CN110931389A - 基片处理装置和基片处理方法 - Google Patents
基片处理装置和基片处理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110931389A CN110931389A CN201910875980.2A CN201910875980A CN110931389A CN 110931389 A CN110931389 A CN 110931389A CN 201910875980 A CN201910875980 A CN 201910875980A CN 110931389 A CN110931389 A CN 110931389A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- filter
- line
- cooling
- treatment liquid
- circulation line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 109
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 68
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title abstract description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 115
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 99
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 95
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 13
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 294
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 37
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 21
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 18
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 15
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 9
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 8
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003134 recirculating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
本发明提供基片处理装置和基片处理方法。本发明的基片处理装置包括循环管线、过滤器、加热部、供给管线和冷却部。循环管线使处理液循环。过滤器设置在循环管线,用于从处理液中除去异物。加热部设置在循环管线中比过滤器靠下游侧处,用于加热处理液。供给管线在比过滤器和加热部靠下游侧处与循环管线连接,将处理液供给到基片。冷却部设置在循环管线中比过滤器、加热部以及循环管线与供给管线的连接点靠下游侧处,用于冷却处理液。本发明能够抑制在加热了处理液的情况下过滤器的除去性能降低。
Description
技术领域
本发明涉及基片处理装置和基片处理方法。
背景技术
以往,已知具有处理液的循环管线和设置于循环管线的过滤器的基片处理装置。这种基片处理装置使处理液反复通过设置于循环管线的过滤器来除去处理液所含的异物,然后将除去了异物的处理液供给到基片。
另外,可以为在循环管线设置有加热部,基片处理装置在由加热部将处理液加热之后将处理液供给到基片。
现有技术文献:
专利文献:
专利文献1:日本特开2011-035128号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供了一种能够在加热了处理液的情况下抑制过滤器的除去性能降低的技术。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个方面的基片处理装置包括循环管线、过滤器、加热部、供给管线和冷却部。循环管线使处理液循环。过滤器设置在循环管线,用于从处理液中除去异物。加热部设置在循环管线中比过滤器靠下游侧处,用于加热处理液。供给管线在比过滤器和加热部靠下游侧处与循环管线连接,将处理液供给到基片。冷却部设置在循环管线中比过滤器、加热部以及循环管线与供给管线的连接点靠下游侧处,用于冷却处理液。
发明效果
依照该发明,能够在加热了处理液的情况下抑制过滤器的除去性能降低。
附图说明
图1是表示第一实施方式的基片处理系统的结构的图。
图2是表示第一实施方式的处理单元的结构的图。
图3是表示第一实施方式的处理液供给系统的结构的图。
图4是表示冷却部的结构例的图。
图5是表示第二实施方式的处理液供给系统的结构的图。
图6是表示第三实施方式的处理液供给系统的结构的图。
图7是表示保温装置的结构例的图。
图8是表示第四实施方式的处理液供给系统的结构的图。
图9是表示第五实施方式的处理液供给系统的结构的图。
图10是表示第六实施方式的处理液供给系统的结构的图。
图11是表示过滤器冷却部的结构例的图。
图12是表示过滤器冷却部的另一结构例的图。
附图标记说明
W 晶片
1 基片处理系统
16 处理单元
18 控制部
70 处理液供给系统
101 罐
102 循环管线
103 返回管线
104 供给管线
105 补充管线
121 泵
122 过滤器
123 第一连接点
124 流量计
125 流量调节部.
