KR102001735B1 - 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR102001735B1
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가즈히로 후지타
아쓰야스 미우라
히로키 쓰지카와
유야 쓰치하시
아키히코 다키
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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

기판 처리 방법은, 복수 장의 기판 각각에 대해서 공통의 공통 에칭 처리를 순서대로 실시하는 기판 처리 방법으로서, 상기 공통 에칭 처리는, 제1의 액온의 에칭액을 공통 배관에 공급하여, 노즐로부터 에칭액을 토출시킴으로써 기판을 에칭하는 에칭 공정과, 상기 에칭 공정 후에, 상기 제1의 액온보다 높은 액온을 갖는 고온액을 공통 배관에 공급하여, 상기 노즐로부터 고온액을 토출시키는 고온액 토출 공정을 가지며, 상기 기판 처리 방법은, 상기 복수 장의 기판에 대한 복수의 상기 공통 에칭 처리 중 최초의 공통 에칭 처리 전에, 상기 공통 배관의 관벽을, 상기 제1의 액온보다 높은 소정의 제2의 액온까지 승온시키는 배관 승온 공정을 추가로 포함하고, 각 공통 에칭 처리에 있어서, 각 고온액 토출 공정 후이며 차회의 각 에칭 공정 전에 상기 공통 배관의 관벽을 강온시키는 공정을 행하지 않는다.

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
이 발명은, 기판을 처리하는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다. 처리 대상이 되는 기판에는, 예를 들면, 반도체 웨이퍼, 액정 표시 장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, FED(Field Emission Display)용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광 자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판, 태양전지용 기판 등이 포함된다.
일본특허공개 2015-185644호 공보에는, 기판을 1장씩 에칭 처리하는 매엽식 기판 처리 장치가 기재되어 있다. 이 기판 처리 장치에 따른 에칭 처리에서는, 스핀 척에 의해 수평자세로 회전하고 있는 기판의 상하면에 에칭액이 공급된다(에칭 공정). 에칭 공정의 종료 후에는 린스액이 기판의 상하면에 공급되고, 이에 따라, 기판의 상하면에 부착되어 있는 에칭액이 씻겨나간다. 린스액에 의한 처리 후의 기판의 상면에는, 이소프로필알코올(isopropyl alcohol: IPA) 등의 유기용제가 공급된다(유기용제 공급 공정). 유기용제 공급 공정에 의해, 기판의 상면의 린스액이 유기용제로 치환된다. 그 후, 기판이 고속 회전되는 스핀 드라이 공정이 행해지고, 기판에 부착되어 있는 린스액이 털려 제거(건조)된다.
일본특허공개 2015-185644호 공보에 따른 기판 처리 장치는, 기판의 하면의 중앙부를 향해 처리액을 토출하는 하면 노즐과, 하면 노즐에 접속된 처리액 배관과, 처리액 배관에, 상온의 에칭액을 공급하는 에칭액 유닛과, 처리액 배관에, 고온으로 가열된 가열액을 공급하는 가열액 유닛을 포함한다. 처리액 배관은, 상온의 에칭액과 가열액을 하면 노즐에 선택적으로 공급한다.
이러한 기판 처리 장치에서는, 유기용제 공급 공정에 있어서, 가열액으로부터의 열이 처리액 배관의 관벽에 축적된다. 이로 인해, 복수의 기판에 대해서 에칭 처리를 연속적으로 실행하는 경우에는, 에칭 처리를 거듭함에 따라 처리액 배관의 관벽이 승온할 우려가 있고, 그 결과, 하면 노즐로부터 토출되는 에칭액의 액온이 상승할 우려가 있다. 일본특허공개 2015-185644호 공보에서는, 이러한 열 영향을 배제하기 위해, 각 에칭 공정이 종료될 때마다, 처리액 배관에 냉각액을 공급하여 처리액 배관의 관벽을 냉각시키고 있다.
그러나, 일본특허공개 2015-185644호 공보의 수법에서는, 처리액 배관에 축적된 열을 완전히 제거하기 어렵다. 따라서, 복수 장의 기판에 대해서 에칭 처리가 계속해서 실시되면, 에칭 처리를 거듭함에 따라 처리액 배관의 관벽이 승온하고, 그 결과, 하면 노즐로부터 토출되는 에칭액의 액온이 상승할 우려가 있다.
도 19는, 에칭 처리 장수와, 하면 노즐로부터의 에칭액의 토출 온도의 관계를 설명하기 위한 그래프이다. 복수 장의 기판에 대해서 계속해서 에칭 처리가 실시되는 경우, 처음에는, 처리액 배관에 부여되는 에칭액의 온도(TA) 그대로 하면 노즐로부터 에칭액이 토출되나, 에칭 처리를 거듭함에 따라(에칭 처리의 처리 장수가 증가함에 따라), 에칭액의 토출 온도가 상승한다. 기판에 대한 에칭레이트는 에칭액의 토출 온도에 비례하므로, 에칭 처리를 거듭함에 따라 에칭레이트가 상승할 우려가 있다.
또한, 이는, 일본특허공개 2015-185644호 공보와 같은 이면에 온수를 공급하는 수법에 한정되지 않고, 기판에 린스액으로서 온수를 이용하는 경우에도 공통의 과제이다.
즉, 복수 장의 기판에 대해서 에칭 처리를 실시하는 경우에, 이러한 열 영향에 기인하는 기판간의 에칭 처리의 불균일을 억제 또는 방지하는 것이 요구되고 있다.
이에, 본 발명의 목적은, 기판간의 에칭 처리의 불균일을 억제 또는 방지할 수 있는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
이 발명은, 기판 유지 유닛에 유지된 기판에 액체를 공급하기 위한 노즐과, 상기 노즐에 연결된 공통 배관을 포함하는 기판 처리 장치에 있어서 실행되고, 복수 장의 기판 각각에 대해서 공통의 공통 에칭 처리를 순서대로 실시하는 기판 처리 방법으로서, 각 공통 에칭 처리는, 소정의 제1의 액온의 에칭액을 상기 공통 배관에 공급하여, 상기 노즐로부터 에칭액을 토출시킴으로써, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을 에칭하는 에칭 공정과, 상기 에칭 공정 후에, 상기 제1의 액온보다 높은 액온을 갖는 고온액을 상기 공통 배관에 공급하여, 상기 노즐로부터 고온액을 토출시키는 고온액 토출 공정을 가지며, 상기 기판 처리 방법은, 상기 복수 장의 기판에 대한 복수의 상기 공통 에칭 처리 중 최초의 공통 에칭 처리 전에, 상기 공통 배관의 관벽을, 상기 제1의 액온보다 높은 소정의 제2의 액온까지 승온시키는 배관 승온 공정을 추가로 포함하고, 각 공통 에칭 처리에 있어서, 각 고온액 토출 공정 후이며 차회의 각 에칭 공정 전에 상기 공통 배관의 관벽을 강온시키는 공정을 행하지 않는, 기판 처리 방법을 제공한다.
이 방법에 따르면, 복수의 공통 에칭 처리 중 최초의 공통 에칭 처리 전에 공통 배관의 관벽이, 노즐에 공급되는 에칭액의 액온보다 높은 제2의 액온까지 승온한다. 또한, 각 고온액 토출 공정 후이며 차회의 각 에칭 공정 전에 있어서, 공통 배관의 관벽을 강온시키지는 않는다.
최초의 공통 에칭 처리 전에 공통 배관의 관벽이 제2의 액온까지 승온하므로, 최초의 공통 에칭 처리에 따른 에칭 공정에서부터, 제1의 액온보다 높은 제2의 액온의 에칭액을 이용하여, 기판을 에칭할 수 있다. 그리고, 공통 에칭 처리에 따른 고온액 토출 공정에 있어서의 공통 배관의 열의 축적에 의해, 그 이후의 공통 에칭 처리에 따른 에칭 공정에서 이용되는 에칭액의 액온을 제1의 액온보다 높게 유지할 수 있다. 이에 따라, 각 에칭 공정에 있어서 복수의 기판에 대해서, 대략 동일 또는 근사한 에칭레이트와 안정된 에칭레이트로 에칭 처리를 실시하는 것이 가능하다. 따라서, 기판간의 에칭 처리의 불균일을 억제 또는 방지할 수 있다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 기판 처리 장치는, 기판에 대해서 실시되는 처리의 내용을 규정한 프로세스 레시피와 상기 프로세스 레시피에 앞서 실행되는 프리 레시피를 기억하기 위한 레시피 기억부를 추가로 포함한다. 이 경우, 상기 공통 에칭 처리에 대응하는 제1의 레시피가 상기 프로세스 레시피로서, 상기 배관 승온 공정에 대응하는 제2의 레시피가 상기 프리 레시피로서, 각각 상기 레시피 기억부에 기억되어 있어도 된다. 그리고, 상기 공통 에칭 처리가 상기 제1의 레시피에 의거하여 실행되고, 또한 상기 배관 승온 공정이 상기 제2의 레시피에 의거하여 실행되고 있어도 된다.
이 방법에 따르면, 레시피 기억부에 기억되어 있는 제1의 레시피에 의거하여 공통 에칭 처리가 실행되고, 또한 레시피 기억부에 기억되어 있는 제2의 레시피에 의거하여 배관 승온 공정이 실행된다. 이로 인해, 복수의 공통 에칭 처리 중 최초의 공통 에칭 처리 전에 있어서의 배관 승온 공정의 실행을, 비교적 용이하게 실현할 수 있다.
또한, 상기 공통 에칭 처리는, 1개의 로트를 구성하는 복수 장의 기판 각각에 대해서 실행되는 공정이어도 된다.
이 방법에 따르면, 1개의 로트를 구성하는 복수 장의 기판 각각에 대해서, 대략 동일 또는 근사한 에칭레이트로 에칭 처리를 실시하는 것이 가능하다. 따라서, 1개의 로트를 구성하는 복수 장의 기판간의 에칭 처리의 불균일을 억제 또는 방지할 수 있다.
상기 기판 처리 장치에 있어서 상기 1개의 로트를 구성하는 복수 장의 기판에 이어서 다음 로트를 구성하는 복수 장의 기판이 처리되도록 되어 있어도 된다. 이 경우, 상기 1개의 로트를 구성하는 복수 장의 기판에 대해서 상기 공통 에칭 처리가 실행되고, 또한 상기 다음 로트를 구성하는 복수 장의 기판에 대해서도 상기 공통 에칭 처리가 실행되는 경우에는, 상기 다음 로트에 대해서 상기 배관 승온 공정을 행하지 않아도 된다.
이 방법에 따르면, 1개의 로트를 구성하는 복수 장의 기판에 대해서뿐만 아니라, 다음 로트를 구성하는 복수 장의 기판에 대해서도 공통 에칭 처리가 실행되는 경우에는, 다음 로트에 대한 배관 승온 공정의 실행이 캔슬된다. 이로 인해, 다음 로트의, 최초의 공통 에칭 처리에 따른 에칭 공정에서부터, 에칭액의 액온을 제1의 액온보다 높게 유지하는 것이 가능하다. 이에 따라, 다음 로트를 구성하는 복수 장의 기판에 대해서, 대략 동일 또는 근사한 에칭레이트로 에칭 처리를 실시하는 것이 가능하다. 따라서, 다음 로트를 구성하는 복수 장의 기판간의 에칭 처리의 불균일을 억제 또는 방지할 수 있다.
상기 방법은, 상기 복수 장의 기판에 대한 복수의 상기 공통 에칭 처리 중 최후의 공통 에칭 처리 후에, 상기 공통 배관을 냉각하여 당해 공통 배관의 관벽을 강온시키는 배관 강온 공정을 추가로 포함하고 있어도 된다. 이 경우, 상기 기판 처리 장치에 있어서 상기 1개의 로트를 구성하는 복수 장의 기판에 이어서 다음 로트를 구성하는 복수 장의 기판이 처리되도록 되어 있다. 그리고, 상기 1개의 로트를 구성하는 복수 장의 기판에 대해서 상기 공통 에칭 처리가 실행되고, 또한 상기 다음 로트를 구성하는 복수 장의 기판에 대해서도 상기 공통 에칭 처리가 실행되는 경우에는, 상기 1개의 로트에 대해서 상기 배관 강온 공정을 행하지 않아도 된다.
이 방법에 따르면, 1개의 로트를 구성하는 복수 장의 기판에 대해서뿐만 아니라, 다음 로트를 구성하는 복수 장의 기판에 대해서도 공통 에칭 처리가 실행되는 경우에는, 1개의 로트에 대한 배관 강온 공정의 실행이 캔슬된다. 이로 인해, 다음 로트의, 최초의 공통 에칭 처리에 따른 에칭 공정에서부터, 에칭액의 액온을 제1의 액온보다 높게 유지하는 것이 가능하다. 이에 따라, 다음 로트를 구성하는 복수 장의 기판에 대해서, 대략 동일 또는 근사한 에칭레이트로 에칭 처리를 실시하는 것이 가능하다. 따라서, 다음 로트를 구성하는 복수 장의 기판간의 에칭 처리의 불균일을 억제 또는 방지할 수 있다.
상기 제2의 액온은, 상기 공통 배관의 관벽의 온도이며, 상기 기판 처리 장치에 있어서 상기 공통 에칭 처리가 연속적으로 행해진 경우에 수속(收束)하는(열역학적 평형 상태를 유지하는) 열평형 온도여도 된다.
이 방법에 따르면, 최초의 공통 에칭 처리에 따른 에칭 공정으로부터 열평형 온도의 에칭액을 이용하여, 기판을 에칭할 수 있다. 그리고, 공통 에칭 처리에 따른 고온액 토출 공정에 있어서의 공통 배관의 열의 축적에 의해, 그 이후의 공통 에칭 처리에 따른 에칭 공정에서 이용되는 에칭액의 액온을 열평형 온도로 유지할 수 있다. 즉, 각 공통 에칭 처리에 따른 에칭 공정에서 이용되는 에칭액의 액온을 일정하게 유지할 수 있다. 이에 따라, 각 에칭 공정에 있어서 복수의 기판에 대해서 동일한 에칭레이트로 에칭 처리를 실시할 수 있다. 따라서, 기판간의 에칭 처리의 불균일을 억제 또는 방지할 수 있다.
상기 배관 승온 공정은, 상기 공통 배관을 가열시키기 위해, 상기 제2의 액온과 동일 온도 또는 당해 제2의 액온보다 고온을 갖는 가열액을 상기 공통 배관에 유통시키는 가열액 유통 공정을 포함하고 있어도 된다.
이 방법에 따르면, 공통 배관에 가열액을 유통시킴으로써, 공통 배관의 관벽을 양호하게 승온시킬 수 있다.
상기 배관 승온 공정은, 상기 공통 배관의 관벽을 상기 제2의 액온보다 고온으로 승온시키기 위해, 당해 공통 배관을 가열하는 가열 공정과, 상기 가열 공정 후에 상기 공통 배관을 냉각하여, 상기 공통 배관의 온도를 상기 제2의 액온으로 조정하는 온도 조정 공정을 포함하고 있어도 된다.
이 방법에 따르면, 공통 배관을 제2의 액온보다 고온으로 일단 승온시킨 후에 공통 배관을 냉각하여, 상기 공통 배관의 온도를 상기 제2의 액온에 가깝게 한다. 이와 같이 단계적으로 온도 조정함으로써, 공통 배관의 온도를 제2의 액온으로 양호하게 조정할 수 있다.
상기 방법이, 상기 복수 장의 기판에 대한 복수의 상기 공통 에칭 처리 중 최후의 공통 에칭 처리 후에, 상기 공통 배관을 냉각하여 당해 공통 배관의 관벽을 강온시키는 배관 강온 공정을 추가로 포함하고 있어도 된다.
이 방법에 따르면, 복수의 공통 에칭 처리 중 최후의 공통 에칭 처리 후에 배관 강온 공정이 실행된다. 최후의 공통 에칭 처리 후에 공통 배관의 관벽이 (예를 들면 제1의 온도로) 강온되므로, 공통 에칭 처리 및 배관 승온 공정에 있어서 공통 배관에 축적된 열을 리셋할 수 있다. 이에 따라, 복수의 공통 에칭 처리에 따른 배관 승온 공정의 열 영향을 회피하면서, 당해 기판 처리 장치에서 실행되는 다음 처리를 양호하게 실행시킬 수 있다.
상기 기판 처리 장치는, 기판에 대해서 실시되는 처리의 내용을 규정한 프로세스 레시피와 상기 프로세스 레시피에 앞서 실행되는 프리 레시피와 상기 프로세스 레시피 후에 실행되는 포스트 레시피를 기억하기 위한 레시피 기억부를 포함하고 있어도 된다. 이 레시피 기억부에는, 상기 공통 에칭 처리에 대응하는 제1의 레시피가 상기 프로세스 레시피로서, 상기 배관 승온 공정에 대응하는 제2의 레시피가 상기 프리 레시피로서, 상기 배관 강온 공정에 대응하는 제3의 레시피가 상기 포스트 레시피로서 각각 기억되어 있어도 된다. 상기 공통 에칭 처리가 상기 제1의 레시피에 의거하여 실행되고, 상기 배관 승온 공정이 상기 제2의 레시피에 의거하여 실행되고, 또한 상기 배관 강온 공정이 상기 제3의 레시피에 의거하여 실행되고 있어도 된다.
이 방법에 따르면, 레시피 기억부에 기억되어 있는 제1의 레시피에 의거하여 공통 에칭 처리가 실행되고, 레시피 기억부에 기억되어 있는 제2의 레시피에 의거하여 배관 승온 공정이 실행되고, 또한 레시피 기억부에 기억되어 있는 제3의 레시피에 의거하여 배관 강온 공정이 실행된다. 이로 인해, 복수의 공통 에칭 처리 중 최후의 공통 에칭 처리 후에 있어서의 배관 강온 공정의 실행을, 비교적 용이하게 실현할 수 있다.
상기 배관 강온 공정은, 상기 공통 배관을 냉각시키기 위해, 상기 제2의 액온보다 저온을 갖는 냉각액을 상기 공통 배관에 유통시키는 냉각액 유통 공정을 포함하고 있어도 된다.
이 방법에 따르면, 공통 배관에 냉각액을 유통시킴으로써, 공통 배관의 관벽을 양호하게 강온시킬 수 있다.
상기 배관 강온 공정은, 상기 공통 배관을 냉각시키기 위해, 당해 공통 배관을 외부로부터 냉각하는 외부 냉각 공정을 포함하고 있어도 된다.
이 방법에 따르면, 공통 배관을 외부로부터 냉각시킴으로써, 공통 배관의 관벽을 양호하게 강온시킬 수 있다.
이 발명은, 기판을 유지하는 기판 유지 유닛과, 상기 기판 유지 유닛에 유지된 기판에 액체를 공급하기 위한 노즐과, 상기 노즐에 연결된 공통 배관과, 상기 공통 배관에, 소정의 제1의 액온의 에칭액을 공급하기 위한 에칭액 공급 유닛과, 상기 공통 배관에, 상기 제1의 액온보다 높은 액온을 갖는 고온액을 공급하기 위한 고온액 공급 유닛과, 상기 공통 배관을 가열하기 위한 배관 가열 유닛과, 상기 에칭액 공급 유닛, 상기 가열액 공급 유닛 및 상기 배관 가열 유닛을 제어하는 제어 장치를 포함하고, 상기 제어 장치는, 미리 정하는 장수를 한 단위로 하는 복수 장의 기판 각각에 대해서 공통의 처리를 순서대로 실시하는 공통 에칭 처리로서, 제1의 액온의 에칭액을 상기 공통 배관에 공급하여, 상기 노즐로부터 에칭액을 토출시킴으로써, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을 에칭하는 에칭 공정과, 상기 에칭 공정 후에, 상기 제1의 액온보다 높은 액온을 갖는 고온액을 상기 공통 배관에 공급하여, 상기 노즐로부터 고온액을 토출시키는 고온액 토출 공정을 갖는 공통 에칭 처리를 실행하고, 상기 제어 장치는, 상기 복수 장의 기판에 대한 복수의 상기 공통 에칭 처리 중 최초의 공통 에칭 처리 전에, 상기 공통 배관의 관벽을, 상기 제1의 액온보다 높은 소정의 제2의 액온까지 승온시키는 배관 승온 공정을 추가로 실행하고, 상기 제어 장치는, 상기 공통 에칭 처리에 있어서, 각 고온액 토출 공정 후이며 차회의 각 에칭 공정 전에 상기 공통 배관의 관벽을 강온시키는 공정을 행하지 않는, 기판 처리 장치를 제공한다.
이 구성에 따르면, 복수의 공통 에칭 처리 중 최초의 공통 에칭 처리 전에 공통 배관의 관벽이, 노즐에 공급되는 에칭액의 액온보다 높은 제2의 액온까지 승온한다. 또한, 각 고온액 토출 공정 후이며 차회의 각 에칭 공정 전에 있어서, 공통 배관의 관벽을 강온시키지는 않는다.
최초의 공통 에칭 처리 전에 공통 배관의 관벽이 제2의 액온까지 승온하므로, 최초의 공통 에칭 처리에 따른 에칭 공정에서부터, 제1의 액온보다 높은 제2의 액온의 에칭액을 이용하여, 기판을 에칭할 수 있다. 그리고, 공통 에칭 처리에 따른 고온액 토출 공정에 있어서의 공통 배관의 열의 축적에 의해, 그 이후의 공통 에칭 처리에 따른 에칭 공정에서 이용되는 에칭액의 액온을 제1의 액온보다 높게 유지할 수 있다. 이에 따라, 각 에칭 공정에 있어서 복수의 기판에 대해서, 대략 동일 또는 근사한 에칭레이트와 안정된 에칭레이트로 에칭 처리를 실시하는 것이 가능하다. 따라서, 기판간의 에칭 처리의 불균일을 억제 또는 방지할 수 있다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 기판 처리 장치가, 기판에 대해서 실시되는 처리의 내용을 규정한 프로세스 레시피와 상기 프로세스 레시피에 앞서 실행되는 프리 레시피를 기억하기 위한 레시피 기억부를 추가로 포함하고 있다. 상기 레시피 기억부에는, 상기 공통 에칭 처리에 대응하는 제1의 레시피가 상기 프로세스 레시피로서, 상기 배관 승온 공정에 대응하는 제2의 레시피가 상기 프리 레시피로서, 각각 기억되어 있어도 된다. 상기 제어 장치는, 상기 제1의 레시피에 의거하여 상기 공통 에칭 처리를 실행하고, 또한 상기 제2의 레시피에 의거하여 상기 배관 승온 공정을 실행해도 된다.
이 구성에 따르면, 레시피 기억부에 기억되어 있는 제1의 레시피에 의거하여 공통 에칭 처리가 실행되고, 또한 레시피 기억부에 기억되어 있는 제2의 레시피에 의거하여 배관 승온 공정이 실행된다. 이로 인해, 복수의 공통 에칭 처리 중 최초의 공통 에칭 처리 전에 있어서의 배관 승온 공정의 실행을, 비교적 용이하게 실현할 수 있다.
또한, 상기 제어 장치는, 1개의 로트를 구성하는 복수 장의 기판 각각에 대해서 상기 공통 에칭 처리를 실행해도 된다.
이 구성에 따르면, 1개의 로트를 구성하는 복수 장의 기판 각각에 대해서, 대략 동일 또는 근사한 에칭레이트로 에칭 처리를 실시하는 것이 가능하다. 따라서, 1개의 로트를 구성하는 복수 장의 기판간의 에칭 처리의 불균일을 억제 또는 방지할 수 있다.
상기 기판 처리 장치에 있어서 상기 1개의 로트를 구성하는 복수 장의 기판에 이어서 다음 로트를 구성하는 복수 장의 기판이 처리되도록 되어 있어도 된다. 이 경우, 상기 1개의 로트를 구성하는 복수 장의 기판에 대해서 상기 공통 에칭 처리가 실행되고, 또한 상기 다음 로트를 구성하는 복수 장의 기판에 대해서도 상기 공통 에칭 처리가 실행되는 경우에는, 상기 제어 장치는, 상기 다음 로트에 대해서 상기 배관 승온 공정을 행하지 않아도 된다.
이 구성에 따르면, 1개의 로트를 구성하는 복수 장의 기판에 대해서뿐만 아니라, 다음 로트를 구성하는 복수 장의 기판에 대해서도 공통 에칭 처리가 실행되는 경우에는, 다음 로트에 대한 배관 승온 공정의 실행이 캔슬된다. 이로 인해, 다음 로트의, 최초의 공통 에칭 처리에 따른 에칭 공정에서부터, 에칭액의 액온을 제1의 액온보다 높게 유지하는 것이 가능하다. 이에 따라, 다음 로트를 구성하는 복수 장의 기판에 대해서, 대략 동일 또는 근사한 에칭레이트로 에칭 처리를 실시하는 것이 가능하다. 따라서, 다음 로트를 구성하는 복수 장의 기판간의 에칭 처리의 불균일을 억제 또는 방지할 수 있다.
상기 기판 처리 장치에 있어서 상기 1개의 로트를 구성하는 복수 장의 기판에 이어서 다음 로트를 구성하는 복수 장의 기판이 처리되도록 되어 있어도 된다. 이 경우, 상기 제어 장치는, 상기 복수 장의 기판에 대한 복수의 상기 공통 에칭 처리 중 최후의 공통 에칭 처리 후에, 상기 공통 배관을 냉각하여 당해 공통 배관의 관벽을 강온시키는 배관 강온 공정을 추가로 실행해도 된다. 이 경우, 상기 1개의 로트를 구성하는 복수 장의 기판에 대해서 상기 공통 에칭 처리가 실행되고, 또한 상기 다음 로트를 구성하는 복수 장의 기판에 대해서도 상기 공통 에칭 처리가 실행되는 경우에는, 상기 제어 장치는, 상기 1개의 로트에 대해서 상기 배관 강온 공정을 행하지 않아도 된다.
이 구성에 따르면, 1개의 로트를 구성하는 복수 장의 기판에 대해서뿐만 아니라, 다음 로트를 구성하는 복수 장의 기판에 대해서도 공통 에칭 처리가 실행되는 경우에는, 1개의 로트에 대한 배관 강온 공정의 실행이 캔슬된다. 이로 인해, 다음 로트의, 최초의 공통 에칭 처리에 따른 에칭 공정에서부터, 에칭액의 액온을 제1의 액온보다 높게 유지하는 것이 가능하다. 이에 따라, 다음 로트를 구성하는 복수 장의 기판에 대해서, 대략 동일 또는 근사한 에칭레이트로 에칭 처리를 실시하는 것이 가능하다. 따라서, 다음 로트를 구성하는 복수 장의 기판간의 에칭 처리의 불균일을 억제 또는 방지할 수 있다.
상기 제2의 액온은, 상기 공통 배관의 관벽의 온도이며, 상기 기판 처리 장치에 있어서 상기 공통 에칭 처리가 연속적으로 행해진 경우에 수속하는 열평형 온도여도 된다.
