TWI666700B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題在於減少處理液的消耗量。 依本發明實施態樣之基板處理裝置，其包含儲存槽、基板處理部、回收路徑、廢棄路徑、供給路徑、切換部、及切換控制部。回收路徑使得供給到基板處理部的混合液回到儲存槽。廢棄路徑則使得所供給的混合液往儲存槽以外之處廢棄。切換部將所供給的混合液之流入目的地加以在回收路徑與廢棄路徑之間作切換。切換控制部對切換部進行控制，而在開始由基板處理部供給混合液之後，直到經過第一時間為止之間，令所供給的混合液流入到廢棄路徑，在經過第一時間之後，直到經過「依預先設定之回收率所設定」的第二時間為止之間，令所供給的混合液流入到回收路徑，並且在經過第二時間之後，直到結束混合液的供給為止之間，令所供給的混合液流入到廢棄路徑。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明揭示的實施態樣係關於基板處理裝置及基板處理方法。
自以往，有一種基板處理裝置，其使用將第一處理液和第二處理液混合而得之混合液，對半導體晶圓或玻璃基板等之基板進行處理。
此種基板處理裝置，其為了抑制第一處理液之消耗量，有時藉由令使用過之混合液回到儲存第一處理液的槽體，以將第一處理液回收而再利用。
由於所回收之混合液包含第二處理液，故因為重複進行上述回收及再利用的作業，槽體內之第一處理液的濃度將逐漸降低。因此，近年有人提出一種方法，其將使用過之混合液中的一部分回收，而廢棄剩餘的部分，並且將和所廢棄之混合液同量的第一處理液補充到槽體，藉以抑制第一處理液之濃度下降的情形(參照專利文獻1)。 ［先前技術文獻］ ［專利文獻］
［專利文獻1］日本特開2013-207207號公報
［發明所欲解決之課題］ 然而，當未以較高精度回收使用過之混合液時，有「槽體內之第一處理液未達到所希望的濃度」之虞。
本發明之實施態樣的一態樣，其目的為：提供一種基板處理裝置及基板處理方法，能夠以較高精度回收混合液，以便使得用以處理基板之第一處理液達到所希望之濃度。 ［解決課題之手段］
依本發明實施態樣之一態様的基板處理裝置，其包含儲存槽、基板處理部、回收路徑、廢棄路徑、供給路徑、切換部、及切換控制部。儲存槽儲存第一處理液。基板處理部藉由對基板供給「自儲存槽所供給之第一處理液、與第二處理液兩者混合液」，以進行基板處理。回收路徑使得供給到基板處理部的混合液回到儲存槽。廢棄路徑將所供給的混合液往儲存槽以外之處廢棄。供給路徑將第一處理液供給到儲存槽。切換部將所供給的混合液之流入目的地加以在回收路徑與廢棄路徑之間作切換。切換控制部對切換部進行控制，而在開始由基板處理部對基板供給混合液之後，直到經過第一時間為止之間，令所供給的混合液流入到廢棄路徑，在經過第一時間之後，直到經過「依預先設定之回收率所設定」的第二時間為止之間，令所供給的混合液流入到回收路徑，並且在經過第二時間之後，直到結束混合液的供給為止之間，令所供給的混合液流入到廢棄路徑。 ［發明之效果］
依本發明實施態樣之一態様，能夠以較高精度回收混合液，以便使得用以處理基板之第一處理液達到所希望之濃度。
［實施發明之最佳態樣］ 以下，參照附加圖式，針對本案揭示之基板處理裝置及基板處理方法的實施態樣進行詳細的說明。又，本發明並不受下述的實施態樣所限定。
(第一實施態樣) 以下，參照圖1〜圖11，針對本案揭示之基板處理裝置及基板處理方法的第一實施態樣進行說明。
＜1.基板處理方法＞ 圖1係顯示依第一實施態樣之基板處理系統中的處理液供給系統之概略構成的圖式。又，圖2係顯示依第一實施態樣之基板處理方法一例的圖式。
如圖1所示，依第一實施態樣之基板處理系統1，其使用第一處理液和第二處理液兩者的混合液，對基板進行處理。又，基板處理系統1將所使用之混合液回收而再利用。具體而言，基板處理系統1包含儲存槽102、處理單元16、回收路徑114、廢棄路徑115、供給路徑170、切換部80及控制部18。
儲存槽102儲存第一處理液。處理單元16使用「供給自儲存槽102之第一處理液」與「供給自儲存槽102以外之處的第二處理液」兩者的混合液，對基板進行處理。
回收路徑114令在處理單元16已使用過的混合液(以下稱「使用過之混合液」)回到儲存槽102。廢棄路徑115則令「使用過之混合液」往儲存槽102以外之處排出。又，供給路徑170將第一處理液補充到儲存槽102。
切換部80將「使用過之混合液」之流入目的地加以從回收路徑114切換到廢棄路徑115，或者從廢棄路徑115切換到回收路徑114。又，切換部80由控制部18進行控制。
如上述構成之基板處理系統1，其藉由令「使用過之混合液」經由回收路徑114回到儲存槽102，以回收第一處理液，並且將所回收的第一處理液再利用，藉以抑制第一處理液之消耗量。
又，由於回收而得之混合液包含第二處理液，故因為重複進行上述回收及再利用的作業，而儲存槽102內之第一處理液的濃度將逐漸降低。因此，在基板處理系統1中，將「使用過之混合液」中的一部分回收，而廢棄剩餘的部分，並使得「相較於儲存在儲存槽102之第一處理液為高濃度的第一處理液」經由供給路徑170補充到儲存槽102，藉以抑制儲存槽102內之第一處理液的濃度降低。
在此，為了使得儲存槽102內之第一處理液穩定於所希望之濃度，使得「使用過之混合液」的實際回收率盡可能和預先設定之回收率一致，係屬較佳。在此，由處理單元16使用混合液進行的處理，在其剛開始後或即將結束時，因著起因於例如閥之開閉動作的時滯等，有「混合液之濃度(亦即第一處理液與第二處理液之混合比)或流量不穩定，而非所希望的濃度或流量」之虞。
因此，假設在此種期間內將「使用過之混合液」予以回收，有例如「儲存槽102內之第一處理液的濃度低於處理基板時所需的最低濃度」之虞。在此情形，為了回復儲存槽102內之第一處理液的濃度，必須自例如供給路徑170追加補充第一處理液。又，還有例如「儲存槽102內的液體量過度增多或過度減少」之虞。在此情形，因著廢棄超出量，或者補充不足量，將造成過度消耗第一處理液的情形。
