JPS62279632A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPS62279632A JPS62279632A JP12279786A JP12279786A JPS62279632A JP S62279632 A JPS62279632 A JP S62279632A JP 12279786 A JP12279786 A JP 12279786A JP 12279786 A JP12279786 A JP 12279786A JP S62279632 A JPS62279632 A JP S62279632A
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Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体デバイスの製造工程において塗布、現像
、エツチング処理等の薬液処理を施す装置に関する。
、エツチング処理等の薬液処理を施す装置に関する。
従来、第２図に示すように半導体基板（以後ウェハーと
称す）１をスピンチャック２により処理室１１内にて回
転させながら薬液処理を施す装置において、薬液１０を
処理室１１外の温度調節槽１２内にてヒータ１３により
一定温度に調節し、その薬液１０をポンプ１４によりノ
ズル１５に通してウェハー１に吹き付けることにより薬
液処理を行う方法が一般的であった。
称す）１をスピンチャック２により処理室１１内にて回
転させながら薬液処理を施す装置において、薬液１０を
処理室１１外の温度調節槽１２内にてヒータ１３により
一定温度に調節し、その薬液１０をポンプ１４によりノ
ズル１５に通してウェハー１に吹き付けることにより薬
液処理を行う方法が一般的であった。
しかしながら、薬液処理を比較的高い温度、例えば５０
°Ｃ付近において行う場合、処理室１１内の雰囲気の温
度により薬液温度が低下することは避けられない。その
ため、処理室１１外の温度調節槽１２における温度精度
が十分満足できるものであるにもかかわらず、吹き付け
られたウェハー表面上の薬液１０の温度精度は満足でき
るものではなかった。
°Ｃ付近において行う場合、処理室１１内の雰囲気の温
度により薬液温度が低下することは避けられない。その
ため、処理室１１外の温度調節槽１２における温度精度
が十分満足できるものであるにもかかわらず、吹き付け
られたウェハー表面上の薬液１０の温度精度は満足でき
るものではなかった。
また、処理されるウェハーの温度は薬液の吹き付けられ
る直前において雰囲気温度と同一であり、処理の開始に
伴って吹き付けられた薬液によってウェハーの温度は昇
温するため、処理中において処理開始直後と処理終了直
前とではウェハーの温度に差が生じ処理の変化量が異な
ってしまうという問題があった。
る直前において雰囲気温度と同一であり、処理の開始に
伴って吹き付けられた薬液によってウェハーの温度は昇
温するため、処理中において処理開始直後と処理終了直
前とではウェハーの温度に差が生じ処理の変化量が異な
ってしまうという問題があった。
この問題を解決するには多量の薬液を吹き付けることに
よりウェハーの温度を急速に薬液温度と同−にし、ウェ
ハーの温度による薬液温度の低下を阻止する方法がとら
れる。
よりウェハーの温度を急速に薬液温度と同−にし、ウェ
ハーの温度による薬液温度の低下を阻止する方法がとら
れる。
上述した方法は薬液を回収してこれを再使用する処理工
程においては有利であるが、ウェハー処理された薬液を
再度処理に用いることが不可能な工程においては、薬液
の使用量が多量になるため、上述の方法を採用すること
は困難であった。
程においては有利であるが、ウェハー処理された薬液を
再度処理に用いることが不可能な工程においては、薬液
の使用量が多量になるため、上述の方法を採用すること
は困難であった。
本発明の目的は処理室内の雰囲気温°度によるウェハー
の処理への影響を防止する装置を提供することにある。
の処理への影響を防止する装置を提供することにある。
本発明は半導体基板をスピンチャックにより処理室内で
回転させながら薬液処理を行う半導体製造装置において
、前記処理室内の雰囲気を循環する媒体により間接温調
する機構を備えたことを特徴とする半導体製造装置であ
る。
回転させながら薬液処理を行う半導体製造装置において
、前記処理室内の雰囲気を循環する媒体により間接温調
する機構を備えたことを特徴とする半導体製造装置であ
る。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図において、処理室１１内にはウェハー吸着用チャ
ック２が設置され、チャック２の真上には薬液吹き付は
用ノズル１５が設置される。
ック２が設置され、チャック２の真上には薬液吹き付は
用ノズル１５が設置される。
本発明はらせん状配管７，８を処理室１１内に付設し、
２本のらせん状配管７，８の一端を貯槽５に、またその
他端をポンプ６にそれぞれ接続し、ポンプ６を貯槽５に
連結し、ヒータ４を貯槽５内に備えたものである。さら
に、ノズル１５に連なる配管１５ａには熱交換器９が設
けである。
２本のらせん状配管７，８の一端を貯槽５に、またその
他端をポンプ６にそれぞれ接続し、ポンプ６を貯槽５に
連結し、ヒータ４を貯槽５内に備えたものである。さら
に、ノズル１５に連なる配管１５ａには熱交換器９が設
けである。
実施例において、ウェハー１はスピンチャック２にて真
空吸着され、スピンチャック２が回転することにより回
転処理される。
空吸着され、スピンチャック２が回転することにより回
転処理される。
媒体３は貯槽５内に貯えられ、ヒータ４により温度調節
される。貯槽５において温度調節された媒体３は循環用
ポンプ６により昇圧され、処理室１１内のらせん状配管
７，８を通り再び貯槽５に戻り循環する。一定温度の媒
体３がらせん状配管７，８を通ることによりらせん状配
管７，８の内外で媒体３と処理室１１の雰囲気との間に
熱交換が行われ、処理室１１内の雰囲気が一定温度に昇
温される。
される。貯槽５において温度調節された媒体３は循環用
ポンプ６により昇圧され、処理室１１内のらせん状配管
７，８を通り再び貯槽５に戻り循環する。一定温度の媒
体３がらせん状配管７，８を通ることによりらせん状配
管７，８の内外で媒体３と処理室１１の雰囲気との間に
熱交換が行われ、処理室１１内の雰囲気が一定温度に昇
温される。
一方、処理薬液１０は処理室１１に入る前に熱交換器９
を通ることにより昇温される。
