CN115223889A - 基片处理装置和基片处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括保持基片的保持部、液排出部、第一供给部、第二供给部和控制部。液排出部对保持在保持部上的基片排出处理液。第一供给部对液排出部供给处理液。第二供给部对液排出部供给水蒸气。第二供给部具有水蒸汽发生器、供给管线、稳定机构、测量供给管线中流动的水蒸汽的压力的压力计和压力调节机构。供给管线将来自水蒸汽发生器的水蒸汽供给到液排出部。稳定机构使从水蒸汽发生器向供给管线供给的水蒸汽的量稳定。压力调节机构调节供给管线中流动的水蒸汽的压力。控制部控制压力调节机构以使得由压力计测量的水蒸汽的压力成为预先设定的压力。根据本发明，能够以稳定的处理性能来处理基片。

Description

基片处理装置和基片处理方法
技术领域
本发明的实施方式涉及基片处理装置和基片处理方法。
背景技术
一直以来，已知有将形成在半导体晶片(以下，也称为晶片。)等基片上的抗蚀膜通过SPM(Sulfuric Acid Hydrogen Peroxide Mixture：硫酸-过氧化氢混合物)处理来除去的技术。该SPM处理是通过向基片上的抗蚀膜供给将硫酸和过氧化氢水溶液混合而生成的SPM液来进行的(参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2014-27245号公报。
发明内容
发明要解决的问题
本发明提供一种能够以稳定的处理性能来处理基片的技术。
用于解决问题的技术手段
本发明的一方式的基片处理装置包括保持部、液排出部、第一供给部、第二供给部和控制部。保持部保持基片。液排出部对保持在所述保持部上的所述基片排出处理液。第一供给部对所述液排出部供给处理液。第二供给部对所述液排出部供给水蒸气。控制部控制各部。此外，所述第二供给部具有水蒸汽发生器、供给管线、稳定机构、压力计和压力调节机构。水蒸汽发生器生成水蒸气。供给管线将来自所述水蒸汽发生器的水蒸汽供给到所述液排出部。稳定机构使从所述水蒸汽发生器向所述供给管线供给的水蒸汽的量稳定。压力计测量所述供给管线中流动的水蒸汽的压力。压力调节机构调节所述供给管线中流动的水蒸汽的压力。此外，所述控制部控制所述压力调节机构以使得由所述压力计测量的水蒸汽的压力成为预先设定的压力。
发明效果
依照本发明，能够以稳定的处理性能来处理基片的技术。
附图说明
图1是表示实施方式的基片处理系统的概要结构的示意图。
图2是表示实施方式的处理单元的结构例的示意图。
图3是表示实施方式的水蒸汽供给部的结构例的示意图。
图4是表示实施方式的喷嘴的结构例的剖视图。
图5是表示实施方式的基片处理的一工序的示意图。
图6是表示实施方式的基片处理的一工序的示意图。
图7是表示实施方式的基片处理系统所执行的基片处理的流程的流程图。
附图标记说明
W晶片(基片的一个例子)
1基片处理系统(基片处理装置的一个例子)
16处理单元
18控制部
31保持部
41a喷嘴(液排出部的一个例子)
44SPM液供给部(第一供给部的一个例子)
45水蒸汽供给部(第二供给部的一个例子)
48水蒸汽供给管路(供给管线的一个例子)
101水蒸汽发生器
104针形阀(压力调节机构的一个例子)
105压力计
107阀(第一开闭阀的一个例子)
110稳定机构
111第一分支管线
112背压阀
113第二分支管线
114阀(第二开闭阀的一个例子)。
具体实施方式
以下，参照附图，对本申请公开的基片处理装置和基片处理方法的实施方式详细地进行说明。此外，本发明不由以下给出的各实施方式限定。此外，需要注意，附图是示意性的图，各要素的尺寸关系、各要素的比例等有时与显示不同。而且，有时在附图彼此之间，也包含彼此的寸法关系、比例不同的部分。
一直以来，已知有将形成在半导体晶片(以下，也称为晶片。)等基片上的抗蚀膜通过SPM(Sulfuric Acid Hydrogen Peroxide Mixture：硫酸-过氧化氢混合物)处理来除去的技术。该SPM处理是通过向基片上的抗蚀膜供给将硫酸和过氧化氢水溶液混合而生成的SPM液来进行的。