126 加热部
127 第二连接点
128 开闭阀
129 冷却部。
具体实施方式
以下,参照附图,详细地说明本发明的基片处理装置和用于执行基片处理方法的方式(下文中称为“实施方式”)。应注意,本发明的基片处理装置和基片处理方法并不由该实施方式限定。另外,实施方式可以在处理内容不相矛盾的范围内适当地组合。另外,在以下各实施方式中,对相同的部位标注相同的附图标记,并且省略重复说明。
另外,在以下参照的各附图中,为了使说明易于理解,有时给出正交坐标系,其中,规定了彼此正交的X轴方向、Y轴方向和Z轴方向,并且设Z轴正方向为铅垂向上方向。此外,有时将以铅垂轴为旋转中心的旋转方向称为θ方向。
(第一实施方式)
首先,参照图1,对第一实施方式的基片处理系统的结构进行说明。图1是表示第一实施方式的基片处理系统的结构的图。
如图1所示,基片处理系统1包括输入输出站2和处理站3。输入输出站2和处理站3彼此相邻地设置。
输入输出站2包括承载器载置部11和输送部12。在载置部11载置多个承载器C,该承载器C以水平状态收纳多个基片,在本实施方式中为半导体晶片(下文中称为晶片W)。
输送部12与承载器载置部11相邻地设置,在其内部具有基片输送装置13和交接部14。基片输送装置13包括保持晶片W的晶片保持机构。此外,基片输送装置13能够在水平方向和铅垂方向上移动且绕铅垂轴转动,并且使用晶片保持机构在承载器C与交接部14之间进行晶片W的输送。
处理站3与输送部12相邻地设置。处理站3包括输送部15和多个处理单元16。多个处理单元16排列地设置在输送部15的两侧。
输送部15在内部具有基片输送装置17。基片输送装置17具有保持晶片W的晶片保持机构。此外,基片输送装置17能够在水平方向和铅垂方向上移动且绕铅垂轴转动,并且使用晶片保持机构在交接部14与处理单元16之间进行晶片W的输送。
处理单元16对由基片输送装置17输送的晶片W进行规定的基片处理。
基片处理系统1还包括控制装置4。例如,控制设备4是计算机,具有控制部18和存储部19。存储部19保存控制在基片处理系统1中执行的各种处理的程序。控制部18通过读取并执行存储于存储部19的程序来控制基片处理系统1的动作。
此外,该程序可以记录在计算机可读取的存储介质中,也可以从该存储介质安装到控制装置4的存储部19中。作为计算机可读取的存储介质,例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)和存储卡。
在如上述那样构成的基片处理系统1中,首先,输入输出站2的基片输送装置13从载置于承载器载置部11的承载器C取出晶片W,将取出的晶片W载置到交接部14。载置于交接部14的晶片W由处理站3的基片输送装置17从交接部14取出并被送入处理单元16。
被送入处理单元16的晶片W由处理单元16处理后,由基片输送装置17从处理单元16送出,载置到交接部14。然后,载置于交接部14的已处理的晶片W由基片输送装置13送回承载器载置部11的承载器C。
接下来,参照图2,对处理单元16的结构进行说明。图2是表示第一实施方式的处理单元16的结构的图。
如图2所示,处理单元16包括腔室20、基片保持机构30、供给部40和回收杯50。
腔室20收纳基片保持机构30、供给部40和回收杯50。在腔室20的顶部设置有FFU(Fan Filter Unit:风扇过滤单元)21。FFU21在腔室20内形成下降流。
基片保持机构30包括保持部31、支柱部32和驱动部33。保持部31水平地保持晶片W。支柱部32是在铅垂方向延伸的构件,根端部由驱动部33可旋转地支承,并且在前端部水平地支承保持部31。驱动部33使支柱部32绕铅垂轴旋转。该基片保持机构30使用驱动部33使支柱部32旋转以使支承于支柱部32的保持部31旋转,由此使保持于保持部31的晶片W旋转。
供给部40与处理液供给系统70连接,将来自处理液供给系统70的处理液供给到晶片W。
在第一实施方式中,处理液是IPA(异丙醇)。IPA以在处理液供给系统70中被加热的状态被供给到供给部40。处理单元16使用从处理液供给系统70供给的加热了的IPA对晶片W进行干燥处理。具体而言,处理单元16进行如下干燥处理:使用基片保持机构30使晶片W旋转,并从供给部40对旋转的晶片W供给加热了的IPA,由此晶片W进行干燥。
此外,这里虽省略了图示,但供给部40除了处理液供给系统70以外例如还连接有供给DHF(稀氢氟酸)等药液的供给系统、供给DIW(去离子水)等冲洗液的供给系统。处理单元16例如进行药液处理,然后进行冲洗处理,其中该药液处理通过对旋转的晶片W供给药液来处理晶片W,该冲洗处理通过对旋转的晶片W供给冲洗液来洗去晶片W上残余的药液。然后,处理单元16进行上述干燥处理。
回收杯50以围绕保持部31的方式配置,收集因保持部31的旋转而从晶片W飞散的处理液。在回收杯50的底部形成有排液口51,由回收杯50收集的处理液从该排液口51排出到处理单元16的外部。此外,在回收杯50的底部形成有排气口52,该排气口52用于将从FFU21供给的气体排出到处理单元16外部。
将加热了的IPA供给到供给部40的处理液供给系统70包括IPA循环管线。在循环管线除了加热IPA的加热部之外还设置有从IPA除去异物的过滤器。该处理液供给系统70使用循环管线来循环IPA,并且使用设置于循环管线的过滤器从IPA除去异物,使用设置于循环管线的加热部加热IPA(循环工序)。由过滤器除去了异物并由加热部加热了的一部分IPA从循环管线被取出而供给到供给部40(供给工序),其余部分继续在循环管线中循环。
