JP7103394B2 - ウェハ洗浄水供給システム及びウェハ洗浄水の供給方法 - Google Patents

ウェハ洗浄水供給システム及びウェハ洗浄水の供給方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7103394B2
JP7103394B2 JP2020180004A JP2020180004A JP7103394B2 JP 7103394 B2 JP7103394 B2 JP 7103394B2 JP 2020180004 A JP2020180004 A JP 2020180004A JP 2020180004 A JP2020180004 A JP 2020180004A JP 7103394 B2 JP7103394 B2 JP 7103394B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cleaning water
wafer
wafer cleaning
water
water supply
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2020180004A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2022070761A (ja
Inventor
航 杉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kurita Water Industries Ltd
Original Assignee
Kurita Water Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kurita Water Industries Ltd filed Critical Kurita Water Industries Ltd
Priority to JP2020180004A priority Critical patent/JP7103394B2/ja
Priority to CN202180063164.7A priority patent/CN116368600A/zh
Priority to KR1020237009000A priority patent/KR20230093419A/ko
Priority to PCT/JP2021/034813 priority patent/WO2022091654A1/ja
Priority to US18/026,600 priority patent/US20230335417A1/en
Publication of JP2022070761A publication Critical patent/JP2022070761A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7103394B2 publication Critical patent/JP7103394B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
    • C02F1/006—Water distributors either inside a treatment tank or directing the water to several treatment tanks; Water treatment plants incorporating these distributors, with or without chemical or biological tanks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
    • C02F1/008—Control or steering systems not provided for elsewhere in subclass C02F
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
    • C02F1/66—Treatment of water, waste water, or sewage by neutralisation; pH adjustment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
    • C02F1/68—Treatment of water, waste water, or sewage by addition of specified substances, e.g. trace elements, for ameliorating potable water
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
    • C02F1/70—Treatment of water, waste water, or sewage by reduction
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
    • C02F1/72—Treatment of water, waste water, or sewage by oxidation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B13/00—Accessories or details of general applicability for machines or apparatus for cleaning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