另外，在现有技术中，公开了将SPM液和高温的水蒸汽排出到基片上，在高温环境下进行SPM处理，由此高效地进行SPM处理的技术。
然而，在上述的现有技术中，处理液的温度会随着水蒸气的排出流量而变化，另一方面，由于难以直接测量水蒸气的排出流量，因此难以使处理液的温度稳定。由此，在现有技术中，难以得到稳定的处理性能。
于是，人们期望一种能够克服上述问题，以稳定的处理性能处理基片的技术。
＜基片处理系统的概要＞
首先，参照图1，对实施方式的基片处理系统1的概要结构进行说明。图1是表示实施方式的基片处理系统1的概要结构的图。此外，基片处理系统1是基片处理装置的一个例子。在下文中，为了明确位置关系，规定彼此正交的X轴、Y轴和Z轴，将Z轴正向设为铅垂向上方向。
如图1所示，基片处理系统1包括送入送出站2和处理站3。送入送出站2与处理站3相邻地设置。
送入送出站2包括承载器载置部11和输送部12。在承载器载置部11载置将多个基片——在实施方式中为半导体晶片W(以下，称为晶片W。)——以水平状态收纳的多个承载器C。
输送部12与承载器载置部11相邻地设置，在内部具有基片输送装置13和交接部14。基片输送装置13包括保持晶片W的晶片保持机构。此外，基片输送装置13能够在水平方向和铅垂方向上移动并且以铅垂轴为中心转动，使用晶片保持机构在承载器C与交接部14之间进行晶片W的输送。
处理站3与输送部12相邻地设置。处理站3包括输送部15和多个处理单元16。处理单元16是基片处理部的一个例子。多个处理单元16并排地设置在输送部15的两侧。
输送部15在内部具有基片输送装置17。基片输送装置17包括保持晶片W的晶片保持机构。此外，基片输送装置17能够在水平方向和铅垂方向上移动并且以铅垂轴为中心转动，使用晶片保持机构在交接部14与处理单元16之间进行晶片W的输送。
处理单元16对由基片输送装置17输送的晶片W进行规定的基片处理。关于处理单元16的详情，在后文说明。
另外，基片处理系统1包括控制装置4。控制装置4例如是计算机，包括控制部18和存储部19。在存储部19保存控制基片处理系统1中执行的各种处理的程序。控制部18通过读取并执行存储在存储部19中的程序来控制基片处理系统1的工作。
另外，上述程序也可以记录在计算机可读取的存储介质中，从该存储介质被安装到控制装置4的存储部19。作为计算机可读取的存储介质，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
在如上述那样构成的基片处理系统1中，首先，送入送出站2的基片输送装置13从载置于承载器载置部11的承载器C取出晶片W，将所取出的晶片W载置到交接部14。载置于交接部14的晶片W由处理站3的基片输送装置17从交接部14取出，并送入处理单元16。
被送入处理单元16的晶片W由处理单元16处理后，被基片输送装置17从处理单元16送出，并载置到交接部14。然后，载置于交接部14的已处理的晶片W被基片输送装置13送回承载器载置部11的承载器C。
＜处理单元的结构＞
下面，参照图2～图4，对处理单元16的结构进行说明。图2是表示实施方式的处理单元16的结构例的示意图。如图2所示，处理单元16包括腔室20、液处理部30、液供给部40和回收杯状体50。
腔室20收纳液处理部30、液供给部40和回收杯状体50。在腔室20的顶部设置有FFU(Fan Filter Unit：风机过滤器)21。FFU21在腔室20内形成下降流(down flow)。
液处理部30包括保持部31、支柱部32和驱动部33，对所载置的晶片W实施液处理。保持部31水平地保持晶片W。支柱部32是在铅垂方向上延伸的部件，根端部由驱动部33可旋转地支承，在前端部水平地支承保持部31。驱动部33使支柱部32绕铅垂轴旋转。
上述液处理部30通过使用驱动部33使支柱部32旋转来使支承于支柱部32的保持部31旋转，由此，使保持于保持部31的晶片W旋转。
在液处理部30所具有的保持部31的上表面设置有从侧面保持晶片W的保持部件31a。晶片W由上述保持部件31a以与保持部31的上表面稍微隔开间隔的状态水平地保持。此外，晶片W以进行基片处理的表面朝向上方的状态被保持部31保持。
液供给部40对晶片W供给处理液。液供给部40包括喷嘴41a、41b、将上述喷嘴41a、41b分别水平地支承的臂42a、42b以及使臂42a、42b分别转动和升降的转动升降机构43a、43b。喷嘴41a是液排出部的一个例子。
喷嘴41a例如是条状喷嘴，通过SPM液供给管路47与SPM液供给部44连接，并且通过水蒸汽供给管路48与水蒸汽供给部45连接。SPM液供给部44是第一供给部的一个例子，水蒸汽供给部45是第二供给部的一个例子，水蒸汽供给管路48是供给管线的一个例子。
从SPM液供给部44供给的SPM液是将硫酸(H2SO4)和过氧化氢水溶液(H2O2)以规定的比例(例如，H2SO4:H2O2＝10:1)混合而生成的药液。SPM液例如用于形成在晶片W的表面上的抗蚀膜的除去处理。
SPM液供给部44具有硫酸供给源44a、阀44b、流量调节器44c、过氧化氢供给源44d、阀44e、流量调节器44f和合流部44g。
硫酸供给源44a将被保持为规定的温度(例如，120℃)的硫酸通过阀44b和流量调节器44c供给到合流部44g。流量调节器44c调节向合流部44g供给的硫酸的流量。
过氧化氢供给源44d将过氧化氢水溶液通过阀44e和流量调节器44f供给到合流部44g。流量调节器44f调节向合流部44g供给的过氧化氢水溶液的流量。此外，合流部44g与SPM液供给管路47连接。
而且，将硫酸和过氧化氢水溶液在合流部44g混合而生成的SPM液通过SPM液供给管路47被供给到喷嘴41a。此外，SPM液在将硫酸和过氧化氢水溶液混合时产生热，在到达喷嘴41a的时刻升温到比硫酸的温度高的温度(例如，140℃)。
水蒸汽供给部45对喷嘴41a供给水蒸气。图3是表示实施方式的水蒸汽供给部45的结构例的示意图。
如图3所示，水蒸汽供给部45具有水蒸汽供给管路48、水蒸汽发生器101、分支部102、过滤器103、针形阀104、压力计105、分支部106和阀107。针形阀104是压力调节机构的一个例子，阀107是第一开闭阀的一个例子。
水蒸汽发生器101例如通过使DIW气化而生成水蒸气。水蒸汽供给管路48连接在水蒸汽发生器101与喷嘴41a(参照图2)之间，将水蒸汽发生器101中生成的水蒸汽供给到喷嘴41a。
在水蒸汽供给管路48从上游侧起依次设置有分支部102、过滤器103、针形阀104、压力计105、分支部106和阀107。第一分支管线111从分支部102分支。上述第一分支管线111与排放部DR连接。此外，在第一分支管线111设置有背压阀112。
背压阀112当在水蒸汽供给管路48的分支部102中流动的水蒸汽的压力达到规定的压力(例如，0.1MPa)时调节阀开度，抑制分支部102中流动的水蒸汽的压力大于上述规定的压力。
即，在实施方式中，第一分支管线111和背压阀112作为使从水蒸汽发生器101供给到水蒸汽供给管路48的水蒸汽的量稳定的稳定机构110发挥功能。
过滤器103除去在水蒸汽供给管路48中流动的水蒸气所包含的颗粒等污染物质。针形阀104基于来自控制部18(参照图1)的控制信号，来调节阀开度。压力计105测量在水蒸汽供给管路48中流动的水蒸汽的压力。
第二分支管线113从分支部106分支。上述第二分支管线113与排放部DR连接。此外，在第二分支管线113设置有阀114。阀114是第二开闭阀的一个例子。
图4是表示实施方式的喷嘴41a的结构例的剖视图。如图4所示，在喷嘴41a的内部，例如沿喷嘴41a的长度方向并排地插通有一个SPM液供给管路47和两个水蒸汽供给管路48。
另外，在形成于喷嘴41a的下表面的排出口61与SPM液供给管路47之间连接有排出管路62，在排出口61与水蒸汽供给管路48之间连接有排出管路63。即，对喷嘴41a的排出口61通过排出管路62供给SPM液，并且通过排出管路63供给水蒸气。
而且，在实施方式的喷嘴41a中，将SPM液和水蒸气在排出口61混合，生成混合流体。即，在本发明中，SPM液和水蒸气在从喷嘴41a被排出后至到达晶片W为止的期间混合而生成混合流体。此外，排出口61沿喷嘴41a的长度方向并排地配置有多个。
由此，实施方式的喷嘴41a能够从多个排出口61向晶片W排出由SPM液和水蒸气混合而生成的混合流体。此外，在该混合流体中，利用水蒸汽使SPM液进一步升温(例如，160℃～180℃)。
因此，依照实施方式，利用SPM液已升温的混合流体对晶片W的表面进行处理，由此能够高效地除去晶片W的表面所形成的抗蚀膜。
返回图2的说明。喷嘴41b与冲洗液供给部46连接。从冲洗液供给部46供给的冲洗液例如用于冲洗处理。实施方式的冲洗液例如是过氧化氢水溶液、DIW、臭氧水和稀释氨水等。
冲洗液供给部46具有冲洗液供给源46a、阀46b和流量调节器46c。冲洗液供给源46a向喷嘴41b供给冲洗液。流量调节器46c调节通过阀46b向喷嘴41b供给的冲洗液的流量。
回收杯状体50以包围保持部31的方式配置，收集因保持部31的旋转而从晶片W飞散的处理液。在回收杯状体50的底部形成有排液口51，由回收杯状体50收集到的处理液从上述排液口51被排出到处理单元16的外部。
另外，在回收杯状体50的底部形成有将从FFU21供给的气体向处理单元16的外部排出的排气口52。
＜基片处理的详情＞
下面，参照图5和图6，对实施方式的基片处理的详情进行说明。图5是表示实施方式的基片处理的一工序的示意图。
首先，控制部18(参照图1)在晶片W(参照图2)没有由处理单元16(参照图2)处理的(进行处理前的)待机状态下，如图5所示，将阀107控制为关闭状态，并且将阀114控制为开放状态。此外，在之后的附图中，将开放状态的阀记为“O”，将关闭状态的阀记为“C”。
由此，由水蒸汽发生器101生成的水蒸气如粗虚线所示，经由分支部102、过滤器103、针形阀104、压力计105、分支部106、第二分支管线113和阀114被排出到排放部DR。
另外，在由水蒸汽发生器101生成的水蒸汽的压力比规定的压力大的情况下，背压阀112成为开放状态。由此，由水蒸汽发生器101生成的水蒸气如粗点划线所示，经由分支部102、第一分支管线111和背压阀112被排出到排放部DR。
另外，在该待机状态下，控制部18从存储部19(参照图1)读出与规定的相关关系有关的信息(以下，也称为“相关关系信息”。)。上述相关关系信息是关于从喷嘴41a(参照图2)排出的SPM液和水蒸气的混合流体的温度与由压力计105测量的水蒸汽供给管路48内的水蒸汽的压力的相关关系的信息。
该相关关系信息例如以根据从喷嘴41a排出的混合流体的温度与由压力计105测量的压力的相关关系求取的运算式的形式，存储在存储部19中。
该相关关系信息例如能够通过以下方式生成。首先，利用IR传感器等测量从喷嘴41a排出SPM液和水蒸气的混合流体时的混合流体的温度。
另外，在上述混合流体的温度测量处理中，也可以持续一定时间以上排出混合流体，将喷嘴41a充分地升温而使混合流体的温度达到恒定时的温度作为测量值使用。
接着，将测量出的混合流体的温度与测量上述温度时由压力计105测量出的水蒸汽的压力的关系在X-Y平面上绘制图表。然后，基于该X-Y平面上的多个图表导出运算式，将所导出的运算式作为相关关系信息存储在存储部19中。
另外，实施方式的相关关系信息不限于运算式，例如也可以为记录有从喷嘴41a排出的混合流体的温度与由压力计105测量的水蒸汽的压力的相关关系的表格。
另外，控制部18从至此说明的相关关系信息和与接着要处理的预定的晶片W的处理有关的方案信息，读出与混合流体的所希望的排出温度有关的信息(以下，也称为“排出温度信息”。)。
