JPS6083323A - 基板冷却法 - Google Patents
基板冷却法Info
- Publication number
- JPS6083323A JPS6083323A JP19083683A JP19083683A JPS6083323A JP S6083323 A JPS6083323 A JP S6083323A JP 19083683 A JP19083683 A JP 19083683A JP 19083683 A JP19083683 A JP 19083683A JP S6083323 A JPS6083323 A JP S6083323A
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- Japan
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- substrate
- cooling
- substrate holder
- gas
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Classifications
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
- C23C16/463—Cooling of the substrate
- C23C16/466—Cooling of the substrate using thermal contact gas
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はスパッタ装置ＯＶ Ｄ （Ｏｈｅｍｉｃａｌ
Ｖａ−ｐｏｕｒ Ｉ）ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）装置お
よびエツチング装置ｈ：等における基板Ｑ却法に関する
ものである。
Ｖａ−ｐｏｕｒ Ｉ）ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）装置お
よびエツチング装置ｈ：等における基板Ｑ却法に関する
ものである。
従来、真空装置で基板を冷却する方法としてはＱ却され
た基板ホルダに基板を押し付ける方法がはなく、冷却効
率に限度があり、特にＳｉウニノーのように薄くて脆い
基板では強く押し付けることができず、十分な熱伝導接
触を確保することができない。また例えばＬＳＩの層間
絶縁膜にＳｉｎ、をスパッタで形成する場合や、磁気ヘ
ッドｋｔ、 ｏｓの厚膜をスパッタで形成する場合には
通常成膜中ｉｏｏ℃以下の低温が要求される。位ってこ
の点を考慮して従来のものでは成膜レートを制限して成
膜が行なわれてきた。
た基板ホルダに基板を押し付ける方法がはなく、冷却効
率に限度があり、特にＳｉウニノーのように薄くて脆い
基板では強く押し付けることができず、十分な熱伝導接
触を確保することができない。また例えばＬＳＩの層間
絶縁膜にＳｉｎ、をスパッタで形成する場合や、磁気ヘ
ッドｋｔ、 ｏｓの厚膜をスパッタで形成する場合には
通常成膜中ｉｏｏ℃以下の低温が要求される。位ってこ
の点を考慮して従来のものでは成膜レートを制限して成
膜が行なわれてきた。
そこで１．、この発明の目的は、このような従来技術の
もつ欠点を解消するため基板を効果的に冷却する方法を
提供することにある。
もつ欠点を解消するため基板を効果的に冷却する方法を
提供することにある。
この目的を達成するために、この発りｊによる基板冷却
法は、処理室内に配置した基板ホルダ内に冷却用ガスを
供給して基板ホルダ自体を冷却し基板ホルダとの接触に
よる熱伝導および冷却用カス自体を介しての熱伝導によ
って基板を冷却するこ、とを特徴としている。
法は、処理室内に配置した基板ホルダ内に冷却用ガスを
供給して基板ホルダ自体を冷却し基板ホルダとの接触に
よる熱伝導および冷却用カス自体を介しての熱伝導によ
って基板を冷却するこ、とを特徴としている。
この発明による方法において使用筋れる冷却用Ｊｆｉ
−＋ １− １ イ、訃 ム一 ム−１＾−Ａ−１入１
０１Ｌ１． 竺請ζＨ１ｌ八られ得、それ自体スノξ
ツタガスとして用いられ好１しくけ基板ホルダを収容し
ている処理案内への２９、大ガスが利用され得る。
−＋ １− １ イ、訃 ム一 ム−１＾−Ａ−１入１
０１Ｌ１． 竺請ζＨ１ｌ八られ得、それ自体スノξ
ツタガスとして用いられ好１しくけ基板ホルダを収容し
ている処理案内への２９、大ガスが利用され得る。
以下この発明を図示実施例について説［ＪＩＪする。
図面にはこの発明の方法を実施しているｉＳ板ホルダ構
造の一例を示す。ｌは基板ホルダで、この基板ホルダｌ
は中央冷却ガス通路λを備えている。
造の一例を示す。ｌは基板ホルダで、この基板ホルダｌ
は中央冷却ガス通路λを備えている。
３は基板ｌの受１０１であシ、ｊは基板押えである。
受面３と基板≠との間のすき間は小さければ小さいはど
よい。また基板≠をばね等で冷却面すなわち受面３に押
し付けることによって冷却効果をさらに旨めることがで
きる。すガわちガス原子は単に一回基板に衝災する５の
ではなく基板と冷却−ｐｉｔ ３との間を何回も往復し
、より効果的な熱３！：換が行なわれる。図示例におい
てＡｒ 、Ａｒ＋０１ 、Ａｒ＋Ｎｔ 。
よい。また基板≠をばね等で冷却面すなわち受面３に押
し付けることによって冷却効果をさらに旨めることがで
きる。すガわちガス原子は単に一回基板に衝災する５の
ではなく基板と冷却−ｐｉｔ ３との間を何回も往復し
、より効果的な熱３！：換が行なわれる。図示例におい
てＡｒ 、Ａｒ＋０１ 、Ａｒ＋Ｎｔ 。
ＳｉＨ４等の冷却用ガスは中央冷却ガス通路２を流下し
、受面３と基板Ｖとの間のすき間で何回も熱父換をしな
がら横方向外方へ流れ基板ホルダの受面３の周縁部と基
板押えよとの間および基板ケの周縁部と基板押えｊの内
側縁部との間を通る。
、受面３と基板Ｖとの間のすき間で何回も熱父換をしな
がら横方向外方へ流れ基板ホルダの受面３の周縁部と基
板押えよとの間および基板ケの周縁部と基板押えｊの内
側縁部との間を通る。
なおこの場合冷却用ガスを受面３と基板弘との間にため
るようにしてもよい。こうして基板ホルダｌ自体および
基板≠の裏面を冷却すると共に、基板≠は冷却された基
板ホルダｌとの接触による熱伝導によっても冷却される
。
るようにしてもよい。こうして基板ホルダｌ自体および
基板≠の裏面を冷却すると共に、基板≠は冷却された基
板ホルダｌとの接触による熱伝導によっても冷却される
。
以上説明してきたように、この発明による方法によれば
、冷却された基板ホルダおよび冷却用ガスとの接触によ
る熱伝導によって基板を効果的に冷紹１することができ
るので、スパッタおよびＯＶＤでは成膜中、またエツチ
ングではエツチング中に基板の温度を低く押えておくこ
とができ、成膜レートを上げることができ、その結果、
生産性を向上させることができる。
、冷却された基板ホルダおよび冷却用ガスとの接触によ
る熱伝導によって基板を効果的に冷紹１することができ
るので、スパッタおよびＯＶＤでは成膜中、またエツチ
ングではエツチング中に基板の温度を低く押えておくこ
とができ、成膜レートを上げることができ、その結果、
生産性を向上させることができる。
図面はこの発明による方法を実施している基板ホルダ構
造の一例を示す断面図である。 図中、ｌ：基板ホルダ、−２：中央冷勾１ガス進路、３
：受面、弘：基板。
造の一例を示す断面図である。 図中、ｌ：基板ホルダ、−２：中央冷勾１ガス進路、３
：受面、弘：基板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｚ 処理室内に配ｊσした基板ホルダ内に冷却用ガスを
供給して基板ホルダ自体を冷却し、基板ホルダとの接触
による熱伝導および冷却用ガス自体を介しての熱伝導に
よって基板を冷却することを特徴とする基板冷却法。 ２ 冷却用ガスが処理室へ供給される導入ガスであシ、
基板ホルダ内を通って処理室に供給するようにした特許
請求の範囲第１項に記載の基板冷却法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19083683A JPS6083323A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | 基板冷却法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19083683A JPS6083323A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | 基板冷却法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6083323A true JPS6083323A (ja) | 1985-05-11 |
Family
ID=16264567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19083683A Pending JPS6083323A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | 基板冷却法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6083323A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02308529A (ja) * | 1989-05-08 | 1990-12-21 | Applied Materials Inc | 半導体ウェーハ処理装置内で半導体ウェーハを加熱又は冷却するための方法及び装置 |
| JPH03174719A (ja) * | 1989-09-01 | 1991-07-29 | Fuji Electric Co Ltd | 乾式成膜装置 |
| WO1998040172A1 (en) * | 1997-03-13 | 1998-09-17 | Specialty Coating Systems, Inc. | Method and apparatus for cryogenically cooling a deposition chamber |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5796529A (en) * | 1980-12-09 | 1982-06-15 | Fujitsu Ltd | Microwave plasma treating method |
-
1983
- 1983-10-14 JP JP19083683A patent/JPS6083323A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5796529A (en) * | 1980-12-09 | 1982-06-15 | Fujitsu Ltd | Microwave plasma treating method |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02308529A (ja) * | 1989-05-08 | 1990-12-21 | Applied Materials Inc | 半導体ウェーハ処理装置内で半導体ウェーハを加熱又は冷却するための方法及び装置 |
| JPH03174719A (ja) * | 1989-09-01 | 1991-07-29 | Fuji Electric Co Ltd | 乾式成膜装置 |
| WO1998040172A1 (en) * | 1997-03-13 | 1998-09-17 | Specialty Coating Systems, Inc. | Method and apparatus for cryogenically cooling a deposition chamber |
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