JPS59115525A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS59115525A JPS59115525A JP22398182A JP22398182A JPS59115525A JP S59115525 A JPS59115525 A JP S59115525A JP 22398182 A JP22398182 A JP 22398182A JP 22398182 A JP22398182 A JP 22398182A JP S59115525 A JPS59115525 A JP S59115525A
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- alloy
- aluminum
- resistance heating
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
この発明け、半導体装置の配線層形成技術に関する。
従来、半導体装置上のアルミニウムあるいはその合金を
形成するには、いわゆるスパッタリング蒸着法が用いら
れてきた。しかし、スパッタリング蒸着法を施された、
半導体装置はいわゆるラジエイション・ダメージにより
、素子特性が好ましくない。そのためダメージを取り除
く為は通常400〜500℃の熱工程が行なわれる。又
近年半導体装置が高密度化されるに従い、アルミニウム
合金すなわちAl−8i−Cu系合金が使用される事が
多いが、この合金に関しては熱工程により、余剰珪素が
析出し、微細コンタクトホールに対しては見掛−Fのコ
ンタクト抵抗上昇をもたらす。また、この種合金では熱
処理によシ結晶粒が粗大化し、以後の写真蝕刻法により
エンチングを行うのに好ましくない。
形成するには、いわゆるスパッタリング蒸着法が用いら
れてきた。しかし、スパッタリング蒸着法を施された、
半導体装置はいわゆるラジエイション・ダメージにより
、素子特性が好ましくない。そのためダメージを取り除
く為は通常400〜500℃の熱工程が行なわれる。又
近年半導体装置が高密度化されるに従い、アルミニウム
合金すなわちAl−8i−Cu系合金が使用される事が
多いが、この合金に関しては熱工程により、余剰珪素が
析出し、微細コンタクトホールに対しては見掛−Fのコ
ンタクト抵抗上昇をもたらす。また、この種合金では熱
処理によシ結晶粒が粗大化し、以後の写真蝕刻法により
エンチングを行うのに好ましくない。
本発明は、配線層形成後の400〜500℃の熱処理工
程が不必要となシ、それに伴なう上記諸問題を取り除く
ことが可能と々る、半導体装置の製造方法を提供するこ
とを目的としている。
程が不必要となシ、それに伴なう上記諸問題を取り除く
ことが可能と々る、半導体装置の製造方法を提供するこ
とを目的としている。
一般に真空中における抵抗加熱蒸着法はダメージのない
配線金属層の形成法であることは良く知られている。し
かし、その方法は、段差形状部においていわゆるスラッ
プカバレージに問題があり、一般的に使用されるに至っ
ていない。
配線金属層の形成法であることは良く知られている。し
かし、その方法は、段差形状部においていわゆるスラッ
プカバレージに問題があり、一般的に使用されるに至っ
ていない。
本発明は、ml)−を抵抗加熱によシ形成することKよ
り、第2層のラジエイション・ダメージを防ぎ、第2層
は、第1層のスラップカバレージを欠点を補うことが出
来る。第1層のアルミニウム、あるいけその合金層は、
0.02μm以上の厚さがあれに、第2層形成時の
ダメージを防ぎ得る。
り、第2層のラジエイション・ダメージを防ぎ、第2層
は、第1層のスラップカバレージを欠点を補うことが出
来る。第1層のアルミニウム、あるいけその合金層は、
0.02μm以上の厚さがあれに、第2層形成時の
ダメージを防ぎ得る。
との発明は、ダメージのない、アルミニウム、あるいは
アルミニウム合金の形成を提供するものであり、そのた
め、その後の400〜500’Cの熱処理を省略し得る
。従って以下の効果がある。
アルミニウム合金の形成を提供するものであり、そのた
め、その後の400〜500’Cの熱処理を省略し得る
。従って以下の効果がある。
第1に浅い接合に対して、いわゆる突きぬけ現ニウムの
使用が可能であり、微細コンタクトに対しても良好なコ
ンタクト特性が得られる。また従来のAl−8i系合釡
を用いた場合でも珪素の析出を最小限に止める事が可能
であり、コンタクト特性の著しい改善効果が得られる。
使用が可能であり、微細コンタクトに対しても良好なコ
ンタクト特性が得られる。また従来のAl−8i系合釡
を用いた場合でも珪素の析出を最小限に止める事が可能
であり、コンタクト特性の著しい改善効果が得られる。
第2に従来熱工程によりアルミニウム層表面に発生する
ヒロックを押える事が可能である。
ヒロックを押える事が可能である。
第3にAl−8i系合金の結晶粒の粗大化を防止出来る
為に以後の写真蝕刻法に対し良い好来が得られる。
為に以後の写真蝕刻法に対し良い好来が得られる。
第1図は本発明に使用する装置の一例を示すもので、1
は珪素基板、2はクヌーセン令セル型抵抗加熱蒸発源、
3はアルミニウム、4はアルミニウム台スパッタガン、
5は回転プラネタリ−16け真空チャンバー、12は真
空ポンプ系である。第2図は本発明によp製造されたM
Oキャパンターの一例を示す断面図であり、7は第21
−アルミニウム、8け第1層アルミニウム、9はフィー
ルド酸化膜、10は珪素基板である。ただし本発明は珪
素基板についても適用される。
は珪素基板、2はクヌーセン令セル型抵抗加熱蒸発源、
3はアルミニウム、4はアルミニウム台スパッタガン、
5は回転プラネタリ−16け真空チャンバー、12は真
空ポンプ系である。第2図は本発明によp製造されたM
Oキャパンターの一例を示す断面図であり、7は第21
−アルミニウム、8け第1層アルミニウム、9はフィー
ルド酸化膜、10は珪素基板である。ただし本発明は珪
素基板についても適用される。
第1図の装置により、第1層として純アルミニウムが、
クヌーセン・セル型、抵抗加熱装置によυ0005μm
から(11ttm 1で形成された。さらに第2層がア
ルゴンスパッタリング法にて純アルミニウム0.8μm
が第1層上に形成された。第3図にMOSキャパシター
として、第1層のアルミニウム厚さが0.0.005.
0.01.002.01(各μm)でga 2If4の
厚さ08μmとした場ばのC−■特性を曲線1〜5で示
す。まだ第4図に比較のため、アルゴンスパッタリング
法 理を加えた後のC−■特性も示す。これらの図から明ら
かな様に0,02μ以上のアルミニウム、あるいはアル
ミニウム合金を第1層として形成すれば以後の400℃
以上の熱処理を省略しても良好な索子特性を依持で微る
ことが理解される。
クヌーセン・セル型、抵抗加熱装置によυ0005μm
から(11ttm 1で形成された。さらに第2層がア
ルゴンスパッタリング法にて純アルミニウム0.8μm
が第1層上に形成された。第3図にMOSキャパシター
として、第1層のアルミニウム厚さが0.0.005.
0.01.002.01(各μm)でga 2If4の
厚さ08μmとした場ばのC−■特性を曲線1〜5で示
す。まだ第4図に比較のため、アルゴンスパッタリング
法 理を加えた後のC−■特性も示す。これらの図から明ら
かな様に0,02μ以上のアルミニウム、あるいはアル
ミニウム合金を第1層として形成すれば以後の400℃
以上の熱処理を省略しても良好な索子特性を依持で微る
ことが理解される。
第1図は本発明に使用する装置の概略図、第2図は本発
明によシ製造されたMOSキャノ(ジターを示す断面図
、第3図及び第4図は本発明の効果を示すC−V曲線図
である。 1・・珪素基板 2・クヌーセン・セル型抵抗加熱蒸発 3・・・アルミニウム 4・・アルミニウム、スノシツタガン 5・・回噂プラネタリ− 6・・電空チャンノ(− 7第2層アルミニウム 8・・第118アルミニウム 10・・珪素基板 (7317) 代理人 弁理士 側近 憲 イ右叫力
11名)第1図 第2図 一、2’7−f771) fl) 71
1刀 第φ図 一2/ −fl) l) fl)
2’7105
明によシ製造されたMOSキャノ(ジターを示す断面図
、第3図及び第4図は本発明の効果を示すC−V曲線図
である。 1・・珪素基板 2・クヌーセン・セル型抵抗加熱蒸発 3・・・アルミニウム 4・・アルミニウム、スノシツタガン 5・・回噂プラネタリ− 6・・電空チャンノ(− 7第2層アルミニウム 8・・第118アルミニウム 10・・珪素基板 (7317) 代理人 弁理士 側近 憲 イ右叫力
11名)第1図 第2図 一、2’7−f771) fl) 71
1刀 第φ図 一2/ −fl) l) fl)
2’7105
Claims (1)
- (1)半導体基板上にアルミニウムあるいはアルミニウ
ム合金層を形成する際に、抵抗加熱蒸発、蒸着によりア
ルミニウムあるいはその合金の第1層を形成し、スパッ
タリング法により、さらにアルミニウム、あるいはその
合金の第2ノ〜を形成する層のアルミニウムあるいけア
ルミニウム合金の形成される朧さは002μm以上であ
ることを特徴とす目の金属層を形成した後の熱工程け3
00’C以下であることを特徴とする半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22398182A JPS59115525A (ja) | 1982-12-22 | 1982-12-22 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22398182A JPS59115525A (ja) | 1982-12-22 | 1982-12-22 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59115525A true JPS59115525A (ja) | 1984-07-04 |
Family
ID=16806701
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22398182A Pending JPS59115525A (ja) | 1982-12-22 | 1982-12-22 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59115525A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6421060A (en) * | 1987-07-15 | 1989-01-24 | Kobe Steel Ltd | High-corrosion resistant product plated with al-cr alloy and its production |
JPH0216735A (ja) * | 1988-05-02 | 1990-01-19 | Motorola Inc | 半導体デバイスのメタライゼーション・プロセス |
-
1982
- 1982-12-22 JP JP22398182A patent/JPS59115525A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6421060A (en) * | 1987-07-15 | 1989-01-24 | Kobe Steel Ltd | High-corrosion resistant product plated with al-cr alloy and its production |
JPH0216735A (ja) * | 1988-05-02 | 1990-01-19 | Motorola Inc | 半導体デバイスのメタライゼーション・プロセス |
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