JP2021144986A - 希薄薬液供給装置 - Google Patents
希薄薬液供給装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021144986A JP2021144986A JP2020041111A JP2020041111A JP2021144986A JP 2021144986 A JP2021144986 A JP 2021144986A JP 2020041111 A JP2020041111 A JP 2020041111A JP 2020041111 A JP2020041111 A JP 2020041111A JP 2021144986 A JP2021144986 A JP 2021144986A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chemical solution
- dilute
- dilute chemical
- storage tank
- supply device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 252
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title abstract description 19
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 48
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 41
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 74
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 57
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 claims description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 20
- 239000003814 drug Substances 0.000 claims description 13
- 229940079593 drug Drugs 0.000 claims description 12
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 10
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 26
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract description 24
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 15
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 212
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 4
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 4
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M potassium iodide Chemical compound [K+].[I-] NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 2
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000033116 oxidation-reduction process Effects 0.000 description 2
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 2
- 238000010979 pH adjustment Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 239000002351 wastewater Substances 0.000 description 2
- 241000894006 Bacteria Species 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002779 inactivation Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000020477 pH reduction Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
- B01F23/00—Mixing according to the phases to be mixed, e.g. dispersing or emulsifying
- B01F23/40—Mixing liquids with liquids; Emulsifying
- B01F23/48—Mixing liquids with liquids; Emulsifying characterised by the nature of the liquids
- B01F23/483—Mixing liquids with liquids; Emulsifying characterised by the nature of the liquids using water for diluting a liquid ingredient, obtaining a predetermined concentration or making an aqueous solution of a concentrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
- B01F35/00—Accessories for mixers; Auxiliary operations or auxiliary devices; Parts or details of general application
- B01F35/20—Measuring; Control or regulation
- B01F35/21—Measuring
- B01F35/211—Measuring of the operational parameters
- B01F35/2112—Level of material in a container or the position or shape of the upper surface of the material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
- B01F35/00—Accessories for mixers; Auxiliary operations or auxiliary devices; Parts or details of general application
- B01F35/20—Measuring; Control or regulation
- B01F35/21—Measuring
- B01F35/2132—Concentration, pH, pOH, p(ION) or oxygen-demand
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