を通ることにより昇温される。
上述のように昇温、循環される媒体３により処理室１１
の雰囲気は昇温され、薬液１０はその雰囲気内で設定温
度に制御され、回転するウェハー１の上部にノズル１５
より吹き付けられて薬液処理がなされる。
の雰囲気は昇温され、薬液１０はその雰囲気内で設定温
度に制御され、回転するウェハー１の上部にノズル１５
より吹き付けられて薬液処理がなされる。
尚、上述された実施例において、雰囲気の温度調節の精
度の効率化を図るためにらせん状配管７゜８に放熱板を
設置してもよい。また上述した実施例は昇温の場合を説
明したが、薬液処理を平常気温より低い温度にて行う場
合には媒体を昇温させるヒータのかわりに降温させる冷
却機構を取付け、媒体を循環させることにより処理室内
雰囲気を低くすることが可能である。
度の効率化を図るためにらせん状配管７゜８に放熱板を
設置してもよい。また上述した実施例は昇温の場合を説
明したが、薬液処理を平常気温より低い温度にて行う場
合には媒体を昇温させるヒータのかわりに降温させる冷
却機構を取付け、媒体を循環させることにより処理室内
雰囲気を低くすることが可能である。
また、実施例は処理薬液１０を再使用しない型式の処理
装置を示すものであるが、本発明は媒体を配管に通して
処理室１１内を間接温調するものであるから、媒体３と
処理薬液１０とが混合することはなく、したがって、処
理薬液１０を再使用する処理装置に適用することもでき
る。
装置を示すものであるが、本発明は媒体を配管に通して
処理室１１内を間接温調するものであるから、媒体３と
処理薬液１０とが混合することはなく、したがって、処
理薬液１０を再使用する処理装置に適用することもでき
る。
以上説明したように本発明は処理室内の雰囲気温度を調
節する機能を具備することにより比較的高い温度におけ
る回転処理において処理のばらつきを少なくし、またウ
ェハー処理された薬液を再度処理できない工程において
も少量の薬液にて処理することが可能となり、上述の如
き機能を有する半導体製造装置を用いて処理することに
より半導体素子の良品率を飛躍的に向上せしめることが
できる効果を有するものである。
節する機能を具備することにより比較的高い温度におけ
る回転処理において処理のばらつきを少なくし、またウ
ェハー処理された薬液を再度処理できない工程において
も少量の薬液にて処理することが可能となり、上述の如
き機能を有する半導体製造装置を用いて処理することに
より半導体素子の良品率を飛躍的に向上せしめることが
できる効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図は従来
装置を示す断面図である。
装置を示す断面図である。
Claims (1)
- （１）半導体基板をスピンチャックにより処理室内で回
転させながら薬液処理を行う半導体製造装置において、
前記処理室内の雰囲気を循環する媒体により間接温調す
る機構を備えたことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12279786A JPS62279632A (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12279786A JPS62279632A (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62279632A true JPS62279632A (ja) | 1987-12-04 |
Family
ID=14844868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12279786A Pending JPS62279632A (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62279632A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62252938A (ja) * | 1986-03-14 | 1987-11-04 | Daikin Ind Ltd | レジスト現像装置 |
| JPS6332921A (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-12 | Daikin Ind Ltd | レジスト塗布装置 |
| JPH028131U (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-19 | ||
| US4932353A (en) * | 1987-12-18 | 1990-06-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Chemical coating apparatus |
| JP2012069696A (ja) * | 2010-09-22 | 2012-04-05 | Toshiba Corp | 基板の処理装置および基板の処理方法 |
-
1986
- 1986-05-28 JP JP12279786A patent/JPS62279632A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62252938A (ja) * | 1986-03-14 | 1987-11-04 | Daikin Ind Ltd | レジスト現像装置 |
| JPS6332921A (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-12 | Daikin Ind Ltd | レジスト塗布装置 |
| US4932353A (en) * | 1987-12-18 | 1990-06-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Chemical coating apparatus |
| JPH028131U (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-19 | ||
| JP2012069696A (ja) * | 2010-09-22 | 2012-04-05 | Toshiba Corp | 基板の処理装置および基板の処理方法 |
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