JP2017503673A - 表面平坦化システムおよび方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 96
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 106
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 56
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 52
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 75
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 25
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 23
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 22
- 238000004886 process control Methods 0.000 claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims description 10
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims description 9
- 238000012625 in-situ measurement Methods 0.000 claims description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims description 2
- 238000004148 unit process Methods 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 36
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 31
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 13
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 12
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000012369 In process control Methods 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000000572 ellipsometry Methods 0.000 description 1
- 235000013305 food Nutrition 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000010965 in-process control Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
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- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
- H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
- H01L21/31055—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step the removal being a chemical etching step, e.g. dry etching
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/32115—Planarisation
- H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
- H01L21/32125—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP] by simultaneously passing an electrical current, i.e. electrochemical mechanical polishing, e.g. ECMP
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Abstract
Description
本発明は、材料除去技術の分野にあり、表面平坦化のためのシステムおよび方法に関するものである。
サンプル表面に少なくとも1回の「ラフ」材料除去プロセスを適用するよう構成された材料除去システムと;
「ラフ」材料除去システムによって処理された後の前記サンプルを処理するよう構成された上述した表面平坦化システムと;
サンプルを検査するように、および、前記表面平坦化システムに動作データの作成を可能にするプロセス制御データを作成するように、構成された検査システムと;
を備えることを特徴とする処理システムが提供される。
少なくとも1回のCMPステップにおいて、サンプルにラフCMP処理を適用する工程と;
前記ラフCMP処理の後にサンプルに光学的計測による測定を適用し、サンプル上のターゲットとなる層の厚さプロファイルを示すプロセス制御データを作成する工程と;
測定されたサンプルにファイン表面平坦化を適用する工程であって、前記ファイン表面平坦化が、エッチング材料構造とサンプルを相互反応させる工程と、前記エッチング材料構造との相互反応の間サンプルにエネルギーを適用する工程と、を備え、それによって、前記測定した厚さプロファイルに従って決定されたサンプルの温度パターンを作成し、前記温度パターンがサンプルの表面の対応するエッチングマップを作成し、サンプル表面の異なる位置が、前記エッチング材料構造によって異なる材料除去速度となることを特徴とする方法が提供される。
Claims (17)
- 処理領域内で局所化されたエネルギー分布を作成するための外部エネルギー源と、前記局所化されたエネルギー分布によって、前記処理領域内に所定の温度パターンを生成するように、前記外部エネルギー源を操作するための制御ユニットと、を備え、エッチング材料構造と相互作用するサンプルが、前記処理領域に位置するとき、サンプル表面の異なる位置での温度パターンが、前記エッチング材料構造によって、異なる材料除去速度を生成する場合に、前記処理領域の異なる位置が異なる温度となることを特徴とする表面平坦化システム。
- 前記外部エネルギー源が1つ以上のヒーターを備えることを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記1つ以上のヒーターが、電磁放射線を発生するよう構成されていることを特徴とする請求項2に記載のシステム。
- 前記外部エネルギー源が、離間した関係で平面に配置されたヒーターのマトリックスを備え、要求された動作パラメーターによる選択されたヒーターの作動が、処理領域内に前記局所化された温度分布を生成することを特徴とする請求項2または3に記載のシステム。
- 動作パラメーターが、加熱温度、パルスまたはCW動作モード、加熱の時間、加熱パルス形状、加熱パルスの時間パターンのうちの少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項4に記載のシステム。
- 制御ユニットが、入力データを受け取って処理し、エネルギー源に動作データを作成するよう構成されたデータ処理装置を備えるプロセス制御器ユニットを備え、前記動作データが、処理領域内のエネルギー源によって作成される温度パターンを示していることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のシステム。
- 前記入力データが、サンプル上の層の厚さプロファイルに対応するサンプルマップを備え、前記制御ユニットのデータ処理装置が、前記サンプルマップのデータを処理し、対応するエッチングマップを決定し、エネルギー源に前記対応する動作データを作成するよう構成されていることを特徴とする請求項6に記載のシステム。
- 前記入力データが、システムによって処理されるべきサンプル上の層の厚さプロファイルを示すサンプルマップに対応するエッチングマップデータを備えることを特徴とする請求項6に記載のシステム。
- 制御ユニットが、前記入力データを受け取るために、外部システムと通信できるよう構成されていることを特徴とする請求項6〜8のいずれか1項に記載のシステム。
- 外部エネルギー源の制御ユニットとデータ通信可能に構成されたその場計測モジュールを備え、前記その場計測モジュールは、サンプルおよびエッチング材料構造の少なくとも1つのパラメーターを測定するように、および、要求された温度パターンを維持し、要求された結果に対し平坦化プロセスの終点を定義するために、エネルギー源の動作パラメーターを制御する、制御ユニットにより使用されるプロセス制御データを作成するように、構成され動作可能とされていることを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載のシステム。
- 処理領域内に局所化されたエネルギー分布を作成することができる外部エネルギー源と;前記処理領域において、エッチング液中でサンプルを支持するための支持ユニットと;サンプルマップを示す入力データを受け取り、対応するエッチングマップを決定し、前記サンプル中に所定の温度パターンを生成する局所化されたエネルギー分布を作成するために、前記エネルギー源を操作するための動作データを作成するための制御ユニットと;を備え、それにより、サンプル中に温度に依存するエッチングパターンをもたらすことを特徴とする表面平坦化システム。
- 製造ライン上を進むサンプルを処理するための処理システムであって、システムが:
サンプル表面に少なくとも1回のラフ材料除去プロセスを適用するよう構成された材料除去システムと;
前記材料除去システムによって処理された後の前記サンプルを処理するよう構成された表面平坦化システムであって、請求項1−11のいずれか1項の記載に従って構成された表面平坦化システムと;
サンプル上の測定をするように、および、前記表面平坦化システムに動作データの作成を可能にするプロセス制御データを作成するように、構成された計測システムと;
を備えることを特徴とする処理システム。 - 表面平坦化システムに使われるその場計測モジュールを備えることを特徴とする請求項12に記載の処理システム。
- 前記その場計測モジュールが、少なくとも1つのパラメーター、ここで、少なくとも1つのパラメーターは少なくとも1つのサンプルパラメーターおよび/または少なくとも1つのエッチング材料構造パラメーターを含む、を測定するように、および、要求された温度パターンを維持するために、エネルギー源の動作パラメーターを制御するためのプロセス制御データを作成するように、構成され動作可能であることを特徴とする請求項13に記載の処理システム。
- 前記材料除去システムが、化学機械研磨(CMP)によって材料除去するよう構成されていることを特徴とする請求項11〜14のいずれか1項に記載の処理システム。
- サンプルにラフCMP処理を適用するための少なくとも1つのCMPステーションと、請求項1〜11のいずれか1項に記載の前記表面平坦化システムであって、前記少なくとも1つのCMPステーションの下流側に位置し、前記選択エッチングにより前記サンプルにファイン表面平坦化を適用するよう動作可能である平面平坦化システムと、を備えることを特徴とする化学機械研磨(CMP)ツール配置。
- 製造ライン上を進むサンプルを処理するための方法であって、方法が:
少なくとも1回のCMPステップにおいて、サンプルにラフCMP処理を適用する工程と;
前記ラフCMP処理の後にサンプルに光学的計測による測定を適用し、サンプル上のターゲットとなる層の厚さプロファイルを示すプロセス制御データを作成する工程と;
測定されたサンプルにファイン表面平坦化を適用する工程であって、前記ファイン表面平坦化が、エッチング材料構造とサンプルを相互反応させる工程と、前記エッチング材料構造との相互反応の間サンプルにエネルギーを適用する工程と、を備え、それによって、前記測定した厚さプロファイルに従って決定されたサンプルの温度パターンを作成し、前記温度パターンがサンプルの表面の対応するエッチングマップを作成し、サンプル表面の異なる位置が、前記エッチング材料構造によって異なる材料除去速度となることを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201361922241P | 2013-12-31 | 2013-12-31 | |
US61/922,241 | 2013-12-31 | ||
PCT/IL2014/051143 WO2015101989A1 (en) | 2013-12-31 | 2014-12-31 | Surface planarization system and method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017503673A true JP2017503673A (ja) | 2017-02-02 |
JP6502383B2 JP6502383B2 (ja) | 2019-04-17 |
Family
ID=53493365
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016561093A Active JP6502383B2 (ja) | 2013-12-31 | 2014-12-31 | 表面平坦化システムおよび方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10226852B2 (ja) |
JP (1) | JP6502383B2 (ja) |
CN (1) | CN106062930B (ja) |
IL (1) | IL246481A (ja) |
WO (1) | WO2015101989A1 (ja) |
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---|---|---|---|---|
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WO2015101989A1 (en) | 2015-07-09 |
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JP6502383B2 (ja) | 2019-04-17 |
US20180029189A9 (en) | 2018-02-01 |
US20160318148A1 (en) | 2016-11-03 |
IL246481A (en) | 2017-06-29 |
CN106062930B (zh) | 2019-07-12 |
CN106062930A (zh) | 2016-10-26 |
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A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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