KR20180109911A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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지로 히가시지마
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Abstract

실시형태에 따른 기판 처리 장치는 저류 탱크와, 기판 처리부와, 회수 경로와, 폐기 경로와, 공급 경로와, 전환부와, 전환 제어부를 구비한다. 회수 경로는 기판 처리부에 공급된 혼합액을 저류 탱크에 복귀시킨다. 폐기 경로는 공급된 혼합액을 저류 탱크 이외의 장소에 폐기한다. 전환부는 공급된 혼합액의 유입처를 회수 경로와 폐기 경로 사이에서 전환한다. 전환 제어부는 전환부를 제어하여, 기판 처리부에 의한 혼합액의 공급이 개시되고 나서 제1 시간이 경과하기까지의 동안, 공급된 혼합액을 폐기 경로에 유입시키고, 제1 시간의 경과 후로서 미리 결정된 회수율에 기초하여 결정되는 제2 시간이 경과하기까지의 동안, 공급된 혼합액을 회수 경로에 유입시키고, 제2 시간이 경과하고 나서 혼합액의 공급이 종료되기까지의 동안, 공급된 혼합액을 폐기 경로에 유입시킨다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
개시된 실시형태는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
종래, 제1 처리액과 제2 처리액을 혼합한 혼합액을 이용하여, 반도체 웨이퍼나 유리 기판 등의 기판을 처리하는 기판 처리 장치가 알려져 있다.
이 종류의 기판 처리 장치에서는, 제1 처리액의 소비량을 억제하기 위해, 제1 처리액을 저류하는 탱크에 사용이 끝난 혼합액을 복귀시킴으로써 제1 처리액을 회수하여 재이용하는 경우가 있다.
회수되는 혼합액에는 제2 처리액이 포함되기 때문에, 상기 회수 및 재이용을 반복함으로써, 탱크 내의 제1 처리액의 농도는 서서히 저하하게 된다. 그래서, 최근에는, 사용이 끝난 혼합액 중의 일부를 회수하고 나머지를 폐기하며, 폐기한 혼합액과 동량의 제1 처리액을 탱크에 보충함으로써, 제1 처리액의 농도 저하를 억제하는 방법이 제안되어 있다(특허문헌 1 참조).
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2013-207207호 공보
그러나, 사용된 혼합액을 정밀도 좋게 회수하지 않으면, 탱크 내의 제1 처리액이 원하는 농도가 되지 않을 우려가 있다.
실시형태의 일양태는, 기판을 처리하기 위한 제1 처리액이 원하는 농도가 되도록 혼합액을 정밀도 좋게 회수할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
실시형태의 일양태에 따른 기판 처리 장치는 저류 탱크와, 기판 처리부와, 회수 경로와, 폐기 경로와, 공급 경로와, 전환부와, 전환 제어부를 구비한다. 저류 탱크는 제1 처리액을 저류한다. 기판 처리부는 저류 탱크로부터 공급되는 제1 처리액과, 제2 처리액과의 혼합액을 기판에 공급함으로써 기판을 처리한다. 회수 경로는 기판 처리부에 공급된 혼합액을 저류 탱크에 복귀시킨다. 폐기 경로는 공급된 혼합액을 저류 탱크 이외의 장소에 폐기한다. 공급 경로는 제1 처리액을 저류 탱크에 공급한다. 전환부는 공급된 혼합액의 유입처를 회수 경로와 폐기 경로 사이에서 전환한다. 전환 제어부는 전환부를 제어하여, 기판 처리부에 의한 혼합액의 기판에의 공급이 개시되고 나서 제1 시간이 경과하기까지의 동안, 공급된 혼합액을 폐기 경로에 유입시키고, 제1 시간의 경과 후로서 미리 결정된 회수율에 기초하여 결정되는 제2 시간이 경과하기까지의 동안, 공급된 혼합액을 회수 경로에 유입시키고, 제2 시간이 경과하고 나서 혼합액의 공급이 종료되기까지의 동안, 공급된 혼합액을 폐기 경로에 유입시킨다.
실시형태의 일양태에 따르면, 기판을 처리하기 위한 제1 처리액이 원하는 농도가 되도록 혼합액을 정밀도 좋게 회수할 수 있다.
도 1은 제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템에 있어서의 처리액 공급계의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 2는 제1 실시형태에 따른 기판 처리 방법의 일례를 나타내는 도면이다.
도 3은 제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 4는 처리 유닛의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 5는 제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템에 있어서의 처리액 공급계의 구체적인 구성예를 나타내는 도면이다.
도 6은 제1 실시형태에 따른 처리 유닛이 실행하는 기판 처리의 순서의 일례를 나타내는 흐름도이다.
도 7은 사용이 끝난 SPM의 회수율을 각각 X1∼X3％로 한 경우에 있어서의, 저류 탱크 내의 황산의 최종 도달 농도를 나타내는 그래프이다.
도 8은 사용이 끝난 SPM의 회수율을 각각 X1∼X3％로 한 경우에 있어서의, 웨이퍼 1장당의 황산의 소비량을 나타내는 그래프이다.
도 9는 처리 유닛을 이용하여 복수의 웨이퍼를 연속하여 처리한 경우에 있어서의, 저류 탱크 내의 황산의 농도 및 저류 탱크 내의 액량의 시간 변화를 나타내는 그래프이다.
도 10은 회수 처리의 순서의 일례를 나타내는 흐름도이다.
도 11은 보충 처리의 순서의 일례를 나타내는 흐름도이다.
도 12는 저류 탱크의 구성예를 나타내는 도면이다.
도 13은 저류 탱크의 모식 평단면도이다.
도 14는 저류 탱크의 모식 측단면도이다.
도 15는 순환 온도 조정 처리를 행하지 않는 경우에 있어서의, SPM의 온도 및 저류 탱크 내의 황산의 농도의 시간 변화를 나타내는 그래프이다.
도 16은 순환 온도 조정 처리를 행한 경우에 있어서의, SPM의 온도 및 저류 탱크 내의 황산의 농도의 시간 변화를 나타내는 그래프이다.
도 17은 제2 실시형태에 따른 기판 처리 시스템에 있어서의 처리액 공급계의 구성예를 나타내는 도면이다.
도 18은 제3 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 19는 제3 실시형태에 따른 처리 유닛의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본원이 개시하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법의 실시형태를 상세하게 설명한다. 또한, 이하에 나타내는 실시형태에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다.
(제1 실시형태)
도 1∼도 11을 참조하여, 본원이 개시하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법의 제1 실시형태에 대해서 설명한다.
<1. 기판 처리 방법>
도 1은 제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템에 있어서의 처리액 공급계의 개략 구성을 나타내는 도면이다. 또한, 도 2는 제1 실시형태에 따른 기판 처리 방법의 일례를 나타내는 도면이다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)은, 제1 처리액과 제2 처리액의 혼합액을 이용하여 기판을 처리한다. 또한, 기판 처리 시스템(1)은 사용한 혼합액을 회수하여 재이용한다. 구체적으로는, 기판 처리 시스템(1)은 저류 탱크(102)와, 처리 유닛(16)과, 회수 경로(114)와, 폐기 경로(115)와, 공급 경로(170)와, 전환부(80)와, 제어부(18)를 구비한다.
저류 탱크(102)는 제1 처리액을 저류한다. 처리 유닛(16)은 저류 탱크(102)로부터 공급되는 제1 처리액과, 저류 탱크(102) 이외의 장소로부터 공급되는 제2 처리액의 혼합액을 이용하여 기판을 처리한다.
회수 경로(114)는 처리 유닛(16)에서 사용된 혼합액(사용이 끝난 혼합액)을 저류 탱크(102)에 복귀시킨다. 폐기 경로(115)는 사용이 끝난 혼합액을 저류 탱크(102) 이외의 장소에 배출한다. 공급 경로(170)는 제1 처리액을 저류 탱크(102)에 보충한다.
전환부(80)는 사용이 끝난 혼합액의 유입처를 회수 경로(114)로부터 폐기 경로(115)로 또는 폐기 경로(115)로부터 회수 경로(114)로 전환한다. 또한, 전환부(80)는 제어부(18)에 의해 제어된다.
상기한 바와 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)은, 사용이 끝난 혼합액을 회수 경로(114) 경유로 저류 탱크(102)에 복귀시킴으로써 제1 처리액을 회수하고, 회수한 제1 처리액을 재이용함으로써, 제1 처리액의 소비량을 억제하는 것으로 하고 있다.
또한, 회수되는 혼합액에는 제2 처리액이 포함되기 때문에, 상기 회수 및 재이용을 반복함으로써, 저류 탱크(102) 내의 제1 처리액의 농도는 서서히 저하하게 된다. 그래서, 기판 처리 시스템(1)에서는, 사용이 끝난 혼합액 중 일부를 회수하고 나머지를 폐기하며, 저류 탱크(102)에 저류되는 제1 처리액보다 상대적으로 고농도의 제1 처리액을 공급 경로(170) 경유로 저류 탱크(102)에 보충함으로써, 저류 탱크(102) 내의 제1 처리액의 농도 저하를 억제하고 있다.
