JPH025521A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH025521A JPH025521A JP15480488A JP15480488A JPH025521A JP H025521 A JPH025521 A JP H025521A JP 15480488 A JP15480488 A JP 15480488A JP 15480488 A JP15480488 A JP 15480488A JP H025521 A JPH025521 A JP H025521A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
アルミニウム（ＡＡ）配線の信転性を向上させて高集積
化及び高密度化した半導体装置を製造するのに好適な方
法に関し、 Ａｌ配線となるＡＩ！膜の下地である高融点金属薄膜を
形成する際のスパッタリング条件を最適化し、しかも、
高融点金属薄膜を形成した後はウェハを大気に曝すこと
なく、連続してＡβ膜を形成するようにし、Ａｌ配線の
信顛性を向上させようとする。
化及び高密度化した半導体装置を製造するのに好適な方
法に関し、 Ａｌ配線となるＡＩ！膜の下地である高融点金属薄膜を
形成する際のスパッタリング条件を最適化し、しかも、
高融点金属薄膜を形成した後はウェハを大気に曝すこと
なく、連続してＡβ膜を形成するようにし、Ａｌ配線の
信顛性を向上させようとする。
半導体基板を高融点金属が微細な多結晶を維持し得る程
度の低温で加熱しつつその上にスパッタリング法で高融
点金属薄膜を形成する工程と、該工程に引き続いて該高
融点金属薄膜の上にスパックリング法でアルミニウム膜
を形成し両膜を反応させる工程とを含んでなるよう構成
する。
度の低温で加熱しつつその上にスパッタリング法で高融
点金属薄膜を形成する工程と、該工程に引き続いて該高
融点金属薄膜の上にスパックリング法でアルミニウム膜
を形成し両膜を反応させる工程とを含んでなるよう構成
する。
本発明は、Ａｌ配線の信頬性を向上させて高集積化及び
高密度化した半導体装置を製造するのに好適な方法に関
する。
高密度化した半導体装置を製造するのに好適な方法に関
する。
一般に、半導体装置の配線が微細化すると、例えばＡｌ
配線の場合、その線幅よりもスパッタリング法を形成し
たＡ／膜に於ける結晶粒径の方が大きくなり、所謂、バ
ンブー構造となる。
配線の場合、その線幅よりもスパッタリング法を形成し
たＡ／膜に於ける結晶粒径の方が大きくなり、所謂、バ
ンブー構造となる。
このようになると、配線内のＡ７！粒子の粒径分布の不
均一性に依ってエレクトロマイグレーション及びストレ
ス・マイグレーションに起因する不良や陥没が発生し、
素子特性に劣化を生じることが知られている。従って、
Ａ１配線の信頼性を向上する為にはＡ７！膜に於けるＡ
４粒子の粒径を均一化することが必要である。
均一性に依ってエレクトロマイグレーション及びストレ
ス・マイグレーションに起因する不良や陥没が発生し、
素子特性に劣化を生じることが知られている。従って、
Ａ１配線の信頼性を向上する為にはＡ７！膜に於けるＡ
４粒子の粒径を均一化することが必要である。
従来、Ａｌ配線の信頼性を向上する為、層間絶縁膜に電
極コンタクト窓を形成してから、Ａｌ配線を形成する前
に、スパッタリング法を適用して高融点金属薄膜を形成
−し、その上に形成したＡｌ膜とを反応させて高融点金
属と／ｌとの化合物を生成させ、それに依って粒径が均
一なＡｌを固定化し、Ａ７！膜全体の粒径も均一化する
ことが試みられている（要すれば、ＩＥＥＥ ＥＤ−
２８゜１９８１．３５１、参照）。
極コンタクト窓を形成してから、Ａｌ配線を形成する前
に、スパッタリング法を適用して高融点金属薄膜を形成
−し、その上に形成したＡｌ膜とを反応させて高融点金
属と／ｌとの化合物を生成させ、それに依って粒径が均
一なＡｌを固定化し、Ａ７！膜全体の粒径も均一化する
ことが試みられている（要すれば、ＩＥＥＥ ＥＤ−
２８゜１９８１．３５１、参照）。
この手段に依ると、条件さえ整えば、比較的均一な粒径
をもつＡｌ膜を形成することができ、前記マイグレーシ
ョンなどに対し、かなりの耐性がある。
をもつＡｌ膜を形成することができ、前記マイグレーシ
ョンなどに対し、かなりの耐性がある。
〔発明が解決しようとする課題〕
前記改良された従来技術は、それなりの効果を発揮する
が、全て良いことづくめではない。即ち、スパッタリン
グ法を適用して高融点金属薄膜を形成する際の条件如何
に依って、Ａｌ配線のエレクトロマイグレーション特性
が左右される旨の欠点がある。
が、全て良いことづくめではない。即ち、スパッタリン
グ法を適用して高融点金属薄膜を形成する際の条件如何
に依って、Ａｌ配線のエレクトロマイグレーション特性
が左右される旨の欠点がある。
また、高融点金属薄膜を形成した後、ウェハを大気中に
取り出すので、表面に薄い酸化膜が生成され、その上に
Ａｌ膜を形成しても高融点金属薄膜と反応しなくなる。
取り出すので、表面に薄い酸化膜が生成され、その上に
Ａｌ膜を形成しても高融点金属薄膜と反応しなくなる。
尚、前記酸化膜を除去する為、真空雰囲気中で前処理を
施し、その後、Ａｌ膜を形成する試みもなされているが
、そのようにすると、高融点金属薄膜の表面に荒れを生
じ、前記同様、Ａｌ膜との均一な反応が妨げられる。
施し、その後、Ａｌ膜を形成する試みもなされているが
、そのようにすると、高融点金属薄膜の表面に荒れを生
じ、前記同様、Ａｌ膜との均一な反応が妨げられる。
本発明では、高融点金属薄膜を形成する際のスパッタリ
ング条件を最適化し、しかも、高融点金属薄膜を形成し
た後はウェハを大気に曝すことなく、連続してＡｌ膜を
形成するようにし、Ａｌ配線の信頼性を向上させようと
する。
ング条件を最適化し、しかも、高融点金属薄膜を形成し
た後はウェハを大気に曝すことなく、連続してＡｌ膜を
形成するようにし、Ａｌ配線の信頼性を向上させようと
する。
本発明に依る半導体装置の製造方法に於いては、半導体
基板（例えはシリコン半導体基板１）を高融点金属が微
細な多結晶を維持し得る程度の低温（例えば１５０（”
ｃ）以下）で加熱しつつその上にスパッタリング法で高
融点金属薄膜（例えばＴｉからなる高融点金属薄膜５）
を形成する工程と、該工程に引き続いて該高融点金属薄
膜の上にスパッタリング法でアルミニウム膜（例えばＡ
ｌ配線６となるＡｌ膜）を形成し両膜を反応させる工程
とを含んでなるよう構成する。
基板（例えはシリコン半導体基板１）を高融点金属が微
細な多結晶を維持し得る程度の低温（例えば１５０（”
ｃ）以下）で加熱しつつその上にスパッタリング法で高
融点金属薄膜（例えばＴｉからなる高融点金属薄膜５）
を形成する工程と、該工程に引き続いて該高融点金属薄
膜の上にスパッタリング法でアルミニウム膜（例えばＡ
ｌ配線６となるＡｌ膜）を形成し両膜を反応させる工程
とを含んでなるよう構成する。
前記手段を採ることに依り、高融点金属薄膜は微細な多
結晶からなる平滑なものとなり、しかも、表面は酸化さ
れていないので清浄であることから、その上に連続して
Ａｌ膜を形成すると、高融点金属とＡｌとはＡｌ膜の成
膜時に均一に反応し易くなり、従って、Ａ７！の粒径は
均一になり、その結果、Ａｌ配線はエレクトロマイグレ
ーションやストレス・マイグレーションに対する耐性が
高くなって信頼性が向上する。
結晶からなる平滑なものとなり、しかも、表面は酸化さ
れていないので清浄であることから、その上に連続して
Ａｌ膜を形成すると、高融点金属とＡｌとはＡｌ膜の成
膜時に均一に反応し易くなり、従って、Ａ７！の粒径は
均一になり、その結果、Ａｌ配線はエレクトロマイグレ
ーションやストレス・マイグレーションに対する耐性が
高くなって信頼性が向上する。
第１図は本発明の基本的な実施例に依って作成されたＡ
ｌ配線を説明する為の半導体装置の要部切断側面図を表
している。
ｌ配線を説明する為の半導体装置の要部切断側面図を表
している。
図に於いて、１はシリコン半導体基板、２は層間絶縁膜
、２Ａは層間絶縁膜２に形成された開口の底面、３はシ
リコン半導体基板１に形成された不純物拡散領域（図示
せず）に対するコンタクト補償膜、４はバリヤ金属膜、
５はチタン（Ｔｉ）からなる高融点金属薄膜、６はＡｌ
配線をそれぞれ示している。尚、バリヤ金属膜４はシリ
コン半導体基板１とＡ１配線６とが反応することを抑止
する為のものである。
、２Ａは層間絶縁膜２に形成された開口の底面、３はシ
リコン半導体基板１に形成された不純物拡散領域（図示
せず）に対するコンタクト補償膜、４はバリヤ金属膜、
５はチタン（Ｔｉ）からなる高融点金属薄膜、６はＡｌ
配線をそれぞれ示している。尚、バリヤ金属膜４はシリ
コン半導体基板１とＡ１配線６とが反応することを抑止
する為のものである。
本発明に於いて、Ａｌ膜に於けるＡＡの粒径を均一にで
きるのは、その下地である高融点金属薄膜が良質である
か否かにかかっている。
きるのは、その下地である高融点金属薄膜が良質である
か否かにかかっている。
ここで、Ｔｉからなる高融点金属薄膜５を形成する際の
最適化された条件を掲示する。
最適化された条件を掲示する。
ターゲット：材料−純粋Ｔｉ
直径−約２０ （ｃｍ） （８（吋〕）純度→９９．
９９ （％〕 半導体基板：材料−シリコン ：直径−約１０ （ｃｍ） （４（吋〕）ターゲット
及び基板間距離：５５（ａｍ）スパッタリング・ガス：
アルゴン（Ａｒ）スパッタリング圧カニ１〜５〔１１Ｔ
Ｏｒｒ〕ターゲツト投入電カニ０．５〜１．Ｏ（ＫＷ）
’ｒｔ膜厚：１００〜３００〔人〕 基板温度：１５０（’Ｃ）以下 このような条件を適用して高融点金属薄膜５を形成し、
また、Ａｆ配線６となるＡ１膜を形成する為の装置につ
いて説明する。
９９ （％〕 半導体基板：材料−シリコン ：直径−約１０ （ｃｍ） （４（吋〕）ターゲット
及び基板間距離：５５（ａｍ）スパッタリング・ガス：
アルゴン（Ａｒ）スパッタリング圧カニ１〜５〔１１Ｔ
Ｏｒｒ〕ターゲツト投入電カニ０．５〜１．Ｏ（ＫＷ）
’ｒｔ膜厚：１００〜３００〔人〕 基板温度：１５０（’Ｃ）以下 このような条件を適用して高融点金属薄膜５を形成し、
また、Ａｆ配線６となるＡ１膜を形成する為の装置につ
いて説明する。
第２図及び第３図は本発明を実施する装置を説明する為
の要部正面図及び要部切断正面図をそれぞれ表している
。
の要部正面図及び要部切断正面図をそれぞれ表している
。
図に於いて、１１は高融点金属薄膜を形成する為のスパ
ッタリング・チェンバ、１２は冷却電極、１３は処理基
板、１４は処理基板１３を冷却する為にその裏面からＡ
ｒガスを流す為のガス・ライン、１５はＴｉからなるス
パッタリング・ターゲット、１６はＡ１膜を形成する為
のスパッタリング・チェンバ、１７は高温加熱或いはバ
イアス電圧を印加することが可能な電極、１８は処理基
板、１９は処理基板１８を加熱する為にその裏面からＡ
ｒガスを流す為のガス・ライン、２０はＡ１或いはＡ１
合金からなるスパッタリング・ターゲットをそれぞれ示
している。
ッタリング・チェンバ、１２は冷却電極、１３は処理基
板、１４は処理基板１３を冷却する為にその裏面からＡ
ｒガスを流す為のガス・ライン、１５はＴｉからなるス
パッタリング・ターゲット、１６はＡ１膜を形成する為
のスパッタリング・チェンバ、１７は高温加熱或いはバ
イアス電圧を印加することが可能な電極、１８は処理基
板、１９は処理基板１８を加熱する為にその裏面からＡ
ｒガスを流す為のガス・ライン、２０はＡ１或いはＡ１
合金からなるスパッタリング・ターゲットをそれぞれ示
している。
図示された装置に依って良質の例えばＴｉからなる高融
点金属薄膜５を形成するには、処理基板１３を１５０（
”Ｃ）以下に維持してスパッタリングを行うことが必要
であるが、それには、処理基板１３を冷却電極１２上に
押し付けながら、その裏面からガス・ライン１４を介し
てＡｒガスを流し、成膜中の処理基板１３が温度上昇す
ることを抑止しなければならない。
点金属薄膜５を形成するには、処理基板１３を１５０（
”Ｃ）以下に維持してスパッタリングを行うことが必要
であるが、それには、処理基板１３を冷却電極１２上に
押し付けながら、その裏面からガス・ライン１４を介し
てＡｒガスを流し、成膜中の処理基板１３が温度上昇す
ることを抑止しなければならない。
第４図は本発明の詳細な説明する為の半導体装置の要部
切断側面図を表している。
切断側面図を表している。
図に於いて、２１はｎ型シリコン半導体基板、２２はｎ
＋型不純物拡散領域、２３はＰＳＧからなる絶縁膜、２
４はＴｉからなるコンタクト補償膜、２５はＴｉＮから
なるバリヤ金属膜、２６はＡｌと反応させる為のＴｉか
らなる高融点金属薄膜、２７はＡｌ配線をそれぞれ示し
ている。
＋型不純物拡散領域、２３はＰＳＧからなる絶縁膜、２
４はＴｉからなるコンタクト補償膜、２５はＴｉＮから
なるバリヤ金属膜、２６はＡｌと反応させる為のＴｉか
らなる高融点金属薄膜、２７はＡｌ配線をそれぞれ示し
ている。
本実施例に於いて、Ｔｉからなるコンタクト補償膜２４
及びＴｉからなる高融点金属薄膜２６を形成する際の条
件は前記基本的実施例の場合と同じである。従って、こ
こではＴｉＮからなるバリヤ金属膜２５の成膜条件を掲
示するが、ターゲットの種類、ターゲット及び基板間距
離、スパッタリング圧力に関しては、さきに示した基本
的実施例に於ける条件と同じである。
及びＴｉからなる高融点金属薄膜２６を形成する際の条
件は前記基本的実施例の場合と同じである。従って、こ
こではＴｉＮからなるバリヤ金属膜２５の成膜条件を掲
示するが、ターゲットの種類、ターゲット及び基板間距
離、スパッタリング圧力に関しては、さきに示した基本
的実施例に於ける条件と同じである。
スパッタリング・ガス：Ａｒ十窒素（ＮＺ）流量比 各
５０〔％〕 ターゲット投入電カニ３．０〜７．Ｏ（ＫＷ）ＴｉＮ膜
厚：５００〜２０００ （人〕基板温度：１５０〜６０
０（℃） 本実施例に於いては、Ｔｉからなるコンタクト補償膜２
４、Ｔ ｉ Ｎからなるバリヤ金属膜２５、Ａ１と反応
させる為のＴｉからなる高融点金属薄膜２６、Ａｊ！ａ
ｅ綿２７の綿層７ウェハを大気に曝すことなく連続して
成長させている。然しなから、コンタクト補償膜２４或
いはバリヤ金属膜２５を形成した後に大気に曝すことは
短時間であれば許容される。但し、高融点金属薄膜２６
を形成した後は不可である。
５０〔％〕 ターゲット投入電カニ３．０〜７．Ｏ（ＫＷ）ＴｉＮ膜