因此，依第一實施態樣的基板處理系統1，其在除了「濃度或流量不穩定之期間，亦即開始後預定期間和結束前預定期間」以外的期間內，將「使用過之混合液」予以回收。
具體而言，如圖2所示，從開始利用處理單元16處理之後，直到經過第一時間為止之間，令「使用過之混合液」流入到廢棄路徑115。從經過第一時間開始，直到經過第二時間為止之間，令「使用過之混合液」流入到回收路徑114。又，從經過第二時間開始，直到利用處理單元16所進行的處理結束為止之間，令「使用過之混合液」流入到廢棄路徑115。
藉此，由於能夠以穩定的濃度及流量，高精度地回收「使用過之混合液」，因此可以令「使用過之混合液」的實際回收率，和預定之回收率盡可能一致。因此，依第一實施態樣之基板處理系統1，可使得儲存槽102內之第一處理液達到所希望之濃度。
＜2.基板處理系統＞ 接著，參照圖3，針對依第一實施態樣之基板處理系統1的概略構成進行說明。圖3為顯示依第一實施態樣之基板處理系統1之概略構成的圖式。以下，為了使位置關係明確，設定互相垂直的X軸、Y軸及Z軸，並將Z軸正方向定為鉛直向上的方向。
如圖3所示，基板處理系統1包含搬入出站2及處理站3。搬入出站2與處理站3係鄰接設置。
搬入出站2包含載體載置部11及搬送部12。在載體載置部11載置「以水平狀態收容複數片基板」的複數之載體C。本實施態樣中，該基板係半導體晶圓(以下稱作「晶圓W」)。
搬送部12鄰接於載體載置部11而設置，於其內部包含基板搬送裝置13及傳遞部14。基板搬送裝置13具備晶圓固持機構，用以固持晶圓W。又，基板搬送裝置13可以往水平方向及鉛直方向移動，並且能以鉛直軸為中心作旋轉；且使用晶圓固持機構，在載體C與傳遞部14之間搬送晶圓W。
處理站3鄰接於搬送部12而設置。處理站3包含搬送部15及複數之處理單元16。複數之處理單元16係於搬送部15的兩側並列而設置。
搬送部15在其內部具備基板搬送裝置17。基板搬送裝置17具備晶圓固持機構，用以固持晶圓W。又，基板搬送裝置17可以往水平方向及鉛直方向移動，並且能以鉛直軸為中心作旋轉；且使用晶圓固持機構，在傳遞部14與處理單元16之間搬送晶圓W。
處理單元16針對由基板搬送裝置17搬送之晶圓W，進行預定的基板處理。
又，基板處理系統1包含控制裝置4。控制裝置4為例如電腦，其包含控制部18及儲存部19。在儲存部19儲存「控制於基板處理系統1中執行之各種處理的程式」。控制部18藉由讀取並執行儲存於儲存部19的程式，以控制基板處理系統1的動作。
又，此程式記錄於可由電腦讀取的儲存媒體，亦可自該儲存媒體安裝到控制裝置4之儲存部19。作為可由電腦讀取的儲存媒體，包含例如硬碟(HD)、軟性磁碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)及記憶卡等。
如上述構成之基板處理系統1中，首先，搬入出站2之基板搬送裝置13，從載置於載體載置部11之載體C，取出晶圓W，並將取出之晶圓W載置於傳遞部14。載置於傳遞部14之晶圓W，係藉由處理站3之基板搬送裝置17，從傳遞部14被取出，而往處理單元16搬入。
往處理單元16搬入之晶圓W，在利用處理單元16處理後，藉由基板搬送裝置17從處理單元16搬出，而載置於傳遞部14。又，載置於傳遞部14之處理完畢的晶圓W，藉由基板搬送裝置13，返回載體載置部11之載體C。
又，控制裝置4之控制部18包含「具有CPU(Central Processing Unit，中央處理單元、ROM(Read Only Memory，唯讀記憶體)、RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)、輸出入埠等之微電腦」或各種電路。此微電腦之CPU藉由讀取並執行ROM所儲存的程式，以執行後述控制。又，儲存部19由例如RAM、快閃式記憶體(Flash Memory)等之半導體記憶元件，或硬碟、光碟等之儲存裝置完成。
＜3.處理單元＞ 接著，就處理單元16之概略構成，參照圖4作說明。圖4為顯示處理單元16的概略構成之圖式。如圖4所示，處理單元16包含：腔室20、基板固持機構30、處理流體供給部40及回收杯50。
腔室20收容：基板固持機構30、處理流體供給部40及回收杯50。在腔室20的頂棚部，設有FFU(Fan Filter Unit，風機過濾機組)21。風機過濾機組21於腔室20內形成降流。
基板固持機構30包含：固持部31、支柱部32及驅動部33。固持部31係將晶圓W水平固持。支柱部32為在鉛直方向上延伸的構件，其基端部由驅動部33以可旋轉方式支持，前端部則將固持部31水平支持。驅動部33使支柱部32繞著鉛直軸旋轉。此基板固持機構30，藉由使用驅動部33令支柱部32旋轉，以使得被支持於支柱部32的固持部31旋轉。藉此，使得被固持於固持部31的晶圓W旋轉。
處理流體供給部40對晶圓W供給處理流體，並且連接於處理流體供給源70。
回收杯50係配置成包圍固持部31，可捕集「藉由固持部31之旋轉而自晶圓W飛散」的處理液。在回收杯50的底部，形成有排液口51。由回收杯50所捕集之處理液，自此排液口51往處理單元16的外部排出。又，在回收杯50的底部還形成有排氣口52，用以將供給自FFU21的氣體往處理單元16的外部排出。
＜4.處理液供給系統之具體構成例＞ 接著，就依第一實施態樣之基板處理系統1的處理液供給系統之具體構成例，參照圖5作說明。圖5係顯示依第一實施態樣之基板處理系統1的處理液供給系統之具體構成例的圖式。
以下，就處理液供給系統之構成例作說明。此處理液供給系統為「在使用硫酸作為第一處理液，使用過氧化氫作為第二處理液，而將其混合液亦即SPM(Sulfuric acid Hydrogen Peroxide Mixture，硫酸過氧化氫混合物)供給到晶圓W」之情形下的處理液供給系統。
＜4-1.處理流體供給源＞ 如圖5所示，作為硫酸的供給系統，處理流體供給源70包含：儲存槽102，儲存硫酸；循環路徑104，從儲存槽102出來，而回到儲存槽102；複數之分支路徑112，從循環路徑104分支出來，而連接於各處理單元16。