这里,本申请的发明人发现,与常温IPA相比,对IPA进行了加热的情况下,过滤器的除去性能下降。认为这是因为过滤器的孔隙(孔的大小)由于热膨胀而增加,因此IPA所含的异物容易通过过滤器。还认为这是因为IPA所含的异物因加热而溶解到IPA中,因此容易通过过滤器。
所以,在第一实施方式的处理液供给系统70中,供给工序中被取出的IPA以外的IPA在到达过滤器之前被冷却(冷却工序)。
以下,对第一实施方式的处理液供给系统70的具体结构进行说明。图3是表示第一实施方式的处理液供给系统70的结构的图。
如图3所示,第一实施方式的处理液供给系统70包括罐101、循环管线102、返回管线103、供给管线104和补充管线105。
罐101储存IPA。循环管线102的一端和另一端与罐101连接,形成将储存于罐101中的IPA从罐101取出并再次使其返回到罐101的流路。
在循环管线102设置有泵121、过滤器122、第一连接点123、流量计124、流量调节部125、加热部126、第二连接点127、开闭阀128和冷却部129。此外,在下文中,“上游侧”和“下游侧”是假设过滤器122是循环管线102的最上游时的“上游侧”和“下游侧”。
泵121形成从罐101出发通过循环管线102后返回到罐101的IPA的循环流。过滤器122从流过循环管线102的IPA中除去异物。
第一连接点123设置在过滤器122的下游侧,与后面提到的返回线103的一端连接。流过循环管线102的IPA的一部分从第一连接点123流入返回管线103。
流量计124设置比第一连接点123靠下游侧处,测量流过循环管线102的IPA的流量。流量调节部125例如是压力调节器,设置在比流量计124靠下游侧处,用于调节流过循环管线102的IPA的流量。
加热部126设置在比流量调节部125靠下游侧处,加热流过循环管线102的IPA。例如,加热部126将流过循环管线102的IPA加热到80度。
第二连接点127设置在比加热部126靠下游侧处,与后面提到的供给管线104的一端连接。流过循环管线102的IPA的一部分从第二连接点127流入供给管线104。
开闭阀128设置在比第二连接点127靠下游侧处,用于开闭循环管线102。
冷却部129设置在比开闭阀128靠下游侧且比罐101靠上游侧处,用于冷却流过循环管线102的IPA。这里,参照图4,对冷却部129的结构例进行说明。图4是表示冷却部129的结构例的图。
如图4所示,冷却部129例如是管壳式热交换器,包括螺旋状的管129a和收纳管129a的壳体129b。管129a构成循环管线102的一部分并供IPA流通。壳体129b经由供给口129c和排出口129d连接到冷却用流体供给源200。冷却用流体供给源200将冷却用流体(例如,冷却水)供给到壳体129b。
冷却部129如上述那样构成,使用从冷却用流体供给源200经由供给口129c供给的冷却用流体来冷却流过管129a的IPA。这里,冷却部129是将IPA冷却至室温(30度以下,例如25度)的部件。用于冷却IPA的冷却用流体经由排出口129d从壳体129b被排出。
此外,与冷却部129同样,加热部126也可以是包括螺旋状的管和收纳管的壳体的管壳式热交换器。加热部126的壳体经由供给口和排出口连接到加热用流体供给源。加热用流体供给源对壳体供给加热用流体,例如加热至80度以上的温度的水。
返回管线103的一端与循环管线102中的第一连接点123连接,另一端与罐101连接。返回管线103形成使流过循环管线102的IPA从循环管线102的中途部即第一连接点123返回罐101的流路。在管线103设置有调压器等流量调节部131。
供给管线104的一端与循环管线102中的第二连接点127连接,另一端与处理单元16的供给部40(参见图2)连接。在供给管线104设置有用于开闭供给管线104的开闭阀141。
当开始进行干燥处理时,控制部18打开开闭阀141并关闭开闭阀128。由此,流过循环管线102的IPA从第二连接点127流入供给管线104,然后从供给部40供给到晶片W。
另一方面,当干燥处理结束时,控制部18关闭开闭阀141并打开开闭阀128。由此,IPA在循环管线102中循环。
在循环管线102中循环的IPA由加热部126加热。因此,假设,当在循环管线102没有设置冷却部129时,由加热部126加热了的IPA通过过滤器122。如上所述,在加热了IPA的情况下,与室温的IPA相比,过滤器的除去性能降低。因此,与对晶片W供给常温IPA的情况相比,存在来自IPA的异物大多附着到晶片W的表面的可能性。
相反,在第一实施方式的处理液供给系统70中,在循环管线102设置冷却部129,由加热部126加热了的IPA在到达过滤器122之前被冷却部129冷却。由此,由于抑制过滤器122的孔隙因热膨胀而变大,因此能够抑制因加热IPA而导致的过滤器122的除去性能的降低。另外,由于能够使通过加热而溶解到IPA中的异物沉积,因此通过这样的方式也能够抑制因加热IPA而导致的过滤器122的除去性能的降低。
冷却部129设置在比循环管线102与供给管线104的连接点即第二连接点127靠下游侧处。因此,能够防止从第二连接点127通过供给管线104而供给到晶片W的IPA被冷却部129冷却。