- B01F35/00—Accessories for mixers; Auxiliary operations or auxiliary devices; Parts or details of general application
- B01F35/20—Measuring; Control or regulation
- B01F35/22—Control or regulation
- B01F35/221—Control or regulation of operational parameters, e.g. level of material in the mixer, temperature or pressure
- B01F35/2211—Amount of delivered fluid during a period
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
- B01F35/00—Accessories for mixers; Auxiliary operations or auxiliary devices; Parts or details of general application
- B01F35/71—Feed mechanisms
- B01F35/717—Feed mechanisms characterised by the means for feeding the components to the mixer
- B01F35/7176—Feed mechanisms characterised by the means for feeding the components to the mixer using pumps
- B01F35/717613—Piston pumps
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
- C02F1/66—Treatment of water, waste water, or sewage by neutralisation; pH adjustment
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D11/00—Control of flow ratio
- G05D11/02—Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material
- G05D11/13—Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material characterised by the use of electric means
- G05D11/135—Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material characterised by the use of electric means by sensing at least one property of the mixture
- G05D11/138—Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material characterised by the use of electric means by sensing at least one property of the mixture by sensing the concentration of the mixture, e.g. measuring pH value
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
- B01F2101/00—Mixing characterised by the nature of the mixed materials or by the application field
- B01F2101/24—Mixing of ingredients for cleaning compositions
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Hydrology & Water Resources (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Water Supply & Treatment (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
[希薄薬液供給装置]
図1は、本発明の第一の実施形態による希薄薬液供給装置を示している。図1において、希薄薬液供給装置1は、希薄薬液W1を調製する希薄薬液調製部2と、この調製された希薄薬液の貯留槽3と、この貯留槽3に貯留された希薄薬液W1を洗浄水W2として、ユースポイントとしての複数台の枚葉式洗浄機5A、5B及び5Cに供給する希薄薬液調整・供給機構4と、枚葉式洗浄機5A、5B及び5Cにそれぞれ接続した、該枚葉式洗浄機の余剰水を貯留槽3に還流する返送機構とからなる。
希薄薬液調製部2は、超純水(DIW)Wの供給源22及び貯留槽3を連通する希薄薬液調製流路21と、この希薄薬液調製流路21の途中に設けられた第一の薬液の供給機構23と、第二の薬液の供給機構24とを有する。そして、これら第一の薬液の供給機構23及び第二の薬液の供給機構24は、本実施形態においては、図2に示すように第一の薬液のタンク23A及び薬液を添加するプランジャポンプ23Bと、第二の薬液のタンク24A及び薬液を添加するプランジャポンプ24Bとからそれぞれ構成される。なお、希薄薬液調製流路21には、図示しない流量計などの流量計測手段が設けられている。
貯留槽3は、希薄薬液W1の純度を損なわないために内壁からの溶出が無視できるレベルである高純度の材質製とする。貯留槽3には、該貯留槽3内を不活性ガスとしてのN2ガスで満たすためのN2ガス供給機構31と、貯留槽3内の希薄薬液を排出する返送機構32とがそれぞれ接続されている。本実施形態においては、この貯留槽3には、図3に示すようにその水位を検知するレベルセンサ33が設けられている。また、本実施形態においては、返送機構32は図示しない開閉機構を備えた返送流路34と、この返送流路34に設けられたイオン交換樹脂カラムなどの除去装置35とを備え、該返送流路34はこの除去装置35の下流側で希薄薬液調製部2に連通している。
希薄薬液調整・供給機構4は、貯留槽3と枚葉式洗浄機5A、5B及び5Cとを連通する希薄薬液供給流路41と、この希薄薬液供給流路41の途中に設けられた送液ポンプとしてのブースターポンプ42と、ガス溶解膜43と、このガス溶解膜43の前段に設けられたガス除去膜44とを有する。このガス溶解膜43には、溶解ガス源45と流量制御手段としてのマスフロコントローラ(MFC)46とが接続している。なお、本実施形態においては、希薄薬液供給機構にガス溶解機能を付与することで希薄薬液調整・供給機構4としている。
本実施形態においては、洗浄機5A、5B及び5Cには、返送機構として貯留槽2に還流する返送流路51がそれぞれ接続されており、この返送流路51にはガス除去膜52と第一の薬液及び/又は第二の薬液の濃度を計測表示するオンラインモニタ53とが設けられている。
上述した構成において、第一の薬液の供給機構23、第二の薬液の供給機構24、希薄薬液調製流路21の流量計、レベルセンサ33、返送流路34の開閉機構、及び第一の薬液及び第二の薬液の濃度を検知するオンラインモニタ53は、図示しないパーソナルコンピュータなどの制御装置に連通しており、希薄薬液調製流路21の流量、レベルセンサ33、オンラインモニタ53の計測値に基づいて、返送流路34の開閉、第一の薬液の供給機構23及び第二の薬液の供給機構24の供給量の調整などを制御可能となっている。
次に上述したような希薄薬液供給装置を用いた希薄薬液の供給方法について、以下説明する。
希薄薬液調製部2において、超純水(DIW)Wの供給源22から超純水Wを供給するとともに第一の薬液の供給機構23と第二の薬液の供給機構24とから、それぞれ第一の薬液及び第二の薬液を供給する。このとき、希薄薬液調製流路21の流量に基づいて、第一の薬液及び第二の薬液が所定の濃度となるように制御装置によりプランジャポンプ23B及びプランジャポンプ24Bを制御して、第一の薬液及び第二の薬液の添加量を調整する。
このようにして調製された希薄薬液W1は、そのまま貯留槽3に供給される。このときN2ガス供給機構31から常時一定圧力のN2ガスを供給して貯留槽3の上部空間をN2ガスで満たす。これにより貯留槽3内での希薄薬液W1への溶存ガスの増加によるpHや酸化還元電位の変動を抑制することができる。
続いて、貯留槽3に貯留された希薄薬液W1を該貯留槽3の後段に設けられた送液手段としてのブースターポンプ42により送液する。この際、本実施形態においては、この希薄薬液W1中の溶存ガスをガス溶解膜43で除去した後、ガス除去膜44において溶解ガス源45から供給されるガスを溶解して、洗浄水W2として調整する。このとき洗浄水W2が所定の溶解ガス濃度となるようにマスフロコントローラ(MFC)46により溶解ガス源45から供給されるガスの流量を制御することが好ましい。この溶存ガスとしては、例えば、水素、オゾン、CO2など洗浄目的に応じて種々選択すればよい。このようにして希薄薬液W1を調整した洗浄水W2を洗浄機5A、5B及び5Cに供給する。
そして、洗浄機5A、5B及び5Cで使用しなかった余剰の洗浄水W2は、返送流路51から貯留槽3に返送する。この余剰の洗浄水W2は、貯留槽3にそのまま返送させても問題ないが、酸化剤が自己分解や薬液との反応で第一の薬液及び/又は第二の薬液の濃度が所定値より低下していないかオンラインモニタ53で確認し、そこで計測された値に応じて、希薄薬液調製部2における第一の薬液の供給機構23及び/又は第二の薬液の供給機構24からの薬液添加濃度を制御装置により適宜コントロールすればよい。
次に本発明の第二の実施形態による希薄薬液供給装置について、図4に基づいて説明する。本実施形態の希薄薬液供給装置は、基本的には前述した第一の実施形態と同じ構成を有するので、同一の構成には同一の符号を付しその詳細な説明を省略する。
2 希薄薬液調製部
21 希薄薬液調製流路
21A 分岐菅
21B 開閉弁
22 超純水供給源
23 第一の薬液の供給機構
23A 第一の薬液のタンク
23B プランジャポンプ
24 第二の薬液の供給機構
24A 第二の薬液のタンク
24B プランジャポンプ
25 N2ガス(不活性ガス)供給源
26 供給管
3,3A,3B 貯留槽
31 N2ガス供給機構(不活性ガス供給機構)
32 返送機構
33 レベルセンサ
34 返送流路
35 除去装置
4 希薄薬液調整・供給機構
41 希薄薬液供給流路
41A,41B 切替弁
42 ブースターポンプ(送液ポンプ)
43 ガス溶解膜
44 ガス除去膜
45 溶解ガス源
46 マスフロコントローラ(流量制御手段)
5A,5B,5C 毎葉式洗浄機(ユースポイント)
51 返送流路
52 ガス除去膜
53 オンラインモニタ(濃度センサ)
W 超純水
W1 希薄薬液
W2 洗浄水
Claims (9)
- 超純水の流量に対して所定量の薬液を添加することで、該薬液の所定の濃度の希薄薬液を製造する希薄薬液製造部と、
この製造された希薄薬液を貯留する貯留槽と、
前記希薄薬液をユースポイントに供給する希薄薬液供給機構と、
前記ユースポイントでの余剰の希薄薬液を貯留槽にまで返送する返送配管及び該返送配管の途中に設けられた前記薬液成分の濃度検知手段を備えた返送機構と
を備える、希薄薬液供給装置。 - 前記希薄薬液供給機構が前記貯留槽から供給された希薄薬液に所定のガス成分を溶解するガス溶解手段を備える、請求項1に記載の希薄薬液供給装置。
- 前記希薄薬液製造部が前記薬液を添加するプランジャポンプを備える、請求項1又は2に記載の希薄薬液供給装置。
- 希薄薬液製造部が、前記薬液を貯留する密閉タンクと該密閉タンクに不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とからなる薬液添加装置を備える、請求項1又は2に記載の希薄薬液供給装置。
- 前記貯留槽に該貯留槽の水位を検知するレベルセンサが設けられており、このレベルセンサによる貯留槽の水位情報に基づいて、希薄薬液製造部での希薄薬液の製造・停止が制御可能となっている、請求項1〜4のいずれか1項に記載の希薄薬液供給装置。
- 前記貯留槽に排出機構を備える、請求項1〜5のいずれか1項に記載の希薄薬液供給装置。
- 前記希薄薬液製造部における希薄薬液の製造量が調整可能である、請求項5又は6に記載の希薄薬液供給装置。
- 前記貯留槽が2槽以上並列に設けられている、請求項1〜7のいずれか1項に記載の希薄薬液供給装置。
- 前記ガス溶解手段の前段に前記希薄薬液中の溶存ガスを除去するガス除去手段を備える、請求項2〜8のいずれか1項に記載の希薄薬液供給装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020041111A JP6973534B2 (ja) | 2020-03-10 | 2020-03-10 | 希薄薬液供給装置 |
US17/637,668 US12030024B2 (en) | 2020-03-10 | 2020-09-15 | Dilute chemical supply device |
PCT/JP2020/034957 WO2021181730A1 (ja) | 2020-03-10 | 2020-09-15 | 希薄薬液供給装置 |
KR1020227005619A KR20220150872A (ko) | 2020-03-10 | 2020-09-15 | 희박 약액 공급 장치 |
CN202080063077.7A CN114365269A (zh) | 2020-03-10 | 2020-09-15 | 稀药液供给装置 |
TW110108231A TW202134187A (zh) | 2020-03-10 | 2021-03-09 | 稀薄藥液供給裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020041111A JP6973534B2 (ja) | 2020-03-10 | 2020-03-10 | 希薄薬液供給装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021144986A true JP2021144986A (ja) | 2021-09-24 |
JP6973534B2 JP6973534B2 (ja) | 2021-12-01 |
Family
ID=77671500
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020041111A Active JP6973534B2 (ja) | 2020-03-10 | 2020-03-10 | 希薄薬液供給装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6973534B2 (ja) |
KR (1) | KR20220150872A (ja) |
CN (1) | CN114365269A (ja) |
TW (1) | TW202134187A (ja) |
WO (1) | WO2021181730A1 (ja) |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6115729A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-23 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 薬液供給方法および装置 |
