KR950025950A - 웨이퍼 표면의 총 두께 변화를 제어하기 위한 시스템 - Google Patents
웨이퍼 표면의 총 두께 변화를 제어하기 위한 시스템 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 벌크 반도체 웨이퍼의 표면 양단의 총 두께 변화를 개선하기 위한 시스템으로, 초기의 총 두께 변화측정 기기를 포함한다. 초기의 총 두께 변화 프로필은 드웰 시간 대 위치 맵으로 변환된다. 그 후에, 공간 제한된 플라즈마는 벌크 반도체의 최종 표면이 개선된 최종 총 두께 변화를 가지도록 물질을 표면으로부터 선택적으로 국부 제거하는데 사용된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 원리들을 구현한 벌크 반도체의 총 두께 변화를 개선하기 위한 시스템의 블럭도,
제2도는 제1도에서 도시한 것과 같은 웨이퍼의 총 두께 변화를 개선하기 위한 시스템에 의해 처리되기 전의 벌크 반도체 웨이퍼의 횡단면도,
제3도는 물질의 선택적 국부 제거에 특히 적합한 장치의 횡단면도.
Claims (10)
- 웨이퍼 표면의 초기의 총 두께 변화 프로필(profile)을 결정하는 수단; 상기 웨이퍼의 상기 표면에 대한, 상기 초기의 총 두께 변화 프로필로부터 생성되는 드웰 시간 대 위치 맵을 생성하는 수단; 상기 웨이퍼의 상기 표면으로부터 플라즈마 에칭에 의해 선택적으로 물질을 국부 제거하며, 상기 드웰 시간 대 위치 맵에 따라서 제어되는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 벌크 반도체 웨이퍼 표면의 총 두께 변화를 제어하는 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 초기의 총 두께 변화 프로필 결정 수단은 상기 초기의 총 두께 변화를 포인트 단위로 측정하는 것을 특징으로 하는 벌크 반도체 웨이퍼 표면의 총 두께 변화를 제어하는 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 초기의 총 두께 변화 프로필을 결정하는 상기 수단은 용량성 두께 측정 기기인 것을 특징으로 하는 벌크 반도체 웨이퍼 표면의 총 두께 변화를 제어하는 시스템.
- 제1항에 있어서, 하나 혹은 그 이상의 벌크 반도체 웨이퍼들을 상기 초기의 총 두께 변화 프로필 결정 수단에 전달하는 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 벌크 반도체 웨이퍼 표면의 총 두께 변화를 제어하는 시스템.
- 제1항에 있어서, 하나 혹은 그 이상의 벌크 반도체 웨이퍼들을 상기 선택적으로 물질을 국부 제거하는 수단으로부터 멀리 이송하는 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 벌크 반도체 웨이퍼 표면의 총 두께 변화를 제어하는 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 생성 수단은 상기 드웰 시간 대 위치 맵이 미리 선택된 전체 두께 변화를 갖는 표면을 나타내도록, 상기 초기의 총 두께 변화 프로필 데이타에서 미리 선택된 총 두께 변화 프로필 데이타를 빼는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 벌크 반도체 웨이퍼 표면의 총 두께 변화를 제어하는 시스템
- 제1항에 있어서, 선택적으로 물질을 국부 제거하는 상기 수단이 공간 제한된 플라즈마를 생성하는 수단; 및 상기 벌크 반도체 웨이퍼의 상기 표면과 상기 공간 제한된 플라즈마 생성 수단 사이에 상대적 이동을 제공하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 벌크 반도체 웨이퍼 표면의 총 두께 변화를 제어하는 시스템.
- 제7항에 있어서, 상기 공간 제한된 플라즈마 생성 수단은 상기 플라즈마가 공간 제한되어 있는 캐비티를 포함하는 것을 특징으로 하는 벌크 반도체 웨이퍼 표면의 총 두께 변화를 제어하는 시스템.
- 제8항에 있어서, 상기 공간 제한된 플라즈마 생성 수단이 상기 캐비티에 플라즈마 공급 개스를 제공하는 수단; 및 상기 공간 제한된 플라즈마를 여기시키고 유지하기 위한 RF파워를 제공하는 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 벌크 반도체 웨이퍼 표면의 총 두께 변화를 제어하는 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 벌크 반도체 웨이퍼의 상기 표면의 최종 두께 변화 프로필을 결정하는 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 벌크 반도체 웨이퍼 표면의 총 두께 변화를 제어하는 시스템.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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TW405171B (en) * | 1997-04-03 | 2000-09-11 | Memc Electronic Materials | Flattening process for epitaxial semiconductor wafers |
US6885466B1 (en) * | 1999-07-16 | 2005-04-26 | Denso Corporation | Method for measuring thickness of oxide film |
US6200908B1 (en) | 1999-08-04 | 2001-03-13 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for reducing waviness in semiconductor wafers |
JP2003077838A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-14 | Toshiba Corp | 半導体製造装置のドライクリーニング時期判定システム、半導体製造装置のドライクリーニング方法、半導体製造装置のドライクリーニングシステム及び半導体装置の製造方法 |
US6500681B1 (en) * | 2002-01-11 | 2002-12-31 | Advanced Micro Devices, Inc. | Run-to-run etch control by feeding forward measured metal thickness |
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US5302237A (en) * | 1992-02-13 | 1994-04-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce | Localized plasma processing |
US5238532A (en) * | 1992-02-27 | 1993-08-24 | Hughes Aircraft Company | Method and apparatus for removal of subsurface damage in semiconductor materials by plasma etching |
US5308447A (en) * | 1992-06-09 | 1994-05-03 | Luxtron Corporation | Endpoint and uniformity determinations in material layer processing through monitoring multiple surface regions across the layer |
US5282921A (en) * | 1992-06-16 | 1994-02-01 | Hughes Aircraft Company | Apparatus and method for optimally scanning a two-dimensional surface of one or more objects |
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