此外,也可以考虑采用没有设置循环管线102的比第二连接点127靠下游侧的部分这样的结构,即,使由加热部126加热了的IPA不返回到罐101的结构。然而,若采用这种结构,则当不执行干燥处理时即当开闭阀141被关闭时,加热了的IPA会停留在加热部126与开闭阀141之间。
IPA是一种有机溶剂,具有溶解并除去污垢的特性。此外,加热了的IPA相比室温下的IPA能够更强力地溶解污垢。因此,当加热了的IPA停留在循环管线102或供给管线104中时,附着于循环管线102或供给管线104内部的污垢被加热了的IPA除去。然后,当将含有这些污垢的IPA供给到晶片W时,反而可能会使得晶片W被污染。
相反,在第一实施方式的处理液供给系统70中,在循环管线102设置使加热了的IPA返回到罐101的流路部分,以使得加热了的IPA不会停留。而且,在该流路部分设置冷却部129,使加热了的IPA在到达过滤器122之前被冷却,从而抑制过滤器122的除去性能降低。
冷却部129设置在比第二连接点127靠下游侧且比罐101靠上游侧处。由此,能够抑制加热了的IPA储存在罐101中。因此,例如,能够抑制因来自罐101的热辐射对周边设备等的影响。
补充管线105的一端与罐101连接,另一端与处理液供给源151连接。在补给管线105设置用于开闭补充管线105的开闭阀152。例如,在罐101中设置有未图示的液位传感器,控制部18基于液位传感器的检测结果,判断为储存于罐101中的IPA的量低于阈值时,打开开闭阀152。由此,IPA经由补充管线105从处理液供给源151被供给到罐101。
(第二实施方式)
接下来,参照图5,对第二实施方式的处理液供给系统的结构进行说明。图5是表示第二实施方式的处理液供给系统的结构的图。
如图5中所示,除了包括第一实施方式的处理液供给系统70的结构之外,第二实施方式的处理液供给系统70A还包括温度计161。温度计161设置在开闭管线102中比开闭阀128靠下游侧且比冷却部129靠上游侧处,测量流过循环管线102的IPA的温度。基于温度计161的IPA温度的测量结果被输出到控制部18。
控制部18基于从温度计161获取的测量结果来控制加热部126,以使得由加热部126加热了的IPA的温度成为设定温度。例如,当由温度计161测量出的温度低于设定温度(例如,80度)时,控制部18利用加热部126使IPA的加热温度上升。此外,当由温度计161测量出的温度高于设定温度时,控制部18利用加热部126使IPA的加热温度降低。
如上所述,也可以为控制部18基于温度计161的测量结果来执行加热部126的反馈控制。由此,能够将供给到晶片W的IPA的温度保持为设定温度。
此外,处理液供给系统70A也可以包括用于测量冷却后的IPA的温度的温度计(以下,为了方便,记为“第二温度计”)。第二温度计设置在循环管线102中比冷却部129靠下游侧处。例如,第二温度计可以设置在比冷却部129靠下游侧且比罐101靠上游侧处。第二温度计可以设置在罐101中,测量储存在罐101中的IPA的温度。此外,第二温度计也可以设置在比罐101靠下游侧的罐101与过滤器122之间。
另外,控制部18也可以基于第二温度计的测量结果来控制冷却部129,以使得由冷却部129冷却的IPA的温度成为设定温度。例如,也可以为当由第二温度计测量出的温度高于设定温度(例如,25度)时,控制部18利用冷却部129使IPA的冷却温度降低。此外,当由第二温度计测量出的温度低于设定温度时,控制部18利用冷却部129使IPA的冷却温度上升。
(第三实施方式)
在上述的第一实施方式和第二实施方式中,已经说明了当对一个处理单元16供给IPA时的处理液供给系统的结构例。然而不限于此,处理液供给系统也可以为对多个处理单元16供给IPA的结构。因此,在第三实施方式中,参照图6,说明对多个处理单元16供给IPA的处理液供给系统的结构例。图6是表示第三实施方式的处理液供给系统的结构的图。
如图6所示,第三实施方式的处理液供给系统70B包括循环管线102B。循环管线102B包括主管线1021和多个分支管线1022。主管线1021是循环管线102B中设置有罐101、泵121、过滤器122、第一连接点123和返回管线103等的部分,具有比多个分支管线1022更大的流路直径。
多个分支管线1022在比第一连接点123靠下游侧处从主管线1021分支,并在比罐101靠上游侧处合流到主管线1021。具体而言,在主管线1021,在比第一连接点123靠下游侧处设置有多个分支点171,在比罐101靠上游侧处设置有多个合流点172。而且,各分支管线1022在上游侧的端部与主管线1021的分支点171连接,并且在下游侧的端部与主管线1021的合流点172连接。
在各分支管线1022的中途部,从上游侧到下游侧依次设置有流量计124、流量调节部125、加热部126、第二连接点127、开闭阀128和冷却部129。供给管线104与各分支管线1022的第二连接点127连接。
从罐101流出到主管线1021的IPA从分支点171流入多个分支管线1022,由设置于各分支管线1022中的加热部126加热。然后,当开闭阀141打开时,流过分支管线1022的IPA经由供给管线104被供给到处理单元16。另一方面,当开闭阀128打开时,流过分支管线1022的IPA被设置于各分支管线1022中的冷却部129冷却后,从合流点172再次流入主管线1021,然后返回到罐101。
如上所述,处理液供给系统70B也可以包括多个供给管线104。在这种情况下,处理液供给系统70B也可以具有按各分支管线1022的每一个设置冷却部129的结构。利用这种结构,例如,能够单独地冷却流过各分支管线1022的IPA。
