JP2000164705A - 配線形成方法及び半導体集積回路装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウイスカ発生を抑制しながら、コンタクト孔
やビア孔などの微細形状部分にも良好な被覆性でＡｌ系
合金膜を成膜する。 【解決手段】 該高融点金属膜の上層に、まず初期の第
１段階では、ウイスカが発生しない条件領域で、Ａｌ系
合金膜８を成膜する。第１段階で成膜した応力のないＡ
ｌ系合金膜８の上層なので、続けて第２段階で該Ａｌ系
合金膜９を成膜した場合、成膜条件を変えてもウイスカ
が発生しにくい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板上に金
属膜を形成し、該金属膜に配線パターンを形成した配線
形成方法及び半導体集積回路装置において、Ａｌ系合金
を堆積して金属膜を形成する際に、ウイスカ発生を抑制
しながら、コンタクトやビアなどの微細形状部分にも良
好な被覆性が得られる配線形成方法及び半導体集積回路
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路の金属配線は、高融点金
属膜にＡｌ系合金膜を積層した金属膜をパターンニング
することによって形成されることが多い。

【０００３】高融点金属膜は、微細なコンタクトに対し
て安定した抵抗が得られる。又、Ａｌ（アルミニウム）
原子が半導体基板に拡散し接合を破壊してしまわないよ
うに、バリアメタルとして用いられる材料である。更
に、信頼性向上などの目的で、２層目以降の配線にも用
いられる。

【０００４】この時、例えば高融点金属膜としてＴｉＮ
（窒化チタン）膜を用いる場合、通常、以下の２種類の
形成方法がある。なお、以下、これらをそれぞれ、第１
従来法あるいは第２従来法と呼ぶ。

【０００５】まず、第１従来法は、ＴｉＮ膜上に直接、
Ａｌ系合金膜を成膜する。この場合、ＴｉＮ膜を成膜
後、一旦大気に晒してから、この後にＡｌ系合金膜を成
膜するのが一般的である。これは、ＴｉＮ膜成膜及びＡ
ｌ系合金成膜において、利用する処理装置が別構成であ
り、又、ＴｉＮ膜のバリア性を向上させるため、それぞ
れ別装置で熱処理などを実施することが多いからであ
る。該第１従来法の手順は以下のとおりである。

【０００６】Ａ１．半導体基板１上に層間絶縁膜２を成
膜し、コンタクト孔を形成する。すると、例えば図１の
ような断面構造となる。

【０００７】Ａ２．高融点金属膜３をスパッタ法で成膜
する。すると、例えば図２のような断面構造となる。

【０００８】Ａ３．大気に晒した後、Ａｌ系合金膜４を
スパッタ法で成膜する。すると、例えば図３のような断
面構造となる。

【０００９】次に、第２従来法は、コンタクト孔あるい
はビア孔の穴埋めプロセスとして、Ｗ（タングステン）
プラグを用いるものである。この場合、ＴｉＮ膜は、バ
リア膜としてだけでなく、Ｗ膜に対して密着層としても
必要とされる。Ｗ膜は、成膜後、ＳＦ₆ガスを主成分と
したプラズマエッチングで全面エッチングされ、コンタ
クト孔やビア孔内部のみが残る。これによって、コンタ
クト孔やビア孔内部にＷが埋め込まれる。そして、その
上にＡｌ系合金膜が成膜され、半導体集積回路の回路配
線となる。該第２従来法の手順は以下のとおりである。

【００１０】Ｂ１．まず、第１従来法で前述した図２ま
で行う。この後、ＣＶＤ（chemicalvapor deposition
）法によってＷ膜６を成膜する。すると、例えば図４
のような断面構造となる。

【００１１】Ｂ２．ＳＦ₆ガスを用いたプラズマエッチ
ングで、Ｗ膜６を全面エッチバックする。すると、コン
タクト孔あるいはビア孔内のみに、Ｗプラグ７が残る。
この時、例えば図５のような断面構造となる。

【００１２】Ｂ３．Ａｌ系合金膜をスパッタ法にて成膜
する。すると、例えば図６のような断面構造となる。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】前述した第１従来法及
び第２従来法は、いずれもＴｉＮ膜成膜後は装置外に出
され、一旦大気に晒される。この時、ＴｉＮ膜表面に
は、酸素成分はもとより、その他の大気成分が吸着さ
れ、不純物が存在するようになる。加えて、第２従来法
では、コンタクトやビアのＷプラグ表面も酸化される。
又、Ｗ膜のエッチングが不十分で、ＴｉＮ膜表面上にＷ
粒子が残ると、このＷ粒子の表面が酸化してしまう。こ
のように、ＴｉＮ膜やＷ膜表面の酸化や大気吸着など
で、Ａｌ系合金材料を形成する前の下地表面状態は不均
一になっている。

【００１４】成膜過程でのＡｌ系合金膜中のＡｌ結晶
は、下地の影響を受けながら成長する。このため、不均
一な下地があると、この下地上に成膜されるＡｌ系合金
膜のＡｌ結晶粒の成長が阻害される。このため、結晶粒
の内部応力が増加していく。そして、最終段階で内部応
力が開放する際に、ウイスカが発生する。

【００１５】又、急峻な段差が存在する場合にも、ウイ
スカが発生することがある。これも、Ａｌ系合金の結晶
成長が局部的に抑え込まれる部分が生じるためである。
このような部分では、応力が蓄積し、最終的に応力解放
が発生すると、ウイスカが発生する。

【００１６】なお、ウイスカは、例えば図３や図６で
は、符号５で示される。

【００１７】以上のようなウイスカが発生したままフォ
ト工程を行うと、レジストパターンが正常に形成されな
い。このため配線ショートなどの問題が生じる。

【００１８】本発明は、前記従来の問題点を解決するべ
くなされたもので、ウイスカ発生を抑制しながら、コン
タクトやビアなどの微細形状部分にも良好な被覆性が得
られるようにＡｌ系合金膜を成膜することができる配線
形成方法及び半導体集積回路装置を提供することを目的
とする。

【００１９】

【課題を解決するための手段】まず、本願の第１発明の
配線形成方法は、半導体集積回路装置の配線形成方法に
おいて、半導体基板上に高融点金属膜を成膜し、この
後、該高融点金属膜の上層に、まず初期の第１段階では
ウイスカが発生しない条件領域でＡｌ系合金膜を成膜し
て、金属配線層を形成するようにしたことにより、前記
課題を解決したものである。

【００２０】前記配線形成方法において、前記第１段階
に続けて第２段階でも同じ条件領域で、前記Ａｌ系合金
膜を成膜するようにしたことで、製造能率向上を図るこ
とができる。

【００２１】前記配線形成方法において、前記第１段階
に続けて第２段階では、ウイスカが発生する条件領域
で、前記Ａｌ系合金膜を成膜するようにしたことで、ウ
イスカ発生防止と良好な被覆性とを両立することができ
る。

【００２２】又、前記配線形成方法において、前記第２
段階では、前記第１段階に比べて高温で、前記Ａｌ系合
金膜を成膜するようにしたことで、前記第１段階の温度
の設定を具体的にすることができる。

【００２３】又、前記配線形成方法において、前記第２
段階では、前記第１段階に比較して低速で、前記Ａｌ系
合金膜を成膜するようにしたことで、前記第１段階及び
第２段階での成膜速度設定を具体的にすることができ
る。

【００２４】更に、前記配線形成方法において、前記第
１段階で成膜するＡｌ系合金膜の膜厚が、第２段階にお
けるウイスカ発生を防止するのに必要な厚さ以上となる
ようにしたことで、前記第１段階での成膜の膜厚を具体
的にすることができる。

【００２５】次に、本願の第２発明の半導体集積回路装
置は、半導体集積回路装置において、半導体基板上に成
膜された高融点金属膜と、該高融点金属膜の上層に、ま
ず初期の第１段階ではウイスカが発生しない条件領域で
成膜すると共に、続けて第２段階では、ウイスカが発生
する条件領域で成膜したＡｌ系合金膜と、による金属配
線層を備えるようにしたことにより、前記課題を解決し
たものである。

【００２６】以下、本発明の作用について、簡単に説明
する。

【００２７】ウイスカ発生を抑制するためには、Ａｌ系
合金膜を低温で成膜することが、最も簡単な方法であ
る。具体的には２５０℃程度以下、更に好ましくは２０
０℃程度以下、最も好ましくは１５０℃程度以下で成膜
を行う。低温で成膜すると、Ａｌ結晶粒の成長が抑制さ
れ、微小な結晶粒が形成される。この結果、結晶粒界が
多数存在することになり、応力が緩和される。このた
め、ウイスカ発生が抑制される。

【００２８】又、成膜速度を高くすることも有効であ
る。具体的には２００オングストローム／秒程度以上、
更に好ましくは３００オングストローム／秒程度以上、
最も好ましくは３５０オングストローム／秒程度以上の
速度でＡｌ系合金膜を成膜する。成膜温度が高くても、
成膜過程でＡｌ結晶粒が大きく成長する時間を与えない
ほどに成膜速度を高くすれば、微小で均一な結晶粒を有
するＡｌ系合金膜を成膜することができる。このため、
ウイスカ発生が抑制される。

【００２９】しかしながら、Ａｌ系合金膜の被覆性の観
点では、成膜温度を高くすることが好ましい。具体的に
は３００℃程度以上、更に好ましくは３５０℃程度以
上、最も好ましくは４００℃程度以上に成膜温度を高く
することが好ましい。成膜温度を高くすることにより、
Ａｌ系合金の流動性が向上し、コンタクト孔やビア孔な
どの微細形状部分での被覆性を向上させることができ
る。又、成膜温度を高くすることに加えて、成膜速度を
遅くして、成膜中のＡｌ系合金膜が流動する時間を長く
することによって、更に被覆性を向上することができ
る。

【００３０】ところが、高温、低速の条件で成膜する
と、成膜中のＡｌ結晶粒成長が進行する。そして、前述
したようなＴｉＮ膜やＷ膜表面の酸化や、大気吸着など
によって生じる下地表面の不均一性によって、この結晶
成長、特に横方向の成長が阻害されると、Ａｌ合金膜に
大きな内部応力が発生する。この内部応力の解放によっ
て、Ａｌ結晶のひげ状の異常成長、即ちウイスカが発生
する。

【００３１】ここで、本発明では、初めに第１段階とし
て、第１段階ではウイスカが発生しない条件領域でＡｌ
系合金膜を成膜して、結晶を成長させる。すると、微小
なＡｌ結晶粒を形成することができる。このような均一
なＡｌ系合金膜の応力の不均一性は小さい。結晶粒の応
力の不均一性が小さいと、ウイスカは発生しない。

【００３２】この第１段階での成膜に続けて、第２段階
でも同じ条件領域、即ち、ウイスカが発生しない条件領
域で成膜を続けることも可能である。これにより、Ａｌ
系合金膜全体の結晶粒が微小になり、応力の不均一性が
小さくなる。従ってウイスカ発生を防止できる。第２段
階の条件は、ウイスカが発生しない条件領域であれば、
第１段階と全く同じであってもよいし、別であってもよ
い。

【００３３】一方、第１段階での成膜に続けて、第２段
階では、ウイスカが発生する条件領域で、前記Ａｌ系合
金膜を成膜してもよい。ここで「ウイスカが発生する条
件領域」とは、第１段階での成膜を行わずに、高融点金
属膜の上層に直接成膜した場合には、ウイスカが発生す
る条件領域である。このような条件領域で第２段階の成
膜を行っても、第１段階の成膜をウイスカが発生しない
条件領域で行った場合には、ウイスカ発生を防止するこ
とができ、あるいは少なくともウイスカ発生を抑えるこ
とができる。これは、第１段階で成膜した微小な結晶粒
のＡｌ系合金膜を下地とした場合には、下地の影響を受
けて、第２段階においても、結晶粒の小さい、応力の不
均一性が小さいＡｌ系合金膜が成膜されるからである。
しかも、第２段階の条件を適切に設定することにより、
良好な被覆性を得ることができる。即ち、ウイスカ発生
の抑制と良好な被覆性とを両立することができる。この
ように、第１段階ではウイスカが発生しない条件領域
で、第２段階ではウイスカが発生する条件領域で成膜す
る方法を、以下２段階成膜と呼ぶ。

【００３４】２段階成膜において、第１段階及び第２段
階のそれぞれの膜厚は、ウイスカ発生防止、及び被覆性
を考慮して設定する。ウイスカ発生防止のためには、第
１段階で成膜するＡｌ系合金膜の膜厚を、第２段階にお
けるウイスカ発生を防止するのに必要な厚さ以上である
ようにする。一方被覆性のためには、第１段階で成膜す
る膜厚は、設定膜厚、即ち、第１段階及び第２段階で成
膜するＡｌ系合金膜の合計膜厚の３０％以下にすること
が望ましい。

【００３５】ここで、第１段階での成膜温度を低くし、
第２段階での成膜温度を高くしてもよい。

【００３６】第１段階の低温成膜の温度は、例えば室温
から２５０℃までの領域とする。又、第２段階の高温成
膜の温度は、例えば３００℃から５００℃までの領域と
する。

【００３７】あるいは、第１段階の低温成膜の温度と、
第２段階の高温成膜の温度との差を、例えば１５０℃以
上としてもよい。

【００３８】ここで、第１段階で成膜速度を早くし、第
２段階で成膜速度を遅くしてもよい。又、第１段階と第
２段階との成膜速度の格差を、１．３倍以上で、かつ早
い成膜速度が２５０オングストローム／秒以上としても
よい。

【００３９】

【発明の実施の形態】以下、図を用いて本発明の実施の
形態を詳細に説明する。

【００４０】まず、第１実施形態について説明する。

【００４１】半導体基板１上に、コンタクト孔を有した
層間絶縁膜２を形成する。この上に、Ｔｉ膜及びＴｉＮ
膜を順次成膜し、高融点金属膜３を形成する。すると、
例えば図２のような断面構造になる。

【００４２】次に、大気に晒した後、Ｗ膜をＣＶＤ法で
成膜し、コンタクト孔あるいはビア孔にＷ膜を埋め込
む。すると、例えば図４のような断面構造になる。

【００４３】その後、Ｗ膜を全面エッチバックする。こ
のエッチバック後は、例えば図５のような断面構造であ
る。

【００４４】そうしてから、本発明を適用した２段階成
膜により、Ａｌ系合金膜をスパッタ法にて成膜する。こ
の時、上記の構造の半導体基板１は、スパッタ装置のサ
セプタに装着される。サセプタ内にはヒータが備えられ
ており、所定の温度に加熱される。成膜温度を高くする
場合には、サセプタ内を通過することによって加熱され
たアルゴンガスが、半導体基板１の裏面に流される。

【００４５】本実施形態では、本発明を適用しながら、
成膜初期の第１段階で、加熱されたＡｒガスを流さず無
加熱状態でスパッタして、Ａｌ系合金膜の膜厚が１００
０オングストロームになるまで成膜する。すると、例え
ば図７のような断面構造になる。図７において符号８
は、このように第１段階で、無加熱の低温により成膜し
たＡｌ系合金膜である。スパッタ用ＤＣ電源の出力は、
例えば８．０ｋＷに設定し、成膜速度を約１６０オング
ストローム／秒とする。サセプタは３５０℃に加熱する
が、アルゴンガスを流していないため、半導体基板１の
温度は、サセプタ温度に比較して低い。即ち、１００〜
１２９℃程度である。このような低い温度で成膜するこ
とにより、Ａｌ結晶粒の成長が抑制され、微細な結晶粒
を有するＡｌ系合金膜が成膜される。

【００４６】第１段階に続けて第２段階では、裏面にＡ
ｒガスを流してウェハを加熱しながら、Ａｌ系合金膜の
合計膜厚が６０００オングストロームになるまで成膜す
る。アルゴンガスを流すことにより、半導体基板１は、
サセプタとほぼ同一の温度、即ち３５０℃に加熱され
る。すると、例えば図８のような断面構造になる。図８
において符号９は、このように第２段階で加熱して、高
温により成膜したＡｌ系合金膜である。

【００４７】本実施形態では、このように２段階成膜を
行うことで、初期の第１段階で成膜されたＡｌ系合金膜
の細かい結晶粒の影響を受け、第２段階で加熱されてか
らのＡｌ系合金膜の結晶粒も小さいまま形成される。
又、第２段階で高温で成膜されたＡｌの持つ流動性によ
り、被覆性よくコンタクト孔やビア孔にＡｌ系合金膜を
成膜することができる。

【００４８】次に、第２実施形態について説明する。

【００４９】アルゴンガスを流して成膜温度を３５０℃
として、ＤＣ電力を８．７ｋＷに設定し、成膜速度を２
８０オングストローム／秒で目標膜厚まで成膜する。目
標膜厚は、例えば５０００オングストロームである。こ
のように成膜速度を高くすることにより、成膜温度が高
くても、微小で均一なＡｌ結晶粒が形成される。このた
め、不均一な応力が発生せず、ウイスカは成長しない。

【００５０】又、第３実施形態として、第１段階で成長
速度を早くしてから、第２段階で遅い成膜速度にするこ
とも、同等の効果がある。具体的な実施形態は、第１段
階で、例えば前述の２８０オングストローム／秒という
早い条件で約１０秒成膜する。即ち、２８００オングス
トロームまで成膜される。その後、第２段階で、ＤＣ電
力を８．０ｋＷに下げて、例えば１６０オングストロー
ム／秒で残りの成膜を行う。成膜温度は、第１段階、及
び第２段階共に、３５０℃である。第１段階で成膜した
Ａｌ系合金膜の微小なＡｌ結晶粒の影響を受け、成膜の
遅い第２段階においても、結晶粒が小さいまま成膜され
る。

【００５１】上記第１及び第３の実施形態の、第１段階
で成膜するＡｌ系合金の膜厚は、第２段階で成膜される
Ａｌ系合金膜の結晶成長を抑制し、ウイスカ発生を抑制
することが可能であるように、十分に厚くすることが好
ましい。このために必要な膜厚は、様々な条件によって
異なるが、一般には１０００オングストローム程度以
上、更に好ましくは２０００オングストローム程度以上
にする。

【００５２】上記の第１及び第３の実施形態では、第２
段階において、高温、低速の条件で成膜を行っている。
従って、高い被覆性を得ることができる。これに対し
て、第２の実施形態では、高温、高速の条件で目標膜厚
まで成膜を行っている。従って、第１及び第３の実施形
態ほどには良好な被覆性を得ることができない。しかし
ながら、成膜温度は高いので、低温で成膜した場合に比
較すれば、高い被覆性が得られる。即ち、Ｗプラグを使
用した場合には、実用上十分なレベルの被覆性が得られ
る。このように、単一の条件で目標膜厚まで成膜する場
合には、高温、高速の条件を採用することが好ましい。

【００５３】なお、以上では、Ｗプラグを用いた例を示
したが、前述の図２の形状で直接Ａｌ系合金膜を成膜し
た場合でも、同様な効果がある。

【００５４】図９は、Ａｌ系合金膜を成膜する場合の成
膜温度と１マイクロメートル以上のウイスカ数との関係
を示すグラフである。

【００５５】このグラフでは、Ａｌ系合金膜はＡｌＣｕ
合金膜となっている。又、成膜速度が１６０オングスト
ローム／秒で、膜厚が０．８マイクロメートルとなるま
で成膜している。６インチウェハ１枚上のウイスカ数
を、レーザ式表面検査装置を使用して求めた。このグラ
フから判るように、この成膜速度では、３００℃以上の
成膜温度において、ウイスカが発生する。

【００５６】ここで、図１０は、成膜温度と成膜速度と
に対して、ウイスカが発生する境界条件を示すグラフで
ある。

【００５７】このグラフにおいて、実線が、成膜温度と
成膜速度とに対して、ウイスカが発生しない領域と、発
生する領域との境界線である。又、該境界線は、以下の
式に示す、成膜温度Ｔ（℃）及び成膜速度Ｒ（オングス
トローム／秒）の関係で近似することができる。

【００５８】 Ｒ＝１．９５８０×１０^-5×Ｔ³−３．０００６×１０^-2×Ｔ² ＋１５．２８２×Ｔ−２２８４．４ ……（１）

【００５９】なお、上記（１）式は、実験により求めた
データを回帰するように求めた多次式である。成膜温度
Ｔ及び成膜速度Ｒの精度の条件がが許すのであれば、よ
り少ない次数の式であってもよい。

【００６０】このグラフにおいて、境界線の左上半分の
領域はウイスカが発生しない領域であり、右下半分の領
域はウイスカが発生する領域である。ウイスカが発生し
ない領域であれば、成膜温度が高いまま、目標設定膜厚
を成膜しても、ウイスカは発生しない。

【００６１】なお、この図における「ウイスカが発生す
る領域」は、Ａｌ系合金膜を高融点金属膜上に直接成膜
した場合は、ウイスカが発生する領域である。即ち、成
膜を２段階で行い、第１段階の成膜をウイスカが発生し
ない領域で行えば、第２段階の成膜を「ウイスカが発生
する領域」で行っても、ウイスカは発生しない。

【００６２】なお、成膜速度、及び成膜温度に対するウ
イスカ発生状況は、厳密には、Ａｌ系合金の種類、膜厚
や、スパッタ装置の構成、特に半導体基板の加熱方法、
スパッタ時の圧力などの条件によって変化する。しかし
ながら、傾向的には、このような条件に拘わらずほぼ上
述したグラフのようになる。

【００６３】本発明に係る２段階成膜についてまとめる
と、図１１のようになる。図１１において、Ａ領域と
は、図１０におけるウイスカが発生しない領域である。
Ｂ領域とは、図１０におけるウイスカが発生する領域で
ある。この図から判るように、第１段階の成膜をＡ領域
で行うことにより、第２段階の成膜をＡ領域で行って
も、Ｂ領域で行っても、ウイスカの発生を抑制すること
ができる。更に、第１段階の成膜をＡ領域で行った後、
第２段階の成膜をＢ領域で行うことにより、ウイスカ発
生の抑制と、良好な被覆性とを両立することができる。

【００６４】なお、以上の実施形態では同じチェンバで
２段階でＡｌ系合金膜を成膜しているが、別チャンバ、
又別設備で、条件を変えて実施しても、同様な効果があ
る。

【００６５】以上説明した実施形態では、いずれも効果
的に本発明を適用することができている。即ち、Ａｌ系
合金膜の結晶粒の粒径が小さいまま、被覆性よく、コン
タクト孔やビア孔にＡｌ系合金膜を形成でき、ウイスカ
による配線短絡を防ぐことができている。