    • C02F1/72—Treatment of water, waste water, or sewage by oxidation
    • C02F1/722—Oxidation by peroxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F2103/00—Nature of the water, waste water, sewage or sludge to be treated
    • C02F2103/02—Non-contaminated water, e.g. for industrial water supply
    • C02F2103/04—Non-contaminated water, e.g. for industrial water supply for obtaining ultra-pure water
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F2201/00—Apparatus for treatment of water, waste water or sewage
    • C02F2201/002—Construction details of the apparatus
    • C02F2201/005—Valves
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F2209/00—Controlling or monitoring parameters in water treatment
    • C02F2209/03—Pressure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F2209/00—Controlling or monitoring parameters in water treatment
    • C02F2209/40—Liquid flow rate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Hydrology & Water Resources (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Water Supply & Treatment (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)

Description

本発明は、半導体用ウェハの洗浄・リンス工程において有効な、アルカリ、酸、酸化剤、還元剤、各種ガス成分等の溶質をごく低濃度含む洗浄水を安定供給できるウェハ洗浄水供給システム及びウェハ洗浄水の供給方法に関する。
半導体用シリコンウェハなどの洗浄工程では、ｐＨや酸化還元電位の制御に有効な溶質を超純水にごく低濃度溶解した水（以下、ウェハ洗浄水と呼ぶ）が使われることがある。このウェハ洗浄水は、超純水を基本材料として、洗浄やリンス工程などそれぞれの工程の目的に合致したｐＨや酸化還元電位などの液性を持たせるために、必要最小限の酸・アルカリ、酸化剤・還元剤が添加される。この際、還元性を持たせるためにはＨ２ガス溶解水が活用されているが、ｐＨ調整と酸化性付与には、一般的に薬液をポンプ注入や不活性ガスによる加圧方式で、液体の薬剤を微量添加（薬注）する方法が活用されている。
この場合、超純水の流量が一定であれば、所望の溶質濃度となるように薬注することは容易であるが、実際にウェハ洗浄水が用いられる洗浄機においては、ウェハに注がれる洗浄水の供給・停止が複数のバルブの開閉で制御されており、流量が不規則に変動する。この変動に対して、ウェハ洗浄水の溶質濃度が所望範囲に収まるように超純水流量に対する比例制御、濃度モニタの信号を受けてのＰＩＤ制御など、様々な手法による溶解コントロールが行われている。しかし、特に複数の洗浄チャンバを有する枚葉式洗浄機における不規則な流量変動に十分追随できる薬注コントロールは実現できていない。この対策として、最大使用量を想定したウェハ洗浄水を製造して洗浄機に供給することが考えられるが、これでは大幅に過剰量のウェハ洗浄水を供給することになるので、高価なウェハ洗浄水が無駄になってしまう。
そこで、ウェハ洗浄水の節水を目的として貯留槽を設け、洗浄機で使用しないウェハ洗浄水を貯留槽に戻し循環する方式のウェハ洗浄水供給システムが特許文献１で提案されている。
特開２０１８－１８２０９９号公報
しかしながら、特許文献１に記載されたウェハ洗浄水供給システムは、貯留槽を用いるので、装置が大型化せざるを得ないだけでなく、製造したウェハ洗浄水の気体との接触時間やウェハ洗浄水を製造してからの滞留時間が長くなるため、ウェハ洗浄水の溶存ガス濃度が高くなる蓋然性が高い、という問題点がある。この対策として貯留槽にＮ２ガスをパージすることが行われているが、装置の大型化の問題がより顕在化してしまうだけでなく、Ｎ２ガスが溶解する、という問題が生じる。
このようにウェハ洗浄水の溶質濃度のコントロールが可能で、余剰水が少なく、溶存ガスの混入の恐れが低く、省スペース化の可能なウェハ洗浄水供給システムは従来なかった。
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、余剰水が少なく、溶存ガスの混入の恐れが低く、省スペース化の可能なウェハ洗浄水供給システムを提供することを目的とする。
