JPH0350724A - ウエットエッチング装置 - Google Patents
ウエットエッチング装置Info
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- JPH0350724A JPH0350724A JP18469989A JP18469989A JPH0350724A JP H0350724 A JPH0350724 A JP H0350724A JP 18469989 A JP18469989 A JP 18469989A JP 18469989 A JP18469989 A JP 18469989A JP H0350724 A JPH0350724 A JP H0350724A
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- 238000001039 wet etching Methods 0.000 title claims description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 48
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 34
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 34
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 27
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 91
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 abstract description 45
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 11
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 2
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 description 43
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010793 Steam injection (oil industry) Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ウェットエツチング装置、特に、エツチング
液の濃度調整技術に関し、例えば、半導体装置の製造工
程において、シリコンナイトライド(StzNa)膜を
除去する熱燐酸処理装置に利用して有効な技術に関する
。
液の濃度調整技術に関し、例えば、半導体装置の製造工
程において、シリコンナイトライド(StzNa)膜を
除去する熱燐酸処理装置に利用して有効な技術に関する
。
半導体装置の製造工程において、ウェハの主面に形成さ
れたシリコンナイトライド膜を除去する熱燐酸処理装置
として、エツチング液としての燐酸液を貯留する処理槽
と、処理槽の燐酸液を加熱するヒータと、加熱されて蒸
発する燐酸を回収するための冷却管とを備えており、シ
リコンナイトライド膜を形成されているウェハが処理治
具に複数枚保持された状態で、処理槽に貯留された熱燐
酸液中に浸漬されることにより、シリコンナイトライド
膜がエツチング処理されるように構成されているものが
ある。
れたシリコンナイトライド膜を除去する熱燐酸処理装置
として、エツチング液としての燐酸液を貯留する処理槽
と、処理槽の燐酸液を加熱するヒータと、加熱されて蒸
発する燐酸を回収するための冷却管とを備えており、シ
リコンナイトライド膜を形成されているウェハが処理治
具に複数枚保持された状態で、処理槽に貯留された熱燐
酸液中に浸漬されることにより、シリコンナイトライド
膜がエツチング処理されるように構成されているものが
ある。
なお、ウェットエツチング技術としての有機被膜の除去
方法を述べである例としては、特公昭52−12063
号公報がある。
方法を述べである例としては、特公昭52−12063
号公報がある。
、(発明が解決しようとする課題〕
前述したような熱燐酸処理装置においては、熱燐酸の濃
度調整についての配慮が充分になされていないため、燐
酸が蒸発等によって処理槽外部へ逃散した場合、純水が
作業者によりその都度適当に補給されることにより、濃
度が調整されるのが現状である。そのため、濃度調整作
業に時間が浪費されるとともに、作業環境が低下される
ばかりでなく、精密な濃度調整が確保し難く、また、濃
度調整作業後における熱燐酸の温度調整についても時間
が必要になる。
度調整についての配慮が充分になされていないため、燐
酸が蒸発等によって処理槽外部へ逃散した場合、純水が
作業者によりその都度適当に補給されることにより、濃
度が調整されるのが現状である。そのため、濃度調整作
業に時間が浪費されるとともに、作業環境が低下される
ばかりでなく、精密な濃度調整が確保し難く、また、濃
度調整作業後における熱燐酸の温度調整についても時間
が必要になる。
本発明の目的は、エツチング液の濃度調整を簡単化する
ことができるウェットエツチング装置を提供することに
ある。
ことができるウェットエツチング装置を提供することに
ある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば、次の通りである。
を説明すれば、次の通りである。
すなわち、エツチング液が貯留される処理槽に水分注入
管を配管するとともに、この水分注入管に注入口を複数
個開設したものである。
管を配管するとともに、この水分注入管に注入口を複数
個開設したものである。
前記した手段によれば、水分注入管および注入口群を通
じてエツチング液中に水分を直接的に補給することがで
