JPH088237A - ウェハの全体的な厚さ変化を改良するシステム - Google Patents
ウェハの全体的な厚さ変化を改良するシステムInfo
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- JPH088237A JPH088237A JP7031162A JP3116295A JPH088237A JP H088237 A JPH088237 A JP H088237A JP 7031162 A JP7031162 A JP 7031162A JP 3116295 A JP3116295 A JP 3116295A JP H088237 A JPH088237 A JP H088237A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、バルク半導体ウェハの表面の全体
的な厚さ変化を小さくするように制御するシステムを提
供することを目的とする。 【構成】 ウェハの表面に対して最初の全体的な厚さ変
化プロフィールを決定する手段12と、ウェハの表面に対
して滞在時間対位置マップ20を発生する手段18と、ウェ
ハの表面からプラズマエッチングによって材料を選択的
に局部的に除去する手段24とを具備し、位置マップ20が
最初の全体的な厚さ変化プロフィールから発生され、選
択的な局部材料除去手段24が滞在時間対位置マップ20に
したがって制御されることを特徴とする。
的な厚さ変化を小さくするように制御するシステムを提
供することを目的とする。 【構成】 ウェハの表面に対して最初の全体的な厚さ変
化プロフィールを決定する手段12と、ウェハの表面に対
して滞在時間対位置マップ20を発生する手段18と、ウェ
ハの表面からプラズマエッチングによって材料を選択的
に局部的に除去する手段24とを具備し、位置マップ20が
最初の全体的な厚さ変化プロフィールから発生され、選
択的な局部材料除去手段24が滞在時間対位置マップ20に
したがって制御されることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は一般にバルク半導体ウェ
ハの表面にわたる全体的な厚さの変化を改良するシステ
ム、特にバルク半導体ウェハの表面の最初の全体的な厚
さの変化を測定する手段を有するこのようなシステムに
関する。
ハの表面にわたる全体的な厚さの変化を改良するシステ
ム、特にバルク半導体ウェハの表面の最初の全体的な厚
さの変化を測定する手段を有するこのようなシステムに
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の寸法が減少し、もっと多数
の装置を所定のウェハ上に形成することを要求されるた
めに、製造業者は半導体装置の密度を高めることを求め
られている。その結果、前には半導体ウェハの表面にわ
たって許容可能な厚さの変化であったものが急速に許容
できなくなってきている。それは、個々の装置が小さく
なって、各表面変化に対する影響がより大きくなり、す
なわち半導体表面の各変化が複数の装置に悪影響を与
え、したがってウェハからの生産量を大幅に減少するか
らである。したがって、半導体製造に利用可能なチップ
または回路密度を限定する要因の１つは、半導体ウェハ
の表面にわたる全体的な厚さの変化である。
の装置を所定のウェハ上に形成することを要求されるた
めに、製造業者は半導体装置の密度を高めることを求め
られている。その結果、前には半導体ウェハの表面にわ
たって許容可能な厚さの変化であったものが急速に許容
できなくなってきている。それは、個々の装置が小さく
なって、各表面変化に対する影響がより大きくなり、す
なわち半導体表面の各変化が複数の装置に悪影響を与
え、したがってウェハからの生産量を大幅に減少するか
らである。したがって、半導体製造に利用可能なチップ
または回路密度を限定する要因の１つは、半導体ウェハ
の表面にわたる全体的な厚さの変化である。
【０００３】現在、バルク半導体ウェハは、予め定めら
れた結晶方向で成長された半導体インゴット(boule) か
ら典型的にダイヤモンドのこぎり刃装置を使用して切断
される。バルク半導体ウェハは切断されると、のこぎり
装置によって与えられた傷を除去するために粗および微
研磨剤(abrasive)と組合せられて多数の研磨処理を実施
される。ウェハ表面は、粗い研磨および微細な研磨処理
によって生じた傷を除去するために非常に微細な研磨剤
および反応液と組合せられて順次処理される。研磨動作
は、ウェハ表面上の全ての位置から材料を同時に不均一
に除去するように意図されている。さらに、バルク半導
体ウェハの製造処理を経済的にするために、このような
動作は典型的にいくつかのウェハについて同時に行わ
れ、一般的にバッチ動作と呼ぶ。
れた結晶方向で成長された半導体インゴット(boule) か
ら典型的にダイヤモンドのこぎり刃装置を使用して切断
される。バルク半導体ウェハは切断されると、のこぎり
装置によって与えられた傷を除去するために粗および微
研磨剤(abrasive)と組合せられて多数の研磨処理を実施
される。ウェハ表面は、粗い研磨および微細な研磨処理
によって生じた傷を除去するために非常に微細な研磨剤
および反応液と組合せられて順次処理される。研磨動作
は、ウェハ表面上の全ての位置から材料を同時に不均一
に除去するように意図されている。さらに、バルク半導
体ウェハの製造処理を経済的にするために、このような
動作は典型的にいくつかのウェハについて同時に行わ
れ、一般的にバッチ動作と呼ぶ。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このようなバッチ処理
の結果、一般にこの方法によって生成された個々のバル
ク半導体ウェハは約５マイクロメータだけ平坦さからず
れた表面を有する。ウェハが真空チャック等の平面真空
取付け装置によって次の処理のために保持されるか或は
取付けられた場合に、このような偏差は増加する可能性
がある。この非平坦さは、典型的に限られた焦点の深さ
を有するマイクロリソグラフ露光装置を使用した最新の
装置製造プロセスにおいて重大な問題を生じさせる。さ
らに、このようなウェハの完成した表面は、研磨動作に
より生じた小さいが大量の基体結晶損傷を隠蔽する可能
性がある。
の結果、一般にこの方法によって生成された個々のバル
ク半導体ウェハは約５マイクロメータだけ平坦さからず
れた表面を有する。ウェハが真空チャック等の平面真空
取付け装置によって次の処理のために保持されるか或は
取付けられた場合に、このような偏差は増加する可能性
がある。この非平坦さは、典型的に限られた焦点の深さ
を有するマイクロリソグラフ露光装置を使用した最新の
装置製造プロセスにおいて重大な問題を生じさせる。さ
らに、このようなウェハの完成した表面は、研磨動作に
より生じた小さいが大量の基体結晶損傷を隠蔽する可能
性がある。
【０００５】現在最小の 0.5マイクロメータ乃至1 マイ
クロメータの回路パターン寸法では、リソグラフシステ
ムは典型的に約 0.5マイクロメータのフィールドの深さ
を有する。次世代の装置は 0.5マイクロメータより小さ
いパターン寸法を有し、光リソグラフシステムのフィー
ルドの深さは約 0.1マイクロメータであると考えられ
る。したがって、表面の厚さの変化は、この寸法の微細
構造(featue)の形成を妨害または阻止する厚さの変化を
生ぜずにこのような微細構造が形成されることができる
ようなものでなければならない。しかしながら、露光フ
ィールドのために選択されたウェハ上の任意の領域の平
坦さを確保するためには、ウェハの表面全体がその平坦
さにされなければならないことは明らかである。
クロメータの回路パターン寸法では、リソグラフシステ
ムは典型的に約 0.5マイクロメータのフィールドの深さ
を有する。次世代の装置は 0.5マイクロメータより小さ
いパターン寸法を有し、光リソグラフシステムのフィー
ルドの深さは約 0.1マイクロメータであると考えられ
る。したがって、表面の厚さの変化は、この寸法の微細
構造(featue)の形成を妨害または阻止する厚さの変化を
生ぜずにこのような微細構造が形成されることができる
ようなものでなければならない。しかしながら、露光フ
ィールドのために選択されたウェハ上の任意の領域の平
坦さを確保するためには、ウェハの表面全体がその平坦
さにされなければならないことは明らかである。
【０００６】結果として、バルク半導体ウェハの全体的
な厚さ変化を改良するシステムが半導体工業において必
要であり、所望されている。
な厚さ変化を改良するシステムが半導体工業において必
要であり、所望されている。
【０００７】したがって、本発明の目的は、通常のシス
テムの上記の欠点を実質的に克服するバルク半導体ウェ
ハの表面の全体的な厚さ変化を改良するシステムを提供
することである。
テムの上記の欠点を実質的に克服するバルク半導体ウェ
ハの表面の全体的な厚さ変化を改良するシステムを提供
することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的は、処理される
べき表面の最初の全体的な厚さ変化を測定する手段と、
最終的な全体的な厚さ変化が最小にされるように測定さ
れた最初の全体的な厚さ変化にしたがってウェハの表面
から材料を選択的に除去する手段とを具備しているバル
ク半導体ウェハの表面の全体的な厚さ変化を改良するシ
ステムによって少なくとも部分的に達成される。
べき表面の最初の全体的な厚さ変化を測定する手段と、
最終的な全体的な厚さ変化が最小にされるように測定さ
れた最初の全体的な厚さ変化にしたがってウェハの表面
から材料を選択的に除去する手段とを具備しているバル
ク半導体ウェハの表面の全体的な厚さ変化を改良するシ
ステムによって少なくとも部分的に達成される。
【０００９】
【実施例】本発明の別の目的および利点は、以下の詳細
な説明、添付された特許請求の範囲および添付図面から
当業者に明らかになるであろう。本発明の原理によるバ
ルク半導体ウェハの全体的な厚さ変化を改良するシステ
ムは図１において全体を10で示されており、バルク半導
体ウェハ16の表面14に対して最初の全体的な厚さ変化プ
ロフィールを決定する手段12と、システム制御装置22に
記憶された滞在時間対位置マップ20に最初の全体的な厚
さ変化プロフィールを変換する手段18と、バルク半導体
ウェハ16が最小にされた最終的な全体的な厚さ変化プロ
フィールを有するように、滞在時間対位置マップ20にし
たがって表面14から材料を選択的に局部的に除去する手
段24とを具備している。
な説明、添付された特許請求の範囲および添付図面から
当業者に明らかになるであろう。本発明の原理によるバ
ルク半導体ウェハの全体的な厚さ変化を改良するシステ
ムは図１において全体を10で示されており、バルク半導
体ウェハ16の表面14に対して最初の全体的な厚さ変化プ
ロフィールを決定する手段12と、システム制御装置22に
記憶された滞在時間対位置マップ20に最初の全体的な厚
さ変化プロフィールを変換する手段18と、バルク半導体
ウェハ16が最小にされた最終的な全体的な厚さ変化プロ
フィールを有するように、滞在時間対位置マップ20にし
たがって表面14から材料を選択的に局部的に除去する手
段24とを具備している。
【００１０】１つの特定の実施例において、システム10
はまた最初の全体的な厚さ変化プロフィール決定手段12
に１以上のバルク半導体ウェハ16を供給する手段26と、
材料をそこから除去した後にウェハ16の表面14の最終的
な全体的な厚さ変化プロフィールを決定する手段28と、
表面14から材料を選択的に局部的に除去する手段24から
１以上のバルク半導体ウェハ16を移送する手段30とを具
備することができる。
はまた最初の全体的な厚さ変化プロフィール決定手段12
に１以上のバルク半導体ウェハ16を供給する手段26と、
材料をそこから除去した後にウェハ16の表面14の最終的
な全体的な厚さ変化プロフィールを決定する手段28と、
表面14から材料を選択的に局部的に除去する手段24から
１以上のバルク半導体ウェハ16を移送する手段30とを具
備することができる。
【００１１】図２に示されているように、処理されるべ
き典型的な半導体ウェハ16はその表面14にわたって著し
い厚さ変化を有している。これらの変化は、通常の化学
・機械研磨技術の結果である。典型的に、バルク半導体
ウェハ16は通常シリコンインゴットである半導体インゴ
ットから切断またはのこぎり切断される。その後、バル
ク半導体ウェハ16は複数の研磨および仕上げ工程を実行
される。通常、これらの工程は表面14全体上で同時に動
作する。その結果、バルク半導体ウェハ16の表面14は著
しい全体の厚さ変化を有するプロフィールを有する。表
面14全体のこのような全体的な厚さ変化は、 1乃至15マ
イクロメータである可能性が高い。
き典型的な半導体ウェハ16はその表面14にわたって著し
い厚さ変化を有している。これらの変化は、通常の化学
・機械研磨技術の結果である。典型的に、バルク半導体
ウェハ16は通常シリコンインゴットである半導体インゴ
ットから切断またはのこぎり切断される。その後、バル
ク半導体ウェハ16は複数の研磨および仕上げ工程を実行
される。通常、これらの工程は表面14全体上で同時に動
作する。その結果、バルク半導体ウェハ16の表面14は著
しい全体の厚さ変化を有するプロフィールを有する。表
面14全体のこのような全体的な厚さ変化は、 1乃至15マ
イクロメータである可能性が高い。
【００１２】システム10において、バルク半導体ウェハ
16は、その最初の全体的な厚さ変化プロフィールを決定
する手段12に供給される。好ましい実施例において、手
段12はバルク半導体ウェハ16の表面14にわって最初の全
体的な厚さ変化を１点づつ測定する。別の技術もまた使
用されることが可能であるが、このような測定を行うあ
る特定の技術は容量性の厚さ測定器の使用によって実施
される。このような測定器は一般的に市販されており、
その使用が知られている。このような測定を行うある特
定の装置は、マサチューセッツ州ニュートンのＡＤＥ社
によって製造および販売されている容量性厚さ測定器で
ある。このような装置は、バルク半導体ウェハ16の表面
14にわたって16,000個程度の個別の点測定を行い、表面
14の最初の全体的な厚さ変化プロフィール測定値を提供
するように構成されることができる。
16は、その最初の全体的な厚さ変化プロフィールを決定
する手段12に供給される。好ましい実施例において、手
段12はバルク半導体ウェハ16の表面14にわって最初の全
体的な厚さ変化を１点づつ測定する。別の技術もまた使
用されることが可能であるが、このような測定を行うあ
る特定の技術は容量性の厚さ測定器の使用によって実施
される。このような測定器は一般的に市販されており、
その使用が知られている。このような測定を行うある特
定の装置は、マサチューセッツ州ニュートンのＡＤＥ社
によって製造および販売されている容量性厚さ測定器で
ある。このような装置は、バルク半導体ウェハ16の表面
14にわたって16,000個程度の個別の点測定を行い、表面
14の最初の全体的な厚さ変化プロフィール測定値を提供
するように構成されることができる。
【００１３】表面14の点単位の厚さ測定値を表す最初の
全体的な厚さ変化プロフィールデータは、滞在時間対位
置マップ20に最初の全体的な厚さ変化プロフィールを変
換する手段18によって処理される。その後、滞在時間対
位置マップ20はシステム制御装置22に記憶される。図３
に関してさらに詳細に説明されているように、滞在時間
対位置マップ20にしたがって表面14から材料を選択的に
局部的に除去する好ましい手段24は、バルク半導体ウェ
ハ16の表面14に沿った対応的な変化面積より小さいエッ
チングフットプリントを有する非接触プラズマエッチン
グ電極装置である。変換手段18への入力データには、測
定された最初の全体的な厚さ変化プロフィールデータ、
所望の最終的な全体的な厚さ変化プロフィールデータ、
およびプラズマエッチング電極装置の空間的な材料除去
速度パターンの少なくとも３つのファクタが含まれる。
空間的材料除去速度パターンが特定の半導体材料に対し
て分っていない場合、滞在時間対位置マップの形成前に
その材料に関して経験的な測定値を採用しなければなら
ない。最初の全体的な厚さ変化プロフィールおよび所望
される最終的な全体的な厚さ変化は、ウェハ16の表面14
から除去されるべき材料の厚さの厚さエラーマップを提
供する。１実施例において、厚さエラーマップは測定さ
れた最初の厚さから所望される最終的な厚さを点単位で
減算することによって生成されることが効果的である。
結果的な表面が最初の全体的な厚さ変化の最低点より下
になる実施例において、定数が全ての測定値に加算され
ることができる。一般に、滞在時間対位置マップ20に最
初の全体的な厚さ変化プロフィールを変換する手段18
は、それと通信する適切な周辺入出力装置を有するパー
ソナルコンピュータであることができる。同様に、シス
テム制御装置22はマシン制御動作に容易に利用できる任
意のタイプのコンピュータ制御装置であることができ
る。
全体的な厚さ変化プロフィールデータは、滞在時間対位
置マップ20に最初の全体的な厚さ変化プロフィールを変
換する手段18によって処理される。その後、滞在時間対
位置マップ20はシステム制御装置22に記憶される。図３
に関してさらに詳細に説明されているように、滞在時間
対位置マップ20にしたがって表面14から材料を選択的に
局部的に除去する好ましい手段24は、バルク半導体ウェ
ハ16の表面14に沿った対応的な変化面積より小さいエッ
チングフットプリントを有する非接触プラズマエッチン
グ電極装置である。変換手段18への入力データには、測
定された最初の全体的な厚さ変化プロフィールデータ、
所望の最終的な全体的な厚さ変化プロフィールデータ、
およびプラズマエッチング電極装置の空間的な材料除去
速度パターンの少なくとも３つのファクタが含まれる。
空間的材料除去速度パターンが特定の半導体材料に対し
て分っていない場合、滞在時間対位置マップの形成前に
その材料に関して経験的な測定値を採用しなければなら
ない。最初の全体的な厚さ変化プロフィールおよび所望
される最終的な全体的な厚さ変化は、ウェハ16の表面14
から除去されるべき材料の厚さの厚さエラーマップを提
供する。１実施例において、厚さエラーマップは測定さ
れた最初の厚さから所望される最終的な厚さを点単位で
減算することによって生成されることが効果的である。
結果的な表面が最初の全体的な厚さ変化の最低点より下
になる実施例において、定数が全ての測定値に加算され
ることができる。一般に、滞在時間対位置マップ20に最
初の全体的な厚さ変化プロフィールを変換する手段18
は、それと通信する適切な周辺入出力装置を有するパー
ソナルコンピュータであることができる。同様に、シス
テム制御装置22はマシン制御動作に容易に利用できる任
意のタイプのコンピュータ制御装置であることができ
る。
【００１４】厚さエラーマップの生成に続いて、滞在時
間対位置マップ20が計算される。滞在時間対位置マップ
20は、局部材料除去器具が表面14上の最終的な全体的な
厚さ変化を生成するために表面14上の各特定位置にわた
って費やす時間の長さを表す。滞在時間対位置マップ計
算には、局部材料除去器具の空間的材料除去速度が含ま
れる。１実施例において、滞在時間対位置マップ20は厚
さエラーマップに関して既知のフーリエ解析(deconvolu
tion) 定理の２次元高速フーリエ変換構造を使用して計
算される。
間対位置マップ20が計算される。滞在時間対位置マップ
20は、局部材料除去器具が表面14上の最終的な全体的な
厚さ変化を生成するために表面14上の各特定位置にわた
って費やす時間の長さを表す。滞在時間対位置マップ計
算には、局部材料除去器具の空間的材料除去速度が含ま
れる。１実施例において、滞在時間対位置マップ20は厚
さエラーマップに関して既知のフーリエ解析(deconvolu
tion) 定理の２次元高速フーリエ変換構造を使用して計
算される。
【００１５】滞在時間対位置マップ20は、局部材料除去
器具の変換機構に対して１組の命令を発生するためにシ
ステム制御装置22によって使用される。この命令は、表
面14上の最終的な全体的な厚さ変化を生成するために滞
在時間対位置マップ20を実行するように予め定められた
通路における表面14上の器具の速度を制御するために使
用される。図３に示された実施例において、マシン命令
はバルク半導体ウェハ16の表面14が局部材料除去器具の
下で移動するように台の運動を制御する。命令は異なる
座標系に変換されることができるが、極性座標系にした
がって台を制御することが好ましい。
器具の変換機構に対して１組の命令を発生するためにシ
ステム制御装置22によって使用される。この命令は、表
面14上の最終的な全体的な厚さ変化を生成するために滞
在時間対位置マップ20を実行するように予め定められた
通路における表面14上の器具の速度を制御するために使
用される。図３に示された実施例において、マシン命令
はバルク半導体ウェハ16の表面14が局部材料除去器具の
下で移動するように台の運動を制御する。命令は異なる
座標系に変換されることができるが、極性座標系にした
がって台を制御することが好ましい。
【００１６】図３に示されているように、表面14から材
料を選択的に局部的に除去する手段24は、閉込められた
プラズマを生成する手段32および閉込められたプラズマ
生成手段32とバルク半導体ウェハ16の表面14との間で相
対的な運動を行わせる手段34を含む。閉込められたプラ
ズマを生成する手段32は、壁38によって限定されたプラ
ズマ空洞36を含んでいることが好ましい。閉込められた
プラズマを生成する手段32はまたプラズマ供給ガスを空
洞36中に供給する手段40および供給ガスからのプラズマ
を点火し、維持するためにＲＦパワーを供給する手段42
を含む。技術的に良く知られているように、表面14から
材料を選択的に局部的に除去する全体的な手段24は、図
面に示されていない真空室中に配置されている。閉込め
られたプラズマを生成する手段32の基本動作は、Charle
s B.Zarowin 氏による米国特許第4,668,366号明細書（1
987年 5月26日出願）に詳細に記載されている。
料を選択的に局部的に除去する手段24は、閉込められた
プラズマを生成する手段32および閉込められたプラズマ
生成手段32とバルク半導体ウェハ16の表面14との間で相
対的な運動を行わせる手段34を含む。閉込められたプラ
ズマを生成する手段32は、壁38によって限定されたプラ
ズマ空洞36を含んでいることが好ましい。閉込められた
プラズマを生成する手段32はまたプラズマ供給ガスを空
洞36中に供給する手段40および供給ガスからのプラズマ
を点火し、維持するためにＲＦパワーを供給する手段42
を含む。技術的に良く知られているように、表面14から
材料を選択的に局部的に除去する全体的な手段24は、図
面に示されていない真空室中に配置されている。閉込め
られたプラズマを生成する手段32の基本動作は、Charle
s B.Zarowin 氏による米国特許第4,668,366号明細書（1
987年 5月26日出願）に詳細に記載されている。
【００１７】閉込められたプラズマ生成手段32とバルク
半導体ウェハ16の表面14との間で相対的な運動を行わせ
る手段34は、システム制御装置22によって発生された極
性座標マップに応答して運動を実行することができる台
を具備していることが好ましい。その代りとして、この
手段34は閉込められたプラズマ生成手段32とバルク半導
体ウェハ16の表面14との間において２つの直交する方向
に相対的な運動を実行するｘ−ｙ段を具備することがで
きる。相対的な運動を行なうこのような手段34は技術的
に知られており、本発明を完全に理解するためにその詳
細な説明は不要である。
半導体ウェハ16の表面14との間で相対的な運動を行わせ
る手段34は、システム制御装置22によって発生された極
性座標マップに応答して運動を実行することができる台
を具備していることが好ましい。その代りとして、この
手段34は閉込められたプラズマ生成手段32とバルク半導
体ウェハ16の表面14との間において２つの直交する方向
に相対的な運動を実行するｘ−ｙ段を具備することがで
きる。相対的な運動を行なうこのような手段34は技術的
に知られており、本発明を完全に理解するためにその詳
細な説明は不要である。
【００１８】表面14の最初の全体的な厚さ変化を決定す
る手段12に１以上のバルク半導体ウェハ16を供給する手
段26および材料を除去する手段24からバルク半導体ウェ
ハ16を移送する手段30は、１以上のウェハ保持装置44を
含むことができる。１実施例において、ウェハ保持装置
44は通常の半導体ウェハカセットであり、通常の自動カ
セット処理システムを使用して供給され、取除かれる。
る手段12に１以上のバルク半導体ウェハ16を供給する手
段26および材料を除去する手段24からバルク半導体ウェ
ハ16を移送する手段30は、１以上のウェハ保持装置44を
含むことができる。１実施例において、ウェハ保持装置
44は通常の半導体ウェハカセットであり、通常の自動カ
セット処理システムを使用して供給され、取除かれる。
【００１９】１実施例において、バルク半導体ウェハ16
からの材料除去に続くその最終的な全体的な厚さ変化を
決定する手段28は、ウェハ16の最初の全体的な厚さ変化
を決定する手段12に対して使用されるものと同じタイプ
である。最初および最終の全体的な厚さ変化測定の両方
に対して同じ測定器具を使用できることが理解されるで
あろう。
からの材料除去に続くその最終的な全体的な厚さ変化を
決定する手段28は、ウェハ16の最初の全体的な厚さ変化
を決定する手段12に対して使用されるものと同じタイプ