在儲存槽102，設有液面感測器S1。液面感測器S1配置在例如儲存槽102之側方，偵測儲存於儲存槽102之硫酸的液面。具體而言，液面感測器S1係用以偵測儲存槽102內之下限液面的感測器。由液面感測器S1偵測到的結果係往控制部18輸出。
在循環路徑104，從上游側開始，依序設有泵浦106、過濾器108、加熱器109和濃度計110。泵浦106形成「從儲存槽102出來，經由循環路徑104回到儲存槽102」的循環流。過濾器108將含在硫酸之顆粒等污染物質去除。加熱器109，由控制部18進行控制，將循環於循環路徑104的硫酸加熱到所設定之溫度。濃度計110檢測出循環於循環路徑104的硫酸之濃度，而將檢測結果往控制部18輸出。
在循環路徑104之相較於濃度計110下游的一側，連接有複數之分支路徑112。各分支路徑112連接於各處理單元16之後述混合部45，將流經循環路徑104的硫酸供給到各混合部45。各分支路徑112設有閥113。
又，作為過氧化氫的供給系統，處理流體供給源70包含：過氧化氫供給路徑160、閥161、過氧化氫供給源162。過氧化氫供給路徑160之一端經過閥161連接於過氧化氫供給源162，另一端則連接於處理單元16之後述混合部45。處理流體供給源70藉由過氧化氫供給路徑160，將供給自過氧化氫供給源162的過氧化氫，往處理單元16之混合部45供給。
另外，處理流體供給源70包含：供給路徑170、閥171、硫酸供給源172。供給路徑170之一端經過閥171連接於硫酸供給源172，另一端則連接於儲存槽102。硫酸供給源172供給硫酸。處理流體供給源70藉由供給路徑170，將供給自硫酸供給源172的硫酸，往儲存槽102供給。
在此，雖省略圖示，處理流體供給源70更包含用以對處理單元16供給沖洗液的沖洗液供給路徑。作為沖洗液，可使用例如DIW(純水)。
＜4-2.處理單元＞ 處理單元16包含混合部45。混合部45將「供給自分支路徑112之硫酸」和「供給自過氧化氫供給路徑160之過氧化氫」兩者混合，而產生混合液亦即SPM，並且將所產生之SPM往處理流體供給部40(參照圖4)供給。又，混合部45一體安裝於處理流體供給部40亦可。
又，各處理單元16之排液口51藉由分支路徑53連接於排出路徑54。在各處理單元16所使用之SPM係經由分支路徑53自排液口51往排出路徑54排出。
在此，使用處理流體供給部40進行SPM之供給和沖洗液之供給，但處理單元16另外具備用以供給沖洗液之處理流體部亦可。
＜4-3.切換部、回收路徑與廢棄路徑＞ 基板處理系統1更包含切換部80、回收路徑114及廢棄路徑115。切換部80連接於排出路徑54、回收路徑114及廢棄路徑115，並且依照控制部18的控制，將流經排出路徑54的經過使用之SPM(以下稱「使用過之SPM」)之流入目的地切換為回收路徑114或廢棄路徑115。
回收路徑114之一端連接於切換部80，另一端則連接於儲存槽102。在回收路徑114，從上游側開始依序設有回收槽116、泵浦117、過濾器118。回收槽116用以暫時儲存「使用過之SPM」。泵浦117形成「將儲存於回收槽116之使用過之SPM送往儲存槽102」的流動過程。過濾器118將含在使用過之SPM的顆粒等污染物質去除。
廢棄路徑115連接於切換部80，將從排出路徑54藉由切換部80流入之「使用過之SPM」往基板處理系統1的外部排出。
＜5.基板處理之內容＞ 接下來，參照圖6，針對由依本實施態樣之處理單元16執行的基板處理之內容進行說明。圖6係顯示由依第一實施態樣之處理單元16執行的基板處理之順序一例的流程圖。圖6所示之各處理順序係依照控制部18的控制而執行。
首先，在處理單元16進行晶圓W之搬入處理(步驟S101)。具體而言，藉由基板搬送裝置17(參照圖3)，將晶圓W搬入處理單元16之腔室20(參照圖4)內，而固持於固持部31。然後，處理單元16令固持部31以預定之旋轉速度(例如50rpm)旋轉。
接著，在處理單元16，進行SPM供給處理(步驟S102)。於SPM供給處理中，藉由令閥113及閥161開放預定之時間(例如30秒鐘)，而從處理流體供給部40往晶圓W之頂面供給SPM。供給至晶圓W的SPM，其藉由伴隨晶圓W之旋轉而來的離心力，而塗抹擴散於晶圓W之表面。
在此SPM供給處理中，利用含在SPM內之卡洛酸的較強氧化力、及硫酸與過氧化氫兩者的反應熱，將例如形成在晶圓W之頂面的光阻去除。
又，硫酸及過氧化氫之流量係依據硫酸及過氧化氫之混合比而設定。由於硫酸在SPM所佔的比率高於過氧化氫，因此將硫酸之流量設定為多於過氧化氫。
當步驟S102之SPM供給處理結束時，在處理單元16進行沖洗處理(S103)。於此沖洗處理中，自處理流體供給部40往晶圓W之頂面供給沖洗液(例如DIW)。供給到晶圓W的DIW，其藉由伴隨晶圓W之旋轉而來的離心力，於晶圓W之表面塗抹擴散。藉此，以DIW將殘留在晶圓W之SPM洗掉。
接著，在處理單元16進行乾燥處理(S104)。於此乾燥處理中，令晶圓W以預定之旋轉速度(例如1000rpm)，旋轉預定之時間。藉此，將殘留在晶圓W之DIW甩掉，而使晶圓W乾燥。其後，停止進行晶圓W之旋轉。
然後，在處理單元16進行搬出處理(S105)。於搬出處理中，將固持部31所固持之晶圓W往基板搬送裝置17傳送。當此搬出處理結束時，對於一片晶圓W之基板處理即結束。
＜6.回收率之設定方法＞ 接下來，參照圖7〜9，針對「使用過之SPM」的回收率之設定方法進行說明。圖7係顯示儲存槽102內的硫酸「在將使用過之SPM之回收率分別設為☓1～☓3％時」之最終到達濃度的圖表。圖8係顯示每一片晶圓W「在將使用過之SPM之回收率分別設為☓1～☓3％時」之硫酸消耗量的圖表。圖9係顯示儲存槽102內的硫酸濃度及儲存槽102內的液體量「在使用處理單元16對複數晶圓W連續進行處理時」之時間變化的圖表。