此外,当为对多个处理单元16供给IPA的结构时,有可能在一些分支管线1022之间出现从加热部126至第二连接点127的流路长度的差异。当从加热部126至第二连接点127的流路长度出现差异时,达到第二连接点127时的IPA的温度会产生差异。因此,有可能在多个处理单元16之间,在干燥处理中发生偏差。
因此,处理液供给系统70B还可以包括保温装置,其抑制在加热部126与第二连接点127之间流动的IPA的温度降低。参照图7,对这种保温装置的结构例进行说明。图7是表示保温装置的结构例的图。
如图7所示,保温装置173包括第一配管173a、第二配管173b和第三配管173c。第一配管173a以覆盖加热部126和第二连接点127之间的分支管线1022的方式设置。
第二配管173b与第一配管173a的一端例如位于分支管线1022的下游侧的端部的连接。此外,第二配管173b与供给管211的中途部连接,该供给管211将从加热用流体供给源210供给的加热用流体供给到加热部126,该加热用流体供给源210对加热部126供给加热用流体。
第三配管173c与第一配管173a的另一端例如位于分支管线1022的上游侧的端部连接。此外,第三配管173c与排出管212的中途部连接,该排出管212使从加热部126排出的加热用流体返回到加热用流体供给源210。
在供给管211中从加热用流体供给源210流向加热部126的一部分加热用流体经由第二配管173b被供给到第一配管173a。加热用流体流过第一配管173a,由此在加热部126与第二连接点127之间的分支管线1022被加热。由此,能够抑制加热部126与第二连接点127之间的分支管线1022中的IPA的温度下降。之后,加热用流体从第一配管173a流入第三配管173c,经由排出管212返回到加热用流体供给源210。
如上所述,处理液供给系统70B也可以包括保温装置173。由此,能够抑制在多个分支管线1022之间达到第二连接点127时的IPA的温度产生差异。因此,能够抑制多个处理单元16之间的干燥处理的偏差。
尽管这里给出了将一个保温装置173与一个加热用流体供给源210连接的例子,但是也可为将多个保温装置173与加热用流体供给源210连接。此外,保温装置173不一定需要在与加热部126之间共用加热用流体供给源210,也可以具有专用加热用流体供给源。
(第四实施方式)
在第三实施方式的处理液供给系统70B中,以按各分支管线1022的每一个设置冷却部129的例子进行了说明。然而,不限于此,处理液供给系统也可以构成为对多个分支管线1022设置一个冷却部的结构。
在图8中,第四实施方式的处理液供给系统70C包括冷却部129C。冷却部129C设置在多个分支管线1022中比各第二连接点127靠下游侧处,冷却流过多个分支管线1022的处理液。具体而言,冷却部129C包括:对每个分支管线1022设置的多个螺旋状的管129aC;和一体地收纳多个管129Ca的壳体129bC。壳体129bC经由未图示的供给口和排出口连接到未图示的冷却用流体供给源。
冷却部129C如上述那样构成,能够使用从冷却用流体供给源经由供给口供给的冷却用流体来冷却流过多个管129aC的IPA。
如上所述,处理液供给系统70C也可以具有在多个分支管线1022设置共用的冷却部129C的结构。由此,能够利用比较简单的结构来抑制因加热IPA而引起的过滤器122的除去性能的下降。
(第五实施方式)
在上述的各实施方式中,对在罐101的上游侧设置冷却部的情况的例子进行了说明。但不限于此,冷却部也可以设置在比罐101靠下游侧处。
图9是表示第五实施方式的处理液供给系统的结构的图。如图9所示,第五实施方式的处理液供给系统70D包括冷却部129D。冷却部129D设置在比泵121靠下游侧的泵121与过滤器122之间。
泵121例如是波纹管泵,有可能通过泵121的IPA因由波纹管的滑动产生的热量而被加热。与此相对,依照第五实施方式的处理液供给系统70D,通过在比泵121靠下游侧处设置冷却部129D,能够抑制加热部126的加热以及泵121的加热所导致的过滤器122的除去性能的降低。
此外,处理液供给系统70D除了冷却部129D之外,例如还可以如第三实施方式的处理液供给系统70B那样,包括与多个分支管线1022对应的多个冷却部129。另外,处理液供给系统70D除了冷却部129D之外,例如还可以如第四实施方式的处理液供给系统70C那样,包括与多个分支管线1022共用的冷却部129C。
(第六实施方式)
处理液供给系统还可以包括冷却过滤器122的冷却部。图10是表示第六实施方式的处理液供给系统的结构的图。
如图10所示,第六实施方式的处理液供给系统70E,例如,除了对每个分支管线1022设置的多个冷却部129之外,还包括冷却过滤器122的过滤器冷却部174。
这里,参照图11,对过滤器冷却部174的结构例进行说明。图11是表示过滤器冷却部174的结构例的图。
如图11所示,过滤器冷却部174包括收纳过滤器122的收纳部174a。收纳部174a经由供给口174b和排放口174c连接到冷却用流体供给源220。冷却用流体供给源220将冷却用流体例如被冷却到规定温度的冷却气体,供给到收纳部174a。
过滤器冷却部174如上述那样构成,使用从冷却用流体供给源220经由供给口174b供给的冷却用流体来冷却过滤器122。用于冷却过滤器122的冷却用流体经由排出口174c从收纳部174a排出。
另外,参照图12,对过滤器冷却部174的另一结构例进行说明。图12是表示过滤器冷却部的另一结构例的图。此外,在图12中,示出了从上方观察过滤器122和过滤器冷却部174_1等的示意图。
如图12所示,过滤器冷却部174_1可以构成为包括多个翅片174_1a。例如,过滤器冷却部174_1所具有的多个翅片174_1a可以设置在固定过滤器122的金属制固定部175的、与过滤器122的安装面相反的一侧的表面上。此外,不限于此,过滤器冷却部174_1所具有的多个翅片174_1a也可以直接设置在过滤器122的外周面上。
如上所述,处理液供给系统70E可以包括过滤器冷却部174(或过滤器冷却部174_1)。通过使用过滤器冷却部174(或过滤器冷却部174_1)来直接冷却过滤器122,能够更可靠地抑制过滤器122的孔隙因热膨胀而变大。因此,能够更可靠地抑制在加热了IPA的情况下过滤器122的除去性能下降。
(变形例)
在上述的各实施方式中,对处理液供给系统包括罐101的例子进行了说明,不过处理液供给系统不一定包括罐101。这种情况下的处理液供给系统可以具有例如将补充管线105直接连接到循环管线102、102B的结构。控制部18利用流量计等测量经由供给管线104供给到处理单元16的IPA的量。然后,控制部18将开闭阀152打开一段对应于测量结果的时间,由此将等于或大于供给到处理单元16的IPA的量的IPA从补充管线105供给到循环管线102。
此外,在上述的各实施方式中,对处理液是IPA的情况下的例子进行了说明,但是处理液不限于IPA。例如,处理液可以是除IPA之外的有机溶剂,例如稀释剂,或除有机溶剂之外的药液,例如DHF或SC1等。
如上所述,实施方式的基片处理装置(例如,基片处理系统1)包括循环管线102、102B,过滤器122,加热部126,供给管线104和冷却部129、129C、129D。循环管线102、102B使处理液(作为一例,为IPA)循环。过滤器122设置在循环管线102、102B,从处理液中除去异物。加热部126设置在循环管线102、102B中比过滤器122靠下游侧处,对处理液进行加热。供给管线104在比过滤器122和加热部126靠下游侧处与循环管线102、102B连接,将处理液供给到基片(作为一例,为晶片W)。冷却部129、129C、129D设置在循环管线102、102B中比过滤器122、加热部126以及循环管线102、102B与供给管线104的连接点(作为一例,为第二连接点)靠下游侧处,冷却处理液。
如上所述,在基片处理装置中,在循环管线102、102B设置冷却部129、129C、129D,使得由加热部126加热了的处理液在到达过滤器122之前被冷却部129、129C、129D冷却。由此,由于抑制过滤器122的孔隙因热膨胀而变大,因此能够抑制因加热处理液而导致的过滤器122的除去性能的降低。
基片处理装置还可以包括储存部(作为一例,为罐101)。储存部设置在循环管线102、102B中比过滤器122、加热部126以及循环管线102、102B与供给管线104的连接点靠下游侧处,储存处理液。在这种情况下,也可以为冷却部129、129C设置在比过滤器122、加热部126以及循环管线102、102B与供给管线104的连接点靠下游侧且比储存部靠上游侧处。
因此,通过在比储存部靠上游侧处设置冷却部129、129C、129D,能够抑制将加热了的处理液储存到储存部中。因此,例如能够抑制由来自储存部的热辐射对周边设备等的影响。
此外,基片处理装置也可以包括多个供给管线104和多个冷却部129。循环管线102B也可以包括主管线1021和多个分支管线1022。主管线1021设置有储存部和过滤器122。多个分支管线1022在比过滤器122靠下游侧处从主管线1021分支并且在比储存部靠上游侧处合流到主管线1021,在中途部设有分支管线1022与供给管线104的连接点。在这种情况下,也可以为多个冷却部129中的各冷却部129在分支管线1022中设置在比分支管线1022与供给管线104的连接点(例如,第二连接点127)靠下游侧处。
如上所述,通过形成为对每个分支管线1022设置冷却部129的结构,例如,能够单独地冷却流过各分支管线1022的处理液。
另外,基片处理装置可以具有多个供给管线104。此外,循环管线102B也可以包括主管线1021和多个分支管线1022。主管线1021设置有储存部和过滤器122。多个分支管线1022在比过滤器122靠下游侧处从主管线1021分支并且在比储存部靠上游侧处合流到主管线1021,在中途部设有分支管线1022与供给管线104的连接点。在这种情况下,也可以为冷却部129C设置在比多个分支管线1022中的分支管线1022与供给管线104的各连接点靠下游侧处,冷却流过多个分支管线1022的处理液。
如此,通过形成为对多个分支管线1022设置共用的冷却部129C的结构,能够利用比较简单的结构来抑制因加热处理液而导致的过滤器122的除去性能的下降。
另外,基片处理装置还可以包括泵121。泵121设置在循环管线102B中比过滤器122、加热部126以及循环管线102B与供给管线104的连接点靠下游侧处,形成处理液的流动。在这种情况下,冷却部129D可以设置在比泵121靠下游侧的泵121与过滤器122之间。
由此,能够抑制因加热部126的加热以及泵121的加热所导致的过滤器122的除去性能的降低。
另外,基片处理装置还可具有用于冷却过滤器122的过滤器冷却部174、174_1。
由此,能够更可靠地抑制过滤器122的孔隙因热膨胀而变大。因此,能够更可靠地抑制在加热了处理液的情况下过滤器122的除去性能降低。
此外,处理液可以是有机溶剂(作为一例,为IPA)。利用基片处理装置,能够使通过加热而溶解在作为处理液的有机溶剂中的异物析出,因此能够抑制因加热处理液而导致的过滤器122的除去性能的降低。
本次公开的实施方式在所有方面都应认为是示例性的,而非限制性的。实际上,上述的实施方式能够以各种方式来具体实现。在不脱离所附的权利要求的范围及其要旨的情况下,可以以各种方式进行省略、替换或变更。
Claims (8)
1.一种基片处理装置,其特征在于,包括:
使处理液循环的循环管线;
设置于所述循环管线的从所述处理液中除去异物的过滤器,
加热部,其设置在在所述循环管线中比所述过滤器靠下游侧处,用于加热所述处理液;
供给管线,其在比所述过滤器和所述加热部靠下游侧处与所述循环管线连接,将所述处理液供给到基片;和
冷却部,其设置在所述循环管线中比所述过滤器、所述加热部以及所述循环管线与所述供给管线的连接点靠下游侧处,用于冷却所述处理液。
2.如权利要求1所述的基片处理装置,其特征在于:
还包括储存部,其设置在所述循环管线中比所述过滤器、所述加热部和所述连接点靠下游侧处,用于储存所述处理液,
所述冷却部设置在比所述过滤器、所述加热部和所述连接点靠下游侧且比所述储存部靠上游侧处。
3.如权利要求2所述的基片处理装置,其特征在于:
包括多个所述供给管线和多个所述冷却部,
所述循环管线包括:
设置有所述储存部和所述过滤器的主管线;和
多个分支管线,其在比所述过滤器靠下游侧处从所述主管线分支并且在比所述储存部靠上游侧处合流到所述主管线,在中途部设有所述连接点,
多个所述冷却部分别设置在所述分支管线中比所述连接点靠下游侧处。
4.如权利要求2所述的基片处理装置,其特征在于:
包括多个所述供给管线,
所述循环管线包括:
设置有所述储存部和所述过滤器的主管线;和
多个分支管线,其在比所述过滤器靠下游侧处从所述主管线分支并且在比所述储存部靠上游侧处合流到所述主管线,在中途部设有所述连接点,
所述冷却部设置在所述多个分支管线中比各所述连接点靠下游侧处,对流过所述多个分支管线的所述处理液进行冷却。
5.如权利要求1所述的基片处理装置,其特征在于:
还包括泵,其设置在所述循环管线中比所述过滤器、所述加热部和所述连接点靠下游侧处,用于形成所述处理液的流动,
所述冷却部设置在比所述泵靠下游侧处的所述泵与所述过滤器之间。
6.如权利要求1至5中任一项所述的基片处理装置,其特征在于,
还包括用于冷却所述过滤器的过滤器冷却部。
7.如权利要求1至5中任一项所述的基片处理装置,其特征在于:
所述处理液是有机溶剂。
8.一种基片处理方法,其特征在于,包括:
循环步骤,其使用循环管线来使处理液循环,并且使用设置于所述循环管线的过滤器从所述处理液中除去异物,使用设置于所述循环管线的加热部来加热所述处理液;
供给步骤,其从供给管线取出在所述循环步骤中除去了所述异物且被加热了的所述处理液,将所述处理液供给到基片;和
冷却步骤,其在使所述循环步骤中除去了所述异物并被加热了的所述处理液返回所述过滤器之前对该处理液进行冷却。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018176032A JP7195095B2 (ja) | 2018-09-20 | 2018-09-20 | 基板処理装置 |
JP2018-176032 | 2018-09-20 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110931389A true CN110931389A (zh) | 2020-03-27 |
Family
ID=69848776
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910875980.2A Pending CN110931389A (zh) | 2018-09-20 | 2019-09-17 | 基片处理装置和基片处理方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7195095B2 (zh) |
KR (1) | KR20200033754A (zh) |
CN (1) | CN110931389A (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022009661A1 (ja) * | 2020-07-06 | 2022-01-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
TWI799172B (zh) * | 2021-03-19 | 2023-04-11 | 日商斯庫林集團股份有限公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101013661A (zh) * | 2006-01-30 | 2007-08-08 | 大日本网目版制造株式会社 | 基板处理装置以及基板处理方法 |
JP2013045972A (ja) * | 2011-08-25 | 2013-03-04 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置、液処理方法および記憶媒体 |
JP3201496U (ja) * | 2015-09-29 | 2015-12-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
TW201606907A (zh) * | 2014-05-16 | 2016-02-16 | 東京威力科創股份有限公司 | 基板液體處理裝置、基板液體處理裝置之清洗方法及記錄媒體 |
JP2016152354A (ja) * | 2015-02-18 | 2016-08-22 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5220707B2 (ja) | 2009-07-31 | 2013-06-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法、プログラムおよびプログラム記録媒体 |
-
2018
- 2018-09-20 JP JP2018176032A patent/JP7195095B2/ja active Active
-
2019
- 2019-09-17 CN CN201910875980.2A patent/CN110931389A/zh active Pending
- 2019-09-19 KR KR1020190115267A patent/KR20200033754A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101013661A (zh) * | 2006-01-30 | 2007-08-08 | 大日本网目版制造株式会社 | 基板处理装置以及基板处理方法 |
JP2013045972A (ja) * | 2011-08-25 | 2013-03-04 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置、液処理方法および記憶媒体 |
TW201606907A (zh) * | 2014-05-16 | 2016-02-16 | 東京威力科創股份有限公司 | 基板液體處理裝置、基板液體處理裝置之清洗方法及記錄媒體 |
JP2016152354A (ja) * | 2015-02-18 | 2016-08-22 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP3201496U (ja) * | 2015-09-29 | 2015-12-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7195095B2 (ja) | 2022-12-23 |
JP2020047828A (ja) | 2020-03-26 |
KR20200033754A (ko) | 2020-03-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102513195B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
KR102591343B1 (ko) | 액처리 장치 및 액처리 방법 | |
US9004079B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
KR102469166B1 (ko) | 기판 처리 시스템 및 처리 유체 공급 방법 | |
JP6925219B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6454629B2 (ja) | 基板液処理装置 | |
US11185896B2 (en) | Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and computer-readable storage medium having substrate liquid processing program stored thereon | |
CN110931389A (zh) | 基片处理装置和基片处理方法 | |
KR20230035056A (ko) | 액 처리 장치 및 액 처리 방법 | |
JP6987244B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
US11798819B2 (en) | Liquid processing apparatus and liquid processing method | |
JP6749405B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP6440864B2 (ja) | 液処理装置 | |
WO2024095780A1 (ja) | 基板処理システムおよび基板処理方法 | |
CN115223889A (zh) | 基片处理装置和基片处理方法 | |
JP2022073574A (ja) | 基板処理システムおよび基板処理方法 | |
TW201935545A (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |