JP2016115822A - 基板液処理装置および基板液処理方法 - Google Patents

基板液処理装置および基板液処理方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2016115822A
JP2016115822A JP2014253621A JP2014253621A JP2016115822A JP 2016115822 A JP2016115822 A JP 2016115822A JP 2014253621 A JP2014253621 A JP 2014253621A JP 2014253621 A JP2014253621 A JP 2014253621A JP 2016115822 A JP2016115822 A JP 2016115822A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
container
partition member
liquid
processing apparatus
tank
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014253621A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6270707B2 (ja
Inventor
慎一 梅野
Shinichi Umeno
慎一 梅野
尊三 佐藤
Takazo Sato
尊三 佐藤
幸二 田中
Koji Tanaka
幸二 田中
洋司 小宮
Yoji Komiya
洋司 小宮
康弘 ▲高▼木
康弘 ▲高▼木
Yasuhiro Takagi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2014253621A priority Critical patent/JP6270707B2/ja
Publication of JP2016115822A publication Critical patent/JP2016115822A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6270707B2 publication Critical patent/JP6270707B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Weting (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

【課題】容器内の処理液の濃度が安定するまでの時間を短くする。【解決手段】容器102と、循環ライン104と、仕切部材130とを備える。容器は、少なくとも2種類の液体を含んでなる処理液を貯留可能である。循環ラインは、容器に貯留された処理液を取り出して容器へ戻す。仕切部材は、容器の側壁との間に隙間をあけて配置され、容器内を上下に仕切る。また、循環ラインは、容器内の処理液を取り出す取り出し口141が仕切部材の下方に配置され、取り出し口から取り出した処理液を仕切部材へ向けて吐出する戻し口142が仕切部材の上方に配置される。【選択図】図3

Description

開示の実施形態は、基板液処理装置および基板液処理方法に関する。
従来、半導体デバイスの製造工程においては、半導体ウェハやガラス基板等の基板に対してエッチング液や洗浄液などの処理液を供給することによって基板を処理する液処理が行われる。
液処理を行う処理ユニットに対して処理液を供給するための処理液供給系は、たとえば、処理液を貯留する容器と、容器内の処理液を循環させる循環ラインと、循環ラインから分岐して処理ユニットに接続される分岐ラインとを含んで構成される。
かかる処理液供給系においては、処理液を循環させているうちに処理液の濃度が低下する場合がある。そこで、処理液供給系では、処理液の原液を容器に供給することによって容器内の処理液の濃度を調整する処理が行われる場合がある(特許文献1参照)。
特開2007−109738号公報
しかしながら、容器内の処理液と異なる濃度の処理液を容器に供給すると、容器内の処理液の濃度が変動するため、容器内の処理液の濃度が安定するまでにある程度の時間が必要となる。容器内の処理液の濃度が安定するまでに長い時間がかかってしまうと、たとえば、その間、基板に処理液を供給することができず、液処理の実行を中断しなければならないため、スループットが低下するなどの問題が生じるおそれがある。
なお、上述した課題は、容器内の処理液の濃度を調整する場合に限らず、たとえば、容器に新たな処理液を追加補充する場合にも同様に生じ得る課題である。
実施形態の一態様は、容器内の処理液の濃度が安定するまでの時間を短くすることができる基板液処理装置および基板液処理方法を提供することを目的とする。
実施形態の一態様に係る基板液処理装置は、容器と、循環ラインと、仕切部材とを備える。容器は、少なくとも2種類の液体を含んでなる処理液を貯留可能である。循環ラインは、容器に貯留された処理液を取り出して容器へ戻す。仕切部材は、容器の側壁との間に隙間をあけて配置され、容器内を上下に仕切る。また、循環ラインは、容器内の処理液を取り出す取り出し口が仕切部材の下方に配置され、取り出し口から取り出した処理液を仕切部材へ向けて吐出する戻し口が仕切部材の上方に配置される。
実施形態の一態様によれば、容器内の処理液の濃度が安定するまでの時間を短くすることができる。