【００６６】

【発明の効果】本発明によれば、ウイスカ発生を抑制し
ながら、コンタクト孔やビア孔などの微細形状部分にも
良好な被覆性で、Ａｌ系合金膜を成膜することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１従来法の配線形成方法において半導体基板
上にコンタクトを形成した時点での一例の断面図

【図２】図１に続く高融点金属膜を形成した時点での一
例の断面図

【図３】図２に続くＡｌ系合金膜を成膜した時点での一
例の断面図

【図４】第２従来法の配線形成方法においてＷ膜を成膜
した時点での一例の断面図

【図５】図４に続くエッチバックした時点での一例の断
面図

【図６】図５に続くＡｌ系合金膜を成膜した時点でのウ
イスカが発生している一例の断面図

【図７】本発明が適用された実施形態において無加熱で
Ａｌ系合金膜を成膜した時点での一例の断面図

【図８】図７に続いて高温でＡｌ系合金膜を成膜した時
点での一例の断面図

【図９】Ａｌ系合金膜を成膜する場合の成膜温度とウイ
スカ数との関係を示すグラフ

【図１０】成膜温度と成膜速度とに対して、ウイスカが
発生する境界条件を示すグラフ

【図１１】本発明に係る２段階成膜での成膜条件に対す
るウイスカ発生及び被覆性を示す線図

【符号の説明】

１…半導体基板 ２…層間絶縁膜 ３…高融点金属膜 ４…Ａｌ系合金膜 ５…ウイスカ ６…Ｗ膜 ７…Ｗプラグ ８…Ａｌ系合金膜（低温で成膜） ９…Ａｌ系合金膜（高温で成膜）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4M104 BB02 BB14 BB37 CC01 DD07 DD37 DD43 DD65 FF17 FF18 FF22 GG13 HH13 HH20 5F033 HH09 HH18 HH19 HH33 LL08 NN07 NN17 PP09 PP15 PP18 QQ08 QQ31 QQ37 XX06

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体集積回路装置の配線形成方法におい
   て、 半導体基板上に高融点金属膜を成膜し、 この後、該高融点金属膜の上層に、まず初期の第１段階
   ではウイスカが発生しない条件領域でＡｌ系合金膜を成
   膜して、金属配線層を形成するようにしたことを特徴と
   する配線形成方法。
2. 【請求項２】請求項１に記載の配線形成方法において、 前記第１段階に続けて第２段階でも同じ条件領域で、前
   記Ａｌ系合金膜を成膜するようにしたことを特徴とする
   配線形成方法。
3. 【請求項３】請求項１に記載の配線形成方法において、 前記第１段階に続けて第２段階では、ウイスカが発生す
   る条件領域で、前記Ａｌ系合金膜を成膜するようにした
   ことを特徴とする配線形成方法。
4. 【請求項４】請求項３に記載の配線形成方法において、 前記第２段階では、前記第１段階に比べて高温で、前記
   Ａｌ系合金膜を成膜するようにしたことを特徴とする配
   線形成方法。
5. 【請求項５】請求項３に記載の配線形成方法において、 前記第２段階では、前記第１段階に比較して低速で、前
   記Ａｌ系合金膜を成膜するようにしたことを特徴とする
   配線形成方法。
6. 【請求項６】請求項３〜５に記載の配線形成方法におい
   て、 前記第１段階で成膜するＡｌ系合金膜の膜厚が、第２段
   階におけるウイスカ発生を防止するのに必要な厚さ以上
   となるようにしたことを特徴とする配線形成方法。
7. 【請求項７】半導体集積回路装置において、 半導体基板上に成膜された高融点金属膜と、 該高融点金属膜の上層に、まず初期の第１段階ではウイ
   スカが発生しない条件領域で成膜すると共に、続けて第
   ２段階では、ウイスカが発生する条件領域で成膜したＡ
   ｌ系合金膜と、による金属配線層を備えるようにしたこ
   とを特徴とする半導体集積回路装置。