여기서, 저류 탱크(102) 내의 제1 처리액이 원하는 농도가 되도록 안정시키기 위해서는, 사용이 끝난 혼합액의 실제의 회수율이, 미리 결정한 회수율과 될 수 있는 한 일치하고 있는 것이 바람직하다. 여기서, 처리 유닛(16)에 의한 혼합액을 이용한 처리의 개시 직후나 종료 직전은, 예컨대 밸브의 개폐 동작에 기인하는 타임 러그 등에 의해, 혼합액의 농도(즉, 제1 처리액 및 제2 처리액의 혼합비)나 유량이 안정되어 있지 않아, 원하는 농도나 유량으로 되어 있지 않을 우려가 있다.
따라서, 만약 이러한 기간에 있어서 사용이 끝난 혼합액의 회수를 행하는 것으로 하면, 예컨대, 저류 탱크(102) 내의 제1 처리액의 농도가, 기판을 처리하는 데 필요한 최저 농도를 하회할 우려가 있다. 이 경우, 저류 탱크(102) 내의 제1 처리액의 농도를 회복시키기 위해서는, 예컨대, 공급 경로(170)로부터 제1 처리액을 추가로 보충할 필요가 있다. 또한, 예컨대, 저류 탱크(102) 내의 액량이 지나치게 증가하거나, 지나치게 감소하거나 할 우려도 있다. 이 경우, 초과분을 폐기하거나, 부족분을 보충하거나 함으로써, 제1 처리액을 여분으로 소비해 버리게 된다.
그래서, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에서는, 농도나 유량이 안정되지 않은 개시 후의 미리 정해진 기간 및 종료 전의 미리 정해진 기간을 제외한 기간에 있어서, 사용이 끝난 혼합액의 회수를 행하는 것으로 하였다.
구체적으로는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 처리 유닛(16)에 의한 처리가 개시되고 나서 제1 시간이 경과하기까지의 동안, 사용이 끝난 혼합액을 폐기 경로(115)에 유입시키고, 제1 시간이 경과하고 나서 제2 시간이 경과하기까지의 동안, 사용이 끝난 혼합액을 회수 경로(114)에 유입시키고, 제2 시간이 경과하고 나서 처리 유닛(16)에 의한 처리가 종료되기까지의 동안, 사용이 끝난 혼합액을 폐기 경로(115)에 유입시키는 것으로 하였다.
이에 의해, 안정된 농도 및 유량으로 사용이 끝난 혼합액을 정밀도 좋게 회수할 수 있기 때문에, 사용이 끝난 혼합액의 실제의 회수율을 미리 결정한 회수율과 가급적 일치시킬 수 있다. 따라서, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에 의하면, 저류 탱크(102) 내의 제1 처리액을 원하는 농도로 할 수 있다.
<2. 기판 처리 시스템>
다음에, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)의 개략 구성에 대해서 도 3을 참조하여 설명한다. 도 3은 제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)의 개략 구성을 나타내는 도면이다. 이하에서는, 위치 관계를 명확하게 하기 위해, 서로 직교하는 X축, Y축 및 Z축을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향 방향으로 한다.
도 3에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은 반입출 스테이션(2)과, 처리 스테이션(3)을 구비한다. 반입출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)은 인접하여 마련된다.
반입출 스테이션(2)은 캐리어 배치부(11)와, 반송부(12)를 구비한다. 캐리어 배치부(11)에는 복수매의 기판, 본 실시형태에서는 반도체 웨이퍼[이하 웨이퍼(W)]를 수평 상태로 수용하는 복수의 캐리어(C)가 배치된다.
반송부(12)는 캐리어 배치부(11)에 인접하여 마련되고, 내부에 기판 반송 장치(13)와, 전달부(14)를 구비한다. 기판 반송 장치(13)는 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(13)는 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하며, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 캐리어(C)와 전달부(14) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
처리 스테이션(3)은 반송부(12)에 인접하여 마련된다. 처리 스테이션(3)은 반송부(15)와, 복수의 처리 유닛(16)을 구비한다. 복수의 처리 유닛(16)은 반송부(15)의 양측에 배열되어 마련된다.
반송부(15)는 내부에 기판 반송 장치(17)를 구비한다. 기판 반송 장치(17)는 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(17)는 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 전달부(14)와 처리 유닛(16) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
처리 유닛(16)은 기판 반송 장치(17)에 의해 반송되는 웨이퍼(W)에 대하여 미리 정해진 기판 처리를 행한다.
또한, 기판 처리 시스템(1)은 제어 장치(4)를 구비한다. 제어 장치(4)는 예컨대 컴퓨터이고, 제어부(18)와 기억부(19)를 구비한다. 기억부(19)에는 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(18)는 기억부(19)에 기억된 프로그램을 읽어내어 실행함으로써 기판 처리 시스템(1)의 동작을 제어한다.
또한, 이러한 프로그램은 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것으로서, 그 기억 매체로부터 제어 장치(4)의 기억부(19)에 인스톨된 것이어도 좋다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로서는, 예컨대 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.
상기한 바와 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)에서는, 먼저, 반입출 스테이션(2)의 기판 반송 장치(13)가, 캐리어 배치부(11)에 배치된 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하고, 추출한 웨이퍼(W)를 전달부(14)에 배치한다. 전달부(14)에 배치된 웨이퍼(W)는, 처리 스테이션(3)의 기판 반송 장치(17)에 의해 전달부(14)로부터 취출되어, 처리 유닛(16)에 반입된다.
처리 유닛(16)에 반입된 웨이퍼(W)는, 처리 유닛(16)에 의해 처리된 후, 기판 반송 장치(17)에 의해 처리 유닛(16)으로부터 반출되어, 전달부(14)에 배치된다. 그리고, 전달부(14)에 배치된 처리가 끝난 웨이퍼(W)는, 기판 반송 장치(13)에 의해 캐리어 배치부(11)의 캐리어(C)에 복귀된다.
또한, 제어 장치(4)의 제어부(18)는, CPU(Central Processing Unit), ROM(Read Only Memory), RAM(Random Access Memory), 입출력 포트 등을 갖는 마이크로 컴퓨터나 각종 회로를 포함한다. 이러한 마이크로 컴퓨터의 CPU는, ROM에 기억되어 있는 프로그램을 읽어내어 실행함으로써, 후술하는 제어를 실현한다. 또한, 기억부(19)는, 예컨대, RAM, 플래시 메모리(Flash Memory) 등의 반도체 메모리 소자, 또는, 하드 디스크, 광 디스크 등의 기억 장치에 의해 실현된다.
<3. 처리 유닛>
다음에, 처리 유닛(16)의 개략 구성에 대해서 도 4를 참조하여 설명한다. 도 4는 처리 유닛(16)의 개략 구성을 나타내는 도면이다. 도 4에 나타내는 바와 같이, 처리 유닛(16)은 챔버(20)와, 기판 유지 기구(30)와, 처리 유체 공급부(40)와, 회수컵(50)을 구비한다.
챔버(20)는 기판 유지 기구(30)와 처리 유체 공급부(40)와 회수컵(50)을 수용한다. 챔버(20)의 천장부에는 FFU(Fan Filter Unit)(21)가 마련된다. FFU(21)는 챔버(20) 내에 다운 플로우를 형성한다.
기판 유지 기구(30)는 유지부(31)와, 지주부(32)와, 구동부(33)를 구비한다. 유지부(31)는 웨이퍼(W)를 수평으로 유지한다. 지주부(32)는 연직 방향으로 연장하는 부재이며, 기단부가 구동부(33)에 의해 회전 가능하게 지지되고, 선단부에 있어서 유지부(31)를 수평으로 지지한다. 구동부(33)는 지주부(32)를 연직축 둘레로 회전시킨다. 이러한 기판 유지 기구(30)는 구동부(33)를 이용하여 지주부(32)를 회전시킴으로써 지주부(32)에 지지된 유지부(31)를 회전시키고, 이에 의해, 유지부(31)에 유지된 웨이퍼(W)를 회전시킨다.
처리 유체 공급부(40)는 웨이퍼(W)에 대하여 처리 유체를 공급한다. 처리 유체 공급부(40)는 처리 유체 공급원(70)에 접속된다.
회수컵(50)은 유지부(31)를 둘러싸도록 배치되고, 유지부(31)의 회전에 의해 웨이퍼(W)로부터 비산하는 처리액을 포집한다. 회수컵(50)의 바닥부에는 배액구(51)가 형성되어 있고, 회수컵(50)에 의해 포집된 처리액은, 이러한 배액구(51)로부터 처리 유닛(16)의 외부에 배출된다. 또한, 회수컵(50)의 바닥부에는 FFU(21)로부터 공급되는 기체를 처리 유닛(16)의 외부에 배출하는 배기구(52)가 형성된다.
<4. 처리액 공급계의 구체적인 구성예>
다음에, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 처리액 공급계의 구체적인 구성예에 대해서 도 5를 참조하여 설명한다. 도 5는 제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 처리액 공급계의 구체적인 구성예를 나타내는 도면이다.