図1は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。 図2は、第1の実施形態に係る処理液供給系の概略構成を示す図である。 図3は、第1の実施形態に係る処理液供給系の構成を示す図である。 図4は、タンクの模式平断面図である。 図5は、タンクの模式側断面図である。 図6は、比較対象となる処理液供給系の概略構成を示す図である。 図7は、第1の実施形態に係る処理液供給系と図6に示す処理液供給系との攪拌性能の比較結果を示す図である。 図8は、第2の実施形態に係る処理液供給系の構成を示す図である。
(第1の実施形態)
以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板液処理装置および基板液処理方法の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
図1は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする。
図1に示すように、基板処理システム1は、搬入出ステーション2と、処理ステーション3とを備える。搬入出ステーション2と処理ステーション3とは隣接して設けられる。
搬入出ステーション2は、キャリア載置部11と、搬送部12とを備える。キャリア載置部11には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウェハ(以下ウェハW)を水平状態で収容する複数のキャリアCが載置される。
搬送部12は、キャリア載置部11に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置13と、受渡部14とを備える。基板搬送装置13は、ウェハWを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置13は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアCと受渡部14との間でウェハWの搬送を行う。
処理ステーション3は、搬送部12に隣接して設けられる。処理ステーション3は、搬送部15と、複数の処理ユニット16とを備える。複数の処理ユニット16は、搬送部15の両側に並べて設けられる。
搬送部15は、内部に基板搬送装置17を備える。基板搬送装置17は、ウェハWを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置17は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部14と処理ユニット16との間でウェハWの搬送を行う。
処理ユニット16は、基板搬送装置17によって搬送されるウェハWに対して所定の基板処理を行う。
また、基板処理システム1は、制御装置4を備える。制御装置4は、たとえばコンピュータであり、制御部18と記憶部19とを備える。記憶部19には、基板処理システム1において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部18は、記憶部19に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム1の動作を制御する。
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置4の記憶部19にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルディスク(MO)、メモリカードなどがある。
上記のように構成された基板処理システム1では、まず、搬入出ステーション2の基板搬送装置13が、キャリア載置部11に載置されたキャリアCからウェハWを取り出し、取り出したウェハWを受渡部14に載置する。受渡部14に載置されたウェハWは、処理ステーション3の基板搬送装置17によって受渡部14から取り出されて、処理ユニット16へ搬入される。
処理ユニット16へ搬入されたウェハWは、処理ユニット16によって処理された後、基板搬送装置17によって処理ユニット16から搬出されて、受渡部14に載置される。そして、受渡部14に載置された処理済のウェハWは、基板搬送装置13によってキャリア載置部11のキャリアCへ戻される。
次に、基板処理システム1が備える処理液供給系の概略構成について図2を参照して説明する。図2は、第1の実施形態に係る処理液供給系の概略構成を示す図である。
図2に示すように、基板処理システム1が備える処理液供給系は、複数の処理ユニット16に処理液を供給する処理流体供給源70を有している。
処理流体供給源70は、処理液を貯留するタンク102と、タンク102から出てタンク102に戻る循環ライン104とを有している。循環ライン104にはポンプ106が設けられている。ポンプ106は、タンク102から出て循環ライン104を通りタンク102に戻る循環流を形成する。ポンプ106の下流側において循環ライン104には、処理液に含まれるパーティクル等の汚染物質を除去するフィルタ108が設けられている。必要に応じて、循環ライン104に補機類(例えばヒータ等)をさらに設けてもよい。
循環ライン104に設定された接続領域110に、1つまたは複数の分岐ライン112が接続されている。各分岐ライン112は、循環ライン104を流れる処理液を対応する処理ユニット16に供給する。各分岐ライン112には、必要に応じて、流量制御弁等の流量調整機構、フィルタ等を設けることができる。
基板処理システム1は、タンク102に、処理液または処理液構成成分を補充するタンク液補充部116を有している。タンク102には、タンク102内の処理液を廃棄するためのドレン部118が設けられている。
次に、上述した処理液供給系(以下、「処理液供給系100」と記載する)の構成について図3を参照してより詳細に説明する。図3は、第1の実施形態に係る処理液供給系100の構成を示す図である。