이 구성에 따르면, 최초의 공통 에칭 처리에 따른 에칭 공정으로부터 열평형 온도의 에칭액을 이용하여, 기판을 에칭할 수 있다. 그리고, 공통 에칭 처리에 따른 고온액 토출 공정에 있어서의 공통 배관의 열의 축적에 의해, 그 이후의 공통 에칭 처리에 따른 에칭 공정에서 이용되는 에칭액의 액온을 열평형 온도로 유지할 수 있다. 즉, 각 공통 에칭 처리에 따른 에칭 공정에서 이용되는 에칭액의 액온을 일정하게 유지할 수 있다. 이에 따라, 각 에칭 공정에 있어서 복수의 기판에 대해서 동일한 에칭레이트로 에칭 처리를 실시할 수 있다. 따라서, 기판간의 에칭 처리의 불균일을 억제 또는 방지할 수 있다.
상기 제어 장치는, 상기 공통 배관을 가열시키기 위해 당해 공통 배관에 상기 제2의 액온보다 고온을 갖는 가열액을 유통시키는 가열액 유통 공정을, 상기 배관 승온 공정으로서 실행해도 된다.
이 구성에 따르면, 공통 배관에 가열액을 유통시킴으로써, 공통 배관의 관벽을 양호하게 승온시킬 수 있다.
또한, 상기 제어 장치는, 상기 배관 승온 공정에서, 상기 공통 배관의 관벽을 상기 제2의 액온보다 고온으로 승온시키기 위해, 당해 공통 배관을 가열하는 가열 공정과, 상기 가열 공정 후에 상기 공통 배관을 냉각하여, 상기 공통 배관의 온도를 상기 제2의 액온으로 조정하는 온도 조정 공정을 실행해도 된다.
이 구성에 따르면, 공통 배관을 제2의 액온보다 고온으로 일단 승온시킨 후에 공통 배관을 냉각하여, 상기 공통 배관의 온도를 상기 제2의 액온에 가깝게 한다. 이와 같이 단계적으로 온도 조정함으로써, 공통 배관의 온도를 제2의 액온으로 양호하게 조정할 수 있다.
상기 기판 처리 장치가, 상기 공통 배관을 냉각하기 위한 배관 냉각 유닛을 추가로 포함하고 있어도 된다. 이 경우, 상기 제어 장치는, 상기 배관 냉각 유닛을 추가로 제어하고, 상기 제어 장치는, 상기 복수 장의 기판에 대한 복수의 상기 공통 에칭 처리 중 최후의 공통 에칭 처리 후에, 상기 공통 배관을 냉각하여 당해 공통 배관의 관벽을 강온시키는 배관 강온 공정을 실행해도 된다.
이 구성에 따르면, 복수의 공통 에칭 처리 중 최후의 공통 에칭 처리 후에 배관 강온 공정이 실행된다. 최후의 공통 에칭 처리 후에 공통 배관의 관벽이 (예를 들면 제1의 온도로) 강온되므로, 공통 에칭 처리 및 배관 승온 공정에 있어서 공통 배관에 축적된 열을 리셋할 수 있다. 이에 따라, 복수의 공통 에칭 처리에 따른 배관 승온 공정의 열 영향을 회피하면서, 당해 기판 처리 장치에서 실행되는 다음 처리를 양호하게 실행시킬 수 있다.
상기 기판 처리 장치가, 기판에 대해서 실시되는 처리의 내용을 규정한 프로세스 레시피와 상기 프로세스 레시피에 앞서 실행되는 프리 레시피와 상기 프로세스 레시피 후에 실행되는 포스트 레시피를 기억하기 위한 레시피 기억부를 추가로 포함하고 있어도 된다. 이 경우, 상기 공통 에칭 처리에 대응하는 제1의 레시피가 상기 프로세스 레시피로서, 상기 배관 승온 공정에 대응하는 제2의 레시피가 상기 프리 레시피로서, 상기 배관 강온 공정에 대응하는 제3의 레시피가 상기 포스트 레시피로서, 각각 상기 레시피 기억부에 기억되어 있으며, 상기 제어 장치는, 상기 제1의 레시피에 의거하여 상기 공통 에칭 처리를 실행하고, 상기 제2의 레시피에 의거하여 상기 배관 승온 공정을 실행하고, 또한 상기 제3의 레시피에 의거하여 상기 배관 강온 공정을 실행해도 된다.
이 구성에 따르면, 레시피 기억부에 기억되어 있는 제1의 레시피에 의거하여 공통 에칭 처리가 실행되고, 레시피 기억부에 기억되어 있는 제2의 레시피에 의거하여 배관 승온 공정이 실행되고, 또한 레시피 기억부에 기억되어 있는 제3의 레시피에 의거하여 배관 강온 공정이 실행된다. 이로 인해, 복수의 공통 에칭 처리 중 최후의 공통 에칭 처리 후에 있어서의 배관 강온 공정의 실행을, 비교적 용이하게 실현할 수 있다.
또한, 상기 배관 냉각 유닛은, 상기 제2의 액온보다 저온을 갖는 냉각액을 상기 공통 배관에 공급하는 냉각액 공급 유닛을 포함하고 있어도 된다. 이 경우, 상기 제어 장치는, 상기 공통 배관을 냉각시키기 위해 당해 공통 배관에 상기 냉각액을 유통시키는 냉각액 유통 공정을, 상기 배관 강온 공정으로서 실행해도 된다.
이 구성에 따르면, 공통 배관에 냉각액을 유통시킴으로써, 공통 배관의 관벽을 양호하게 강온시킬 수 있다.
또한, 상기 배관 냉각 유닛은, 상기 공통 배관을 외부로부터 냉각하는 외부 냉각 유닛을 포함하고 있어도 된다. 이 경우, 상기 제어 장치는, 상기 외부 냉각 유닛에 의해 상기 공통 배관을 냉각하는 외부 냉각 공정을, 상기 배관 강온 공정으로서 실행해도 된다.
이 구성에 따르면, 공통 배관을 외부로부터 냉각시킴으로써, 공통 배관의 관벽을 양호하게 강온시킬 수 있다.
본 발명에 있어서의 상기 서술한, 또는 또 다른 목적, 특징 및 효과는, 첨부 도면을 참조하여 다음에 서술하는 실시형태의 설명에 의해 분명해진다.
도 1은, 본 발명의 일 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 내부의 레이아웃을 설명하기 위한 도해적인 평면도이다.
도 2는, 상기 기판 처리 장치에 포함되는 처리 유닛의 구성예를 설명하기 위한 도해적인 단면도이다.
도 3은, 상기 처리 유닛에 포함되는 외부 냉각 유닛을 설명하기 위한 모식적인 종단면도이다.
도 4는, 상기 기판 처리 장치의 주요부의 전기적 구성을 설명하기 위한 블록도이다.
도 5는, 제어 장치에 있어서 작성되는 프로세스 레시피, 프리 레시피, 포스트 레시피 및 플로우 레시피의 구성을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은, 상기 처리 유닛에 있어서 실행되는 처리의 내용을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 7은, 상기 프로세스 레시피에 의거하여 실행되는 공통 에칭을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 8은, 도 7에 나타내는 에칭 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는, 도 7에 나타내는 유기용제 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 10은, 상기 프리 레시피에 의거하여 실행되는 배관 승온 공정을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 11은, 도 10에 나타내는 가열 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 12는, 도 10에 나타내는 제1의 온도 조정 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 13은, 도 10에 나타내는 제2의 온도 조정 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 14는, 도 10에 나타내는 제1의 건조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 15는, 상기 포스트 레시피에 의거하여 실행되는 배관 강온 공정을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 16은, 도 15에 나타내는 제2의 냉각액 유통 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 17은, 도 15에 나타내는 제2의 건조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 18은, 상기 처리 유닛에 있어서 실행되는 처리의 내용을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 19는, 에칭 처리 장수와, 하면 노즐로부터의 에칭액의 토출 온도의 관계를 설명하기 위한 그래프이다.
도 1은, 본 발명의 일 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 내부의 레이아웃을 설명하기 위한 도해적인 평면도이다. 기판 처리 장치(1)는, 실리콘 웨이퍼 등의 기판(W)을 1장씩 처리하는 매엽식 장치이다. 이 실시형태에서는, 기판(W)은, 원판형상의 기판이다. 기판 처리 장치(1)는, 처리액으로 기판(W)을 처리하는 복수의 처리 유닛(2)과, 1개의 로트를 구성하는 복수 장의 기판(W)을 수용하는 기판 수용기(예를 들면 FOUP(Front Opening Unified Pod))(C)가 재치(載置)되는 로드 포트(LP)와, 로드 포트(LP)와 처리 유닛(2) 사이에서 기판(W)을 반송하는 반송 로봇(IR 및 CR)과, 기판 처리 장치(1)를 제어하는 제어 장치(3)를 포함한다. 반송 로봇(IR)은, 기판 수용기(C)와 반송 로봇(CR) 사이에서 기판(W)을 반송한다. 반송 로봇(CR)은, 반송 로봇(IR)과 처리 유닛(2) 사이에서 기판(W)을 반송한다. 복수의 처리 유닛(2)은, 예를 들면, 동일한 구성을 갖고 있다.
도 2는, 처리 유닛(2)의 구성예를 설명하기 위한 도해적인 단면도이다.
처리 유닛(2)은, 상자형의 챔버(4)와, 챔버(4) 내에서 1장의 기판(W)을 수평한 자세로 유지하여, 기판(W)의 중심을 통과하는 연직의 회전축선(A1) 둘레로 기판(W)을 회전시키는 스핀 척(기판 유지 유닛)(5)과, 스핀 척(5)에 유지되어 있는 기판(W)의 상면에 에칭액을 공급하기 위한 에칭액 유닛(6)과, 스핀 척(5)에 유지되어 있는 기판(W)의 상면에 물을 공급하기 위한 물 공급 유닛(7)과, 스핀 척(5)에 유지되어 있는 기판(W)의 상면에, 유기용제의 일례인 액체의 IPA(isopropyl alcohol)를 공급하기 위한 유기용제 공급 유닛(8)과, 스핀 척(5)에 유지되어 있는 기판(W)의 하면(기판(W)의 이면)의 중앙부를 향해 액체(처리액이나 가열액, 냉각액)를 토출하는 하면 노즐(9)과, 하면 노즐(9)에 처리액을 공급하는 하면 공급 유닛(10)과, 스핀 척(5)을 감싸는 통형상의 컵(11)을 포함한다.
챔버(4)는, 스핀 척(5)이나 노즐을 수용하는 상자형상의 격벽(12)과, 격벽(12)의 상부로부터 격벽(12) 내에 청정 공기(필터에 의해 여과된 공기)를 보내는 송풍 유닛으로서의 FFU(팬·필터·유닛)(13)와, 격벽(12)의 하부로부터 챔버(4) 내의 기체를 배출하는 배기 덕트(14)를 포함한다. FFU(13)는, 격벽(12)의 상방에 배치되어 있으며, 격벽(12)의 천정에 장착되어 있다. FFU(13)는, 격벽(12)의 천정으로부터 챔버(4) 내에 하향으로 청정 공기를 보낸다. 배기 덕트(14)는, 컵(11)의 저부에 접속되어 있으며, 기판 처리 장치(1)가 설치되는 공장에 설치된 배기 처리 설비를 향해 챔버(4) 내의 기체를 도출한다. 따라서, 챔버(4) 내를 하방으로 흐르는 다운 플로우(하강류)가, FFU(13) 및 배기 덕트(14)에 의해 형성된다. 기판(W)의 처리는, 챔버(4) 내에 다운 플로우가 형성되어 있는 상태로 행해진다.
스핀 척(5)으로서, 기판(W)을 수평방향으로 끼워 기판(W)을 수평하게 유지하는 협지식의 척이 채용되고 있다. 구체적으로는, 스핀 척(5)은, 스핀 모터(15)와, 이 스핀 모터(15)의 구동축과 일체화된 스핀 축(16)과, 스핀 축(16)의 상단에 대략 수평하게 장착된 원판형상의 스핀 베이스(17)를 포함한다.
스핀 베이스(17)의 상면에는, 그 주연부에 복수개(3개 이상. 예를 들면 6개)의 협지 부재(18)가 배치되어 있다. 복수개의 협지 부재(18)는, 스핀 베이스(17)의 상면 주연부에 있어서, 기판(W)의 외주형상에 대응하는 원주 상에서 적당한 간격을 두고 배치되어 있다.
또한, 스핀 척(5)으로는, 협지식인 것으로 한정되지 않고, 예를 들면, 기판(W)의 이면을 진공 흡착함으로써, 기판(W)을 수평한 자세로 유지하고, 다시 그 상태에서 연직의 회전축선 둘레로 회전함으로써, 스핀 척(5)에 유지되어 있는 기판(W)을 회전시키는 진공 흡착식인 것(버큠 척)이 채용되어도 된다.
에칭액 유닛(6)은 에칭액 노즐(19)을 포함한다. 에칭액 노즐(19)은, 예를 들면, 연속류의 상태에서 액을 토출하는 스트레이트 노즐이며, 스핀 척(5)의 상방에서, 그 토출구를 기판(W)의 상면의 회전중심 부근를 향해 고정적으로 배치되어 있다. 에칭액 노즐(19)에는, 에칭액 공급원으로부터 상온(제1의 액온. 예를 들면 약 24℃)의 에칭액이 공급되는 제1의 에칭액 배관(20)이 접속되어 있다. 제1의 에칭액 배관(20)에는, 에칭액 노즐(19)로부터의 에칭액의 공급/공급정지를 전환하기 위한 제1의 에칭액 밸브(21)가 개재장착되어 있다. 에칭액 노즐(19)에 공급되는 에칭액으로는, 제1의 에칭액 배관(20)에 공급되는 에칭액으로서 희불산(DHF)이나 버퍼드불산(BHF)이 이용된다. 그 밖에, 에칭액으로서, 농불산(concHF), 불질산(불산과 질산(HNO3)의 혼합액), 불화암모늄 등을 이용해도 된다. 에칭액 유닛(6)은, 에칭액 노즐(19)을 이동시킴으로써, 기판(W)의 상면에 대한 에칭액의 착액 위치를 기판(W)의 면내에서 주사시키는 에칭액 노즐 이동 장치를 구비하고 있어도 된다.
물 공급 유닛(7)은 물 노즐(24)을 포함한다. 물 노즐(24)은, 예를 들면 연속류의 상태에서 액을 토출하는 스트레이트 노즐이며, 스핀 척(5)의 상방에서, 그 토출구를 기판(W)의 상면의 회전중심 부근를 향해 고정적으로 배치되어 있다. 물 노즐(24)에는, 물 공급원으로부터의 상온(예를 들면 약 24℃)의 물이 공급되는 물 배관(25)이 접속되어 있다. 물 배관(25)에는, 물 노즐(24)로부터의 물의 공급/공급정지를 전환하기 위한 제1의 물 밸브(26)가 개재장착되어 있다. 물 노즐(24)에 공급되는 물로서, DIW(탈이온수)를 들 수 있는데, 탄산수, 전해이온수, 수소수, 오존수, 희석농도(예를 들면, 10~100ppm 정도)의 염산수, 환원수(수소수), 탈기수 등이어도 된다. 물 공급 유닛(7)은, 물 노즐(24)을 이동시킴으로써, 기판(W)의 상면에 대한 물의 착액 위치를 기판(W)의 면내에서 주사시키는 물 노즐 이동 장치를 구비하고 있어도 된다.
유기용제 공급 유닛(8)은 유기용제 노즐(29)을 포함한다. 유기용제 노즐(29)은, 예를 들면 연속류의 상태에서 액을 토출하는 스트레이트 노즐이며, 스핀 척(5)의 상방에서, 그 토출구를 기판(W)의 상면의 회전중심 부근를 향해 고정적으로 배치되어 있다. 유기용제 노즐(29)에는, 유기용제 공급원(IPA 공급원)으로부터 액체의 유기용제(IPA)가 공급되는 유기용제 배관(30)이 접속되어 있다. 유기용제 배관(30)에는, 유기용제 노즐(29)로부터의 IPA의 공급/공급정지를 전환하기 위한 유기용제 밸브(31)가 개재장착되어 있다. 유기용제 공급 유닛(8)은, 유기용제 노즐(29)을 이동시킴으로써, 기판(W)의 상면에 대한 유기용제의 착액 위치를 기판(W)의 면내에서 주사시키는 유기용제 노즐 이동 장치를 구비하고 있어도 된다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 하면 노즐(9)은, 스핀 척(5)에 유지된 기판(W)의 하면의 중앙부에 대향하는 토출구(9a)를 갖고 있다. 토출구(9a)는, 연직 상방을 향해 액을 토출한다. 토출된 액은, 스핀 척(5)에 유지되어 있는 기판(W)의 하면의 중앙부에 대해서 거의 수직으로 입사한다.
하면 공급 유닛(10)은, 스핀 축(16) 내에서 상하로 연장되는 제1의 공통 배관(32)과, 제1의 공통 배관(32)에 일단이 접속된 제2의 공통 배관(33)과, 제2의 공통 배관(33)의 타단에 접속된 제3의 공통 배관(34)을 포함한다.
스핀 축(16)은 중공축으로 되어 있고, 이 스핀 축(16)의 내부에, 제1의 공통 배관(32)이 상하로 연장되도록 삽입통과되어 있다. 제1의 공통 배관(32)은, 스핀 척(5)에 유지되어 있는 기판(W)의 하면 중앙부에 근접한 위치까지 연장되어 있고, 그 선단에 하면 노즐(9)이 설치되어 있다. 제1의 공통 배관(32)은, 예를 들면 PFA(퍼플루오로알콕시에틸렌)를 이용하여 형성되어 있다. 제2의 공통 배관(33)은, 제1의 공통 배관(32)의 기단(도 2의 하단)과 제3의 공통 배관(34)을 접속하고 있다. 제2의 공통 배관(33)에는, 제2의 공통 배관(33)을 개폐하기 위한 공통 밸브(40)가 개재장착되어 있다. 제3의 공통 배관(34)은, 예를 들면 수지제(예를 들면 PTFE(폴리테트라플루오로에틸렌)제)의 통체(예를 들면 원통)의 관벽을 갖고 있다.
하면 공급 유닛(10)은, 제3의 공통 배관(34)에 일단측(도 2의 좌측)이 접속된 배액 배관(35)과, 제3의 공통 배관(34)에 일단측(도 2의 좌측)이 접속된 제2의 에칭액 배관(에칭액 공급 유닛)(36)과, 제3의 공통 배관(34)에 일단측(도 2의 좌측)이 접속된 제2의 물 배관(배관 냉각 유닛)(37)과, 제3의 공통 배관(34)에 일단측(도 2의 좌측)이 접속된 가열액 배관(가열액 공급 유닛, 고온액 공급 유닛)(38)과, 제3의 공통 배관(34)에 일단측(도 2의 좌측)이 접속된 흡인 배관(39)을 포함한다.
배액 배관(35)에는, 배액 배관(35)을 개폐하기 위한 배액 밸브(41)가 개재장착되어 있다. 배액 배관(35)의 타단측은, 기(機) 밖의 배액설비에 접속되어 있다. 제3의 공통 배관(34)은 처리 유닛(2) 밖의 처리액 박스에 수용되어 있다. 처리액 박스는, 처리 유닛(2)에 1 대 1 대응으로 설치되어 있다.
제2의 에칭액 배관(36)에는, 제2의 에칭액 배관(36)을 개폐하기 위한 제2의 에칭액 밸브(에칭액 공급 유닛)(42)가 개재장착되어 있다. 제2의 에칭액 배관(36)의 타단측에는, 에칭액 공급원으로부터 상온(제1의 액온. 예를 들면 약 24℃)의 에칭액이 공급되도록 되어 있다. 제2의 에칭액 배관(36)에 공급되는 에칭액은, 제1의 에칭액 배관(20)에 공급되는 에칭액과 동일한 종류의 에칭액이다.
제2의 물 배관(37)에는, 제2의 물 배관(37)을 개폐하기 위한 제2의 물 밸브(배관 냉각 유닛)(43)가 개재장착되어 있다. 제2의 물 배관(37)의 타단측에는, 물 공급원으로부터 상온(예를 들면 약 24℃)의 물이 공급되도록 되어 있다. 제2의 물 배관(37)에 공급되는 물로서, DIW(탈이온수)를 들 수 있는데, 탄산수, 전해이온수, 수소수, 오존수, 희석농도(예를 들면, 10~100ppm 정도)의 염산수, 환원수(수소수), 탈기수 등이어도 된다.
가열액 배관(38)에는, 가열액 배관(38)을 개폐하기 위한 가열액 밸브(배관 가열 유닛, 고온액 공급 유닛)(44)가 개재장착되어 있다. 가열액 배관(38)의 타단측에는, 가열액 공급원으로부터 가열액이 공급되도록 되어 있다. 가열액은, 고온(예를 들면, IPA의 비점(약 82.4℃)에 가까운 온도(약 70~80℃)로 가열된 액체이다. 가열액의 종류로서, DIW(탈이온수)를 들 수 있는데, 탄산수, 전해이온수, 수소수, 오존수, IPA 또는 희석농도(예를 들면, 10~100ppm 정도)의 염산수, 환원수(수소수), 탈기수 등이어도 된다.
흡인 배관(39)에는, 흡인 배관(39)을 개폐하기 위한 흡인 밸브(45)가 개재장착되어 있다. 흡인 배관(39)의 타단측(선단)에는, 흡인 장치(46)가 접속되어 있다. 흡인 장치(46)는, 예를 들면 이젝터식의 흡인 장치이다. 흡인 장치(46)로서, 이젝터식 대신에 사이펀식이나 다이어프램식을 채용해도 된다.
하면 공급 유닛(10)의 다른 밸브가 닫힌 상태에서, 제2의 에칭액 밸브(42) 및 공통 밸브(40)가 열리면, 제2의 에칭액 배관(36)으로부터 에칭액이 제2의 공통 배관(33)에 공급되고, 토출구(9a)로부터 상방을 향해 에칭액이 토출된다.
또한, 하면 공급 유닛(10)의 다른 밸브가 닫힌 상태에서, 제2의 물 밸브(43) 및 공통 밸브(40)가 열리면, 제2의 물 배관(37)으로부터 상온의 물이 제2의 공통 배관(33)에 공급되고, 토출구(9a)로부터 상방을 향해 상온의 물이 토출된다.
또한, 하면 공급 유닛(10)의 다른 밸브가 닫힌 상태에서, 가열액 밸브(44) 및 공통 밸브(40)가 열리면, 가열액 배관(38)으로부터 가열액이 제2의 공통 배관(33)에 공급되고, 토출구(9a)로부터 상방을 향해 가열액이 토출된다.
또한, 하면 공급 유닛(10)의 다른 밸브가 닫힌 상태에서, 제2의 물 밸브(43) 및 배액 밸브(41)가 열리면, 제2의 물 배관(37)으로부터 상온의 물이, 제3의 공통 배관(34)의 내부를 유통하여 배액 배관(35)에 공급된다. 이에 따라, 제3의 공통 배관(34)의 관벽을 냉각할 수 있다.
흡인 장치(46)는, 예를 들면 상시 작동 상태로 되어 있다. 흡인 장치(46)의 작동상태에 있어서, 흡인 밸브(45)가 열리면, 흡인 장치(46)의 작동이 유효화되어 흡인 배관(39)의 내부가 배기된다. 이에 따라, 흡인 배관(39)의 내부가 감압되고, 흡인 배관(39)의 내부에 연통하는, 제1의 및 제2의 공통 배관(32, 33)의 내부에 존재하는 처리액(에칭액, 물 또는 가열액)이, 흡인 배관(39)에 인입된다.
컵(11)은, 스핀 척(5)에 유지되어 있는 기판(W)보다 외방(회전축선(A1)으로부터 이격되는 방향)에 배치되어 있다. 컵(11)은, 스핀 베이스(17)를 감싸고 있다. 스핀 척(5)이 기판(W)을 회전시키고 있는 상태에서, 처리액이 기판(W)에 공급되면, 기판(W)에 공급된 처리액이 기판(W)의 주위에 털린다. 처리액이 기판(W)에 공급될 때, 상향으로 열린 컵(11)의 상단부(11a)는, 스핀 베이스(17)보다 상방에 배치된다. 따라서, 기판(W)의 주위에 배출된 처리액(에칭액, 물 또는 가열액)은, 컵(11)에 의해 받아진다. 그리고, 컵(11)에 받아진 처리액은, 도시하지 않는 회수 장치 또는 폐액 장치에 보내진다.
처리 유닛(2)은, 제1의 공통 배관(32)을 외부로부터 냉각하는 외부 냉각 유닛(47)(도 3 참조)을 추가로 포함한다.
도 3은, 외부 냉각 유닛(47)을 설명하기 위한 모식적인 종단면도이다.
외부 냉각 유닛(47)은, 제1의 공통 배관(32)의 도중부를 포위하는 환상 부재(48)와, 환상 부재(48)에 의해 선단부(도 3의 상단부)가 포위된 냉각액 배관(49)을 포함한다. 즉, 제1의 공통 배관(32) 및 냉각액 배관(49)의 선단부는, 환상 부재(48) 내에 삽입통과되어 있다. 환상 부재(48)의 상단부는 폐색되어 있으며, 제1의 공통 배관(32)은, 환상 부재(48)의 상단부를 관통하여 하면 노즐(9)에 접속되어 있다. 냉각액 배관(49)의 선단(도 3의 상단)은 개방되어 있다.
냉각액 배관(49)에는, 냉각액 배관(49)을 개폐하기 위한 냉각액 밸브(50)가 개재장착되어 있다. 냉각액 배관(49)의 타단측에는, 냉각액 공급원으로부터 냉각액이 공급되도록 되어 있다. 냉각액은, 상온 또는 상온보다 낮은 액온을 갖는 액체이다. 냉각액의 종류로서, DIW(탈이온수)를 들 수 있는데, 탄산수, 전해이온수, 수소수, 오존수, IPA 또는 희석농도(예를 들면, 10~100ppm 정도)의 염산수, 환원수(수소수), 탈기수 등이어도 된다.
냉각액 밸브(50)가 열리면, 냉각액 배관(49)의 선단으로부터 냉각액이 토출되고, 이로 인해, 환상 부재(48)의 내부에 냉각액이 채워진다. 이에 따라, 제1의 공통 배관(32)의 외벽의 전체둘레에 냉각액이 접액되고, 그 결과, 제1의 공통 배관(32)의 관벽이 외부로부터 냉각된다.
도 4는, 기판 처리 장치(1)의 주요부의 전기적 구성을 설명하기 위한 블록도이다. 도 5는, 제어 장치(3)에 있어서 작성되는 프로세스 레시피(56), 프리 레시피(57), 포스트 레시피(58) 및 플로우 레시피(59)의 구성을 설명하기 위한 도면이다.