きるため、エツチング液の濃度を簡単に調整することが
できる。この場合、作業者は処理槽に近寄らなくとも済
むため、安全であり、エツチング液の濃度を検出するこ
とにより、精密な濃度調整を確保することができる。
じてエツチング液中に水分を直接的に補給することがで
きるため、エツチング液の濃度を簡単に調整することが
できる。この場合、作業者は処理槽に近寄らなくとも済
むため、安全であり、エツチング液の濃度を検出するこ
とにより、精密な濃度調整を確保することができる。
第1図は本発明の一実施例である熱燐酸処理装置を示す
縦断面図、第2図は第1図の■−■線に沿う平面断面図
である。
縦断面図、第2図は第1図の■−■線に沿う平面断面図
である。
本実施例において、本発明に係るウェットエンチング装
置はウェハの主面に形成されたシリコンナイトライド膜
を熱燐酸液により除去する熱燐酸処理装置として構成さ
れており、処理槽1を備えている。処理槽1は石英を用
いられて、平面形状が略正方形の上面が間口した箱形状
に形成されており、処理槽1内にはエツチング液として
の燐酸液(H3PO4+H,O)2が貯留されている。
置はウェハの主面に形成されたシリコンナイトライド膜
を熱燐酸液により除去する熱燐酸処理装置として構成さ
れており、処理槽1を備えている。処理槽1は石英を用
いられて、平面形状が略正方形の上面が間口した箱形状
に形成されており、処理槽1内にはエツチング液として
の燐酸液(H3PO4+H,O)2が貯留されている。
処理槽1の外周にはヒータ3が略等ピッチをもって取り
巻くように敷設されており、ヒータ3は処理槽1内に貯
留された燐酸i2を所定の温度(約175°C)に加熱
するように制御される。処理槽1の上端間口にはこの開
口を閉塞するための蓋体4が着脱自在に被せられており
、蓋体4の上面中央部には蓋体4を着脱するための取手
5が突設されている。蓋体4の上面には冷却管6が同心
的に配されて環形状に敷設されており、冷却管6ば処理
槽1内におけるIa酸液2の上方空間を冷却することに
より、この空間中に蒸発した燐酸の蒸気2aを凝縮させ
て燐酸液2中に滴下させることにより回収するようにな
っている。
巻くように敷設されており、ヒータ3は処理槽1内に貯
留された燐酸i2を所定の温度(約175°C)に加熱
するように制御される。処理槽1の上端間口にはこの開
口を閉塞するための蓋体4が着脱自在に被せられており
、蓋体4の上面中央部には蓋体4を着脱するための取手
5が突設されている。蓋体4の上面には冷却管6が同心
的に配されて環形状に敷設されており、冷却管6ば処理
槽1内におけるIa酸液2の上方空間を冷却することに
より、この空間中に蒸発した燐酸の蒸気2aを凝縮させ
て燐酸液2中に滴下させることにより回収するようにな
っている。
また、処理槽1には水分注入管としての水蒸気注入管7
が挿入されており、この注入管7は処理槽l内の底面上
において四角形のうず巻形状に敷設されている。水蒸気
注入管7には注入口8が多に配されて開設されている。
が挿入されており、この注入管7は処理槽l内の底面上
において四角形のうず巻形状に敷設されている。水蒸気
注入管7には注入口8が多に配されて開設されている。
この水蒸気注入管7には水蒸気9を供給するための水蒸
気供給装置10が接続されており、この供給装置10は
シーケンス制御、または、燐酸液2の濃度検出に基づく
フィードバック制御により水蒸気9を適時供給し得るよ
うに構成されている。
気供給装置10が接続されており、この供給装置10は
シーケンス制御、または、燐酸液2の濃度検出に基づく
フィードバック制御により水蒸気9を適時供給し得るよ
うに構成されている。
次に作用を説明する。
シリコンナイトライド膜(図示せず)が主面に形成され
たウェハ11は、複数枚が処理治具12に保持された状
態で(第1図の想像線参照)、蓋体4を外された処理槽
1内の燐酸液2中に浸漬される。このとき、am液2は
ヒータ3により所定の温度(約175℃)に加熱制御さ
れているため、ウェハ11上のシリコンナイトライド膜
に対する燐酸fi2によるエツチング処理はきわめて効
率的に実施される。
たウェハ11は、複数枚が処理治具12に保持された状
態で(第1図の想像線参照)、蓋体4を外された処理槽
1内の燐酸液2中に浸漬される。このとき、am液2は
ヒータ3により所定の温度(約175℃)に加熱制御さ
れているため、ウェハ11上のシリコンナイトライド膜
に対する燐酸fi2によるエツチング処理はきわめて効
率的に実施される。
加熱された燐酸液2は蒸気2aとなって蒸発する。蓋体
4が被せられている時には、蓋体4に冷却管6が敷設さ
れているため、蒸発した燐酸の蒸酸液2に回収される。
4が被せられている時には、蓋体4に冷却管6が敷設さ
れているため、蒸発した燐酸の蒸酸液2に回収される。
しかし、蓋体4が取り外されている時等には、蒸発した
燐酸の蒸気2aは処理槽lの外部へ逃散してしまう、そ
の結果、燐酸液2の濃度が次第に高くなってしまい、ウ
ェハのシリコンナイトライド膜に対する燐酸液2のエツ
チングレート等が設定値から翻反し、処理精度が低下し
てしまう。
燐酸の蒸気2aは処理槽lの外部へ逃散してしまう、そ
の結果、燐酸液2の濃度が次第に高くなってしまい、ウ
ェハのシリコンナイトライド膜に対する燐酸液2のエツ
チングレート等が設定値から翻反し、処理精度が低下し
てしまう。
従来は、比重計等により燐酸液2の濃度が適時測定され
、その濃度が設定値よりも離反していた場合には、純水
を燐酸液中に補給することにより、燐酸液が希釈され、
その濃度が調整されている。
、その濃度が設定値よりも離反していた場合には、純水
を燐酸液中に補給することにより、燐酸液が希釈され、
その濃度が調整されている。
この調整方法による場合、純水の補給量は作業者の経験
上の恣に鯨るところが大きく、精密な制御が実行される
時には多大の時間が浪費され、また、調整後、補給され
た純水により燐酸液の温度が低下されるため、燐酸液の
温度制御に時間が消費されてしまう。
上の恣に鯨るところが大きく、精密な制御が実行される
時には多大の時間が浪費され、また、調整後、補給され
た純水により燐酸液の温度が低下されるため、燐酸液の
温度制御に時間が消費されてしまう。
本実施例においては、燐酸′tL2の濃度が低下すると
、水蒸気供給装置10からの水蒸気9が水蒸気9はこの
注入管7の注入口8群から燐酸液の中へ注入される。こ
の水蒸気9の注入により、濃くなった燐酸液2が希釈さ
れ、濃度の調整が実行される。
、水蒸気供給装置10からの水蒸気9が水蒸気9はこの
注入管7の注入口8群から燐酸液の中へ注入される。こ
の水蒸気9の注入により、濃くなった燐酸液2が希釈さ
れ、濃度の調整が実行される。
この水蒸気9による水分の補給によれば、補給すべき水
分が少量であっても大きな嵩を持っているため、純水を
補給する場合に比べて、補給量の調整がきわめて容易に
なり、その結果、燐酸液2の濃度@御が高精度に実行さ
れる。また、水蒸気9が処理Nl内に均一に開設された
注入口8群がら注入されるため、燐酸液2は濃度分布が
全体にわたって均一になるように希釈される。さらに、
水蒸気9によれば、純水に比べて、燐酸液2の温度が低
下されないため、燐m液2の温度についての再調整時間
を抑制することができる。
分が少量であっても大きな嵩を持っているため、純水を
補給する場合に比べて、補給量の調整がきわめて容易に
なり、その結果、燐酸液2の濃度@御が高精度に実行さ
れる。また、水蒸気9が処理Nl内に均一に開設された
注入口8群がら注入されるため、燐酸液2は濃度分布が
全体にわたって均一になるように希釈される。さらに、
水蒸気9によれば、純水に比べて、燐酸液2の温度が低
下されないため、燐m液2の温度についての再調整時間
を抑制することができる。
なお、水蒸気供給装置10による水蒸気9の供給は人的
作業によって実行してもよいが、シーケンス制御やフィ
ードバック制御等により実行するように構成してもよい
、シーケンス制御する場合には、経験や実験等により、
濃度の低下傾向を予め求め、それに基づいて水蒸気の補
給が適時実行されるように構成すればよい、また、フィ
ードバック制御する場合には、比重計や濃度計により燐
酸液の濃度変化を検出し、この検出に基づいて水蒸気の
補給が自動的に実行されるように構成すればよい。
作業によって実行してもよいが、シーケンス制御やフィ
ードバック制御等により実行するように構成してもよい
、シーケンス制御する場合には、経験や実験等により、
濃度の低下傾向を予め求め、それに基づいて水蒸気の補
給が適時実行されるように構成すればよい、また、フィ
ードバック制御する場合には、比重計や濃度計により燐
酸液の濃度変化を検出し、この検出に基づいて水蒸気の
補給が自動的に実行されるように構成すればよい。
前記実施例によれば次の効果が得られる。
(1) エツチング液が貯留される処理槽に水分注入
管を配管するとともに、注入口を複数個開設することに
より、エツチング液中に水分を注入管および注入口群を
通じて直接的に注入することができるため、エツチング
液の濃度を簡単に調整することができる。
管を配管するとともに、注入口を複数個開設することに
より、エツチング液中に水分を注入管および注入口群を
通じて直接的に注入することができるため、エツチング
液の濃度を簡単に調整することができる。
(2)水分注入管および注入口群を処理槽に均一に配設
することにより、エツチング液中に対する水分の注入が
均一に実行されるため、エツチング液をその濃度分布が
全体にわたって均一になるように希釈させることができ
る。
することにより、エツチング液中に対する水分の注入が
均一に実行されるため、エツチング液をその濃度分布が
全体にわたって均一になるように希釈させることができ
る。
〔3)水蒸気によって水分を補給するように構成するこ
とにより、純水を補給する場合に比べて、補給量の調整
がきわめて容易になるため、エツチング液の濃度制御を
より一層高めることができる。
とにより、純水を補給する場合に比べて、補給量の調整
がきわめて容易になるため、エツチング液の濃度制御を
より一層高めることができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
例えば、水分の補給は水蒸気によって実行するようにt
#成するに限らず、純水によって実行するように構成し
てもよい。
#成するに限らず、純水によって実行するように構成し
てもよい。
エツチング液としては、熱燐酸液を使用するに限らず、
弗酸と水、弗酸と硝酸と酢酸と水、塩酸と硝酸と水等々
から成るエツチング液を使用してもよい。
弗酸と水、弗酸と硝酸と酢酸と水、塩酸と硝酸と水等々
から成るエツチング液を使用してもよい。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である熱燐酸処理装置につ
いて説明したが、それに限定されるものではなく、他の
エツチング液を使用するウェットエツチング装置全般に
通用することができる9本発明は特にエツチング液の濃
度を精密に制御する必要がある流体I制御弁に適用して
優れた効果が得られる。
をその背景となった利用分野である熱燐酸処理装置につ
いて説明したが、それに限定されるものではなく、他の
エツチング液を使用するウェットエツチング装置全般に
通用することができる9本発明は特にエツチング液の濃
度を精密に制御する必要がある流体I制御弁に適用して
優れた効果が得られる。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである。
て得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである。
エツチング液が貯留される処理槽に水分注入管を配管す
るとともに、注入口を複数個開設することにより、エツ
チング液中に水分を注入管および注入口群を通じて直接
的に注入することができるため、エツチング液の濃度を
簡単に調整することができる。
