JP2021072294A - 基板のエッチング方法 - Google Patents
基板のエッチング方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021072294A JP2021072294A JP2019195758A JP2019195758A JP2021072294A JP 2021072294 A JP2021072294 A JP 2021072294A JP 2019195758 A JP2019195758 A JP 2019195758A JP 2019195758 A JP2019195758 A JP 2019195758A JP 2021072294 A JP2021072294 A JP 2021072294A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- substrate
- temperature
- treatment liquid
- information
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 229
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 175
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 76
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 112
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 77
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 47
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 25
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 34
- 238000009472 formulation Methods 0.000 claims description 5
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 238000000611 regression analysis Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Weting (AREA)
Abstract
Description
エッチング処理条件の変更は、次回以降の基板の処理に適用してもよいし、前記第2基板に対する前記エッチング工程中にその場で行ってもよい。
の形式で表される。ここで、kはエッチングレート、Aは頻度因子、Eは活性化エネルギー、Rは気体定数、Tは絶対温度である。温度以外の条件が同じなら頻度因子Aは定数となる。上記計算式の頻度因子Aおよび活性化エネルギーEは、処理液温度とエッチング量の測定値から回帰分析によって求めることができる。そして、この式によって、処理液の温度からエッチングレートを計算できる。
11 保持台
12 回転軸
13 ノズル
14 カバー部材
20 サーモカメラ
70 ケーブル
W 基板
L 処理液
Claims (11)
- 枚葉式の処理装置を用いて、第1基板を回転させながら該第1基板上に処理液を供給して、前記第1基板上の前記処理液の第1温度情報を取得する第1事前工程と、
前記第1温度情報に対応した第1エッチング情報を取得する第2事前工程と、
前記第1温度情報と前記第1エッチング情報に基づいて、前記処理液の温度からエッチングレートを計算するエッチングレート計算式または計算表を導出する第3事前工程と、
を有する基板のエッチング方法。 - 前記第1エッチング情報は、前記第1事前工程後に測定した前記第1基板表面のエッチング量である、
請求項1に記載の基板のエッチング方法。 - 前記エッチングレート計算式または計算表に基づいて、前記第1基板と同種の第2基板のエッチング処理条件を決定する工程をさらに有する、
請求項1または2に記載の基板のエッチング方法。 - 前記エッチング処理条件は、前記処理液の濃度、温度および供給量、前記処理液の供給位置の移動パターン、ならびに前記第2基板の温度および回転速度について決定される、
請求項3に記載の基板のエッチング方法。 - 前記処理装置を用いて、前記エッチング処理条件に従って前記第2基板をエッチングするエッチング工程をさらに有する、
請求項3または4に記載の基板のエッチング方法。 - 前記エッチング処理条件は、前記エッチング工程における前記第2基板のエッチング量が該第2基板の全面で均一になるように決定される、
請求項5に記載の基板のエッチング方法。 - 前記エッチング工程中に、前記第2基板上の前記処理液の第2温度情報を取得して、記録手段に記録する工程をさらに有する、
請求項5または6に記載の基板のエッチング方法。 - 前記エッチング工程中に、前記第2温度情報および前記エッチングレート計算式または計算表に基づいて、前記第2基板のエッチングレートを計算して、前記記録手段に記録する工程をさらに有する、
請求項7に記載の基板のエッチング方法。 - 前記エッチング工程後に、記録された前記第2基板のエッチングレートに基づいて前記第2基板表面のエッチング量が所望の分布であるかを判定する工程をさらに有する、
請求項4〜8のいずれか一項に記載の基板のエッチング方法。 - 前記第2基板のエッチングレートに基づいて、前記エッチング処理条件を変更する、
請求項8に記載の基板のエッチング方法。 - 前記エッチング処理条件の変更は、前記処理液の濃度、温度および供給量、前記処理液の供給位置の移動パターン、ならびに前記第2基板の温度および回転速度の中のいずれか1以上の項目について行われる、
請求項10に記載の基板のエッチング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019195758A JP7296300B2 (ja) | 2019-10-29 | 2019-10-29 | 基板のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019195758A JP7296300B2 (ja) | 2019-10-29 | 2019-10-29 | 基板のエッチング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021072294A true JP2021072294A (ja) | 2021-05-06 |
JP7296300B2 JP7296300B2 (ja) | 2023-06-22 |
Family
ID=75713406
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019195758A Active JP7296300B2 (ja) | 2019-10-29 | 2019-10-29 | 基板のエッチング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7296300B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023013436A1 (ja) * | 2021-08-05 | 2023-02-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 予測方法、予測プログラム、予測装置、学習方法、学習プログラム及び学習装置 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60135583A (ja) * | 1983-12-22 | 1985-07-18 | Sony Corp | 自動エツチング装置 |
JP2002110623A (ja) * | 2000-09-19 | 2002-04-12 | Promos Technologies Inc | ウェットエッチング方法 |
JP2008177329A (ja) * | 2007-01-18 | 2008-07-31 | Mitsubishi Electric Corp | ウエットエッチング方法 |
JP2009231732A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
WO2014020642A1 (ja) * | 2012-07-31 | 2014-02-06 | 国立大学法人東北大学 | 半導体物品のエッチング方法 |
JP2016015395A (ja) * | 2014-07-02 | 2016-01-28 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2016515300A (ja) * | 2013-02-28 | 2016-05-26 | ビーコ プリジション サーフェイス プロセシング エルエルシー | ウェットエッチングプロセスを実行するためのシステムおよび方法 |
JP2016119443A (ja) * | 2014-12-18 | 2016-06-30 | 株式会社リコー | エッチング装置及びエッチング方法 |
JP2016184701A (ja) * | 2015-03-26 | 2016-10-20 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2018198452A (ja) * | 2014-03-20 | 2018-12-13 | インテル アイピー コーポレイション | 共有セルのための参照信号の向上 |
-
2019
- 2019-10-29 JP JP2019195758A patent/JP7296300B2/ja active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60135583A (ja) * | 1983-12-22 | 1985-07-18 | Sony Corp | 自動エツチング装置 |
JP2002110623A (ja) * | 2000-09-19 | 2002-04-12 | Promos Technologies Inc | ウェットエッチング方法 |
JP2008177329A (ja) * | 2007-01-18 | 2008-07-31 | Mitsubishi Electric Corp | ウエットエッチング方法 |
JP2009231732A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
WO2014020642A1 (ja) * | 2012-07-31 | 2014-02-06 | 国立大学法人東北大学 | 半導体物品のエッチング方法 |
JP2016515300A (ja) * | 2013-02-28 | 2016-05-26 | ビーコ プリジション サーフェイス プロセシング エルエルシー | ウェットエッチングプロセスを実行するためのシステムおよび方法 |
JP2018198452A (ja) * | 2014-03-20 | 2018-12-13 | インテル アイピー コーポレイション | 共有セルのための参照信号の向上 |
JP2016015395A (ja) * | 2014-07-02 | 2016-01-28 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2016119443A (ja) * | 2014-12-18 | 2016-06-30 | 株式会社リコー | エッチング装置及びエッチング方法 |
JP2016184701A (ja) * | 2015-03-26 | 2016-10-20 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023013436A1 (ja) * | 2021-08-05 | 2023-02-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 予測方法、予測プログラム、予測装置、学習方法、学習プログラム及び学習装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7296300B2 (ja) | 2023-06-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5675617B2 (ja) | 加工時における基板の分光モニタリングを使用した研磨速度の調整 | |
US11569104B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP2016515300A5 (ja) | ||
US8932962B2 (en) | Chemical dispensing system and method | |
JP2002170775A (ja) | 半導体処理装置における温度測定方法および装置並びに半導体処理方法および装置 | |
JP2015131361A (ja) | 研磨装置および研磨方法 | |
JP2009283716A (ja) | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 | |
JP2012204806A (ja) | 判定方法、制御方法、判定装置、パターン形成システム及びプログラム | |
JPH1142551A (ja) | 研磨装置及び研磨方法 | |
CN113066737B (zh) | 用于蚀刻薄层的装置 | |
JP7296300B2 (ja) | 基板のエッチング方法 | |
TWI343474B (en) | Methods and apparatus for determining the temperature of a substrate | |
JP2008177329A (ja) | ウエットエッチング方法 | |
JP5514667B2 (ja) | 回転塗布方法 | |
JP3932097B2 (ja) | 半導体ウエーハ及び半導体ウエーハの加工方法 | |
JP2017503673A (ja) | 表面平坦化システムおよび方法 | |
JP2014154874A (ja) | 膜厚モニタ装置、研磨装置および膜厚モニタ方法 | |
TWI659276B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
JP2007142455A (ja) | 半導体デバイス作製プロセス用装置 | |
JP6212092B2 (ja) | 基板処理システム、フォーカスリングの温度制御方法及び基板のエッチング方法 | |
WO2020261860A1 (ja) | 半導体ウェーハの厚み測定方法及び半導体ウェーハの厚み測定システム | |
JPH11251289A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
TWI246449B (en) | Method of determining chemical mechanical polishing endpoint | |
US11862474B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
Metz et al. | In-situ film thickness measurements for real-time monitoring and control of advanced photoresist track coating systems |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20200210 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220530 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230329 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230330 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230517 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230607 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230612 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7296300 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |