JPS598356A - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
半導体集積回路装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS598356A JPS598356A JP11752782A JP11752782A JPS598356A JP S598356 A JPS598356 A JP S598356A JP 11752782 A JP11752782 A JP 11752782A JP 11752782 A JP11752782 A JP 11752782A JP S598356 A JPS598356 A JP S598356A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- insulating film
- silicon film
- silicon
- interlayer insulating
- Prior art date
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- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体集積回路装置の製造方法に係り、特に平
坦な層間絶縁膜の形成に関する。
坦な層間絶縁膜の形成に関する。
一般に半導体集積回路において配線材料としてアルミ等
の金属薄膜を用いるが、金属薄膜下の層間絶縁膜が、急
峻な段差を有すると金属配線が断線することがしばしば
ある１、このため層間絶縁膜の段差を軽減し、平坦にす
る平坦化技術は非常に重要である。
の金属薄膜を用いるが、金属薄膜下の層間絶縁膜が、急
峻な段差を有すると金属配線が断線することがしばしば
ある１、このため層間絶縁膜の段差を軽減し、平坦にす
る平坦化技術は非常に重要である。
近年配線材料の微細加工や多層配線が行なわれるように
なりこの平坦化技術は、必要欠くべからざるものとなっ
てきた。
なりこの平坦化技術は、必要欠くべからざるものとなっ
てきた。
また、高集積化のため浅いＰＮ接合が、必要になったこ
とアルミニウム等低融点金属による多層配線構造を実現
しなければならない等の理由から高温熱処理による眉間
絶縁膜の平坦化技術が使えなくなシ、低温プロセスによ
る平坦化が必要とされている。
とアルミニウム等低融点金属による多層配線構造を実現
しなければならない等の理由から高温熱処理による眉間
絶縁膜の平坦化技術が使えなくなシ、低温プロセスによ
る平坦化が必要とされている。
本発明の目的は低温プロセスでの層間絶縁膜の平坦化技
術を提供することである。
術を提供することである。
本発明の特徴は、第１層目の配線材料の上に該配線材料
の膜厚よりやや厚い第１の層間絶縁膜を形成する工程と
該層間絶縁膜の上に多結晶シリコン膜又は非結晶シリコ
ン膜を成長する工程と、該シリコン膜を段の高い部分の
層間絶縁膜が、露出するまで蝕刻し、該シリコン膜をマ
スクにして該眉間絶縁膜が平坦となるように蝕刻する工
程と、しかる後に残余のシリコン膜を除去し、第２の層
間絶縁膜を成長する工程と、層間絶縁膜にコンタクト孔
を開孔し、第２の配線材料を形成する工程を含む半導体
装置の製造方法にある１゜以下にこの発明による眉間絶
縁膜の平坦化技術を実施例を用いて説明する。
の膜厚よりやや厚い第１の層間絶縁膜を形成する工程と
該層間絶縁膜の上に多結晶シリコン膜又は非結晶シリコ
ン膜を成長する工程と、該シリコン膜を段の高い部分の
層間絶縁膜が、露出するまで蝕刻し、該シリコン膜をマ
スクにして該眉間絶縁膜が平坦となるように蝕刻する工
程と、しかる後に残余のシリコン膜を除去し、第２の層
間絶縁膜を成長する工程と、層間絶縁膜にコンタクト孔
を開孔し、第２の配線材料を形成する工程を含む半導体
装置の製造方法にある１゜以下にこの発明による眉間絶
縁膜の平坦化技術を実施例を用いて説明する。
第１図は、シリコン基板１の一生表面にシリコン酸化膜
２を形成し、その上に第１層目の配線３を形成し、層間
絶縁膜としてシリコン酸化膜４を成長したものである。
２を形成し、その上に第１層目の配線３を形成し、層間
絶縁膜としてシリコン酸化膜４を成長したものである。
その後、多結晶シリコン膜又は、非結晶シリコン膜５を
、成長したのが第２図である。
、成長したのが第２図である。
ここで、シリコン膜の成長方法は、例えばスノ（ツタ蒸
着法、プラズマ成長法、減゛圧低温気相成長法等のよう
にステップカバレッジのよい成長方法を用いればこの図
のごとく段の低い部分Ａは、高い部分Ｂに対して厚く形
成される。又、第一層目の配線材料が、多結晶シリコン
、モリブデンタングステン、チタン、タンタル等のよう
に高融点である場合は通常の気相成長によってシリコン
膜を成長できる。
着法、プラズマ成長法、減゛圧低温気相成長法等のよう
にステップカバレッジのよい成長方法を用いればこの図
のごとく段の低い部分Ａは、高い部分Ｂに対して厚く形
成される。又、第一層目の配線材料が、多結晶シリコン
、モリブデンタングステン、チタン、タンタル等のよう
に高融点である場合は通常の気相成長によってシリコン
膜を成長できる。
伺、成長するシリコン膜はＨｘ層目の配線材料の膜厚と
同等もしくは、それ以上に成長してやればよい。
同等もしくは、それ以上に成長してやればよい。
次に、プラズマエツチングにより全面のシリコン膜を、
Ｂの部分が完全にエツチングされるのを目安にエツチン
グしたのが第３図である。
Ｂの部分が完全にエツチングされるのを目安にエツチン
グしたのが第３図である。
このようにシリコン膜５は、段の低い部分Ａのみに残さ
れる。ここで弗酸系のエツチング液により層間絶縁膜の
段差がなくなるまでエツチングしてやれば、シリコン膜
は弗酸系のエツチング液にエツチングされないため第４
図のごとく平坦な層間絶縁膜が形成される。
れる。ここで弗酸系のエツチング液により層間絶縁膜の
段差がなくなるまでエツチングしてやれば、シリコン膜
は弗酸系のエツチング液にエツチングされないため第４
図のごとく平坦な層間絶縁膜が形成される。
その後シリコン膜をエツチングし、第５図のごとく再び
シリコン酸化膜６を成長すれば平坦で厚い層間絶縁膜が
形成される。
シリコン酸化膜６を成長すれば平坦で厚い層間絶縁膜が
形成される。
さらに、コンタクト孔を、テーパーエツチングにより開
孔し第２層目の配線８を形成してやれば第６図のごとく
二層配線構造が、容易に形成される３゜ 以上のごとく本発明によれば、高温熱処理を経ることな
く低温で平坦な層間絶縁膜を形成することが可能であり
、高集積化や多層配線に非常に有効である。
孔し第２層目の配線８を形成してやれば第６図のごとく
二層配線構造が、容易に形成される３゜ 以上のごとく本発明によれば、高温熱処理を経ることな
く低温で平坦な層間絶縁膜を形成することが可能であり
、高集積化や多層配線に非常に有効である。
第１図乃至第６図は本発明の実施例の断面図である。
同、図において、１・・・・・・シリコン基板、２，８
・・・・・・シリコン酸化膜、３・・・・・・配線材料
、４．６・・・・・・層間絶縁膜、５・・・・・・シリ
コン膜である。 牟Ｉ Ｖ 蕗２凹 范３ 図 第４ 図 竿 ５ 図 律７６ 図
・・・・・・シリコン酸化膜、３・・・・・・配線材料
、４．６・・・・・・層間絶縁膜、５・・・・・・シリ
コン膜である。 牟Ｉ Ｖ 蕗２凹 范３ 図 第４ 図 竿 ５ 図 律７６ 図
Claims (1)
- 第１層目の配線材料の上に該配線材料の膜厚よシ厚い第
１の層間絶縁膜を形成する工程と、該眉間絶縁膜の上に
多結晶シリコン膜又は非結晶シリコン膜を成長する工程
と、該多結晶シリコン膜又は該非結晶シリコン膜を前記
第１の層間絶縁膜の段の高い部分が、露出するまで蝕刻
し、次に該多結晶シリコン膜又は非結晶シリコン膜をマ
スクにして該層間絶膜膜が平坦となるように蝕刻する工
程と、しかる後に残余せる該多結晶シリコン膜又は該非
結晶シリコン膜を除去し、第２の層間絶縁膜を成長する
工程と、層間絶縁膜にコンタクト孔を開孔し、第２の配
線材料を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11752782A JPS598356A (ja) | 1982-07-06 | 1982-07-06 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11752782A JPS598356A (ja) | 1982-07-06 | 1982-07-06 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS598356A true JPS598356A (ja) | 1984-01-17 |
Family
ID=14713990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11752782A Pending JPS598356A (ja) | 1982-07-06 | 1982-07-06 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS598356A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62293739A (ja) * | 1986-06-13 | 1987-12-21 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| WO2013102986A1 (ja) | 2012-01-05 | 2013-07-11 | Ｊｆｅスチール株式会社 | 高炭素熱延鋼板およびその製造方法 |
| WO2013102987A1 (ja) | 2012-01-06 | 2013-07-11 | Ｊｆｅスチール株式会社 | 高炭素熱延鋼板およびその製造方法 |
| WO2013102982A1 (ja) | 2012-01-05 | 2013-07-11 | Ｊｆｅスチール株式会社 | 焼入れ性に優れる面内異方性の小さい高炭素熱延鋼板およびその製造方法 |
| US9657363B2 (en) | 2011-06-15 | 2017-05-23 | Ati Properties Llc | Air hardenable shock-resistant steel alloys, methods of making the alloys, and articles including the alloys |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56148845A (en) * | 1980-04-22 | 1981-11-18 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
-
1982
- 1982-07-06 JP JP11752782A patent/JPS598356A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56148845A (en) * | 1980-04-22 | 1981-11-18 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62293739A (ja) * | 1986-06-13 | 1987-12-21 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US9657363B2 (en) | 2011-06-15 | 2017-05-23 | Ati Properties Llc | Air hardenable shock-resistant steel alloys, methods of making the alloys, and articles including the alloys |
| WO2013102986A1 (ja) | 2012-01-05 | 2013-07-11 | Ｊｆｅスチール株式会社 | 高炭素熱延鋼板およびその製造方法 |
| WO2013102982A1 (ja) | 2012-01-05 | 2013-07-11 | Ｊｆｅスチール株式会社 | 焼入れ性に優れる面内異方性の小さい高炭素熱延鋼板およびその製造方法 |
| WO2013102987A1 (ja) | 2012-01-06 | 2013-07-11 | Ｊｆｅスチール株式会社 | 高炭素熱延鋼板およびその製造方法 |
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