이하에서는, 제1 처리액으로서 황산을 사용하며, 제2 처리액으로서 과산화수소수를 사용하고, 이들의 혼합액인 SPM(Sulfuric acid Hydrogen Peroxide Mixture)을 웨이퍼(W)에 공급하는 경우에 있어서의 처리액 공급계의 구성예에 대해서 설명한다.
<4-1. 처리 유체 공급원>
도 5에 나타내는 바와 같이, 처리 유체 공급원(70)은 황산의 공급계로서, 황산을 저류하는 저류 탱크(102)와, 저류 탱크(102)로부터 나와 저류 탱크(102)로 되돌아가는 순환 경로(104)와, 순환 경로(104)로부터 분기되어 각 처리 유닛(16)에 접속되는 복수의 분기 경로(112)를 가지고 있다.
저류 탱크(102)에는 액면 센서(S1)가 마련된다. 액면 센서(S1)는 예컨대 저류 탱크(102)의 측방에 배치되고, 저류 탱크(102)에 저류된 황산의 액면을 검지한다. 구체적으로는, 액면 센서(S1)는 저류 탱크(102) 내에 있어서의 하한 액면을 검지하기 위한 센서이다. 액면 센서(S1)에 의한 검지 결과는, 제어부(18)에 출력된다.
순환 경로(104)에는 상류측으로부터 순서대로, 펌프(106), 필터(108), 히터(109) 및 농도계(110)가 마련된다. 펌프(106)는 저류 탱크(102)로부터 나와 순환 경로(104)를 지나 저류 탱크(102)로 되돌아가는 순환류를 형성한다. 필터(108)는 황산에 포함되는 파티클 등의 오염 물질을 제거한다. 히터(109)는 제어부(18)에 의해 제어되고, 순환 경로(104)를 순환하는 황산을 설정된 온도로 가열한다. 농도계(110)는 순환 경로(104)를 순환하는 황산의 농도를 검출하여, 검출 결과를 제어부(18)에 출력한다.
순환 경로(104)에 있어서의 농도계(110)보다 하류측에는, 복수의 분기 경로(112)가 접속된다. 각 분기 경로(112)는 각 처리 유닛(16)의 후술하는 혼합부(45)에 접속되어, 순환 경로(104)를 흐르는 황산을 각 혼합부(45)에 공급한다. 각 분기 경로(112)에는 밸브(113)가 마련된다.
또한, 처리 유체 공급원(70)은 과산화수소수의 공급계로서, 과산화수소수 공급 경로(160)와, 밸브(161)와, 과산화수소수 공급원(162)을 구비한다. 과산화수소수 공급 경로(160)의 일단은, 밸브(161)를 통해 과산화수소수 공급원(162)에 접속되고, 타단은 처리 유닛(16)의 후술하는 혼합부(45)에 접속된다. 처리 유체 공급원(70)은 과산화수소수 공급원(162)으로부터 공급되는 과산화수소수를 과산화수소수 공급 경로(160)를 통해 처리 유닛(16)의 혼합부(45)에 공급한다.
또한, 처리 유체 공급원(70)은 공급 경로(170)와, 밸브(171)와, 황산 공급원(172)을 구비한다. 공급 경로(170)의 일단은 밸브(171)를 통해 황산 공급원(172)에 접속되고, 타단은 저류 탱크(102)에 접속된다. 황산 공급원(172)은 황산을 공급한다. 처리 유체 공급원(70)은 황산 공급원(172)으로부터 공급되는 황산을 공급 경로(170)를 통해 저류 탱크(102)에 공급한다.
또한, 여기서는, 도시를 생략하지만, 처리 유체 공급원(70)은 처리 유닛(16)에 대하여 린스액을 공급하기 위한 린스액 공급 경로를 구비한다. 린스액으로서는, 예컨대, DIW(순수)를 이용할 수 있다.
<4-2. 처리 유닛>
처리 유닛(16)은 혼합부(45)를 구비한다. 혼합부(45)는 분기 경로(112)로부터 공급되는 황산과, 과산화수소수 공급 경로(160)로부터 공급되는 과산화수소수를 혼합하여 혼합액인 SPM을 생성하고, 생성한 SPM을 처리 유체 공급부(40)(도 4 참조)에 공급한다. 또한, 혼합부(45)는 처리 유체 공급부(40)에 일체적으로 삽입되어 있어도 좋다.
또한, 각 처리 유닛(16)의 배액구(51)는 분기 경로(53)를 통해 배출 경로(54)에 접속된다. 각 처리 유닛(16)에 있어서 사용된 SPM은, 배액구(51)로부터 분기 경로(53)를 통해 배출 경로(54)에 배출된다.
또한, 여기서는, SPM의 공급과 린스액의 공급을 처리 유체 공급부(40)를 이용하여 행하는 것으로 하지만, 처리 유닛(16)은 린스액을 공급하기 위한 처리 유체 공급부를 별도 구비하고 있어도 좋다.
<4-3. 전환부, 회수 경로 및 폐기 경로>
기판 처리 시스템(1)은 전환부(80)와, 회수 경로(114)와, 폐기 경로(115)를 더 구비한다. 전환부(80)는 배출 경로(54), 회수 경로(114) 및 폐기 경로(115)에 접속되어 있고, 제어부(18)의 제어에 따라, 배출 경로(54)를 흐르는 사용이 끝난 SPM의 유입처를 회수 경로(114)와 폐기 경로(115) 사이에서 전환한다.
회수 경로(114)는 일단이 전환부(80)에 접속되고, 타단이 저류 탱크(102)에 접속된다. 회수 경로(114)에는, 상류측으로부터 순서대로, 회수 탱크(116)와, 펌프(117)와, 필터(118)가 마련된다. 회수 탱크(116)는 사용이 끝난 SPM을 일시적으로 저류한다. 펌프(117)는 회수 탱크(116)에 저류된 사용이 끝난 SPM을 저류 탱크(102)에 보내는 흐름을 형성한다. 필터(118)는 사용이 끝난 SPM에 포함되는 파티클 등의 오염 물질을 제거한다.
폐기 경로(115)는 전환부(80)에 접속되어, 배출 경로(54)로부터 전환부(80)를 통해 유입되는 사용이 끝난 SPM을 기판 처리 시스템(1)의 외부에 배출한다.
<5. 기판 처리의 내용>
다음에, 본 실시형태에 따른 처리 유닛(16)이 실행하는 기판 처리의 내용에 대해서 도 6을 참조하여 설명한다. 도 6은 제1 실시형태에 따른 처리 유닛(16)이 실행하는 기판 처리의 순서의 일례를 나타내는 흐름도이다. 도 6에 나타내는 각 처리 순서는 제어부(18)의 제어에 따라 실행된다.
먼저, 처리 유닛(16)에서는 웨이퍼(W)의 반입 처리가 행해진다(단계 S101). 구체적으로는, 기판 반송 장치(17)(도 3 참조)에 의해 처리 유닛(16)의 챔버(20)(도 4 참조) 내에 웨이퍼(W)가 반입되어 유지부(31)에 유지된다. 그 후, 처리 유닛(16)은 유지부(31)를 미리 정해진 회전 속도(예컨대, 50 rpm)로 회전시킨다.
계속해서, 처리 유닛(16)에서는 SPM 공급 처리가 행해진다(단계 S102). SPM 공급 처리에서는, 밸브(113) 및 밸브(161)가 미리 정해진 시간(예컨대, 30초간) 개방됨으로써, 처리 유체 공급부(40)로부터 웨이퍼(W)의 상면에 SPM이 공급된다. 웨이퍼(W)에 공급된 SPM은, 웨이퍼(W)의 회전에 따른 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 표면에 펼쳐진다.
이러한 SPM 공급 처리에서는, SPM에 포함되는 카로산의 강한 산화력과, 황산과 과산화수소수의 반응열을 이용하여, 예컨대, 웨이퍼(W)의 상면에 형성된 레지스트를 제거한다.
또한, 황산 및 과산화수소수의 유량은, 황산 및 과산화수소수의 혼합비에 따라 결정된다. SPM에 차지하는 황산의 비율은 과산화수소수보다 높기 때문에, 황산의 유량은 과산화수소수보다 많은 유량으로 설정된다.
단계 S102의 SPM 공급 처리를 끝내면, 처리 유닛(16)에서는 린스 처리가 행해진다(단계 S103). 이러한 린스 처리에서는, 처리 유체 공급부(40)로부터 웨이퍼(W)의 상면에 린스액(예컨대, DIW)이 공급된다. 웨이퍼(W)에 공급된 DIW는 웨이퍼(W)의 회전에 따른 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 표면에 펼쳐진다. 이에 의해, 웨이퍼(W)에 잔존하는 SPM이 DIW에 의해 씻겨진다.
계속해서, 처리 유닛(16)에서는 건조 처리가 행해진다(단계 S104). 이러한 건조 처리에서는 웨이퍼(W)를 미리 정해진 회전 속도(예컨대, 1000 rpm)로 미리 정해진 시간 회전시킨다. 이에 의해, 웨이퍼(W)에 잔존하는 DIW가 털려, 웨이퍼(W)가 건조된다. 그 후, 웨이퍼(W)의 회전이 정지한다.