在此，圖7顯示：儲存槽102內之硫酸「在從供給路徑170補充和儲存槽102內之硫酸初始濃度(以過氧化氫稀釋前之濃度)相同濃度，且和儲存槽102內之液體減少量(從自儲存槽102往處理單元16供給之液體量，減去回到儲存槽102之液體量而得的量)同量之硫酸時」的最終到達濃度。 又，所謂的最終到達濃度，係儲存槽102內之硫酸「在一面進行使用過之SPM的回收及硫酸的補充，一面連續處理複數晶圓W時」之濃度的收斂值。
「使用過之SPM」的回收率，係依據「設定為採用SPM進行處理所需硫酸的濃度之下限值」亦即濃度下限值Cmin而設定。
濃度下限值Cmin係例如硫酸「使得SPM溫度不低於發揮所希望光阻去除效能所需要之溫度」的濃度下限值。SPM溫度依「由加熱器109產生之硫酸加熱溫度」、「由硫酸與過氧化氫之反應而產生的反應熱」而定，當硫酸的濃度降低時，上述反應熱將變低，以致有「SPM溫度低於發揮所希望光阻去除效能所需要的溫度」之虞。
硫酸之濃度下降的情形，係因為含在所回收之「使用過之SPM」的過氧化氫流入到儲存槽102內，以致儲存槽102內之硫酸被稀釋而發生。因此，當將「使用過之SPM」的回收率過度提高時，流入到儲存槽102內之過氧化氫的量增加，硫酸濃度降低的情形變得急遽。其結果，如圖7所示，將導致硫酸之最終到達濃度低於濃度下限值Cmin的情形。
在此情形，為了回復硫酸之濃度，必須將例如儲存槽102內之液體更換為新的硫酸。藉由進行此種液體更換，如圖8所示，每一片晶圓W之硫酸消耗量將增加。
因此，為了盡可能減少硫酸的消耗量，將「使用過之SPM」的回收率設定為「使得儲存於儲存槽102之硫酸的濃度維持在濃度下限值Cmin的回收率☓1%」，係屬較佳。
藉由依照此回收率☓1%進行「使用過之SPM」的回收，可如同在圖9中以實線所示，令儲存槽內之濃度維持在濃度下限值Cmin。於是，由於不會因為更換液體以致過度消耗硫酸，因此可盡可能減少硫酸的消耗量。
又，藉由設定成自供給路徑170補充「和儲存槽102內之硫酸初始濃度相同濃度，且和儲存槽102內之液體減少量同量」的硫酸，如同在圖9中以短劃線所示，可將儲存槽102內之液體量維持於一定。於是，由於不必廢棄增加量，或者補充不足量，因此能盡可能減少硫酸消耗量。
又，在將儲存於儲存槽102之硫酸的初始濃度設為96wt%，將硫酸與過氧化氫的混合比設為6：1，並將硫酸之濃度下限值Cmin設為86wt%的情形，將「使用過之SPM」的回收率☓1設定為53%。
＜7.回收處理＞ 接下來，參照圖10，針對「使用過之SPM」的回收處理之內容進行說明。圖10係顯示回收處理之順序一例的流程圖。圖10顯示：排出路徑54與廢棄路徑115在開始進行SPM供給處理時彼此相通之情形下的回收處理之順序。又，圖10所示之各處理順序由控制部18進行控制。
如圖10所示，控制部18判定：開始用處理單元16進行SPM供給處理(參照圖6)之後，是否已經過第一時間(步驟S201)。在此，將第一時間設定為：相較於「閥113、161開啟之後，直到硫酸及過氧化氫之流量穩定為止」的時間較長的時間。
又，在本實施態樣中，將「達到閥113、161開啟狀態的時刻」設為SPM供給處理的開始時刻，但是SPM供給處理的開始時刻其定義並不限於此。例如，控制器18對閥113、161送出「開啟指示信號」的時刻，或SPM附著於晶圓W的時刻等，採用其他定義亦可。
控制部18重複進行步驟S201的判定處理(步驟S201，No)，直到經過第一時間為止。此時，由於排出路徑54和廢棄路徑115相通，因此將「使用過之SPM」從廢棄路徑115往外部廢棄。
接著，在步驟S201判定為已經過第一時間之時(步驟S201，Yes)，控制部18控制切換部80，而將「使用過之SPM」之流入目的地加以從廢棄路徑115切換到回收路徑114(步驟S202)。藉此，令「使用過之SPM」從排出路徑54流入到回收路徑114，而回到儲存槽102。
接下來，控制部18判定：經過第一時間之後，是否已經過第二時間(步驟S203)。在此，將第二時間設定為「使用過之SPM之回收率達到已預定的使用過之SPM之回收率☓1的時間」。又，控制部18重複進行步驟S203的判定處理(步驟S203，No)，直到經過第二時間為止。
接著，在步驟S203判定為已經過第二時間之時(步驟S203，Yes)，控制部18將「使用過之SPM」之流入目的地加以從回收路徑114切換到廢棄路徑115(步驟S204)。藉此，將「使用過之SPM」從廢棄路徑115往外部廢棄。
如上述，依第一實施態樣的基板處理系統1，其在除了「SPM供給處理開始後預定期間及結束前預定期間」以外的期間內，以預定之回收率，回收「使用過之SPM」。藉此，由於能夠以穩定之濃度及流量，回收「使用過之SPM」，故可使得「使用過之SPM」的實際回收率盡可能地和預定的回收率一致。因此，依第一實施態樣的基板處理系統1，可使得硫酸之消耗量盡可能減少。
又，於排出路徑54與回收路徑114在SPM供給處理開始之時相通的情形，控制部18只要在SPM供給處理開始之前，將「使用過之SPM」之流入目的地加以從回收路徑114切換到廢棄路徑115即可。
＜8.補充處理＞ 接下來，參照圖11，對硫酸之補充處理的內容作說明。圖11係顯示補充處理之順序一例的流程圖。又，圖11所示之各處理順序係由控制部18進行控制。
如圖11所示，控制部18判定儲存槽102內之液體量是否低於閾值(步驟301)。例如，控制部18藉由液面感測器S1偵測到儲存槽102內的下限液面時，判定為儲存槽102內之液體量低於閾值。控制部18重複進行步驟S301的處理(步驟S301，No)，直到判定為儲存槽102內之液體量低於閾值為止。
不限於此，控制部18取得例如儲存槽102內之液體重量或者自上次補充之後的經過時間等，作為有關儲存槽102內之液體量的液體量資訊，並依據此液體量資訊進行上述判定亦可。
於步驟S301，判定為儲存槽102內之液體量低於閾值時(步驟S301，Yes)，控制部18使得預定量之硫酸，經由供給路徑170補充到儲存槽102(步驟S302)，並使得處理回到步驟S301。
在步驟S302，控制部18將「和儲存槽102內所儲存硫酸之初始濃度相同濃度，且和儲存槽102內之液體減少量同量的硫酸」補充到儲存槽102。藉此，將儲存槽102內之濃度及液體量維持於一定。
＜9.儲存槽之構成例＞ 接下來，參照圖12，對儲存槽102之構成例作說明。圖12係顯示儲存槽102之構成例的圖式。
如圖12所示，在儲存槽102之內部設有將儲存槽102內加以上下分隔的分隔構件103。分隔構件130係和儲存槽102的側壁之間，隔開預定間隙而配置。
儲存槽102包含「將儲存槽102內之硫酸取出」的循環路徑104之取出口141。此取出口141配置在分隔構件130之下方。又，「將取出自取出口141之硫酸往分隔構件130噴吐」的循環路徑104之回吐口142則配置在分隔構件130之上方。
藉由在分隔構件130之上方配置循環路徑104的回吐口142，以在分隔構件130之上方，由「流出自回吐口142之硫酸的流動」產生硫酸的對流。由於儲存槽102內之硫酸一直受到此對流的攪拌，因此即便是從回收路徑114供給「使用過之SPM」到儲存槽102的情形，也能使得儲存槽102內之硫酸的濃度更早地穩定下來。
循環路徑104的回吐口142係靠近分隔構件130而配置，且為「流出自回吐口142之硫酸液到達分隔構件130，且在儲存槽102內形成硫酸之對流」的靠近程度。回吐口142的具體配置態樣如後述。
在分隔構件130之上方受攪拌的硫酸，通過分隔構件130與儲存槽102的側壁兩者之間的間隙，而往分隔構件130之下方流動，並從配置於分隔構件130之下方的取出口141，流入到循環路徑104。
如上述，在依第一實施態樣之基板處理系統1，由於將循環路徑104的取出口141配置在分隔構件130之下方，因此可防止供給自回收路徑114之「使用過之SPM」直接流入到取出口141。
接下來，參照圖13及圖14，對儲存槽102之內部構成作說明。圖13係儲存槽102之示意平剖面圖。圖14係儲存槽102之示意側剖面圖。又，圖13係省略圖14所示固定構件180而顯示。
如圖13所示，儲存槽102形成圓筒狀。藉由將儲存槽102形成圓筒狀，其相較於角狀槽，在儲存槽102內將不易產生硫酸的沉澱物，因此能更有效率地攪拌硫酸。於是，可進一步縮短「直到儲存槽102內之硫酸濃度穩定為止」的時間。
又，為了使儲存槽102內不易產生沉澱物，更佳係將儲存槽102形成俯視觀之呈正圓狀。但是，儲存槽102俯視觀之呈橢圓狀亦可。
又，如圖13所示，俯視觀之，循環路徑104的回吐口142配置在儲存槽102之中央部。藉由如上述般將作為對流起點的循環路徑104之回吐口142配置在儲存槽102由俯視觀之的中央部，將使得硫酸之對流不易產生偏流。因此，可提高硫酸的攪拌程度。
又，如圖13所示，回收路徑114之供給口119、供給路徑170之供給口173，由俯視觀之，配置在循環路徑104之回吐口142的附近。藉由如上述般將回收路徑114之供給口119、供給路徑170之供給口173配置在作為對流起點的儲存槽102之中央部，將使得供給自回收路徑114的「使用過之SPM」或供給自供給路徑170的硫酸容易搭上對流。因此，可進一步縮短「直到儲存槽102內之硫酸濃度穩定為止」的時間。又，亦可防止對流因為「供給自回收路徑114之使用過之SPM或供給自供給路徑170之硫酸的流動」而受到阻礙。
又，若是比較回收路徑114及供給路徑170與循環路徑104，相較於回收路徑114及供給路徑170，持續對儲存槽102供給硫酸之循環路徑104其對於形成對流一事的影響度較大。因此，將對於形成對流一事之影響度較大的循環路徑104其回吐口142配置在更靠近儲存槽102之中心的位置，係屬較佳。換言之，將「對於形成對流一事之影響度相較於循環路徑104較小」的回收路徑114之供給口119、及供給路徑170之供給口173配置在「相較於循環路徑104之回吐口142遠離儲存槽102之中心」的位置，係屬較佳。
如圖12所示，循環路徑104之回吐口142、回收路徑114之供給口119及供給路徑170之供給口173配置在相較於液面感測器S1的下方，換言之，配置在儲存槽102內之相較於下限液面的下方。藉此，由於循環路徑104之回吐口142、回收路徑114之供給口119及供給路徑170之供給口173配置在儲存槽102內之相較於下限液面的下方，因此一直浸漬在儲存槽102內之硫酸。因此，在從回吐口142、供給口119及供給口173對儲存槽102供給硫酸或「使用過之SPM」時，可防止在儲存槽102內之硫酸混入氣泡，而發生硫酸起泡的情形。又， 亦可防止儲存槽102內之對流受到氣泡阻礙的情形。
儲存槽102之側壁121與分隔構件130之間的間隙，其環繞分隔構件130之全周而形成。藉此，可使得儲存槽102之側壁121與分隔構件130之間不易產生硫酸沉澱物。
在儲存槽102的側壁121與分隔構件130之間，環繞分隔構件130之全周而設有大小均等的間隙。具體而言，分隔構件130其俯視觀之形成和儲存槽102相同的圓狀。藉由將此分隔構件130配置在儲存槽102之中央，可使得儲存槽102的側壁121與分隔構件130之間的間隙，環繞分隔構件130之全周而均等。藉由如上述般使儲存槽102的側壁121與分隔構件130之間的間隙，環繞分隔構件130之全周而均等，可使得儲存槽102內不易產生硫酸的沉澱物。換言之，可將儲存槽102內之硫酸攪拌得更均勻。
儲存槽102的側壁121與分隔構件130之間的間隙，其開口面積D1如圖14所示，大於循環路徑104之取出口141的開口面積D2。又，儲存槽102的底面122與分隔構件130之間的間隙，其開口面積D3亦大於循環路徑104之取出口141的開口間隙D2。藉此，可極力地抑制「由分隔構件130所造成壓力損失」的增加。
分隔構件130藉由固定構件180以從儲存槽102之底面122分離的狀態固定。因此，藉由更改固定構件180，可輕易地調節「儲存槽102的底面122與分隔構件130之間的間隙」之開口面積D3。
分隔構件130如圖14所示般形成傘型。具體而言，分隔構件130之頂面131形成「隨著自中央部往周緣部而高度變低」的形狀。藉此，例如在從回吐口142將儲存槽102內之所有硫酸往外部排出時，可抑制在分隔構件130之頂面131殘留硫酸的情形。