然后，控制部18将上述排出温度信息作为输入参数，参照相关关系信息，由此导入与排出温度信息对应的压力计105的压力值。进而，控制部18将所导出的压力值设定为水蒸汽供给管路48内的水蒸汽的压力值。
如至此所说明的那样，在实施方式中，控制部18基于预先存储于存储部19的相关关系信息和方案信息中包含的排出温度信息，设定水蒸汽供给管路48内的水蒸汽的压力值。
接着，控制部18将接着要处理的晶片W输送到处理单元16内，由保持部31(参照图2)保持。此外，控制部18将喷嘴41a配置在晶片W的上方。
然后，控制部18如图6所示，将阀107控制为开放状态，并且将阀114控制为关闭状态。像这样，由水蒸汽发生器101生成的水蒸气如粗虚线所示，经由分支部102、过滤器103、针形阀104、压力计105、分支部106和阀107被供给到喷嘴41a。
另外，控制部18与对喷嘴41a供给水蒸气的处理并行地控制SPM液供给部44(参照图2)，对喷嘴41a供给SPM液。由此，控制部18能够从喷嘴41a将SPM液和水蒸气的混合流体排出到晶片W。
此处，在实施方式中，控制部18与对晶片W的混合流体的排出处理并行地对针形阀104的阀开度进行反馈控制，以使得由压力计105测量的压力值成为上述设定的压力值。
由此，由于能够将水蒸汽供给管路48内保持为与所希望的排出温度对应的压力值，因此能够将从喷嘴41a排出的混合流体的排出温度控制成方案信息中包含的所希望的排出温度。因此，依照实施方式，能够以稳定的处理性能处理晶片W。
另外，在实施方式中，也可以在用于进行水蒸汽供给管路48内的压力的反馈控制的针形阀104和压力计105的上游侧，设置使水蒸汽的压力稳定的稳定机构110。
由此，能够稳定地实施由针形阀104和压力计105进行的反馈控制。因此，依照实施方式，能够以更稳定的处理性能处理晶片W。
另外，在实施方式中，也可以为稳定机构110由第一分支管线111和背压阀112构成。由此，能够利用简单的结构使水蒸汽供给管路48内的水蒸汽的压力稳定，因此能够降低基片处理系统1的制造成本。
另外，在实施方式中，也可以为控制部18使用作为运算式的相关关系信息来设定水蒸汽供给管路48内的水蒸汽的压力值。由此，由于能够通过简单的处理来设定水蒸汽供给管路48内的水蒸汽的压力值，因此能够降低控制部18的处理负荷。
另外，在实施方式中，在图5所示的待机状态下，也可以不仅使阀107成为关闭状态，而使用第二分支管线113和阀114，在待机状态下也使水蒸气持续地流过过滤器103、针形阀104。
由此，能够以与排出处理时同样的温度持续加热过滤器103、针形阀104，因此能够稳定地实施上述的反馈控制。因此，依照实施方式，能够以更稳定的处理性能处理晶片W。
另外，在实施方式中，也可以利用将从水蒸汽供给部45供给的水蒸气与SPM液混合得到的混合流体处理晶片W。即，在实施方式中，混合有水蒸气的基片处理用的处理液也可以是SPM液。由此，能够良好地除去形成在晶片W上的抗蚀剂、残留在晶片W上的CMP(化学机械研磨)处理时的浆料。
另外，实施方式的处理液不限于SPM液，例如也可以为SC-1(NH4OH与H2O2的混合水溶液)、SC-2(HCl与H2O2的混合水溶液)、DHF(稀氢氟酸)等。
另外，实施方式的相关关系信息可以将每个处理单元16的单独的相关关系信息存储在存储部19中，也可以将设置于基片处理系统1的多个处理单元16中共用的相关关系信息存储在存储部19中。
实施方式的基片处理装置(基片处理系统1)包括保持部31、液排出部(喷嘴41a)、第一供给部(SPM液供给部44)、第二供给部(水蒸汽供给部45)和控制部18。保持部31保持基片(晶片W)。液排出部(喷嘴41a)对保持在保持部31的基片(晶片W)排出处理液。第一供给部(SPM液供给部44)对液排出部(喷嘴41a)排出处理液。第二供给部(水蒸汽供给部45)对液排出部(喷嘴41a)供给水蒸气。控制部18控制各部。此外，第二供给部(水蒸汽供给部45)具有水蒸汽发生器101、供给管线(水蒸汽供给管路48)、稳定机构110、压力计105和压力调节机构(针形阀104)。