그리고, 처리 유닛(16)에서는 반출 처리가 행해진다(단계 S105). 반출 처리에서는, 유지부(31)에 유지된 웨이퍼(W)가 기판 반송 장치(17)에 전달된다. 이러한 반출 처리가 완료되면, 1장의 웨이퍼(W)에 대한 기판 처리가 완료한다.
<6. 회수율의 결정 방법>
다음에, 사용이 끝난 SPM의 회수율의 결정 방법에 대해서 도 7∼도 9를 참조하여 설명한다. 도 7은 사용이 끝난 SPM의 회수율을 각각 X1∼X3％로 한 경우에 있어서의, 저류 탱크(102) 내의 황산의 최종 도달 농도를 나타내는 그래프이다. 도 8은 사용이 끝난 SPM의 회수율을 각각 X1∼X3％로 한 경우에 있어서의, 웨이퍼(W) 1장당의 황산의 소비량을 나타내는 그래프이다. 도 9는 처리 유닛(16)을 이용하여 복수의 웨이퍼(W)를 연속하여 처리한 경우에 있어서의, 저류 탱크(102) 내의 황산의 농도 및 저류 탱크(102) 내의 액량의 시간 변화를 나타내는 그래프이다.
여기서, 도 7에는 저류 탱크(102) 내의 황산의 초기 농도(과산화수소수에 의해 희석되기 전의 농도)와 동일한 농도의 황산으로서, 저류 탱크(102) 내의 액의 감소량[저류 탱크(102)로부터 처리 유닛(16)에 공급되는 액량으로부터 저류 탱크(102)로 되돌아오는 액량을 뺀 양]과 동일한 양의 황산을 공급 경로(170)로부터 보충하는 경우에 있어서의, 저류 탱크(102) 내의 황산의 최종 도달 농도를 나타내고 있다. 또한, 최종 도달 농도란, 사용이 끝난 SPM의 회수 및 황산의 보충을 행하면서, 복수의 웨이퍼(W)를 연속하여 처리한 경우에 있어서의 저류 탱크(102) 내의 황산의 농도의 수속값이다.
사용이 끝난 SPM의 회수율은, SPM을 이용한 처리에 필요한 황산의 농도의 하한값으로서 설정된 농도 하한값(Cmin)에 기초하여 결정된다.
농도 하한값(Cmin)은 예컨대, 원하는 레지스트 제거 성능을 발휘하기 위해 필요한 SPM의 온도를 하회하지 않도록 하기 위한 황산의 농도의 하한값이다. SPM의 온도는 히터(109)에 의한 황산의 가열 온도와, 황산과 과산화수소수의 반응에 의해 생기는 반응열에 의해 결정되지만, 황산의 농도가 저하하면, 상기 반응열이 낮아져, SPM의 온도가 원하는 레지스트 제거 성능을 발휘하기 위해 필요한 온도를 하회할 우려가 있다.
황산의 농도 저하는 회수된 사용이 끝난 SPM에 포함되는 과산화수소수가 저류 탱크(102) 내에 유입됨으로써, 저류 탱크(102) 내의 황산이 희석됨으로써 생긴다. 이 때문에, 사용이 끝난 SPM의 회수율을 지나치게 올리면, 저류 탱크(102) 내에 유입되는 과산화수소수의 양이 증가하여 황산의 농도 저하가 격심해지는 결과, 도 7에 나타내는 바와 같이, 황산의 최종 도달 농도가 농도 하한값(Cmin)을 하회하게 된다.
이러한 경우에 있어서 황산의 농도를 회복시키기 위해서는, 예컨대, 저류 탱크(102) 내의 액을 새로운 황산으로 교환할 필요가 있다. 이러한 액교환을 행함으로써, 도 8에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W) 1장당의 황산의 소비량은 증가하게 된다.
따라서, 황산의 소비량을 가급적 저감하기 위해서는, 사용이 끝난 SPM의 회수율이, 저류 탱크(102)에 저류된 황산의 농도가 농도 하한값(Cmin)으로 유지되는 회수율 X1％로 결정되는 것이 바람직하다.
이러한 회수율 X1％에 따라 사용이 끝난 SPM의 회수를 행함으로써, 도 9에 있어서 실선으로 나타내는 바와 같이, 탱크 내 농도를 농도 하한값(Cmin)으로 유지할 수 있다. 따라서, 액 교환에 의해 황산을 불필요하게 소비하는 일이 없기 때문에, 황산의 소비량을 가급적 저감할 수 있다.
또한, 저류 탱크(102) 내의 황산의 초기 농도와 동일한 농도의 황산으로서, 저류 탱크(102) 내의 액의 감소량과 동일한 양의 황산을 공급 경로(170)로부터 보충하도록 함으로써, 도 9에 있어서 일점 쇄선으로 나타내는 바와 같이, 저류 탱크(102) 내의 액량을 일정량으로 유지할 수 있다. 따라서, 증가분을 파기하거나, 부족분을 보충하거나 할 필요가 없기 때문에, 황산의 소비량을 가급적 저감할 수 있다.
또한, 저류 탱크(102)에 저류되는 황산의 초기 농도를 96 wt％, 황산과 과산화수소수의 혼합비를 6:1, 황산의 농도 하한값(Cmin)을 86 wt％로 한 경우, 사용이 끝난 SPM의 회수율 X1은 53％로 결정된다.
<7. 회수 처리>
다음에, 사용이 끝난 SPM의 회수 처리의 내용에 대해서 도 10을 참조하여 설명한다. 도 10은 회수 처리의 순서의 일례를 나타내는 흐름도이다. 도 10에는 SPM 공급 처리의 개시 시에 있어서, 배출 경로(54)와 폐기 경로(115)가 연통하고 있는 경우의 회수 처리의 순서를 나타내고 있다. 또한, 도 10에 나타내는 각 처리 순서는 제어부(18)에 의해 제어된다.
도 10에 나타내는 바와 같이, 제어부(18)는 처리 유닛(16)에 의한 SPM 공급 처리(도 6 참조)가 개시되고 나서 제1 시간이 경과하였는지의 여부를 판정한다(단계 S201). 여기서, 제1 시간은 밸브(113, 161)가 개방되고 나서 황산 및 과산화수소수의 유량이 안정되기까지의 시간보다 긴 시간으로 설정된다.
또한, 본 실시형태에서는, 밸브(113과 161)의 양방이 개방된 상태가 되는 시각을 SPM 공급 처리의 개시 시각으로 하였지만, SPM 공급 처리의 개시 시각의 정의는, 이것에 한정되는 것이 아니다. 예컨대, 제어부(18)가 밸브(113, 161)에 개방의 지시 신호를 보내는 시각이나, 웨이퍼(W)에 SPM이 착액하는 시각 등, 다른 정의를 행하여도 좋다.
제어부(18)는 제1 시간이 경과할 때까지 단계 S201의 판정 처리를 반복한다(단계 S201, No). 이때, 배출 경로(54)는 폐기 경로(115)와 연통하고 있기 때문에, 사용이 끝난 SPM은 폐기 경로(115)로부터 외부에 폐기된다.
계속해서, 단계 S201에 있어서 제1 시간이 경과하였다고 판정한 경우(단계 S201, Yes), 제어부(18)는 전환부(80)를 제어하여, 사용이 끝난 SPM의 유입처를 폐기 경로(115)로부터 회수 경로(114)로 전환한다(단계 S202). 이에 의해, 사용이 끝난 SPM은 배출 경로(54)로부터 회수 경로(114)에 유입되어 저류 탱크(102)에 복귀된다.
계속해서, 제어부(18)는 제1 시간이 경과하고 나서 제2 시간이 경과하였는지의 여부를 판정하다(단계 S203). 제2 시간은 사용이 끝난 SPM의 회수율이 미리 결정된 사용이 끝난 SPM의 회수율 X1이 되는 시간으로 설정된다. 제어부(18)는 제2 시간이 경과할 때까지 단계 S202의 판정 처리를 반복한다(단계 S203, No).
계속해서, 단계 S203에 있어서 제2 시간이 경과하였다고 판정한 경우(단계 S203, Yes), 제어부(18)는 사용이 끝난 SPM의 유입처를 회수 경로(114)로부터 폐기 경로(115)로 전환한다(단계 S204). 이에 의해, 사용이 끝난 SPM은 폐기 경로(115)로부터 외부에 폐기된다.
이와 같이, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에서는, SPM 공급 처리의 개시 후의 미리 정해진 기간 및 종료 전의 미리 정해진 기간을 제외한 기간에 있어서, 미리 결정된 회수율로, 사용이 끝난 SPM을 회수하는 것으로 하였다. 이에 의해, 안정된 농도 및 유량으로 사용이 끝난 SPM을 회수할 수 있기 때문에, 사용이 끝난 SPM의 실제의 회수율을 미리 결정한 회수율과 가급적 일치시킬 수 있다. 따라서, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에 의하면, 황산의 소비량을 가급적 저감할 수 있다.
또한, SPM 공급 처리의 개시 시에 있어서, 배출 경로(54)와 회수 경로(114)가 연통하고 있는 경우, 제어부(18)는 SPM 공급 처리가 개시되기 전에, 사용이 끝난 SPM의 유입처를 회수 경로(114)로부터 폐기 경로(115)로 전환하는 처리를 행하면 좋다.
<8. 보충 처리>
다음에, 황산의 보충 처리의 내용에 대해서 도 11을 참조하여 설명한다. 도 11은 보충 처리의 순서의 일례를 나타내는 흐름도이다. 또한, 도 11에 나타내는 각 처리 순서는, 제어부(18)에 의해 제어된다.
도 11에 나타내는 바와 같이, 제어부(18)는 저류 탱크(102) 내의 액량이 임계값을 하회하는지의 여부를 판정한다(단계 S301). 제어부(18)는 예컨대, 액면 센서(S1)에 의해, 저류 탱크(102) 내에 있어서의 하한 액면이 검지된 경우에는, 저류 탱크(102) 내의 액량이 임계값을 하회하였다고 판정한다. 제어부(18)는 저류 탱크(102) 내의 액량이 임계값을 하회하였다고 판정할 때까지 단계 S301의 처리를 반복한다(단계 S301, No).
또한, 이에 한정되지 않고, 제어부(18)는 예컨대, 저류 탱크(102) 내의 액의 중량이나 전회의 보충으로부터의 경과 시간 등을, 저류 탱크(102) 내의 액량에 관한 액량 정보로서 취득하고, 이러한 액량 정보에 기초하여 상기 판정을 행하여도 좋다.
단계 S301에 있어서, 저류 탱크(102) 내의 액량이 임계값을 하회하였다고 판정한 경우(단계 S301, Yes), 제어부(18)는 미리 결정된 양의 황산을 공급 경로(170) 경유로 저류 탱크(102)에 보충하고(단계 S302), 처리를 단계 S301로 되돌린다.
단계 S302에 있어서, 제어부(18)는 저류 탱크(102)에 저류되는 황산의 초기 농도와 동일한 농도, 또한, 저류 탱크(102) 내의 액의 감소량과 동일한 양의 황산을 저류 탱크(102)에 보충한다. 이에 의해, 저류 탱크(102) 내의 농도 및 액량이 일정하게 유지된다.
<9. 저류 탱크의 구성예>
다음에, 저류 탱크(102)의 구성예에 대해서 도 12를 참조하여 설명한다. 도 12는 저류 탱크(102)의 구성예를 나타내는 도면이다.
도 12에 나타내는 바와 같이, 저류 탱크(102)의 내부에는 저류 탱크(102) 내를 상하로 구획하는 칸막이 부재(130)가 마련된다. 칸막이 부재(130)는 저류 탱크(102)의 측벽과의 사이에 미리 정해진 간극을 두고 배치된다.
저류 탱크(102)는 저류 탱크(102) 내의 황산을 취출하는 회수 경로(114)의 취출구(141)를 구비한다. 이러한 취출구(141)는 칸막이 부재(130)의 하방에 배치된다. 또한, 취출구(141)로부터 취출된 황산을 칸막이 부재(130)를 향하여 토출하는 순환 경로(104)의 복귀구(142)가, 칸막이 부재(130)의 상방에 배치된다.
칸막이 부재(130)의 상방에 순환 경로(104)의 복귀구(142)를 배치함으로써, 칸막이 부재(130)의 상방에는, 복귀구(142)로부터 유출되는 황산의 흐름에 의해 황산의 대류가 생긴다. 저류 탱크(102) 내의 황산은 이 대류에 의해 항상 교반되기 때문에, 회수 경로(114)로부터 저류 탱크(102) 내에 사용이 끝난 SPM이 공급된 경우라도, 저류 탱크(102) 내의 황산의 농도를 조기에 안정시킬 수 있다.
또한, 순환 경로(104)의 복귀구(142)는, 복귀구(142)로부터 유출되는 황산의 흐름이 칸막이 부재(130)에 도달하며 또한 저류 탱크(102) 내에 황산의 대류가 형성될 정도로 칸막이 부재(130)에 접근시켜 배치된다. 복귀구(142)가 구체적인 배치에 대해서는, 후술한다.
칸막이 부재(130)의 상방에서 교반된 황산은, 칸막이 부재(130)와 저류 탱크(102)의 측벽 사이의 간극을 지나 칸막이 부재(130)의 하방으로 이동하고, 칸막이 부재(130)의 하방에 배치된 취출구(141)로부터 순환 경로(104)에 유입된다.
이와 같이, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에서는, 순환 경로(104)의 취출구(141)가 칸막이 부재(130)의 하방에 배치되기 때문에, 회수 경로(114)로부터 공급된 사용이 끝난 SPM이 취출구(141)에 직접 유입되는 것을 방지할 수 있다.
다음에, 저류 탱크(102)의 내부 구성에 대해서 도 13 및 도 14를 참조하여 설명한다. 도 13은 저류 탱크(102)의 모식 평단면도이다. 또한, 도 14는 저류 탱크(102)의 모식 측단면도이다. 또한, 도 13에서는, 도 14에 나타내는 고정 부재(180)를 생략하여 나타내고 있다.
도 13에 나타내는 바와 같이, 저류 탱크(102)는 원통 형상을 갖는다. 저류 탱크(102)를 원통 형상으로 함으로써, 각형의 탱크와 비교하여 저류 탱크(102) 내에 황산의 고임이 생기기 어려워지기 때문에, 더욱 황산을 효율적으로 교반할 수 있다. 따라서, 저류 탱크(102) 내의 황산의 농도가 안정되기까지의 시간을 더욱 단축하는 것이 가능하다.
또한, 저류 탱크(102) 내에 고임을 발생시키기 어렵게 하기 위해서는, 저류 탱크(102)를 평면에서 보아 진원 형상으로 하는 것이 보다 바람직하지만, 저류 탱크(102)는 평면에서 보아 타원 형상이어도 좋다.
또한, 도 13에 나타내는 바와 같이, 순환 경로(104)의 복귀구(142)는, 평면에서 보아 저류 탱크(102)의 중앙부에 배치된다. 이와 같이, 대류의 기점이 되는 순환 경로(104)의 복귀구(142)를 평면에서 보아 저류 탱크(102)의 중앙부에 배치함으로써, 황산의 대류에 치우침가 생기기 어려워진다. 따라서, 황산의 교반성을 향상시킬 수 있다.
또한, 도 13에 나타내는 바와 같이, 회수 경로(114)의 공급구(119) 및 공급 경로(170)의 공급구(173)는, 평면에서 보아 순환 경로(104)의 복귀구(142)의 근방에 배치된다. 이와 같이, 대류의 기점이 되는 저류 탱크(102)의 중앙부에 회수 경로(114)의 공급구(119) 및 공급 경로(170)의 공급구(173)를 배치함으로써, 회수 경로(114)로부터 공급되는 사용이 끝난 SPM이나 공급 경로(170)로부터 공급되는 황산을 대류에 싣기 쉬워진다. 따라서, 저류 탱크(102) 내의 황산의 농도가 안정되기까지의 시간을 더욱 단축하는 것이 가능하다. 또한, 회수 경로(114)로부터 공급되는 사용이 끝난 SPM이나 공급 경로(170)로부터 공급되는 황산의 흐름에 의해 대류가 저해되는 것을 방지할 수도 있다.
또한, 회수 경로(114) 및 공급 경로(170)와 순환 경로(104)를 비교한 경우, 저류 탱크(102)에 대하여 황산을 항상 계속해서 공급하는 순환 경로(104) 쪽이, 회수 경로(114) 및 공급 경로(170)보다 대류 형성에의 기여도는 크다. 이 때문에, 대류 형성에의 기여도가 보다 큰 순환 경로(104)의 복귀구(142)를 저류 탱크(102)의 중심에 보다 가까운 위치에 배치하는 것이 바람직하다. 바꾸어 말하면, 순환 경로(104)와 비교하여 대류 형성에의 기여도가 작은 회수 경로(114)의 공급구(119) 및 공급 경로(170)의 공급구(173)는, 순환 경로(104)의 복귀구(142)보다 저류 탱크(102)의 중심으로부터 떨어진 장소에 배치되는 것이 바람직하다.
도 12에 나타내는 바와 같이, 순환 경로(104)의 복귀구(142), 회수 경로(114)의 공급구(119) 및 공급 경로(170)의 공급구(173)는, 액면 센서(S1)보다 하방에, 바꾸어 말하면, 저류 탱크(102) 내에 있어서의 하한 액면보다 하방에 배치된다. 이에 의해, 순환 경로(104)의 복귀구(142), 회수 경로(114)의 공급구(119) 및 공급 경로(170)의 공급구(173)는, 저류 탱크(102) 내에 있어서의 하한 액면보다 하방에 배치되기 때문에, 저류 탱크(102) 내의 황산에 항상 침지된다. 따라서, 복귀구(142), 공급구(119) 및 공급구(173)로부터 저류 탱크(102)에 황산이나 사용이 끝난 SPM을 공급할 때에, 저류 탱크(102) 내의 황산에 기포가 혼입하여 황산에 거품이 이는 것을 방지할 수 있다. 또한, 기포에 의해 저류 탱크(102) 내의 대류가 저해되는 것을 방지할 수도 있다.