上記目的に鑑み、本発明は第一に、超純水に対して薬剤を溶解することで所定の薬剤濃度のウェハ洗浄水を製造するウェハ洗浄水製造部と、前記ウェハ洗浄水製造部で製造されたウェハ洗浄水をユースポイントに供給する循環式の洗浄水供給管と、前記ウェハ洗浄水製造部と循環式の洗浄水供給管とを接続する補給管と、この循環式の洗浄水供給管を流通するウェハ洗浄水のユースポイントでの洗浄水の使用量を算出するための計測手段と、前記計測手段の測定結果に基づき前記ウェハ洗浄水製造部からの前記循環式の洗浄水供給管へのウェハ洗浄水の補給量を制御する制御手段と、を備える、ウェハ洗浄水供給システムを提供する（発明１）。
かかる発明（発明１）によれば、循環式の洗浄水供給管を流通するウェハ洗浄水の回収量を計測することにより、ウェハ洗浄水の使用量を算出し、循環式の洗浄水供給管を流通するウェハ洗浄水の量が所定量を下回ったら、これに対応した量のウェハ洗浄水をウェハ洗浄水製造部で製造して補給してやることで、必要量のウェハ洗浄水のみを製造すればよいので、余剰水を最小限とすることができる。また、ウェハ洗浄水の薬剤成分を精度よくコントロールすることができる。なお、本発明において、所定量とは基準量に対してある程度の量的範囲を含むものとし、所定の薬剤濃度とは、基準とする濃度に対してある程度の濃度範囲を含むものとする。
上記発明（発明１）においては、前記計測手段が流量計であり、該流量計の計測値に基づいてウェハ洗浄水のユースポイントでの使用量を算出し、前記制御手段により前記ウェハ洗浄水の補給量を制御してもよい（発明２）。
かかる発明（発明２）によれば、循環式の洗浄水供給管に回収量を計測する計測手段として流量計を設けることにより、ウェハ洗浄水の使用量を算出し、この使用量に対応した量のウェハ洗浄水をウェハ洗浄水製造部で製造して補給してやることで、必要量のウェハ洗浄水のみを製造すればよいので、余剰水を最小限とすることができる。また、ウェハ洗浄水の薬剤成分を精度よくコントロールすることができる。
上記発明（発明１）においては、前記計測手段が圧力計であり、該圧力計の計測値に基づいてウェハ洗浄水のユースポイントからの使用量を算出し、前記制御手段により前記ウェハ洗浄水の補給量を制御してもよい（発明３）。
かかる発明（発明３）によれば、循環式の洗浄水供給管に回収量を計測する計測手段として圧力計を設けることにより、循環式の洗浄水供給管を戻る回収水の圧力を計測して、この圧力に対応したウェハ洗浄水の回収量を算出し、この回収量が所定量を下回ったらウェハ洗浄水が不足したと判断して、ウェハ洗浄水の使用量（供給量－回収量）に対応した量のウェハ洗浄水をウェハ洗浄水製造部で製造して補給してやることで、必要量のウェハ洗浄水のみを製造すればよいので、余剰水を最小限とすることができる。また、ウェハ洗浄水の薬剤成分を精度よくコントロールすることができる。
上記発明（発明１～３）においては、前記ユースポイントが複数台の洗浄機を有することが好ましい（発明４）。
かかる発明（発明４）によれば、ユースポイントが複数台の洗浄機を有する場合には、それぞれの洗浄機の稼働状況によって、ユースポイント全体でのウェハ洗浄水の使用量が大きく変動するが、この変動に応じて使用した量のウェハ洗浄水をウェハ洗浄水製造部で製造して補給してやることとすれば、必要量のウェハ洗浄水のみを製造すればよくなるので、余剰水を最小限とすることができる。また、ウェハ洗浄水の薬剤成分を精度よくコントロールすることができる。
上記発明（発明１～４）においては、前記循環式の洗浄水供給管にリリーフ弁を有することが好ましい（発明５）。
かかる発明（発明５）によれば、循環式の洗浄水供給管に過剰量のウェハ洗浄水が流通した場合には、リリーフ弁からウェハ洗浄水を排出することで、循環式の洗浄水供給管を流通するウェハ洗浄水の水量を適正に維持することができる。
上記発明（発明１～５）においては、前記ウェハ洗浄水製造部と循環式の洗浄水供給管との間に貯留槽を有しないことが好ましい（発明６）。
かかる発明（発明６）によれば、ウェハ洗浄水製造部から補給管を介して直接ウェハ洗浄水を循環式の洗浄水供給管に供給することで、貯留槽を設ける必要がなくなるため、ウェハ洗浄水供給のコンパクト化が図れるとともに、ウェハ洗浄水が貯留槽に滞留することがないので、ウェハ洗浄水の製造から使用までの滞留時間を短くできるため、清浄度を確保することができる。
上記発明（発明１～６）においては、前記ウェハ洗浄水製造部が、液体の薬剤成分をポンプにより供給される、または、液体の薬剤成分を貯留したタンクから不活性ガスによる加圧手段により供給されることが好ましい（発明７）。
かかる発明（発明７）によれば、ウェハ洗浄水製造部から循環式の洗浄水供給管に供給するウェハ洗浄水の水量を安定的に調整することができる。
また、本発明は第二に、超純水に対して薬剤を溶解することで所定の薬剤濃度のウェハ洗浄水を製造し、この製造されたウェハ洗浄水を循環式の洗浄水供給管に送液することで、ユースポイントにウェハ洗浄水を供給し、前記ユースポイントで未使用のウェハ洗浄水を循環式の洗浄水供給管により循環再利用するウェハ洗浄水の供給方法であって、前記循環式の洗浄水供給管を流通するウェハ洗浄水のユースポイントでの洗浄水の使用量を算出するための指標を計測し、前記計測結果に基づき前記制御手段が前記ウェハ洗浄水の補給量を制御する、ウェハ洗浄水の供給方法を提供する（発明８）。
かかる発明（発明８）によれば、前記循環式の洗浄水供給管を流通するウェハ洗浄水のユースポイントでの洗浄水の使用量に対応した量のウェハ洗浄水の補給量を制御することにより、必要量のウェハ洗浄水のみを補給すればよいので、余剰水を最小限とすることができる。また、ウェハ洗浄水の薬剤成分を精度よくコントロールすることができる。
上記発明（発明８）においては、前記ウェハ洗浄水の薬剤成分が所定の濃度となるまでウェハ洗浄水を前記循環式の洗浄水供給管に供給しないことが好ましい（発明９）。
かかる発明（発明９）によれば、ユースポイントへ所定の薬剤成分濃度を充足しないウェハ洗浄水が供給されるのを防止することができる。
上記発明（発明８，９）においては、前記ユースポイントでウェハ洗浄水を使用しない時にも少量の洗浄水を循環式の洗浄水供給管に供給することが好ましい（発明１０）。
かかる発明（発明１０）によれば、所定の薬剤濃度のウェハ洗浄水の製造を停止しないので、ウェハ洗浄水の薬剤濃度を安定させることができる。
本発明のウェハ洗浄水供給システムによれば、循環式の洗浄水供給管を流通するウェハ洗浄水のユースポイントでの使用量を算出し、これに対応した量のウェハ洗浄水をウェハ洗浄水製造部で製造して補給してやることで、必要量のウェハ洗浄水のみを製造すればよいので、余剰水を最小限とすることができる。また、ウェハ洗浄水の薬剤成分を精度よくコントロールすることができる。さらに、貯留槽を設ける必要がないのでシステム全体のコンパクト化が図れるばかりか、ウェハ洗浄水が貯留槽に滞留することがないので、ウェハ洗浄水の製造から使用までの滞留時間を短くできるため、清浄度を確保することができる。
本発明の第一の実施形態によるウェハ洗浄水供給システムを示す概略図である。 本発明の第二の実施形態によるウェハ洗浄水供給システムを示す概略図である。 本発明の第三の実施形態によるウェハ洗浄水供給システムを示す概略図である。 本発明の第四の実施形態によるウェハ洗浄水供給システムを示す概略図である。
＜第一の実施形態＞
以下、本発明のウェハ洗浄水供給システム及びウェハ洗浄水の供給方法の第一の実施形態について添付図面を参照にして詳細に説明する。
〔ウェハ洗浄水供給システム〕
図１は、本発明の第一の実施形態によるウェハ洗浄水供給システムを示している。図１においてウェハ洗浄水供給システム１は、超純水の流量に対して所定量の薬剤を溶解することで、所定の薬剤濃度のウェハ洗浄水を製造するウェハ洗浄水製造部２と、ウェハ洗浄水製造部２から延在した補給管３と、この補給管３に接続した循環式の洗浄水供給管４とを有する。
循環式の洗浄水供給管４は、送液ポンプ１１を介してユースポイント５に洗浄液Ｗを送液可能となっている。本実施形態においては、洗浄水供給管４の補給管３の接続部とユースポイント５との間を、それぞれ供給側４Ａと回収側４Ｂと呼ぶこととする。供給側４Ａには、計測手段としての供給側流量計１２が設けられているとともに排出管１３と分析用分取管１５とが接続されていて、排出管１３にはリリーフ弁（圧力調整弁）１４が設けられている。また、分析用分取管１５には、各種水質センサ（図示せず）と連動した第一の監視モニタ１６が設けられている。また、回収側４Ｂには、計測手段としての回収側流量計２１が設けられているとともに監視用分取管２２が接続されていて、監視用分取管２２には各種水質センサ（図示せず）と連動した第二の監視モニタ２３が設けられている。そして、供給側流量計１２と回収側流量計２１との測定結果と、第一の監視モニタ１６及び第二の監視モニタ２３で得られた各種水質センサによる水質データとは図示しない制御装置に送信され、この制御装置によりウェハ洗浄水製造部２を制御可能となっている。
〔ウェハ洗浄水の供給方法〕
次に前述したような構成を有する本実施形態のウェハ洗浄水供給システム１を用いたウェハ洗浄水の供給方法について説明する。
（ウェハ洗浄水製造工程）
まず、ウェハ洗浄水製造部２に超純水を供給するとともにこの超純水の供給量に対して所定の濃度となるように薬液を供給してウェハ洗浄水Ｗを調製する。
なお、本明細書中において、原水となる超純水とは、例えば、抵抗率：１８．１ＭΩ・ｃｍ以上、微粒子：粒径５０ｎｍ以上で１０００個／Ｌ以下、生菌：１個／Ｌ以下、ＴＯＣ（Ｔｏｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃａｒｂｏｎ）：１μｇ／Ｌ以下、全シリコン：０．１μｇ／Ｌ以下、金属類：１ｎｇ／Ｌ以下、イオン類：１０ｎｇ／Ｌ以下、過酸化水素；３０μｇ／Ｌ以下、水温：２５±２℃のものが好適である。
超純水に溶解する薬剤としては、例えば、ｐＨ調整剤を用いることができる。このｐＨ調整剤としては特に制限はないが、ｐＨ７未満に調整する場合には、塩酸、硝酸、硫酸、酢酸などの酸性溶液を用いることができる。また、ｐＨ７以上に調整する場合には、アンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム又はＴＭＡＨ等のアルカリ性溶液を用いることができる。さらにガス溶解膜を用いて、炭酸ガス（ＣＯ２）を超純水に対して所定の濃度に溶解してもよい。
また、薬剤として酸化還元電位調整剤を用いることもできる。この酸化還元電位調整剤としては、酸化還元電位を高く（プラス側）調整する場合には、過酸化水素水などを用いることができる。また、酸化還元電位を低く（マイナス側）調整する場合にはシュウ酸、硫化水素、ヨウ化カリウムなどの溶液を用いることができる。さらにガス溶解膜を用いて、水素（Ｈ２）、オゾン（Ｏ３）などを溶解してもよい。
これらｐＨ調整剤又は酸化還元電位調整剤は、いずれか一方を添加してもよいし、両方を添加してもよい。
なお、ウェハ洗浄水Ｗの製造を開始した直後（初期）は、ウェハ洗浄水Ｗにおける薬剤の濃度が所望の濃度範囲に収まらないことがある。そこで、所望の濃度で安定するまでに要する時間や処理量を予め調べておいて、そこに至るまでドレン水として排出することで、補給管３から供給するウェハ洗浄水Ｗの溶質濃度を精度よく制御することができる。
（ウェハ洗浄水供給工程）
ウェハ洗浄水製造部２で製造されたウェハ洗浄水Ｗは、補給管３を介して循環式の洗浄水供給管４に流入し、送液ポンプ１１によりユースポイント５に供給される。このとき、ウェハ洗浄水Ｗのユースポイント５への供給水量は、供給側流量計１２により計測されるが、例えば、ユースポイント５が複数台の洗浄機により構成されている場合には、ウェハ洗浄水Ｗの初期供給量は、ユースポイント５でウェハ洗浄水Ｗが不足することがないように最大水量を基準に設定すればよい。また、ウェハ洗浄水Ｗの水質は、分析用分取管１５に設けられた各種水質センサ（図示せず）と連動した第一の監視モニタ１６により監視し、設定された水質であることを監視する。
ここで、ユースポイント５でのウェハ洗浄水Ｗの使用量は、洗浄機の稼働台数などにより、大きく変動する。このため、未使用のウェハ洗浄水Ｗは、循環式の洗浄水供給管４の回収側４Ｂから補給管３に向けて還流する。このとき、ウェハ洗浄水Ｗの回収水量は、回収側流量計２１により計測される。また、回収側のウェハ洗浄水Ｗの水質は、ウェハ洗浄水Ｗの水質は、監視用分取管２２に設けられた各種水質センサ（図示せず）と連動した第二の監視モニタ２３により監視し、設定された水質との差異を監視する。
そして、これら供給側流量計１２の計測値と回収側流量計２１の計測値をそれぞれ制御装置に送信し、制御装置は両者の差を使用水量として算出し、フィードバック制御によりウェハ洗浄水製造部２を制御して、算出された水量のウェハ洗浄水Ｗを洗浄水供給管４に補給する。なお、本実施形態においては、補給されるウェハ洗浄水Ｗの水量が過剰となり、浄水供給管４内のウェハ洗浄水Ｗの圧力が所定の値を越えた場合には、リリーフ弁（圧力調整弁）１４が作動することで余剰なウェハ洗浄水Ｗを排出管１３から排出することで、浄水供給管４内のウェハ洗浄水Ｗの圧力を一定値以下に保持することが可能となっている。さらに、ユースポイント５でウェハ洗浄水Ｗを使用しない時にも、ウェハ洗浄水製造部２から少量のウェハ洗浄水を循環式の洗浄水供給管に供給することにより、ウェハ洗浄水Ｗの製造を停止しないことで、ウェハ洗浄水Ｗの薬剤濃度を安定させることが好ましい。
また、各種水質センサにより計測された第一の監視モニタ１６及び第二の監視モニタ２３の計測値も制御装置に送信し、制御装置は回収されたウェハ洗浄水Ｗの水質の計測値に基づいて、必要に応じウェハ洗浄水製造部２で製造するウェハ洗浄水Ｗの水質を制御することが好ましい。
このように本実施形態においては、循環式の洗浄水供給管４を流通するウェハ洗浄水Ｗの回収量を計測することにより、循環式の洗浄水供給管４を流通するウェハ洗浄水Ｗの回収流量を計測して、このウェハ洗浄水Ｗの回収水量からユースポイント５での使用水量（供給水量－回収水量）を算出する。そして、この使用水量分のウェハ洗浄水Ｗをウェハ洗浄水製造部２で製造して補給することにより、余剰のウェハ洗浄水Ｗを最小限とすることができ、ウェハ洗浄水Ｗの薬剤成分を精度よくコントロールすることができる。また、貯留槽を設ける必要がないのでシステム１全体のコンパクト化が図れるばかりか、ウェハ洗浄水Ｗを貯留槽に滞留することがないので、ウェハ洗浄水Ｗの製造から使用までの滞留時間を短くできるため、清浄度を確保することができる、という効果も奏する。
＜第二の実施形態＞
次に本発明の第二の実施形態について説明する。
〔ウェハ洗浄水供給システム〕
図２は、本発明の第二の実施形態によるウェハ洗浄水供給システムを示している。第二実施形態のウェハ洗浄水供給システム１は、前述した第一の実施形態において、供給側流量計１２の前段にガス溶解膜１７を備える以外、同じ構成を有するので、同一の構成には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
ウェハ洗浄水Ｗに水素、二酸化炭素などのガス成分を溶解する場合には、本実施形態のように循環式の洗浄水供給管４の供給側４Ａにガス溶解膜１７を設けて、洗浄水供給管４において所望とするガス成分を溶解するように構成してもよい。
＜第三の実施形態＞
本発明の第三の実施形態について説明する。
〔ウェハ洗浄水供給システム〕
図３は、本発明の第三の実施形態によるウェハ洗浄水供給システムを示している。第三実施形態のウェハ洗浄水供給システムは、前述した第一の実施形態において、回収側流量計２１の代わりに圧力計測手段としての圧力計３１を備える以外、同じ構成を有するので、同一の構成には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
図３において、ウェハ洗浄水供給システム１は、超純水の流量に対して所定量の薬剤を溶解することで、所定の薬剤濃度のウェハ洗浄水を製造するウェハ洗浄水製造部２と、ウェハ洗浄水製造部２から延在した補給管３と、この補給管３に接続した循環式の洗浄水供給管４とを有する。
循環式の洗浄水供給管４は、送液ポンプ１１を介してユースポイント５に洗浄液Ｗを送液可能となっており、補給管３とユースポイント５との間でそれぞれ供給側４Ａと回収側４Ｂとなっており、供給側４Ａには、供給側流量計１２が設けられているとともに排出管１３と分析用分取管１５とが接続されていて、排出管１３にはリリーフ弁（圧力調整弁）１４が設けられている。また、分析用分取管１５には、各種水質センサ（図示せず）と連動した第一の監視モニタ１６が設けられている。また、回収側４Ｂには、計測手段としての圧力計３１が設けられているとともに監視用分取管２２が接続されていて、監視用分取管２２には各種水質センサ（図示せず）と連動した第二の監視モニタ２３が設けられている。そして、供給側流量計１２の測定結果と、圧力計３１の測定結果と、第一の監視モニタ１６及び第二の監視モニタ２３で得られた各種水質センサによる水質データとは図示しない制御装置に送信され、この制御装置によりウェハ洗浄水製造部２を制御可能となっている。
〔ウェハ洗浄水の供給方法〕
次に前述したような構成を有する本実施形態のウェハ洗浄水供給システム１を用いたウェハ洗浄水の供給方法について説明する。
（ウェハ洗浄水供給工程）
ウェハ洗浄水製造部２で製造されたウェハ洗浄水Ｗは、補給管３を介して循環式の洗浄水供給管４に流入し、送液ポンプ１１によりユースポイント５に供給される。このとき、ウェハ洗浄水Ｗのユースポイント５への供給水量は、供給側流量計１２により計測されるが、例えば、ユースポイント５が複数台の洗浄機により構成されている場合には、ウェハ洗浄水Ｗの初期供給量は、ユースポイント５でウェハ洗浄水Ｗが不足することがないように最大水量を基準に設定すればよい。そして、この際の送液ポンプ１１によるウェハ洗浄水Ｗの供給水量と洗浄水供給管４の内径とにより供給側４Ａの管内圧力を算出することができる。
そして、ユースポイント５でのウェハ洗浄水Ｗの使用量は、洗浄機の稼働台数などにより、大きく変動する。このため、未使用のウェハ洗浄水Ｗは、循環式の洗浄水供給管４の回収側４Ｂから補給管３に向けて還流する。このとき、ウェハ洗浄水Ｗの回収水の洗浄水供給管４の管内圧力を圧力計３１により計測する。また、回収側のウェハ洗浄水Ｗの水質は、ウェハ洗浄水Ｗの水質は、監視用分取管２２に設けられた各種水質センサ（図示せず）と連動した第二の監視モニタ２３により監視し、設定された水質との差異を監視する。
そして、これら供給側流量計１２の計測値と、圧力計３１により計測された回収側４Ｂの管内圧力とをそれぞれ制御装置に送信する。この制御装置は、この際の送液ポンプ１１によるウェハ洗浄水Ｗの供給水量と洗浄水供給管４の内径とにより供給側４Ａ側の管内圧力を算出して、圧力計３１により計測された回収側４Ｂの管内圧力との差から、使用水量を算出し、フィードバック制御によりウェハ洗浄水製造部２を制御して、算出された使用水量のウェハ洗浄水Ｗを洗浄水供給管４に補給する。なお、補給されるウェハ洗浄水Ｗの水量が過剰となり、浄水供給管４内のウェハ洗浄水Ｗの圧力が所定の値を越えた場合には、リリーフ弁（圧力調整弁）１４が作動することで余剰なウェハ洗浄水Ｗを排出することで、浄水供給管４内のウェハ洗浄水Ｗの圧力を一定値以下の保持することが可能となっている。さらに、ユースポイント５でウェハ洗浄水Ｗを使用しない時にも、ウェハ洗浄水製造部２から少量のウェハ洗浄水を循環式の洗浄水供給管に供給することにより、ウェハ洗浄水Ｗの製造を停止しないことで、ウェハ洗浄水Ｗの薬剤濃度を安定させることが好ましい。
また、各種水質センサにより計測された第一の監視モニタ１６及び第二の監視モニタ２３の計測値も制御装置に送信し、制御装置は、回収ウェハ洗浄水Ｗの水質の計測値に基づいて、必要に応じウェハ洗浄水製造部２で製造するウェハ洗浄水Ｗの水質を制御する。
このように実施形態においては、循環式の洗浄水供給管４を流通するウェハ洗浄水Ｗの回収側４Ｂの管内圧力を計測することにより、ウェハ洗浄水Ｗの使用水量を算出する。そして、この使用水量分のウェハ洗浄水Ｗをウェハ洗浄水製造部２で製造して、補給するので、余剰のウェハ洗浄水Ｗを最小限とすることができ、ウェハ洗浄水Ｗの薬剤成分を精度よくコントロールすることができる。また、貯留槽を設ける必要がないのでシステム１全体のコンパクト化が図れるばかりか、ウェハ洗浄水Ｗを貯留槽に滞留することがないので、ウェハ洗浄水Ｗの製造から使用までの滞留時間を短くできるため、清浄度を確保することができる、という効果も奏する。
＜第四の実施形態＞
次に本発明の第四の実施形態について説明する。
〔ウェハ洗浄水供給システム〕
図４は、本発明の第四の実施形態によるウェハ洗浄水供給システムを示している。第四実施形態のウェハ洗浄水供給システム１は、前述した第三の実施形態において、供給側流量計１２の前段にガス溶解膜１７を備える以外、同じ構成を有するので、同一の構成には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
ウェハ洗浄水Ｗに水素、二酸化炭素などのガス成分を溶解する場合には、本実施形態のように循環式の洗浄水供給管４の供給側４Ａにガス溶解膜１７を設けて、洗浄水供給管４において所望とするガス成分を溶解するように構成してもよい。
上述したような本発明の第一から第四の実施形態により、例えば、１台当たり５２Ｌ／分の洗浄機１０台により構成されるユースポイント５の場合、かけ流しでは５２０Ｌ／分の洗浄しＷが必要となるが、実際にはウェハ洗浄水Ｗの必要量は５～２０容積％であることから１００～２５０Ｌ／分程度循環させればよい。しかも、ウェハ洗浄水Ｗの使用量は５～１０％で５０～１００Ｌ／分程度変動するが、本実施形態においては、この変動する使用量に応じてウェハ洗浄水Ｗを補充しているので、この循環量に対してさらにウェハ洗浄水Ｗを節水することができる。しかも、ウェハ洗浄水製造部から補給管３を介して直接ウェハ洗浄水Ｗを循環式の洗浄水供給管４に供給することで、貯留槽を設ける必要がなくなるため、ウェハ洗浄水供給システム１のコンパクト化が図れるとともに、洗浄水が貯留槽に滞留することがないので、ウェハ洗浄水Ｗの製造から使用までの滞留時間を短くできるため、清浄度を確保することができる。
以上、本発明について添付図面を参照にして前記実施形態に基づき説明してきたが、本発明は前記実施形態に限定されず、種々の変更実施が可能である。例えば、ユースポイント５やユースポイント５を構成する洗浄機での洗浄水Ｗの使用量を直接計測してもよい。また、前記実施形態においては、補給菅の回収量を計測する計測手段として、流量計２１及び圧力計３１を用いたが、使用水量を算出できれば他の項目を計測可能な計測手段を適用することができる。
１ ウェハ洗浄水供給システム
２ ウェハ洗浄水製造部
３ 補給管
４ 循環式の洗浄水供給管
４Ａ 供給側
４Ｂ 回収側
５ ユースポイント
１１ 送液ポンプ
１２ 供給側流量計（計測手段）
１３ 排出管
１４ リリーフ弁
１５ 分析用分取管
１６ 第一の監視モニタ
１７ ガス溶解膜
２１ 回収側流量計（計測手段）
２２ 監視用分取管
２３ 第二の監視モニタ
３１ 圧力計（計測手段）
Ｗ ウェハ洗浄水

Claims (9)

  1. 超純水に対して薬剤を溶解することで所定の薬剤濃度のウェハ洗浄水を製造するウェハ洗浄水製造部と、
    前記ウェハ洗浄水製造部で製造されたウェハ洗浄水をユースポイントに供給する循環式の洗浄水供給管と、
    前記ウェハ洗浄水製造部と循環式の洗浄水供給管とを接続する補給管と、
    この循環式の洗浄水供給管を流通するウェハ洗浄水のユースポイントでの洗浄水の使用量を算出するための計測手段と、
    前記計測手段の測定結果に基づき前記ウェハ洗浄水製造部からの前記循環式の洗浄水供給管へのウェハ洗浄水の補給量を制御する制御手段と
    を備え、
    前記循環式の洗浄水供給管に貯留槽が設けられていない、ウェハ洗浄水供給システム。
  2. 前記計測手段が流量計であり、該流量計の計測値に基づいてウェハ洗浄水のユースポイントでの使用量を算出し、前記制御手段により前記ウェハ洗浄水の補給量を制御する、請求項１に記載のウェハ洗浄水供給システム。
  3. 前記計測手段が圧力計であり、該圧力計の計測値に基づいてウェハ洗浄水のユースポイントからの使用量を算出し、前記制御手段により前記ウェハ洗浄水の補給量を制御する、請求項１に記載のウェハ洗浄水供給システム。
  4. 前記ユースポイントが複数台の洗浄機を有する、請求項１～３のいずれか１項に記載のウェハ洗浄水供給システム。
  5. 前記循環式の洗浄水供給管にリリーフ弁を有する、請求項１～４のいずれか１項に記載のウェハ洗浄水供給システム。
  6. 前記ウェハ洗浄水製造部が、液体の薬剤成分をポンプにより供給される、または、液体の薬剤成分を貯留したタンクから不活性ガスによる加圧手段により供給される、請求項１～５のいずれか１項に記載のウェハ洗浄水供給システム。
  7. 超純水に対して薬剤を溶解することで所定の薬剤濃度のウェハ洗浄水を製造し、この製造されたウェハ洗浄水を貯留槽が設けられていない循環式の洗浄水供給管に送液することで、ユースポイントにウェハ洗浄水を供給し、前記ユースポイントで未使用のウェハ洗浄水を循環式の洗浄水供給管により循環再利用するウェハ洗浄水の供給方法であって、
    前記循環式の洗浄水供給管を流通するウェハ洗浄水のユースポイントでの洗浄水の使用量を算出するための指標を計測し、
    前記計測結果に基づき制御手段が前記ウェハ洗浄水の補給量を制御する、
    ウェハ洗浄水の供給方法。
  8. 前記ウェハ洗浄水の薬剤成分が所定の濃度となるまでウェハ洗浄水を前記循環式の洗浄水供給管に供給しない、請求項７に記載のウェハ洗浄水の供給方法。
  9. 前記ユースポイントでウェハ洗浄水を使用しない時にも少量の洗浄水を循環式の洗浄水供給管に供給する、請求項７又は８に記載のウェハ洗浄水の供給方法。
JP2020180004A 2020-10-27 2020-10-27 ウェハ洗浄水供給システム及びウェハ洗浄水の供給方法 Active JP7103394B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020180004A JP7103394B2 (ja) 2020-10-27 2020-10-27 ウェハ洗浄水供給システム及びウェハ洗浄水の供給方法
CN202180063164.7A CN116368600A (zh) 2020-10-27 2021-09-22 晶片洗涤水供给系统以及晶片洗涤水的供给方法
KR1020237009000A KR20230093419A (ko) 2020-10-27 2021-09-22 웨이퍼 세정수 공급 시스템 및 웨이퍼 세정수의 공급 방법
PCT/JP2021/034813 WO2022091654A1 (ja) 2020-10-27 2021-09-22 ウェハ洗浄水供給システム及びウェハ洗浄水の供給方法
US18/026,600 US20230335417A1 (en) 2020-10-27 2021-09-22 Wafer cleaning water supply system and wafer cleaning water supply method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020180004A JP7103394B2 (ja) 2020-10-27 2020-10-27 ウェハ洗浄水供給システム及びウェハ洗浄水の供給方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2022070761A JP2022070761A (ja) 2022-05-13
JP7103394B2 true JP7103394B2 (ja) 2022-07-20

Family

ID=81383698

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020180004A Active JP7103394B2 (ja) 2020-10-27 2020-10-27 ウェハ洗浄水供給システム及びウェハ洗浄水の供給方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20230335417A1 (ja)
JP (1) JP7103394B2 (ja)
KR (1) KR20230093419A (ja)
CN (1) CN116368600A (ja)
WO (1) WO2022091654A1 (ja)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011238666A (ja) 2010-05-06 2011-11-24 Tokyo Electron Ltd 薬液供給システム、これを備える基板処理装置、およびこの基板処理装置を備える塗布現像システム
