KR950025950A - 웨이퍼 표면의 총 두께 변화를 제어하기 위한 시스템 - Google Patents

Abstract

본 발명은 벌크 반도체 웨이퍼의 표면 양단의 총 두께 변화를 개선하기 위한 시스템으로, 초기의 총 두께 변화측정 기기를 포함한다. 초기의 총 두께 변화 프로필은 드웰 시간 대 위치 맵으로 변환된다. 그 후에, 공간 제한된 플라즈마는 벌크 반도체의 최종 표면이 개선된 최종 총 두께 변화를 가지도록 물질을 표면으로부터 선택적으로 국부 제거하는데 사용된다.

Description

웨이퍼 표면의 총 두께 변화를 제어하기 위한 시스템

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1도는 본 발명의 원리들을 구현한 벌크 반도체의 총 두께 변화를 개선하기 위한 시스템의 블럭도,

제2도는 제1도에서 도시한 것과 같은 웨이퍼의 총 두께 변화를 개선하기 위한 시스템에 의해 처리되기 전의 벌크 반도체 웨이퍼의 횡단면도,

제3도는 물질의 선택적 국부 제거에 특히 적합한 장치의 횡단면도.

Claims (10)

1. 웨이퍼 표면의 초기의 총 두께 변화 프로필(profile)을 결정하는 수단; 상기 웨이퍼의 상기 표면에 대한, 상기 초기의 총 두께 변화 프로필로부터 생성되는 드웰 시간 대 위치 맵을 생성하는 수단; 상기 웨이퍼의 상기 표면으로부터 플라즈마 에칭에 의해 선택적으로 물질을 국부 제거하며, 상기 드웰 시간 대 위치 맵에 따라서 제어되는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 벌크 반도체 웨이퍼 표면의 총 두께 변화를 제어하는 시스템.
2. 제1항에 있어서, 상기 초기의 총 두께 변화 프로필 결정 수단은 상기 초기의 총 두께 변화를 포인트 단위로 측정하는 것을 특징으로 하는 벌크 반도체 웨이퍼 표면의 총 두께 변화를 제어하는 시스템.
3. 제1항에 있어서, 상기 초기의 총 두께 변화 프로필을 결정하는 상기 수단은 용량성 두께 측정 기기인 것을 특징으로 하는 벌크 반도체 웨이퍼 표면의 총 두께 변화를 제어하는 시스템.
4. 제1항에 있어서, 하나 혹은 그 이상의 벌크 반도체 웨이퍼들을 상기 초기의 총 두께 변화 프로필 결정 수단에 전달하는 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 벌크 반도체 웨이퍼 표면의 총 두께 변화를 제어하는 시스템.
5. 제1항에 있어서, 하나 혹은 그 이상의 벌크 반도체 웨이퍼들을 상기 선택적으로 물질을 국부 제거하는 수단으로부터 멀리 이송하는 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 벌크 반도체 웨이퍼 표면의 총 두께 변화를 제어하는 시스템.
6. 제1항에 있어서, 상기 생성 수단은 상기 드웰 시간 대 위치 맵이 미리 선택된 전체 두께 변화를 갖는 표면을 나타내도록, 상기 초기의 총 두께 변화 프로필 데이타에서 미리 선택된 총 두께 변화 프로필 데이타를 빼는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 벌크 반도체 웨이퍼 표면의 총 두께 변화를 제어하는 시스템
7. 제1항에 있어서, 선택적으로 물질을 국부 제거하는 상기 수단이 공간 제한된 플라즈마를 생성하는 수단; 및 상기 벌크 반도체 웨이퍼의 상기 표면과 상기 공간 제한된 플라즈마 생성 수단 사이에 상대적 이동을 제공하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 벌크 반도체 웨이퍼 표면의 총 두께 변화를 제어하는 시스템.
8. 제7항에 있어서, 상기 공간 제한된 플라즈마 생성 수단은 상기 플라즈마가 공간 제한되어 있는 캐비티를 포함하는 것을 특징으로 하는 벌크 반도체 웨이퍼 표면의 총 두께 변화를 제어하는 시스템.
9. 제8항에 있어서, 상기 공간 제한된 플라즈마 생성 수단이 상기 캐비티에 플라즈마 공급 개스를 제공하는 수단; 및 상기 공간 제한된 플라즈마를 여기시키고 유지하기 위한 RF파워를 제공하는 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 벌크 반도체 웨이퍼 표면의 총 두께 변화를 제어하는 시스템.
10. 제1항에 있어서, 상기 벌크 반도체 웨이퍼의 상기 표면의 최종 두께 변화 프로필을 결정하는 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 벌크 반도체 웨이퍼 표면의 총 두께 변화를 제어하는 시스템.

    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.