저류 탱크(102)의 측벽(121)과 칸막이 부재(130) 사이의 간극은, 칸막이 부재(130)의 전체 둘레에 걸쳐 형성된다. 이에 의해, 저류 탱크(102)의 측벽(121)과 칸막이 부재(130) 사이에 황산의 고임을 생기기 어렵게 할 수 있다.
저류 탱크(102)의 측벽(121)과 칸막이 부재(130) 사이에는, 칸막이 부재(130)의 전체 둘레에 걸쳐 크기가 균등한 간극이 마련된다. 구체적으로는, 칸막이 부재(130)는 평면에서 보아 저류 탱크(102)와 동일한 원형상을 가지고 있고, 이러한 칸막이 부재(130)를 저류 탱크(102)의 중앙에 배치함으로써, 저류 탱크(102)의 측벽(121)과 칸막이 부재(130) 사이의 간극을 칸막이 부재(130)의 전체 둘레에 걸쳐 균등하게 할 수 있다. 이와 같이, 저류 탱크(102)의 측벽(121)과 칸막이 부재(130) 사이의 간극을 칸막이 부재(130)의 전체 둘레에 걸쳐 균등하게 함으로써, 저류 탱크(102) 내에 황산의 고임을 발생시키기 어렵게 할 수 있다. 바꾸어 말하면, 저류 탱크(102) 내의 황산을 보다 균일하게 교반할 수 있다.
저류 탱크(102)의 측벽(121)과 칸막이 부재(130) 사이의 간극의 개구 면적(D1)은, 도 14에 나타내는 바와 같이, 순환 경로(104)의 취출구(141)의 개구 면적(D2) 이상이다. 또한, 저류 탱크(102)의 바닥면(122)과 칸막이 부재(130) 사이의 간극의 개구 면적(D3)도, 순환 경로(104)의 취출구(141)의 개구 면적(D2) 이상이다. 이에 의해, 칸막이 부재(130)에 의한 압력 손실의 증가를 극력 억제할 수 있다.
칸막이 부재(130)는 고정 부재(180)에 의해 저류 탱크(102)의 바닥면(122)으로부터 격리한 상태로 고정된다. 따라서, 고정 부재(180)를 변경함으로써, 저류 탱크(102)의 바닥면(122)과 칸막이 부재(130) 사이의 간극의 개구 면적(D3)을 용이하게 조절하는 것이 가능하다.
칸막이 부재(130)는 도 14에 나타내는 바와 같이, 우산형의 형상을 가지고 있다. 구체적으로는, 칸막이 부재(130)의 상면(131)은 중앙부로부터 둘레 가장자리부를 향함에 따라 높이가 낮아지는 형상을 갖는다. 이에 의해, 예컨대, 저류 탱크(102) 내의 모든 황산을 복귀구(142)로부터 외부에 배출하는 경우에, 칸막이 부재(130)의 상면(131)에 황산이 잔존하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 저류 탱크(102)의 바닥면(122)은 중앙부를 향하여 하향 구배로 되어 있고, 순환 경로(104)의 취출구(141)는 바닥면(122)의 중앙부에 배치되어 있다. 따라서, 저류 탱크(102) 내의 황산을 효율적으로 취출구(141)에 유입시키는 것이 가능하다.
또한, 칸막이 부재(130)는 중앙부에 관통 구멍(133)을 구비한다. 이러한 관통 구멍(133)은 공기 빼기용의 구멍이며, 빈 저류 탱크(102)에 황산을 공급하는 경우에, 칸막이 부재(130)의 하면(132)에 고인 공기를 빼낼 수 있다.
또한, 관통 구멍(133)은 순환 경로(104)의 취출구(141)보다 소직경으로 형성된다. 구체적으로는, 관통 구멍(133)의 개구 면적(D4)은 취출구(141)의 개구 면적(D2)보다 작게 형성된다. 따라서, 순환 경로(104)의 복귀구(142)나 공급 경로(170)의 공급구(173)로부터 공급되는 황산 혹은 회수 경로(114)의 공급구(119)로부터 공급되는 사용이 끝난 SPM이 관통 구멍(133)을 지나 순환 경로(104)의 취출구(141)에 직접 유입되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 칸막이 부재(130)의 하면(132)은, 중앙부로부터 주연부를 향함에 따라 높이가 낮아지는 형상을 갖는다. 이에 의해, 칸막이 부재(130)의 하면(132)에 고인 공기를 칸막이 부재(130)의 중앙부에 모아 관통 구멍(133)으로부터 효율적으로 빼낼 수 있다.
<10. 순환 온도 조정 처리>
그런데, 기판 처리 시스템(1)에서는, SPM의 온도가 일정하게 유지되도록, 히터(109)를 제어하여 순환 경로(104)를 순환하는 황산의 온도를 조정하는 순환 온도 조정 처리를 행하여도 좋다.
도 15는 순환 온도 조정 처리를 행하지 않는 경우에 있어서의, SPM의 온도 및 저류 탱크(102) 내의 황산의 농도의 시간 변화를 나타내는 그래프이다. 또한, 도 16은 순환 온도 조정 처리를 행한 경우에 있어서의, SPM의 온도 및 저류 탱크(102) 내의 황산의 농도의 시간 변화를 나타내는 그래프이다.
도 15에 나타내는 바와 같이, 순환 경로(104)를 순환하는 황산의 온도(순환 온도)가 일정해지도록 히터(109)를 제어한 경우, 저류 탱크(102) 내의 황산의 농도저하에 의해 황산과 과산화수소수의 반응열이 저하한 분만큼, SPM의 온도가 저하하게 된다.
그래서, 제어부(18)는 도 16에 나타내는 바와 같이, SPM의 온도가 일정해지도록 히터(109)를 제어하도록 하여도 좋다. 바꾸어 말하면, 제어부(18)는 저류 탱크(102) 내의 황산의 농도가 낮아질수록 순환 온도가 높아지도록, 히터(109)를 제어하도록 하여도 좋다. 이에 의해, 황산의 농도 저하에 따른 SPM 처리의 성능 저하를 억제할 수 있다.
구체적으로는, 제어부(18)는 농도계(110)에 의해 검출된 황산의 농도를 농도 정보로 하고, 이러한 농도 정보에 따라 히터(109)에 의한 황산의 가열 온도를 조정한다.
또한, 농도 정보는 상기한 예에 한정되는 것이 아니다. 예컨대, 제어부(18)는 SPM을 이용한 웨이퍼(W)의 처리 매수를 농도 정보로서 기억부(19)에 기억하고, 이러한 농도 정보를 이용하여 히터(109)에 의한 황산의 가열 온도를 조정하여도 좋다.
또한, 제어부(18)는 저류 탱크(102)에 저류된 액의 비중을 농도 정보로서 이용하여 히터(109)에 의한 황산의 가열 온도를 조정하여도 좋다. 이러한 경우, 기판 처리 시스템(1)은 농도 정보 취득부로서, 비중계를 구비하고 있으면 좋다. 비중계는 예컨대, 순환 경로(104)에 마련할 수 있다.
그 외에, 제어부(18)는 예컨대, 저류 탱크(102) 내의 액의 수두압을 농도 정보로서 이용하여도 좋다. 이러한 경우, 기판 처리 시스템(1)은 농도 정보 취득부로서, 예컨대 압력계를 구비하고 있으면 좋다. 또한, 제어부(18)는 히터(109)의 소비 전력량을 농도 정보로서 이용하여도 좋다. 이러한 경우, 기판 처리 시스템(1)은 농도 정보 취득부로서, 예컨대 전력계를 구비하고 있으면 좋다.
전술해 온 바와 같이, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)(기판 처리 장치의 일례)은 저류 탱크(102)와, 처리 유닛(16)(기판 처리부의 일례)과, 회수 경로(114)와, 폐기 경로(115)와, 공급 경로(170)와, 전환부(80)와, 제어부(18)(전환 제어부의 일례)를 구비한다. 저류 탱크(102)는 황산(제1 처리액)을 저류한다. 처리 유닛(16)은 저류 탱크(102)로부터 공급되는 황산과, 과산화수소수(제2 처리액의 일례)의 SPM을 이용하여 웨이퍼(W)(기판의 일례)를 처리한다. 회수 경로(114)는 처리 유닛(16)에서 사용된 SPM을 저류 탱크(102)에 복귀시킨다. 폐기 경로(115)는 사용된 SPM을 저류 탱크(102) 이외의 장소에 폐기한다. 공급 경로(170)는 저류 탱크(102)에 저류되는 황산의 농도보다 상대적으로 고농도의 황산을 저류 탱크(102)에 보충한다. 전환부(80)는 사용된 SPM의 유입처를 회수 경로(114)와 폐기 경로(115) 사이에서 전환한다. 제어부(18)는 미리 결정된 회수율에 기초하여 전환부(80)를 제어하여, 처리 유닛(16)에 의한 SPM을 이용한 처리가 개시되고 나서 제1 시간이 경과하기까지의 동안, 사용된 SPM을 폐기 경로(115)에 유입시키고, 제1 시간이 경과하고 나서 제2 시간이 경과하기까지의 동안, 사용된 SPM을 회수 경로(114)에 유입시키고, 제2 시간이 경과하고 나서 SPM을 이용한 처리가 종료되기까지의 동안, 사용된 SPM을 폐기 경로(115)에 유입시킨다.