るとともに、注入口を複数個開設することにより、エツ
チング液中に水分を注入管および注入口群を通じて直接
的に注入することができるため、エツチング液の濃度を
簡単に調整することができる。
第1図は本発明の一実施例である熱燐酸処理装置を示す
縦断面図、 第2図は第1Fj!Jのff−11線に沿う平面断面図
である。 1・・・処理槽、2・・・燐酸液(エツチング液)、3
ヒータ、4・・・蓋体、5・・・取手、6・・・冷却管
、7水蒸蒐注入管(水分注入管)、8・・・注入口、9
・・・水蒸気 (水分) 0・−・水蒸気供給装置。
縦断面図、 第2図は第1Fj!Jのff−11線に沿う平面断面図
である。 1・・・処理槽、2・・・燐酸液(エツチング液)、3
ヒータ、4・・・蓋体、5・・・取手、6・・・冷却管
、7水蒸蒐注入管(水分注入管)、8・・・注入口、9
・・・水蒸気 (水分) 0・−・水蒸気供給装置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、エッチング液が貯留される処理槽に水分注入管が配
管されているとともに、この水分注入管に注入口が複数
個開設されており、この水分注入管および注入口群を通
じて処理槽のエッチング液中に水分が注入されるように
構成されていることを特徴とするウェットエッチング装
置。 2、水分が水蒸気の形態で供給されるように構成されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のウェ
ットエッチング装置。 3、水分注入管が処理槽内に均等に配管されているとと
もに、注入口群が均一に配置されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載のウェットエッチング装置
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18469989A JPH0350724A (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | ウエットエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18469989A JPH0350724A (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | ウエットエッチング装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0350724A true JPH0350724A (ja) | 1991-03-05 |
Family
ID=16157835
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18469989A Pending JPH0350724A (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | ウエットエッチング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0350724A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103367229A (zh) * | 2012-04-07 | 2013-10-23 | 中国科学院微电子研究所 | 酸腐蚀去除氮化硅工艺的补水装置和方法 |
JP2014510417A (ja) * | 2011-03-30 | 2014-04-24 | 東京エレクトロン株式会社 | マスク層のエッチング速度と選択性の増大 |
JP2014511040A (ja) * | 2011-03-30 | 2014-05-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 枚葉式基板処理のためのエッチングシステム及び方法 |
JP2018056258A (ja) * | 2016-09-28 | 2018-04-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
WO2023190769A1 (ja) | 2022-03-31 | 2023-10-05 | 株式会社ジーシー | 歯科用接着性組成物 |
-
1989
- 1989-07-19 JP JP18469989A patent/JPH0350724A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014510417A (ja) * | 2011-03-30 | 2014-04-24 | 東京エレクトロン株式会社 | マスク層のエッチング速度と選択性の増大 |
JP2014511040A (ja) * | 2011-03-30 | 2014-05-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 枚葉式基板処理のためのエッチングシステム及び方法 |
CN103367229A (zh) * | 2012-04-07 | 2013-10-23 | 中国科学院微电子研究所 | 酸腐蚀去除氮化硅工艺的补水装置和方法 |
JP2018056258A (ja) * | 2016-09-28 | 2018-04-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
WO2018061405A1 (ja) * | 2016-09-28 | 2018-04-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
WO2023190769A1 (ja) | 2022-03-31 | 2023-10-05 | 株式会社ジーシー | 歯科用接着性組成物 |
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