JP2015073009A (ja) 2013-10-03 2015-04-16 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 ウエハ洗浄装置およびウエハ洗浄方法
JP2015220318A (ja) 2014-05-16 2015-12-07 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、洗浄方法及び記憶媒体
JP2018157149A (ja) 2017-03-21 2018-10-04 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP2019192863A (ja) 2018-04-27 2019-10-31 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
WO2020039764A1 (ja) 2018-08-23 2020-02-27 栗田工業株式会社 電子部品用洗浄水製造システム及び電子部品用洗浄水製造システムの運転方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6477772B2 (ja) 2017-04-14 2019-03-06 栗田工業株式会社 洗浄水供給装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011238666A (ja) 2010-05-06 2011-11-24 Tokyo Electron Ltd 薬液供給システム、これを備える基板処理装置、およびこの基板処理装置を備える塗布現像システム
JP2015073009A (ja) 2013-10-03 2015-04-16 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 ウエハ洗浄装置およびウエハ洗浄方法
JP2015220318A (ja) 2014-05-16 2015-12-07 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、洗浄方法及び記憶媒体
JP2018157149A (ja) 2017-03-21 2018-10-04 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP2019192863A (ja) 2018-04-27 2019-10-31 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
WO2020039764A1 (ja) 2018-08-23 2020-02-27 栗田工業株式会社 電子部品用洗浄水製造システム及び電子部品用洗浄水製造システムの運転方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2022070761A (ja) 2022-05-13
US20230335417A1 (en) 2023-10-19
KR20230093419A (ko) 2023-06-27
WO2022091654A1 (ja) 2022-05-05
CN116368600A (zh) 2023-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI720302B (zh) 洗淨水供給裝置
KR102639443B1 (ko) 가스 용해액 공급 장치 및 가스 용해액 공급 방법
TWI742266B (zh) 洗淨水供給裝置
JP7103394B2 (ja) ウェハ洗浄水供給システム及びウェハ洗浄水の供給方法
WO2018179503A1 (ja) 規定濃度水の供給方法及び装置
TWI759381B (zh) 稀釋液製造裝置及稀釋液製造方法
JP6738726B2 (ja) 希釈液製造装置および希釈液製造方法
JP6777533B2 (ja) 希釈液製造装置および希釈液製造方法
JP6973534B2 (ja) 希薄薬液供給装置
JP2018103147A (ja) 希釈液製造装置および希釈液製造方法
KR102337608B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP2022187362A (ja) ウェハ洗浄水供給装置
WO2022196470A1 (ja) 機能性水溶液供給装置
JP7088266B2 (ja) ｐＨ・酸化還元電位調整水の製造装置
CN116057674A (zh) 晶片清洗水供给装置
JP7099603B1 (ja) 半導体製造用液体供給装置
CN215813737U (zh) 供液装置及半导体处理机台
KR20240060785A (ko) 반도체 제조용 액체 공급 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210922

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20211207

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220118

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220607

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220620

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7103394

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150