KR100189646B1 - 반도체 웨이퍼의 가열/냉각 방법 및 장치 - Google Patents

반도체 웨이퍼의 가열/냉각 방법 및 장치 Download PDF

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조셉 제이. 스위니
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Abstract

-양이온적으로 경화 가능한 무용제성 에폭시 수지,
-에폭시 수지의 중량을 기준으로 하여 음이온으로서 헥사플루오로 포스페이트, 헥사플루오로 아르세네이트 또는 헥사플루오로안티몬에이트를 갖는 트리아릴술포늄 염 0.01 내지 5중량%, 및
-에폭시 수지의 중량을 기준으로 하여 음이온으로서 헥사 플루오로 포스페이트, 헥사플루오로 아르세네이트 또는 헥사플루오로 안티몬에이트를 갖는 벤질 티올라늄 염 0.01 내지 5중량%, 및 또한
-임의로 표준 첨가제를 포함하는 반응 수지 혼합물이 사용되고, 반응 수지 혼합물이 UV 방사선에 의해 그리고 열에 의해 경화됨을 특징으로 하는, 저장-안정성 반응 수지 혼합물로 전자부품 및 조립체를 피복 또는 접착하기 위한 방법에 관한 것이다.

Description

반도체 웨이퍼의 가열/냉각 방법 및 장치
제1도는 본 발명의 공정을 나타내는 플로우 챠트.
제2도는 웨이퍼 표면과 미리 접촉시키고 얼마간의 처리 가스를 챔버내로 유입시키는 것과 챔버내를 원하는 진공 상태로 유지시키기 위해 챔버를 통해 흐르는 처리 가스의 흐름을 제어하는데 사용되는 모니터링 및 유속제어 수단을 보여주는 플라스마 에칭 장치 부분 횡단면도.
＊도면의 주요부분에 대한 부호의 설명＊
2 : 챔버 4 : 인터록
6 : 챔버벽 8 : 배기 포트
10, 16, 36 : 파이프 12 : 드로틀 밸브
14 : 흡입 포트 18, 38 : 유량 제어밸브
30 : 웨이퍼 지지대 32 : 중앙 보어
40 : 처리 가스 성분원 70 : 압력 제어장치
본 발명은 집적 회로 구조물의 제조동안 반도체 웨이퍼를 가열/냉각 하기 위한 방법 및 그 장치에 관한 것이며, 특히 열전달 가스에 의한 웨이퍼의 가열/냉각에 관한 것이다.
실리콘 웨이퍼와 같은 반도체 웨이퍼의 플라즈마 에칭 중에, 처리에 장애를 가져올 수 있는 과도한 열생성을 방지하기 위해 웨이퍼를 냉각시키는 것이 바람직하다. 예를 들어, 과도한 열은 처리 감도를 저하시키는 결과를 낳는 포토레지스트의 주름을 야기시킨다. 화학 기상증착(CVD)와 같은 다른 집적회로 제조 공정 또한 적절한 화학증착 반응을 지지하도록 웨이퍼를 가열시킬 필요가 있다.
웨이퍼의 냉각은 통상 웨이퍼와 페데스탈 사이에 장착되고 웨이퍼 지지대 및 흡열부로서 기능하는 실리콘 고무재료의 열전도 패드를 사용하여 수행된다. 그러나, 실리콘 고무 패드를 통한 웨이퍼로부터 페데스탈 흡열부까지의 열전달이 플라즈마 에칭처리 동안 발생한 열을 소산시키기에는 항상 충분치 못하다는 것이 발견되었다. 시험 및 분석결과는 주요한 열전달 매커니즘이 실리콘 고무 패드를 통한 웨이퍼에서 페데스탈까지의 접촉 전도에 기인하기보다는 가스의 열전도에 기인한다는 것을 나타내었다.
웨이퍼로 열을 전달하거나 그로부터 열을 소산시키는데 있어 반도체 웨이퍼 공정에서 열도체로서 가스를 사용하는 것이 알려져 있다. 예를 들어 킹(King)에게 허여된 미합중국 특허 제 4,261,762 호는 이온 주입 장치에서 이온에 의해 충격을 받은 웨이퍼를 냉각시키기 위한 방법을 개시하고 있으며, 여기서 웨이퍼는 그 주위에서 타겟 블록에 클램핑되고, 질소, 네온, 헬륨 또는 수소와 같이 높은 열전도율을 갖는 냉각 가스가 압력을 가지고 냉각 블록에 있는 오리피스를 통해 웨이퍼와 냉각 블록 사이의 공간내로 공급된다.