図3に示すように、処理液供給系100において、タンク液補充部116は、継ぎ足しライン160と、濃度補正ライン170とを備える。
継ぎ足しライン160は、処理ユニット16へ供給される処理液の濃度として適切な濃度に希釈された新たな処理液をタンク102へ供給するラインであり、バルブ161を介して新規処理液供給源162に接続される。なお、新規処理液供給源162は、たとえば処理液の原液を供給する原液供給源と、DIW(純水)等の希釈液を供給する希釈液供給源とを含んで構成されてもよい。
濃度補正ライン170は、処理液の原液をタンク102へ供給するラインであり、バルブ171を介して原液供給源172に接続される。なお、濃度補正ライン170は、新規処理液供給源162の原液供給源に接続されてもよい。
また、処理液供給系100は、液面センサS0〜S2を備える。液面センサS0〜S2は、たとえばタンク102の側方に配置され、タンク102内の処理液の液面を検知する。液面センサS0は、タンク102内の処理液が空になったことを検知するためのセンサであり、タンク102の底部近傍に配置される。液面センサS1(下限液面検知部の一例に相当)は、タンク102内における下限液面を検知するためのセンサであり、液面センサS0および後述する仕切部材130よりも上方に配置される。液面センサS2(上限液面検知部の一例に相当)は、タンク102内における上限液面を検知するためのセンサであり、液面センサS1よりも上方に配置される。液面センサS0〜S2による検知結果は、制御部18へ出力される。
液面センサS1がタンク102内における下限液面を検知した場合、制御部18は、バルブ161を開放することによって、継ぎ足しライン160からタンク102へ新たな処理液を供給する。これにより、タンク102内に処理液が継ぎ足される。その後、液面センサS2がタンク102内における上限液面を検知すると、制御部18は、バルブ161を閉じることによって、継ぎ足しライン160からタンク102へ処理液の供給を停止する。
また、処理液供給系100は、濃度センサS3を備える。濃度センサS3は、循環ライン104に設けられており、循環ライン104を流れる処理液の濃度を検知する。濃度センサS3による検知結果は、制御部18へ出力される。
制御部18は、濃度センサS3の検知結果に基づき、循環ライン104を流れる処理液の濃度が所定の濃度を下回ったと判定すると、処理ユニット16による基板処理を中断させた後、バルブ171を所定時間開放することにより、濃度補正ライン170からタンク102へ処理液の原液を所定量供給する。これにより、タンク102内の処理液の濃度が上昇して適切な濃度に調整される。その後、制御部18は、濃度センサS3の検知結果に基づき、循環ライン104を流れる処理液の濃度が所定の濃度に達したと判定すると、処理ユニット16による基板処理を再開させる。
第1の実施形態に係る処理液供給系100は、タンク102内を上下に仕切る仕切部材130を備える。仕切部材130は、タンク102の側壁との間に所定の隙間をあけて配置される。
そして、第1の実施形態に係る処理液供給系100では、タンク102内の処理液を取り出す循環ライン104の取り出し口141が、仕切部材130の下方に配置され、取り出し口141から取り出した処理液を仕切部材130へ向けて吐出する循環ライン104の戻し口142が、仕切部材130の上方に配置される。
仕切部材130の上方に循環ライン104の戻し口142を配置することで、仕切部材130の上方には、戻し口142から流出する処理液の流れによって処理液の対流が生じる。タンク102内の処理液はこの対流によって常に攪拌されるため、継ぎ足しライン160や濃度補正ライン170からタンク102内の処理液とは異なる濃度の処理液が供給された場合であっても、タンク102内の処理液の濃度を早期に安定させることができる。これにより、処理ユニット16の中断時間を短縮することができるため、スループットを向上させることができる。
継ぎ足しライン160や濃度補正ライン170からは、タンク102内の既存の処理液と異なる温度の処理液が供給される場合もあるが、第1の実施形態に係る基板処理システム1によれば、処理液の濃度と同様に、処理液の温度も早期に安定させることができる。
なお、循環ライン104の戻し口142は、戻し口142から流出する処理液の流れが仕切部材130に到達し且つタンク102内に処理液の対流が形成される程度に仕切部材130に接近させて配置される。戻し口142の具体的な配置については、後述する。
仕切部材130の上方で攪拌された処理液は、仕切部材130とタンク102の側壁との間の隙間を通って仕切部材130の下方へ移動して、仕切部材130の下方に配置された取り出し口141から循環ライン104へ流入する。
このように、第1の実施形態に係る基板処理システム1では、循環ライン104の取り出し口141が仕切部材130の下方に配置されるため、継ぎ足しライン160や濃度補正ライン170から供給された処理液が取り出し口141に直接流入することを防止することができる。
なお、図3に示すように、ドレン部118は、循環ライン104における取り出し口141よりも下流側かつポンプ106よりも上流側の位置に接続される。ドレン部118には、バルブ181が設けられる。
次に、タンク102の内部構成について図4および図5を参照して具体的に説明する。図4は、タンク102の模式平断面図である。また、図5は、タンク102の模式側断面図である。なお、図4では、図5に示す固定部材180を省略して示している。
図4に示すように、タンク102は、円筒形状を有する。タンク102を円筒形状とすることで、角形のタンクと比較してタンク102内に処理液のよどみが生じにくくなるため、さらに処理液を効率良く攪拌することができる。したがって、タンク102内の処理液の濃度が安定するまでの時間をさらに短縮することが可能である。
なお、タンク102内によどみを生じさせにくくするためには、タンク102を平面視において真円形状とすることが好ましいが、タンク102は、平面視において楕円形状であってもよい。
また、図4に示すように、循環ライン104の戻し口142は、平面視においてタンク102の中央部に配置される。このように、対流の起点となる循環ライン104の戻し口142を平面視におけるタンク102の中央部に配置することで、処理液の対流に偏りが生じにくくなる。したがって、処理液の攪拌性を向上させることができる。
また、図4に示すように、継ぎ足しライン160の供給口163は、平面視において循環ライン104の戻し口142の近傍に配置される。このように、対流の起点となるタンク102の中央部に継ぎ足しライン160の供給口163を配置することで、継ぎ足しライン160から供給される処理液を対流に乗せやすくなる。したがって、タンク102内の処理液の濃度が安定するまでの時間をさらに短縮することが可能である。また、継ぎ足しライン160から供給される処理液の流れによって対流が阻害されることを防止することもできる。
なお、循環ライン104と継ぎ足しライン160とを比較した場合、タンク102に対して処理液を常に供給し続ける循環ライン104の方が、継ぎ足しライン160よりも対流形成への寄与度は大きい。このため、対流形成への寄与度がより大きい循環ライン104の戻し口142をタンク102の中心により近い位置に配置することが好ましい。言い換えれば、循環ライン104と比べて対流形成への寄与度が小さい継ぎ足しライン160の供給口163は、循環ライン104の戻し口142よりもタンク102の中心から離れた場所に配置されることが好ましい。
濃度補正ライン170から供給される処理液の原液の流量は、循環ライン104や継ぎ足しライン160から供給される処理液の流量と比較して僅かである。このため、濃度補正ライン170から供給される処理液の原液が、タンク102内の対流に与える影響は、循環ライン104や継ぎ足しライン160と比較して小さい。このため、濃度補正ライン170の供給口173は、タンク102の中央部ではなく、タンク102の側壁121の近傍に配置することとしてもよい。
なお、濃度補正ライン170は、タンク102の側壁121に沿って処理液の原液を供給する。このようにすることで、原液の液はねを防止することができる。また、濃度補正ライン170の供給口173は、図3に示すように、液面センサS2よりも上方に、言い換えれば、タンク102内の処理液に浸漬されない位置に配置される。これにより、処理液の原液がタンク102内に漏れ出にくくすることができる。
図5に示すように、循環ライン104の戻し口142および継ぎ足しライン160の供給口163は、液面センサS1よりも下方に、言い換えれば、タンク102内における下限液面よりも下方に配置される。このように、循環ライン104の戻し口142および継ぎ足しライン160の供給口163は、タンク102内における下限液面よりも下方に配置されるため、タンク102内の処理液に常に浸漬される。したがって、戻し口142および供給口163からタンク102に処理液を供給する際に、タンク102内の処理液に気泡が混入して処理液が泡立つことを防止することができる。また、気泡によってタンク102内の対流が阻害されることを防止することもできる。なお、循環ライン104の戻し口142および継ぎ足しライン160の供給口163は、液面センサS0よりも上方に配置される。
タンク102の側壁121と仕切部材130との間の隙間は、仕切部材130の全周にわたって形成される。これにより、タンク102の側壁121と仕切部材130との間に処理液のよどみを生じにくくすることができる。
タンク102の側壁121と仕切部材130との間には、仕切部材130の全周にわたって大きさが均等な隙間が設けられる。具体的には、仕切部材130は、平面視においてタンク102と同じ円形状を有しており、かかる仕切部材130をタンク102の中央に配置することで、タンク102の側壁121と仕切部材130との間の隙間を仕切部材130の全周にわたって均等にすることができる。このように、タンク102の側壁121と仕切部材130との間の隙間を仕切部材130の全周にわたって均等にすることで、タンク102内に処理液のよどみを生じさせにくくすることができる。言い換えれば、タンク102内の処理液をより均一に攪拌することができる。
タンク102の側壁121と仕切部材130との間の隙間の開口面積D1は、図5に示すように、循環ライン104の取り出し口141の開口面積D2以上である。また、タンク102の底面122と仕切部材130との間の隙間の開口面積D3も、循環ライン104の取り出し口141の開口面積D2以上である。これにより、仕切部材130による圧力損失の増加を極力抑えることができる。
仕切部材130は、固定部180によってタンク102の底面122から離隔した状態で固定される。したがって、固定部180を変更することにより、タンク102の底面122と仕切部材130との間の隙間の最小値D3を容易に調節することが可能である。
仕切部材130は、図5に示すように、傘型の形状を有している。具体的には、仕切部材130の上面131は、中央部から周縁部に向かうにつれて高さが低くなる形状を有する。これにより、たとえば、タンク102内の全ての処理液をドレン部118から排出する場合に、仕切部材130の上面131に処理液が残存することを抑制することができる。
なお、タンク102の底面122は、中央部に向かって下り勾配となっており、循環ライン104の取り出し口141は、底面122の中央部に配置されている。したがって、タンク102内の処理液を効率良く取り出し口141へ流入させることが可能である。
また、仕切部材130は、中央部に貫通孔133を備える。かかる貫通孔133は、空気抜き用の孔であり、空のタンク102に処理液を供給する場合に、仕切部材130の下面132に溜まった空気を抜くことができる。
なお、貫通孔133は、循環ライン104の取り出し口141よりも小径に形成される。具体的には、貫通孔133の開口面積D4は、取り出し口141の開口面積D2よりも小さく形成される。したがって、循環ライン104の戻し口142や継ぎ足しライン160の供給口163から供給される処理液が貫通孔133を通って循環ライン104の取り出し口141に直接流入することを抑制することができる。
また、仕切部材130の下面132は、中央部から周縁部に向かうにつれて高さが低くなる形状を有する。これにより、仕切部材130の下面132に溜まった空気を仕切部材130の中央部に集めて貫通孔133から効率的に抜くことができる。
次に、上述した第1の実施形態に係る処理液供給系100が有する処理液の攪拌性能について図6および図7を参照して説明する。図6は、比較対象となる処理液供給系300の概略構成を示す図である。また、図7は、第1の実施形態に係る処理液供給系100と図6に示す処理液供給系300との攪拌性能の比較結果を示す図である。
なお、図7には、純水が貯留されたタンクに対して所定濃度の処理液を所定量供給した場合における処理液の濃度の時間変化を示している。図7では、第1の実施形態に係る処理液供給系100についての実験結果を実線で、比較対象となる処理液供給系300についての実験結果を破線で示している。
図6に示すように、従来の処理液供給系300は、角形のタンク301と、循環ライン302とを備える。循環ライン302の取り出し口321は、タンク301の側壁に設けられる。また、循環ライン302の戻し口322は、取り出し口321の近傍に配置される。なお、処理液供給系300におけるタンク301の容量および循環流量は、本実施形態におけるタンク102の容量および循環流量と同一である。また、本実験では、所定濃度の処理液を循環ライン104,302を介してタンク102,301へ投入した。
図7に示すように、第1の実施形態に係る処理液供給系100では、処理液供給系300と比較して、処理液の濃度が安定するまでの時間が約27%短縮された。また、第1の実施形態に係る処理液供給系100では、処理液供給系300と比較して、オーバーシュートが約40%低下した。このように、第1の実施形態に係る処理液供給系100によれば、タンク102内の処理液の濃度が安定するまでの時間が短縮されるとともに、オーバーシュートも抑えられることがわかる。
なお、ここでは、タンク102,301内の濃度を高くする場合を例に挙げたが、タンク102.301内の濃度を低くする場合についても同様である。すなわち、第1の実施形態に係る処理液供給系100によれば、タンク102内に純水等の希釈液を供給してタンク102内の処理液の濃度を低くする場合においても、従来の処理液供給系300と比較して、処理液の濃度が安定するまでの時間を短縮することができるとともに、アンダーシュートを低下させることができる。
上述したように、第1の実施形態に係る基板処理システム1(基板液処理装置の一例に相当)は、タンク102(容器の一例に相当)と、循環ライン104と、仕切部材130とを備える。タンク102は、ウェハWを処理する処理液であって、少なくとも2種類の液体を含んでなる処理液を貯留可能である。循環ライン104は、タンク102に貯留された処理液を取り出してタンク102へ戻す。仕切部材130は、タンク102の側壁121との間に隙間をあけて配置され、タンク102内を上下に仕切る。また、循環ライン104は、タンク102内の処理液を取り出す取り出し口141が仕切部材130の下方に配置され、取り出し口141から取り出した処理液を仕切部材130へ向けて吐出する戻し口142が仕切部材130の上方に配置される。
したがって、第1の実施形態に係る基板処理システム1によれば、タンク102内の処理液の濃度が安定するまでの時間を短くすることができる。
(第2の実施形態)
ところで、処理液供給系100は、上述した循環ライン104、継ぎ足しライン160および濃度補正ライン170以外のラインを備えていてもよい。そこで、第2の実施形態では、使用済みの処理液を回収するための回収ラインと、分岐ライン112を予熱するための予熱ラインとをさらに備える場合の処理液供給系の構成例について図8を参照して説明する。図8は、第2の実施形態に係る処理液供給系100Aの構成を示す図である。
なお、以下の説明では、既に説明した部分と同様の部分については、既に説明した部分と同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
図8に示すように、第2の実施形態に係る処理液供給系100Aは、回収ライン113と、予熱ライン115とを備える。回収ライン113は、各処理ユニット16に一端が接続されるとともに、他端がタンク102に接続される。各処理ユニット16において使用された処理液は、かかる回収ライン113を通ってタンク102に戻される。
予熱ライン115は、一端がバルブ151を介して分岐ライン112に接続されるとともに、他端がタンク102に接続される。処理ユニット16による液処理が行われない場合、分岐ライン112に流入した処理液は、バブル151を介して予熱ライン115へ流入し、予熱ライン115を通ってタンク102に戻される。このように、処理ユニット16による液処理が行われない場合にも分岐ライン112に処理液を流しておくことで、分岐ライン112を予熱することができる。
図8に示すように、回収ライン113の供給口135および予熱ライン115の供給口152は、タンク102の中央部に配置される。
このように、対流の起点となるタンク102の中央部に回収ライン113の供給口135および予熱ライン115の供給口152を配置することで、これらの供給口135,152から供給される処理液を対流に乗せやすくなる。したがって、タンク102内の処理液の濃度が安定するまでの時間をさらに短縮することが可能である。また、これらの供給口135,152から供給される処理液の流れによって対流が阻害されることを防止することもできる。
なお、継ぎ足しライン160と同様、回収ライン113および予熱ライン115も、循環ライン104と比較して対流形成への寄与度は小さい。このため、回収ライン113の供給口135および予熱ライン115の供給口152は、循環ライン104の戻し口142よりもタンク102の中心から離れた場所に配置されることが好ましい。
ここでは、図8に示すように、継ぎ足しライン160の供給口163、回収ライン113の供給口135および予熱ライン115の供給口152が、循環ライン104の戻し口142と同じ高さ位置に配置される場合の例を示したが、供給口135,152,163の高さ位置は、戻し口142と同じであることを要しない。たとえば、供給口135,152,163は、戻し口142よりも高い位置に配置されてもよい。
上述した各実施形態では、タンク102が円筒形状を有する場合の例について説明したが、タンク102は、必ずしも円筒形状であることを要しない。タンク102が角形である場合、仕切部材130は、平面視においてタンク102と同形状の角形に形成されることが好ましい。
また、上述した各実施形態では、仕切部材130がタンク102の中央部に配置される場合の例について説明したが、仕切部材130は、タンク102の中央部からずれた位置に配置されてもよい。
また、上述した各実施形態では、タンク102の側壁121と仕切部材130との間の隙間が仕切部材130の全周にわたって形成される場合の例について説明したが、タンク102の側壁121と仕切部材130との間の隙間は、少なくとも仕切部材130の周縁部の一部に形成されていればよい。
また、上述した各実施形態では、仕切部材130が傘型の形状を有する場合の例について説明したが、仕切部材130の形状は、傘型に限定されない。
また、上述した実施形態では、タンク102に貯留される処理液が、原液と希釈液とを混合してなる処理液である場合の例について説明したが、タンク102に貯留される処理液は、これに限定されない。たとえば、タンク102に貯留される処理液は、少なくとも2種類の原液を混合してなる処理液であってもよい。このように、処理液は、少なくとも2種類の液体を含んでなるものであればよい。
さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。
1 基板処理システム
16 処理ユニット
100 処理液供給系
102 タンク
104 循環ライン
130 仕切部材
131 仕切部材の上面
132 仕切部材の下面
133 貫通孔
141 取り出し口
142 戻し口
160 継ぎ足しライン
163 継ぎ足しラインの供給口
170 濃度補正ライン
173 濃度補正ラインの供給口

Claims (13)

  1. 少なくとも2種類の液体を含んでなる処理液を貯留可能な容器と、
    前記容器に貯留された処理液を取り出して前記容器へ戻す循環ラインと、
    前記容器の側壁との間に隙間をあけて配置され、前記容器内を上下に仕切る仕切部材と
    を備え、
    前記循環ラインは、
    前記容器内の処理液を取り出す取り出し口が前記仕切部材の下方に配置され、前記取り出し口から取り出した処理液を前記仕切部材へ向けて吐出する戻し口が前記仕切部材の上方に配置されること
    を特徴とする基板液処理装置。
  2. 前記循環ラインの戻し口は、
    平面視において前記容器の中央部に配置されること
    を特徴とする請求項1に記載の基板液処理装置。
  3. 前記容器の側壁と前記仕切部材との間の隙間は、
    前記仕切部材の全周にわたって形成されること
    を特徴とする請求項1または2に記載の基板液処理装置。
  4. 前記容器の側壁と前記仕切部材との間の隙間は、
    前記仕切部材の全周にわたって大きさが均等であること
    を特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の基板液処理装置。
  5. 前記容器の側壁と前記仕切部材との隙間の開口面積は、
    前記取り出し口の開口面積以上であること
    を特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の基板液処理装置。
  6. 前記仕切部材の上面は、
    中央部から周縁部に向かうにつれて高さが低くなる形状を有すること
    を特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記載の基板液処理装置。
  7. 前記仕切部材は、
    中央部に貫通孔を備え、
    前記仕切部材の下面は、
    中央部から周縁部に向かうにつれて高さが低くなる形状を有すること
    を特徴とする請求項1〜6のいずれか一つに記載の基板液処理装置。
  8. 前記貫通孔の開口面積は、
    前記取り出し口の開口面積よりも小さいこと
    を特徴とする請求項7に記載の基板液処理装置。
  9. 前記仕切部材よりも上方に配置され、前記容器内における下限液面を検知する下限液面検知部
    を備え、
    前記循環ラインの戻し口は、
    前記下限液面検知部よりも下方に配置されること
    を特徴とする請求項1〜8のいずれか一つに記載の基板液処理装置。
  10. 前記容器は、
    円筒形状を有すること
    を特徴とする請求項1〜9のいずれか一つに記載の基板液処理装置。
  11. 新たな前記処理液を前記容器へ供給する継ぎ足しライン
    を備え、
    前記継ぎ足しラインの供給口は、
    平面視において前記循環ラインの戻し口の近傍に配置されること
    を特徴とする請求項1〜10のいずれか一つに記載の基板液処理装置。
  12. 前記処理液は、
    少なくとも2種類の原液を混合してなる処理液または原液と希釈液とを混合してなる処理液であって、
    前記原液を前記容器へ供給する濃度補正ラインと、
    前記容器内における上限液面を検知する上限液面検知部と
    を備え、
    前記濃度補正ラインの供給口は、
    前記上限液面検知部よりも上方に配置されること
    を特徴とする請求項1〜11のいずれか一つに記載の基板液処理装置。
  13. 少なくとも2種類の液体を含んでなる処理液を貯留可能な容器であって、前記容器内を上下に仕切る仕切部材が前記容器の側壁との間に隙間をあけて配置された前記容器に前記処理液を貯留する貯留工程と、
    前記容器内の処理液を取り出す取り出し口が前記仕切部材の下方に配置され、前記取り出し口から取り出した処理液を前記仕切部材へ向けて吐出する戻し口が前記仕切部材の上方に配置される循環ラインを用いて、前記容器に貯留された処理液を取り出して前記容器へ戻す循環工程と
    を含むことを特徴とする基板液処理方法。
JP2014253621A 2014-12-16 2014-12-16 基板液処理装置および基板液処理方法 Active JP6270707B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014253621A JP6270707B2 (ja) 2014-12-16 2014-12-16 基板液処理装置および基板液処理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014253621A JP6270707B2 (ja) 2014-12-16 2014-12-16 基板液処理装置および基板液処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016115822A true JP2016115822A (ja) 2016-06-23
JP6270707B2 JP6270707B2 (ja) 2018-01-31

Family

ID=56142327

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014253621A Active JP6270707B2 (ja) 2014-12-16 2014-12-16 基板液処理装置および基板液処理方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6270707B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022070516A1 (ja) * 2020-09-30 2022-04-07 株式会社フジミインコーポレーテッド ポリビニルアルコール組成物を含む半導体用濡れ剤の製造方法、その製造方法により得られた半導体用濡れ剤を含む研磨用組成物および研磨用組成物の製造方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11128816A (ja) * 1997-10-30 1999-05-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体製造用薬液タンク
JPH11147035A (ja) * 1997-11-14 1999-06-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理液槽の排液機構
JP2002324753A (ja) * 2001-02-06 2002-11-08 Hirama Rika Kenkyusho:Kk 現像液製造装置及び現像液製造方法
JP2002344111A (ja) * 2001-05-18 2002-11-29 Toshiba Corp 平面表示装置用基板または半導体素子の製造方法
JP2003229406A (ja) * 2002-02-04 2003-08-15 Matsushita Environment Airconditioning Eng Co Ltd 薬液調製装置およびその方法
JP2004087549A (ja) * 2002-08-23 2004-03-18 Tokyo Electron Ltd 処理液用タンク及び処理装置
JP2006080547A (ja) * 1998-07-07 2006-03-23 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び処理方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11128816A (ja) * 1997-10-30 1999-05-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体製造用薬液タンク
JPH11147035A (ja) * 1997-11-14 1999-06-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理液槽の排液機構
JP2006080547A (ja) * 1998-07-07 2006-03-23 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び処理方法
JP2002324753A (ja) * 2001-02-06 2002-11-08 Hirama Rika Kenkyusho:Kk 現像液製造装置及び現像液製造方法
JP2002344111A (ja) * 2001-05-18 2002-11-29 Toshiba Corp 平面表示装置用基板または半導体素子の製造方法
JP2003229406A (ja) * 2002-02-04 2003-08-15 Matsushita Environment Airconditioning Eng Co Ltd 薬液調製装置およびその方法
JP2004087549A (ja) * 2002-08-23 2004-03-18 Tokyo Electron Ltd 処理液用タンク及び処理装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022070516A1 (ja) * 2020-09-30 2022-04-07 株式会社フジミインコーポレーテッド ポリビニルアルコール組成物を含む半導体用濡れ剤の製造方法、その製造方法により得られた半導体用濡れ剤を含む研磨用組成物および研磨用組成物の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP6270707B2 (ja) 2018-01-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI666700B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
US10573540B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US10500617B2 (en) Substrate liquid treatment apparatus, tank cleaning method and non-transitory storage medium
CN108666235B (zh) 基板处理装置以及基板处理方法
KR101976943B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20110132235A (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 및 이 기판 처리 방법을 실행하기 위한 프로그램이 기록된 컴퓨터로 판독 가능한 기록 매체
US11626298B2 (en) Liquid supply device and liquid supply method
JP6454629B2 (ja) 基板液処理装置
JP2019050349A (ja) 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体
KR102232635B1 (ko) 현상 장치
KR20150048067A (ko) 기판 처리 장치 및 액 공급 장치
CN110114858B (zh) 处理液供给装置、基板处理装置以及处理液供给方法
US11742226B2 (en) Substrate liquid processing apparatus
KR102346529B1 (ko) 액 공급 유닛, 그리고 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법
JP6270707B2 (ja) 基板液処理装置および基板液処理方法
JP2007273791A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
US20170037499A1 (en) Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and storage medium
JP2020035920A (ja) 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
JP6393661B2 (ja) 基板液処理装置
KR102405523B1 (ko) 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법
TWI774797B (zh) 具有減少的夾帶空氣的電鍍系統
JP7376424B2 (ja) 基板処理用の処理液の交換方法および基板処理装置
KR20210042628A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
US20230307265A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR102037901B1 (ko) 액 공급 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170130

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20171213

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20171219

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20171226

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6270707

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250