厚：５００〜２０００ （人〕基板温度：１５０〜６０
０（℃） 本実施例に於いては、Ｔｉからなるコンタクト補償膜２
４、Ｔ ｉ Ｎからなるバリヤ金属膜２５、Ａ１と反応
させる為のＴｉからなる高融点金属薄膜２６、Ａｊ！ａ
ｅ綿２７の綿層７ウェハを大気に曝すことなく連続して
成長させている。然しなから、コンタクト補償膜２４或
いはバリヤ金属膜２５を形成した後に大気に曝すことは
短時間であれば許容される。但し、高融点金属薄膜２６
を形成した後は不可である。
第５図は本発明の他の実施例を説明する為の半導体装置
の要部切断側面図を表し、第４図に於いて用いた記号と
同記号は同部分を示すか或いは同じ意味を持つものとす
る。
の要部切断側面図を表し、第４図に於いて用いた記号と
同記号は同部分を示すか或いは同じ意味を持つものとす
る。
本実施例が第４図について説明した実施例と相違すると
ころは、Ｔｉからなるコンタクト補償膜２４を形成した
後、ＰＴＡ（ｒａｐｔｄ ｔｈｅｒｍａ １ ａｎ
ｎｅａ ＋）法を適用することに依り、コンタクト補償
膜２４のＴｉとシリコン半導体基板２１に於けるＳｉと
を反応させてチタン・シリサイド（ＴｔＳｉ２）膜２４
′を生成させ、残りのＴｉからなるコンタクト補償膜２
４は除去し、その後は大気に曝すことなく、ＴｉＮから
なるバリヤ金属膜２５、Ｔｉからなる高融点金属薄膜２
６、Ａｌ配線２７を形成したことである。
ころは、Ｔｉからなるコンタクト補償膜２４を形成した
後、ＰＴＡ（ｒａｐｔｄ ｔｈｅｒｍａ １ ａｎ
ｎｅａ ＋）法を適用することに依り、コンタクト補償
膜２４のＴｉとシリコン半導体基板２１に於けるＳｉと
を反応させてチタン・シリサイド（ＴｔＳｉ２）膜２４
′を生成させ、残りのＴｉからなるコンタクト補償膜２
４は除去し、その後は大気に曝すことなく、ＴｉＮから
なるバリヤ金属膜２５、Ｔｉからなる高融点金属薄膜２
６、Ａｌ配線２７を形成したことである。
従って、ここでは、ＲＴＡ法を実施する際の条件を挙げ
ておくことにする。
ておくことにする。
雰囲気：Ｎ２或いはＮＨ３
温度：６８０（’ｃ）
時間：１５〜３０〔秒〕
第６図は本発明の更に他の実施例を説明する為の半導体
装置の要部切断側面図を表し、第４図及び第５図に於い
て用いた記号と同記号は同部分を示すか或いは同じ意味
を持つものとする。
装置の要部切断側面図を表し、第４図及び第５図に於い
て用いた記号と同記号は同部分を示すか或いは同じ意味
を持つものとする。
本実施例が第４図及び第５図について説明した実施例と
相違するところは、コンタクト補償膜としてＴｉに代え
てＷ或いはＳｉを添加したＷを用いた点であり、図では
、Ｗ或いは（Ｗ＋Ｓｉ）からなるコンタクト補償膜を記
号２８で指示しである。
相違するところは、コンタクト補償膜としてＴｉに代え
てＷ或いはＳｉを添加したＷを用いた点であり、図では
、Ｗ或いは（Ｗ＋Ｓｉ）からなるコンタクト補償膜を記
号２８で指示しである。
従って、ここでは、Ｗ或いは（Ｗ＋Ｓｉ）からなるコン
タクト補償膜２８の成膜条件を挙げておくことにする。
タクト補償膜２８の成膜条件を挙げておくことにする。
技法：選択化学気相成長法
膜厚：５０００〜７０００ （人〕
Ｗの場合のガス： Ｗ Ｆ ｓ ／ Ｈ２同じく温度：
３００〜５００（’Ｃ） （Ｗ＋Ｓｉ）の場合のガス： Ｗ Ｆ ｅ ／ Ｈｚ ＋Ｓ ｉ Ｈ４／ Ｈｚ同じく
温度：〜３００（ｔ） 本実施例の場合、Ｗ或いは（Ｗ＋Ｓｉ）からなるコンタ
クト補償膜２８を形成してからＡ１配線２７を形成する
まで各層は大気に曝すことな（連続して形成することが
望ましいが、Ｗ或いは（Ｗ＋Ｓ ｉ）からなるコンタク
ト補償膜２８を形成した後、大気に曝した場合、接触抵
抗を低減させる為、真空中で表面酸化膜を除去する工程
が必要となる。
３００〜５００（’Ｃ） （Ｗ＋Ｓｉ）の場合のガス： Ｗ Ｆ ｅ ／ Ｈｚ ＋Ｓ ｉ Ｈ４／ Ｈｚ同じく
温度：〜３００（ｔ） 本実施例の場合、Ｗ或いは（Ｗ＋Ｓｉ）からなるコンタ
クト補償膜２８を形成してからＡ１配線２７を形成する
まで各層は大気に曝すことな（連続して形成することが
望ましいが、Ｗ或いは（Ｗ＋Ｓ ｉ）からなるコンタク
ト補償膜２８を形成した後、大気に曝した場合、接触抵
抗を低減させる為、真空中で表面酸化膜を除去する工程
が必要となる。
ここで、前記各実施例に共通するＡｌ配線２７となるＡ
２膜の成膜について説明する。勿論、このＡ２膜の形成
は、第２図及び第３図について説明した装置の特にＡｌ
膜を形成する為のスパツタリング・チェンバ１６に於い
て実施されるものである。
２膜の成膜について説明する。勿論、このＡ２膜の形成
は、第２図及び第３図について説明した装置の特にＡｌ
膜を形成する為のスパツタリング・チェンバ１６に於い
て実施されるものである。
ターゲット：純粋Ａｊｌ！或いはＡＡ＋１ Ｃ％） Ｓ
ｉ或いはＡｌ＋’ｌ （％）Ｓｉ 何れも純度は９９．９９９ Ｃ％〕 スパッタリング圧カニ ｌ〜ｌ Ｏ（ｍｍＴｏ ｒ ｒ
）ターゲット投入電カニ７．０〜１５（ＫＷ）Ａｊ２膜
厚：０．８〜１．０ Ｃμｍ）この場合、シリコン半導
体基板２１に、例えば４００〜６００［’Ｃ）の高い温
度で加熱するが、或いは、３００〜５００（Ｖ）のバイ
アス電圧を印加するか、更には、その両方を適用するこ
とでＡｊ２膜を平坦化しても良い。
ｉ或いはＡｌ＋’ｌ （％）Ｓｉ 何れも純度は９９．９９９ Ｃ％〕 スパッタリング圧カニ ｌ〜ｌ Ｏ（ｍｍＴｏ ｒ ｒ
）ターゲット投入電カニ７．０〜１５（ＫＷ）Ａｊ２膜
厚：０．８〜１．０ Ｃμｍ）この場合、シリコン半導
体基板２１に、例えば４００〜６００［’Ｃ）の高い温
度で加熱するが、或いは、３００〜５００（Ｖ）のバイ
アス電圧を印加するか、更には、その両方を適用するこ
とでＡｊ２膜を平坦化しても良い。
本発明の場合、（Ａｌ＋Ｓｉ）の配線を形成する場合は
特に有利である。即ち、配線を形成するには（Ａｊ？＋
Ｓｉ）膜をドライ・エツチング法を適用してパターニン
グするのであるが、この際、膜中のＳｉ析出物を除去し
きれないことが多く、従って、配線パターン間で短絡を
生ずる虞が多分にある。然しなから、前記各実施例で説
明したように、Ａ１膜を形成する前にシリコン半導体基
板を１５０（”Ｃ）以下の低温に維持しながら高融点金
属薄膜を形成し、その後、大気に曝すことなく連続して
Ａｌ膜を形成すると、その、６ｊ２膜をドライ・エツチ
ング法でパターニングした場合、Ｓｉ析出物は完全に除
去することができる。その理由は、前記条件に沿って成
膜した（、ａ、７！＋ｓｉ）膜中のＳｔは下地の高融点
金属薄膜と反応し、エツチングされ易い化合物、例えば
ＴｉＳｉ２になっている為と思われる。
特に有利である。即ち、配線を形成するには（Ａｊ？＋
Ｓｉ）膜をドライ・エツチング法を適用してパターニン
グするのであるが、この際、膜中のＳｉ析出物を除去し
きれないことが多く、従って、配線パターン間で短絡を
生ずる虞が多分にある。然しなから、前記各実施例で説
明したように、Ａ１膜を形成する前にシリコン半導体基
板を１５０（”Ｃ）以下の低温に維持しながら高融点金
属薄膜を形成し、その後、大気に曝すことなく連続して
Ａｌ膜を形成すると、その、６ｊ２膜をドライ・エツチ
ング法でパターニングした場合、Ｓｉ析出物は完全に除
去することができる。その理由は、前記条件に沿って成
膜した（、ａ、７！＋ｓｉ）膜中のＳｔは下地の高融点
金属薄膜と反応し、エツチングされ易い化合物、例えば
ＴｉＳｉ２になっている為と思われる。
本発明に依る半導体装置の製造方法に於いては、高融点
金属が微細な多結晶を維持し得る程度の低温で高融点金
属薄膜を形成する工程と、該工程に引き続いてアルミニ
ウム膜を形成し両膜を反応させるようにしている。
金属が微細な多結晶を維持し得る程度の低温で高融点金
属薄膜を形成する工程と、該工程に引き続いてアルミニ
ウム膜を形成し両膜を反応させるようにしている。
前記構成を採ることに依り、高融点金属薄膜は微細な多
結晶からなる平滑なものとなり、しかも、表面は酸化さ
れていないので清浄であることから、その上に連続して
Ａｊ２膜を形成すると、高融点金属とＡｌとはＡ１膜の
成膜時に均一に反応し易くなり、従って、Ａｌの粒径は
均一になり、その結果、Ａｊｌ！配線はエレクトロマイ
グレーションやストレス・マイグレーションに対する耐
性が高くなって信頼性が向上する。
結晶からなる平滑なものとなり、しかも、表面は酸化さ
れていないので清浄であることから、その上に連続して
Ａｊ２膜を形成すると、高融点金属とＡｌとはＡ１膜の
成膜時に均一に反応し易くなり、従って、Ａｌの粒径は
均一になり、その結果、Ａｊｌ！配線はエレクトロマイ
グレーションやストレス・マイグレーションに対する耐
性が高くなって信頼性が向上する。
第１図は本発明の基本的な実施例に依って作成されたＡ
ｌ配線を説明する為の半導体装置の要部切断側面図、第
２図及び第３図は本発明を実施する装置を説明する為の
要部正面図及び要部切断正面図、第４図は本発明の詳細
な説明する為の半導体装置の要部切断側面図、第５図は
本発明の他の実施例を説明する為の半導体装置の要部切
断側面図、第６図は本発明の更に他の実施例を説明する
為の半導体装置の要部切断側面図をそれぞれ表している
。 図に於いて、■はシリコン半導体基板、２は眉間絶縁膜
、２Ａは層間絶縁膜２に形成された開口の底面、３はシ
リコン半導体基板１に形成された不純物拡散領域に対す
るコンタクト補償膜、４はバリヤ金属膜、５はＴｉから
なる高融点金属薄膜、６はＡｌ配線をそれぞれ示してい
る。 説明する為の要部正面図 第２図 説明する為の要部切断正面図 第３図 第１図 第４図 第５図 第６図
ｌ配線を説明する為の半導体装置の要部切断側面図、第
２図及び第３図は本発明を実施する装置を説明する為の
要部正面図及び要部切断正面図、第４図は本発明の詳細
な説明する為の半導体装置の要部切断側面図、第５図は
本発明の他の実施例を説明する為の半導体装置の要部切
断側面図、第６図は本発明の更に他の実施例を説明する
為の半導体装置の要部切断側面図をそれぞれ表している
。 図に於いて、■はシリコン半導体基板、２は眉間絶縁膜
、２Ａは層間絶縁膜２に形成された開口の底面、３はシ
リコン半導体基板１に形成された不純物拡散領域に対す
るコンタクト補償膜、４はバリヤ金属膜、５はＴｉから
なる高融点金属薄膜、６はＡｌ配線をそれぞれ示してい
る。 説明する為の要部正面図 第２図 説明する為の要部切断正面図 第３図 第１図 第４図 第５図 第６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体基板を高融点金属が微細な多結晶を維持し得る程
度の低温で加熱しつつその上にスパッタリング法で高融
点金属薄膜を形成する工程と、該工程に引き続いて該高
融点金属薄膜の上にスパッタリング法でアルミニウム膜
を形成し両膜を反応させる工程と を含んでなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15480488A JPH025521A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15480488A JPH025521A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH025521A true JPH025521A (ja) | 1990-01-10 |
Family
ID=15592252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15480488A Pending JPH025521A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH025521A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02133923A (ja) * | 1988-11-14 | 1990-05-23 | Tokyo Electron Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH04264719A (ja) * | 1991-02-19 | 1992-09-21 | Sony Corp | 配線形成方法 |
| JPH06168908A (ja) * | 1991-11-27 | 1994-06-14 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 集積回路の形成方法 |
| WO1995006329A1 (en) * | 1993-08-20 | 1995-03-02 | Tadahiro Ohmi | Semiconductor device and its manufacture |
| JPH07161813A (ja) * | 1993-12-08 | 1995-06-23 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-06-24 JP JP15480488A patent/JPH025521A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02133923A (ja) * | 1988-11-14 | 1990-05-23 | Tokyo Electron Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH04264719A (ja) * | 1991-02-19 | 1992-09-21 | Sony Corp | 配線形成方法 |
| JPH06168908A (ja) * | 1991-11-27 | 1994-06-14 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 集積回路の形成方法 |
| WO1995006329A1 (en) * | 1993-08-20 | 1995-03-02 | Tadahiro Ohmi | Semiconductor device and its manufacture |
| JPH07161813A (ja) * | 1993-12-08 | 1995-06-23 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
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