又，儲存槽102之底面122往中央部而形成下行斜坡，且循環路徑104之取出口141配置於底面122之中央部。因此，可使得儲存槽102內之硫酸有效率地往取出口141流入。
又，分隔構件130在其中央部具有穿通孔133。此穿通孔133為空氣排除用的孔，在供給硫酸到空的儲存槽102之時，可將積在分隔構件130之底面132的空氣排除。
又，穿通孔133相較於循環路徑104之取出口141形成較小直徑。具體而言，穿通孔133之開口面積D4相較於取出口141之開口面積D2形成較小狀。因此，可抑制「供給自循環路徑104之回吐口142或供給路徑170之供給口173的硫酸、或者供給自回收路徑114之供給口119的使用過之SPM，其通過穿通孔133而直接流入到循環路徑104之取出口141」的情形。
又，分隔構件130之底面132形成「隨著自中央部往周緣部而高度變低」的形狀。藉此，可以將積在分隔構件130之底面132的空氣，集中到分隔構件130之中央部，而有效率地從穿通孔133排除。
＜10.循環溫度調整處理＞ 另外，在基板處理系統1中，亦可進行循環溫度調整處理，其對加熱器109作控制，而將循環於循環路徑104之硫酸的溫度調整成使得SPM的溫度保持於一定。
圖15係顯示SPM溫度和儲存槽102內之硫酸濃度「在不進行循環溫度調整處理時」之時間變化的圖表。圖16係顯示SPM溫度和儲存槽102內之硫酸濃度「在進行循環溫度調整處理時」之時間變化的圖表。
如圖15所示，將加熱器109控制成使得循環於循環路徑104之硫酸的溫度(循環溫度)一定時，SPM之溫度將下降，恰如硫酸與過氧化氫之反應熱因為儲存槽102內之硫酸濃度降低而下降的程度。
對此，可如圖16所示般，控制部18將加熱器109控制成使SPM溫度一定。換言之，控制部18將加熱器109控制成「儲存槽102內之硫酸濃度越低，則使循環溫度越高」。藉此，可抑制SPM處理其隨著硫酸濃度降低而效能降低的情形。
具體而言，控制部18將由濃度計110檢測而得之硫酸濃度設為濃度資訊，並且依此濃度資訊，調整由加熱器109產生之硫酸加熱溫度。
又，濃度資訊並不限於上述例子。例如，控制部18將使用SPM作處理之晶圓A的處理片數設為濃度資訊，而儲存於儲存部19，並且採用此濃度資訊，調整由加熱器109產生之硫酸加熱溫度亦可。
又，控制部18採用儲存於儲存槽102之液體的比重作為濃度資訊，而調整由加熱器109產生之硫酸加熱溫度亦可。在此情形，基板處理系統1包含比重計作為濃度資訊取得部即可。比重計可設在例如循環路徑104。
另外，控制部18採用例如儲存槽102內之液體的水頭壓力作為濃度資訊亦可。在此情形，基板處理系統1包含例如壓力計作為濃度資訊取得部即可。又，控制部18採用加熱器109之消耗電量作為濃度資訊亦可。在此情形，基板處理系統1包含電力計作為濃度資訊取得部即可。
如上所述，依第一實施態樣之基板處理系統1(基板處理裝置一例)，其包含儲存槽102、處理單元16(基板處理部一例)、回收路徑114、廢棄路徑115、供給路徑170、切換部80、控制部18(切換控制部一例)。儲存槽102儲存硫酸(第一處理液)。處理單元16使用供給自儲存槽102之硫酸、與過氧化氫(第二處理液一例)兩者的SPM，對晶圓W(基板一例)作處理。回收路徑114使得經處理單元16使用之SPM回到儲存槽102。廢棄路徑115將經過使用之SPM往儲存槽102以外之處廢棄。供給路徑170將相較於「儲存槽102所儲存硫酸之濃度」濃度較高的硫酸補充到儲存槽102。切換部80將經過使用之SPM的流入目的地加以在回收路徑114與廢棄路徑115之間作切換。控制部18依據預先設定之回收率，對切換部80作控制，而在處理單元16使用SPM所進行的處理開始之後，直到經過第一時間為止之間，令經過使用之SPM流入到廢棄路徑115，在經過第一時間之後，直到經過第二時間為止之間，令經過使用之SPM流入到回收路徑114，並且在經過第二時間之後，直到使用SPM所進行的處理結束為止之間，令經過使用之SPM流入到廢棄路徑115。
因此，依第一實施態樣之基板處理系統1，能夠以較高精度回收SPM，達到「使得用以處理晶圓W之硫酸達到所希望濃度」的程度。
回收率係：使得儲存於儲存槽102之硫酸的濃度維持在「設定為使用SPM進行處理所需硫酸的濃度之下限值」亦即濃度下限值Cmin的回收率。藉此，能盡可能地減少硫酸消耗量。
又，依第一實施態樣之基板處理系統1包含循環路徑104、分支路徑112、及分隔構件130。循環路徑104將儲存槽102所儲存的硫酸取出，而往儲存槽102回吐。分支路徑112連接於循環路徑104，將流經循環路徑104的硫酸往處理單元16供給。又，分隔構件130係和儲存槽102的側壁121之間，隔開間隙而配置，並且將儲存槽102内加以上下分隔。又，循環路徑104之中，取出儲存槽102内之硫酸的取出口141配置在分隔構件130之下方，將取出自取出口141之硫酸往分隔構件130噴吐的回吐口142則配置在分隔構件130之上方。藉此，即便是從回收路徑114供給「使用過之SPM」到儲存槽102內的情形，也能使得儲存槽102內之硫酸的濃度更早地穩定下來。
又，依第一實施態樣之基板處理系統1包含加熱器109(加熱部一例)、濃度計110(濃度資訊取得部一例)、及控制部18(温度控制部一例)。加熱器109針對往處理單元16供給之硫酸進行加熱。濃度計110取得往處理單元16供給的硫酸之濃度資訊。控制部18依由濃度計110所取得之濃度資訊，控制由加熱器109產生的硫酸加熱温度。
又，依第一實施態樣之基板處理系統1包含控制部18(補充控制部一例)。控制部18藉由供給路徑170，將「和儲存槽102所儲存硫酸之初期濃度相同濃度，且和儲存槽102内之液體減少量同量」的硫酸補充到儲存槽102。藉此，由於不必廢棄增加量，或者補充不足量，因此能盡可能減少硫酸消耗量。
(第二實施態樣) 接著，參照圖17，說明「依第二實施態樣的基板處理系統中之處理液供給系統」的構成。圖17係顯示依第二實施態樣的基板處理系統中之處理液供給系統的構成例之圖式。又，在以下之説明中，對於和已説明之部分同樣的部分，標註和已説明之部分相同的符號，並且省略重複的説明。