JP2000271549A (ja) * | 1999-03-25 | 2000-10-03 | Kurita Water Ind Ltd | ガス溶解水供給装置 |
JP2000354857A (ja) * | 1999-06-16 | 2000-12-26 | Japan Organo Co Ltd | 機能水製造方法及び装置 |
JP2006105751A (ja) * | 2004-10-05 | 2006-04-20 | Mitsubishi Materials Corp | リサイクル型流通式材料腐食試験方法及びその試験装置 |
WO2008139653A1 (ja) * | 2007-05-10 | 2008-11-20 | Kurashiki Boseki Kabushiki Kaisha | 洗浄方法およびそれに用いる装置 |
WO2017135064A1 (ja) * | 2016-02-03 | 2017-08-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2018206998A (ja) * | 2017-06-06 | 2018-12-27 | 栗田工業株式会社 | 希薄薬液製造装置 |
JP2019147112A (ja) * | 2018-02-27 | 2019-09-05 | 栗田工業株式会社 | pH・酸化還元電位調整水の製造装置 |
JP2019192864A (ja) * | 2018-04-27 | 2019-10-31 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
-
2020
- 2020-03-10 JP JP2020041111A patent/JP6973534B2/ja active Active
- 2020-09-15 KR KR1020227005619A patent/KR20220150872A/ko unknown
- 2020-09-15 CN CN202080063077.7A patent/CN114365269A/zh active Pending
- 2020-09-15 WO PCT/JP2020/034957 patent/WO2021181730A1/ja active Application Filing
-
2021
- 2021-03-09 TW TW110108231A patent/TW202134187A/zh unknown
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6115729A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-23 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 薬液供給方法および装置 |
JP2000271549A (ja) * | 1999-03-25 | 2000-10-03 | Kurita Water Ind Ltd | ガス溶解水供給装置 |
JP2000354857A (ja) * | 1999-06-16 | 2000-12-26 | Japan Organo Co Ltd | 機能水製造方法及び装置 |
JP2006105751A (ja) * | 2004-10-05 | 2006-04-20 | Mitsubishi Materials Corp | リサイクル型流通式材料腐食試験方法及びその試験装置 |
WO2008139653A1 (ja) * | 2007-05-10 | 2008-11-20 | Kurashiki Boseki Kabushiki Kaisha | 洗浄方法およびそれに用いる装置 |
WO2017135064A1 (ja) * | 2016-02-03 | 2017-08-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2018206998A (ja) * | 2017-06-06 | 2018-12-27 | 栗田工業株式会社 | 希薄薬液製造装置 |
JP2019147112A (ja) * | 2018-02-27 | 2019-09-05 | 栗田工業株式会社 | pH・酸化還元電位調整水の製造装置 |
JP2019192864A (ja) * | 2018-04-27 | 2019-10-31 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20220150872A (ko) | 2022-11-11 |
WO2021181730A1 (ja) | 2021-09-16 |
TW202134187A (zh) | 2021-09-16 |
JP6973534B2 (ja) | 2021-12-01 |
CN114365269A (zh) | 2022-04-15 |
US20220410090A1 (en) | 2022-12-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI720302B (zh) | 洗淨水供給裝置 | |
JP6427378B2 (ja) | アンモニア溶解水供給システム、アンモニア溶解水供給方法、およびイオン交換装置 | |
TW201945296A (zh) | pH-氧化還原電位調整水的製造裝置 | |
TWI742266B (zh) | 洗淨水供給裝置 | |
JP6973534B2 (ja) | 希薄薬液供給装置 | |
US12030024B2 (en) | Dilute chemical supply device | |
JP2024032251A (ja) | ウェハ洗浄水供給装置 | |
JP7103394B2 (ja) | ウェハ洗浄水供給システム及びウェハ洗浄水の供給方法 | |
WO2022024451A1 (ja) | ウェハ洗浄水供給装置 | |
JP7099603B1 (ja) | 半導体製造用液体供給装置 | |
WO2022196470A1 (ja) | 機能性水溶液供給装置 | |
JP2022187362A (ja) | ウェハ洗浄水供給装置 | |
JP7088266B2 (ja) | pH・酸化還元電位調整水の製造装置 | |
WO2022070475A1 (ja) | 電子部品・部材の洗浄水供給装置及び電子部品・部材の洗浄水の供給方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200915 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201117 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210115 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210302 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210430 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20211005 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211018 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6973534 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |