JP2012069696A - 基板の処理装置および基板の処理方法 - Google Patents
基板の処理装置および基板の処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012069696A JP2012069696A JP2010212632A JP2010212632A JP2012069696A JP 2012069696 A JP2012069696 A JP 2012069696A JP 2010212632 A JP2010212632 A JP 2010212632A JP 2010212632 A JP2010212632 A JP 2010212632A JP 2012069696 A JP2012069696 A JP 2012069696A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- substrate
- processed
- etching
- etching solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 88
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 154
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 4
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 77
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 2
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-O azanium;hydrofluoride Chemical compound [NH4+].F LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Weting (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
【課題】被処理基板のエッチング時において被処理基板のエッチング量の面内均一性を向上させることが可能な基板の処理装置を提供する。
【解決手段】ガスの供給部および排気部を有する処理チャンバ;処理チャンバ内に配置され、被処理基板を回転可能および上下動可能に保持する保持部材;チャンバに供給するガスの温度調整を行うための第1温度調整器;被処理基板にエッチング液を供給してエッチング処理を行うためのエッチング液供給部材;エッチング液供給部材とチャンバの外部で接続されたエッチング液供給タンク;タンク内のエッチング液の温度調整を行うための第2温度調整器;および第1、第2の温度調整器によるガスの温度調整およびエッチング液の温度調整をチャンバ内の温度がタンク内のエッチング液の温度より高く、かつそれらの温度差を一定になるように制御するための制御機構;を具備した基板の処理装置。
【選択図】図1
Description
前記処理チャンバ内に配置され、被処理基板を回転可能および上下動可能に保持する保持部材;
前記処理チャンバに供給するガスの温度調整を行うための第1温度調整器;
前記被処理基板にエッチング液を供給してエッチング処理を行うためのエッチング液供給部材;
前記エッチング液供給部材と前記処理チャンバの外部で接続されたエッチング液供給タンク;
前記タンク内のエッチング液の温度調整を行うための第2温度調整器;および
前記第1、第2の温度調整器によるガスの温度調整およびエッチング液の温度調整を前記処理チャンバ内の温度が前記タンク内の前記エッチング液の温度より高く、かつそれらの温度差を一定になるように制御するための制御機構;
を具備したことを特徴とする基板の処理装置が提供される。
前記エッチング処理は、前記処理チャンバ内の温度が前記エッチング液の温度より高く、かつそれらの温度差を一定にした条件で行うことを特徴とする基板の処理方法が提供される。
前記処理チャンバ内に配置され、被処理基板を回転可能および上下動可能に保持する保持部材;
前記処理チャンバ内に前記保持部材の前記被処理基板に対して離接可能に配置され、前記被処理基板と同等もしくはそれより大きい面積を持つヒータ内蔵遮蔽部材;
前記被処理基板にエッチング液を供給してエッチング処理を行うためのエッチング液供給部材;
前記エッチング液供給部材と前記処理チャンバの外部で接続されたエッチング液供給タンク;
前記タンク内のエッチング液の温度調整を行うための温度調整器;および
前記ヒータの加熱温度が前記温度調整器による前記タンク内の前記エッチング液の温度と同等もしくはそれより高い温度になるように制御するための制御機構;
を具備したことを特徴とする基板の処理装置が提供される。
図1は、第1実施形態に係る基板の処理装置を示す概略図である。
図2は、第2実施形態に係る基板の処理装置を示す概略図である。なお、図2において図1と同様な部材は同符号を付して説明を省略する。
図1に示す処理装置において、処理チャンバ1内の回転軸3でブロック2を回転させて吸着チャック4に保持されたウェハ41にエッチング液を模擬した純水を吐出ノズル15から吐出するにあたり、以下の条件に設定したときウェハの中心から外周縁に亘っての温度分布を測定した。なお、ウェハの温度分布はウェハの半径方向に埋め込んだ温度検出チップで測定した。
ウェハ41の回転速度:500rpm、
エッチング液の吐出量:1.5〜2.0L/分、
チャンバ1内の温度:24.1℃、
純水の温度:22.5℃、24.5℃および26.5℃、
1ウェハあたりの純水の吐出時間:20秒。
Claims (12)
- ガスの供給部および排気部を有する処理チャンバ;
前記処理チャンバ内に配置され、被処理基板を回転可能および上下動可能に保持する保持部材;
前記処理チャンバに供給するガスの温度調整を行うための第1温度調整器;
前記被処理基板にエッチング液を供給してエッチング処理を行うためのエッチング液供給部材;
前記エッチング液供給部材と前記処理チャンバの外部で接続されたエッチング液供給タンク;
前記タンク内のエッチング液の温度調整を行うための第2温度調整器;および
前記第1、第2の温度調整器によるガスの温度調整およびエッチング液の温度調整を前記処理チャンバ内の温度が前記タンク内の前記エッチング液の温度より高く、かつそれらの温度差を一定になるように制御するための制御機構;
を具備したことを特徴とする基板の処理装置。 - 前記第1温度調整器は空調機であることを特徴とする請求項1記載の基板の処理装置。
- 前記処理チャンバ内を加湿するための加湿機構をさらに備えることを特徴とする請求項1または2記載の基板の処理装置。
- 前記第1温度調整器は加湿機能を兼ね備えることを特徴とする請求項3記載の基板の処理装置。
- 前記被処理基板に純水を供給してリンス処理を行うための純水供給部材と、前記純水供給部材と前記処理チャンバの外部で接続された純水供給タンクと、前記タンク内の純水の温度を前記エッチング液温度と同じかまたはそれより高く調整するための第3温度調整器とをさらに備えることを特徴とする請求項1ないし4いずれか1項記載の基板の処理装置。
- 前記被処理基板に乾燥気体を吹き付けるための乾燥気体吹き付け部材をさらに備えることを特徴とする請求項1ないし5いずれか1項記載の基板の処理装置。
- 処理チャンバ内に被処理基板を回転可能および上下動可能に保持する工程と、前記被処理基板を回転させながら、エッチング液を供給してエッチング処理を行う工程とを含み、
前記エッチング処理は、前記処理チャンバ内の温度が前記エッチング液の温度より高く、かつそれらの温度差を一定にした条件で行うことを特徴とする基板の処理方法。 - 前記エッチング処理は前記エッチング液を加温して行うことを特徴とする請求項7記載の基板の処理方法。
- 前記エッチング処理は前記処理チャンバ内を加湿して行うことを特徴とする請求項7または8記載の基板の処理方法。
- 前記エッチング処理後に前記被処理基板に前記エッチングの液温度と同じかまたはそれより高い温度の純水を供給してリンス処理を行う工程をさらに含むことを特徴とする請求項7ないし9いずれか1項記載の基板の処理方法。
- 前記リンス処理後に前記被処理基板に乾燥気体を吹き付ける工程をさらに含むことを特徴とする請求項10記載の基板の処理方法。
- ガスの供給部および排気部を有する処理チャンバ;
前記処理チャンバ内に配置され、被処理基板を回転可能および上下動可能に保持する保持部材;
前記処理チャンバ内に前記保持部材の前記被処理基板に対して離接可能に配置され、前記被処理基板と同等もしくはそれより大きい面積を持つヒータ内蔵遮蔽部材;
前記被処理基板にエッチング液を供給してエッチング処理を行うためのエッチング液供給部材;
前記エッチング液供給部材と前記処理チャンバの外部で接続されたエッチング液供給タンク;
前記タンク内のエッチング液の温度調整を行うための温度調整器;および
