可能である。
　なお、貯留タンク１０２内によどみを生じさせにくくするためには、貯留タンク１０２を平面視において真円形状とすることがより好ましいが、貯留タンク１０２は、平面視において楕円形状であってもよい。
　また、図１３に示すように、循環経路１０４の戻し口１４２は、平面視において貯留タンク１０２の中央部に配置される。このように、対流の起点となる循環経路１０４の戻し口１４２を平面視における貯留タンク１０２の中央部に配置することで、硫酸の対流に偏りが生じにくくなる。したがって、硫酸の攪拌性を向上させることができる。
　また、図１３に示すように、回収経路１１４の供給口１１９および供給経路１７０の供給口１７３は、平面視において循環経路１０４の戻し口１４２の近傍に配置される。このように、対流の起点となる貯留タンク１０２の中央部に回収経路１１４の供給口１１９および供給経路１７０の供給口１７３を配置することで、回収経路１１４から供給される使用済みＳＰＭや供給経路１７０から供給される硫酸を対流に乗せやすくなる。したがって、貯留タンク１０２内の硫酸の濃度が安定するまでの時間をさらに短縮することが可能である。また、回収経路１１４から供給される使用済みＳＰＭや供給経路１７０から供給される硫酸の流れによって対流が阻害されることを防止することもできる。
　なお、回収経路１１４および供給経路１７０と循環経路１０４を比較した場合、貯留タンク１０２に対して硫酸を常に供給し続ける循環経路１０４の方が、回収経路１１４および供給経路１７０よりも対流形成への寄与度は大きい。このため、対流形成への寄与度がより大きい循環経路１０４の戻し口１４２を貯留タンク１０２の中心により近い位置に配置することが好ましい。言い換えれば、循環経路１０４と比べて対流形成への寄与度が小さい回収経路１１４の供給口１１９および供給経路１７０の供給口１７３は、循環経路１０４の戻し口１４２よりも貯留タンク１０２の中心から離れた場所に配置されることが好ましい。
　図１２に示すように、循環経路１０４の戻し口１４２、回収経路１１４の供給口１１９および供給経路１７０の供給口１７３は、液面センサＳ１よりも下方に、言い換えれば、貯留タンク１０２内における下限液面よりも下方に配置される。これにより、循環経路１０４の戻し口１４２、回収経路１１４の供給口１１９および供給経路１７０の供給口１７３は、貯留タンク１０２内における下限液面よりも下方に配置されるため、貯留タンク１０２内の硫酸に常に浸漬される。したがって、戻し口１４２、供給口１１９および供給口１７３から貯留タンク１０２に硫酸や使用済みＳＰＭを供給する際に、貯留タンク１０２内の硫酸に気泡が混入して硫酸が泡立つことを防止することができる。また、気泡によって貯留タンク１０２内の対流が阻害されることを防止することもできる。
　貯留タンク１０２の側壁１２１と仕切部材１３０との間の隙間は、仕切部材１３０の全周にわたって形成される。これにより、貯留タンク１０２の側壁１２１と仕切部材１３０との間に硫酸のよどみを生じにくくすることができる。
　貯留タンク１０２の側壁１２１と仕切部材１３０との間には、仕切部材１３０の全周にわたって大きさが均等な隙間が設けられる。具体的には、仕切部材１３０は、平面視において貯留タンク１０２と同じ円形状を有しており、かかる仕切部材１３０を貯留タンク１０２の中央に配置することで、貯留タンク１０２の側壁１２１と仕切部材１３０との間の隙間を仕切部材１３０の全周にわたって均等にすることができる。このように、貯留タンク１０２の側壁１２１と仕切部材１３０との間の隙間を仕切部材１３０の全周にわたって均等にすることで、貯留タンク１０２内に硫酸のよどみを生じさせにくくすることができる。言い換えれば、貯留タンク１０２内の硫酸をより均一に攪拌することができる。
　貯留タンク１０２の側壁１２１と仕切部材１３０との間の隙間の開口面積Ｄ１は、図１４に示すように、循環経路１０４の取り出し口１４１の開口面積Ｄ２以上である。また、貯留タンク１０２の底面１２２と仕切部材１３０との間の隙間の開口面積Ｄ３も、循環経路１０４の取り出し口１４１の開口面積Ｄ２以上である。これにより、仕切部材１３０による圧力損失の増加を極力抑えることができる。
　仕切部材１３０は、固定部材１８０によって貯留タンク１０２の底面１２２から離隔した状態で固定される。したがって、固定部材１８０を変更することにより、貯留タンク１０２の底面１２２と仕切部材１３０との間の隙間の開口面積Ｄ３を容易に調節することが可能である。
　仕切部材１３０は、図１４に示すように、傘型の形状を有している。具体的には、仕切部材１３０の上面１３１は、中央部から周縁部に向かうにつれて高さが低くなる形状を有する。これにより、たとえば、貯留タンク１０２内の全ての硫酸を戻し口１４２から外部へ排出する場合に、仕切部材１３０の上面１３１に硫酸が残存することを抑制することができる。
　なお、貯留タンク１０２の底面１２２は、中央部に向かって下り勾配となっており、循環経路１０４の取り出し口１４１は、底面１２２の中央部に配置されている。したがって、貯留タンク１０２内の硫酸を効率良く取り出し口１４１へ流入させることが可能である。
　また、仕切部材１３０は、中央部に貫通孔１３３を備える。かかる貫通孔１３３は、空気抜き用の孔であり、空の貯留タンク１０２に硫酸を供給する場合に、仕切部材１３０の下面１３２に溜まった空気を抜くことができる。
　なお、貫通孔１３３は、循環経路１０４の取り出し口１４１よりも小径に形成される。具体的には、貫通孔１３３の開口面積Ｄ４は、取り出し口１４１の開口面積Ｄ２よりも小さく形成される。したがって、循環経路１０４の戻し口１４２や供給経路１７０の供給口１７３から供給される硫酸あるいは回収経路１１４の供給口１１９から供給される使用済みＳＰＭが貫通孔１３３を通って循環経路１０４の取り出し口１４１に直接流入することを抑制することができる。
　また、仕切部材１３０の下面１３２は、中央部から周縁部に向かうにつれて高さが低くなる形状を有する。これにより、仕切部材１３０の下面１３２に溜まった空気を仕切部材１３０の中央部に集めて貫通孔１３３から効率的に抜くことができる。
＜１０．循環温度調整処理＞
　ところで、基板処理システム１では、ＳＰＭの温度が一定に保たれるように、ヒータ１０９を制御して循環経路１０４を循環する硫酸の温度を調整する循環温度調整処理を行ってもよい。
　図１５は、循環温度調整処理を行わない場合における、ＳＰＭの温度および貯留タンク１０２内の硫酸の濃度の時間変化を示すグラフである。また、図１６は、循環温度調整処理を行った場合における、ＳＰＭの温度および貯留タンク１０２内の硫酸の濃度の時間変化を示すグラフである。
　図１５に示すように、循環経路１０４を循環する硫酸の温度（循環温度）が一定となるようにヒータ１０９を制御した場合、貯留タンク１０２内の硫酸の濃度低下によって硫酸と過酸化水素水との反応熱が低下した分だけ、ＳＰＭの温度が低下することとなる。
　そこで、制御部１８は、図１６に示すように、ＳＰＭの温度が一定となるようにヒータ１０９を制御するようにしてもよい。言い換えれば、制御部１８は、貯留タンク１０２内の硫酸の濃度が低くなるほど循環温度が高くなるように、ヒータ１０９を制御するようにしてもよい。これにより、硫酸の濃度低下に伴うＳＰＭ処理の性能低下を抑えることができる。
　具体的には、制御部１８は、濃度計１１０によって検出された硫酸の濃度を濃度情報とし、かかる濃度情報に応じてヒータ１０９による硫酸の加熱温度を調整する。
　なお、濃度情報は、上記の例に限定されるものではない。例えば、制御部１８は、ＳＰＭを用いたウェハＷの処理枚数を濃度情報として記憶部１９に記憶し、かかる濃度情報を用いてヒータ１０９による硫酸の加熱温度を調整してもよい。
　また、制御部１８は、貯留タンク１０２に貯留された液の比重を濃度情報として用いてヒータ１０９による硫酸の加熱温度を調整してもよい。かかる場合、基板処理システム１は、濃度情報取得部として、比重計を備えていればよい。比重計は、例えば、循環経路１０４に設けることができる。
　その他、制御部１８は、例えば、貯留タンク１０２内の液の水頭圧を濃度情報として用いてもよい。かかる場合、基板処理システム１は、濃度情報取得部として、例えば圧力計を備えていればよい。また、制御部１８は、ヒータ１０９の消費電力量を濃度情報として用いてもよい。かかる場合、基板処理システム１は、濃度情報取得部として、例えば電力計を備えていればよい。
　上述してきたように、第１の実施形態に係る基板処理システム１（基板処理装置の一例）は、貯留タンク１０２と、処理ユニット１６（基板処理部の一例）と、回収経路１１４と、廃棄経路１１５と、供給経路１７０と、切替部８０と、制御部１８（切替制御部の一例）とを備える。貯留タンク１０２は、硫酸（第１処理液）を貯留する。処理ユニット１６は、貯留タンク１０２から供給される硫酸と、過酸化水素水（第２処理液の一例）とのＳＰＭを用いてウェハＷ（基板の一例）を処理する。回収経路１１４は、処理ユニット１６で使用されたＳＰＭを貯留タンク１０２へ戻す。廃棄経路１１５は、使用されたＳＰＭを貯留タンク１０２以外の場所へ廃棄する。供給経路１７０は、貯留タンク１０２に貯留される硫酸の濃度よりも相対的に高濃度の硫酸を貯留タンク１０２に補充する。切替部８０は、使用されたＳＰＭの流入先を回収経路１１４と廃棄経路１１５との間で切り替える。制御部１８は、予め決定された回収率に基づき切替部８０を制御して、処理ユニット１６によるＳＰＭを用いた処理が開始されてから第１の時間が経過するまでの間、使用されたＳＰＭを廃棄経路１１５へ流入させ、第１の時間が経過してから第２の時間が経過するまでの間、使用されたＳＰＭを回収経路１１４へ流入させ、第２の時間が経過してからＳＰＭを用いた処理が終了するまでの間、使用されたＳＰＭを廃棄経路１１５へ流入させる。
　したがって、第１の実施形態に係る基板処理システム１によれば、ウェハＷを処理するための硫酸が所望の濃度となるようＳＰＭを精度よく回収することができる。
　また、回収率は、貯留タンク１０２に貯留された硫酸の濃度が、ＳＰＭを用いた処理に必要な硫酸の濃度の下限値として設定された濃度下限値Ｃｍｉｎに維持される回収率である。これにより、硫酸の消費量を可及的に低減することができる。
　また、第１の実施形態に係る基板処理システム１は、循環経路１０４と、分岐経路１１２と、仕切部材１３０とを備える。循環経路１０４は、貯留タンク１０２に貯留された硫酸を取り出して貯留タンク１０２へ戻す。分岐経路１１２は、循環経路１０４に接続され、循環経路１０４を流れる硫酸を処理ユニット１６へ供給する。仕切部材１３０は、貯留タンク１０２の側壁１２１との間に隙間をあけて配置され、貯留タンク１０２内を上下に仕切る。また、循環経路１０４は、貯留タンク１０２内の硫酸を取り出す取り出し口１４１が仕切部材１３０の下方に配置され、取り出し口１４１から取り出した硫酸を仕切部材１３０へ向けて吐出する戻し口１４２が仕切部材１３０の上方に配置される。これにより、回収経路１１４から貯留タンク１０２内に使用済みＳＰＭが供給された場合であっても、貯留タンク１０２内の硫酸の濃度を早期に安定させることができる。
　また、第１の実施形態に係る基板処理システム１は、ヒータ１０９（加熱部の一例）と、濃度計１１０（濃度情報取得部の一例）と、制御部１８（温度制御部の一例）とを備える。ヒータ１０９は、処理ユニット１６へ供給される硫酸を加熱する。濃度計１１０は、処理ユニット１６へ供給される硫酸の濃度情報を取得する。制御部１８は、濃度計１１０によって取得された濃度情報に応じて、ヒータ１０９による硫酸の加熱温度を制御する。
　また、第１の実施形態に係る基板処理システム１は、制御部１８（補充制御部の一例）を備える。制御部１８は、貯留タンク１０２に貯留される硫酸の初期濃度と同一の濃度、かつ、貯留タンク１０２内の液の減少量と同一量の硫酸を供給経路１７０を介して貯留タンク１０２に補充する。これにより、増加分を破棄したり、不足分を補充したりする必要がないため、硫酸の消費量を可及的に低減することができる。
（第２の実施形態）
　次に、第２の実施形態に係る基板処理システムにおける処理液供給系の構成について図１７を参照して説明する。図１７は、第２の実施形態に係る基板処理システムにおける処理液供給系の構成例を示す図である。なお、以下の説明では、既に説明した部分と同様の部分については、既に説明した部分と同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
　図１７に示すように、第２の実施形態に係る基板処理システム１Ａは、処理流体供給源７０Ａと、処理流体供給源７０Ｂと、処理ユニット１６Ｂとを備える。処理流体供給源７０Ａは、第１の実施形態に係る処理流体供給源７０から供給経路１７０、バルブ１７１および硫酸供給源１７２を取り除いた構成と同様である。すなわち、第１の実施形態に係る処理流体供給源７０と異なり、処理流体供給源７０Ａの貯留タンク１０２には、硫酸は補充されない。
　処理流体供給源７０Ｂは、硫酸の供給系として、貯留タンク１０２Ｂと、循環経路１０４Ｂと、分岐経路１１２Ｂとを備える。これらは、第１の実施形態に係る処理流体供給源７０が備える貯留タンク１０２、循環経路１０４、分岐経路１１２とそれぞれ同様である。
　貯留タンク１０２Ｂには、液面センサＳ１と同様の液面センサＳ２が設けられる。また、循環経路１０４Ｂには、上流側から順に、ポンプ１０６Ｂ、フィルタ１０８Ｂ、ヒータ１０９Ｂおよび濃度計１１０Ｂが設けられる。ポンプ１０６Ｂ、フィルタ１０８Ｂ、ヒータ１０９Ｂおよび濃度計１１０Ｂは、第１の実施形態に係るポンプ１０６、フィルタ１０８、ヒータ１０９および濃度計１１０と同様である。
　各分岐経路１１２Ｂは、各処理ユニット１６Ｂの混合部４５Ｂに接続され、循環経路１０４Ｂを流れる硫酸を各混合部４５Ｂに供給する。各分岐経路１１２Ｂには、バルブ１１３Ｂが設けられる。
　また、処理流体供給源７０Ｂは、過酸化水素水の供給系として、過酸化水素水供給経路１６０Ｂと、バルブ１６１Ｂと、過酸化水素水供給源１６２Ｂとを備える。過酸化水素水供給経路１６０Ｂの一端は、バルブ１６１Ｂを介して過酸化水素水供給源１６２Ｂに接続され、他端は処理ユニット１６Ｂの混合部４５Ｂに接続される。
　また、処理流体供給源７０Ｂは、供給経路１７０Ｂと、バルブ１７１Ｂと、硫酸供給源１７２Ｂとを備える。供給経路１７０Ｂの一端は、バルブ１７１Ｂを介して硫酸供給源１７２Ｂに接続され、他端は貯留タンク１０２Ｂに接続される。硫酸供給源１７２Ｂは、貯留タンク１０２Ｂに貯留される硫酸よりも高濃度の硫酸を供給する。
　処理ユニット１６Ｂは、混合部４５Ｂを備える。混合部４５Ｂは、分岐経路１１２Ｂから供給される高濃度の硫酸と、過酸化水素水供給経路１６０Ｂから供給される過酸化水素水とを混合して混合液であるＳＰＭを生成し、生成したＳＰＭを混合部４５よりも上流側の流路へ供給する。なお、混合部４５Ｂは、処理流体供給部４０に一体的に組み込まれていてもよい。
　このように、第２の実施形態に係る基板処理システム１Ａでは、循環経路１０４から供給される濃度低下した硫酸により生成されるＳＰＭに加え、供給経路１７０Ｂから供給される高濃度の硫酸により生成されるＳＰＭをウェハＷへ吐出することとした。
　上述したように、循環経路１０４を流れる硫酸の濃度が低下すると、硫酸と過酸化水素水との反応により生じる反応熱が低下することとなる。これに対し、第２の実施形態に係る基板処理システム１Ａは、かかる反応熱の低下を、高濃度の硫酸により生成されるＳＰＭの反応熱によって補うことができる。したがって、第２の実施形態に係る基板処理システム１Ａによれば、硫酸の濃度低下に伴うＳＰＭ処理の性能低下を抑えることができる。
（第３の実施形態）
　次に、第３の実施形態に係る基板処理システムの構成について図１８及び図１９を参照して説明する。図１８は、第３の実施形態に係る基板処理システム１の概略構成を示す図である。なお、図３と同様の構成には同じ符号が付されている。
　新たに追加された共通排気路８１は、各処理ユニット１６で使用された薬液が混在する雰囲気を一括して収集して排気する。下部排気路８２は、各処理ユニット１６に対応づけて備えられており、それらの先端は各処理ユニット１６のチャンバ２０の下部に配置され、他端は共通排気路８１に接続される。
　図１９は、第３の実施形態に係る処理ユニット１６の概略構成を示す図である。図４と同様の構成には同じ符号が付されている。下部排気路８２は、チャンバ２０の下部であって、その先端は支柱部３２に隣接して位置する。
　処理流体供給部４０から供給されたＳＰＭの一部はミストとなってウェハＷの上方に舞い上がり、雰囲気に混ざりこむ。ＳＰＭが混在する雰囲気は、ＦＦＵ２１のダウンフローによって回収カップ５０の下方へと導かれ排気口５２から排出される。
　回収カップ５０において、支柱部３２を回転させるため、回収カップ５０と支柱部３２との間には微小な隙間８３が存在する。この隙間８３を通じてＳＰＭが混在する雰囲気が回収カップ５０内から回収カップ５０の下部へと漏れ出すことがある。同様に、チャンバ２０と支柱部３２との間の微小な隙間８４を通じてＳＰＭが混在する雰囲気がチャンバ２０内からチャンバ２０の下部へと漏れ出すことがある。
　例えばラビリンス構造を設ける等により雰囲気の通過を抑制することはできる。しかし、基板処理システムの外部への漏洩を極力防止すべきである。
　したがって、本実施形態では、下部排気路８２が、隙間８４を介して最終的にチャンバ２０から漏れ出した雰囲気を吸引するようにした。このような構成にすることで、ＳＰＭが混在する雰囲気が基板処理システムの外部へ漏洩しなくなる。
　本実施形態では、ＳＰＭが混在する雰囲気について述べたが、これに限らず、例えば、ＩＩＩ－Ｖ族ウェハＷを洗浄処理する基板処理システムにおいて、アルシンガスや硫化水素ガスなどの薬品を含んだ雰囲気がチャンバ内に生じる場合においても適用可能である。
　さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。
Ｗ　ウェハ
１　基板処理システム
１６　処理ユニット
１８　制御部
８０　切替部
１０２　貯留タンク
１１４　回収経路
１１５　廃棄経路
１７０　供給経路

Claims (12)

  1. 　第１処理液を貯留する貯留タンクと、
    　前記貯留タンクから供給される前記第１処理液と、第２処理液との混合液を基板へ供給することにより前記基板を処理する基板処理部と、
    　前記基板処理部に供給された混合液を前記貯留タンクへ戻す回収経路と、
    　前記供給された混合液を前記貯留タンク以外の場所へ廃棄する廃棄経路と、
    　前記第１処理液を前記貯留タンクに供給する供給経路と、
    　前記供給された混合液の流入先を前記回収経路と前記廃棄経路との間で切り替える切替部と、
    　前記切替部を制御して、前記基板処理部による前記混合液の前記基板への供給が開始されてから第１の時間が経過するまでの間、前記供給された混合液を前記廃棄経路へ流入させ、前記第１の時間の経過後であって予め決定された回収率に基づき決定される第２の時間が経過するまでの間、前記供給された混合液を前記回収経路へ流入させ、前記第２の時間が経過してから前記混合液の供給が終了するまでの間、前記供給された混合液を前記廃棄経路へ流入させる切替制御部と
    　を備える、基板処理装置。
  2. 　前記貯留タンクに貯留された前記第１処理液を取り出して前記貯留タンクへ戻す循環経路と、
    　前記循環経路に接続され、前記循環経路を流れる前記第１処理液を前記基板処理部へ供給する分岐経路と、
    　前記貯留タンクの側壁との間に隙間をあけて配置され、前記貯留タンク内を上下に仕切る仕切部材と
    　を備え、
    　前記循環経路は、
    　前記貯留タンク内の第１処理液を取り出す取り出し口が前記仕切部材の下方に配置され、前記取り出し口から取り出した第１処理液を前記仕切部材へ向けて吐出する戻し口が前記仕切部材の上方に配置される、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 　前記基板処理部へ供給される前記第１処理液を加熱する加熱部と、