제어 장치(3)는, 예를 들면 마이크로 컴퓨터를 이용하여 구성되어 있다. 제어 장치(3)는 CPU 등의 연산 유닛(51), 고정 메모리 디바이스(미도시), 하드 디스크 드라이브 등의 기억 유닛(52), 및 입출력 유닛(미도시)을 갖고 있다. 기억 유닛(52)에는, 연산 유닛(51)이 실행하는 프로그램(53)이 기억되어 있다.
기억 유닛(52)은, 기판(W)에 대한 각 처리의 내용을 규정하는 레시피를 기억하는 레시피 기억부(54)를 포함한다. 레시피 기억부(54)는, 전기적으로 데이터를 재기록 할 수 있는 비휘발성 메모리로 이루어진다. 레시피 기억부(54)에는, 조작부(55)의 조작에 의해 작성되는 프로세스 레시피(56), 프리 레시피(57), 포스트 레시피(58) 및 플로우 레시피(59)가 기억된다. 프로세스 레시피(56)는, 기판(W)에 대한 처리의 내용(수순 및 조건을 포함함. 이하 동일.)을 정한 것이다. 프리 레시피(57)는, 예비 동작 레시피의 일례이며, 미리 정하는 전처리의 내용을 정한 것이다. 포스트 레시피(58)는, 예비 동작 레시피의 일례이며, 미리 정하는 후처리의 내용을 정한 것이다. 플로우 레시피(59)는, 도 5에 나타내는 바와 같이, 프로세스 레시피에 따른 제어(프로세스 레시피 제어), 프리 레시피에 따른 제어(프리 레시피 제어) 및 포스트 레시피에 따른 제어(포스트 레시피 제어)의 실행 순서 및 실행 횟수를 정한 것이다. 예를 들면, 레시피 기억부(54)에 기억되는 프로세스 레시피(56)로서 프로세스 레시피(PROCESS1)(제1의 레시피)의 1개를 예시하고, 레시피 기억부(54)에 기억되는 프리 레시피(57)로서 프리 레시피(PRE1)(제2의 레시피) 및 프리 레시피(PRE2)의 2개를 예시하고, 레시피 기억부(54)에 기억되는 포스트 레시피(58)로서 포스트 레시피(POST1)(제3의 레시피) 및 포스트 레시피(POST2)의 2개를 예시하고 있으나, 이는 일례이며, 이것으로 한정되지 않음은 물론이다.
기판 처리 장치(1)에는, 1개의 로트를 구성하는 소정 장수(예를 들면, 25장)의 기판(W)이 기판 수용기(C)(도 1 참조)에 일괄적으로 수용된 상태로 반입된다. 기판 처리 장치(1)에서는, 기판 수용기(C)마다, 도 5에 나타내는 1개의 플로우 레시피(59)가 설정된다. 플로우 레시피(59)는, 도 5에 나타내는 바와 같이, 처리의 내용을 정한 프로세스 레시피(56)와, 일련의 처리의 개시 전에 행해지는 전처리의 내용을 정한 프리 레시피(57)와, 일련의 처리의 종료 후에 행해지는 후처리의 내용을 정한 포스트 레시피(58)를 포함한다.
기판 수용기(C)(도 1 참조)가, 기판 처리 장치(1)의 로드 포트(LP)(도 1 참조)에 재치되면, 기판 수용기(C)에 포함되는 로트의 정보를 나타내는 기판 정보가, 호스트 컴퓨터로부터 제어 장치(3)에 보내진다. 호스트 컴퓨터는, 반도체 제조 공장에 설치된 복수의 기판 처리 장치를 통괄하는 컴퓨터이다. 제어 장치(3)는, 호스트 컴퓨터로부터 보내진 기판 정보에 의거하여, 그 로트에 대한 플로우 레시피(59)가 레시피 기억부(54)로부터 읽혀진다. 그리고, 플로우 레시피(59)에 따라서, 프리 레시피 제어, 프로세스 레시피 제어 및 포스트 레시피 제어가 순서대로 행해진다. 우선, 각 처리 유닛(2)(도 1 참조)에 있어서 프리 레시피(57)에 따른 제어가 실행됨으로써 전처리가 행해진다. 그 후, 프로세스 레시피(56)에 따른 제어가 반복 실행됨으로써, 1개의 기판 수용기(C)에 수용된 기판(W)은, 잇달아 연속적으로 처리 유닛(2)에 반입되고, 처리 유닛(2)에서 기판 처리를 받는다. 그리고, 프로세스 레시피(56)에 따른 제어가 기판 수용기(C)에 수용된 기판의 장수와 동일한 소정 횟수만큼 실행되고, 일련의 소정 횟수의 처리가 종료되면, 각 처리 유닛(2)에 있어서 포스트 레시피(58)에 따른 제어가 실행됨으로써, 후처리가 실행된다.
나아가, 제어 장치(3)는, 스핀 모터(15) 및 흡인 장치(46)의 동작을 제어한다. 또한, 제어 장치(3)는, 제1의 에칭액 밸브(21), 제1의 물 밸브(26), 유기용제 밸브(31), 공통 밸브(40), 배액 밸브(41), 제2의 에칭액 밸브(42), 제2의 물 밸브(43), 가열액 밸브(44), 흡인 밸브(45), 냉각액 밸브(50) 등을 개폐한다.
도 6은, 각 처리 유닛(2)에 있어서 실행되는 처리의 내용을 설명하기 위한 흐름도이다.
1개의 로트(복수 장의 기판(W))에 대해서 1 또는 복수의 처리 유닛(2)에 있어서 처리가 실시된다. 이 실시형태에서는, 1개의 로트(복수 장의 기판(W))의 기판(W)을 처리하는데 있어서, 처리 유닛(2)에 있어서 N(N은 2 이상의 정수)장의 기판(W)이 처리된다. 프로세스 레시피(56)(도 4 참조)가 프로세스 레시피(PROCESS1)인 경우에는, 복수의 기판에 대해서, 서로 공통의 조건으로 에칭(스텝 S2)을 실시하는 공통 에칭 처리(S2)가 실시된다. 프리 레시피(57)(도 4 참조)가 프리 레시피(PRE1)인 경우에는, 전처리로서, 공통 배관(32~34)을 가열하여 공통 배관(32~34)의 관벽을 승온시키는 배관 승온 공정(스텝 S1)이 실행된다. 포스트 레시피(58)(도 4 참조)가 포스트 레시피(POST1)인 경우에는, 후처리로서, 공통 배관(32~34)을 냉각하여 공통 배관(32~34)의 관벽을 강온시키는 배관 강온 공정(스텝 S3)이 실행된다.
따라서, 각 처리 유닛(2)(도 1 참조)에 있어서 배관 승온 공정(S1)이 행해진다. 그 후, 1개의 기판 수용기(C)에 수용된 기판(W)은, 잇달아 연속적으로 처리 유닛(2)에 반입되고, 처리 유닛(2)에서 공통 에칭 처리(S2)를 받는다. 그리고, N회의 공통 에칭 처리(S2)가 종료되면, 각 처리 유닛(2)에 있어서 배관 강온 공정(S3)이 실행된다.
도 7은, 프로세스 레시피(PROCESS1)에 의거하여 실행되는 공통 에칭 처리(S2)를 설명하기 위한 흐름도이다. 도 8은, 에칭 공정(E3)을 설명하기 위한 도면이다. 도 9는, 치환 공정(E5)을 설명하기 위한 도면이다. 이 에칭에 대해서, 도 1, 도 2, 도 4, 도 6 및 도 7을 참조하면서 설명한다. 도 8에 대해서는 적당히 참조한다.
처리 유닛(2)에 의해 에칭이 실행될 때에는, 미처리된 기판(W)이, 챔버(4)의 내부에 반입된다(도 7의 스텝 E1).
구체적으로는, 기판(W)을 유지하고 있는 반송 로봇(CR)의 핸드(H)를 챔버(4)의 내부에 진입시킴으로써, 기판(W)이 그 표면(에칭대상면)을 상방으로 향하게 한 상태로 스핀 척(5)에 수도(受渡)된다. 그 후, 스핀 척(5)에 기판(W)이 유지된다.
스핀 척(5)에 기판(W)이 유지된 후, 제어 장치(3)는 스핀 모터(15)를 제어하여, 기판(W)을 회전 개시시킨다(도 7의 스텝 E2). 기판(W)의 회전속도는, 액처리속도(약 300rpm~약 1000rpm의 소정의 속도)까지 상승하게 된다.
기판(W)의 회전속도가 액처리속도에 도달하면, 이어서, 제어 장치(3)는, 에칭 공정(도 7의 스텝 E3)의 실행을 개시한다. 구체적으로는, 제어 장치(3)는, 제1의 에칭액 밸브(21)를 열고, 또한 하면 공급 유닛(10)의 다른 밸브를 닫으면서, 제2의 에칭액 밸브(42) 및 공통 밸브(40)를 연다. 이에 따라, 도 8에 나타내는 바와 같이, 에칭액 노즐(19)로부터 기판(W)의 상면 중앙부를 향해 에칭액이 토출되고, 또한 하면 노즐(9)의 토출구(9a)로부터 기판(W)의 하면 중앙부를 향해 에칭액이 토출된다. 기판(W)의 상면 중앙부에 공급된 에칭액은, 기판(W)의 회전에 의한 원심력을 받아, 기판(W)의 상면을 기판(W)의 주연부를 향해 흐른다. 또한, 기판(W)의 하면 중앙부에 공급된 에칭액은, 기판(W)의 회전에 의한 원심력을 받아, 기판(W)의 하면을 따라 기판(W)의 주연부를 향해 흐른다. 이에 따라, 기판(W)의 상하면의 전역에 에칭이 실시된다.
에칭액의 토출 개시로부터, 미리 정하는 기간이 경과하면, 제어 장치(3)는, 제1의 에칭액 밸브(21), 제2의 에칭액 밸브(42) 및 공통 밸브(40)를 닫아, 에칭액 노즐(19) 및 하면 노즐(9)로부터의 에칭액의 토출을 정지한다.
이어서, 제어 장치(3)는 린스 공정(도 7의 스텝 E4)의 실행을 개시한다. 구체적으로는, 제어 장치(3)는, 제1의 물 밸브(26)를 열고, 또한 하면 공급 유닛(10)의 다른 밸브를 닫으면서, 제2의 물 밸브(43) 및 공통 밸브(40)를 연다. 이에 따라, 물 노즐(24)로부터 기판(W)의 상면 중앙부를 향해 물이 토출되고, 또한 하면 노즐(9)의 토출구(9a)로부터 기판(W)의 하면 중앙부를 향해 물이 토출된다.
기판(W)의 상면 중앙부에 공급된 물은, 기판(W)의 회전에 의한 원심력을 받아, 기판(W)의 상면을 기판(W)의 주연부를 향해 흐른다. 이에 따라, 기판(W)의 상면에 부착되어 있는 에칭액이 씻겨진다. 또한, 기판(W)의 하면 중앙부에 공급된 물은, 기판(W)의 회전에 의한 원심력을 받아, 기판(W)의 하면을 따라 기판(W)의 주연부를 향해 흐른다. 이에 따라, 기판(W)의 하면에 부착되어 있는 에칭액이 씻겨진다. 따라서, 기판(W)의 상하면의 전역에 린스처리가 실시된다.
물의 토출 개시로부터, 미리 정하는 기간이 경과하면, 제어 장치(3)는, 제1의 물 밸브(26), 제2의 물 밸브(43) 및 공통 밸브(40)를 닫아, 물 노즐(24) 및 하면 노즐(9)로부터의 물의 토출을 정지한다.
이어서, 제어 장치(3)는, 치환 공정(도 5의 스텝 E5. 고온액 토출 공정)의 실행을 개시한다. 치환 공정(E5)은, 기판(W) 상의 물을, 물보다 표면장력이 낮은 유기용제로 치환되는 공정이다. 구체적으로는, 제어 장치(3)는, 도 9에 나타내는 바와 같이, 유기용제 밸브(31)를 열고, 유기용제 노즐(29)로부터 기판(W)의 상면 중앙부를 향해 유기용제가 공급된다. 또한, 기판(W)에 공급된 유기용제는, 기판(W)의 회전에 의한 원심력을 받아 기판(W)의 주연부를 향해 흐른다. 이에 따라, 기판(W)의 상면(패턴형성면)의 전역에 있어서, 물이 유기용제로 치환된다. 또한, 기판(W)의 회전속도가 패들속도로 감속되어 있는 상태에서 치환 공정(E5)이 행해져도 된다. 패들속도는, 기판(W)의 상면의 유기용제의 액막에 작용하는 원심력이 유기용제와 기판(W)의 상면 사이에서 작용하는 표면장력보다 작거나, 혹은 상기 원심력과 상기 표면장력이 거의 길항하는 경우에 있어서의 기판(W)의 회전속도이다.
또한, 치환 공정(E5)에서는, 기판(W)의 상면에 대한 유기용제의 공급에 병행하여, 기판(W)의 하면에 가열액(고온액. IPA의 비점(약 82.4℃)에 가까운 온도(약 70~80℃)로 가열된 액체)이 공급된다. 구체적으로는, 제어 장치(3)는, 도 9에 나타내는 바와 같이, 하면 공급 유닛(10)의 다른 밸브를 닫으면서, 가열액 밸브(44) 및 공통 밸브(40)를 연다. 이에 따라, 하면 노즐(9)의 토출구(9a)로부터 가열액이 상향으로 토출되고, 기판(W)의 하면 중앙부에 가열액이 공급된다. 토출구(9a)로부터의 가열액의 토출과 병행하여 기판(W)을 상기 액처리속도로 회전시킴으로써, 기판(W)의 하면의 전역에 가열액을 공급할 수 있다. 이에 따라, 가열액의 공급에 의해 기판(W)이 따뜻해지고, 이에 따라, 기판(W)과 유기용제의 계면이 승온하는 결과, 유기용제의 치환 효율을 향상시킬 수 있다.
