JPS59124135A - 反応性イオンエツチング方法 - Google Patents
反応性イオンエツチング方法Info
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- JPS59124135A JPS59124135A JP23351182A JP23351182A JPS59124135A JP S59124135 A JPS59124135 A JP S59124135A JP 23351182 A JP23351182 A JP 23351182A JP 23351182 A JP23351182 A JP 23351182A JP S59124135 A JPS59124135 A JP S59124135A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は反応性ガスプラズマ中において被エツチング材
をエツチングする反応性イオンエツチング方法に関する
ものであり、特に半導体回路の配線材等として使用され
るモリブデンおよびそのシリコン化合物の異方性エツチ
ング法の改良に関するものである。
をエツチングする反応性イオンエツチング方法に関する
ものであり、特に半導体回路の配線材等として使用され
るモリブデンおよびそのシリコン化合物の異方性エツチ
ング法の改良に関するものである。
モリブデンおよびそのシリコン化合物のモリブデンシリ
サイドは特に半導体回路の配線材料としてその低抵抗性
が注目されているものであるが、高密度集積回路に使用
するに際しては、微細・９ターン形成の可能な加工精度
の高いエツチング方法が必要とされる。このモリブデン
およびモリブデンシリサイドは耐某品性が大きく、薬品
による湿式エツチングには不向きであシ、ドライエツチ
ングによりエツチングされる。
サイドは特に半導体回路の配線材料としてその低抵抗性
が注目されているものであるが、高密度集積回路に使用
するに際しては、微細・９ターン形成の可能な加工精度
の高いエツチング方法が必要とされる。このモリブデン
およびモリブデンシリサイドは耐某品性が大きく、薬品
による湿式エツチングには不向きであシ、ドライエツチ
ングによりエツチングされる。
モリブデンおよびそのシリコン化合物のドライエツチン
グ方法としては、いわゆるバレル型のエツチング装置に
ＣＦ４＋０゜ガスを導入してそのプラズマ中でエツチン
グする方法が提案されている。との方法はプラズマ中に
発生した中性活性なＦ原子とＭｏ （モリブデンシリサ
イドの場合にはＭｏとＳｔ ）とを反応させ、揮発性の
ＭｏＦ ｔ。
グ方法としては、いわゆるバレル型のエツチング装置に
ＣＦ４＋０゜ガスを導入してそのプラズマ中でエツチン
グする方法が提案されている。との方法はプラズマ中に
発生した中性活性なＦ原子とＭｏ （モリブデンシリサ
イドの場合にはＭｏとＳｔ ）とを反応させ、揮発性の
ＭｏＦ ｔ。
（モリブデンシリサイドの場合にはＭｏＦ ６とＳ ｔ
Ｆ ａ ）と成しエツチングする方法である。
Ｆ ａ ）と成しエツチングする方法である。
しかし、とのエツチング方法は等方向反応であるため、
第１図の断面図に示すようにエツチングのマスク（７オ
トレジスト）１３下を横方向に、モリブデン（以下Ｍｏ
と記す）或いはモリブデンシリサイド（以下Ｍｏ Ｓ
ｉ ２と記す）からガる導体層１２がエツチングされ、
いわゆるアンダーカット１４が生じる。尚、図の１０は
半導体基体であ）、１１はその酸化膜である。そして、
この導体層１２の加工形状は、マスク１３よりも幅が狭
くなり、設計する際にはアンダーカット１４のマージン
を取る必要があるため、上記の等方エツチングは、微細
な・９ターンの形成には不向きである。
第１図の断面図に示すようにエツチングのマスク（７オ
トレジスト）１３下を横方向に、モリブデン（以下Ｍｏ
と記す）或いはモリブデンシリサイド（以下Ｍｏ Ｓ
ｉ ２と記す）からガる導体層１２がエツチングされ、
いわゆるアンダーカット１４が生じる。尚、図の１０は
半導体基体であ）、１１はその酸化膜である。そして、
この導体層１２の加工形状は、マスク１３よりも幅が狭
くなり、設計する際にはアンダーカット１４のマージン
を取る必要があるため、上記の等方エツチングは、微細
な・９ターンの形成には不向きである。