水蒸汽发生器101生成水蒸气。供给管线(水蒸汽供给管路48)将来自水蒸汽发生器101的水蒸汽供给到液排出部(喷嘴41a)。稳定机构110使从水蒸汽发生器101供给到供给管线(水蒸汽供给管路48)的水蒸汽的量稳定。压力计105测量供给管线(水蒸汽供给管路48)中流动的水蒸汽的压力。压力调节机构(针形阀104)调节供给管线(水蒸汽供给管路48)中流动的水蒸汽的压力。此外，控制部18控制压力调节机构(针形阀104)以使得由压力计105测量的水蒸汽的压力成为预先设定的压力。由此，能够以稳定的处理性能来处理晶片W。
另外，在实施方式的基片处理装置(基片处理系统1)中，控制部18基于从液排出部(喷嘴41a)排出的处理液和水蒸气的混合流体的温度与水蒸汽的压力的相关关系，求取预先设定的压力。由此，能够高精度地控制从喷嘴41a排出的混合流体的排出温度。
另外，在实施方式的基片处理装置(基片处理系统1)中，控制部18基于根据相关关系求取的运算式，计算预先设定的压力。由此，能够降低控制部18的处理负荷。
另外，在实施方式的基片处理装置(基片处理系统1)中，稳定机构110具有从供给管线(水蒸汽供给管路48)分支的第一分支管线111和设置在第一分支管线111的背压阀112。由此，能够降低基片处理系统1的制造成本。
另外，在实施方式的基片处理装置(基片处理系统1)中，第二供给部(水蒸汽供给部45)还具有第一开闭阀(阀107)、第二分支管线113和第二开闭阀(阀114)。第一开闭阀(阀107)在供给管线(水蒸汽供给管路48)中设置在比压力计105靠下游侧。第二分支管线113从供给管线(水蒸汽供给管路48)中的压力计105与第一开闭阀(阀107)之间分支。第二开闭阀(阀114)设置在第二分支管线113。此外，控制部18在不对液排出部(喷嘴41a)供给水蒸气的情况下，将第一开闭阀(阀107)关闭并且将第二开闭阀(阀114)打开。由此，能够以更稳定的处理性能来处理晶片W。
另外，在实施方式的基片处理装置(基片处理系统1)中，处理液为硫酸与过氧化氢的混合液(SPM液)。由此，能够良好地除去形成在晶片W的抗蚀剂、残留在晶片W的CMP处理时的浆料。
＜基片处理的流程＞
下面，参照图7，对实施方式和各种变形例的基片处理的流程进行说明。图7是表示实施方式的基片处理系统1所执行的基片处理的流程的流程图。
首先，控制部18控制处理单元16等，进行用保持部31保持晶片W的保持处理(步骤S101)。然后，控制部18基于预先存储于存储部19的相关关系信息和接着要处理的晶片W的方案信息中包含的排出温度信息，进行设定水蒸汽供给管路48内的水蒸汽的压力的压力设定处理(步骤S102)。
另外，在图7的例子中，示出了在晶片W的保持处理(步骤S101)后实施压力设定处理(步骤S102)的例子，但本发明不限于上述例子，可以在保持处理前实施压力设定处理，也可以并行地进行这两个处理。
接着，控制部18控制SPM液供给部44和水蒸汽供给部45，进行从喷嘴41a将SPM液和水蒸气的混合流体排出到晶片W的混合流体排出处理(步骤S103)。
另外，控制部18与上述步骤S103的处理并行地进行对针形阀104的阀开度进行反馈控制的压力控制，以使得由压力计105测量的压力值成为在前一压力设定处理中设定的压力值(步骤S104)。
接着，控制部18控制冲洗液供给部46等，实施利用冲洗液的晶片W的冲洗处理(步骤S105)。然后，控制部18控制处理单元16，实施晶片W的干燥处理(例如，旋转干燥)(步骤S106)，一连串基片处理完成。
实施方式的基片处理方法在上述的基片处理装置(基片处理系统1)中包括压力设定工序(步骤S102)和压力控制工序(步骤S104)。压力设定工序(步骤S102)基于所希望的排出温度来设定供给管线(水蒸汽供给管路48)内的水蒸汽的压力。压力控制工序(步骤S104)控制压力调节机构(针形阀104)以使得由压力计105测量的水蒸汽的压力成为在压力设定工序(步骤S102)中设定的压力。由此，能够以稳定的处理性能处理晶片W。
以上，对本发明的实施方式进行了说明，但本发明并不限定于上述的实施方式，只要不脱离其主旨就能够进行各种改变。例如，在上述的实施方式中，给出了在利用混合流体的基片处理后实施冲洗处理和干燥处理的例子，但也可以在SPM处理与冲洗处理之间实施清洗处理等。上述清洗处理例如能够通过将SC-1排出到晶片W的表面来实施。
另外，上述的在实施方式中，给出了作为干燥处理实施旋转干燥的例子，但也可以在将干燥液(例如，IPA(异丙醇))排出到晶片W的表面后实施旋转干燥。
应当认为，本次公开的实施方式在所有方面均是例示而并非限定性的。实际上，上述的实施方式能够以各种各样的方式实现。此外，上述的实施方式在不脱离本发明技术方案及其主旨的情况下，能够以各种方式省略、替换、改变。

Claims (7)

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
保持基片的保持部；
对保持在所述保持部上的所述基片排出处理液的液排出部；
对所述液排出部供给处理液的第一供给部；
对所述液排出部供给水蒸气的第二供给部；和
控制各部的控制部，
所述第二供给部具有：
生成水蒸气的水蒸汽发生器；
将来自所述水蒸汽发生器的水蒸汽供给到所述液排出部的供给管线；
使从所述水蒸汽发生器向所述供给管线供给的水蒸汽的量稳定的稳定机构；
测量所述供给管线中流动的水蒸汽的压力的压力计；和
调节所述供给管线中流动的水蒸汽的压力的压力调节机构，
所述控制部控制所述压力调节机构以使得由所述压力计测量的水蒸汽的压力成为预先设定的压力。
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述控制部基于从所述液排出部排出的所述处理液和水蒸气的混合流体的温度与水蒸汽的压力的相关关系，求取所述预先设定的压力。
3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述控制部基于根据所述相关关系求取的运算式来计算所述预先设定的压力。
4.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述稳定机构具有：
从所述供给管线分支的第一分支管线；和
设置在所述第一分支管线的背压阀。
5.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述第二供给部还具有：
在所述供给管线中设置在比所述压力计靠下游侧的第一开闭阀；
从所述供给管线中的所述压力计与所述第一开闭阀之间分支的第二分支管线；和
设置在所述第二分支管线的第二开闭阀，
所述控制部在不对所述液排出部供给水蒸气的情况下，将所述第一开闭阀关闭并且将所述第二开闭阀开放。
6.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述处理液为硫酸和过氧化氢的混合液。
7.一种基片处理方法，其在基片处理装置中执行，其特征在于：
所述基片处理装置包括：
保持基片的保持部；
对保持在所述保持部上的所述基片排出处理液的液排出部；
对所述液排出部供给处理液的第一供给部；和
对所述液排出部供给水蒸气的第二供给部，
所述第二供给部具有：
生成水蒸气的水蒸汽发生器；
将来自所述水蒸汽发生器的水蒸汽供给到所述液排出部的供给管线；
使从所述水蒸汽发生器向所述供给管线供给的水蒸汽的量稳定的稳定机构；
测量所述供给管线中流动的水蒸汽的压力的压力计；和
调节所述供给管线中流动的水蒸汽的压力的压力调节机构，
所述基片处理方法包括：
压力设定工序，其基于所希望的排出温度来设定所述供给管线内的水蒸汽的压力；和
压力控制工序，其控制所述压力调节机构以使得由所述压力计测量的水蒸汽的压力成为在所述压力设定工序中设定的压力。
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