이어서, 기판(W)을 건조시키는 스핀 드라이 공정(도 7의 스텝 E6)이 행해진다. 구체적으로는, 제어 장치(3)는 스핀 모터(15)를 제어하여, 에칭 공정(E3)에서부터 린스 공정(E5)에 있어서의 회전속도보다 큰 건조 회전속도(예를 들면 수십rpm)까지 기판(W)의 회전을 가속시키고, 그 건조 회전속도로 기판(W)을 회전시킨다. 이에 따라, 큰 원심력이 기판(W) 상의 액체에 가해져, 기판(W)에 부착되어 있는 액체가 기판(W)의 주위에 털린다. 이렇게 하여, 기판(W)으로부터 액체가 제거되고, 기판(W)이 건조된다.
기판(W)의 고속 회전의 개시로부터 소정 기간이 경과하면, 제어 장치(3)는, 스핀 모터(15)를 제어함으로써, 스핀 척(5)에 의한 기판(W)의 회전을 정지시킨다(도 7의 스텝 E7).
그 후, 챔버(4) 내로부터 기판(W)이 반출된다(도 7의 스텝 E8). 구체적으로는, 제어 장치(3)는, 반송 로봇(CR)의 핸드를 챔버(4)의 내부에 진입시킨다. 그리고, 제어 장치(3)는, 반송 로봇(CR)의 핸드에 스핀 척(5) 상의 기판(W)을 유지시킨다. 그 후, 제어 장치(3)는, 반송 로봇(CR)의 핸드를 챔버(4) 내로부터 퇴피시킨다. 이에 따라, 에칭 후의 기판(W)이 챔버(4)로부터 반출된다.
한편, 공통 에칭 처리(S2)에 있어서는, 기판(W)의 반출 후에, 공통 배관(32~34)의 관벽을 강온시키는 공정은 행해지지 않는다.
도 10은, 프리 레시피(PRE1)에 의거하여 실행되는 배관 승온 공정(S1)을 설명하기 위한 흐름도이다. 도 11은, 가열 공정(P1)을 설명하기 위한 도면이다. 도 12는, 제1의 온도 조정 공정(P2)을 설명하기 위한 도면이다. 도 13은, 제2의 온도 조정 공정(P3)을 설명하기 위한 도면이다. 도 14는, 제1의 건조 공정(P4)을 설명하기 위한 도면이다. 배관 승온 공정(S1)에 대해서, 도 1, 도 2, 도 4 및 도 10을 참조하면서 설명한다. 도 11~도 14에 대해서는 적당히 참조한다.
배관 승온 공정(S1)은, 공통의 로트의 기판(W)에 대한 공통 에칭 처리(S2) 중 최초의 공통 에칭 처리 전에, 공통 배관(32~34)의 관벽을 열평형 온도(제2의 액온)(TB)(예를 들면 약 28℃. 도 19 참조)까지 승온시키는 공정이다. 열평형 온도(TB)는, 공통 배관(32~34)의 관벽의 온도이며, 처리 유닛(2)에 있어서 공통 에칭 처리(S2)가 연속적으로 행해진 경우에 수속하는(열평형상태가 되는) 열평형 온도이다. 열평형 온도(TB)는 실험에 의해 구해진다. 그리고, 배관 승온 공정(S1)에 있어서의 다음에 서술하는 가열액의 공급유량이나 가열액의 공급기간은, 열평형 온도(TB)에 의거하여 설정되어 있다.
이 실시형태에서는, 배관 승온 공정(S1)은, 각 챔버(4)에 기판(W)을 반입하기 전에 행해진다.
구체적으로는, 제어 장치(3)는, 도 11에 나타내는 바와 같이, 하면 공급 유닛(10)의 다른 밸브를 닫으면서, 가열액 밸브(44) 및 공통 밸브(40)를 연다. 이에 따라, 약 70~80℃의 액온을 갖는 가열액이, 제3의 공통 배관(34), 제2의 공통 배관(33) 및 제1의 공통 배관(32)에 부여되고, 공통 배관(32~34)이 가열된다(P1: 가열 공정). 이 가열액은, 제3의 공통 배관(34), 제2의 공통 배관(33) 및 제1의 공통 배관(32)을 유통하여 하면 노즐(9)에 부여되고, 토출구(9a)로부터 상방을 향해 토출된다.
통상, 제1~제3의 공통 배관(32~34)의 온도는 상온(예를 들면 약 24℃)이다. 가열액의 유통에 의해, 제1~제3의 공통 배관(32~34)의 관벽이 승온한다. 하면 노즐(9)에 대한 가열액의 공급유량을 약 0.4(리터/분)로 하는 경우에는, 약 40초간에 걸쳐 가열액을 유통시킨다(가열액 유통 공정). 이에 따라, 제1~제3의 공통 배관(32~34)의 관벽을, 열평형 온도(TB)보다 높은 소정의 승온온도(약 73℃)까지 승온시킬 수 있다.
가열액의 공급 개시로부터 미리 정하는 기간(약 40초간)이 경과하면, 제어 장치(3)는, 가열액 밸브(44) 및 공통 밸브(40)를 닫아, 제1~제3의 공통 배관(32~34)에 대한 가열액의 유통을 정지시킨다.
이어서, 제어 장치(3)는, 제1의 온도 조정 공정(스텝 P2)의 실행을 개시한다. 구체적으로는, 제어 장치(3)는, 도 12에 나타내는 바와 같이 냉각액 밸브(50)를 연다. 냉각액 밸브(50)가 열리면, 환상 부재(48)의 내부에 냉각액이 공급됨으로써, 제1의 공통 배관(32)의 외벽의 전체둘레에 냉각액이 접액되고, 그 결과, 제1의 공통 배관(32)의 관벽이 외부로부터 냉각된다(외부 냉각 공정).
또한, 제1의 온도 조정 공정(P2)에서는, 제1의 공통 배관(32)의 냉각에 병행하여, 제1~제3의 공통 배관(32~34)의 내부에 존재하는 가열액이 흡인된다. 구체적으로는, 제어 장치(3)는, 도 12에 나타내는 바와 같이, 공통 밸브(40)를 닫고 또한 흡인 밸브(45)를 열어 흡인 장치(46)의 작동을 유효화한다. 이에 따라, 제3의 공통 배관(34)의 내부, 그리고 당해 제3의 공통 배관(34)의 내부와 연통하는 제1의 및 제2의 공통 배관(32, 33)의 내부가 각각 배기되고, 제1~제3의 공통 배관(32~34)의 내부에 존재하는 가열액이, 흡인 장치(46)에 의한 흡인력에 의해 흡인 배관(39)에 인입된다. 가열액의 흡인은, 가열액의 선단면이 흡인 밸브(45)보다 하류측(도 12의 우측)으로 후퇴할 때까지 속행된다.
가열액의 선단면이 흡인 밸브(45)보다 하류측(도 12의 우측)으로 후퇴하면, 제어 장치(3)는 공통 밸브(40) 및 흡인 밸브(45)를 닫아, 흡인 장치(46)의 작동을 무효화한다. 이에 따라, 제1의 온도 조정 공정(P2)이 종료된다. 이때, 제1의 공통 배관(32)의 외부 냉각(외부 냉각 공정)은 속행되고 있다.
제1의 온도 조정 공정(P2)의 종료에 이어서, 제어 장치(3)는, 제2의 온도 조정 공정(스텝 P3)의 실행을 개시한다. 구체적으로는, 제어 장치(3)는, 도 13에 나타내는 바와 같이, 하면 공급 유닛(10)의 다른 밸브를 닫으면서, 제2의 물 밸브(43) 및 배액 밸브(41)를 연다. 이에 따라, 제2의 물 배관(37)으로부터 상온의 물이, 제3의 공통 배관(34)의 내부를 유통하여 배액 배관(35)에 공급된다. 이에 따라, 제3의 공통 배관(34)의 관벽을 냉각할 수 있다(제1의 냉각액 유통 공정).
제3의 공통 배관(34)에 대한 상온의 물의 공급 개시로부터 미리 정하는 기간이 경과하면, 제어 장치(3)는 제2의 물 밸브(43) 및 배액 밸브(41)를 닫아, 제3의 공통 배관(34)의 내부에 대한 상온의 물을 공급을 정지한다. 이에 따라, 제3의 공통 배관(34)의 냉각(제1의 냉각액 유통 공정)이 종료된다. 이때, 제1의 공통 배관(32)의 외부 냉각(외부 냉각 공정)은 속행되고 있다.
제2의 온도 조정 공정(P3)의 종료에 이어서, 제어 장치(3)는, 제1의 건조 공정(P4)의 실행을 개시한다. 구체적으로는, 제어 장치(3)는, 스핀 모터(15)를 제어하여 스핀 베이스(17)를 회전 개시시키고, 도 14에 나타내는 바와 같이, 스핀 베이스(17)의 회전을, 에칭 공정(E3)에서부터 린스 공정(E4)에 있어서의 회전속도보다 큰 건조 회전속도(예를 들면 수십rpm)까지 상승시키고, 그 건조 회전속도로 스핀 베이스(17)를 회전시킨다. 이에 따라, 큰 원심력이 스핀 베이스(17) 상의 가열액에 가해져, 스핀 베이스(17)의 상면에 부착되어 있는 가열액이 기판(W)의 주위에 털린다. 이렇게 하여, 스핀 베이스(17)로부터 가열액이 제거되고, 스핀 베이스(17)가 건조된다.
기판(W)의 고속 회전의 개시로부터 소정 기간이 경과하면, 제어 장치(3)는, 스핀 모터(15)를 제어함으로써, 스핀 척(5)에 의한 기판(W)의 회전을 정지시킨다. 또한, 제어 장치(3)는 냉각액 밸브(50)를 닫아, 환상 부재(48)의 내부에 대한 냉각액의 공급을 정지한다. 이에 따라, 제1의 공통 배관(32)의 외부 냉각(외부 냉각 공정)이 종료된다.
일련의 배관 승온 공정(S1)이 종료된다. 그 후, 기판 수용기(C)(도 1 참조)에 수용된 기판(W)은 잇달아 연속적으로 처리 유닛(2)에 반입되고, 처리 유닛(2)에서 공통 에칭 처리(S2)를 받는다. 최초의 공통 에칭 처리(S2) 전에 공통 배관(32~34)의 관벽이 열평형 온도(TB)까지 승온하게 되므로, 최초의 공통 에칭 처리(S2)에 따른 에칭 공정(E3)에서부터 열평형 온도(TB)의 에칭액을 이용하여, 기판(W)을 에칭할 수 있다.
그 후, 포스트 레시피(POST1)(도 4 참조)에 의거하여 배관 강온 공정(S3)이 실행된다.
도 15는, 포스트 레시피(POST1)에 의거하여 실행되는 배관 강온 공정(S3)을 설명하기 위한 흐름도이다. 도 16은, 제2의 냉각액 유통 공정(Q1)을 설명하기 위한 도면이다. 도 17은, 제2의 건조 공정(Q2)을 설명하기 위한 도면이다. 배관 강온 공정(S3)에 대해서, 도 1, 도 2, 도 4, 도 6 및 도 15를 참조하면서 설명한다. 도 16 및 도 17에 대해서는 적당히 참조한다.
배관 강온 공정(S3)은, 각 챔버(4)로부터 기판(W)을 반출한 후에 행해진다. 배관 강온 공정(S3)에서는, 제어 장치(3)는, 먼저 제2의 냉각액 유통 공정(Q1)을 실행한다.
구체적으로는, 제어 장치(3)는, 도 16에 나타내는 바와 같이, 하면 공급 유닛(10)의 다른 밸브를 닫으면서, 제2의 물 밸브(43) 및 공통 밸브(40)를 연다. 이에 따라, 제3의 공통 배관(34), 제2의 공통 배관(33) 및 제1의 공통 배관(32)에 상온의 물이 부여된다. 이 상온의 물은, 제3의 공통 배관(34), 제2의 공통 배관(33) 및 제1의 공통 배관(32)을 유통하여 하면 노즐(9)에 부여되고, 토출구(9a)로부터 상방을 향해 토출된다.
제1~제3의 공통 배관(32~34)의 관벽의 온도가, 상온(예를 들면 약 24℃)보다 높은 경우에는, 상온의 물의 유통에 의해, 제1~제3의 공통 배관(32~34)의 관벽이 강온한다. 하면 노즐(9)에 대한 상온의 물 공급 유량은 약 0.4(리터/분)이고, 물 공급의 기간은 예를 들면 약 170초간이다. 이에 따라, 제1~제3의 공통 배관(32~34)의 관벽을 상온까지 강온시킬 수 있다.
물의 공급 개시로부터 미리 정하는 기간(약 170초간)이 경과하면, 제어 장치(3)는, 제2의 물 밸브(43) 및 공통 밸브(40)를 닫아, 제1~제3의 공통 배관(32~34)에 대한 물의 유통을 정지시킨다.
제2의 냉각액 유통 공정(Q1)은, 3개의 제1~제3의 공통 배관(32~34) 전부에 상온의 물을 골고루 미치게 하는 공정이고, 이로 인해, 제1~제3의 공통 배관(32~34) 전부를 효과적으로 강온시킬 수 있다.
이어서, 제어 장치(3)는, 제2의 건조 공정(Q2)의 실행을 개시한다. 구체적으로는, 제어 장치(3)는, 스핀 모터(15)를 제어하여 스핀 베이스(17)를 회전 개시시키고, 도 17에 나타내는 바와 같이, 스핀 베이스(17)의 회전을, 에칭 공정(E3)에서부터 치환 공정(E5)에 있어서의 회전속도보다 큰 건조 회전속도(예를 들면 수십rpm)까지 상승시키고, 그 건조 회전속도로 스핀 베이스(17)를 회전시킨다. 이에 따라, 큰 원심력이 스핀 베이스(17) 상의 물에 가해져, 스핀 베이스(17)의 상면에 부착되어 있는 물이 기판(W)의 주위에 털린다. 이렇게 하여, 스핀 베이스(17)로부터 물이 제거되고, 스핀 베이스(17)가 건조된다.
기판(W)의 고속 회전의 개시로부터 소정 기간이 경과하면, 제어 장치(3)는, 스핀 모터(15)를 제어함으로써, 스핀 척(5)에 의한 기판(W)의 회전을 정지시킨다. 이상에 의해, 배관 강온 공정(S3)이 종료된다.
배관 강온 공정(S3)에 의해, 공통 에칭 처리(S2) 및 배관 승온 공정(S1)에 있어서 공통 배관(32~34)에 축적된 열을 리셋할 수 있다. 이로 인해, 1로트의 기판(W)에 대한 공통 에칭 처리 후에 다른 처리(예를 들면 프로세스 레시피(PROCESS2)에 의해 규정되는 처리)가 실행되는 경우에, 복수의 공통 에칭 처리(S2)의 열 영향을 회피하면서 당해 다른 처리를 실행할 수 있다.
도 18은, 처리 유닛(2)에 있어서 실행되는 처리의 내용을 설명하기 위한 흐름도이다.
기판 처리 장치(1)에 있어서 현재의 로트(R1)를 구성하는 복수 장의 기판(W)에 이어서 다음 로트(R2)를 구성하는 복수 장의 기판(W)이 반입되고, 이 복수 장의 기판(W)에 대해서 서로 공통의 에칭 처리되는 경우를 고려한다.
이 경우, 기판 처리 장치(1)에 이미 반입되어 있는 로트(R1)를 구성하는 복수 장의 기판(W)에 대해서뿐만 아니라, 다음 로트(R2)를 구성하는 복수 장의 기판(W)에 대해서도 공통 에칭 처리(S2)가 실행되는 경우에는, 도 18에 나타내는 바와 같이, 현재의 로트(R1)에 대한 배관 강온 공정(S3)의 실행이 캔슬되고, 또한 다음 로트(R2)에 대한 배관 승온 공정(S1)의 실행이 캔슬된다.
이로 인해, 다음 로트(R2)의, 최초의 공통 에칭 처리(S2)에 따른 에칭 공정(E3)에서부터, 에칭액의 액온을 열평형 온도(TB)로 유지할 수 있다. 즉, 이에 따라, 다음 로트(R2)의 복수의 기판(W)에 대해서, 동일한 에칭레이트로 에칭 처리를 실시할 수 있다.
한편, 다음 로트(R2)를 구성하는 복수 장의 기판(W)에 대해서, 공통 에칭 처리(S2)와는 상이한 에칭 처리(다른 처리)가 실행되는 경우에는, 현재의 로트(R1)에 대한 배관 강온 공정(S3)의 실행은 캔슬되지 않는다.
이상에 의해 이 실시형태에 따르면, 각 처리 유닛(2)에서 실행되는 복수의 공통 에칭 처리(S2) 중 최초의 공통 에칭 처리(S2) 전에 공통 배관(32~34)의 관벽이 열평형 온도(TB)까지 승온하게 된다. 또한, 각 치환 공정(E5) 후에 차회의 각 에칭 공정(E3) 전에 있어서, 공통 배관(32~34)의 관벽을 강온시키지는 않는다.
최초의 공통 에칭 처리(S2) 전에 공통 배관(32~34)의 관벽이 열평형 온도(TB)까지 승온하게 되므로, 최초의 공통 에칭 처리(S2)에 따른 에칭 공정(E3)에서부터 열평형 온도(TB)의 에칭액을 이용하여, 기판(W)을 에칭할 수 있다. 그리고, 공통 에칭 처리(S2)에 따른 치환 공정(E5)에 있어서의 공통 배관(32~34)의 열의 축적에 의해, 그 이후의 공통 에칭 처리(S2)에 따른 에칭 공정(E3)에서 이용되는 에칭액의 액온을 열평형 온도(TB)로 유지할 수 있다. 즉, 각 공통 에칭 처리(S2)에 따른 에칭 공정(E3)에서 이용되는 에칭액의 액온을 일정하게 유지할 수 있다. 이에 따라, 각 에칭 공정(E3)에 있어서 복수의 기판(W)에 대해서 동일한 에칭레이트로 에칭 처리를 실시할 수 있다. 따라서, 기판(W)간에 있어서의 에칭 처리의 불균일을 억제 또는 방지할 수 있다.
또한, 각 공통 에칭 처리(S2) 전에 공통 배관(32~34)의 관벽을 승온시키고, 또한 각 공통 에칭 처리(S2) 후에 공통 배관(32~34)의 관벽을 강온시킨다는 종래의 수법에서는, 공통 배관(32~34)의 관벽의 승온 및 강온에 시간을 요하고, 그 결과, 스루풋이 저하될 우려가 있다.
이에 반해 이 실시형태에서는, 복수의 공통 에칭 처리(S2) 중 최초의 공통 에칭 처리(S2) 전에 1회만 공통 배관(32~34)의 관벽을 승온시키면 되므로, 스루풋을 개선할 수 있다.
또한, 복수의 공통 에칭 처리(S2) 중 최후의 공통 에칭 처리(S2) 후에 배관 강온 공정(S3)이 실행된다. 최후의 공통 에칭 처리(S2) 후에 공통 배관(32~34)의 관벽이 (제1의 온도로) 강온되므로, 공통 에칭 처리(S2)에 있어서 공통 배관(32~34)에 축적된 열을 리셋할 수 있다. 이에 따라, 복수의 공통 에칭 처리(S2)에 따른 배관 승온 공정의 열 영향을 회피하면서 복수의 공통 에칭 처리(S2)의 다음 처리를 실행하는 것은 가능하며, 이에 따라, 당해 다음 처리를 양호하게 실행시킬 수 있다.
또한, 상기 서술한 실시형태에서는, 치환 공정(E5)에 있어서 이용되는 고온액을 가열액으로 하여 공통 배관(32~34)에 공급함으로써 가열액 유통 공정을 실현시키고 있으므로, 이 고온액과는 상이한 가열액을, 가열액 유통 공정에서 이용하는 경우에 비교하여, 가열액의 배관 구성 등을 생략화 할 수도 있다.
이상, 이 발명의 일 실시형태에 대하여 설명하였지만, 이 발명은 다른 형태로 실시할 수도 있다.
예를 들면 상기 서술한 실시형태에서는, 배관 승온 공정(S1)에 있어서의 온도 조정 공정(P2, P3)에 있어서, 공통 배관(32~34)의 관벽을, 외부 냉각 공정이나 제1의 냉각액 유통 공정을 이용하여 냉각하는 수법을 채용하였으나, 제2의 냉각액 유통 공정을 이용하여 냉각하도록 해도 된다.
또한, 배관 승온 공정(S1)에서는, 온도 조정 공정(P2, P3)에 있어서, 소정의 승온온도까지 승온한 공통 배관(32~34)의 관벽을 2단계로 열평형 온도(TB)까지 강온시키는 수법에 대하여 설명하였지만, 1단에서만, 즉 1개의 온도 조정 공정에서만, 소정의 승온온도까지 승온한 공통 배관(32~34)의 관벽을 2단계로 열평형 온도(TB)까지 강온시키도록 해도 된다.
또한, 상기 서술한 실시형태에서는, 치환 공정(E5)에 있어서 이용되는 고온액과는 다른 가열액이며, 당해 가열액보다 저온이고 또한 상온(제1의 액온)보다 고온을 갖는 가열액을 공통 배관(32~34)에 유통시킴으로써, 공통 배관(32~34)의 관벽을 2단계로 열평형 온도(TB)까지 강온시키도록 해도 된다.
또한, 배관 승온 공정(S1)에 있어서, 온도 조정 공정(P2, P3)을 설치하지 않아도 된다. 즉 가열 공정(P1)에 의해 공통 배관(32~34)의 관벽의 온도를 열평형 온도(TB)에 직접 맞춰도 된다. 이 경우, 치환 공정(E5)에 있어서 이용되는 고온액과는 다른 가열액이며, 당해 가열액보다 저온이고 또한 상온(제1의 액온)보다 고온을 갖는 가열액을 공통 배관(32~34)에 유통시킴으로써, 공통 배관(32~34)의 관벽을 2단계로 열평형 온도(TB)까지 강온시키도록 해도 된다.
또한, 배관 승온 공정(S1)에 있어서, 가열액을 공통 배관(32~34)에 유통시키는 일 없이, 외부의 열원에 의해 공통 배관(32~34)의 관벽을 승온시키도록 해도 된다.
또한, 배관 승온 공정(S1)의 결과, 공통 에칭 처리(S2)의 개시 전에 있어서의 공통 배관(32~34)의 관벽의 액온이 열평형 온도(TB)와 동일하지 않아도, 열평형 온도(TB)에 근사해 있으면 된다.
또한, 제2의 에칭액 배관(36)으로부터 공통 배관(32~34)에 공급되는 에칭액의 액온(제1의 액온)이 상온이 아니어도 된다. 이 경우에 있어서, 열평형 온도는 상기 서술한 열평형 온도(TB)보다 높게 설정된다.
또한, 배관 강온 공정(S3)에 있어서, 공통 배관(32~34)의 관벽을, 제2의 냉각액 유통 공정을 이용하여 냉각하는 수법에 대하여 설명하였지만, 배관 강온 공정(S3)으로서, 제2의 냉각액 유통 공정과 함께, 외부 냉각 공정 및/또는 제1의 냉각액 유통 공정을 실행해도 되고, 제2의 냉각액 유통 공정 대신에, 외부 냉각 공정 및/또는 제1의 냉각액 유통 공정을 실행해도 된다.
또한, 배관 강온 공정(S3)을 폐지해도 된다. 이 경우, 공통 에칭 처리(S2)의 종료 후에 소정시간 방치해 둠으로써, 공통 배관(32~34)의 관벽을 강온시키는 것도 가능하다.
또한, 상기 서술한 제1의 및 제2의 냉각액 유통 공정에 있어서, 냉각액의 온도가 상온인 경우를 예로 들어 설명하였지만, 냉각액이, 상온보다 낮은 액온을 갖고 있어도 된다.
또한, 노즐이, 기판(W)의 하면에 액체를 공급하는 하면 노즐(9)인 것으로 설명하였지만, 기판(W)의 상면에 액체를 공급하는 상면 노즐에 연결되는 공급 배관에 본 발명을 적용해도 된다.
또한, 본 발명에 따른 고온액 토출 공정은, 치환 공정(S5. 기판(W)의 하면에 고온의 온조액을 공급하는 공정)으로 한정되지 않고, 노즐로부터 기판에 고온의 액체를 토출하는 구성에 널리 적용할 수 있다. 예를 들면, 상온보다 높은 액온을 갖는 린스액을 기판(W)에 공급하는 이면 린스 처리를, 본 발명에 따른 고온액 토출 공정으로 해도 된다.
기판 처리 장치(1)는, 원판형상의 기판(W)을 처리하는 장치에 한정되지 않고, 다각형의 기판(W)을 처리하는 장치여도 된다.
본 발명의 실시 형태에 대해서 상세하게 설명하였으나, 이들은 본 발명의 기술적 내용을 분명히 하기 위해 이용된 구체예에 지나지 않고, 본 발명은 이러한 구체예로 한정해서 해석되어야 하는 것은 아니며, 본 발명의 범위는 첨부한 청구의 범위에 의해서만 한정된다.
이 출원은, 2016년 12월 7일에 일본 특허청에 각각 제출된 일본특허출원 2016-237804호에 각각 대응하고 있으며, 이러한 출원의 전체 개시는 여기에 인용에 의해 편입되는 것으로 한다.

Claims (26)

  1. 기판 유지 유닛에 유지된 기판에 액체를 공급하기 위한 노즐과, 상기 노즐에 연결된 공통 배관을 포함하는 기판 처리 장치에 있어서 실행되고, 복수 장의 기판 각각에 대해서 공통의 공통 에칭 처리를 순서대로 실시하는 기판 처리 방법으로서,
    상기 공통 에칭 처리는,
    제1의 액온의 에칭액을 상기 공통 배관에 공급하여, 상기 노즐로부터 에칭액을 토출시킴으로써, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을 에칭하는 에칭 공정과, 상기 에칭 공정 후에, 상기 제1의 액온보다 높은 액온을 갖는 고온액을 상기 공통 배관에 공급하여, 상기 노즐로부터 고온액을 토출시키는 고온액 토출 공정을 가지며,
    상기 기판 처리 방법은, 상기 복수 장의 기판에 대한 복수의 상기 공통 에칭 처리 중 최초의 공통 에칭 처리 전에, 상기 공통 배관의 관벽을, 상기 제1의 액온보다 높은 소정의 제2의 액온까지 승온시키는 배관 승온 공정을 추가로 포함하는 기판 처리 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    각 공통 에칭 처리는, 상기 고온액 토출 공정 후이며 차회의 상기 에칭 공정 전에 상기 공통 배관의 관벽을 강온시키는 공정을 행하지 않는, 기판 처리 방법.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는, 기판에 대해서 실시되는 처리의 내용을 규정한 프로세스 레시피와 상기 프로세스 레시피에 앞서 실행되는 프리 레시피를 기억하기 위한 레시피 기억부를 추가로 포함하고,
    상기 공통 에칭 처리에 대응하는 제1의 레시피가 상기 프로세스 레시피로서, 상기 배관 승온 공정에 대응하는 제2의 레시피가 상기 프리 레시피로서, 각각 상기 레시피 기억부에 기억되어 있으며,
    상기 공통 에칭 처리가 상기 제1의 레시피에 의거하여 실행되고, 또한 상기 배관 승온 공정이 상기 제2의 레시피에 의거하여 실행되는, 기판 처리 방법.