このだめ、ウェハに対し、垂直方向のエツチング速度が
速く横方向のエツチング速度が極めて遅い微細パターン
のエツチングが可能な異方性エツチングを達成する方法
として、イオンの運動量の方向性を利用した反応−性イ
オンエツチング（ＲＩＥ ）がある。ＭｏおよびＭｏ５
ｔ、の異方性エツチングとしてはＣＣｔ４＋０２ガスを
用いたものが提案されている。乙の反応エツチングでは
電極に印加する高周波電力やガスの圧力等のパラメータ
によりエツチング性を変化させうる。
速く横方向のエツチング速度が極めて遅い微細パターン
のエツチングが可能な異方性エツチングを達成する方法
として、イオンの運動量の方向性を利用した反応−性イ
オンエツチング（ＲＩＥ ）がある。ＭｏおよびＭｏ５
ｔ、の異方性エツチングとしてはＣＣｔ４＋０２ガスを
用いたものが提案されている。乙の反応エツチングでは
電極に印加する高周波電力やガスの圧力等のパラメータ
によりエツチング性を変化させうる。
すなわち、一般にガス圧力を低圧力にするほど壕だ、電
極に印加する電力を大電力にするほどイオンの加速エネ
ルギーが犬きくなシ、エツチング過程においていわゆる
力学的反応が支配的となるため、被エツチング材のエツ
チング断面を略垂直となるような加工形状の優れたもの
にできる。しかし、ウェハ表面の各種材料量のエツチン
グの選択性は低下する。
極に印加する電力を大電力にするほどイオンの加速エネ
ルギーが犬きくなシ、エツチング過程においていわゆる
力学的反応が支配的となるため、被エツチング材のエツ
チング断面を略垂直となるような加工形状の優れたもの
にできる。しかし、ウェハ表面の各種材料量のエツチン
グの選択性は低下する。
逆に、反応ガスの圧力が高い場合、化学的反応が支配的
なエツチングとなジ、ウェハ表面における被エツチング
材料と被エツチング部（例えば第１図ではレジスト１３
および酸化膜１１）との選択性は大きくなるが、加工形
状等は等方エツチングに近くなる。
なエツチングとなジ、ウェハ表面における被エツチング
材料と被エツチング部（例えば第１図ではレジスト１３
および酸化膜１１）との選択性は大きくなるが、加工形
状等は等方エツチングに近くなる。
上記のようなｃｃｔ、 ＋ ｏ、−ｘスを導入ガスとし
てモリブデンおよびモリブデンシリサイドの異方性エツ
チングを実現するためにはガス圧を比較的低圧力で行な
う必要があり、特にマスク材としてのレジストとの選択
性が不充分である。
てモリブデンおよびモリブデンシリサイドの異方性エツ
チングを実現するためにはガス圧を比較的低圧力で行な
う必要があり、特にマスク材としてのレジストとの選択
性が不充分である。
また、四塩化炭素ＣＣｔ４は蒸気圧が低く、常温、常圧
で液体であるため、反応系に導入する際に、導入路内で
液化し目詰まシを起こしやすく扱いにくい。
で液体であるため、反応系に導入する際に、導入路内で
液化し目詰まシを起こしやすく扱いにくい。
また、四塩化炭素ＣＣｔ４は炭素Ｃを含むために、プラ
ズマ中で分解された際に余分な炭素化合物が成牛され、
チャンバー内に堆積し、ゴミ発生の原因となる。
ズマ中で分解された際に余分な炭素化合物が成牛され、
チャンバー内に堆積し、ゴミ発生の原因となる。
本発明は上記の問題点を解消すべく鋭意研究された結果
得られたものであシ、その目的とするところは、扱いに
くい四塩化炭素を用いず、余分な炭素化合物の堆積を防
止でき、モリブデンおよびそのシリコン化合物へガス圧
が高圧力でエツチングの選択性の高い領域においても加
工形状の優れた異方性エツチングを行える反応性イオン
エツチング方法を提供するととにある。
得られたものであシ、その目的とするところは、扱いに
くい四塩化炭素を用いず、余分な炭素化合物の堆積を防
止でき、モリブデンおよびそのシリコン化合物へガス圧
が高圧力でエツチングの選択性の高い領域においても加
工形状の優れた異方性エツチングを行える反応性イオン
エツチング方法を提供するととにある。
すなわちこの発明に係る反応性イオンエツチング方法で
は、被エツチング材料の毛すブデンおよびそのシリコン
化合物と非エツチング材料の特にレジストおよび酸化シ
リコンＳ ｉＯ２とのエツチングの選択性を向上させる
ために１反応ガスを高圧力に設定し、材料選択性の良好
な化掌反応領域でエツチングを進行させると共に、前記
アンダーカットを防止しエツチングの高い異方性を実現
するために、反応生成物がエツチング面に付着してエツ
チングの保騒膜とガる現象を利用するもので、エツチン
グを塩素ｃｔ２ｆス中で行い、反応生成物として低蒸気
圧のＭｏＣｔＸ（ｘ＝１〜５）を成牛させ、このＭｏＣ
Ｚｘをエツチング中のモリブデン或いはモリブデンシリ
サイドのエツチング壁面に付着させて横方向へのエツチ
ングを防止し、イオンの衝撃エネルギーによｌ） Ｍｏ
ＣｔＸが飛ばされるエツチング面のみエツチングが進行
するようにしたものである。
は、被エツチング材料の毛すブデンおよびそのシリコン
化合物と非エツチング材料の特にレジストおよび酸化シ
リコンＳ ｉＯ２とのエツチングの選択性を向上させる
ために１反応ガスを高圧力に設定し、材料選択性の良好
な化掌反応領域でエツチングを進行させると共に、前記
アンダーカットを防止しエツチングの高い異方性を実現
するために、反応生成物がエツチング面に付着してエツ
チングの保騒膜とガる現象を利用するもので、エツチン
グを塩素ｃｔ２ｆス中で行い、反応生成物として低蒸気
圧のＭｏＣｔＸ（ｘ＝１〜５）を成牛させ、このＭｏＣ
Ｚｘをエツチング中のモリブデン或いはモリブデンシリ
サイドのエツチング壁面に付着させて横方向へのエツチ
ングを防止し、イオンの衝撃エネルギーによｌ） Ｍｏ
ＣｔＸが飛ばされるエツチング面のみエツチングが進行
するようにしたものである。
以下図面を参照してこの発明の一実施例につき説明する
。
。
第２図は、本発明で用いられる装置の一例の概要を示す
図である。
図である。
まず、基板クリコン上に熱酸化膜を形成し、その上に例
えばスパッタリング法によジモリブデンＭｏまたはモリ
ブデンシリサイドＭｏ Ｓ ｉ ２の配線層を堆積し、
さらにその上にマスク制として７オトレジストをパター
ニングしたウェハを試料２ノとして高周波（以下ＲＦと
記す）電力の印加される下部電極２２上に載置し、上部
電極２３を接地する。
えばスパッタリング法によジモリブデンＭｏまたはモリ
ブデンシリサイドＭｏ Ｓ ｉ ２の配線層を堆積し、
さらにその上にマスク制として７オトレジストをパター
ニングしたウェハを試料２ノとして高周波（以下ＲＦと
記す）電力の印加される下部電極２２上に載置し、上部
電極２３を接地する。
反応性の塩素ガスＣｔ２は流量調節器２４を介してエツ
チングチャンバー２０に導入される。
チングチャンバー２０に導入される。
２９は排気孔である。試料の載置される下部電極２２内
には、温度調節器２５によシ温度制御される媒質（本実
施例では水）が・ぐイゾ２６を介して循環しておシ、下
部電極２２は電極温度をＯ℃〜９０℃の間の任意の値に
設定できるようになっている。
には、温度調節器２５によシ温度制御される媒質（本実
施例では水）が・ぐイゾ２６を介して循環しておシ、下
部電極２２は電極温度をＯ℃〜９０℃の間の任意の値に
設定できるようになっている。
また、ＲＦ電源２７で発生させた１３．５６ＭＨｚのＲ
Ｆ電力は、マツチングボックス２８を介して下部電極２
２に供給される。エツチング中の導入ガス流量、ガス圧
力、ＲＦ電力は各々独立に制御することが可能である。
Ｆ電力は、マツチングボックス２８を介して下部電極２
２に供給される。エツチング中の導入ガス流量、ガス圧
力、ＲＦ電力は各々独立に制御することが可能である。
尚、本実施例では第２図装置を、試料載置電極にＲＦ電
力を供給し、対向′電極を接地したいわゆるカソードカ
ッグル形式を採っているが、逆に試料載置電極を接地し
、上部対向電極にＲＦ電力を供給したアノードカップル
形式で使用することも可能である。
力を供給し、対向′電極を接地したいわゆるカソードカ
ッグル形式を採っているが、逆に試料載置電極を接地し
、上部対向電極にＲＦ電力を供給したアノードカップル
形式で使用することも可能である。
次に、第２図装置をカソードカップル形式で使用し、シ
リコン基板上に酸化膜を介しＭｏ或いはＭｏＳｉ２から
成る導電体層を形成した試料を、レジストをマスクとし
て選択エツチングした結果を示す。
リコン基板上に酸化膜を介しＭｏ或いはＭｏＳｉ２から
成る導電体層を形成した試料を、レジストをマスクとし
て選択エツチングした結果を示す。
第３図はガス圧力０．１５ Ｔｏｒｒ 、ガス流量３０
ｃｃ／ｍｉｎ 、 ＲＦ電力３００Ｗの条件下における
ＭｏおよびＭｏＳｉ２のエツチング速度と基板温度（第
２図の下部電極温度）との関係を示す。図において曲線
ＡがＭｏのエツチング速度を示すものであシ、曲線Ｂが
ＭｏＳｉ２のエツチング速度を示す。
ｃｃ／ｍｉｎ 、 ＲＦ電力３００Ｗの条件下における
ＭｏおよびＭｏＳｉ２のエツチング速度と基板温度（第
２図の下部電極温度）との関係を示す。図において曲線
ＡがＭｏのエツチング速度を示すものであシ、曲線Ｂが
ＭｏＳｉ２のエツチング速度を示す。
このグラフで明らかなように、基板温度が低い場合には
、ＭｏおよびＭｏ Ｓ ｉ ２の場合も殆んどエツチン
グされず、試料表面は茶色く変色する。
、ＭｏおよびＭｏ Ｓ ｉ ２の場合も殆んどエツチン
グされず、試料表面は茶色く変色する。
これはＭｏと反応ガスＣｔとの反応生成物であるＭｏＣ
Ａ３の蒸気圧が低（（ＭｏＣＡｓは常温、常圧では固体
）、反応酸生物が試料表面に堆積する結果である。
Ａ３の蒸気圧が低（（ＭｏＣＡｓは常温、常圧では固体
）、反応酸生物が試料表面に堆積する結果である。
また、温度上昇に伴ってエツチング速度が増加してゆく
がこれはＭｏとＣｔとの反応生成物の蒸発が促進される
ためである。また、ＭＯよシもＭｏ Ｓ ｉ ２のエツ
チング速度の方が速いが、これは被エツチング部が同一
の厚みだけエツチングされる時に発生するＭｏ Ｓ ｉ
２のＭｏとＣｔとの反応生成物量が、Ｍｏの場合に比
べ少ないためである。
がこれはＭｏとＣｔとの反応生成物の蒸発が促進される
ためである。また、ＭＯよシもＭｏ Ｓ ｉ ２のエツ
チング速度の方が速いが、これは被エツチング部が同一
の厚みだけエツチングされる時に発生するＭｏ Ｓ ｉ
２のＭｏとＣｔとの反応生成物量が、Ｍｏの場合に比
べ少ないためである。
ここで、はぼ基板温度が８０℃程度までは、試料のエツ
チング断面は、第４図（＆）に示すようにレジスト１３
下にアンダーカットの生じていない異方性のエツチング
断面を呈している。しかし、基板温度を約９０℃にまで
上げると第４図（ｂ）に示すように被エツチング部にア
ンダーカット１４が見られるようになシ、温度上昇に伴
いこのアンダーカットが顕著となる。
チング断面は、第４図（＆）に示すようにレジスト１３
下にアンダーカットの生じていない異方性のエツチング
断面を呈している。しかし、基板温度を約９０℃にまで
上げると第４図（ｂ）に示すように被エツチング部にア
ンダーカット１４が見られるようになシ、温度上昇に伴
いこのアンダーカットが顕著となる。
次に上記のように一塩素ガス中でのエツチングが基板温
度に依存しつつ進行してゆく過程について第５図を用い
て詳述する。
度に依存しつつ進行してゆく過程について第５図を用い
て詳述する。
エツチングチャンバー内には反応性ガスが導入され、試
料の周囲には、イオン化されたイオン原子と励起状態の
活性化された中性原子（活性中性質）とが含まれている
。このうち、イオンは電場による加速を受は試料表面に
衝突するが、活性中性種は電場によシ加速を受けず拡散
によシ等方的に拡がり、試料の表面、ｆ１１面を区別な
く侵してゆく等方向エツチング作用を有しティる。チャ
ンバー内において、この中性種は常にイオンよシ多く、
中性活性種の作用を何らかの形で抑制しない限シ、エツ
チングは等方的となυアンダーカットが形成される。従
来は添加ガス等によυこの中性種を減少させる等の工夫
がなされていたが本発明では、ＭＯと反応させるガスと
してＣｔ２ガスを選定し、とのＣｔとＭ。
料の周囲には、イオン化されたイオン原子と励起状態の
活性化された中性原子（活性中性質）とが含まれている
。このうち、イオンは電場による加速を受は試料表面に
衝突するが、活性中性種は電場によシ加速を受けず拡散
によシ等方的に拡がり、試料の表面、ｆ１１面を区別な
く侵してゆく等方向エツチング作用を有しティる。チャ
ンバー内において、この中性種は常にイオンよシ多く、
中性活性種の作用を何らかの形で抑制しない限シ、エツ
チングは等方的となυアンダーカットが形成される。従
来は添加ガス等によυこの中性種を減少させる等の工夫
がなされていたが本発明では、ＭＯと反応させるガスと
してＣｔ２ガスを選定し、とのＣｔとＭ。
との不揮発生反応生成物ＭｏＣｔｘ（ｘ ＝ １〜５）
をエツチング側面に付着させる。
をエツチング側面に付着させる。
まず、基板温度が１０℃以下の場合には、第５図（、）
に示すように上記反応生成物（付着物）３０が被エツチ
ング部の表面および側面に付着する。この付着物３０は
上記したように蒸気圧が低いため、蒸発しに＜＜、ＭＯ
或いはＭｏ５ｔの゛ 導体層１２表面に反応ガスが触れ
ることを防げ、エツチングの進行を阻害する。
に示すように上記反応生成物（付着物）３０が被エツチ
ング部の表面および側面に付着する。この付着物３０は
上記したように蒸気圧が低いため、蒸発しに＜＜、ＭＯ
或いはＭｏ５ｔの゛ 導体層１２表面に反応ガスが触れ
ることを防げ、エツチングの進行を阻害する。
次に、基板温度を１０℃〜８０℃程度に上げると、第５
図（ｂ）に示すように付着物３０が蒸発し易くなり、被
エツチング部上面に付着した付着物３０が基板に垂直方
向の方向性を有したイオン衝撃によシはねとばされ、導
体Ｍ１２の上面は常に反応ガスにさらされる。一方導体
層１２のエツチング部側面１２ｔｒはイオン衝撃を受け
ず、付着物３０が付着した′＝！まとなる。従って、導
体層１２は垂直方向にエツチングされ横方向のエツチン
グが阻止されて、図のような異方性エツチングが進行す
る。
図（ｂ）に示すように付着物３０が蒸発し易くなり、被
エツチング部上面に付着した付着物３０が基板に垂直方
向の方向性を有したイオン衝撃によシはねとばされ、導
体Ｍ１２の上面は常に反応ガスにさらされる。一方導体
層１２のエツチング部側面１２ｔｒはイオン衝撃を受け
ず、付着物３０が付着した′＝！まとなる。従って、導
体層１２は垂直方向にエツチングされ横方向のエツチン
グが阻止されて、図のような異方性エツチングが進行す
る。
また、基板温度を８０℃以上にすると、エツチング面の
側面１２８に旧著した付着物も蒸発してしまい、中性種
によるエツチングが支配的となって前に第４図（ｂ）に
示したような等方エツチングのエツチング断面となる。
側面１２８に旧著した付着物も蒸発してしまい、中性種
によるエツチングが支配的となって前に第４図（ｂ）に
示したような等方エツチングのエツチング断面となる。
以上のように、Ｃｔ２ガスを用いて基板温度を１０℃〜
８０℃の範囲内で行い、エツチング部上面に付着する付
着物の量と側面に付着する付着物の量とをうまくバラン
スさせることによシＭｏ或いはＭｏ Ｓ ｉ ２を異方
性エツチングすることができる。
８０℃の範囲内で行い、エツチング部上面に付着する付
着物の量と側面に付着する付着物の量とをうまくバラン
スさせることによシＭｏ或いはＭｏ Ｓ ｉ ２を異方
性エツチングすることができる。
第６図は、電極温度３５℃、Ｉ（Ｆ電力５００ｗ 、
ｃｔ２ガス流量３０ ｃｃ／ｍｉｎの条件における各種
材料のエツチング速度とガス圧力との関係を示す。図に
おいてそれぞれ曲線ＡはＭｏ 、 ＢはＭｏＳｉ２ ｐ
ＣはＳｉＯ２（酸化シリコン）、Ｄはフォトレジスの
場合を示している。一般にガス圧力が低圧になるとイオ
ン衝撃のエネルギーが大きくなる。５ｉｏ２やフォトレ
ジストは主としてイオンの衝撃エネルギーによりエツチ
ングされるので、ガス圧力を高くすれば、エツチング速
度を小さくするととができる。− 一方、Ｍｏ ｇ ＭｏＳｉ２では、イオンの衝撃エネル
ギーと、化学反応との両者の作用によってエツチングが
進行し、図に示すようなエツチング速度とガス圧力との
関係が得られる。この場合、通常のＲＩＥの場合よりも
かガ）高圧である例えば０．２ Ｔｏｒｒ近傍でも、Ｍ
ｏ 、 ＭｏＳｉ２はかなシ高いエツチング速度を有し
ておシ、そのエツチング性も十分異方性を持ったもので
ある。これは、前述のように、反応生成分がエツチング
部の側壁に付着し、マスク下を横方向に進行するエツチ
ングを阻止するためである。
ｃｔ２ガス流量３０ ｃｃ／ｍｉｎの条件における各種
材料のエツチング速度とガス圧力との関係を示す。図に
おいてそれぞれ曲線ＡはＭｏ 、 ＢはＭｏＳｉ２ ｐ
ＣはＳｉＯ２（酸化シリコン）、Ｄはフォトレジスの
場合を示している。一般にガス圧力が低圧になるとイオ
ン衝撃のエネルギーが大きくなる。５ｉｏ２やフォトレ
ジストは主としてイオンの衝撃エネルギーによりエツチ
ングされるので、ガス圧力を高くすれば、エツチング速
度を小さくするととができる。− 一方、Ｍｏ ｇ ＭｏＳｉ２では、イオンの衝撃エネル
ギーと、化学反応との両者の作用によってエツチングが
進行し、図に示すようなエツチング速度とガス圧力との
関係が得られる。この場合、通常のＲＩＥの場合よりも
かガ）高圧である例えば０．２ Ｔｏｒｒ近傍でも、Ｍ
ｏ 、 ＭｏＳｉ２はかなシ高いエツチング速度を有し
ておシ、そのエツチング性も十分異方性を持ったもので
ある。これは、前述のように、反応生成分がエツチング
部の側壁に付着し、マスク下を横方向に進行するエツチ
ングを阻止するためである。
圧の高い領域において、充分異方性エツチングが可能で
あるため、上記のように、マスク材の７オトレジストや
導体層下の下地５ｉｏ２ （酸化膜）のエツチング速度
を充分小さくすることができ、その結果材料選択性の高
い異方性エツチングを実現できる。
あるため、上記のように、マスク材の７オトレジストや
導体層下の下地５ｉｏ２ （酸化膜）のエツチング速度
を充分小さくすることができ、その結果材料選択性の高
い異方性エツチングを実現できる。
以上のようにこの発明によれは余分な炭素化合物の堆積
を防止でき、ガス圧が高圧力でエツチング選択性の高い
領域においても加工形状の優れた異方性エツチングを、
モリブデンおよびそのシリコン化合物に対して行うこと
のできる反応性イオンエツチング方法を提供することが
できる。
を防止でき、ガス圧が高圧力でエツチング選択性の高い
領域においても加工形状の優れた異方性エツチングを、
モリブデンおよびそのシリコン化合物に対して行うこと
のできる反応性イオンエツチング方法を提供することが
できる。
尚、今後の高密度集積回路ではよシ一層下地５１０２が
薄層化された膜構造としなければならないが、このよう
な薄い膜構造の装置へのエツチング方法として、本発明
による反応性エツチング方法は大変有利なものである。
薄層化された膜構造としなければならないが、このよう
な薄い膜構造の装置へのエツチング方法として、本発明
による反応性エツチング方法は大変有利なものである。
第１図は従来の等方エツチングによυエッチングによシ
エッチングされた半導体装置を示す図、第２図はこの発
明の一実施例で用いられるエツチング装置の概要を示す
図、第３図は電極温度とエツチング速度の関係を示す図
、第４図は異なる電極温度におけるモリブデンおよびモ
リブデンシリサイドのエツチング状態を示す図、第５図
は本発明による反応性イオンエツチングのエツチング作
用を説明する図、第６図は一定条件下における各種材料
のエツチング速度とガス圧との関係を示す図である。 １１・・・酸化膜、１２・・・導体層、１３・・・レジ
スト、２０・・・エツチングチャンバー、２ノ・・・試
料、３θ・・・付着物。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 産業１＠１ 第２図 第３ＷＡ ＼ 侃て 電極温度 （ａ） 第 （ａ） ４ 図 （ｂ） ５ 図 （ｂ）
エッチングされた半導体装置を示す図、第２図はこの発
明の一実施例で用いられるエツチング装置の概要を示す
図、第３図は電極温度とエツチング速度の関係を示す図
、第４図は異なる電極温度におけるモリブデンおよびモ
リブデンシリサイドのエツチング状態を示す図、第５図
は本発明による反応性イオンエツチングのエツチング作
用を説明する図、第６図は一定条件下における各種材料
のエツチング速度とガス圧との関係を示す図である。 １１・・・酸化膜、１２・・・導体層、１３・・・レジ
スト、２０・・・エツチングチャンバー、２ノ・・・試
料、３θ・・・付着物。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 産業１＠１ 第２図 第３ＷＡ ＼ 侃て 電極温度 （ａ） 第 （ａ） ４ 図 （ｂ） ５ 図 （ｂ）
Claims (2)
- （１）高周波電力の供給された相対向する電極の一方の
電極上に載置された被エツチング材料を反応性ガスプラ
ズマ中でエツチングする反応性イオンエツチングにおい
て、被エツチング拐料としてモリブデンまたはそのシリ
コン化合物を使用し、反応性ガスとして塩素を使用する
ことを特徴とする反応性イオンエツチング方法。 - （２） 上記被エツチング材が載置される上記電極の
温度を１０℃以上８０℃以下に保持することを特徴とす
る反応性イオンエツチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23351182A JPS59124135A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 反応性イオンエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23351182A JPS59124135A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 反応性イオンエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59124135A true JPS59124135A (ja) | 1984-07-18 |
Family
ID=16956167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23351182A Pending JPS59124135A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 反応性イオンエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59124135A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0127268A2 (en) * | 1983-03-07 | 1984-12-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of reactive ion etching molybdenum and molybdenum silicide |
| EP0258698A2 (en) * | 1986-09-05 | 1988-03-09 | Hitachi, Ltd. | Dry etching method |
| EP0297898A2 (en) * | 1987-07-02 | 1989-01-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of dry etching |
| US5354416A (en) * | 1986-09-05 | 1994-10-11 | Sadayuki Okudaira | Dry etching method |
| CN105470193A (zh) * | 2014-09-09 | 2016-04-06 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 金属钼材料的刻蚀方法 |
-
1982
- 1982-12-28 JP JP23351182A patent/JPS59124135A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0127268A2 (en) * | 1983-03-07 | 1984-12-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of reactive ion etching molybdenum and molybdenum silicide |
| EP0258698A2 (en) * | 1986-09-05 | 1988-03-09 | Hitachi, Ltd. | Dry etching method |
| US5354416A (en) * | 1986-09-05 | 1994-10-11 | Sadayuki Okudaira | Dry etching method |
| EP0297898A2 (en) * | 1987-07-02 | 1989-01-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of dry etching |
| CN105470193A (zh) * | 2014-09-09 | 2016-04-06 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 金属钼材料的刻蚀方法 |
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