如圖17所示，依第二實施態樣的基板處理系統1A包含處理流體供給源70A、處理流體供給源70B、及處理單元16B。處理流體供給源70A同樣於「自依第一實施態樣的處理流體供給源70去除供給路徑170、閥171、及硫酸供給源172」而得的構成。也就是說，不同於依第一實施態樣的處理流體供給源70，對於處理流體供給源70A之儲存槽102，則不補充硫酸。
作為硫酸之供給系統，處理流體供給源70B包含儲存槽102B、循環路徑104B、及分支路徑112B。此等構件分別同樣於依第一實施態樣之處理流體供給源70所包含的儲存槽102、循環路徑104、及分支路徑112。
在儲存槽102B，設有和液面感測器S1同樣的液面感測器S2。又，在循環路徑104B，自上流側開始，依序設有泵浦106B、過濾器108B、加熱器109B及濃度計110B。泵浦106B、過濾器108B、加熱器109B及濃度計110B係和依第一實施態樣的泵浦106、過濾器108、加熱器109及濃度計110相同。
各分支路徑112B連接於各處理單元16B之混合部45B，並且將流經循環路徑104B之硫酸供給到各混合部45B。在各分支路徑112B設有閥113B。
又，作為過氧化氫之供給系統，處理流體供給源70B包含過氧化氫供給路徑160B、閥161B、及過氧化氫供給源162B。過氧化氫供給路徑160B的一端經過閥161B連接於過氧化氫供給源162B，另一端則連接於處理單元16B之混合部45B。
又，處理流體供給源70B更包含供給路徑170B、閥171B、及硫酸供給源172B。供給路徑170B的一端經過閥171B連接於硫酸供給源172B，另一端則連接於儲存槽102B。又，硫酸供給源172B供給「相較於儲存槽102B所儲存之硫酸高濃度」的硫酸。
處理單元16B包含混合部45B。混合部45B將「供給自分支路徑112B的高濃度硫酸」與「供給自過氧化氫供給路徑160B之過氧化氫」兩者混合，而產生混合液亦即SPM，並且將所產生之SPM往相較於混合部45下游一側的流道供給。又，混合部45B一體安裝於處理流體供給部40亦可。
如上述，在依第二實施態樣之基板處理系統1A中，除了由「供給自循環路徑104的濃度已降低之硫酸」所產生的SPM之外，更將由「供給自供給路徑170B的高濃度硫酸所產生」的SPM往晶圓W噴吐。
如上述，當流經循環路徑104的硫酸之濃度降低時，由硫酸與過氧化氫之反應所產生的反應熱將下降。對此，依第二實施態樣之基板處理系統1A，其可藉著由高濃度硫酸所產生之SPM的反應熱，補足此反應熱的下降。因此，依第二實施態樣之基板處理系統1A，可抑制SPM處理其隨著硫酸濃度降低而效能降低的情形。
(第三實施態樣) 接著，參照圖18及圖19，說明依第三實施態樣之基板處理系統的構成。圖18係顯示依第三實施態樣的基板處理系統1之概略構成的圖式。在此，對於和圖3同樣的構成，標註相同的符號。
新追加的共通排氣通道81係將「混雜有各處理單元16所使用化學藥液的環境氣體」整體收集而進行排氣。下部排氣通道82係和各處理單元16相對應而安裝，且各下部排氣通道82之前端配置在各處理單元16的腔室20之下部，另一端則連接於共通排氣通道81。
圖19係顯示依第三實施態樣的處理單元16之概略構成的圖式。對於和圖4同樣的構成，標註相同的符号。下部排氣通道82位在腔室20之下部，且其前端接鄰於支柱部32。
供給自處理流體供給部40的SPM之一部分變成水氣，而揚升到晶圓W的上方，並且混入到環境氣體。混雜有SPM的環境氣體被FFU21之降流往回收杯50之下方引導，並且自排氣口52排出。
在回收杯50中，為了使支柱部32旋轉，故在回收杯50與支柱部32之間存在微小的間隙83。混雜著SPM的環境氣體，其有「自回收杯50内，經過此間隙83，而往回收杯50之下部漏出」的情形。同樣地，混雜著SPM的環境氣體，其亦有「自腔室20内，經過腔室20與支柱部32之間的微小間隙84，而往腔室20之下部漏出」的情形。
對此，藉由設置例如曲徑構造等，可抑制環境氣體的通過。但是，應該進一步極力防止往基板處理系統之外部漏洩。
因此，在本實施態樣中，利用下部排氣通道82，抽吸「經過間隙84而最後自腔室20所漏出的環境氣體」。藉由設計成此種構成，混雜著SPM的環境氣體將不會往基板處理系統之外部漏洩。
在本實施態樣中，已針對混雜著SPM的環境氣體作說明，但並不限於此。例如，在針對III-V族晶圓W進行清洗處理的基板處理系統中，於「在腔室内產生包含砷化氫氣體或硫化氫氣體等藥品之環境氣體的情形」亦可適用。
本發明進一步的効果或變形例，可由本領域具有通常知識者輕易地推導出來。因此，本發明之更為廣範的態様，並不限於如以上所示且記載的特定細節及代表性實施態樣。從而，在不脫離「由申請專利範圍及其均等物所定義之總括性發明概念的精神或範圍」的情況下，可進行各種變更。
1、1A‧‧‧基板處理系統
2‧‧‧搬入出站
3‧‧‧處理站
4‧‧‧控制裝置
11‧‧‧載體載置部
12‧‧‧搬送部
13‧‧‧基板搬送裝置
14‧‧‧傳遞部
15‧‧‧搬送部
16、16B‧‧‧處理單元
17‧‧‧基板搬送裝置
18‧‧‧控制部
19‧‧‧儲存部
20‧‧‧腔室
21‧‧‧風機過濾機組(FFU)
30‧‧‧基板固持機構
31‧‧‧固持部
32‧‧‧支柱部
33‧‧‧驅動部
40‧‧‧處理流體供給部
45、45B‧‧‧混合部
50‧‧‧回收杯
51‧‧‧排液口
52‧‧‧排氣口
53‧‧‧分支路徑
54‧‧‧排出路徑
70、70A、70B‧‧‧處理流體供給源
80‧‧‧切換部
81‧‧‧共通排氣通道
82‧‧‧下部排氣通道
83、84‧‧‧間隙
102、102B‧‧‧儲存槽
104、104B‧‧‧循環路徑
106、106B‧‧‧泵浦
108、108B‧‧‧過濾器
109、109B‧‧‧加熱器
110、110B‧‧‧濃度計
112、112B‧‧‧分支路徑
113、113B‧‧‧閥
114‧‧‧回收路徑
115‧‧‧廢棄路徑
116‧‧‧回收槽
117‧‧‧泵浦
118‧‧‧過濾器
119‧‧‧供給口
121‧‧‧側壁
122‧‧‧底面
130‧‧‧分隔構件
131‧‧‧頂面
132‧‧‧底面
133‧‧‧穿通孔
141‧‧‧取出口
142‧‧‧回吐口
160、160B‧‧‧過氧化氫供給路徑
161、161B‧‧‧閥
162、162B‧‧‧過氧化氫供給源
170、170B‧‧‧供給路徑
171、171B‧‧‧閥
172、172B‧‧‧硫酸供給源
173‧‧‧供給口
180‧‧‧固定構件
C‧‧‧載體
D1〜D4‧‧‧開口面積
S1、S2‧‧‧液面感測器
W‧‧‧晶圓
［圖1］係顯示依第一實施態樣之基板處理系統中的處理液供給系統之概略構成的圖式； ［圖2］係顯示依第一實施態樣之基板處理方法一例的圖式； ［圖3］係顯示依第一實施態樣之基板處理系統之概略構成的圖式； ［圖4］係顯示處理單元之概略構成的圖式； ［圖5］係顯示依第一實施態樣之基板處理系統中的處理液供給系統之具體構成例的圖式； ［圖6］係顯示依第一實施態樣之處理單元執行的基板處理之順序一例的流程圖； ［圖7］係顯示儲存槽內的硫酸「在將使用過的SPM之回收率分別設為☓1～☓3%時」之最終到達濃度的圖表； ［圖8］係顯示每一片晶圓「在將使用過的SPM之回收率分別設為☓1～☓3%時」之硫酸消耗量的圖表； ［圖9］係顯示儲存槽內的硫酸濃度及儲存槽內的液體量「在使用處理單元對複數晶圓連續進行處理時」之時間變化的圖表； ［圖10］係顯示回收處理之順序一例的流程圖； ［圖11］係顯示補充處理之順序一例的流程圖； ［圖12］係顯示儲存槽之構成例的圖式； ［圖13］係儲存槽之示意平剖面圖； ［圖14］係儲存槽之示意側剖面圖； ［圖15］係顯示SPM溫度及儲存槽內之硫酸濃度在不進行循環溫度調整處理時之時間變化的圖表； ［圖16］係顯示SPM溫度及儲存槽內之硫酸濃度在進行循環溫度調整處理時之時間變化的圖表； ［圖17］係顯示依第二實施態樣的基板處理系統中之處理液供給系統的構成例之圖式； ［圖18］係顯示依第三實施態樣的基板處理系統之概略構成的圖式；及 ［圖19］係顯示依第三實施態樣的處理單元之概略構成的圖式。

Claims (9)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵在於包含：儲存槽，儲存第一處理液；基板處理部，藉由對基板供給自該儲存槽供給之該第一處理液、與第二處理液兩者的混合液，以處理該基板；回收路徑，使得供給到該基板處理部的混合液回到該儲存槽；廢棄路徑，將該所供給的混合液往該儲存槽以外之處廢棄；供給路徑，將該第一處理液供給到該儲存槽；切換部，將該所供給的混合液之流入目的地在該回收路徑與該廢棄路徑之間作切換；及切換控制部，對該切換部進行控制，而在開始由該基板處理部對該基板供給該混合液之後，直到經過第一時間為止之間，令該所供給的混合液流入到該廢棄路徑；在經過該第一時間之後，直到經過依預先設定之回收率所設定的第二時間為止之間，令該所供給的混合液流入到該回收路徑；且在經過該第二時間之後，直到結束該混合液的供給為止之間，令該所供給的混合液流入到該廢棄路徑。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其更包含：循環路徑，將該儲存槽所儲存之該第一處理液取出，而使該第一處理液回到該儲存槽；分支路徑，連接於該循環路徑，並且將流經該循環路徑之該第一處理液供給到該基板處理部；及分隔構件，與該儲存槽的側壁之間隔開間隙而配置，將該儲存槽內加以上下分隔；其中該循環路徑當中，取出該儲存槽內之第一處理液的取出口係配置於該分隔構件之下方，而將自該取出口取出之第一處理液往該分隔構件噴吐的回吐口，則配置於該分隔構件之上方。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其更包含：加熱部，對供給到該基板處理部之該第一處理液進行加熱；濃度資訊取得部，取得供給到該基板處理部之該第一處理液的濃度資訊；及溫度控制部，依由該濃度資訊部所取得之濃度資訊，而控制由該加熱部產生之該第一處理液的加熱溫度。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中該濃度資訊取得部取得使用該混合液作處理的該基板之片數，作為該濃度資訊。
  5. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中該濃度資訊取得部取得該儲存槽所儲存的液體之比重，作為該濃度資訊。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中該供給路徑將具有回收而儲存在該儲存槽的該第一處理液之濃度以上濃度的第一處理液，補充到該儲存槽；且該回收率係：使得該儲存槽所儲存的第一處理液之濃度維持在設定為使用該混合液進行處理所需該第一處理液的濃度之下限值亦即濃度下限值的回收率。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其更包含：補充控制部，藉由該供給路徑，將和該儲存槽所儲存的第一處理液之初始濃度相同濃度，且和該儲存槽內之液體減少量同量的該第一處理液，補充到該儲存槽。
  8. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中該第一處理液為硫酸，該第二處理液為過氧化氫。
  9. 一種基板處理方法，其特徵在於包含：供給步驟，為了處理基板，對該基板供給自儲存第一處理液之儲存槽所供給的該第一處理液、與第二處理液兩者的混合液；及回收步驟，於該供給步驟在開始對該基板供給混合液之後，直到經過第一時間為止之間，將於該供給步驟所供給的混合液往該儲存槽以外之處廢棄；在經過該第一時間之後，直到經過依預先設定之回收率所設定的第二時間為止之間，令該所供給的混合液回到該儲存槽；且在經過該第二時間之後，直到該供給步驟結束為止之間，將該所供給的混合液往該儲存槽以外之處廢棄。
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