따라서, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에 의하면, 웨이퍼(W)를 처리하기 위한 황산이 원하는 농도가 되도록 SPM을 정밀도 좋게 회수할 수 있다.
또한, 회수율은 저류 탱크(102)에 저류된 황산의 농도가, SPM을 이용한 처리에 필요한 황산의 농도의 하한값으로서 설정된 농도 하한값(Cmin)으로 유지되는 회수율이다. 이에 의해, 황산의 소비량을 가급적 저감할 수 있다.
또한, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)은 순환 경로(104)와, 분기 경로(112)와, 칸막이 부재(130)를 구비한다. 순환 경로(104)는 저류 탱크(102)에 저류된 황산을 취출하여 저류 탱크(102)에 복귀시킨다. 분기 경로(112)는 순환 경로(104)에 접속되어, 순환 경로(104)를 흐르는 황산을 처리 유닛(16)에 공급한다. 칸막이 부재(130)는 저류 탱크(102)의 측벽(121)과의 사이에 간극을 두고 배치되어, 저류 탱크(102) 내를 상하로 구획한다. 또한, 순환 경로(104)는 저류 탱크(102) 내의 황산을 취출하는 취출구(141)가 칸막이 부재(130)의 하방에 배치되고, 취출구(141)로부터 취출된 황산을 칸막이 부재(130)를 향하여 토출하는 복귀구(142)가 칸막이 부재(130)의 상방에 배치된다. 이에 의해, 회수 경로(114)로부터 저류 탱크(102) 내에 사용이 끝난 SPM이 공급된 경우라도, 저류 탱크(102) 내의 황산의 농도를 조기에 안정시킬 수 있다.
또한, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)은 히터(109)(가열부의 일례)와, 농도계(110)(농도 정보 취득부의 일례)와, 제어부(18)(온도 제어부의 일례)를 구비한다. 히터(109)는 처리 유닛(16)에 공급되는 황산을 가열한다. 농도계(110)는 처리 유닛(16)에 공급되는 황산의 농도 정보를 취득한다. 제어부(18)는 농도계(110)에 의해 취득된 농도 정보에 따라, 히터(109)에 의한 황산의 가열 온도를 제어한다.
또한, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)은 제어부(18)(보충 제어부의 일례)를 구비한다. 제어부(18)는 저류 탱크(102)에 저류되는 황산의 초기 농도와 동일한 농도, 또한, 저류 탱크(102) 내의 액의 감소량과 동일량의 황산을 공급 경로(170)를 통해 저류 탱크(102)에 보충한다. 이에 의해, 증가분을 파기하거나, 부족분을 보충하거나 할 필요가 없기 때문에, 황산의 소비량을 가급적 저감할 수 있다.
(제2 실시형태)
다음에, 제2 실시형태에 따른 기판 처리 시스템에 있어서의 처리액 공급계의 구성에 대해서 도 17을 참조하여 설명한다. 도 17은 제2 실시형태에 따른 기판 처리 시스템에 있어서의 처리액 공급계의 구성예를 나타내는 도면이다. 또한, 이하의 설명에서는, 이미 설명한 부분과 동일한 부분에 대해서는, 이미 설명한 부분과 동일한 부호를 붙이고, 중복하는 설명을 생략한다.
도 17에 나타내는 바와 같이, 제2 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1A)은 처리 유체 공급원(70A)과, 처리 유체 공급원(70B)과, 처리 유닛(16B)을 구비한다. 처리 유체 공급원(70A)은 제1 실시형태에 따른 처리 유체 공급원(70)으로부터 공급 경로(170), 밸브(171) 및 황산 공급원(172)을 제거한 구성과 동일하다. 즉, 제1 실시형태에 따른 처리 유체 공급원(70)과 상이하며, 처리 유체 공급원(70A)의 저류 탱크(102)에는 황산은 보충되지 않는다.
처리 유체 공급원(70B)은 황산의 공급계로서, 저류 탱크(102B)와, 순환 경로(104B)와, 분기 경로(112B)를 구비한다. 이들은, 제1 실시형태에 따른 처리 유체 공급원(70)이 구비하는 저류 탱크(102), 순환 경로(104), 분기 경로(112)와 각각 동일하다.
저류 탱크(102B)에는 액면 센서(S1)와 동일한 액면 센서(S2)가 마련된다. 또한, 순환 경로(104B)에는 상류측으로부터 순서대로, 펌프(106B), 필터(108B), 히터(109B) 및 농도계(110B)가 마련된다. 펌프(106B), 필터(108B), 히터(109B) 및 농도계(110B)는, 제1 실시형태에 따른 펌프(106), 필터(108), 히터(109) 및 농도계(110)와 동일하다.
각 분기 경로(112B)는 각 처리 유닛(16B)의 혼합부(45B)에 접속되고, 순환 경로(104B)를 흐르는 황산을 각 혼합부(45B)에 공급한다. 각 분기 경로(112B)에는 밸브(113B)가 마련된다.
또한, 처리 유체 공급원(70B)은 과산화수소수의 공급계로서, 과산화수소수 공급 경로(160B)와, 밸브(161B)와, 과산화수소수 공급원(162B)을 구비한다. 과산화수소수 공급 경로(160B)의 일단은 밸브(161B)를 통해 과산화수소수 공급원(162B)에 접속되고, 타단은 처리 유닛(16B)의 혼합부(45B)에 접속된다.
또한, 처리 유체 공급원(70B)은 공급 경로(170B)와, 밸브(171B)와, 황산 공급원(172B)을 구비한다. 공급 경로(170B)의 일단은, 밸브(171B)를 통해 황산 공급원(172B)에 접속되고, 타단은 저류 탱크(102B)에 접속된다. 황산 공급원(172B)은 저류 탱크(102B)에 저류되는 황산보다 고농도의 황산을 공급한다.
처리 유닛(16B)은 혼합부(45B)를 구비한다. 혼합부(45B)는 분기 경로(112B)로부터 공급되는 고농도의 황산과, 과산화수소수 공급 경로(160B)로부터 공급되는 과산화수소수를 혼합하여 혼합액인 SPM을 생성하고, 생성한 SPM을 혼합부(45)보다 상류측의 유로에 공급한다. 또한, 혼합부(45B)는 처리 유체 공급부(40)에 일체적으로 삽입되어 있어도 좋다.
이와 같이, 제2 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1A)에서는, 순환 경로(104)로부터 공급되는 농도 저하한 황산에 의해 생성되는 SPM에 더하여, 공급 경로(170B)로부터 공급되는 고농도의 황산에 의해 생성되는 SPM을 웨이퍼(W)에 토출하는 것으로 하였다.
전술한 바와 같이, 순환 경로(104)를 흐르는 황산의 농도가 저하하면, 황산과 과산화수소수의 반응에 의해 생기는 반응열이 저하하게 된다. 이에 대하여, 제2 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1A)은, 이러한 반응열의 저하를, 고농도의 황산에 의해 생성되는 SPM의 반응열에 의해 보충할 수 있다. 따라서, 제2 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1A)에 의하면, 황산의 농도 저하에 따른 SPM 처리의 성능 저하를 억제할 수 있다.
(제3 실시형태)
다음에, 제3 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 구성에 대해서 도 18 및 도 19를 참조하여 설명한다. 도 18은 제3 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)의 개략 구성을 나타내는 도면이다. 또한, 도 3과 동일한은 구성에는 동일한 부호가 붙어 있다.
새롭게 추가된 공통 배기로(81)는, 각 처리 유닛(16)에서 사용된 약액이 혼재하는 분위기를 일괄하여 수집하여 배기한다. 하부 배기로(82)는 각 처리 유닛(16)에 대응되어 구비되어 있고, 이들의 선단은 각 처리 유닛(16)의 챔버(20)의 하부에 배치되고, 타단은 공통 배기로(81)에 접속된다.
도 19는 제3 실시형태에 따른 처리 유닛(16)의 개략 구성을 나타내는 도면이다. 도 4와 동일한 구성에는 동일한 부호가 붙어 있다. 하부 배기로(82)는 챔버(20)의 하부로서, 그 선단은 지주부(32)에 인접하여 위치한다.
처리 유체 공급부(40)로부터 공급된 SPM의 일부는 미스트가 되어 웨이퍼(W)의 상방으로 떠올라, 분위기에 섞인다. SPM이 혼재하는 분위기는, FFU(21)의 다운 플로우에 의해 회수컵(50)의 하방으로 유도된 배기구(52)로부터 배출된다.
회수컵(50)에 있어서, 지주부(32)를 회전시키기 위해, 회수컵(50)과 지주부(32) 사이에는 미소한 간극(83)이 존재한다. 이 간극(83)을 통하여 SPM이 혼재하는 분위기가 회수컵(50) 내로부터 회수컵(50)의 하부에 누출되는 경우가 있다. 마찬가지로, 챔버(20)와 지주부(32) 사이의 미소한 간극(84)을 통하여 SPM이 혼재하는 분위기가 챔버(20) 내로부터 챔버(20)의 하부에 누출되는 경우가 있다.
예컨대 래버린스 구조를 마련하는 등에 의해 분위기의 통과를 억제할 수는 있다. 그러나, 기판 처리 시스템의 외부에의 누설을 극력 방지하여야 한다.
따라서, 본 실시형태에서는, 하부 배기로(82)가 간극(84)을 통해 최종적으로 챔버(20)로부터 누출된 분위기를 흡인하도록 하였다. 이러한 구성으로 함으로써, SPM이 혼재하는 분위기가 기판 처리 시스템의 외부에 누설되지 않게 된다.
본 실시형태에서는, SPM이 혼재하는 분위기에 대해서 서술하였지만, 이에 한정되지 않고, 예컨대, III-V족 웨이퍼(W)를 세정 처리하는 기판 처리 시스템에 있어서, 아르신 가스나 황화수소 가스 등의 약품을 포함한 분위기가 챔버 내에 생기는 경우에 있어서도 적용 가능하다.
추가적인 효과나 변형예는, 당업자에 의해 용이하게 도출할 수 있다. 이 때문에, 본 발명의 보다 광범한 양태는, 이상과 같이 나타내며 또한 서술한 특정한 상세 및 대표적인 실시형태에 한정되는 것이 아니다. 따라서, 첨부된 청구범위 및 그 균등물에 의해 정의되는 총괄적인 발명의 개념의 정신 또는 범위로부터 일탈하는 일없이, 여러 가지 변경이 가능하다.
W 웨이퍼 1 기판 처리 시스템
16 처리 유닛 18 제어부
80 전환부 102 저류 탱크
114 회수 경로 115 폐기 경로
170 공급 경로

Claims (12)

  1. 기판 처리 장치로서,
    제1 처리액을 저류하는 저류 탱크와,
    상기 저류 탱크로부터 공급되는 상기 제1 처리액과, 제2 처리액의 혼합액을 기판에 공급함으로써 상기 기판을 처리하는 기판 처리부와,
    상기 기판 처리부에 공급된 혼합액을 상기 저류 탱크에 복귀시키는 회수 경로와,
    상기 공급된 혼합액을 상기 저류 탱크 이외의 장소에 폐기하는 폐기 경로와,
    상기 제1 처리액을 상기 저류 탱크에 공급하는 공급 경로와,
    상기 공급된 혼합액의 유입처를 상기 회수 경로와 상기 폐기 경로 사이에서 전환하는 전환부와,
    상기 전환부를 제어하여, 상기 기판 처리부에 의한 상기 혼합액의 상기 기판에의 공급이 개시되고 나서 제1 시간이 경과하기까지의 동안, 상기 공급된 혼합액을 상기 폐기 경로에 유입시키고, 상기 제1 시간의 경과 후로서 미리 결정된 회수율에 기초하여 결정되는 제2 시간이 경과하기까지의 동안, 상기 공급된 혼합액을 상기 회수 경로에 유입시키고, 상기 제2 시간이 경과하고 나서 상기 혼합액의 공급이 종료되기까지의 동안, 상기 공급된 혼합액을 상기 폐기 경로에 유입시키는 전환 제어부
    를 구비하는, 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 저류 탱크에 저류된 상기 제1 처리액을 취출하여 상기 저류 탱크에 복귀시키는 순환 경로와,
    상기 순환 경로에 접속되어, 상기 순환 경로를 흐르는 상기 제1 처리액을 상기 기판 처리부에 공급하는 분기 경로와,
    상기 저류 탱크의 측벽과의 사이에 간극을 두고 배치되어, 상기 저류 탱크 내를 상하로 구획하는 칸막이 부재
    를 구비하고,
    상기 순환 경로는,
    상기 저류 탱크 내의 제1 처리액을 취출하는 취출구가 상기 칸막이 부재의 하방에 배치되고, 상기 취출구로부터 취출된 제1 처리액을 상기 칸막이 부재를 향하여 토출하는 복귀구가 상기 칸막이 부재의 상방에 배치되는 것인, 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 기판 처리부에 공급되는 상기 제1 처리액을 가열하는 가열부와,
    상기 기판 처리부에 공급되는 상기 제1 처리액의 농도 정보를 취득하는 농도 정보 취득부와,
    상기 농도 정보 취득부에 의해 취득된 농도 정보에 따라, 상기 가열부에 의한 상기 제1 처리액의 가열 온도를 제어하는 온도 제어부
    를 구비하는, 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 농도 정보 취득부는,
    상기 혼합액을 이용한 상기 기판의 처리 매수를 상기 농도 정보로서 취득하는 것인, 기판 처리 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 농도 정보 취득부는,
    상기 저류 탱크에 저류된 액의 비중을 상기 농도 정보로서 취득하는 것인, 기판 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 공급 경로는 회수되어 상기 저류 탱크에 저류되는 상기 제1 처리액의 농도 이상의 농도를 갖는 제1 처리액을 상기 저류 탱크에 보충하는 것이고,
    상기 회수율은,
    상기 저류 탱크에 저류된 제1 처리액의 농도가, 상기 혼합액을 이용한 처리에 필요한 상기 제1 처리액의 농도의 하한값으로서 설정된 농도 하한값으로 유지되는 회수율인 것인, 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 저류 탱크에 저류되는 제1 처리액의 초기농도와 동일한 농도이며, 상기 저류 탱크 내의 액의 감소량과 동일량의 상기 제1 처리액을 상기 공급 경로를 통해 상기 저류 탱크에 보충하는 보충 제어부를 구비하는, 기판 처리 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 처리액은 황산이고,
    상기 제2 처리액은 과산화수소수인 것인, 기판 처리 장치.
  9. 기판 처리 장치에 있어서의 기판 처리 방법으로서,
    상기 기판 처리 장치는,
    제1 처리액을 저류하는 저류 탱크와,
    상기 저류 탱크로부터 공급되는 상기 제1 처리액과, 제2 처리액의 혼합액을 기판에 공급함으로써 상기 기판을 처리하는 기판 처리부와,
    상기 기판 처리부에 공급된 혼합액을 상기 저류 탱크에 복귀시키는 회수 경로와,
    상기 공급된 혼합액을 상기 저류 탱크 이외의 장소에 폐기하는 폐기 경로와,
    상기 제1 처리액을 상기 저류 탱크에 공급하는 공급 경로와,
    상기 공급된 혼합액의 유입처를 상기 회수 경로와 상기 폐기 경로 사이에서 전환하는 전환부
    를 구비하고,
    상기 기판 처리 방법은,
    상기 기판 처리부를 이용하여 상기 혼합액을 상기 기판에 공급하는 공급 공정과,
    상기 공급 공정에 있어서 상기 혼합액의 상기 기판에의 공급이 개시되고 나서 제1 시간이 경과하기까지의 동안, 상기 공급 공정에서 공급된 혼합액을 상기 폐기 경로를 통해 상기 저류 탱크 이외의 장소에 폐기하고, 상기 제1 시간의 경과 후로서 미리 결정된 회수율에 기초하여 결정되는 제2 시간이 경과하기까지의 동안, 상기 공급된 혼합액을 상기 회수 경로를 통해 상기 저류 탱크에 복귀시키고, 상기 제2 시간이 경과하고 나서 상기 공급 공정이 종료되기까지의 동안, 상기 공급된 혼합액을 상기 폐기 경로를 통해 상기 저류 탱크 이외의 장소에 폐기하는 회수 공정
    을 포함하는, 기판 처리 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 공급 경로는 회수되어 상기 저류 탱크에 저류되는 상기 제1 처리액의 농도 이상의 농도를 갖는 제1 처리액을 상기 저류 탱크에 보충하는 것이고,
    상기 회수율은,
    상기 저류 탱크에 저류된 제1 처리액의 농도가, 상기 혼합액을 이용한 처리에 필요한 상기 제1 처리액의 농도의 하한값으로서 설정된 농도 하한값으로 유지되는 회수율인 것인, 기판 처리 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 저류 탱크에 저류되는 제1 처리액의 초기 농도와 동일한 농도이며, 상기 저류 탱크 내의 액의 감소량과 동일량의 상기 제1 처리액을 상기 공급 경로를 통해 상기 저류 탱크에 보충하는 보충 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 제1 처리액은 황산이고,
    상기 제2 처리액은 과산화수소수인 것인, 기판 처리 방법.
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