である。最初および最終の全体的な厚さ変化測定の両方
に対して同じ測定器具を使用できることが理解されるで
あろう。
【００２０】以上、本発明を特定の実施例に関して説明
してきたが、当業者は本発明の技術的範囲を逸脱するこ
となくその他の構造および構成を実現することが可能で
あることが理解されるであろう。したがって、本発明
は、添付された特許請求の範囲の合理的な解釈によって
のみ限定されるものである
してきたが、当業者は本発明の技術的範囲を逸脱するこ
となくその他の構造および構成を実現することが可能で
あることが理解されるであろう。したがって、本発明
は、添付された特許請求の範囲の合理的な解釈によって
のみ限定されるものである
【図１】本発明の原理によるバルク半導体ウェハの全体
的な厚さ変化を改良するシステムのブロック図。
的な厚さ変化を改良するシステムのブロック図。
【図２】図１に示されたウェハの全体的な厚さ変化を改
良するシステムによって処理される前のバルク半導体ウ
ェハの断面図。
良するシステムによって処理される前のバルク半導体ウ
ェハの断面図。
【図３】材料の選択的な局部除去を行うように特に構成
された装置の断面図。
された装置の断面図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジェームズ・エフ・ネスター アメリカ合衆国、コネチカット州 06877、 リッジフィールド、スリーピー・ホロー・ ロード 90 (72)発明者 チャールズ・ビー・ザロウイン アメリカ合衆国、カリフォルニア州 90272、パシフィック・パリサデス、ラ ス・ロマス・アベニュー 974
Claims (10)
- 【請求項１】 ウェハの表面に対して最初の全体的な厚
さ変化プロフィールを決定する手段と、 前記ウェハの前記表面に対して滞在時間対位置マップを
発生する手段と、 前記ウェハの前記表面からプラズマエッチングによって
材料を選択的に局部的に除去する手段とを具備し、 前記位置マップが前記最初の全体的な厚さ変化プロフィ
ールから発生され、 前記選択的な局部材料除去手段が前記滞在時間対位置マ
ップにしたがって制御されることを特徴とするバルク半
導体ウェハの表面の全体的な厚さ変化を制御するシステ
ム。 - 【請求項２】 前記最初の全体的な厚さ変化プロフィー
ル決定手段は、前記最初の全体的な厚さ変化を点単位で
測定する請求項１記載のシステム。 - 【請求項３】 最初の全体的な厚さ変化プロフィールを
決定する前記手段は、容量性の厚さ測定器である請求項
１記載のシステム。 - 【請求項４】 さらに、最初の全体的な厚さ変化プロフ
ィール決定手段に１以上のバルク半導体ウェハを供給す
る手段を具備している請求項１記載のシステム。 - 【請求項５】 さらに、前記選択的に局部的に材料を除
去する手段から１以上のバルク半導体ウェハを移送する
手段を具備している請求項１記載のシステム。 - 【請求項６】 前記発生手段は、前記滞在時間対位置マ
ップが予め選択された全体的な厚さ変化を有する表面を
表すように前記予め選択された全体的な厚さ変化プロフ
ィールデータに対する前記最初の全体的な厚さ変化プロ
フィールデータを点単位で減算する手段を具備している
請求項１記載のシステム。 - 【請求項７】 前記材料を選択的に局部的に除去する手
段は閉込められたプラズマ生成手段と、 前記バルク半導体ウェハの前記表面と前記閉込められた
プラズマ生成手段との間に相対運動を行わせる手段とを
具備している請求項１記載のシステム。 - 【請求項８】 前記閉込められたプラズマ生成手段はプ
ラズマが閉込められる空洞を備えている請求項７記載の
システム。 - 【請求項９】 前記閉込められたプラズマ生成手段はさ
らにプラズマ供給ガスを空洞中に供給する手段と、 前記閉込められたプラズマを点火し、維持するためにＲ
Ｆパワーを供給する手段とを具備している請求項８記載
のシステム。 - 【請求項１０】 さらに、前記バルク半導体ウェハの前
記表面に対して最終的な全体的な厚さの変化プロフィー
ルを決定する手段を具備している請求項１記載のシステ
ム。
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|---|---|---|---|
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