KR890002999A - 드라이에칭 방법과 그 방법에 사용되는 장치 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 3 도는 본 발명에 따른 장치의 구현예를 나타낸 부분 단면도. 제 4 도는 본 밞명에 따른 구현예에 있어서의 기판 온도의 역수와 에칭율과의 관계를 나타낸 그래프. 제 5 도는 본 발명에 따른 장치의 다른 구현예를 나타낸 부분 단면도.
Claims (33)
1층막과 그 1층막위에 2층막을 갖는 에칭대상물을 진공반응실에 배치시키는 배치단계와, 상기 2층막을 선택적으로 에칭시키도록 활성화된 반응성 가스를 반응실내로 유입시키는 유입단계 및, 1층막의 성분들 중 적어도 하나 이상의 성분을 포함하는 박막을 1층막상에 선택적으로 부착시켜 줄수 있는 온도로 대상물을 냉각시키는 냉각단계로 이루어진 드라이에칭방법.
제 1 항에 있어서, 상기 배치단계는 특정범위에서 온도의 변화에 관련하여 변화되는 2개의 상이한 에칭율 특성을 갖는 물질로 1층막을 형성시키는 단계를 포함하는 방법.
제 1 항에 있어서, 상기 유입단계는 반응성 가스를 유입시킴과 동시에 자기장으로 노출시키는 단계를 포함하는 방법.
제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 반응성 가스는 적어도 하나 이상의 할로겐 가스를 포함하는 방법.
제 1 항에 있어서, 상기 대상물을 냉각시키는 온도는 에칭율과 대상물 온도의 역수와의 관계에 따른 부특성의 기울기가 변화되는 변곡점 이하의 온도인 방법.
제 1 항에 있어서, 상기 2 층막은 다결정성 규소이며 상기 1층막은 산화규소인 방법.
제 1 항에 있어서, 상기 2층막은 다결정성 규소이며 상기 1층막을 질화규소인 방법.
제 1 항에 있어서, 상기 2층막은 인 도우프 다결정성 규소이며 상기 1층막을 산화규소인 방법.
제 1 항에 있어서, 상기 2층막은 인 도우프 다결정성 규소이며 상기 1층막은 질화규소인 방법.
제 1 항에 있어서,상기 2층막은 질화규소이며 1층막은 산화규소인 방법.
제 1 항에 있어서, 상기 2층막은 텅스텐이며 상기 1층막은 산화규소인 방법.
제 1 항에 있어서, 상기 2층막은 텅스텐이며 상기 1층막은 질화규소인 방법.
제 1 항에 있어서, 상기 2층막은 몰리브덴이며 상기 1층막은 산화규소인 방법.
제 1 항에 있어서, 상기 2층막은 몰리브덴이며 상기 1층막은 질화규소인 방법.
제 1 항에 있어서, 상기 2층막은 티탄이며 상기 1층막은 산화규소인 방법.
제 1 항에 있어서, 상기2층막은 티탄이며 상기 1층막은 질화규소인 방법.
제 1 항에 있어서, 상기2층막은 텅스텐 규화물이며 상기 1층막은 산화규소인 방법.
제 1 항에 있어서, 상기2층막은 텅스텐 규화물이며 상기 1층막은 질화규소인 방법.
제 1 항에 있어서, 상기2층막은 몰리브덴 규화물이며 상기 1층막은 산화규소인 방법.
제 1 항에 있어서, 상기2층막은 몰리브덴 규화물이며 상기 1층막은 질화규소인 방법.
제 1 항에 있어서, 상기2층막은 티탄규화물이며 상기 1층막은 산화규소인 방법.
제 1 항에 있어서, 상기2층막은 티탄규화물이며 상기 1층막은 질화규소인 방법.
제 1 항에 있어서, 상기2층막은 불순물 도우프 다결정성 규소이고 상기 1층막은 산화규소인 방법.
제 23 항에 있어서, 상기 반응성 가스는 염소이고 상기 대상물을 냉각시키는 온도는 00C이하인 방법.
제 1 항에 있어서, 상기반응성 가스는 그 압력이 10-4Torr인 방법.
제 1 항에 있어서, 상기에칭대상물은 반응성 가스가 활성화되는 부분과는 다른 부분에 배치되어지는 방법.
제 1 항에 있어서, 상기 반응성 가스는 자외선에 의해 활성화되어지는 방법.
제 1 항에 있어서, 상기 반응성 가스는 SOR광선에 의해 활성화되어지는 방법.
연속적으로 형성된 1층막과 2층막을 갖는 에칭 대상물을 반응성 가스에 의해 에칭시키기 위해, 진공 반응실에 상기 대상물을 지지해주는 수단과, 상기 반응성 가스를 활성화시키는 수단 및, 1층막 성분들 중 적어도 하나 이상의 성분을 포함하는 박막을 1층막위에 부착시킬 수 있는 온도 또는 그 이하의 온도로 냉각시키는 냉각 수단으로 이루이진 드아이에칭 장치.
제29항에 있어서, 상기 에칭대상물을 지탱하는 수단은 상기 대상물을 냉각시키기 위한 냉각제를 유입시켜주는 수단을 포함하는 장치.
제29항에 있어서, 상기 냉각시키는 수단은 응고방지수단을 포함하는 장치.
제31항에 있어서, 상기 응고방지수단은 상기 냉각수단을 절연물질로 피복시켜 놓은 것인 장치.
제29항에 있어서, 상기 냉각수단은 상기 대상물을 00C이하로 냉각시키는 것인 장치.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| A201 | Request for examination | ||
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| J2X1 | Appeal (before the patent court) |
Free format text: APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL |
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