JPH0513368A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0513368A JPH0513368A JP3226719A JP22671991A JPH0513368A JP H0513368 A JPH0513368 A JP H0513368A JP 3226719 A JP3226719 A JP 3226719A JP 22671991 A JP22671991 A JP 22671991A JP H0513368 A JPH0513368 A JP H0513368A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ランプ・アニールの際にＴｉＮ膜に生ずる微細
クラックの発生を抑制し、信頼性の向上した半導体装置
の製造方法を提供する。 【構成】Ｓｉ基板１上に設けられた層間絶縁膜２にコン
タクト孔７を形成し、次に基板全面にＴｉ膜４とＴｉＮ
膜５とを形成したのちランプアニールによる熱処理を行
う。この時、ＴｉＮ膜５を、（００１）面の配向率を７
０％以下にしたＴｉターゲットを用いた反応性スパッタ
リング法により形成する。
クラックの発生を抑制し、信頼性の向上した半導体装置
の製造方法を提供する。 【構成】Ｓｉ基板１上に設けられた層間絶縁膜２にコン
タクト孔７を形成し、次に基板全面にＴｉ膜４とＴｉＮ
膜５とを形成したのちランプアニールによる熱処理を行
う。この時、ＴｉＮ膜５を、（００１）面の配向率を７
０％以下にしたＴｉターゲットを用いた反応性スパッタ
リング法により形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関し、特にバリアメタルを介してシリコン基板に電極配
線を形成する方法に関する。
関し、特にバリアメタルを介してシリコン基板に電極配
線を形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコン（Ｓｉ）基板上に不純物拡散工
程を経て形成された不純物拡散領域の各々およびシリコ
ン基板そのものにオーミック接続される電極配線を形成
する材料としては、アルミニウム（Ａｌ）やその合金が
主に用いられている。しかしながら、これら電極配線を
形する為にこれらの金属の膜をＳｉ基板上に直接に被着
すると、この被着工程や後工程の熱履歴によりＡｌとＳ
ｉとが反応してアロイスパイクやシリコンノジュールを
発生させる。又Ａｌやその合金の単層配線では、エレク
トロマイグレーションやストレスマイグレーションによ
る断線が深刻な問題となっている。コンタクト領域での
ＡｌとＳｉの反応を防止する為に、通常、電極配線形成
用の金属膜とシリコン基板との間にバリアメタル膜を形
成する手法が用いられている。バリアメタル膜を用いる
積層配線構造は、エレクトロマイグレーションやストレ
スマイグレーションによる断線を防止するのにも効果が
ある。
程を経て形成された不純物拡散領域の各々およびシリコ
ン基板そのものにオーミック接続される電極配線を形成
する材料としては、アルミニウム（Ａｌ）やその合金が
主に用いられている。しかしながら、これら電極配線を
形する為にこれらの金属の膜をＳｉ基板上に直接に被着
すると、この被着工程や後工程の熱履歴によりＡｌとＳ
ｉとが反応してアロイスパイクやシリコンノジュールを
発生させる。又Ａｌやその合金の単層配線では、エレク
トロマイグレーションやストレスマイグレーションによ
る断線が深刻な問題となっている。コンタクト領域での
ＡｌとＳｉの反応を防止する為に、通常、電極配線形成
用の金属膜とシリコン基板との間にバリアメタル膜を形
成する手法が用いられている。バリアメタル膜を用いる
積層配線構造は、エレクトロマイグレーションやストレ
スマイグレーションによる断線を防止するのにも効果が
ある。
【０００３】従来、このバリアメタル膜を、電極を形成
するコンタクト領域にのみに形成する手法と、ストレス
マイグレーション耐性向上のために上記電極形成コンタ
クト領域だけでなく、その電極と接続する配線、すなわ
ち電極配線の下にも形成する手法とが用いられている
が、後者の手法が採用されることが多くなってきてい
る。この電極配線の下に形成されるバリアメタルとして
は、主にチタン（Ｔｉ）膜と窒化チタン（ＴｉＮ）膜が
用いられる。以下層間絶縁膜に設けられたコンタクト孔
内におけるＳｉ基板と電極配線との接続について説明す
る。
するコンタクト領域にのみに形成する手法と、ストレス
マイグレーション耐性向上のために上記電極形成コンタ
クト領域だけでなく、その電極と接続する配線、すなわ
ち電極配線の下にも形成する手法とが用いられている
が、後者の手法が採用されることが多くなってきてい
る。この電極配線の下に形成されるバリアメタルとして
は、主にチタン（Ｔｉ）膜と窒化チタン（ＴｉＮ）膜が
用いられる。以下層間絶縁膜に設けられたコンタクト孔
内におけるＳｉ基板と電極配線との接続について説明す
る。
【０００４】まず、所要の不純物拡散工程を経て所要の
拡散領域が形成されたＳｉ基板上に酸化シリコン膜等か
らなる層間絶縁膜を形成する。次でこの層間絶縁膜にコ
ンタクト孔を形成したのち、基板表面にチタン（Ｔｉ）
膜と窒化チタン（ＴｉＮ）膜とをバリアメタルとして順
次形成し、次で熱処理を行なう。次にアルミニウム（Ａ
ｌ）膜をそのバリアメタル層上に堆積したのち、この３
層の金属膜をパターニングし、３層構造の電極配線を形
成する。
拡散領域が形成されたＳｉ基板上に酸化シリコン膜等か
らなる層間絶縁膜を形成する。次でこの層間絶縁膜にコ
ンタクト孔を形成したのち、基板表面にチタン（Ｔｉ）
膜と窒化チタン（ＴｉＮ）膜とをバリアメタルとして順
次形成し、次で熱処理を行なう。次にアルミニウム（Ａ
ｌ）膜をそのバリアメタル層上に堆積したのち、この３
層の金属膜をパターニングし、３層構造の電極配線を形
成する。
【０００５】バリアメタルとしてのＴｉＮ膜は、一般に
Ｔｉをターゲット電極としＡｒ＋Ｎ2 混合ガスをスパッ
タリング雰囲気とする反応性スパッタリングで形成され
る。その後の熱処理は、Ｎ2 またはＮＨ3 中でのランプ
アニールにより行なわれる。この熱処理により上記コン
タクト孔部においては、Ｓｉ基板側からＴｉ膜がシリサ
イド化し、一方スパッタリング雰囲気側からＴｉＮ膜中
の未反応のＴｉ及びＴｉ膜が窒化される。従ってこれら
Ｔｉ膜及びＴｉＮ膜のバリア性が向上すると共に、コン
タクト抵抗が低くなる。この熱処理については、Ｈ．ジ
ョースイッヒ（Ｊｏｓｗｉｎｇ），Ｗ．パムラ（Ｐａｍ
ｌｅｒ）によりＪｕｎｅ１２−１３，１９９０ ＶＭＩ
Ｃカンファレンス（Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ）に報告され
ている。
Ｔｉをターゲット電極としＡｒ＋Ｎ2 混合ガスをスパッ
タリング雰囲気とする反応性スパッタリングで形成され
る。その後の熱処理は、Ｎ2 またはＮＨ3 中でのランプ
アニールにより行なわれる。この熱処理により上記コン
タクト孔部においては、Ｓｉ基板側からＴｉ膜がシリサ
イド化し、一方スパッタリング雰囲気側からＴｉＮ膜中
の未反応のＴｉ及びＴｉ膜が窒化される。従ってこれら
Ｔｉ膜及びＴｉＮ膜のバリア性が向上すると共に、コン
タクト抵抗が低くなる。この熱処理については、Ｈ．ジ
ョースイッヒ（Ｊｏｓｗｉｎｇ），Ｗ．パムラ（Ｐａｍ
ｌｅｒ）によりＪｕｎｅ１２−１３，１９９０ ＶＭＩ
Ｃカンファレンス（Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ）に報告され
ている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た半導体装置の製造方法では、ＴｉＮ膜形成後のランプ
アニールによるＴｉＮの完全化の際、急速な加熱による
結晶化によりＴｉＮ膜の急激な収縮が起こり、ＴｉＮ膜
に無数の微細なクラックが入る場合がある。このため、
ＴｉＮ膜のバリア性が劣化してリーク電流が多くなり、
半導体装置の信頼性が低下するという欠点がある。
た半導体装置の製造方法では、ＴｉＮ膜形成後のランプ
アニールによるＴｉＮの完全化の際、急速な加熱による
結晶化によりＴｉＮ膜の急激な収縮が起こり、ＴｉＮ膜
に無数の微細なクラックが入る場合がある。このため、
ＴｉＮ膜のバリア性が劣化してリーク電流が多くなり、
半導体装置の信頼性が低下するという欠点がある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、シリコン基板
上に層間絶縁膜を形成したのちコンタクト孔を形成し、
次でチタン（Ｔｉ）膜と窒化チタン（ＴｉＮ）膜とを堆
積し、ランプアニールによる熱処理を加え、さらにアル
ミニウム（Ａｌ）膜を堆積したのちパターニングして３
層構造の電極配線を形成する半導体装置の製造方法にお
いて、前記窒化チタン膜を、（００１）面の配向率を７
０％以下にしたチタンターゲットを用いた反応性スパッ
タリング法により形成するものである。
上に層間絶縁膜を形成したのちコンタクト孔を形成し、
次でチタン（Ｔｉ）膜と窒化チタン（ＴｉＮ）膜とを堆
積し、ランプアニールによる熱処理を加え、さらにアル
ミニウム（Ａｌ）膜を堆積したのちパターニングして３
層構造の電極配線を形成する半導体装置の製造方法にお
いて、前記窒化チタン膜を、（００１）面の配向率を７
０％以下にしたチタンターゲットを用いた反応性スパッ
タリング法により形成するものである。
【０００８】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
説明する。
説明する。
【０００９】本発明の第１の実施例を説明するための半
導体チップの断面図を示す図１を参照すると、まずシリ
コン基板１上にＳｉＯ2 やＰＳＧ等からなる層間絶縁膜
２を堆積したのちパターニングし、コンタクト孔７を形
成する。次に、このコンタクト孔７部のシリコン基板１
上に不純物を導入し、不純物拡散層３を形成する。次で
スパッタリング法によりＴｉ膜４を２０乃至８０ｎｍの
厚さに堆積する。これまでは従来の製造方法と同じであ
る。
導体チップの断面図を示す図１を参照すると、まずシリ
コン基板１上にＳｉＯ2 やＰＳＧ等からなる層間絶縁膜
２を堆積したのちパターニングし、コンタクト孔７を形
成する。次に、このコンタクト孔７部のシリコン基板１
上に不純物を導入し、不純物拡散層３を形成する。次で
スパッタリング法によりＴｉ膜４を２０乃至８０ｎｍの
厚さに堆積する。これまでは従来の製造方法と同じであ
る。
【００１０】次にＴｉターゲットを用いた反応性スパッ
タリング法によりＴｉＮ膜５を８０乃至１５０ｎｍの厚
さに堆積するが、この時使用するＴｉターゲットは、表
面にみられる配向のうち（００１）面が存在する割合、
すなわち、配向率を約５０％に制御してある。スパッタ
リング条件は、Ａｒ＋Ｎ2 混合ガス，全ガス圧４ｍｍＴ
ｏｒｒ，パワー６ｋＷ，基板温度２００℃である。次で
ランプアニールにより５００乃至９００℃，２０乃至６
０秒の熱処理を、Ｎ2 あるいはＮＨ3 などの窒化雰囲気
中で行なう。以下Ａｌ膜６を形成したのち、Ａｌ膜６，
ＴｉＮ膜５及びＴｉ膜４をパターニングし、３層構造の
電極配線を形成する。
タリング法によりＴｉＮ膜５を８０乃至１５０ｎｍの厚
さに堆積するが、この時使用するＴｉターゲットは、表
面にみられる配向のうち（００１）面が存在する割合、
すなわち、配向率を約５０％に制御してある。スパッタ
リング条件は、Ａｒ＋Ｎ2 混合ガス，全ガス圧４ｍｍＴ
ｏｒｒ，パワー６ｋＷ，基板温度２００℃である。次で
ランプアニールにより５００乃至９００℃，２０乃至６
０秒の熱処理を、Ｎ2 あるいはＮＨ3 などの窒化雰囲気
中で行なう。以下Ａｌ膜６を形成したのち、Ａｌ膜６，
ＴｉＮ膜５及びＴｉ膜４をパターニングし、３層構造の
電極配線を形成する。
【００１１】次にＴｉターゲットの製造方法について、
図２及び図３を用いて説明する。
図２及び図３を用いて説明する。
【００１２】まず、図２に示すように、通常のＴｉター
ゲット用バルク材８表面におけるＴｉ（００１）面の配
向性をＸ線回析法等により調査する。そして、例えば、
配向率の最も少い面を有するＴｉターゲット用板材９Ａ
としてｘ−ｙ軸に平行な面で、また配向率の最も多い面
を有するＴｉターゲット用板材９Ｂとしてｙ−ｚ軸に平
行な面でそれぞれ切り出す。次で図３に示すように、こ
れらの板材９Ａ，９Ｂを三角形状に加工し、（００１）
面の配向率が約５０％になるような割合で規則的に並
べ、正多角形のＴｉターゲット１０を構成する。
ゲット用バルク材８表面におけるＴｉ（００１）面の配
向性をＸ線回析法等により調査する。そして、例えば、
配向率の最も少い面を有するＴｉターゲット用板材９Ａ
としてｘ−ｙ軸に平行な面で、また配向率の最も多い面
を有するＴｉターゲット用板材９Ｂとしてｙ−ｚ軸に平
行な面でそれぞれ切り出す。次で図３に示すように、こ
れらの板材９Ａ，９Ｂを三角形状に加工し、（００１）
面の配向率が約５０％になるような割合で規則的に並
べ、正多角形のＴｉターゲット１０を構成する。
【００１３】同様にして、（００１）面の配向率が２０
乃至９０％となるＴｉターゲットを数種類製造し、これ
らのＴｉターゲットを使用してＴｉＮ膜を形成し、半導
体装置を製造した。この製品について（００１）面配向
率と接合リーク不良率との関係を調べた結果を図４に示
す。
乃至９０％となるＴｉターゲットを数種類製造し、これ
らのＴｉターゲットを使用してＴｉＮ膜を形成し、半導
体装置を製造した。この製品について（００１）面配向
率と接合リーク不良率との関係を調べた結果を図４に示
す。
【００１４】図４から分るように、（００１）面の配向
率が７０％以上のＴｉターゲットを用いると、ＴｉＮ膜
４に生じる微細なクラックに起因する接合リーク不良が
増大する。従って、Ｔｉターゲットにおける（００１）
面の配向率は、７０％以下にする必要がある。
率が７０％以上のＴｉターゲットを用いると、ＴｉＮ膜
４に生じる微細なクラックに起因する接合リーク不良が
増大する。従って、Ｔｉターゲットにおける（００１）
面の配向率は、７０％以下にする必要がある。
【００１５】窒化雰囲気中のＴｉターゲットの表面は、
プラズマ中で雰囲気中のＮと反応してＴｉＮとなり、ス
パッタリング現象により飛散する。この時、Ｔｉターゲ
ット表面の（００１）配向率が高いと、ターゲット表面
からの飛散が多くなり、シリコン基板上でのＴｉＮ膜の
堆積速度が速くなる。Ｔｉターゲット表面の配向率を下
げると、ＴｉＮ膜の堆積速度が遅くなり、ＴｉＮ膜中に
雰囲気中の残留酸素が多く取り込まれる。酸素を多く含
んだＴｉＮ膜は、ランプアニールによる急激な熱処理を
受けても、膜の急激な収縮が緩和され微細クラックの発
生が抑制される。このためバリア性の劣化も少くなり、
接合リーク不良も少くなると考えられる。
プラズマ中で雰囲気中のＮと反応してＴｉＮとなり、ス
パッタリング現象により飛散する。この時、Ｔｉターゲ
ット表面の（００１）配向率が高いと、ターゲット表面
からの飛散が多くなり、シリコン基板上でのＴｉＮ膜の
堆積速度が速くなる。Ｔｉターゲット表面の配向率を下
げると、ＴｉＮ膜の堆積速度が遅くなり、ＴｉＮ膜中に
雰囲気中の残留酸素が多く取り込まれる。酸素を多く含
んだＴｉＮ膜は、ランプアニールによる急激な熱処理を
受けても、膜の急激な収縮が緩和され微細クラックの発
生が抑制される。このためバリア性の劣化も少くなり、
接合リーク不良も少くなると考えられる。
【００１６】尚、第１の実施例では、（００１）面の配
向率を調べてからＴｉターゲット用板材の切り出しを行
ったが、Ｔｉターゲット用バルク材を３方向以上の面よ
り切り出して規則的に並べることにより、（００１）面
の配向率が７０％以下のＴｉターゲットを作ることがで
きる。またＴｉターゲットの形状は、図３に示した８角
形に限定されるものではなく、他の多角形または円形で
あってもよい。
向率を調べてからＴｉターゲット用板材の切り出しを行
ったが、Ｔｉターゲット用バルク材を３方向以上の面よ
り切り出して規則的に並べることにより、（００１）面
の配向率が７０％以下のＴｉターゲットを作ることがで
きる。またＴｉターゲットの形状は、図３に示した８角
形に限定されるものではなく、他の多角形または円形で
あってもよい。
【００１７】次に第２の実施例について説明する。（０
０１）面の配向率が７０％以下のＴｉターゲットを用い
てＴｉＮ膜を形成する工程は第１の実施例と同じである
が、この第２の実施例では、焼鈍処理によりＴｉターゲ
ットの配向率を７０％以下にするものである。
０１）面の配向率が７０％以下のＴｉターゲットを用い
てＴｉＮ膜を形成する工程は第１の実施例と同じである
が、この第２の実施例では、焼鈍処理によりＴｉターゲ
ットの配向率を７０％以下にするものである。
【００１８】Ｔｉターゲットは、バルク状態のＴｉ材を
切削し、所望の形状に加工して作られる。この時、加工
硬化による加工性の悪化を改善するために、６００乃至
１６００℃の温度で焼鈍される。この焼鈍処理によりＴ
ｉ材中のＴｉは再結晶するが、温度が高く処理時間が長
い程グレインが成長し、Ｔｉターゲット表面は（００
１）面の配向率が高くなる。従って、焼鈍処理されたバ
ルク材の表面をそのままＴｉターゲットの表面として用
いると、（００１）面の配向率が７０％を越えるものが
生じ、半導体装置の接合リーク不良率を高めることにな
る。
切削し、所望の形状に加工して作られる。この時、加工
硬化による加工性の悪化を改善するために、６００乃至
１６００℃の温度で焼鈍される。この焼鈍処理によりＴ
ｉ材中のＴｉは再結晶するが、温度が高く処理時間が長
い程グレインが成長し、Ｔｉターゲット表面は（００
１）面の配向率が高くなる。従って、焼鈍処理されたバ
ルク材の表面をそのままＴｉターゲットの表面として用
いると、（００１）面の配向率が７０％を越えるものが
生じ、半導体装置の接合リーク不良率を高めることにな
る。
【００１９】本第２の実施例におけるＴｉターゲット
は、加工硬化による加工性を損うことなく、かつ（００
１）面の配向率を７０％以下にするために、バルク材を
１０００乃至１６００℃，５乃至３０分間の条件で焼鈍
処理して作成した。例えば、１１００℃１０分間で焼鈍
したＴｉバルク材の表面の（００１）面の配向率は、３
０乃至４０％であった。
は、加工硬化による加工性を損うことなく、かつ（００
１）面の配向率を７０％以下にするために、バルク材を
１０００乃至１６００℃，５乃至３０分間の条件で焼鈍
処理して作成した。例えば、１１００℃１０分間で焼鈍
したＴｉバルク材の表面の（００１）面の配向率は、３
０乃至４０％であった。
【００２０】このように焼鈍処理によって（００１）面
の配向率を７０％以下としたＴｉターゲットを用いてＴ
ｉＮ膜を形成し、半導体装置を製造した場合でも、接合
リーク不良率は第１の実施例の場合と同様に小さい値と
なり、半導体装置の信頼性を向上させることができた。
の配向率を７０％以下としたＴｉターゲットを用いてＴ
ｉＮ膜を形成し、半導体装置を製造した場合でも、接合
リーク不良率は第１の実施例の場合と同様に小さい値と
なり、半導体装置の信頼性を向上させることができた。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ＴｉＮ膜
の形成をＴｉ（００１）面の配向率を７０％以下とした
Ｔｉターゲットを用いた反応性スパッタリング法により
行なっている。反応性スパッタリング法により形成した
ＴｉＮ膜は、使用されるＴｉターゲットのＴｉ（００
１）面の配向率が低いと、次工程のランプアニールによ
る熱処理でＴｉＮ膜に微細クラックが入りにくく、バリ
ア性が劣化しにくい。この結果、接合リーク不良の発生
が低く、信頼性の向上した半導体装置が得られる。
の形成をＴｉ（００１）面の配向率を７０％以下とした
Ｔｉターゲットを用いた反応性スパッタリング法により
行なっている。反応性スパッタリング法により形成した
ＴｉＮ膜は、使用されるＴｉターゲットのＴｉ（００
１）面の配向率が低いと、次工程のランプアニールによ
る熱処理でＴｉＮ膜に微細クラックが入りにくく、バリ
ア性が劣化しにくい。この結果、接合リーク不良の発生
が低く、信頼性の向上した半導体装置が得られる。
【図１】本発明の第１の実施例を説明するための半導体
チップの断面図である。
チップの断面図である。
【図２】第１の実施例に使用するＴｉターゲット用板材
の切り出し方法を説明するためのバルク材の斜視図であ
る。
の切り出し方法を説明するためのバルク材の斜視図であ
る。
【図３】第１の実施例に使用するＴｉターゲットの構成
を示す図である。
を示す図である。
【図４】Ｔｉターゲットの（００１）面の配向率と接合
リーク不良発生率との関係を示す図である。
リーク不良発生率との関係を示す図である。
１ シリコン基板
２ 層間絶縁膜
３ 不純物拡散層
４ Ｔｉ膜
５ ＴｉＮ膜
６ Ａｌ膜
７ コンタクト孔
８ Ｔｉターゲット用バルク材
９Ａ，９Ｂ Ｔｉターゲット用板材
１０ Ｔｉターゲット
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所
Ｈ０１Ｌ 21/3205
21/90 Ｄ 7353−4Ｍ
Claims (5)
- 【請求項１】 シリコン基板上に層間絶縁膜を形成した
のちコンタクト孔を形成し、次でチタン（Ｔｉ）膜と窒
化チタン（ＴｉＮ）膜とを堆積し、ランプアニールによ
る熱処理を加え、さらにアルミニウム（Ａｌ）膜を堆積
したのちパターニングして３層構造の電極配線を形成す
る半導体装置の製造方法において、前記窒化チタン膜
を、（００１）面の配向率を７０％以下にしたチタンタ
ーゲットを用いた反応性スパッタリング法により形成す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記チタンターゲットは、（００１）面
の配向率の高いチタン板と配向率の低いチタン板との組
合せにより構成されている請求項１記載の半導体装置の
製造方法。 - 【請求項３】 前記チタンターゲットを構成するチタン
板は、三角形状に形成されている請求項２記載の半導体
装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記チタンターゲットは、多角形状に形
成されている請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記チタンターゲットは、焼鈍処理され
たものである請求項１記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22671991A JP2737470B2 (ja) | 1990-10-09 | 1991-09-06 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27104290 | 1990-10-09 | ||
| JP2-271042 | 1990-10-09 | ||
| JP22671991A JP2737470B2 (ja) | 1990-10-09 | 1991-09-06 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0513368A true JPH0513368A (ja) | 1993-01-22 |
| JP2737470B2 JP2737470B2 (ja) | 1998-04-08 |
Family
ID=26527321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22671991A Expired - Fee Related JP2737470B2 (ja) | 1990-10-09 | 1991-09-06 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2737470B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996028583A1 (fr) * | 1995-03-13 | 1996-09-19 | Sumitomo Sitix Corporation | Cible de pulverisation en titane et procede permettant de produire cette cible |
| EP0697729A3 (en) * | 1994-08-18 | 1996-11-13 | Oki Electric Ind Co Ltd | Contact structure with metallic barrier layer and manufacturing process |
| US5643422A (en) * | 1994-12-29 | 1997-07-01 | Nec Corporation | Reactive sputtering system for depositing titanium nitride without formation of titanium nitride on titanium target and process of depositing titanium nitride layer |
-
1991
- 1991-09-06 JP JP22671991A patent/JP2737470B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2737470B2 (ja) | 1998-04-08 |
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