KR900019208A - 반도체 웨이퍼의 냉각방법 및 장치 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1도는 본 발명의 공정을 나타내는 플로우챠트, 제 2도는 웨이퍼 포면과 미리 접촉시키고 얼마간의 처리 가스를 챔버내로 유입시키는 것과 챔버내를 소망의 진공상태로 유지시키기 위해 챔버를 통해 흐르는 처리 가스의 흐름을 제어하는데 사용되는 감시 및 유속 제어 수단을 보여주는 플라즈마 에칭장치 일부분의 부분 횡단면도.
Claims (10)
- 플라즈마 에칭 장치에서 반도체 웨이퍼를 냉각시키기 위한 방법에 있어서, 웨이퍼로 부터의 열을 웨이퍼와 인접한 에칭 장치내에 위치한 방열기로 열을 전달하기 위해 플라즈마 에칭 공정에 사용된 처리가스의 하나 또는 그 이상의 성분의 적어도 일부를 상기 웨이퍼 표면과 접촉하도록 유도함에 의해 가스 전도 열전달 가스로선 상기 처리가스의 하나 또는 그 이상의 성분을 이용하는 것으로 이루어진 반도체 웨이퍼의 냉각 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 처리가스의 하나 또는 그 이상의 성분의 적어도 일부를 상기 웨이퍼 표면과 접촉하게 유도하는 단계는 상기 처리가스의 하나 또는 그 이상의 성분을 웨이퍼 표면과 지지수단 사이의 열전달을 제공하기 위해 웨이퍼의 후면과 인접한 지지수단을 포함하는 방열판 내의 하나 또는 그 이상의 개구를 통해 상기 웨이퍼의 후면을 향해 유도하는 것으로 이루어진 반도체 웨이퍼의 냉각방법.
- 제2항에 있어서, 상기 처리가스의 하나 또는 그 이상의 성분을 상기 웨이퍼 후면으로 유도하는 단계는 웨이퍼 후면을 향한 상기 처리가스의 하나 또는 그 이상의 성분의 흐름을 1-5sccm으로 조절하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 냉각방법.
- 제3항에 있어서, 상기 플라즈마 에칭장치내로 흐르는 처리가스의 전체량을 약 130 내지 300sccm의 범위로 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 냉각방법.
- 제2항에 있어서, 상기 처리가스의 하나 또는 그 이상의 성분을 흐름을 상기 웨이퍼의 후면을 통해 유도하는 단계는 전체 처리가스의 흐름의 약 1 내지 약 5%를 상기 웨이퍼 후면으로 유도하는 것으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 냉각방법.
- 제3항에 있어서, 상기 웨이퍼로부터 상기 인접한 지지수단으로의 열전달을 제공하기 위해 상기 웨이퍼의 후면과 접촉하게 유도되는 상기 처리가스의 하나 또는 그 이상의 성분을 C1-C4플루오르화 탄화수소와 아르곤으로 구성되는 클래스로 부터 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 냉각방법.
- 제1항에 있어서, 지지표면이 방열기로서 작용하는 챔버내의 지지표면 위에 상기 웨이퍼를 지지하는 단계를 포함하고, 상기 처리 가스의 하나 또는 그 이상의 성분의 적어도 일부를 상기 웨이퍼의 표면으로 유도하는 단계는 상기 처리 가스의 흐름을 상기 지지표면 위에 놓은 웨이퍼의 후면으로 유도하는 것으로 이루어지는 반도체 웨이퍼의 냉각방법.
- 플라즈마 에칭 공정에서 사용된 처리 가스의 하나 또는 그 이상의 성분을 가스 전도 열전달 가스로서 이용하고 약 130 내지 약 300sccm의 전체 처리 가스 흐름이 플라즈마 에칭 장치로 유입되게한 반도체 웨이퍼를 냉각시키는 방법에 있어서, (a) 상기 플라즈마 에칭 장치내의 반도체 웨이퍼를 이 웨이퍼에서 발생된 열을 흡수할 수 있는 웨이퍼 지지대에 인접하게 위치시키고, (b) 상기 웨이퍼로부터 상기 지시대로 열을 전달하기 위해 C1-C4플루오르화 탄화수소와 아르곤으로 구성된 클래스로부터 선택된 처리가스의 하나 또는 그 이상의 성분의 적어도 일부를 1-5sccm의 양으로 상기 웨이퍼 표면과 접촉되게 유도하고, (c) 상기 플라즈마 에칭장치를 약 40 내지 200 밀리 토르의 압력으로 유지시키기 위해 플라즈마 에칭 장치의 전공을 감시하는 단계로 이루어진 반도체 웨이퍼의 냉각 방법.
- 플라즈마 에칭 공정에서 사용된 처리 가스의 하나 또는 그 이상의 성분을 가스 전도 열전달 가스로서 이용하여 플라즈마 에칭 장치에서 반도체 웨이퍼를 냉각시키는 장치에 있어서, 상기 처리 가스의 하나 또는 그 이상의 성분의 적어도 일부를 상기 웨이퍼 표면가 접촉하도록 유도하는 수단으로 이루어진 반도체 웨이퍼의 냉각방법.
- 제9항에 있어서, 지지표면이 방열기로서 작용하는 상기 플라즈마 에칭 장치내의 지지표면 위에 상기 웨이퍼를 지지하는 수단을 포함하고, 상기 웨이퍼의 표면으로 처리 가스의 하나 또는 그 이상의 성분의 적어도 일부를 유도하는 수단은 상기 처리 가스를 상기 지지표면 위에 놓인 상기 웨이퍼의 후면으로 유도하는 수단으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 냉각방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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