  4. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 공통 에칭 처리는, 1개의 로트를 구성하는 복수 장의 기판 각각에 대해서 실행되는 공정인, 기판 처리 방법.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 기판 처리 장치에 있어서 상기 1개의 로트를 구성하는 복수 장의 기판에 이어서 다음 로트를 구성하는 복수 장의 기판이 처리되도록 되어 있고,
    상기 1개의 로트를 구성하는 복수 장의 기판에 대해서 상기 공통 에칭 처리가 실행되고, 또한 상기 다음 로트를 구성하는 복수 장의 기판에 대해서도 상기 공통 에칭 처리가 실행되는 경우에는, 상기 다음 로트에 대해서 상기 배관 승온 공정을 행하지 않는, 기판 처리 방법.
  6. 청구항 4에 있어서,
    상기 복수 장의 기판에 대한 복수의 상기 공통 에칭 처리 중 최후의 공통 에칭 처리 후에, 상기 공통 배관을 냉각하여 당해 공통 배관의 관벽을 강온시키는 배관 강온 공정을 추가로 포함하고,
    상기 기판 처리 장치에 있어서 상기 1개의 로트를 구성하는 복수 장의 기판에 이어서 다음 로트를 구성하는 복수 장의 기판이 처리되도록 되어 있고,
    상기 1개의 로트를 구성하는 복수 장의 기판에 대해서 상기 공통 에칭 처리가 실행되고, 또한 상기 다음 로트를 구성하는 복수 장의 기판에 대해서도 상기 공통 에칭 처리가 실행되는 경우에는, 상기 1개의 로트에 대해서 상기 배관 강온 공정을 행하지 않는, 기판 처리 방법.
  7. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 제2의 액온은, 상기 공통 배관의 관벽의 온도이며, 상기 기판 처리 장치에 있어서 상기 공통 에칭 처리가 연속적으로 행해진 경우에 수속(收束)하는 열평형 온도인, 기판 처리 방법.
  8. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 배관 승온 공정은, 상기 공통 배관을 가열시키기 위해, 상기 제2의 액온과 동일 온도 또는 당해 제2의 액온보다 고온을 갖는 가열액을 상기 공통 배관에 유통시키는 가열액 유통 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  9. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 배관 승온 공정은, 상기 공통 배관의 관벽을 상기 제2의 액온보다 고온으로 승온시키기 위해, 당해 공통 배관을 가열하는 가열 공정과, 상기 가열 공정 후에 상기 공통 배관을 냉각하여, 상기 공통 배관의 온도를 상기 제2의 액온으로 조정하는 온도 조정 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  10. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 복수 장의 기판에 대한 복수의 상기 공통 에칭 처리 중 최후의 공통 에칭 처리 후에, 상기 공통 배관을 냉각하여 당해 공통 배관의 관벽을 강온시키는 배관 강온 공정을 추가로 포함하는, 기판 처리 방법.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는, 기판에 대해서 실시되는 처리의 내용을 규정한 프로세스 레시피와 상기 프로세스 레시피에 앞서 실행되는 프리 레시피와 상기 프로세스 레시피 후에 실행되는 포스트 레시피를 기억하기 위한 레시피 기억부를 포함하고,
    상기 공통 에칭 처리에 대응하는 제1의 레시피가 상기 프로세스 레시피로서, 상기 배관 승온 공정에 대응하는 제2의 레시피가 상기 프리 레시피로서, 상기 배관 강온 공정에 대응하는 제3의 레시피가 상기 포스트 레시피로서, 각각 상기 레시피 기억부에 기억되어 있으며,
    상기 공통 에칭 처리가 상기 제1의 레시피에 의거하여 실행되고, 상기 배관 승온 공정이 상기 제2의 레시피에 의거하여 실행되고, 또한 상기 배관 강온 공정이 상기 제3의 레시피에 의거하여 실행되는, 기판 처리 방법.
  12. 청구항 10에 있어서,
    상기 배관 강온 공정은, 상기 공통 배관을 냉각시키기 위해, 상기 제2의 액온보다 저온을 갖는 냉각액을 상기 공통 배관에 유통시키는 냉각액 유통 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  13. 청구항 10에 있어서,
    상기 배관 강온 공정은, 상기 공통 배관을 냉각시키기 위해, 당해 공통 배관을 외부로부터 냉각하는 외부 냉각 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  14. 기판을 유지하는 기판 유지 유닛과,
    상기 기판 유지 유닛에 유지된 기판에 액체를 공급하기 위한 노즐과,
    상기 노즐에 연결된 공통 배관과,
    상기 공통 배관에, 소정의 제1의 액온의 에칭액을 공급하기 위한 에칭액 공급 유닛과,
    상기 공통 배관에, 상기 제1의 액온보다 높은 액온을 갖는 고온액을 공급하기 위한 고온액 공급 유닛과,
    상기 공통 배관을 가열하기 위한 배관 가열 유닛과,
    상기 에칭액 공급 유닛, 상기 고온액 공급 유닛 및 상기 배관 가열 유닛을 제어하는 제어 장치를 포함하고,
    상기 제어 장치는, 미리 정하는 장수를 한 단위로 하는 복수 장의 기판 각각에 대해서 공통의 처리를 순서대로 실시하는 공통 에칭 처리로서, 제1의 액온의 에칭액을 상기 공통 배관에 공급하여, 상기 노즐로부터 에칭액을 토출시킴으로써, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을 에칭하는 에칭 공정과, 상기 에칭 공정 후에, 상기 제1의 액온보다 높은 액온을 갖는 고온액을 상기 공통 배관에 공급하여, 상기 노즐로부터 고온액을 토출시키는 고온액 토출 공정을 갖는 공통 에칭 처리를 실행하고,
    상기 제어 장치는, 상기 복수 장의 기판에 대한 복수의 상기 공통 에칭 처리 중 최초의 공통 에칭 처리 전에, 상기 공통 배관의 관벽을, 상기 제1의 액온보다 높은 소정의 제2의 액온까지 승온시키는 배관 승온 공정을 추가로 실행하는, 기판 처리 장치.
  15. 청구항 14에 있어서,
    상기 제어 장치는, 각 공통 에칭 처리에 있어서, 상기 고온액 토출 공정 후이며 차회의 상기 에칭 공정 전에 상기 공통 배관의 관벽을 강온시키는 공정을 행하지 않는, 기판 처리 장치.
  16. 청구항 15에 있어서,
    기판에 대해서 실시되는 처리의 내용을 규정한 프로세스 레시피와 상기 프로세스 레시피에 앞서 실행되는 프리 레시피를 기억하기 위한 레시피 기억부를 추가로 포함하고,
    상기 공통 에칭 처리에 대응하는 제1의 레시피가 상기 프로세스 레시피로서, 상기 배관 승온 공정에 대응하는 제2의 레시피가 상기 프리 레시피로서, 각각 상기 레시피 기억부에 기억되어 있으며,
    상기 제어 장치는, 상기 제1의 레시피에 의거하여 상기 공통 에칭 처리를 실행하고, 또한 상기 제2의 레시피에 의거하여 상기 배관 승온 공정을 실행하는, 기판 처리 장치.
  17. 청구항 15 또는 청구항 16에 있어서,
    상기 제어 장치는, 1개의 로트를 구성하는 복수 장의 기판 각각에 대해서 상기 공통 에칭 처리를 실행하는, 기판 처리 장치.
  18. 청구항 17에 있어서,
    상기 기판 처리 장치에 있어서 상기 1개의 로트를 구성하는 복수 장의 기판에 이어서 다음 로트를 구성하는 복수 장의 기판이 처리되도록 되어 있고,
    상기 1개의 로트를 구성하는 복수 장의 기판에 대해서 상기 공통 에칭 처리가 실행되고, 또한 상기 다음 로트를 구성하는 복수 장의 기판에 대해서도 상기 공통 에칭 처리가 실행되는 경우에는, 상기 제어 장치는, 상기 다음 로트에 대해서 상기 배관 승온 공정을 행하지 않는, 기판 처리 장치.
  19. 청구항 17에 있어서,
    상기 기판 처리 장치에 있어서 상기 1개의 로트를 구성하는 복수 장의 기판에 이어서 다음 로트를 구성하는 복수 장의 기판이 처리되도록 되어 있고,
    상기 제어 장치는, 상기 복수 장의 기판에 대한 복수의 상기 공통 에칭 처리 중 최후의 공통 에칭 처리 후에, 상기 공통 배관을 냉각하여 당해 공통 배관의 관벽을 강온시키는 배관 강온 공정을 추가로 실행하고,
    상기 1개의 로트를 구성하는 복수 장의 기판에 대해서 상기 공통 에칭 처리가 실행되고, 또한 상기 다음 로트를 구성하는 복수 장의 기판에 대해서도 상기 공통 에칭 처리가 실행되는 경우에는, 상기 제어 장치는, 상기 1개의 로트에 대해서 상기 배관 강온 공정을 행하지 않는, 기판 처리 장치.
  20. 청구항 15 또는 청구항 16에 있어서,
    상기 제2의 액온은, 상기 공통 배관의 관벽의 온도이며, 상기 기판 처리 장치에 있어서 상기 공통 에칭 처리가 연속적으로 행해진 경우에 수속하는 열평형 온도인, 기판 처리 장치.
  21. 청구항 15 또는 청구항 16에 있어서,
    상기 제어 장치는, 상기 공통 배관을 가열시키기 위해, 상기 제2의 액온과 동일 온도 또는 당해 제2의 액온보다 고온을 갖는 가열액을 상기 공통 배관에 유통시키는 가열액 유통 공정을, 상기 배관 승온 공정으로서 실행하는, 기판 처리 장치.
  22. 청구항 15 또는 청구항 16에 있어서,
    상기 제어 장치는, 상기 배관 승온 공정에서, 상기 공통 배관의 관벽을 상기 제2의 액온보다 고온으로 승온시키기 위해, 당해 공통 배관을 가열하는 가열 공정과, 상기 가열 공정 후에 상기 공통 배관을 냉각하여, 상기 공통 배관의 온도를 상기 제2의 액온으로 조정하는 온도 조정 공정을 실행하는, 기판 처리 장치.
  23. 청구항 15 또는 청구항 16에 있어서,
    상기 공통 배관을 냉각하기 위한 배관 냉각 유닛을 추가로 포함하고,
    상기 제어 장치는, 상기 배관 냉각 유닛을 추가로 제어하고,
    상기 제어 장치는, 상기 복수 장의 기판에 대한 복수의 상기 공통 에칭 처리 중 최후의 공통 에칭 처리 후에, 상기 공통 배관을 냉각하여 당해 공통 배관의 관벽을 강온시키는 배관 강온 공정을 실행하는, 기판 처리 장치.
  24. 청구항 23에 있어서,
    기판에 대해서 실시되는 처리의 내용을 규정한 프로세스 레시피와 상기 프로세스 레시피에 앞서 실행되는 프리 레시피와 상기 프로세스 레시피 후에 실행되는 포스트 레시피를 기억하기 위한 레시피 기억부를 추가로 포함하고,
    상기 공통 에칭 처리에 대응하는 제1의 레시피가 상기 프로세스 레시피로서, 상기 배관 승온 공정에 대응하는 제2의 레시피가 상기 프리 레시피로서, 상기 배관 강온 공정에 대응하는 제3의 레시피가 상기 포스트 레시피로서, 각각 상기 레시피 기억부에 기억되어 있으며,
    상기 제어 장치는, 상기 제1의 레시피에 의거하여 상기 공통 에칭 처리를 실행하고, 상기 제2의 레시피에 의거하여 상기 배관 승온 공정을 실행하고, 또한 상기 제3의 레시피에 의거하여 상기 배관 강온 공정을 실행하는, 기판 처리 장치.
  25. 청구항 23에 있어서,
    상기 배관 냉각 유닛은, 상기 제2의 액온보다 저온을 갖는 냉각액을 상기 공통 배관에 공급하는 냉각액 공급 유닛을 포함하고,
    상기 제어 장치는, 상기 공통 배관을 냉각시키기 위해 당해 공통 배관에 상기 냉각액을 유통시키는 냉각액 유통 공정을, 상기 배관 강온 공정으로서 실행하는, 기판 처리 장치.
  26. 청구항 23에 있어서,
    상기 배관 냉각 유닛은, 상기 공통 배관을 외부로부터 냉각하는 외부 냉각 유닛을 포함하고,
    상기 제어 장치는, 상기 외부 냉각 유닛에 의해 상기 공통 배관을 냉각하는 외부 냉각 공정을, 상기 배관 강온 공정으로서 실행하는, 기판 처리 장치.
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