JPH01196130A - シリコン酸化膜の成長方法 - Google Patents
シリコン酸化膜の成長方法Info
- Publication number
- JPH01196130A JPH01196130A JP2177388A JP2177388A JPH01196130A JP H01196130 A JPH01196130 A JP H01196130A JP 2177388 A JP2177388 A JP 2177388A JP 2177388 A JP2177388 A JP 2177388A JP H01196130 A JPH01196130 A JP H01196130A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon oxide
- oxide film
- film
- layer
- glass layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 78
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 56
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229910018125 Al-Si Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- 229910018520 Al—Si Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 44
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims 2
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 claims 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 11
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 11
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000002277 temperature effect Effects 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、シリコン酸化膜の成長方法に関する。
より詳細には、ウェハ上で層間膜あるいは保護膜として
使用するシリコン酸化膜の成長にあたって、特にヒロッ
クの発生を有効に防止して膜質の改善を図った新規なシ
リコン酸化膜の成長方法に関する。
使用するシリコン酸化膜の成長にあたって、特にヒロッ
クの発生を有効に防止して膜質の改善を図った新規なシ
リコン酸化膜の成長方法に関する。
従来の技術
半導体集積回路技術の高度化により、近年多層構造の集
積回路が提案され、また開発されている。
積回路が提案され、また開発されている。
多層構造の集積回路では、配線としてのメタライシンク
層上に、保護層あるいは層間絶縁層が形成され、更にそ
の上に池の配線等が形成される。尚、保護層あるいは層
間絶縁層としては、ＳｉＯ２系ガラス等が使用される。
層上に、保護層あるいは層間絶縁層が形成され、更にそ
の上に池の配線等が形成される。尚、保護層あるいは層
間絶縁層としては、ＳｉＯ２系ガラス等が使用される。
一般にＳｉＯ２系ガラメガ５フ
スフィン等を原料ガスとした化学気相成長法により形成
されるが、成長ずるＳｉｎ２系ガラス層の均一性並びに
膜質等を重視して、従来は４２０℃程度の成長温度で化
学気相成長法を実施していた。
されるが、成長ずるＳｉｎ２系ガラス層の均一性並びに
膜質等を重視して、従来は４２０℃程度の成長温度で化
学気相成長法を実施していた。
発明が解決しようとする課題
ところで、半導体集積回路における配線層は一般にＡＩ
等の金属により形成されるが、Ａｌは再結晶温度が低く
、また、自己拡散の活性化エネルギーが小さいので、熱
影響下で容易にヒロックと呼ばれる隆起を生じる。これ
は、Ｓｉ基板の熱膨張率（２３． ５ｐｐｍ／ ’Ｃ程
度）とＡｌ膜の熱ｎＦ ’ＪＭ 率（３． ３ｐｐｍ／
’ｃ程度）との差によって熱影響下でへ１膜に圧縮応
力が発生し、この応力を緩和するたｙｖにヒロックが形
成されるものと考えられている。
等の金属により形成されるが、Ａｌは再結晶温度が低く
、また、自己拡散の活性化エネルギーが小さいので、熱
影響下で容易にヒロックと呼ばれる隆起を生じる。これ
は、Ｓｉ基板の熱膨張率（２３． ５ｐｐｍ／ ’Ｃ程
度）とＡｌ膜の熱ｎＦ ’ＪＭ 率（３． ３ｐｐｍ／
’ｃ程度）との差によって熱影響下でへ１膜に圧縮応
力が発生し、この応力を緩和するたｙｖにヒロックが形
成されるものと考えられている。
前述のようにＳｉＯ２系ガラス層の成長温度は、成膜後
のＳｉＯ２系ガラス層の膜質の点から４２０℃程度は必
要であり、この温度影響下でヒロックの発生を根絶する
ことは困難であった。下地となるＡｌ配線層にヒロック
が発生すると、保護層あるいは層間絶縁層に欠陥が生じ
、腐食や短絡を生じる等配線の信申頁性が著しく低下す
ることから、ヒロックへの対策が種々提案されている。
のＳｉＯ２系ガラス層の膜質の点から４２０℃程度は必
要であり、この温度影響下でヒロックの発生を根絶する
ことは困難であった。下地となるＡｌ配線層にヒロック
が発生すると、保護層あるいは層間絶縁層に欠陥が生じ
、腐食や短絡を生じる等配線の信申頁性が著しく低下す
ることから、ヒロックへの対策が種々提案されている。
しかしながら、配線層の材料にＣｕ、Ｓｎ等の不純物を
混入する、配線層の表面を他の金属層で被覆する等の公
知の方法では、工程を増加する、特殊な材料を必要とす
る等の問題があり、有効な対策とはなっていない。
混入する、配線層の表面を他の金属層で被覆する等の公
知の方法では、工程を増加する、特殊な材料を必要とす
る等の問題があり、有効な対策とはなっていない。
そこで、本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解決
し、より簡便かつ単純な方法でヒロックの生成を有効に
防止できる新規なシリコン酸化膜の成長方法を提供する
ことにある。
し、より簡便かつ単純な方法でヒロックの生成を有効に
防止できる新規なシリコン酸化膜の成長方法を提供する
ことにある。
課題を解決するための手段
即ぢ、本発肋に従い、半導体集積回路のＡ］配線層上に
、化学気相成長法によりＳｉＯ２系ガラメガ５フ に、該ＡＩ−Ｓｉ配線層にヒロックが生じない低い温度
でＳｉＯ２系ガラス層を成長させる第１成膜工程と、該
第１成膜工程によって形成されたＳｉＯ２系ガラス層上
に、該第１成膜工程よりも高い温度でＳｉｎ，系ガラス
層を成長させる第２工程とを含むことを特徴とするシリ
コン酸化膜の成長方法が提供される。
、化学気相成長法によりＳｉＯ２系ガラメガ５フ に、該ＡＩ−Ｓｉ配線層にヒロックが生じない低い温度
でＳｉＯ２系ガラス層を成長させる第１成膜工程と、該
第１成膜工程によって形成されたＳｉＯ２系ガラス層上
に、該第１成膜工程よりも高い温度でＳｉｎ，系ガラス
層を成長させる第２工程とを含むことを特徴とするシリ
コン酸化膜の成長方法が提供される。
心皿
本発明に従うシリコン酸化膜の成長方法は、半導体集積
回路のＡ＋配線層上に保護膜あるいは層間絶縁膜を形成
する際に適用することができ、ヒロックが発生しない低
い成長温度で行う第１成膜工程と、優れた品質のシリコ
ン酸化膜が得られる高い成長温度で行う第２成膜工程と
をそれぞれ化学気相成長法により実施することによって
、ヒロックの生成を有効に防止することをその主要な特
徴としている。
回路のＡ＋配線層上に保護膜あるいは層間絶縁膜を形成
する際に適用することができ、ヒロックが発生しない低
い成長温度で行う第１成膜工程と、優れた品質のシリコ
ン酸化膜が得られる高い成長温度で行う第２成膜工程と
をそれぞれ化学気相成長法により実施することによって
、ヒロックの生成を有効に防止することをその主要な特
徴としている。
ここで、シリコン酸化膜としては、リンシリケートガラ
スやリンシリケートガラスとシリコン酸化膜との積層構
造の膜等が例示できる。
スやリンシリケートガラスとシリコン酸化膜との積層構
造の膜等が例示できる。
ヒロックの発生密度は１．へ１配線層に対する温度影響
に極とて強い相関関係があり、シリコン酸化膜の成長温
度を低下することによって、ヒロックの発生を現象する
ことができる。一方、低い成長温度で形成されたシリコ
ン酸化膜は、膜質、均−性等の点で品質が低い。
に極とて強い相関関係があり、シリコン酸化膜の成長温
度を低下することによって、ヒロックの発生を現象する
ことができる。一方、低い成長温度で形成されたシリコ
ン酸化膜は、膜質、均−性等の点で品質が低い。
しかしながら、本発明者の種々の実験並びに検討１こよ
れば、ヒロックの発生を抑制した条件で一旦シリコン酸
化膜を形成すると、その後に高い成長温度で／リコン酸
化膜を積層しても、最早新規なヒロックは殆ど発生しな
いことが同門した。これは、Ａｌ配線層上に低い成長温
度で形成されたシリコン酸化膜が新規なヒロックの発生
を有効に抑止しているたｔであると思われる。
れば、ヒロックの発生を抑制した条件で一旦シリコン酸
化膜を形成すると、その後に高い成長温度で／リコン酸
化膜を積層しても、最早新規なヒロックは殆ど発生しな
いことが同門した。これは、Ａｌ配線層上に低い成長温
度で形成されたシリコン酸化膜が新規なヒロックの発生
を有効に抑止しているたｔであると思われる。
ここで、ヒロックの発生が極めて低いシリコン酸化膜の
成長温度としては、好ましい範囲として３６０°Ｃ乃至
３８０℃の温度範囲を挙げることができる。即ち、成長
温度がこの範囲を越えると急激にヒロックの発生が増加
し、一方、成長温度が上記範囲に達しない場合は均一な
シリコン酸化膜の形成が困難である。また、シリコン酸
化膜の膜質を重視する第２成膜工程における成長温度と
しては４２０℃程度が好ましい。
成長温度としては、好ましい範囲として３６０°Ｃ乃至
３８０℃の温度範囲を挙げることができる。即ち、成長
温度がこの範囲を越えると急激にヒロックの発生が増加
し、一方、成長温度が上記範囲に達しない場合は均一な
シリコン酸化膜の形成が困難である。また、シリコン酸
化膜の膜質を重視する第２成膜工程における成長温度と
しては４２０℃程度が好ましい。
更に、本発明者の知見によれば、この低温で成長したシ
リコン酸化膜によるヒロックの抑止効果は、かなり薄い
シリコン酸化膜によっても有効であり、具体的には５０
０ Ａ以上の膜厚があれば十分な効果が得られる。従っ
て、低温で成長したヒロック防止のためのシリコン酸化
膜を形成した後に、更にその上にシリコン酸化膜の膜質
に最適な条件でシリコン酸化膜を成長することによって
、ヒロックの抑止とシリコン酸化膜の良好な膜質とを両
立することが可能となる。尚、シリコン酸化膜全体の膜
質を考慮すると、この低温で成長したシリコン酸化膜の
厚さは、１５００ 人未満であることが望ましい。
リコン酸化膜によるヒロックの抑止効果は、かなり薄い
シリコン酸化膜によっても有効であり、具体的には５０
０ Ａ以上の膜厚があれば十分な効果が得られる。従っ
て、低温で成長したヒロック防止のためのシリコン酸化
膜を形成した後に、更にその上にシリコン酸化膜の膜質
に最適な条件でシリコン酸化膜を成長することによって
、ヒロックの抑止とシリコン酸化膜の良好な膜質とを両
立することが可能となる。尚、シリコン酸化膜全体の膜
質を考慮すると、この低温で成長したシリコン酸化膜の
厚さは、１５００ 人未満であることが望ましい。
本発明の好ましい態様によれば、例えばへ１配線層上に
、３６０乃至３８０ ℃の温度範囲で数百人程度の厚さ
のシリコン酸化膜層を形成し、続いて４２０℃程度の成
長温度でシリコン酸化膜層層を形成し、全体として１μ
ｍ程度の厚さのシリコン酸化膜を形成することができる
。こうして得られたシリコン酸化膜は、具体的に後述す
るように、全体として良好な品質を維持すると共に、ヒ
ロックの発生は有効に抑止される。
、３６０乃至３８０ ℃の温度範囲で数百人程度の厚さ
のシリコン酸化膜層を形成し、続いて４２０℃程度の成
長温度でシリコン酸化膜層層を形成し、全体として１μ
ｍ程度の厚さのシリコン酸化膜を形成することができる
。こうして得られたシリコン酸化膜は、具体的に後述す
るように、全体として良好な品質を維持すると共に、ヒ
ロックの発生は有効に抑止される。
以下に図面を参照して本発明をより具体的に詳述するが
、以下に開示するものは本発明の一実施零に過ぎず、本
発明の技術的範囲を何ら限定するものではない。
、以下に開示するものは本発明の一実施零に過ぎず、本
発明の技術的範囲を何ら限定するものではない。
実施例
本実施例は、本発明に従うシリコン酸化膜の成長方法を
、層間絶縁膜の形成に適用して実施したものであり、第
１図（ａ）乃至（Ｃ）は、その工程毎に説明する図であ
る。
、層間絶縁膜の形成に適用して実施したものであり、第
１図（ａ）乃至（Ｃ）は、その工程毎に説明する図であ
る。
ここで、シリコン酸化膜は、第１図（ａ）に示すような
、シリコン基板等の基板１上に形成されたアルミニウム
等の配線パターン２上に形成されるものとする。
、シリコン基板等の基板１上に形成されたアルミニウム
等の配線パターン２上に形成されるものとする。
まず、常法に従う化学気相成長法によって、第１図（ｂ
）に示すように、厚さ５００人のシリコン酸化膜３を形
成した。この工程でのシリコン酸化膜の成長温度は３６
０℃であった。
）に示すように、厚さ５００人のシリコン酸化膜３を形
成した。この工程でのシリコン酸化膜の成長温度は３６
０℃であった。
続いて、同じく化学気相成長法によって、第１図（Ｃ）
に示すよう：、こ、厚さ１１５００人のシリコン酸化膜
４を形成した。この工程でのシリコン酸化膜の成長温度
は４２０℃であった。
に示すよう：、こ、厚さ１１５００人のシリコン酸化膜
４を形成した。この工程でのシリコン酸化膜の成長温度
は４２０℃であった。
また、比較のために、４２０℃の成長温度で１．２００
０人の厚さのシリコン酸化膜を、同じ仕様の配線層上に
直接形成したが、両者のシリコン酸化膜について、誘電
率等の特性に有意な差異は認められなかった。
０人の厚さのシリコン酸化膜を、同じ仕様の配線層上に
直接形成したが、両者のシリコン酸化膜について、誘電
率等の特性に有意な差異は認められなかった。
第２図（ａ）並びに（ｂ）は、本発明の実施例において
作成したシリコン酸化膜の表面性状を示す図であり、第
２図（ａ）は本発明に従う方法によって作成したシリコ
ン酸化膜の表面を、第２図（ｂ）は従来の方法によって
作成したシリコン酸化膜の表面を、それぞれ１００倍に
拡大した顕微鏡写真を更に？倍に拡大して描いた図であ
る。
作成したシリコン酸化膜の表面性状を示す図であり、第
２図（ａ）は本発明に従う方法によって作成したシリコ
ン酸化膜の表面を、第２図（ｂ）は従来の方法によって
作成したシリコン酸化膜の表面を、それぞれ１００倍に
拡大した顕微鏡写真を更に？倍に拡大して描いた図であ
る。
同図にも駄らかなように、第２図（ａ）に示す本発明の
方法に従って作成した試料では、１００倍に拡大しても
全くヒロフクを発見できないのに対して、第２図（ｂ）
に示す従来の方法で作成した試料では、無数のヒロフク
が発生していることが確Ｊ忍できた。
方法に従って作成した試料では、１００倍に拡大しても
全くヒロフクを発見できないのに対して、第２図（ｂ）
に示す従来の方法で作成した試料では、無数のヒロフク
が発生していることが確Ｊ忍できた。
発明の効果
以上詳述のように、本発明のシリコン酸化膜の成長方法
によれば、金属配線層のヒロックの発生を有効に抑止す
ると同時に、膜質の優れたシリコン酸化膜を形成するこ
とができる。
によれば、金属配線層のヒロックの発生を有効に抑止す
ると同時に、膜質の優れたシリコン酸化膜を形成するこ
とができる。
第１図（ａ）乃至（Ｃ）は、本発明に従うシリコン酸化
膜の成長方法を、その工程毎に説明する図であり、第２
図（ａ）並びに（ｂ）は、本発明の実施例において作成
したシリコン酸化膜の表面性状を示す図であり、第２図
（ａ）は本発明に従う方法によって作成したシリコン酸
化膜の表面を、第２図（ｂ）は従来の方法によって作成
したシリコン酸化膜の表面を、それぞれ１００倍に拡大
した顕微鏡写真を更に２倍に拡大して描いた図である。 〔参照番号〕 １・・・基板、 ２・・・金属層、 ３・・・第１工程によるシリコン酸化膜、４・・・第２
工程による／リコン酸化膜特許出願人 住友電気工業
株式会社
膜の成長方法を、その工程毎に説明する図であり、第２
図（ａ）並びに（ｂ）は、本発明の実施例において作成
したシリコン酸化膜の表面性状を示す図であり、第２図
（ａ）は本発明に従う方法によって作成したシリコン酸
化膜の表面を、第２図（ｂ）は従来の方法によって作成
したシリコン酸化膜の表面を、それぞれ１００倍に拡大
した顕微鏡写真を更に２倍に拡大して描いた図である。 〔参照番号〕 １・・・基板、 ２・・・金属層、 ３・・・第１工程によるシリコン酸化膜、４・・・第２
工程による／リコン酸化膜特許出願人 住友電気工業
株式会社
Claims (6)
- （１）半導体集積回路のＡｌ配線層上に、化学気相成長
法によりＳｉＯ＿２系ガラス層を形成する方法において
、 該Ａｌ−Ｓｉ配線層の直上に、該Ａｌ−Ｓｉ配線層にヒ
ロックが生じない低い温度でＳｉＯ＿２系ガラス層を成
長させる第１成膜工程と、該第１成膜工程によって形成
されたＳｉＯ＿２系ガラス層上に、該第１成膜工程より
も高い温度でＳｉＯ＿２系ガラス層を成長させる第２工
程とを含むことを特徴とするシリコン酸化膜の成長方法
。 - （２）前記ＳｉＯ＿２系ガラス層が、前記Ａｌ−Ｓｉ配
線層の保護膜または層間絶縁膜であることを特徴とする
第１請求項に記載の成長方法。 （２）前記第１成膜工程において形成されるＳｉＯ＿２
系ガラス層が、十分に薄いことを特徴とする第１請求項
に記載の成長方法。 - （３）前記第１成膜工程において形成されるＳｉＯ＿２
系ガラス層の厚さが、５００Å以上、１５００Å未満で
あることを特徴とする第２請求項に記載の成長方法。 - （４）前記第１成膜工程におけるＳｉＯ＿２系ガラス層
の成長温度が、３６０℃乃至３８０℃であることを特徴
とする第１請求項から第３請求項までの何れか１項に記
載の成長方法。 - （５）前記ＳｉＯ＿２系ガラス層を、リンシリケードガ
ラスにより形成することを特徴とする第１請求項から第
４請求項までの何れか１項に記載の成長方法。 - （６）前記ＳｉＯ＿２系ガラス層を、酸化シリコンとリ
ンシリケードガラスの積層膜によって形成することを特
徴とする第１請求項から第４請求項までの何れか１項に
記載の成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2177388A JPH01196130A (ja) | 1988-02-01 | 1988-02-01 | シリコン酸化膜の成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2177388A JPH01196130A (ja) | 1988-02-01 | 1988-02-01 | シリコン酸化膜の成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01196130A true JPH01196130A (ja) | 1989-08-07 |
Family
ID=12064391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2177388A Pending JPH01196130A (ja) | 1988-02-01 | 1988-02-01 | シリコン酸化膜の成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01196130A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0681327A2 (en) * | 1994-04-28 | 1995-11-08 | Xerox Corporation | Dual dielectric capping layers for hillock suppression in metal layers in thin film structures |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59208730A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-27 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-02-01 JP JP2177388A patent/JPH01196130A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59208730A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-27 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0681327A2 (en) * | 1994-04-28 | 1995-11-08 | Xerox Corporation | Dual dielectric capping layers for hillock suppression in metal layers in thin film structures |
| EP0681327A3 (en) * | 1994-04-28 | 1997-02-05 | Xerox Corp | Double dielectric covering layer to suppress protuberances in the metallic layers of thin film structures. |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS61256663A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0799170A (ja) | 半導体装置の金属層形成方法 | |
| JPH09186106A (ja) | 高い電子移動抵抗性を有するメタライゼーション・システム | |
| US20070032075A1 (en) | Deposition method for wiring thin film | |
| CN1159489A (zh) | 晶片表面平面化的方法 | |
| US6638856B1 (en) | Method of depositing metal onto a substrate | |
| JPH01196130A (ja) | シリコン酸化膜の成長方法 | |
| US5888910A (en) | Method for forming interlayer insulating film of semiconductor devices | |
| JPH10214889A (ja) | シャロートレンチアイソレーション構造内に結晶質窒化珪素被膜の薄膜を形成する方法、サブミクロンの集積回路デバイス用のシャロートレンチアイソレーション構造及び結晶質窒化珪素被膜 | |
| JP3142457B2 (ja) | 強誘電体薄膜キャパシタの製造方法 | |
| JP3219760B2 (ja) | 絶縁膜の形成方法 | |
| KR0179021B1 (ko) | 이중 층간절연막 증착방법 | |
| JPH07245342A (ja) | 半導体装置ならびにその製造方法 | |
| JPS5951549A (ja) | 集積回路装置の製造方法 | |
| JPH01191442A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPS62137855A (ja) | 多層配線構造を有する半導体装置 | |
| JP2785482B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS59115525A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2861559B2 (ja) | 成膜用基板の成膜面の仕上げ方法 | |
| JPH0479330A (ja) | 積層配線の形成方法 | |
| JP2737147B2 (ja) | 絶縁膜の形成方法 | |
| JPH0513368A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2833370B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2711530B2 (ja) | 半導体素子の金属配線形成方法 | |
| US20090166874A1 (en) | Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same |