前記ヒータの加熱温度が前記温度調整器による前記タンク内の前記エッチング液の温度と同等もしくはそれより高い温度になるように制御するための制御機構;
を具備したことを特徴とする基板の処理装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010212632A JP5238782B2 (ja) | 2010-09-22 | 2010-09-22 | 基板の処理装置および基板の処理方法 |
US13/223,555 US20120067847A1 (en) | 2010-09-22 | 2011-09-01 | Apparatus and method of processing substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010212632A JP5238782B2 (ja) | 2010-09-22 | 2010-09-22 | 基板の処理装置および基板の処理方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013006141A Division JP5552653B2 (ja) | 2013-01-17 | 2013-01-17 | 基板の処理装置および基板の処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012069696A true JP2012069696A (ja) | 2012-04-05 |
JP5238782B2 JP5238782B2 (ja) | 2013-07-17 |
Family
ID=45816795
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010212632A Expired - Fee Related JP5238782B2 (ja) | 2010-09-22 | 2010-09-22 | 基板の処理装置および基板の処理方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120067847A1 (ja) |
JP (1) | JP5238782B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013207268A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
US10312115B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-06-04 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
JP2020004869A (ja) * | 2018-06-28 | 2020-01-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理方法、記憶媒体および基板液処理装置 |
US10580668B2 (en) | 2014-03-17 | 2020-03-03 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method using substrate processing apparatus |
US10763145B2 (en) | 2017-03-10 | 2020-09-01 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor manufacturing equipment and semiconductor manufacturing method |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5615650B2 (ja) * | 2010-09-28 | 2014-10-29 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
US9831016B2 (en) * | 2012-11-29 | 2017-11-28 | Abb Schweiz Ag | Stripping structure and method for removing enamel insulation from lead ends |
CN105339183B (zh) | 2013-03-15 | 2018-11-09 | 东京毅力科创Fsi公司 | 用于提供加热的蚀刻溶液的系统 |
US10707099B2 (en) | 2013-08-12 | 2020-07-07 | Veeco Instruments Inc. | Collection chamber apparatus to separate multiple fluids during the semiconductor wafer processing cycle |
US9768041B2 (en) * | 2013-08-12 | 2017-09-19 | Veeco Precision Surface Processing Llc | Collection chamber apparatus to separate multiple fluids during the semiconductor wafer processing cycle |
US10043686B2 (en) * | 2013-12-31 | 2018-08-07 | Lam Research Ag | Apparatus for treating surfaces of wafer-shaped articles |
CN105225982B (zh) * | 2014-05-30 | 2020-07-28 | 盛美半导体设备(上海)有限公司 | 一种半导体加工装置和加工半导体工件的工艺方法 |
US11342215B2 (en) | 2017-04-25 | 2022-05-24 | Veeco Instruments Inc. | Semiconductor wafer processing chamber |
JP6811675B2 (ja) * | 2017-04-28 | 2021-01-13 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
KR102286060B1 (ko) * | 2017-06-01 | 2021-08-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 글라스 식각 장치 및 글라스 식각 방법 |
JP6917807B2 (ja) * | 2017-07-03 | 2021-08-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法 |
JP7100462B2 (ja) * | 2018-02-20 | 2022-07-13 | 株式会社ディスコ | 水温設定方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62279632A (ja) * | 1986-05-28 | 1987-12-04 | Nec Corp | 半導体製造装置 |
JPH0774140A (ja) * | 1993-09-02 | 1995-03-17 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造装置 |
JP2000119874A (ja) * | 1998-10-07 | 2000-04-25 | Toshiba Corp | 基板処理装置 |
JP2001085383A (ja) * | 1999-09-13 | 2001-03-30 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2004273912A (ja) * | 2003-03-11 | 2004-09-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
JP2008109058A (ja) * | 2006-10-27 | 2008-05-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2009224514A (ja) * | 2008-03-14 | 2009-10-01 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6334902B1 (en) * | 1997-09-24 | 2002-01-01 | Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) | Method and apparatus for removing a liquid from a surface |
US6805769B2 (en) * | 2000-10-13 | 2004-10-19 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