    　前記基板処理部へ供給される前記第１処理液の濃度情報を取得する濃度情報取得部と、
    　前記濃度情報取得部によって取得された濃度情報に応じて、前記加熱部による前記第１処理液の加熱温度を制御する温度制御部と
    　を備える、請求項１に記載の基板処理装置。
  4. 　前記濃度情報取得部は、
    　前記混合液を用いた前記基板の処理枚数を前記濃度情報として取得する、請求項３に記載の基板処理装置。
  5. 　前記濃度情報取得部は、
    　前記貯留タンクに貯留された液の比重を前記濃度情報として取得する、請求項３に記載の基板処理装置。
  6. 　前記供給経路は、回収されて前記貯留タンクに貯留される前記第１処理液の濃度以上の濃度を有する第１処理液を前記貯留タンクに補充するものであり、
    　前記回収率は、
    　前記貯留タンクに貯留された第１処理液の濃度が、前記混合液を用いた処理に必要な前記第１処理液の濃度の下限値として設定された濃度下限値に維持される回収率である、請求項１に記載の基板処理装置。
  7. 　前記貯留タンクに貯留される第１処理液の初期濃度と同一の濃度、かつ、前記貯留タンク内の液の減少量と同一量の前記第１処理液を前記供給経路を介して前記貯留タンクに補充する補充制御部
    　を備える、請求項６に記載の基板処理装置。
  8. 　前記第１処理液は、硫酸であり、
    　前記第２処理液は、過酸化水素水である、請求項１に記載の基板処理装置。
  9. 　第１処理液を貯留する貯留タンクと、
    　前記貯留タンクから供給される前記第１処理液と、第２処理液との混合液を基板へ供給することにより前記基板を処理する基板処理部と、
    　前記基板処理部に供給された混合液を前記貯留タンクへ戻す回収経路と、
    　前記供給された混合液を前記貯留タンク以外の場所へ廃棄する廃棄経路と、
    　前記第１処理液を前記貯留タンクに供給する供給経路と、
    　前記供給された混合液の流入先を前記回収経路と前記廃棄経路との間で切り替える切替部と、を備えた基板処理装置における基板処理方法であって、
    　前記基板処理部を用いて前記混合液を前記基板へ供給する供給工程と、
    　前記供給工程において前記混合液の前記基板への供給が開始されてから第１の時間が経過するまでの間、前記供給工程で供給された混合液を前記廃棄経路を介して前記貯留タンク以外の場所へ廃棄し、前記第１の時間の経過後であって予め決定された回収率に基づき決定される第２の時間が経過するまでの間、前記供給された混合液を前記回収経路を介して前記貯留タンクへ戻し、前記第２の時間が経過してから前記供給工程が終了するまでの間、前記供給された混合液を前記廃棄経路を介して前記貯留タンク以外の場所へ廃棄する回収工程と
    　を含む、基板処理方法。
  10. 　前記供給経路は、回収されて前記貯留タンクに貯留される前記第１処理液の濃度以上の濃度を有する第１処理液を前記貯留タンクに補充するものであり、
    　前記回収率は、
    　前記貯留タンクに貯留された第１処理液の濃度が、前記混合液を用いた処理に必要な前記第１処理液の濃度の下限値として設定された濃度下限値に維持される回収率である、請求項９に記載の基板処理方法。
  11. 　前記貯留タンクに貯留される第１処理液の初期濃度と同一の濃度、かつ、前記貯留タンク内の液の減少量と同一量の前記第１処理液を前記供給経路を介して前記貯留タンクに補充する補充工程
    　を含む、請求項１０に記載の基板処理方法。
  12. 　前記第１処理液は、硫酸であり、
    　前記第２処理液は、過酸化水素水である、請求項９に記載の基板処理方法。
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