라몽(Lamont)에게 허여된 미합중국 특허 제 4,680,061호 및 4,743,570호는 웨이퍼를 가열시키기 위한 가열기 또는 웨이퍼를 냉각시키기 위한 흡열부를 포함하는 열교환 장치로부터 웨이퍼로 또는 웨이퍼로부터 열을 전도시키기 위한 가스의 사용을 개시한다. 여기서 압력판이 진공 장치의 벽에 대해 웨이퍼 이송관 조립체의 주변을 시일링시키고 이때 스퍼터링 증착원을 동작시키기 위해 채택된 아르곤 가스의 일부를 열교환 장치와 웨이퍼 사이의 공간으로 직접 향하게 함으로써 가스 전도성 열전달을 이용하여 웨이퍼가 열교환 장치에 의해 가열되거나 냉각될 수 있다.
그러나, 열전달 도체로서 가스를 사용하는 종래의 기술은 처리에 사용되는 가스 이외의 열전달을 위해 다른 가스가 사용되거나 또는 냉각 챔버에서보다도 주처리 장치에서 더 높은 진공을 유지하는 것이 바람직하기 때문에, 열을 발생하는 처리장치, 예를 들어 스퍼터링 증착 챔버 부분으로부터 분리된 별개의 챔버 또는 처리 장치의 격실내에서만 상기 가스를 사용하였다. 이와같은 분리와 차동 압력을 유지하기 위하여, 웨이퍼는 이런 높은 압력을 웨이퍼의 후면에 제공하기 위해 클램핑 및/또는 시일링된다.
예를 들어, 전술한 킹의 미합중국 특허에서 이온 주입 처리 챔버내의 압력 또는 진공도는 웨이퍼 후면의 압력이 0.5 내지 0.2 Torr로 변화하는 동안 7×10-7Torr로 나타난다. 또한 전술한 라몽의 특허에서 아르곤 가스는 100 내지 1000 미크론의 압력으로 가열 스테이션으로 유입되고, 이와같은 입력은 주챔버내의 10 미크론의 정상 아르곤 압력 보다 수십배 크다.
상기와 같은 높은 압력(프로세싱 압력에 비해)을 사용하는 것이 가스를 사용하여 원하는 열전달을 성취하는데 필요한 것으로 생각되어 왔지만, 양호한 열전달은 플라즈마 에칭 공정을 수행하는데 사용된 동일한 압력 또는 진공 상태에서 이루어질 수 있다는 것을 알게 되었고, 따라서 웨이퍼 및 처리챔버 사이에 높은 압력 및 시일을 사용하는 종래의 기술을 불필요하게 만들었다.
본 발명에 따르면, 양호한 열전달이 처리 가스 성분으로서도 작용하는 냉각 또는 가열을 위한 어떤 가스를 사용함으로써 플라즈마 에칭 공정 또는 다른 반도체 제조 공정에 이용된 동일한 압력 또는 진공 상태에서 얻어질 수 있다는 인식에 기초를 두고 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 하나 이상의 처리 가스 성분의 적어도 일부가 웨이퍼 표면과 접촉하도록 유도한 다음에 상기 하나 이상의 처리 가스성분이 반도체 처리 장치의 반응 챔버로 통과되게 함으로써 가스 전도성 열전달 가스로서의 상기 하나 이상의처리 가스 성분을 이용하여 반도체 처리 장치에서 반도체 웨이퍼를 냉각 또는 가열시키기 위한 방법 및 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 챔버내로 유입되는 처리 가스의 전체 유량을 일정하게 유지하기 위해서 챔버내로의 처리 가스의 흐름을 제어하며 원하는 압력을 유지하기 위해서 처리 장치내의 압력 또는 진공상태를 모니터링하면서 반도체 처리 장치내로 상기 하나 이상의처리 가스 성분이 유입될때 상기 처리 가스 성분의 적어도 일부가 웨이퍼의 표면과 접촉되도록 유도함으로써 가스 전도성 열전달 가스로서 상기 하나 이상의 처리 가스 성분을 이용하여 처리 장치 내에서 반도체 웨이퍼를 냉각 또는 가열시키기 위한 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 상기 목적 및 다른 목적들은 첨부 도면을 참고로 한 이하의 상세한 설명으로부터 보다 명백해질 것이다.
본 발명의 특징에 따르면, 하나 이상의 처리 가스 성분이 플라즈마 에칭 장치로 통과될 때 그 가스 성분의 적어도 일부가 웨이퍼의 표면과 접촉되게 유도시킴에 의해 가스 전도 열전달 가스로서 플라즈마 에칭처리에 사용되는 하나 이상의 처리 가스 성분들을 이용하여 플라즈마 에칭 장치에서 반도체 웨이퍼를 냉각시키는 방법과 장치를 구현하고 있다. 본 발명의 바람직한 실시예에 있어서, 챔버내로 흐르는 처리 가스의 양이 조절되어 챔버내의 전체 처리 가스량이 일정하게 유지되고 플라즈마 에칭 장치내의 압력 또는 진공이 원하는 진공으로 유지되도록 모니터링된다.
제 2도의 도시와 같이, 플라즈마 에칭장치 또는 챔버(2)는 챔버벽(6)과, 파이프(10) 및 드로틀 밸브(12)를 통해 챔버(2)내에 원하는 진공을 유지시키기 위해 외부의 펌프원(도시안됨)에 연결된 배기 포트(8)와, 그리고 웨이퍼(50)가 챔버(2)내로 유입될 수 있는 적어도 하나의 인터록(4)을 포함하고 있다. 챔버(2) 내에는 플라즈마를 발생시키기 위해 외부 전원(도시안됨)에 연결된 고주파원(20)이 있으며 또한 이 고주파원(20)에 의해 발생된 플라즈마로 에칭시키기 위해 그 위에 웨이퍼(50)가 놓여지는 웨이퍼 지지대(30)가 설치되어 있다. 챔버벽(6)에는 외부 처리 가스원(40)으로부터 파이프(16)와 유량 제어밸브(18)를 통해 플라즈마 에칭 챔버(2)로 처리 가스를 유입시키기 위한 흡입 포트(14)가 설치되어 있다.
본 발명에 따르면, 하나 이상의 처리 가스 성분의 적어도 일부가 지지대(30)에 놓인 웨이퍼(50) 후면과 접촉하도록 유도하기 위해 웨이퍼 지지대(30)에 마련된 수단을 가지며, 본 실시예에서는 지지대(30)의 중앙 보어(32)가 그 역할을 수행한다. 다시 중앙 보어(32)는 파이프(36)와 유량 제어밸브(38)를 통해 외부 처리 가스원(40)에 연결되고, 처리 가스원은 챔버(2)내에서 수행되는 플라즈마 에칭 처리에 사용되는 하나 이상의 처리 가스 성분을 갖는다.
여기서 사용되는 용어 처리 가스는 처리 가스의 활성 에칭 성분이나 운반가스로서 기능할 수 있는 가스의 혼합물로 정의한다. 위와같은 플라즈마 에칭 처리 가스에서 통상 존재하는 성분의 일예는 CHF3, CF4및 C2F6과 같은 C1-C4플루오르화 탄화수소와, 산소, NF3및 SiF4, 그리고 헬륨, 질소 및 아르곤과 같은 운반 가스를 들 수 있다.
여기서, 처리 가스원(40)이 단일의 가스원으로 표시되었지만 이 처리 가스원(40)은 처리 가스를 선택적으로 구성하는 각각의 가스에 대해 개별적으로 제어되는 가스원으로 이루어질 수 있다. 따라서, 처리 가스원(40)은 파이프(36)와 유량 제어밸브(38)를 통해 보어(32)로 흐르는 가스 성분의 비와 흡입 포트(14)를 통해 플라즈마 에칭 챔버(2)로 흐르는 이와 같은 가스의 비로 웨이퍼(50)의 후면을 개별적으로 제어하는 수단을 가질 수 있다.
본 발명의 방법에서 상기 처리 가스의 모든 성분이 플라즈마 에칭 장치(2)에서 이용되는 동작 압력 또는 진공에서 웨이퍼(50)로부터 페데스탈(30)로 열을 전도시키는 양호한 열전달 작용제로써 만족한 작용을 하는 것은 아니다. 따라서 보어(32)를 통해 웨이퍼(50)의 후변과 접촉하는 처리 가스 부분을 기술하기 위해서 여기서 사용되는 용어 하나 이상의 처리 가스 성분은 웨이퍼(50)와 페데스탈(30)간에 양호한 열전달을 제공하는 처리 가스 성분만을 한정하고자 한 것이다. 위와 같은 가스 성분은 CHF3, C2F6및 CF4와 같은 상술한 C1-C4 플루오르화 탄화수소와 아르곤을 포함한다.
보어를 통해 챔버(2)로 진입하는 위와같은 처리 가스 성분의 총량은 흡입 포트(14)를 통한 가스 성분이 평형을 이루면서 유량 제어밸브(38)를 통해 챔버내로 흐르는 처리 가스 총량의 약 1~5%, 바람직하게 약 2%를 이루도록 조절될 수 있다.
여기서 중앙 부어(32)가 위와같은 처리 가스의 하나 이상의 성분을 웨이퍼(50)의 후면과 접촉되게 하는 유일한 수단으로 표시되었지만, 이와같은 보어가 페데스탈(30)에 하나 이상 형성되거나 웨이퍼 지지대(30)의 적어도 상부 표면을 다공성 금속으로 만들어 위와같은 처리 가스 성분의 배출이 한지점 이상에서 웨이퍼(50)의 후면과 접촉되게 허용할 수 있다.
어떠한 경우에도 웨이퍼(50)가 페데스탈(30)에 안착되어 있는 것으로 도시되었지만, 페데스탈(30)내의 보어(32)를 통해 웨이퍼(50)의 후면과 접촉하는 처리 가스의 하나 이상의 성분 분자에 대한 플라즈마 에칭 챔버(2) 안에서의 이동을 제한 또는 억제하도록 웨이퍼(50)와 페데스탈(30) 사이에 시일 또는 클램핑 형태의 유지 수단이 제공되지 않는다는 점에 유의해야 한다. 상기 시일 수단은 본 발명의 실시예에서 챔버(2)와 웨이퍼(50) 후면 사이에 압력 차이가 존재하지 않는다는 것과 플라즈마 에칭 처리에 사용된 처리 가스의 성분으로도 되는 하나 이상의 열전달 가스의 사용, 즉 열전달 가스와 플라즈마 에칭 가스가 동일 압력에서 같이 사용되며 열전달 가스가 플라즈마 에칭 가스의 일부를 구성한다는 점에서 불필요하다.
챔버(2)내의 전체 가스 압력을 모니터링하기 위해서 플라즈마 에칭 챔버내에 압력 또는 진공 모니터링 장치(60)가 설치된다. 가스 모니터링 장치(60)로부터의 신호는 압력이 미리 설정된 크기를 초과할 때 드로틀 밸브(12)로 공급되어 챔버(2)가 더 배기될 수 있게 만든다. 또다시, 챔버(2) 내의 압력 또는 진공은 제어수단(70)을 사용하여 유량 제어밸브(18)를 통해 챔버(2)로 유입되는 처리 가스의 흐름을 제어함에 의해 조절될 수 있다.
챔버(2)내의 압력 또는 진공이 제어수단(70)을 통해 드로틀 밸브(12)에 의해 제어될 때 처리 가스원(40)으로부터 흡입 밸브(18) 및 파이프(16)를 통하는 처리 가스의 양은 제어밸브(18) 및 (38)를 초기에 조절해 놓음에 의해 일정하게 된다.
플라즈마 에칭 챔버(2)는 약 40내지 200밀리토르, 바람직하게 약 60밀리토르의 압력으로 유지된다. 챔버(2)내의 플라즈마를 유지시키는데 필요한 챔버로 유입되는 처리 가스의 전체량은 약 130 내지 약 300sccm 정도이다. 이러한 양 중에서 적어도 약 0.05sccm, 바람직하게 약 0.15sccm의 양은 페데스탈(30) 내의 보어(32)를 통해 흐르고 그 나머지는 처리 가스 흡입포트(14)를 통해 챔버(2)로 유입된다.
웨이퍼(50)와 페데스탈(30) 사이에 종래 설치된 실리콘 고무 패드는 패드가 웨이퍼(50)와 페데스탈(30)로부터의 열을 전도시키는데 필요하지 않게되기 때문에 제거될 수 있다. 그 대신에 알루미늄 금속으로 형성될 수 있는 페데스탈(30)은 본 발명에 따라 웨이퍼(50)로부터 페데스탈(30)까지 처리가스 분자를 통해 흐르는 열의 흐름을 크게 간섭함이 없이 웨이퍼(50)와 페데스탈(30) 사이의 전기 절연으로서 약 0.5mil 내지 약 2.0mil의 산화 알루미늄층을 제공하도록 양극 처리된다.
본 발명의 이점을 나타내기 위하여, 실리콘 고무 열전달 수단을 갖는 종래의 에칭 챔버에서 플라즈마 에칭되는 실리콘 웨이퍼의 온도는 정상상태 조건을 이루도록 충분한 시간이 지난 후, 즉 에칭 후 3~5분 뒤에 측정한 결과 115℃로 나타났다. 반면에, 본 발명에 따라 냉각되고 동일한 에칭 조건과 시간 주기에서 에칭된 실리콘 웨이퍼의 온도는 65℃로 나타났으며, 이는 본 발명의 방법과 장치를 사용하여 우수한 열전달이실현되었음을 표시한다.
상기 바람직한 실시예가 플라즈마 에칭 장치에서 반도체 웨이퍼의 냉각에 대해 설명되었지만, 본 발명에 따른 방법 및 장치는 반도체 처리 장치내에서 웨이퍼를 유리하게 가열시키는 데에도 이용할 수 있다. 예를 들어, CVD 챔버에서 처리 가스가 가열된 페데스탈과 상기 페데스탈 위에 지지된 웨이퍼 사이를 흐르게 하고, 다음에 CVD 챔버내로 흐르게 함으로써 처리 가스를 열전달 작용제로서 사용할 수 있다. 또다시, 열전달용 처리 가스는 화학적으로 활성가스, 불활성 또는 운반 가스 또는 그 조합으로 이루어진다. 처리 가스는 또한 본 발명의 열전달을 수행하는 반도체 웨이퍼의 처리에 유해하지 않은 어떤 가스로도 구성할 수 있다. 예를 들어, 처리 가스는 불활성 가스일 수 있으며 웨이퍼의 처리를 저해하지 않고 반응 챔버내로 유입될 수 있다.
본 발명이 단일 웨이퍼 장치에 대해 설명되었지만 18개 웨이퍼를 동시에 처리하는 어플라이드 머티리얼사의 8310 에처와 같은 다중 웨이퍼 시스템에도 동등하게 적용될 수 있다. 다중 웨이퍼 에칭 시스템의 경우, 처리 가스의 전체 압력을 130~300sccm의 범위로 유지하고, 각각의 웨이퍼에 대한 처리 가스 흐름을 적어도 0.05sccm로 유지하는 것은 바람직하다. 상기한 8310 에처에 있어서, 웨이퍼에 대한 처리 가스의 전체 흐름은 적어도 약 0.9sccm으로 된다. 냉각을 위한 전체 가스 흐름은 장치내에서 여전히 처리가스의 1~5% 범위에 있게 된다.
따라서, 본 발명은 웨이퍼 표면과 열도체 사이에서 열전달 수단으로서 처리 가스를 사용하여 반도체 처리 장치내의 반도체 웨이퍼를 가열 또는 냉각시키기 위한 개선된 공정 및 장치를 제공한다. 바람직하게, 챔버로 유입되는 처리 가스 흐름은 처리 가스의 전체 흐름이 일정하게 유지되도록 조절되고 장치내의 압력이 원하는 만큼 유지되도록 모니터링한다.

Claims (10)

  1. (2회 정정) 가스 전도성 열전달 매체로서 하나 이상의 열전도성 에칭가스 성분을 사용하여 플라즈마 에칭 챔버에서 반도체 웨이퍼를 냉각하기 위한 방법에 있어서,
    a) 상기 열전도성 에칭 가스 성분의 일부를 웨이퍼 지지 표면내의 개구부를 통해 상기 웨이퍼의 후면으로 향하게 하는 단계 ; 및
    b) 상기 열전도성 에칭 가스 성분이 상기 웨이퍼와 상기지지 표면 사이를 통해 상기 에칭 챔버내로 통과하도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 냉각하기 위한 방법.
  2. (정정) 제 1항에 있어서, 상기 전체 처리 가스중 1~5%가 상기 웨이퍼의 온도를 변화시키는데 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 냉각하기 위한 방법.
  3. (정정) 제 1항에 있어서, 상기 열전도성 에칭 가스 성분은 플루오르 첨가된 탄화 수소류로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 냉각하기 위한 방법.
  4. (정정) 제 1항에 있어서, 상기 처리 가스는 아르곤을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 냉각하기 위한 방법.
  5. (정정) 가스 전도성 열전달 가스로서 플라즈마 에칭 공정에 사용되는 하나 이상의 처리 가스를 사용하여 챔버내로의 13 내지 300sccm의 전체 처리 가스 유량을 가지는 플라즈마 에칭 챔버에서 반도체 웨이퍼를 가열 또는 냉각하기 위한 방법에 있어서,
    a) 플라즈마 에칭 챔버내의 웨이퍼에서 발생되는 열에 견딜 수 있거나 그 열을 수용하는 웨이퍼 지지대 근처에 반도체 웨이퍼를 위치시키는 단계 ;
    b) 상기 웨이퍼로부터 상기 지지대로 열을 전달하기 위하여 상기 가스 성분의 적어도 일부를 상기 지지대로 향하게 하는 단계 ; 및
    c) 40 내지 200밀리토르의 압력으로 상기 플라즈마 에칭 챔버를 유지하기 위하여 상기 챔버내의 압력을 모니터링하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭 챔버에서 반도체 웨이퍼를 가열 또는 냉각하기 위한 방법.
  6. (정정) 제 5항에 있어서, 상기 가스 성분의 일부는 상기 웨이퍼 지지대의 표면에 있는 개구부를 통과하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭 챔버에서 반도체 웨이퍼를 가열 또는 냉각하기 위한 방법.
  7. (2회 정정) 제 5항에 있어서, 상기 웨이퍼는 상기 웨이퍼 지지대에 대해 시일링되지 않는 상태로 지지되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭 챔버에서 반도체 웨이퍼를 가열 또는 냉각하기 위한 방법.
  8. (2회 정정) 가스 전도성 열전달 가스로서 에칭 처리에 사용되는 하나 이상의 열전도성 처리 가스 성분을 사용하여 플라즈마 에칭 챔버에서 반도체 웨이퍼를 냉각하기 위한 방법에 있어서, 웨이퍼 지지대로부터 상기 웨이퍼 후면으로의 열전달을 제공하기 위해 상기 웨이퍼 지지대내의 하나 이상의 개구부내로 상기 하나 이상의 열전도성 성분중 제어된 유량이 상기 웨이퍼 후면으로 향하게 하는 단계, 및 상기 하나 이상의 열전도성 성분이 상기 플라즈마 에칭 챔버내로 흐르게 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭 챔버에서 반도체 웨이퍼를 냉각하기 위한 방법.
  9. (2회 정정) 가스 전도성 열전달 가스로서 플라즈마 에칭 공정에서 사용되는 하나 이상의 열전도성 처리가스 성분을 사용함으로써 플라즈마 에칭 장치에서 하나 이상의 반도체 웨이퍼를 가열 또는 냉각하기 위한 장치에 있어서,
    a) 하나 이상의 개구부를 구비하고 있으며, 상기 장치에서 상기 웨이퍼를 지지하기 위한 지지 표면 ; 및
    b) 상기 웨이퍼를 가열 또는 냉각하기 위해 상기 지지 표면 개구부를 통해 상기 열전도성 처리 가스 성분의 일부를 상기 웨이퍼의 후면과 열적으로 접촉하도록 상기 웨이퍼 후면으로 향하게 하는 수단을 포함하며, 상기 성분은 처리 챔버내로 흐르는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 가열 또는 냉각을 위한 장치.
  10. (2회 정정) 제 9항에 있어서, 상기 열전도성 처리 가스는 상기 웨이퍼의 온도를 변화시키는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 가열 또는 냉각을 위한 장치.
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