US20040094268A1 (en) * | 2002-11-20 | 2004-05-20 | Brask Justin K. | Oxidation inhibitor for wet etching processes |
JP5132781B2 (ja) * | 2008-11-05 | 2013-01-30 | 株式会社東芝 | 成膜装置及び成膜方法 |
JP5249915B2 (ja) * | 2009-01-22 | 2013-07-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 薬液処理装置および薬液処理方法 |
-
2010
- 2010-09-22 JP JP2010212632A patent/JP5238782B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-09-01 US US13/223,555 patent/US20120067847A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62279632A (ja) * | 1986-05-28 | 1987-12-04 | Nec Corp | 半導体製造装置 |
JPH0774140A (ja) * | 1993-09-02 | 1995-03-17 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造装置 |
JP2000119874A (ja) * | 1998-10-07 | 2000-04-25 | Toshiba Corp | 基板処理装置 |
JP2001085383A (ja) * | 1999-09-13 | 2001-03-30 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2004273912A (ja) * | 2003-03-11 | 2004-09-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
JP2008109058A (ja) * | 2006-10-27 | 2008-05-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2009224514A (ja) * | 2008-03-14 | 2009-10-01 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013207268A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
US10580668B2 (en) | 2014-03-17 | 2020-03-03 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method using substrate processing apparatus |
US10312115B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-06-04 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
US10763145B2 (en) | 2017-03-10 | 2020-09-01 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor manufacturing equipment and semiconductor manufacturing method |
JP2020004869A (ja) * | 2018-06-28 | 2020-01-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理方法、記憶媒体および基板液処理装置 |
JP7138493B2 (ja) | 2018-06-28 | 2022-09-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理方法、記憶媒体および基板液処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120067847A1 (en) | 2012-03-22 |
JP5238782B2 (ja) | 2013-07-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5238782B2 (ja) | 基板の処理装置および基板の処理方法 | |
US9899229B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
US20140231012A1 (en) | Substrate processing apparatus | |
US9543162B2 (en) | Substrate processing method | |
US8978671B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
JP5552653B2 (ja) | 基板の処理装置および基板の処理方法 | |
KR102173213B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
JP6242056B2 (ja) | 基板処理装置 | |
US10424496B2 (en) | Substrate treating method | |
KR20120100803A (ko) | 에칭 방법, 에칭 장치 및 기억 매체 | |
JP2018056508A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP6563762B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
US20180138059A1 (en) | Substrate liquid processing apparatus and method | |
JP6397095B2 (ja) | 基板処理装置 | |
US11551935B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
TW201351535A (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
TWI720387B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
JP5832329B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP6473592B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
KR102028418B1 (ko) | 기판 액처리용 제어장치와 이를 이용한 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법 | |
JP6160554B2 (ja) | 塗布膜形成装置、塗布膜形成方法、記憶媒体 | |
JP2017183751A (ja) | 塗布膜形成装置、塗布膜形成方法、記憶媒体 | |
TW202044398A (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
JP6375160B2 (ja) | 基板処理方法 | |
JP7357693B2 (ja) | 基板処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120328 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121108 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121120 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130117 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130305 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130401 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5238782 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160405 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |